JPS58114004A - 光フアイバ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は元ファイバ及びその製造法に関する。

光ファイバｔｙ造する共通的な方法は水晶基体管から開
始する。化学的気相堆積法プロセスを採用して、一層板
上のガラスクラット層ならびにガラスコア１−を基体管
の内側表面上に蒸着する。管はファイバを引出す元の形
のプレフォームを形成するための加熱過程によシ直径方
向に絞り込まれる。

しかしながら、クライト層あるいはコア層の選択された
領域を化学処理するための写真製版法、あるいは他のパ
ターン化技術を適用するためには何ら準備は必要ない。

符に、これらの蒸着したままの処理しない増は円周方向
と軸方向との両方に対して性質が連続的であシ、それら
はファイバを異なった幾何学形状にしたシ、あるｂは光
学的性質に影譬全与えるようにパターン化されてはいな
い。また、円周方向に極めて大きく組成が変化するもの
でもない。

発明の概要 元ファイバを製造する方法は中空な円筒形基体全準備す
ることから出発し、この中空な円筒形基体は基体管と呼
ばれる単層基体、あるいは管の内側表面に蒸着した一層
以上の蒸庸層を有する基体管で作られた複合層基体とす
ることができる。基本の内側表面のあらかじめ選択され
た部分は一種以上の処理過程、例えば選択された部分を
エツチングして除去するための過程、材料の内部に拡散
をするための過程、上記材料を除去するための過程、わ
るいはその上にひとつの層を蒸着をするための過程によ
シ化学処理される。この化学処理過程に引き続いて、フ
ァイバを引出す元の形のプレフォーム全形成するために
基体が絞り出される。

元ファイバを製造するだめの本発明の方法の一実施例に
おいては、少なくともひとつの第１の層（例えばクラッ
ド層、あるいはコア層）を基体管の内側表面上に蒸着し
、少なくともひとつのマスク層（例えばホトレジスト、
あるいは金属層）を第１の層の上に形成する。

マスク層は窓を形成するためにパターン化され、窓は第
１の層のうちで王女な、選択された部分全嬉元するだめ
のものである。４元した部分は上記ひとつ以上の処理過
程により化学処理される。そこで、マスク層が除去され
る。基体管をすみやかに絞り込んでファイバに引く前に
、少なくともひとつの第２０層（例えばクラッド層、あ
るいはコア層）を、処理された第１の層の上に蒸着する
。

本発明の方法における他の笑厖例においては、第１の層
のあらかじめ崖元された部分（マスクされていない部分
）の化学処理には、開口されたマスク層と同体に、露光
された部分上へ少なくともひとつの第３の層を蒸着する
ことを含むものである。上面除去技法を採用してマスク
層全除云してあシ、それＫよシ第１の層（例えば前の露
出された部分）のあらかじめ選択された部分上のみに存
在する第３の層は残しである。第３の層が金属層であっ
て、それ自身をマスク層として使用できるか、あるいは
元ファイバデバイスに装着することができる場合には、
特にこの手法は有用である。

本発明の方法は、例えばこの後に説明する複屈折形ファ
イバ、多重コア形ファイバ、ならびに能動形ファイバな
どの製造において有用である。

実施例の説明 第１図〜第８１金参照し、元ファイバ全裟造するだめの
本発明の方法によれば、第１図に示す基体管１０のよう
な単一層丞体、あるいは基体管１０で作られた複合層基
体のような中空円筒形基体と、ひとつ以上の第２図に示
す蒸腐層１２とが出発材料である。図面的にみれば、冒
１０は水晶から成立ち、Ｊ曽１２はカラスの障壁層から
成立つが、後に説明する他の実施例では、層１２もクラ
ッド層とコア層との組合せ、あるいはクラッド層と金属
層との組合せから成立つ。本発明によれば、少なくとも
ひとつのマスク層１４を円筒形基体の内側表面の上に蒸
着するが、第３図においては、円筒形基体のマスク層１
４は層１２の上に魚屑されていることを意味している。

典型的には、マスク層１４はホトレジストのような感光
性材料がら成■つ。マスク層１４ｉｊ窓１４　ｃ、　　
１４　ｄｋ影形成るようにパターン化され、窓は第５図
に示すような第１の層１２の主要部分全露光するだめの
ものである。

マスク層の残シの部分１４ａ、、１４ｂは層１２の相当
する部分を檀い、それらの部分を次に続く処理過程から
保護するものである。

ラスク層１４のパターン化は柚々の方法に影譬される可
能性がある。しかし、いっほうではマスク層１４に形成
δれるべき布類した窓１４ｃ、１４ｄ（第５図）に対し
てレジストレーションが合ってｂる開口２１を除いては
、基体管１０の外側表面にはシャドウマスク１６が取巻
いている。この技法を第４図に図示して因る。光幅射作
用２０はマスク層１４の相当する部分が露光する様に開
口２１を介して行われている。こ＼で、輻射光２０はＵ
ｖクランプあるいはＵ　Ｖ　Ｈｅ−Ｃｄレーザにより発
生することができ、本目的にはマスク層カーホトレジス
トであると仮定している。勿胸、基体管１０と層１２と
は、それら全通過して輻射光２０を透過せしめるために
は透明でなければならず、ホトレジスト層１４にエリ吸
収されなければならない。しかしながら、ホトレジスト
層１４は輻射光２０のすべてを吸収せす、その一部分が
管１０の穴を透過してゆく。露出されるべきでＦｉすい
ホトレジスト層１４の部分に対して穴を横切りてこの輻
射光２０が透過しないように、透明な棒１８カー穴の中
へ軸方向に挿入されている。ａ１８はルｒかる透過幅射
光全吸収するものである。

同体な理由にエリ、基体管１０の厚さは管１０の円周上
で、事実上、輻射光２０が導波作用金もたなり程度Ｋ　
？ｍ　＜作らなければならないが、基体管１０では露光
してはならないマスク層１４が部分的に露光されること
がある。管１０のＡｉ￥曲の厚さに対する外側直径の比
力″−６’ｆ’Ｎ１：９であれば、この点で値が適当で
あることが判っているが、この値より小さいか、あるい
は大きな値の比でもかまわない。

さらに、このような間粕は、公知のレンズ構成に−り輻
射光２０を集光して滅することができる。

マスクＪｍ１４にパターン化する他の方法では、第４図
に示すように、管１０の外側からよりも管１０の内側か
ら輻射光２０を指向させ、これによってマスク層１４を
パターン化するような方法も考えられる。図示されてい
ないこの実施例においては、卸ｊ長い円筒形の光源が１
・１０の内側に軸方向に挿入されている。首１０の内側
に直かれ、光源全取巻いているものは開口を有する円藺
形シャドウマスりである。Ｗｒ＜して、光源からの輻射
光はシャドウマスクの開口を通ってのみ透過し、それら
の開口とレジストレーションの合ったマスク層１４の部
分のみが露光する。この技術は特に、例えば層１２が不
透明（例えば金楓層）である場合に有用であシ、この層
は管１０の６外側からマスク層１４が露光しないように
防ぐ作用をしている。勿論、第４図の外側シャドウマス
ク１６はこのパターン化技術を採用する場合には不必要
であろう。

マスク階音いったん輻射光２０に露光した後に、陽画ホ
トレジストの場合には部分１４Ｃ１１４ｄを除去する形
式の標準現像液に浸す。

逆に、勿論、陰画ホトレジストの場合には、これらの部
分１４ｃ、１４ｄは現像液に対して耐食性があり、いっ
ぽうでは、相補部分１４ａ、１４ｂが従来法による公知
の方法により除去される。

マスク層１４″Ｉｒ：ｇ５図のようにしてパターン化し
た後で、層１２０籍元部分はひとつ以化学処理プロセス
では特殊な化学材料を露光部へ拡散するための過程、あ
るいは化学材料をそれらの部分から除去するための過程
を含むものであろう。典如的な斯かる材料は硼素、ある
いはゲルマニウムである。代りに、露光した部分の化学
処理プロセスは第６図に示すように、これらの部分をエ
ツチングして除去するだめの過程か、あるいは第１１図
に示すようにこれらの部分の上に蔦３の層を蒸着するだ
めの過程ヲ含むものであろう。エツチングには半導体技
術に共通した楯準エツチング法を採用することができる
。たとえば、湿式化学エツチングあるいはプラズマエツ
チングなどである。

第６図を参照して、層１２の路光部分１２ｃ１１２ｄが
エツチング法により除去されている場合には、′ＩＢｃ
シの部分１２ａｓ１２ｂが偏元防止形元フィルタを形−
戟し、応力複屈折を引き起す。第７図に示す工うに、マ
スクノ一部分１４ａｓ１４ｂを除去した後で、少なくと
もひとつの第２の層ヲ、アらかじめ形成しておいたノー
の一部分１２　ａ、　　１２ｂの上に蒸着する。ここで
、少なくとも第２の層には、一部分１２ａ、１２ｂと管
１０との上に蒸有したクラッド層２２と、この増２２の
上に蒸着したコア層２４とが含まれている。　。

この点では、第７図のように種々の層を有する基体管１
０は、第８図のようにして元ファイバに引く元の形の元
ファイバプレフォームを形成するため、公知の加熱過程
により軸方向に絞り込んでいる。第７図の各層に相当す
る元ファイバの各部分には前出番号と同一の参照番号が
付けである。さらに、図式的に明らかにするため、第８
図に示すファイバは第７図の基体管１０よシも大直径を
有するものとして示されているが、実除には勿論、絞シ
のための過程ならひに細引きのための過程ゆえに、はる
かに小さな直径全有するものである。

結果的に得られた元ファイバはコア２４′ト、内側クラ
ッド層２２′と、外側クラッド層１０′と、応力ローブ
１２ａ’、１２ｂ’　とから成立つ。これらの応力ロー
ブ１２ａ’、１２ｂ’は非対象な応力を与え、Ｘ方向よ
りもＸ方向の方力応力が大きく、これによってファイバ
に複屈折を引き起させている。すなわち、両面交方向の
伝播定数は直交偏光した光波が有効に相互反結合するよ
うに相当大きく異なっている。その結果、斯かるファイ
バに突入しまた波の偏光は長手方向に保持される。この
現象は、詳細に米合衆国特許第４，１７９，１８９号、
ならびに米合衆国特許第４，２７４，８５４号に記載さ
れている。

次の実施例により、第８図に示すフヒ式の複屈折、偏光
保持形光ファイバの装迅を説明する。

数値パラメータと層形成材料とを図面のみにより与えて
あり、籍に脚注がない場合には、これらは本発明の範囲
を伺ら限定しようとするものではないことは勿論である
。

基体管１０は水晶で作られ、その外径はＩミは９．Ｏｍ
、内径はは”ｉ　７．１　ｍであり、外径と壁面厚さと
の比ははソ９：１である。次に、基体管の内側に化学′
？Ｄ質の層を蒸着するだめの従来形の装置のなかに基体
管を実装する。

装置は基本的には変形カラス吹き成形器具である。この
装置においては、基体管を従来のフィートストック位置
に実装し、ガスヒータ全器具駆動装置上へ実装しである
。この基板管の内部は、市販のガラスクリーナと蒸留水
とにより洗浄し、窒素カスの流れにより乾燥しである。

この装置の中に管を置いた後、管は洗浄するために加熱
され、いっぽうで２５０ＣＣ／分の割合の酸素と８２５
ＣＣ／分の割合のヘリウムとの混合気体を管の内部へ流
している。

３時間３７分にわたり変形気相堆積法 （ＭＣＶＤ）に適した温度に保ち、２５０ＣＣ／分の割
合の酸素と、７６ｃＣＺ分の割合のヘリウムに２優のシ
ランを含む混合気体と、２７弘／分の割合のヘリウムに
０．５１のジボラン全含む混合気体と、８２５ｃＣＺ分
の割合のヘリウムとを流すことにより管１ｏの内側表面
上へ外側層１２（ｉ７蒸着した。この期間に、トーチメ
イド２１はそれぞれ５３．３ｍの長さたけ通過して進む
。得られた層１２は６ｅ−よソ２８μの厚さのボロシリ
ケートノーから成立つものであった。

層１２を蒸着した後、基体’１７１０を成形器具から取
出し、ホトレジスト塗付過程の準備のため垂面に実装し
た。内側表面には霧状物質があってはならないので、層
１２の蒸着を行った後で、この端部に対してホトレジス
トの塗付をすみやかに行わなければならな−。

さもなければ、基体管１ｏを摂氏数百度で焼成しなけれ
ばならない。ホトレジストの浴液は営１０の頂部へ注入
し、底部から流出せしめた。（しかしながら、基体管１
０を回転させることにより、ホトレジストのスピン塗付
をすることも適切である。）乾燥後、ホトレジスト層１
４は数ミクロンの厚さであると推定された。菅１０は３
０分にわたり空気中で７０°Ｃにおいて焼成した。市販
ホトレジストを使用することも適切であるが（例えばＨ
ＰＲ２０４、あるいはシップＬ／（社製ＡＺ２４００）
、ハント化学会社（Ｈｕｎｔ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｃｏ
ｍｐａｎｙ　）製のＨＰＲ２０６形ホトレジスト全使用
した。

第４図に示した形のシャドウマスク技術を採用して紫外
線で露光した後（マスク１６としては実際には、７１ｏ
に接着した不透明なテープを使用した）、ホトレジスト
層１４はＨ２Ｏ中に０．１３ＭのＫＯＨを俗解した溶液
に漬浸して現像したが、市販の現像液を使用することも
適切である。

実際、一連のホトレジスト塗付、紫外線露光、現像、空
気中で１時間にわ′ｆＣ，シ約１９０℃で焼成する工程
などを繰返して実施し、複数の薄いホトレジスト層が形
成されるようにしてホトレジスト層１４を付着させるこ
とに利点があることが判明した。結果的に得られたパタ
ーン化ホトレジスタ層１４ａ、１４ｂは第５″図に示し
である。

次に、ｔｒｉ　１２の露光部分はｇ６図に示すようにＨ
２０中４７優のＨＦｍ液でエツチングした。残りのホト
レジスト部分は市販の除去剤を使用して除去した。代り
に、ホトレジストは酸素雰囲気中で加熱することによる
が、あるいはホトレジストを単にソー千ングしてほぼ２
００　”Ｃに加熱することにより除去することができる
。

この点で、基体管を気相堆積装置に戻し、再び成形器共
に実装した。はソ１６μの厚さのシリカのクラッド層２
２は第７図に示すように、肯１０を介してアルゴン中に
２優のシランを含む気体’１７７ｃｃ／分の割合で流子
ことにより蒸着した。（この混合切はクリティ、カルな
ものではなく、ヘリウム中に２優のシラン全台ませたも
のとすることができる。）　　　　一部分的に管を軟り
込んだ後、２５０ｃｃ、７分の速度で酸素と、３９ｃＣ
Ｚ分の速度でアルゴン中に２憾のシランを含む気体と、
８２５ＣＣ／分の速度でヘリウムとを２７分間にゎたシ
流すことによりゲルマニウムシリカ製のコア層２４’に
！、ｉ！した。クラッド２２とコア２４とは前と同じ速
度で蒸着した。そこで、基体管１０をは′！１″５．２
　ｔａｎの外径を有するプレフォーム全形成するため、
−回の過程で管を絞り込んだ。次に、プレフォームを従
来法によりファイバに引き出した。ファイバは外径がは
ソ９９μｍであり、第８図に示したような端部の外殼ヲ
有するものである。

外部層と、クラッド層と、コア層とを形成するために採
用したＭＣＶｆ）プロセス（変形化学堆積法）の詳細を
ジェー・ビー・マクチェスニらにより米国電子電気学会
雑誌、第６２巻、１２８０ページに目己載され、１９７
４年に発表された１グレ一ド屈折率形低損失元ファイバ
を作成するための新しい技術”と題するｉ−文（”　Ａ
　Ｎｅｗ　Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ　ｆｏｒ　ｔｈｅＰｒｅ
ｐａｒａｔｉｏｎ　　ｏｆ　　Ｌｏｗ　−Ｌｏｓｓ　　
ｉｎ　Ｇｒａｄｅｄ　　ＩｎｄｅｘＯｐｔｉｃａｌ　　
Ｆｉｂｅｒｓ　　、”　Ｊ、Ｂ、ＭａｃＣｈｅｓｎｅｙ
　ｅｔ。

ａｌ、、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ　ｏｆ　　ｔｈｅ　　Ｉ
ＥＥＥ　、Ｖｏｌ＊　　６２　。

ｐｐ−１２８０（１９７４））、ならひにジー・ダブリ
ュー・タス力らにより米国゛電子眠気学会雑誌、第６２
巻、１２８１ページに記載され、１９７４年に発表され
た１純粋浴融Ｓ　ｉ　０２コアを有する低抽失光導・波
路”と題する論文（”　Ｌｏｗ　−Ｌｏｓｓ　０ｐｔｉ
ｃａｌ　Ｗａｖｅ　Ｇｕｉｄｅｓ　ｗｉｔｈＰｕｒｅ　
Ｆｕｓｅｄ　５ｉ０２　Ｃｏｒｅｓ、　”　Ｇ、　Ｗ、
　Ｔａ５ｋｅｒｅｔ、　ａｌｅ　、　Ｐｒｏｃｅｅｄｉ
ｎｇｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＩＥＥＥ、　Ｖｏｌ。

６２、ｐｐ、１２８１（１９７４））に説明しである。

管を絞り込んでプレフォームを引き出した結果、得られ
た元ファイバは第８図に示すような端部外鉄に似た構成
を有するものである。

外径ははソ９９μｍであり、クラッド２２′ははｙ長方
形（９，ＯＸ６．５μｍ　）であるが、コア２４′も長
方形（３，６Ｘ　２．５　ｔｔｍ　　）であって、応力
ローブ１２ａ’　、１２ｂ’はｙ軸方向のチップ曲距離
かはソ２４μｍであった。

上記のようにして製造されたファイバを試験した結果、
δｎ＝９．９Ｘ１０　　’　　の複屈折率を有すること
が見出されている。複屈折率、δｎはファイバの主軸に
沿って偏光を引き起し゛たときの直交偏光波の屈折率の
相違として表わされる。複屈折率を増加させることは、
直線偏波光を保持するだめのファイバ機能を増加するこ
とに相当する。層１２全蒸着している・期間にはゲルマ
ニウム、あるいは燐のような他のドープ剤を追加するこ
とによるのと同様にして、応力層１２の厚さと硼累の濃
度とを増加させることにより複屈折率を増加させること
ができるものと期待される。コア２４′が丸くなく、は
ソ方形で°あることが判っていることには、この点に注
目しなければならない。

本発明の技術は基体管の内側表面上の層をパターン化す
るものであシ、本技術は第１０図に示すような複数のコ
ア３４ａ’、３４ｂ’。

３４ｃ’　　、３４ｄ”ｉｉ７備えた元ファイバを製造
するために使用することができるものである。４本の斯
かるコアは説明のみのために図示したものである。希望
する目的に応じてコアの本数金増すか、あるいは減する
ことができる。

斯かるファイバを実現するため、基体管３０の内側表面
上に蒸着した層を第９図に示すようにパターン化しであ
る。すなわち、クラッド層３２は最初に内側表面上に蒸
着し、それからコア層３４を通常の化学的気相堆積法（
ＣＶＤ法）により蒸着している。本発明によるパターン
化技術を使用し、コア層３４は４個のセグメント３４　
ａ、　　３４　ｂ、　　３４　Ｃ。

３４ｄに分割して形成しである。枕いて、第２のクラッ
ド層３６は第ｌのクラッド層３２の露光部分上に蒸着さ
れているが、これと同時に、セグメント化したコア層上
にも蒸着しである。基体’ａｆｌＯ′ｆｃ絞り込む時に
は、これと共にコアセグメントが長手方向に移動しない
ように防止するための第ｌの愼能としてりラット層３６
が振舞う。基体管１０を絞り込んでプレフォーム音引き
出すに際して、第１Ｏ図に示すような終端の外貌全有す
るファイバが得られる。コアは丸いものとして描いであ
るが、絞り込んだ後の実際の形状は蒸着された層の組成
と同様に、絞り込む前の形状と、蒸着条件と、管を絞り
込む条件とに依存する。

既に説明したように、基体管１０の内側表面に蒸有した
すべての層が必ずしも元ファイバのクラッド、あるいは
コアを形成するために使用される形態のカラス層である
必要はない。むしろ、金属層も内側表面上に蒸着でき、
マスク層として採用できる。この場合には、マスク層は
典型的には、マスク機能としてこれ全作用させた後に除
去される。代りに、金属層は最終の元ファイバ製品に装
着することかできる。

ます、金属層のマスク恢能を考えよう。第１１図に示す
ように、基体ｖ４０はガラスクラット層４２の内側表面
上に＃有しである。

本発明によるパターン化技術を使用して、ホトレジスト
層４４をクラッド４２上に形成し、クラッド層４２上の
ホトレジストマスク４４ａ１４４ｂ＝を残す休にこれ全
ホトリソグラフ法によりエツチングする。金属層４６は
クラッド）＊４２の露光部弁上に対すると同体にして、
ホトレジストマスク４４ａ、４４ｂ上に蒸着する。金属
層４６’（ｔ−蒸着するのに適した方法にはスピンコー
ティングと、無電解付層と、真空蒸盾とがある。例えば
、銅とプラチナとは無電解式の付着をすることができ、
クロムは蒸着をすることができる。後者の場合、ひとつ
の技術はクロムメッキしたタングステン棒を基体管４０
の穴に挿入し、真空室の内部で棒を加熱することである
。

次に、ホトレジスト−ｅ＝離して金属層のもシ上った部
分を上から除去する様に、ホトレジスト部分４４ａ、４
４ｂｋｍ切なエツチング剤に浸漬しである。結果的に、
金属層πグメント４６ａ、４６ｂのみが第１２図に示す
ようにクラッド層４２上にそのま＼残っている。例えば
、５μｍ厚のホトレジスト層と１μｍ厚の金属層とに対
する場合のように、金属ｌ−が顕微鏡的なピンホールを
有する程度に薄い場合には、管１０の両端からか、ある
いは金属層を通って直接、金属層に覆われたホトレジス
ト層を土から除去する方式で腐食させることができる。

これらの金属層セグメントは、クラッド層４２の露光部
分を化学処理するためのマスクとして使用することがで
きる。例えば、ホトレジストマスクを使用してクラッド
層ガラス會選訳的にエツチングすることはできないが、
金属層セグメント４６　ａ　ｅ　４６　ｂような強い耐
食性を有するマスクを使用してエツチングすることがで
きる程度に耐食性の十分なものであれば、このプロで又
は魅力的でるる。

代りに、金増層セグメント４６ａ＊４６ｂは、装着した
層を第１４図に示すような能動形光ファイバのなかに組
込むことかできる。

そこで、セグメント４６ａ’　　、４６ｂｔはコア４９
′を取巻くクラッド層４８′と連続している。第１３図
に示すように、第１４図の元ファイバは第２のクラッド
１ｍ　４８　ｋ蒸着し、第１のクラッド層１２の露光部
弁上におけるのと同様にして、金輌官グメント４６ａ。

４６ｂ上にコア層４９を蒸着して実現することができる
。基体管４０を紋り込んでプレフォームを引き出す除に
は、第１４図の元ファイバが得られる。装虐した金属層
セグメントは多くの図示したような機能ｔはたし、例え
ば、電界がファイバを横切った方向に加えられている時
には浮動％ｉ、極としてふるまうか、あるいは金属層に
並行に偏光された抑圧光波に対しては偏光込択器として
ふるまうことができる。

これらの実施例においては、公知の技術によれば、真空
条件のもとで軟り込み過程全実行するのに有利であり、
この技術により低温度においてプレフォームを形成させ
ることができる。低温であることは、金属層の溶融全制
御するのに効果的でろろう。

上記構成は、単に本発明の原理の応用を表わすために工
夫することができる特定の可能な実施例を単に説明する
ものであるものと理解されるべきである。数々の変更さ
れた他の構成は、本発明の精神と範囲を外れることなく
、当粟者により、これらの原理に従って完成することが
できる。特に、基体管の内側表面と、基体管の同側表面
の円周上の層とのパターン化に関しては本発明の明細誓
に記載しであるが、斯かるパターン化を管に沿った軸の
方向で実行できると考えられている。さらに、チップを
半導体ウェハから切出す様な方法に類似して、本発明に
より製造されたファイバを個別セグメントに切シ出すこ
とができ、それぞれ個別ファイバ元デバイスを構成する
ものと考えられている。

【図面の簡単な説明】

第１図〜１ｉ１７図は基体官と本発明の一実施例による
処理段ｙｋを順次示す蒸着層との終端の外観金示す図で
ある。 第８図は第１図〜第７図に図示した処理段階により製造
され′ｆ？：、複屈折形元ファイバの終端の外貌ヲ示す
図でめる。 第９図は処理された基体管と本発明の他の実施例により
製造した蒸着層との終端の外観を示す図である。 第１０図は第９図の処理された基体管から製造された多
重コア形元ファイバの軒端の外観を示す図である。 第１１図〜第１３図は基体′Ｕと本発明のさらに他の実
施例による処理段階を順次示す蒸着層との終端の外貌ケ
示す図でりる。 第１４図は第１１図〜第１３図に示した処理法によシ製
造された装有金属）ｔＩＩＩを有する元ファイバの終端
を示す図でりる。 〔主要部分の符号の説明〕 １０・・・基体管　　　　　　　　　　　　　Ｆｌに、
　／２１・・・トーチメート ２２・・クラッド層 ２４・・・コア層 Ｆｌ６．２ Ｆｌ６．４ Ｆ／に、　５　　　　　　　　　　　　Ｆ／に、　６Ｆ
ｌに、８ ′Ｌ ＦＩＧ、　９ Ｆ／に、　１０ ＦＩＧ、　Ｉ／　　　　　　　　　　　　　ＦＩＧ、　
／２ＦｔＣ，／４ 第１頁の続き ン アメリカ合衆国０７７６０ニユージ ヤーシイ・モンマウス・ラムノ ン・ウォーターマン・アヴエニ ュー７７

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　内側表面を有する中空円筒体を準備するだめの第
   １の過程と、 前記中空円筒体の前記内側表面の選択された部分全化学
   処理するための第２の過程と、 プレフォーム全形成するだめに前記中空円筒体全絞り出
   す第３の過程と、 前記フレフオームから元ファイバヲ引キ出すだめの第４
   の過程と から成ること全特徴とする光ファイｌ＜の製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の方法において、 前記中空円筒体が基体管と前記基体宮の内部表面上に魚
   倉した少なくとも一鳩とを含み、前記第１項における第
   ２の過程に工つて前記少なくとも−ノーの選択された部
   分を化学処理する ことを特徴とする元ファイバの製造方法。 ３、特許請求の範囲第１項記載の方法において、 前記中空円筒体が基体管から成立ち、前記第１項におけ
   る第２の過程によって前記基体管の内側表面の選択され
   た部分を化学処理する ことを特徴とする元ファイバの製造方法。 ４、特許請求の範囲第２項、あるいは第３項記載の方法
   において、 前記第１項における第２の過程により前記選択された部
   分をエツチングする ことを特徴とする元ファイバの製造方法。 ５、特許請求の範囲第２項、あるいは第３項記載の方法
   において、 前記第１項における第２の過程にニジ異なった複類の材
   料を前記選択された部分へ拡散する ことを特徴とする元ファイバの製造方法。 ６、特許請求の範囲第２項、あるいは第３項記載の方法
   において、 前記第１項における第２の過程によシ異なった種類の材
   料を前記選択された部分から除去する ことを特徴とする光ファイバの製造方法。 ７、　特許請求の範囲第２項、あるいは第３項記載の方
   法において、 前記第１項における第２の過程によりひとつの層を少な
   くとも前記露光部分上に蒸着する ことを特徴とする元ファイバの製造方法。 ８、特許請求の範囲第２項、あるいは第３項記載の方法
   において、 前記第１項における第２の過程が 前記内側表面上に少なくともひとつのマスク層全蒸着す
   るだめの第１の過程と、前記選択された部分に対してレ
   ジストレーションの合った窓を内部に形成する目的２の
   過程と を含むことを特徴とする元ファイバの製造方法。 ９、特許請求の範囲第８項記載の方法において、 前記第１項における第３の過程の前に前記マスクＮを除
   去するだめの過程を含むことを特徴とする光ファイバの
   製造方法。 １０、特許請求の範囲第９項記載の方法において、 ひとつの層を前記パターン化したマスク層と前Ｈピ選択
   された部分との上に蒸着し、前記選択された部分のみの
   上に前記蒸着された層を残しておく様にして、前記マス
   ク層を上面から除去するための過程を前記除去するだめ
   の過程が含む ようにしたことを特徴とする元ファイバの製造方法。 １１、特許請求の範囲第１０項ｄピ載の方法において、 前記蒸着過程が前記層を金属層として蒸着するための過
   程を含む ことを特徴とする元ファイバの製造方法。 １２、特許請求の範囲第１ｔｆｆ４記載の方法において
   、 前記金属唐金マスクとして順次処理する過程において使
   用し、前記第１項における第３の過程に先がけて前記金
   属層を除去するようにした ことを特徴とする元ファイバの製造方法。 １３、％許請求の範囲第１１項記載の方法において、 前記第１項における第一３の過程の期間には前記金属層
   を保持しておく工うにしたことを特徴とする元ファイバ
   の製造方法。 １４、特許請求の範囲第８項記載の方法において、 前記第１項における第２の過程が少なくともひとつのホ
   トレジスト層として、前記マスク層を前記内側表面上へ
   蒸着するだめの過程を含むようにした ことを特徴とする元ファイバの製造方法。 １５、特許請求の範囲第１４項記載の方法において、 前記第８項における第２の過程が 前記中空円筒体の外側表面に近接して開口シャドウマス
   クを配置し、 前記中空円筒体の穴の内部に透明な棒を配置し、 前記中空円筒体の外側から前記中空円筒体の方に輻射光
   を指向させ、 前記輻射光が、前記シャドウマスクの開口と前記中空円
   筒体の主要部分と全通って伝達され、前記ホトレジスト
   層の選択され４部分に吸収されるようにした こと’に％徴とする光ファイバの製造方法。 １６、特許請求の範囲第１４項記載の方法において、 前記第８項における褐２の過程が 前記中空円筒体の前記内側表面に近接して開口シャドウ
   マスクを配置し、 前記中空円筒体の内側から輻射光を指向させ、 前記輻射光が前記シャドウマスクの開口を通って伝達さ
   れ、前記ホトレジスト層の選択された部分に吸収される
   ようにしたことを特徴とする元ファイバの製造方法。 １７、特許請求の範囲第１項記載の方法において、 前記第１項における第１の過程が 基体管を作成するための過程と前記基体管の内側表基上
   に少なくともひとつの障壁７１　ｋ蒸着するための過程
   とを含み、前記障壁層を前記第１９４における第２の過
   程により作り、 さらに、第１項における第２の過程と第３の過程との間
   に前記化学処理をした障壁層上へクラッド層とコア層と
   を蒸着するだめの過程とを含むこと を特徴とする元ファイバの製造方法。 ｉｓ、　′＃許請求の範囲第１７項記載の方法において
   、複屈折、偏光保持形光ファイバであって、 前記ファイバに非対象応力が生ずるように前記第１項に
   おける第２の過程と次の枚数の過程との組合せを相互に
   採用した こと全特徴とする元ファイバの製造方法。 １９、特許請求の範囲第１項記載の方法において、 前記第１項における第１の過程が基体管を作成するだめ
   の過程と前記基体官の内側表面上に少なくともひとつの
   クラッド層と前記クラッド層上にコア層とを蒸着するだ
   めの過程とを含み、 前ｄピ第１項における第２の過程が前記コアＪ−の選択
   された部分を除去するだめの過程を含み、その残シの部
   分を前記ファイバの個々のコアに相当させ、 さらに、Ａ’ｌ’ｇピ第１項における第１の過程と第３
   の過程との中間に前記残りの部分上全体にわたって少な
   くともひとつの他のクラッド層を蒸着するようにした ことを特徴とする元ファイバの製造方法。 ２、特許請求の範囲第１１項記載の方法において、 前記元フ・・アイバを切って複数のファイバセグメント
   に分割し、個々に元デバイスを形成するための過程を有
   する ことに％徴とする元ファイバの製造方法。 ２、特許請求の範囲第１８項、あるいは第１９項記載の
   方法において、 前記元ファイバを切って複数のファイバセグメントに分
   割し、個々に′ｙｔデバイスを形成するための過程を有
   する ことを特徴とする元ファイバの製造方法。 ２２、水晶の基体管を具備し、 気相堆積法プロセスにより前記丞体官の内側表面上に少
   なくともひとつの第１のガラス層を蒸鳥・し、 前記第１の層上に少なくともひとつのホトレジストマス
   ク層を蒸盾し、 前記クラッド層の主要部分を縮充するための窓を形成す
   るように前記ホトレジスト層をパターン化し、 前記露光した部分を化学処理し、 前記ホトレジスト層を除去し、 前記クラッド層上へ少なくともひとつのガラスコア層を
   ＃宥し、 元ファイバのプレフォームを形成するための加熱過程に
   より前記中空円筒管を半径方向に絞り込み、 Ｍｌ　ｉｆプレオームから元ファイバを引き出すように
   した ことに％徴とする元ファイバの製造方法。 ２３、金属層はファイバ装眉されていることを特徴とす
   る元ファイバ。 ２４、特許請求の軛ｍ第２３項記載の元ファイバにおい
   て、 前記金槁層が前記ファイバに沿って軸方向に延在してい
   ることを特徴とする元ファイバ。 ２、特許請求の範囲第２４項記載の光ファイバにおいて
   、 コアと、前記コアを取巻くクラッドとから成り、前記金
   属層が前記クラッド層に装着したものであることを特徴
   とした元ファイバ。 ２、特許請求の範囲第２５項記載の元ファイバにおいて
   、 内側クラッド層と、 外側クラッド層とから成り、前記金属層を前記内側クラ
   ッド層と前記外側クラッド層との間のインターフェース
   に配置したことを特徴とする元ファイバ。 ２、特許請求の範囲第２６項記載の元ファイバにおいて
   、 前記金属層が空間的に分離された複数の金属層から成る ことを特徴とした元ファイバ。