JPS58138078A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS58138078A JPS58138078A JP2150282A JP2150282A JPS58138078A JP S58138078 A JPS58138078 A JP S58138078A JP 2150282 A JP2150282 A JP 2150282A JP 2150282 A JP2150282 A JP 2150282A JP S58138078 A JPS58138078 A JP S58138078A
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Links
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 101100350187 Caenorhabditis elegans odd-2 gene Proteins 0.000 description 1
- UNPLRYRWJLTVAE-UHFFFAOYSA-N Cloperastine hydrochloride Chemical compound Cl.C1=CC(Cl)=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)OCCN1CCCCC1 UNPLRYRWJLTVAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100404841 Leptosphaeria maculans NIIA gene Proteins 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/868—PIN diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、電流制御形の負性抵抗特性Ｖ有する２端子
瀧の半導体装置に関するものである。
瀧の半導体装置に関するものである。
従来、２端子臘の半導体装置で、電流制御形の負性抵抗
特性を有する素子として、二重向性２端子サイリスタが
有９．＄１１１図に示すような特性を有する。この二方
向４＆２端子サイリスタは、負性抵抗を得るには、ブレ
ークオーバ電圧Ｖ０以上の高い印加電圧が必要である欠
点を有している。
特性を有する素子として、二重向性２端子サイリスタが
有９．＄１１１図に示すような特性を有する。この二方
向４＆２端子サイリスタは、負性抵抗を得るには、ブレ
ークオーバ電圧Ｖ０以上の高い印加電圧が必要である欠
点を有している。
この発明は、この欠点を除去するためになされたもので
、低い電圧で負性抵抗特性奮得ることができるようにし
、加えて負性抵抗特性に温度特性を持つようにしたもの
である。以下、この発明について説明する。
、低い電圧で負性抵抗特性奮得ることができるようにし
、加えて負性抵抗特性に温度特性を持つようにしたもの
である。以下、この発明について説明する。
纂２図はこの発明の一実施ｆｉ’＆−示すもので、１は
Ｎ臘低比抵抗牛導体基板（以下Ｎ半導体基板という）１
．２はＰｉｉ轟比抵抗層（以下ｐ−ｓ域とい５）、３は
Ｎｌｌ低比抵抗拡散領域（以下Ｎ 領域という）、４は
ＮＩＩＡ比抵抗拡散領域（以下Ｎ−領域という）、５は
保ｉｉｔ＊、ｓ、ｙは電極＆８々示す。
Ｎ臘低比抵抗牛導体基板（以下Ｎ半導体基板という）１
．２はＰｉｉ轟比抵抗層（以下ｐ−ｓ域とい５）、３は
Ｎｌｌ低比抵抗拡散領域（以下Ｎ 領域という）、４は
ＮＩＩＡ比抵抗拡散領域（以下Ｎ−領域という）、５は
保ｉｉｔ＊、ｓ、ｙは電極＆８々示す。
次に＃作について説明する。
電極１に正電圧、電１ｉ＠に負電圧を印加すると、Ｎ半
導体基板１とＰ−領域２にあるＰＮ接合に発生した空乏
層は、不純物＃１１友の低いＰ領域２に主として拡がる
。この空乏層がＮ 領域３に達すると、バンチスルーに
より、電ＷＩＴ、 ＠には急激に電流が流れ始め降伏
現象が発生する。
導体基板１とＰ−領域２にあるＰＮ接合に発生した空乏
層は、不純物＃１１友の低いＰ領域２に主として拡がる
。この空乏層がＮ 領域３に達すると、バンチスルーに
より、電ＷＩＴ、 ＠には急激に電流が流れ始め降伏
現象が発生する。
−７７、Ｎ ｓ域ｓｖエミッタとしてＰ″″領域２ｔ
ペース、Ｎ ＃Ｐ１体基板基板１ｔコレクタ、Ｐ−領域
２とＮ領域３のベースとエミッタｔショートしたトラン
ジスタのコレクタ・エミッタ間降伏電圧Ｖ（ａｍ）ｃｓ
ｓが電１ｉｆｅ ７関に存在している。
ペース、Ｎ ＃Ｐ１体基板基板１ｔコレクタ、Ｐ−領域
２とＮ領域３のベースとエミッタｔショートしたトラン
ジスタのコレクタ・エミッタ間降伏電圧Ｖ（ａｍ）ｃｓ
ｓが電１ｉｆｅ ７関に存在している。
上記パンチスルー降伏とコレクタ・エミッタ間降伏電圧
Ｖ（ａｍ）ｃ＋ｎ ｔ’第３−の如く近接した電圧で生
じさせれば、電流制御形の負性抵抗を有する半導体装置
Ｖ得ることができる。具体的゛には、Ｐ″″領域２の比
抵抗および厚さで決定されるコレクタ・エミッタ間降伏
電圧＃よびＮ ｉＩ域３の不純物議度分布と深さ、およ
び面積で決定されるパンチスルー降伏電圧ＶＳＶ〜６ｖ
とすることにより、容易に第３図の実線の電流制御形負
性抵抗を得ることができる。
Ｖ（ａｍ）ｃ＋ｎ ｔ’第３−の如く近接した電圧で生
じさせれば、電流制御形の負性抵抗を有する半導体装置
Ｖ得ることができる。具体的゛には、Ｐ″″領域２の比
抵抗および厚さで決定されるコレクタ・エミッタ間降伏
電圧＃よびＮ ｉＩ域３の不純物議度分布と深さ、およ
び面積で決定されるパンチスルー降伏電圧ＶＳＶ〜６ｖ
とすることにより、容易に第３図の実線の電流制御形負
性抵抗を得ることができる。
第３図において、−線ａはコレクタ・エミッタ関降伏電
圧Ｖ（、墓）ａｓｓ特性Ｙ、［＊ｂはバンチスルー降伏
特性を示す。直ｔａｂのこう配は、ｊｌｌＺ図十 のＮ領域３の面積に依存する。
圧Ｖ（、墓）ａｓｓ特性Ｙ、［＊ｂはバンチスルー降伏
特性を示す。直ｔａｂのこう配は、ｊｌｌＺ図十 のＮ領域３の面積に依存する。
第３図の実線で示す特性が、この発明の二方向２端子サ
イリスタの特性となる。また、Ｖ、、 Ｉ。
イリスタの特性となる。また、Ｖ、、 Ｉ。
は負荷電圧と負荷電流である。
また、第３図の特性の温度特性は、低温側では曲線ａの
コレクタ・エミッタ関神伏電圧Ｖ（ｍｓ）ｃ＋＋ｎの温
度係数が正で、パンチスルー降伏電圧の温度係数が負で
あるため、負性特性が強くなり、高温側でｔ工員性特性
が弱められる特性な有することとなる結果、第４図の特
性な得ることができる。なお、Ｔ、 、 、Ｔ、 、
Ｔ、は温度な表わし、それらの関係はＴＩ＜Ｔ、＜Ｔ、
である。
コレクタ・エミッタ関神伏電圧Ｖ（ｍｓ）ｃ＋＋ｎの温
度係数が正で、パンチスルー降伏電圧の温度係数が負で
あるため、負性特性が強くなり、高温側でｔ工員性特性
が弱められる特性な有することとなる結果、第４図の特
性な得ることができる。なお、Ｔ、 、 、Ｔ、 、
Ｔ、は温度な表わし、それらの関係はＴＩ＜Ｔ、＜Ｔ、
である。
以上詳細に説明したようにこの発明は、低比抵抗半導体
基板の上に、これと異なる導電層の高比抵抗層を薄く形
成し、この高比抵抗層中に、低比抵抗半導体基板と同一
導電ｍｔ−有する低比抵抗拡散領域なイオン注入や拡散
で浅く形成し、この低比抵抗拡散領域と高比抵抗層とを
電極で結び、さらに、高比抵抗層の比抵抗と厚さ、およ
び低比抵抗拡散領域の面積を電流制御形の負性抵抗特性
を有するように定め、かつ低温時には負性抵抗特性が増
強され、高温時には負性抵抗特性が軽減され、ついには
消滅するように構成したので、従来のＪ５にプンークオ
ーバ電圧以上の高電圧な必要とすることなく、負性特性
な得ることができ、さらに、負性抵抗に温ｆ轡性を持せ
ることができる利点を有する。
基板の上に、これと異なる導電層の高比抵抗層を薄く形
成し、この高比抵抗層中に、低比抵抗半導体基板と同一
導電ｍｔ−有する低比抵抗拡散領域なイオン注入や拡散
で浅く形成し、この低比抵抗拡散領域と高比抵抗層とを
電極で結び、さらに、高比抵抗層の比抵抗と厚さ、およ
び低比抵抗拡散領域の面積を電流制御形の負性抵抗特性
を有するように定め、かつ低温時には負性抵抗特性が増
強され、高温時には負性抵抗特性が軽減され、ついには
消滅するように構成したので、従来のＪ５にプンークオ
ーバ電圧以上の高電圧な必要とすることなく、負性特性
な得ることができ、さらに、負性抵抗に温ｆ轡性を持せ
ることができる利点を有する。
１１１１１１は従来の二重向性２端子サイリスタの電圧
・電流特性図、ＪＩＩ２ｍはこのＩｉ＠の−ｌｌｌｌ施
水す断ｍｗＡ％纂Ｓ＠は纂２図の実施例の電圧・電＃１
４１性−１謳４１ｍは同じ（負性抵抗、温度依存性を示
す特性図である。 図中、１はＮｌ１１低比抵抗牛導体基板、２はＰｊｉ高
比抵抗層、３はＮ層像比抵抗拡散領域、４はＮ臘高比抵
抗拡散領域、Ｓは保ＩＩ誤％Ｓ、１は電極である。 代理人 １野・信−（外１名） 第１図 第２図 第３図 第４図 手続補正書（自−） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭 ！Ｉ７−鵞１１■
奇２、゛発明の名称 亭導体装置 ３、補正をする者 （１） ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面＆ 補正の内
容 （１） 明細書第４真１〜３行に「この発明の二方向
・・・・・・負荷電流である。」の個所を下記のように
補正する。 「この発明の負荷抵抗特性となる。また、ｖｌ。 １１は、逆電圧、逆電流を示す。」 （２） 第４図を別紙のように補正する。 以上 第４図
・電流特性図、ＪＩＩ２ｍはこのＩｉ＠の−ｌｌｌｌ施
水す断ｍｗＡ％纂Ｓ＠は纂２図の実施例の電圧・電＃１
４１性−１謳４１ｍは同じ（負性抵抗、温度依存性を示
す特性図である。 図中、１はＮｌ１１低比抵抗牛導体基板、２はＰｊｉ高
比抵抗層、３はＮ層像比抵抗拡散領域、４はＮ臘高比抵
抗拡散領域、Ｓは保ＩＩ誤％Ｓ、１は電極である。 代理人 １野・信−（外１名） 第１図 第２図 第３図 第４図 手続補正書（自−） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭 ！Ｉ７−鵞１１■
奇２、゛発明の名称 亭導体装置 ３、補正をする者 （１） ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面＆ 補正の内
容 （１） 明細書第４真１〜３行に「この発明の二方向
・・・・・・負荷電流である。」の個所を下記のように
補正する。 「この発明の負荷抵抗特性となる。また、ｖｌ。 １１は、逆電圧、逆電流を示す。」 （２） 第４図を別紙のように補正する。 以上 第４図
Claims (1)
- １つの導電臘の低比抵抗半導体基板の上に、これとＳな
る導電ｍを有する高比抵抗層ゲ薄く形成し、この高比抵
抗層の中にｔＩｉ記低比抵抗牛導体基板と同一の導電１
ｌｔ−有する低比抵抗拡散領域なイオン注入や拡散で浅
く形成し、この低比抵抗拡散領域と前記＾比抵抗層Ｙｌ
Ｋ極で結び、さらに前記高比抵抗層の比抵抗と厚さ、お
よび前記低比抵抗拡散領域の面積ｔ、電ｒＩＬＩＩ制御
形の負性抵抗特性を有するように定めたことｔ臀像とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150282A JPS58138078A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150282A JPS58138078A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58138078A true JPS58138078A (ja) | 1983-08-16 |
Family
ID=12056739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2150282A Pending JPS58138078A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58138078A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2700418A1 (fr) * | 1993-01-12 | 1994-07-13 | France Telecom | Composant électronique capable de résistance dynamique négative et procédé de fabrication correspondant. |
-
1982
- 1982-02-10 JP JP2150282A patent/JPS58138078A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2700418A1 (fr) * | 1993-01-12 | 1994-07-13 | France Telecom | Composant électronique capable de résistance dynamique négative et procédé de fabrication correspondant. |
| EP0607075A1 (fr) * | 1993-01-12 | 1994-07-20 | France Telecom | Composant électronique capable de résistance dynamique négative et procédé de fabrication correspondant |
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