JPS5813631B2 - カツセイナホゴソウオユウスルデンキカガクヨウノ キンゾクデンキヨク - Google Patents
カツセイナホゴソウオユウスルデンキカガクヨウノ キンゾクデンキヨクInfo
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- JPS5813631B2 JPS5813631B2 JP49126048A JP12604874A JPS5813631B2 JP S5813631 B2 JPS5813631 B2 JP S5813631B2 JP 49126048 A JP49126048 A JP 49126048A JP 12604874 A JP12604874 A JP 12604874A JP S5813631 B2 JPS5813631 B2 JP S5813631B2
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- Japan
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- metal
- base material
- group
- electrode base
- electrode
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B11/00—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
- C25B11/04—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by the material
- C25B11/051—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier
- C25B11/073—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the electrocatalyst material
- C25B11/091—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the electrocatalyst material consisting of at least one catalytic element and at least one catalytic compound; consisting of two or more catalytic elements or catalytic compounds
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
- Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、白金酸金属塩及びパラジウム酸金属塩に基ず
く活性な保護層を有する金属電極に関するものである。
く活性な保護層を有する金属電極に関するものである。
Nacl , Kcl塩素酸塩及びHclの電気分解を
行なう場合、Me(I)約0.5 Pt3 04(こゝ
でMe(I)は、Li,Naを表わす)に基ずく活性な
保護層を有する金属電極を使用することは、ドイツ公開
出願No.I,8 1 3,9 4 4によって示され
るように、該技術分野では知られている。
行なう場合、Me(I)約0.5 Pt3 04(こゝ
でMe(I)は、Li,Naを表わす)に基ずく活性な
保護層を有する金属電極を使用することは、ドイツ公開
出願No.I,8 1 3,9 4 4によって示され
るように、該技術分野では知られている。
また米国特許3,9 6 2,0 6 8によって示さ
れるように、上記活性な保護層ととしては、式MeA(
I)約0.4MeB(υ約。
れるように、上記活性な保護層ととしては、式MeA(
I)約0.4MeB(υ約。
.1Pt304(こ5でMeAは、L i , Na.
Kを表わし、MeBはTIおよびAgを表す)を有する
物質も含まれている。
Kを表わし、MeBはTIおよびAgを表す)を有する
物質も含まれている。
これらの電極は、操作性、長寿命及びセル電圧の高不変
性において高い信頼度を示している。
性において高い信頼度を示している。
本発明の目的は、たとえばチタンからなる電極基材の合
金化した表面と上記した電気化学的に活性な物質(以下
において活性物質という)との間のこれらの金属電極に
対して配置する埋め込み物質( embedding
material )を見出すことにある。
金化した表面と上記した電気化学的に活性な物質(以下
において活性物質という)との間のこれらの金属電極に
対して配置する埋め込み物質( embedding
material )を見出すことにある。
本発明の別な目的は、電極基材の合金化した表面と活性
物質との間の埋め込み物質で、活性物質の効果を減じる
ことのない物質を提供することにある。
物質との間の埋め込み物質で、活性物質の効果を減じる
ことのない物質を提供することにある。
本発明の別の目的は、電極基材の合金化した表面と活性
物質との間の埋め込み物質によって、完全な不活性度を
示すことなしに化学的に抵抗ある手段にて残りの他の部
分を保護せしめて、陽極の電流効率( Current
yield )を増加せしめることにある。
物質との間の埋め込み物質によって、完全な不活性度を
示すことなしに化学的に抵抗ある手段にて残りの他の部
分を保護せしめて、陽極の電流効率( Current
yield )を増加せしめることにある。
本発明によると、上記目的は、保護層の埋め込み物質と
して、式Ba ( MxT i t一x) 03を有す
る化合物の単独又は他の添加物との組み合せを構成要素
とすることで達成される。
して、式Ba ( MxT i t一x) 03を有す
る化合物の単独又は他の添加物との組み合せを構成要素
とすることで達成される。
上記の化合物は、J . G . Dickson ,
L.Katz及びR . Wardによって初めて純
粋な形で合成されそして試験されている。
L.Katz及びR . Wardによって初めて純
粋な形で合成されそして試験されている。
(J .Am.Chem.SOc.83.3026頁、
1961) 上記の化合物は、活性物質であるMe(I)約0.5P
t304やMeA(I)約0.4MeB(I約0−I
P t 3 04 を極めてよく埋め込み、また電極基
材である合金化したチタンの表面にも良好に”接着”(
adhere )することが判明した。
1961) 上記の化合物は、活性物質であるMe(I)約0.5P
t304やMeA(I)約0.4MeB(I約0−I
P t 3 04 を極めてよく埋め込み、また電極基
材である合金化したチタンの表面にも良好に”接着”(
adhere )することが判明した。
更に他の多くの接着剤( coadhe s ives
)とは対照的に、特殊な電気的導電性を示すものの、
小さい電気化学的活性を示す。
)とは対照的に、特殊な電気的導電性を示すものの、
小さい電気化学的活性を示す。
実施例 1
1モルのBaCOs 、 0. 1モルのPt02,0
.9モ?のTIO2の各々を細かく砕き、そして空気中
で約1時間、シリカ製コーシブル(cauc ib l
es )のなかで加熱した。
.9モ?のTIO2の各々を細かく砕き、そして空気中
で約1時間、シリカ製コーシブル(cauc ib l
es )のなかで加熱した。
焼結材料を再び細かく砕き、そして24時間にわたり、
真空下に1300℃にせしめた。
真空下に1300℃にせしめた。
均一な微細結晶のこはく色のBa(P to,1TlO
,g ) 03が得られた。
,g ) 03が得られた。
30重量部のLi0.5Pt304と70重量部の上記
のようにして得られたBa(Pto.t Tt.g )
Osを混合し、得られた粉体混合物を20%のポリグ
リコールを含有する水溶液中に混合した。
のようにして得られたBa(Pto.t Tt.g )
Osを混合し、得られた粉体混合物を20%のポリグ
リコールを含有する水溶液中に混合した。
得られた懸濁液は粉砕され、さらにポリグリコール溶液
が加えられ、塗布可能なペーストが得られた。
が加えられ、塗布可能なペーストが得られた。
このペーストをPtで合金化した電極基材の上に塗布し
、基材およびこの湿潤した保護層を約600℃にて焼結
した。
、基材およびこの湿潤した保護層を約600℃にて焼結
した。
塗布可能なペーストを用意し、このペーストを電極基材
に塗布し、高温にて焼結するという固着方法は、顔料に
よってセラミック材料をコーティングする方法として知
られており、広く利用されている。
に塗布し、高温にて焼結するという固着方法は、顔料に
よってセラミック材料をコーティングする方法として知
られており、広く利用されている。
なお、極端な場合には、Lio.,Pt3o4の含有量
は電気化学的使用のときには10%まで低下させられる
が、通常約40%の割合の量が好ましい。
は電気化学的使用のときには10%まで低下させられる
が、通常約40%の割合の量が好ましい。
かくして得られる電極は、97〜98%の電流効率を示
した。
した。
また、活性物質と使用されるLiO,5Pt304と埋
め込み物質として使用されるBa( P to.,Ti
o.,)O3とはともに、粒径10μ以下であり、これ
らを特に粉砕処理する必要はなかった。
め込み物質として使用されるBa( P to.,Ti
o.,)O3とはともに、粒径10μ以下であり、これ
らを特に粉砕処理する必要はなかった。
すなわち、得られたままの状態で使用した。
上記Ba(Pt0.I TiO,g ) Osを得るた
めの反応は、次の式によって行なわれる。
めの反応は、次の式によって行なわれる。
1000〜1300°C
B a COs +0.I P t O +0.9 T
t 02 −一.一一,2 Ba(Pto,I Tio,g ) 03+CO2+0
20.1モル以下のPtO2を使用することは好ましく
ない。
t 02 −一.一一,2 Ba(Pto,I Tio,g ) 03+CO2+0
20.1モル以下のPtO2を使用することは好ましく
ない。
なぜならそうするときには純粋なチタン酸バリウムが存
在してしまい、かゝる場合には極めて低い化学的活性と
小さい電気伝導性を招来してしまうからである。
在してしまい、かゝる場合には極めて低い化学的活性と
小さい電気伝導性を招来してしまうからである。
化合物中0.1〜0.5Pt02,の値では、完全な反
応はもはや起らなく、化合物の形成に比例して、PtO
2の分解が起り、かゝる場合は、金属状の白金が遊離す
るので化合物を不純にする。
応はもはや起らなく、化合物の形成に比例して、PtO
2の分解が起り、かゝる場合は、金属状の白金が遊離す
るので化合物を不純にする。
これは、チタン表面の焼成プロセスにとって有利であり
、従って該範囲内で実施することが好ましい。
、従って該範囲内で実施することが好ましい。
その他化合物Ba(MxTi1−X)03のうち、金属
MとしてはRu, Rh, Pd,Os, Irが使用
される。
MとしてはRu, Rh, Pd,Os, Irが使用
される。
実施例 2
0.3モルのRu,1モルのB a C O3及び0.
7モルのTi02とを微細な粉末形態にして空気中、シ
リカ製コーシブルのなかで1050〜1100℃まで除
々に加熱した。
7モルのTi02とを微細な粉末形態にして空気中、シ
リカ製コーシブルのなかで1050〜1100℃まで除
々に加熱した。
小さいほとんど無色のBa( RLIOo3 TI0.
7 ) 03の結晶が生じた。
7 ) 03の結晶が生じた。
生成の反応式は次のように考えられる。
約1100°C
O.3 Ru+ B a CO3+ 0.7 T t
02Ba ( Ru O。
02Ba ( Ru O。
3 T i O,7 ) 03+CO260重量部の上
記のようにして得られた Ba ( Ru0,3 T I O,7 ) 03 ,
3 0重量部のLi0,5Pt304,5重量部のN
a0.4Tl0.1P t 3 04および5重量部の
L ; o。
記のようにして得られた Ba ( Ru0,3 T I O,7 ) 03 ,
3 0重量部のLi0,5Pt304,5重量部のN
a0.4Tl0.1P t 3 04および5重量部の
L ; o。
5 Ago,I P t 304が混合された。得られ
た粉体混合物をポリグリコール溶液に混合した。
た粉体混合物をポリグリコール溶液に混合した。
湿潤した状態で粉砕しさらにポリグリコール溶液を加え
たあと、得られた塗布可能なペーストはTlによって合
金化されたチタンに塗布され、600℃にて焼結された
。
たあと、得られた塗布可能なペーストはTlによって合
金化されたチタンに塗布され、600℃にて焼結された
。
比較例 1
活性物質として30重量部のLio.5PtsO4とS
in256%,B2039%,Al2035%,Ca0
10%,Cu09%,Li04%,Pb30410%か
ら成る低融点ガラス70重量部とを同一容器内で約10
μの粒径となるまで粉砕し、得られた粉体を20%のポ
リグリコールを含む水溶液内に懸濁し、得られた懸濁液
をチタニウム基材の上に付着させ、約650℃にて焼結
した。
in256%,B2039%,Al2035%,Ca0
10%,Cu09%,Li04%,Pb30410%か
ら成る低融点ガラス70重量部とを同一容器内で約10
μの粒径となるまで粉砕し、得られた粉体を20%のポ
リグリコールを含む水溶液内に懸濁し、得られた懸濁液
をチタニウム基材の上に付着させ、約650℃にて焼結
した。
比較例 2
10mlの塩酸と254gのチタン酸一n−プロピル(
TiO2含有量27.5%)との混合液の中に30gの
Lio.5Pt304を懸濁し、得られた懸濁液ヲチタ
ニウム基材の上に付着させ、約650°Cにて焼結した
。
TiO2含有量27.5%)との混合液の中に30gの
Lio.5Pt304を懸濁し、得られた懸濁液ヲチタ
ニウム基材の上に付着させ、約650°Cにて焼結した
。
試験結果
上記実施例1、実施例2、比較例1、比較例2によって
得られる電極をそれぞれA,B,C,Dとする。
得られる電極をそれぞれA,B,C,Dとする。
アマルガム法によって塩化アルカリ金属の電気分解を行
なって塩素を得るために、上記電極A,B,C,Dを通
常の電解槽内に載置した。
なって塩素を得るために、上記電極A,B,C,Dを通
常の電解槽内に載置した。
電解物質は、310gのN a C1・H2 0を含む
NaCl3水溶液であり、そのpHは2.5 〜5.0
であった。
NaCl3水溶液であり、そのpHは2.5 〜5.0
であった。
温度は、78〜82℃に維持され、電流密度は10KA
/m2であった。
/m2であった。
上記条件のもとに、下表のセル電圧(V)を測定した。
さらに、活性物質の損失量を測定した。
得られた結果は、塩素生産量1トンあたりに失なわれた
Piの■数で表わすと下表のようになる。
Piの■数で表わすと下表のようになる。
上記試験の結果は、本願に使用した埋め込み物質によっ
てセル電圧が下がり、活性物質より成る保護層の固着度
を改善することを示している。
てセル電圧が下がり、活性物質より成る保護層の固着度
を改善することを示している。
言うまでもなく、セル電圧を下げることによって、コス
トも低減する。
トも低減する。
同量の塩素がより少ない電力で生産されるからである。
なお、上記比較例1,2は西独特許第
1,8 1 3,9 4 4号公開明細書に従がって実
施した。
施した。
保護層の活性物質と本発明の埋め込み物質との特定の組
み合わせの変化は、活性物質と同じ貴金属成分を埋め込
み物質に選ぶことにある。
み合わせの変化は、活性物質と同じ貴金属成分を埋め込
み物質に選ぶことにある。
たとえば活性物質としてLio.5Pt304を使用し
た場合は、埋め込み物質としては、Ba( P to,
2 Tto.3)03が使用される活性物質がTlPd
304である場合は、Ba ( PdO.25 T 1
0.75 ) Osが埋め込み物質として使用される
。
た場合は、埋め込み物質としては、Ba( P to,
2 Tto.3)03が使用される活性物質がTlPd
304である場合は、Ba ( PdO.25 T 1
0.75 ) Osが埋め込み物質として使用される
。
なお、本発明にかかる埋め込み物質は、前記した従来の
パラジウム酸あるいは白金酸の金属塩よりなる活性な保
護層を改善するものであるが、このような金属塩を構成
する金属イオンとしてはLi,Na,K,Tl,Ag,
Cu が従来知られている。
パラジウム酸あるいは白金酸の金属塩よりなる活性な保
護層を改善するものであるが、このような金属塩を構成
する金属イオンとしてはLi,Na,K,Tl,Ag,
Cu が従来知られている。
チタン酸塩のドーピング( doping )成分がチ
タンからなる電極基材の表面にも合金化されるようにし
て、埋め込み物質は選ばれる。
タンからなる電極基材の表面にも合金化されるようにし
て、埋め込み物質は選ばれる。
従って、たとえばPt,Rh,Pd及びIrが考慮され
る。
る。
また埋め込み物質と、活性物質とチタンからなる電極基
材の表面の合金とは、同じ貴金属成分を使用することが
有利であることが判明した。
材の表面の合金とは、同じ貴金属成分を使用することが
有利であることが判明した。
なお、本願発明は、活性物質と電極基材の合金化した表
面との間の好適な物質を提供することを目的としており
、電極基材そのものは耐酸比性に優れた金属であるバル
ブメタルであれば良く、このバルブメタルは特にチタン
に限定されないことは自明である。
面との間の好適な物質を提供することを目的としており
、電極基材そのものは耐酸比性に優れた金属であるバル
ブメタルであれば良く、このバルブメタルは特にチタン
に限定されないことは自明である。
もちろん本発明は特定の実施例に限定されるものではな
く、記載した請求の範囲内での如何なる変形も含むもの
であることは理解されるであろう。
く、記載した請求の範囲内での如何なる変形も含むもの
であることは理解されるであろう。
本発明の実施態様は以下のとおりである。
(1)埋め込み物質がB a ( MX T t 1−
x ) 03であり、MはRu,Rh,Pd,Os及び
Irのうちの少なくとも一つの金属を含む特許請求の範
囲に記載した金属電極。
x ) 03であり、MはRu,Rh,Pd,Os及び
Irのうちの少なくとも一つの金属を含む特許請求の範
囲に記載した金属電極。
(2)埋め込み物質が、B a ( R u x T
s 1− x ) 03からなり、Xは0.1〜0.5
の値を表わす特許請求の範囲又は上記実施態様第1項に
記載した金属電極。
s 1− x ) 03からなり、Xは0.1〜0.5
の値を表わす特許請求の範囲又は上記実施態様第1項に
記載した金属電極。
(3)埋め込み物質が保護中の活性物質と同じ貴金属成
分を含む特許請求の範囲、上記実施態様第1項および第
2項に記載したいずれか一つの金属電極。
分を含む特許請求の範囲、上記実施態様第1項および第
2項に記載したいずれか一つの金属電極。
(4)埋め込み物質が、Ba( P txT t1−
x) 03からなりこゝでxは0.1〜0.5である特
許請求の範囲に記載した金属電極。
x) 03からなりこゝでxは0.1〜0.5である特
許請求の範囲に記載した金属電極。
(5)埋め込み物質が、活性物質と埋め込み物質とから
なる保護層で被覆されている電極のチタン表面と同じド
ーピング成分を含む特許請求の範囲に記載した金属電極
。
なる保護層で被覆されている電極のチタン表面と同じド
ーピング成分を含む特許請求の範囲に記載した金属電極
。
(6)埋め込み物質の責金属成分が、電極のチタン表面
と活性物質との両方に含まれている特許請求の範囲、上
記実施態様第3項および第5項に記載したいずれか一つ
の金属電極。
と活性物質との両方に含まれている特許請求の範囲、上
記実施態様第3項および第5項に記載したいずれか一つ
の金属電極。
(7)電極基材が、上記埋め込み物質
B a ( Mx T s 1− x ) 03の元素
Mと同じ元素によって合金化されていることを特徴とす
る特許請求の範囲に記載の電極。
Mと同じ元素によって合金化されていることを特徴とす
る特許請求の範囲に記載の電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 必要に応じてPt,Rh,Pd, Ir, Ruお
よびOsからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属
により表面が合金化されたバルブメタルよりなる電極基
材と、 一般式 MexMp3 04 (式中MeはLi , Na , K, TA , A
g, Cuよりなる群から選ばれた少なくとも一種の1
価の金属イオンを表わし、MpはPtあるいはPdを表
わし、xは0.1から1までの数値を表わす。 )で表わされるパラジウム酸金属塩および白金酸金属塩
からなる群より選ばれた電気化学的に活性な物質よりな
る上記電極基材上に被着された保護層と、上記電気化学
的に活性な物質を上記電極基材上に保持するための埋め
込み物質とから成り、上記埋め込み物質が 一般式 Ba(MxTx 1−x)03 (式中MはRu,Rh,Pd,Pt,OsおよびIrか
らなるグループより選択された少なくとも一種の元素を
示し、xは0.1〜0.5の数値を示す。 )からなることを特徴とする電気化学用の金属電極。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19732354477 DE2354477A1 (de) | 1973-10-31 | 1973-10-31 | Metallelektrode mit deckschicht fuer elektrochemische zwecke |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5075174A JPS5075174A (ja) | 1975-06-20 |
JPS5813631B2 true JPS5813631B2 (ja) | 1983-03-15 |
Family
ID=5896897
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP49126048A Expired JPS5813631B2 (ja) | 1973-10-31 | 1974-10-31 | カツセイナホゴソウオユウスルデンキカガクヨウノ キンゾクデンキヨク |
Country Status (19)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3992280A (ja) |
JP (1) | JPS5813631B2 (ja) |
AT (1) | AT333315B (ja) |
BE (1) | BE821588A (ja) |
CA (1) | CA1028904A (ja) |
CH (1) | CH606493A5 (ja) |
DE (1) | DE2354477A1 (ja) |
ES (1) | ES431334A1 (ja) |
FI (1) | FI57447C (ja) |
FR (1) | FR2249976B1 (ja) |
GB (1) | GB1461650A (ja) |
IE (1) | IE40092B1 (ja) |
IT (1) | IT1060370B (ja) |
NL (1) | NL179401B (ja) |
NO (1) | NO139644C (ja) |
SE (1) | SE396411B (ja) |
SU (1) | SU845793A3 (ja) |
YU (1) | YU283274A (ja) |
ZA (1) | ZA746551B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4065377A (en) * | 1974-10-22 | 1977-12-27 | C. Conradty Nurnberg Gmbh & Co. Kg | Metal anode for electrochemical processes |
FR2370109A1 (fr) * | 1976-11-04 | 1978-06-02 | Rhone Poulenc Ind | Revetement d'anode |
NO801818L (no) * | 1979-07-20 | 1981-01-21 | Conradty Nuernberg | Regenererbar, formstabil elektrode for hoeytemperaturanvendelse |
US4396485A (en) * | 1981-05-04 | 1983-08-02 | Diamond Shamrock Corporation | Film photoelectrodes |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1164477A (en) * | 1965-12-28 | 1969-09-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrochemical Electrode |
US3616445A (en) * | 1967-12-14 | 1971-10-26 | Electronor Corp | Titanium or tantalum base electrodes with applied titanium or tantalum oxide face activated with noble metals or noble metal oxides |
US3689383A (en) * | 1969-03-28 | 1972-09-05 | Ppg Industries Inc | Method of coating an electrode |
US3706644A (en) * | 1970-07-31 | 1972-12-19 | Ppg Industries Inc | Method of regenerating spinel surfaced electrodes |
US3711397A (en) * | 1970-11-02 | 1973-01-16 | Ppg Industries Inc | Electrode and process for making same |
-
1973
- 1973-10-31 DE DE19732354477 patent/DE2354477A1/de not_active Withdrawn
-
1974
- 1974-09-04 CH CH1200574A patent/CH606493A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1974-10-15 ZA ZA00746551A patent/ZA746551B/xx unknown
- 1974-10-21 AT AT843474A patent/AT333315B/de not_active IP Right Cessation
- 1974-10-22 US US05/516,951 patent/US3992280A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-10-23 YU YU02832/74A patent/YU283274A/xx unknown
- 1974-10-24 CA CA212,233A patent/CA1028904A/en not_active Expired
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