JPS58112045A - Formation of thin film - Google Patents

Formation of thin film

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JPS58112045A
JPS58112045A JP19273281A JP19273281A JPS58112045A JP S58112045 A JPS58112045 A JP S58112045A JP 19273281 A JP19273281 A JP 19273281A JP 19273281 A JP19273281 A JP 19273281A JP S58112045 A JPS58112045 A JP S58112045A
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JP
Japan
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thin film
gas
modifying element
evaporation source
vacuum chamber
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JP19273281A
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Japanese (ja)
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Masanari Shindo
新藤 昌成
Isao Myokan
明官 功
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Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating

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Abstract

PURPOSE:To mix a modifying element in a ratio controlled in large degree of freedom, by a method wherein a magnetron type gas discharger is provided so as to be connected to a vacuum tank and a thin film is formed while an ion and an active gas are introduced. CONSTITUTION:A magnetron type gas discharger 8 is provided to the external part of a bell jar 1 forming a vacuum tank so as to oppose the outlet thereof to a vapor deposition base plate 4. In this state, when the ion of a modifying element gas and an active gas are formed in said magnetron type gas discharger 8 and an evaporation source is evaporated while said ion and said active gas are introduced into the bell jar 1, a thin film having a modifying element mixed therein can be certainly formed in a high containing ratio.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は薄膜形成方法に関するものである。[Detailed description of the invention] The present invention relates to a thin film forming method.

一般に薄膜形成方法としては、グロー放電法、スパッタ
法、蒸着法得が知られているが、このうち蒸着法は大き
な製膜速度が得られる点、及び大面積の薄膜を比較的容
易に形成することができる点で優れたものである。
Generally, the glow discharge method, sputtering method, and vapor deposition method are known as thin film forming methods, but among these, the vapor deposition method has the advantage of being able to obtain a high film forming speed and being relatively easy to form a large area thin film. It is excellent in that it can be

一方、薄膜は半導体装置を始めとする種々の分野におい
て有用であるが、加熱によって蒸発若しくは昇華可能な
物質のみを組成成分とする薄膜のみならず、そのような
物質中に他の修飾元素を混入せしめて成る場合には化合
物化し、これによって所望の特性を有する薄膜を蒸着法
によって形成することが望まれている。
On the other hand, thin films are useful in various fields including semiconductor devices, but they are not limited to thin films whose composition consists only of substances that can be evaporated or sublimated by heating. It is desired to form a compound in such a case that a thin film having the desired properties can be formed by a vapor deposition method.

例えば最近において太陽電池或いは光導電材料として注
目されているアモルファスシリコンは非晶質という不規
則な原子配列構造のために不可避的に生ずる未結合のダ
ングリングボンドを水素原子等により封鎖することが必
要であり、それによって初めて半導体材料としての有用
性が得られるものであり、従来このようなアモルファス
シリコンは、シランガスを用いるグロー放電法によって
満足すべきものが得られるが、蒸着法によって同得のも
のが得られれば製造コスト上極めて有利である。
For example, amorphous silicon, which has recently attracted attention as a solar cell or photoconductive material, has an irregular atomic arrangement structure that is amorphous, so it is necessary to seal the unbonded dangling bonds that inevitably occur with hydrogen atoms, etc. This is the first time that amorphous silicon can be useful as a semiconductor material. Conventionally, satisfactory amorphous silicon could be obtained using a glow discharge method using silane gas, but the same product could not be obtained using a vapor deposition method. If obtained, it would be extremely advantageous in terms of manufacturing costs.

然るに蒸着法において、蒸着空間内に修飾元素のガスを
単に存在せしめるのみでは、修飾元素が蒸着膜中に混入
される量は極めて僅かであり、所望の特性を有する薄膜
の形成は極めて困難である。
However, in the vapor deposition method, if the gas of the modifying element is simply made to exist in the vapor deposition space, the amount of the modifying element mixed into the deposited film is extremely small, and it is extremely difficult to form a thin film with desired characteristics. .

これは主として当該修飾元素のガスが分子状で安定なも
のとなっていることが原因である。
This is mainly due to the fact that the gas of the modifying element is molecular and stable.

斯かる事情から、蒸着空間内に修飾元素を活性化し或い
はイオン化して存在せしめれば、有効に修飾元素を蒸着
膜中に混入せしめ得ると考えられ、直流グロー放電によ
るガス放電管において修飾元素ガスを放電せしめること
により得られる活性の生成分を蒸着空間を形成する真空
槽内に導入せしめることが提案されている。これは、真
空槽内において放電を生ぜひる手段を利用すると、この
放電に必要な条件と蒸着に必要な条件との両方を同時に
満足しなければならないために、実際には条件の設定が
限定されたものとなって大きな自由度が得られないこと
を避けたものである。
Under these circumstances, it is thought that if the modifying element is activated or ionized and present in the vapor deposition space, the modifying element can be effectively mixed into the deposited film. It has been proposed to introduce the active product obtained by discharging into a vacuum chamber forming a deposition space. This is because if a means of generating electric discharge is used in a vacuum chamber, both the conditions necessary for this electric discharge and the conditions necessary for vapor deposition must be satisfied at the same time, so the setting of conditions is actually limited. This is to avoid the situation where a large degree of freedom cannot be obtained due to a closed system.

このようなガで放電管を利用して修飾元素を蒸着膜中に
混入せしめる方法は実際に有効であり、水素を含有した
アモルファスシリコンの形成において確認されている。
This method of mixing a modifying element into a deposited film using a discharge tube is actually effective and has been confirmed in the formation of amorphous silicon containing hydrogen.

しかしながら、直流グロー放電によるガス放電管におい
て得られる修飾元素ガスの放電生成物を導入して行なわ
れる蒸着においては、形成される薄膜内に混入される修
飾元素の割合に限度があることが判明した。例えば、既
述のグロー放電法による薄膜の形成においては水素を2
0〜80原子%もの高い割合で含有したアモルファスシ
リコンを形成することができるが、水素ガスの直流グロ
ー放電による放電生成物を導入した真空槽内でシリコン
の蒸着を行なうときには、条件を種々に変えても水素含
有割合は約15原子%が限度であってそれ以上とするこ
とができず、このため得られるアモルファスシリコンの
暗抵抗は高々1010Ω・備程度であって例えば電子写
真感光体に必要とされる十分な電荷保持能を得ることが
できない。因みに、前記グロー放電法によれば 101
2Ω・備の高い暗抵抗を有するアモルファスシリコンが
得られる。
However, it has been found that there is a limit to the proportion of the modifying element mixed into the formed thin film in vapor deposition performed by introducing the discharge product of a modifying element gas obtained in a gas discharge tube by direct current glow discharge. . For example, when forming a thin film using the glow discharge method described above, hydrogen is
It is possible to form amorphous silicon containing a high proportion of 0 to 80 atomic percent, but when silicon is deposited in a vacuum chamber into which discharge products from direct current glow discharge of hydrogen gas are introduced, the conditions must be varied. However, the hydrogen content is limited to about 15 at % and cannot be higher than that, so the dark resistance of the amorphous silicon obtained is at most 1010 Ω, which is necessary for example in electrophotographic photoreceptors. It is not possible to obtain sufficient charge retention ability. Incidentally, according to the glow discharge method, 101
Amorphous silicon having a high dark resistance of 2Ω is obtained.

本発明は以上の如き事情に基いてなされたものであって
、蒸着法によって形成される薄膜中に、大きな自由度を
もって制御された割合で修飾元素を混入せしめることが
でき、特にその含有割合を大きくすることのできる薄膜
形成方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made based on the above-mentioned circumstances, and it is possible to mix a modifying element in a controlled ratio with a large degree of freedom into a thin film formed by a vapor deposition method. It is an object of the present invention to provide a method for forming a thin film that can be made large.

本発明の詩歌とするところは、真空槽と、この真空槽内
に設けた蒸発源と、前記真空槽の外部においてその出口
を当該真空槽に接続して設けたマグネトロン型ガス放電
器とを有する装置を用い、前記マグネトロン型ガス放電
器よりのイオン及び活性ガスを前記真空槽内に導入しな
がら前記蒸発源より蒸発源物質を蒸発せしめ、以って前
記真空槽内に配置した基板上に前記イオン及び活性ガス
による修飾元素を含有する前記蒸発源物質による薄膜を
形成する点にある。
The poem of the present invention includes a vacuum chamber, an evaporation source provided within the vacuum chamber, and a magnetron type gas discharger provided outside the vacuum chamber with its outlet connected to the vacuum chamber. Using a device, the evaporation source material is evaporated from the evaporation source while introducing ions and active gas from the magnetron-type gas discharger into the vacuum chamber, so that the evaporation source material is evaporated onto the substrate placed in the vacuum chamber. The method is to form a thin film of the evaporation source material containing modifying elements by ions and active gas.

以下図面によって本発明を具体的に説明する。The present invention will be specifically explained below with reference to the drawings.

本発明においては、第1図に示・すように、真空槽を形
成するペルジャー1にバタフライバルブ2を有する排気
路3を介して真空ポンプ(図示せず)を接続し、ペルジ
ャー1内に配置される蒸着基板4を加熱するヒーター5
及び当該蒸着基板4又はこれが絶縁性のものであるとき
にはその背後電−に負の直流電圧を印加する直流電源6
を設け、前記蒸着基板4と対°向するよう蒸発源フを配
設すると共に、前記ペルジャー1の外部に後述するマグ
ネトロン型ガス放電器8を、その出口11が前記蒸着基
板鳴と対向するよう設けて薄膜形成装置を構成せしめ、
この装置を用いて次のような方法により、例えば水素が
混入されたアモルファスシリコンの薄膜を形成する。
In this invention, as shown in FIG. A heater 5 that heats the vapor deposition substrate 4
and a DC power supply 6 that applies a negative DC voltage to the vapor deposition substrate 4 or, if the substrate is insulative, a negative DC voltage behind it.
A magnetron type gas discharger 8, which will be described later, is installed outside the Pelger 1 so that its outlet 11 faces the vapor deposition substrate. to configure a thin film forming apparatus,
Using this apparatus, a thin film of amorphous silicon mixed with hydrogen, for example, is formed by the following method.

即ち、ペルジャー1内を10 〜10  Torrの真
空状態に排気し、ヒーター5により蒸着基64を温度2
50〜500℃に加熱すると共に直流電源6により一1
0KV以下の直流負電圧を蒸着基板4に印加した状態に
おいて、前記マグネトロン型ガス放電器8に修飾元素ガ
スである水素ガスを供給して当該マグネトロン型ガス放
電器8を駆動せしめ、こtlよりの水素イオン及び活性
水素を前記ペルジャー1内に導入せしめながら、シリコ
ンを蒸発源物質とする前記蒸発源7を加熱してシリコン
を蒸発せしめ、以って前記蒸着基板4上に水素が混入さ
れたアモルファスシリコンの薄膜を形成する。
That is, the inside of the Pelger 1 is evacuated to a vacuum state of 10 to 10 Torr, and the vapor deposition group 64 is heated to a temperature of 2 by the heater 5.
Heating to 50-500℃ and heating with DC power supply 6
While a negative DC voltage of 0 KV or less is applied to the deposition substrate 4, hydrogen gas, which is a modifying element gas, is supplied to the magnetron type gas discharger 8 to drive the magnetron type gas discharger 8. While hydrogen ions and active hydrogen are introduced into the Pelger 1, the evaporation source 7, which uses silicon as an evaporation source material, is heated to evaporate the silicon, thereby forming an amorphous layer on the evaporation substrate 4 with hydrogen mixed therein. Form a thin film of silicon.

前記蒸発源フの加熱方式は、電子銃加熱、抵抗加熱、誘
導加熱等任意のものが利用され得る。そして粗大粒塊の
飛翔を防止し得る構造とするのが好ましい。
As the heating method for the evaporation source, any method such as electron gun heating, resistance heating, induction heating, etc. can be used. It is also preferable to have a structure that can prevent coarse particles from flying away.

以上において用いられるマグネトロン型ガス放電器8の
一例を$2図に示す。、このガス放電器8は、出口11
を有する放電空間囲繞部材12と、前記イオン 出口1
1に設けた合間メツシュより成る引出し電141115
と、この引出し電極18と対向するよう設けた陽極板1
4と、前記引出し電極13と陽極1l114との間にお
いて放電空間を分割するよう設けた、例えば貫通孔15
を形成した陰極として機能する電磁石16とを有して成
り、陽極板14の近傍には修飾元素ガス導入管17が接
続され、又前記出口11は、前記ペルジャー1の開口1
0に前記蒸着基板4を指向するよう接続される。18は
陽極板14の電源であってその印加電圧は200V 〜
2KV、20は電磁石16の電源であってそのマグネッ
ト電流は0〜1ムとされる。前記引出し電極13は、こ
の例においては接地電位とされるが、電源19によって
電磁石16に対してθ〜8 KVの電位差が与えられる
An example of the magnetron type gas discharger 8 used in the above is shown in Figure $2. , this gas discharger 8 has an outlet 11
a discharge space surrounding member 12 having an ion outlet 1;
Output power 141115 consisting of a mesh provided in 1
and an anode plate 1 provided to face this extraction electrode 18.
4 and, for example, a through hole 15 provided to divide the discharge space between the extraction electrode 13 and the anode 1114.
A modifying element gas introducing pipe 17 is connected near the anode plate 14, and the outlet 11 is connected to the opening 1 of the Pelger 1.
0 so as to point toward the deposition substrate 4. 18 is a power source for the anode plate 14, and the applied voltage is 200V ~
2KV, 20 is a power source for the electromagnet 16, and its magnet current is 0 to 1 μm. Although the extraction electrode 13 is at ground potential in this example, a potential difference of θ to 8 KV is applied to the electromagnet 16 by a power source 19.

本発明は以上のような方法であって、ガス放電器8にお
いては、修飾元素ガス導入管17より放電空間内に導入
された水素ガスが陽極板14と電磁石16との間に印加
された電圧によって放電するが、そのプラズマは当該電
磁石16の貫通孔15の空間内に磁力によってとじ込め
られるようになる。そして引出し電極18との電位差に
よってプラズマから水素イオンが引き出されて当該引出
し電極13を通過して出口11からペルジャーl内に導
入され、蒸着基&4又はその背後電極に印加されたバイ
アス電圧によって蒸着基板4に向って飛翔するようにな
ると共に、活性水素も同方向に飛翔する。そして同時に
蒸発源7よりはシリコン蒸気が飛翔して蒸着基板 4 
に衝突し、これらの結果、蒸着基板4上には水素が混入
されたアモルファスシリコンの薄膜が形成される。
The present invention is a method as described above, in which, in the gas discharger 8, hydrogen gas introduced into the discharge space from the modifying element gas introduction tube 17 is applied to the voltage applied between the anode plate 14 and the electromagnet 16. However, the plasma is confined within the space of the through hole 15 of the electromagnet 16 by magnetic force. Hydrogen ions are extracted from the plasma by the potential difference with the extraction electrode 18, pass through the extraction electrode 13, and are introduced into the Pelger l from the outlet 11, and are applied to the deposition substrate by a bias voltage applied to the deposition group &4 or the electrode behind it. 4, and the active hydrogen also flies in the same direction. At the same time, silicon vapor flies from the evaporation source 7 to the evaporation substrate 4.
As a result, a thin film of amorphous silicon mixed with hydrogen is formed on the deposition substrate 4.

而して本発明においては、以上のように、マグネ)ロン
型ガス放電器8において修飾元素ガスのイオン及び活性
ガスを生成せしめてこれをペルジャー1内に導入せしめ
、その存在下において蒸発源物質を蒸発せしめるため、
確実に当該修飾元素が混入された薄膜を形成し得ると共
に、当該ガス放電器8がペルジャーlとは機能上独立で
あってその陽極板14、電磁石、16及び引出し電極1
8の電圧、電磁石16の磁力、修飾元素ガスの供給量、
並びに蒸着基板4に係るバイアス電圧及び温度を個々に
制御することができる土窯発源7の蒸発速度の制御も可
能であるため、薄膜における修飾元素の混入割合を広い
範囲に亘って制御することができる。特にマグネ)ロン
型ガス放電器Bにおいては、グロー放電によるガス放電
管に比して多量のイオン及び活性ガスを生成せしめるこ
とができる上、ペルジャー1内には加速されて高エネル
ギーを有するイオン等が導入されるのでその薄膜中への
混入効率が大きく、従って修飾元素の含有割合の高い、
所望の特性を有する薄膜を形成することができ、既述の
例においては水素が80原子外もの高い含有割合で混入
されたアモルファスシリコンの薄膜を形成することが可
能である。
In the present invention, as described above, the ions of the modifying element gas and the active gas are generated in the magnetron type gas discharger 8 and introduced into the Pel jar 1, and in the presence of the ions, the evaporation source material is In order to evaporate the
It is possible to reliably form a thin film mixed with the modifying element, and the gas discharger 8 is functionally independent of the Pelger 1, and its anode plate 14, electromagnet 16, and extraction electrode 1
voltage of 8, magnetic force of electromagnet 16, supply amount of modifying element gas,
In addition, it is also possible to control the evaporation rate of the clay oven source 7, which can individually control the bias voltage and temperature related to the evaporation substrate 4, so it is possible to control the mixing ratio of the modifying element in the thin film over a wide range. can. In particular, the Magnelon type gas discharger B can generate a large amount of ions and active gas compared to a gas discharge tube using glow discharge, and in addition, the Pelger 1 contains accelerated ions with high energy, etc. is introduced, the mixing efficiency into the thin film is high, and therefore the content of modifying elements is high.
A thin film having desired characteristics can be formed, and in the example described above, it is possible to form a thin film of amorphous silicon in which hydrogen is mixed at a high content of 80 atoms.

又このように修飾元素を高い効率で混入せしめ得るので
、元来大きな製膜速度が得られる蒸着法の利点が減殺さ
れることがなく、他の条件によって制約されない限りI
llIgI達度を大きくすることができ、例えば蒸着基
板4として長尺なものを用いてこれを大きな速度で移動
せしめながらその表面に連続して所望の薄膜を有利に形
成することもできる。
In addition, since modifying elements can be mixed with high efficiency in this way, the advantage of the vapor deposition method that originally provides a high film formation rate is not diminished, and unless restricted by other conditions, I
The coverage of llIgI can be increased, and for example, a desired thin film can be advantageously formed continuously on the surface of a long evaporation substrate 4 by moving it at a high speed.

本発明において、蒸発源7に収容する蒸発源物質として
は、一般に蒸着可能なすべてのものを用いることができ
る。そして蒸発源7の数は膜数としてもよく、既述のよ
うにアモルファスシリコンの薄膜を形成する場合におい
て、周期律表第厘族又は第V族元素の蒸発源をも用いて
共蒸着を行なえば、p型又はn型のアモルファスシリコ
ンの薄膜が得られる。
In the present invention, as the evaporation source material contained in the evaporation source 7, any material that can be generally evaporated can be used. The number of evaporation sources 7 may also be the number of films, and when forming a thin film of amorphous silicon as described above, co-evaporation can also be performed using an evaporation source of an element belonging to Group 2 or Group V of the periodic table. For example, a p-type or n-type amorphous silicon thin film can be obtained.

修飾元素ガスとしては、前記蒸発源による蒸着によって
形成される物質中に混入し得る元素のイオン及び活性化
物を与えるものであれば任意であり、当該元素のみより
成るガスのみならず、その化合物ガスを用いることもで
きる。例えば既述の例において、水素ガスの一部を炭化
水素ガスとすれば、水素が混入されたアモルファスシリ
コンカーバイドの薄膜を得ることができる。
The modifying element gas may be any gas that provides ions and activated products of the element that can be mixed into the substance formed by evaporation from the evaporation source, and may include not only a gas consisting only of the element, but also a compound gas thereof. You can also use For example, in the example described above, if part of the hydrogen gas is replaced by hydrocarbon gas, a thin film of amorphous silicon carbide mixed with hydrogen can be obtained.

以上のように本発明によれば、蒸着法によって形成され
る薄膜中に、大きな自由度をもって制御された割合で修
飾元素を混入せしめることができ、特にその含有割合を
大きくすることが可能である。
As described above, according to the present invention, it is possible to mix a modifying element in a controlled ratio with a large degree of freedom into a thin film formed by a vapor deposition method, and in particular, it is possible to increase the content ratio. .

以下本発明の詳細な説明する。The present invention will be explained in detail below.

実施例1 図示の構成の装置を用い1.下記の条件で水素を混入し
たアモルファスシリコンの薄膜を形成した。
Example 1 Using an apparatus having the configuration shown in the figure, 1. A thin film of amorphous silicon mixed with hydrogen was formed under the following conditions.

ペルジャー内の条件 真空度      5 X 1O−5Torr (水素
圧)蒸発源物質    シリコン 蒸着基板 種類   アルミニウム 温度   400℃ 印加電圧 −2KV マグネトロン型ガス放電器の条件 真空度       I X 1O−2Torr (水
素圧)修飾元素ガス 種類  水素ガス 流量  50CC/分 陽極板の電圧   アースから一、700V電磁石の電
圧  アースから 50V 引出し電極    アースを位 製膜の条件 速  度           40A/秒時 間  
    250秒間 ここに得られた厚さ1μmのアモルファスシリコンの薄
膜における水素含有割合は30i子%であり、暗抵抗は
l×1012Ω・CII+であり、良好な半導体特性を
有するものであった。
Condition vacuum degree in Pelger 5 X 1O-5 Torr (hydrogen pressure) Evaporation source material Silicon evaporation substrate Type Aluminum temperature 400℃ Applied voltage -2KV Condition vacuum degree of magnetron type gas discharger I X 1O-2 Torr (hydrogen pressure) Modifying element Gas type Hydrogen gas flow rate 50CC/min Anode plate voltage 1 from earth, 700V Electromagnet voltage 50V from earth Extracting electrode Position the earth Conditioned film forming speed 40A/sec Time
The amorphous silicon thin film with a thickness of 1 μm obtained for 250 seconds had a hydrogen content of 30%, a dark resistance of 1×10 12 Ω·CII+, and had good semiconductor properties.

実施例2 図示の構成の装置を用い、下記の条件で酸化インジウム
より成る透明導電膜を形成した。
Example 2 A transparent conductive film made of indium oxide was formed using an apparatus having the configuration shown in the figure under the following conditions.

ペルジャー内の条件 真空度        4X10  ’I’orr(酸
素圧)蒸発源物質     インジウム 蒸着基板 種 類  ガラス 温度 200℃ 印加電圧 −2KV マグネトロン型ガス放電器の条件 真空度        2 x 1o  ’rorr 
(酸素圧)修飾元素ガス 種類 酸素ガス 流量 50CC/分 陽極板の電圧   アースから700  V電磁石の電
圧  アースから 50 V引出し電極    アース
電位 製膜の条件 速  度            2λ/秒時  間 
         120 秒間ここに得られた厚さ2
40人の透明導電膜における波長550 n111の光
の透過率は86%であり、導電度は1O−3(Ω・cm
)−’であり、良好な導電特性を有するものであった。
Condition vacuum degree in Pelger 4 x 10 'I'orr (oxygen pressure) Evaporation source material Indium evaporation substrate Type Glass temperature 200℃ Applied voltage -2KV Condition vacuum degree of magnetron type gas discharger 2 x 1 o 'rorr
(Oxygen pressure) Modifying element gas Type Oxygen gas flow rate 50CC/min Voltage of anode plate 700 V from earth Voltage of electromagnet 50 V from earth Extracting electrode Conditioned speed for film formation at earth potential 2λ/sec Time
Thickness 2 obtained here for 120 seconds
The transmittance of light with a wavelength of 550 n111 in the transparent conductive film of 40 people was 86%, and the conductivity was 1O-3 (Ω cm
)-' and had good conductive properties.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明薄膜形成方法に用いられる装置の一例に
おける構成を示す説明用断面図、第2図はマグネトロン
型ガス放電器の一例における構成を示す説明用断面図で
ある。 1・・・ヘルシャー    2・・、バタフライバルブ
8・・・排気路      4・・・蒸着基板7・・・
蒸発源      8・・・マグネトロン型ガス放電器
        11・・・出口12・・・放電空間囲
繞部材18・・・引出しt樺14・・・陽極板    
 16・・・電磁石1フ・・・修飾元素ガス導入管 手続補正書(自発) 昭和58年2月141」 特許庁長官 若杉和夫 殿 1、事件の表示 昭和56年    特許  192732 ’願第 2・発明の名称  薄膜形成方法 3、 補正をする者 事件との関係  特許出願人 フリガブ  東京都新宿区西新宿1丁目26書2号住 
 所 4、代理人 5、 補正命令の日付 6、 補正により増加する発明の数 7、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の橢 加入する。 「なお、以上においてペルジャー1内の真空度は10−
3〜lO−!Torrとされるが、真空ポンプとして拡
散ポンプを用いて4.10”T・rrより高い真空度を
得ることは実際上困難であり、また真空度が10”To
rrより低い場合には、ガス放電管8においてスパーク
放電が生ずるようKなって修飾元素ガスのイオン化若し
くは活性什の効率が低下し、また蒸発源よりの蒸発が抑
制されてしまい、更にガス放電管8において生じた水素
イオン等の活性種の平均自由行程が短(なってそのII
Iへ)導入効率が小さくなる。因みに、10  ” T
orrの真空空間における水素イオンの平均自由行程は
約10cmである。」
FIG. 1 is an explanatory sectional view showing the structure of an example of an apparatus used in the thin film forming method of the present invention, and FIG. 2 is an explanatory sectional view showing the structure of an example of a magnetron type gas discharger. 1...Helscher 2..., butterfly valve 8...exhaust path 4...evaporation substrate 7...
Evaporation source 8... Magnetron type gas discharger 11... Outlet 12... Discharge space surrounding member 18... Drawer t birch 14... Anode plate
16...Electromagnet 1...Modifying element gas introduction tube procedure amendment (voluntary) February 141, 1981'' Commissioner of the Japan Patent Office Kazuo Wakasugi 1, Indication of the case 1982 Patent 192732 'Application No. 2 Invention Name of Thin Film Forming Method 3, Relationship with the Amendment Case Patent Applicant Furigabu Address: No. 2, 1-26 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo
Place 4, Attorney 5, Date of amendment order 6, Number of inventions increased by the amendment 7, Addition of detailed explanation of the invention in the specification subject to amendment. "In the above, the degree of vacuum inside Pelger 1 is 10-
3~lO-! Torr, but it is actually difficult to obtain a degree of vacuum higher than 4.10"Trr using a diffusion pump as a vacuum pump, and the degree of vacuum is 10"Torr.
If it is lower than rr, the K will become so high that spark discharge will occur in the gas discharge tube 8, and the efficiency of ionization or activation of the modifying element gas will decrease, and evaporation from the evaporation source will be suppressed, and furthermore, the gas discharge tube The mean free path of active species such as hydrogen ions generated in step 8 is short (because of its II
To I) Introduction efficiency becomes smaller. By the way, 10”T
The mean free path of hydrogen ions in the vacuum space of orr is about 10 cm. ”

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)真空槽と、この真空槽内に設けた蒸発源と、前記真
空槽の外部においてその出口を当該真空槽に接続して設
けたマグネトロン型ガス放電器とを有する装置を用い、
前記マグネトロン型ガス放電器よりのイオン及び活性ガ
スを前記真空槽内に導入しながら前記蒸発源より蒸発源
物質を蒸発せしめ、以って前記真空槽内に配置した基板
上に前記イオン及び活性ガスによる修飾元素を含有する
前記蒸発源物質による薄膜を形成することを特徴とする
薄膜形成方法。 2)#1記基板又はその背後電極に直流負電圧が印加さ
れる特許請求の範囲第1項記載の薄膜形成方法。
[Claims] 1) A device comprising a vacuum chamber, an evaporation source provided within the vacuum chamber, and a magnetron-type gas discharger provided outside the vacuum chamber with its outlet connected to the vacuum chamber. using
While introducing ions and active gas from the magnetron type gas discharger into the vacuum chamber, the evaporation source material is evaporated from the evaporation source, so that the ions and active gas are deposited on the substrate placed in the vacuum chamber. A method for forming a thin film, comprising forming a thin film using the evaporation source substance containing a modifying element according to the method. 2) The thin film forming method according to claim 1, wherein a negative DC voltage is applied to the #1 substrate or its rear electrode.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61238962A (en) * 1985-04-16 1986-10-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and apparatus for forming film

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JPS61238962A (en) * 1985-04-16 1986-10-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and apparatus for forming film

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