JPS5814512A - インダクタ素子 - Google Patents
インダクタ素子Info
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- JPS5814512A JPS5814512A JP11272581A JP11272581A JPS5814512A JP S5814512 A JPS5814512 A JP S5814512A JP 11272581 A JP11272581 A JP 11272581A JP 11272581 A JP11272581 A JP 11272581A JP S5814512 A JPS5814512 A JP S5814512A
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- film
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- inductor
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- amorphous
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F2017/0066—Printed inductances with a magnetic layer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は厚模、薄膜回路用の素子として好適なインダク
タ素子に関する。
タ素子に関する。
近年・液体急冷法(又はローラ零クエンチ法)といわれ
る非晶質合金薄帯形成方法が確立されつつある。この方
法は金属合金の髄液をノズルより吹き出して1回転して
いる金属ロール表面で急冷するものであり、これにより
得られる合金の中で。
る非晶質合金薄帯形成方法が確立されつつある。この方
法は金属合金の髄液をノズルより吹き出して1回転して
いる金属ロール表面で急冷するものであり、これにより
得られる合金の中で。
C、P 、 B 、 Si等の半金属を約20原子y、
含むFa 、 Ni 、 C6の共晶合金の非晶質薄帯
は極めて優れた軟磁性を示す。即ち、斯る非晶質薄帯は
透磁率が大で、保磁力が小さくかつ飽和磁束密度も大き
いという特色を有し、磁気ヘッド用材料ヤトランス磁芯
、センナ、制御機器材として応用が試みられている。
含むFa 、 Ni 、 C6の共晶合金の非晶質薄帯
は極めて優れた軟磁性を示す。即ち、斯る非晶質薄帯は
透磁率が大で、保磁力が小さくかつ飽和磁束密度も大き
いという特色を有し、磁気ヘッド用材料ヤトランス磁芯
、センナ、制御機器材として応用が試みられている。
本発明はこの様な優れた軟磁性を利用して厚膜、薄膜回
路用の素子として好適なチップ型のインダクタ素子を得
んとするものである。
路用の素子として好適なチップ型のインダクタ素子を得
んとするものである。
図は本発明実施例を示し、 (1)は上記液体急冷法に
より形成された20〜100戸聰厚さの非晶質磁性薄帯
%(2)は該磁性薄帯上に電気絶縁のために設けられた
有機物又はSiO意などの無機物からなる絶縁膜、(3
)は該絶縁膜上にメッキ又は印刷法で形成すれたスパイ
ラル状のインダクタ用電極である。
より形成された20〜100戸聰厚さの非晶質磁性薄帯
%(2)は該磁性薄帯上に電気絶縁のために設けられた
有機物又はSiO意などの無機物からなる絶縁膜、(3
)は該絶縁膜上にメッキ又は印刷法で形成すれたスパイ
ラル状のインダクタ用電極である。
一般1:平面スパイラルコイルのインダクタンス値(L
)は、 但し 6 コイルの中心と巻線の中心との距離C全巻線の幅 N 巻線数 o〉Q、2m である。この式によれば1例えばa −Q、35(in
aム)e−0,405(龜ルCA ) 、A’−20と
するとL−4,6(μI)図の実施例につき、より具体
的な数値例を挙げる。
)は、 但し 6 コイルの中心と巻線の中心との距離C全巻線の幅 N 巻線数 o〉Q、2m である。この式によれば1例えばa −Q、35(in
aム)e−0,405(龜ルCA ) 、A’−20と
するとL−4,6(μI)図の実施例につき、より具体
的な数値例を挙げる。
下記の特性を持つ30μn@厚さ、 l ineル平方
の非晶質磁性薄帯(11上C=約0.0021nch厚
さの一ンのスパイラル電極を低潟銀ペーストのスクリー
ン印刷法により作成した。このとき1起a−0,251
nch 、 e −0,391nch又電揮の厚みはo
、o O2i關み であった、゛ 非晶質磁性薄帯τ1)の特性 組成F−4Q Ni3f3 Maa 71ha飽和磁束
密f 8800ガウス 保磁力 7ミリエールステツV 最大透磁率 750.000 実効透磁率 4400(10rffz)斯るチップ型
インダクタのLHを測定したところL−20μgであ1
ノ、この値は下地t111μ磁性体の場合の約4倍であ
る。
の非晶質磁性薄帯(11上C=約0.0021nch厚
さの一ンのスパイラル電極を低潟銀ペーストのスクリー
ン印刷法により作成した。このとき1起a−0,251
nch 、 e −0,391nch又電揮の厚みはo
、o O2i關み であった、゛ 非晶質磁性薄帯τ1)の特性 組成F−4Q Ni3f3 Maa 71ha飽和磁束
密f 8800ガウス 保磁力 7ミリエールステツV 最大透磁率 750.000 実効透磁率 4400(10rffz)斯るチップ型
インダクタのLHを測定したところL−20μgであ1
ノ、この値は下地t111μ磁性体の場合の約4倍であ
る。
以上に説明した如く・本発明インダクタ素子)ま小型に
して十分大きなL値を有するものであ−J。
して十分大きなL値を有するものであ−J。
例えば厚膜回路や薄膜回路用素子として有効となる。
第1図は本発明実施例の斜視図、第26!5は同用−■
断面図である。 (1)・・・非晶質磁性薄帯、(2)・・・絶縁膜、C
3)・・・型開。
断面図である。 (1)・・・非晶質磁性薄帯、(2)・・・絶縁膜、C
3)・・・型開。
Claims (1)
- 111 非晶質磁性薄帯上に絶縁膜を介してインダク
タ用電極を形成したことを特徴とするインダクタ素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11272581A JPS5814512A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | インダクタ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11272581A JPS5814512A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | インダクタ素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5814512A true JPS5814512A (ja) | 1983-01-27 |
Family
ID=14593966
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11272581A Pending JPS5814512A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | インダクタ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5814512A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4959631A (en) * | 1987-09-29 | 1990-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Planar inductor |
US5414356A (en) * | 1987-09-21 | 1995-05-09 | Hitachi, Ltd. | Fluxmeter including squid and pickup coil with flux guiding core and method for sensing degree of deterioration of an object |
US6466122B1 (en) | 1988-09-30 | 2002-10-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Planar inductor |
-
1981
- 1981-07-17 JP JP11272581A patent/JPS5814512A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5414356A (en) * | 1987-09-21 | 1995-05-09 | Hitachi, Ltd. | Fluxmeter including squid and pickup coil with flux guiding core and method for sensing degree of deterioration of an object |
US4959631A (en) * | 1987-09-29 | 1990-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Planar inductor |
EP0310396B1 (en) * | 1987-09-29 | 1995-07-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Planar inductor |
US6466122B1 (en) | 1988-09-30 | 2002-10-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Planar inductor |
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