JPS5811050B2 - リ−ドスイツチ - Google Patents

リ−ドスイツチ

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Publication number
JPS5811050B2
JPS5811050B2 JP53164031A JP16403178A JPS5811050B2 JP S5811050 B2 JPS5811050 B2 JP S5811050B2 JP 53164031 A JP53164031 A JP 53164031A JP 16403178 A JP16403178 A JP 16403178A JP S5811050 B2 JPS5811050 B2 JP S5811050B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
switch
sealing
torr
reed switch
gas
Prior art date
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Expired
Application number
JP53164031A
Other languages
English (en)
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JPS5588213A (en
Inventor
原敏人
黒沢喜代志
田中章
富岡宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS5588213A publication Critical patent/JPS5588213A/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はリードスイッチに関する。
公知リードスイッチは第1図図示のガラス管1に一対の
リード片2と2′を不活性ガスあるいは接点保護ガス中
で封入して接点保護を行ない接触抵抗の安定化並に高信
頼化をはかつている。
しかして接点保護ガスの組成と封入圧力及びリード片に
対する接点表面処理は共に該スイッチ性能に関係する重
要な要因であり、現在猶予数の改良報告がなされている
本発明は前者、ガス組成と封入圧力について提示したも
のである。
従来、ガス組成に就いては例えば特公昭47−4380
では主ガス窒素(N2)に酸素(O2)添付の空気組成
不活性ガスが指摘され、それによれば酸素含有量5%濃
度(単位容積当り)を最良とし、更に該濃度範囲とし1
〜20%の出願がある。
しかし封入圧力に就いては何らの指摘がなく、これは多
分1気圧(760トール)弱のものと推測される。
他方、封入圧力に関しては管内真空とする出願が多数あ
るが、真空を何ら定量的に示していないのみならず、該
スイッチの封入機構に対しても真空状態を寿命期間保証
する然るべき構造とは考えられない。
事実、リードスイッチに通常の真空対しをするとすれば
封入構造の改善を要し又封入にさいし高度の封入設備を
要し、これに伴いコスト的に高価なスイッチにならざる
をえず問題である。
ところで、前記封入機構の接合強度としてはヘリウム(
He)原子による洩れ検知で評価する方法があり、従来
スイッチにつきこの気密度評価の結果は1O−9CC/
atm・secを満たすものである。
(CC/atm・secは1秒間1絶対気圧差における
接合壁を洩れる容積立方センチ米で表示する単位)かか
る封入接合強度のもとでは10−5ト一ル以上の真空対
しはともかく、以下記述の減圧封じに対してはスイッチ
使用の動作条件(温度サイクル等の熱ストレス変化を含
む)を考慮しても初期封入時のガス組成及び封入圧力を
寿命期間20年間有効に維持するものである。
本発明は現用封入ガスになる窒素を主成分とし他に酸素
等若干含有の保護ガス組成を有し、又封入圧は400〜
460トールとするスイッチ性能と同等或はそれ以上の
ものを経済的に実現せんと意図してなされたものである
その特徴とするところは、封入ガス体積成分比が窒素(
N2)4に対し酸素(O2)1とし、かつ封入圧が0.
1〜80トールとする所謂大気減圧条件下で封入された
スイッチである。
これにより封入処理に用いた窒素ガス源は不要となった
尚、封入圧80トールとは第1図配置の設定空間がほぼ
十分の一気圧に排気あるいは減圧してスイッチ封止する
事を意味する。
以下、本発明になる減圧封止スイッチにつき従来封止ス
イッチ等と比較しながら性能具現の状況を説明する。
該性能としてスイッチの接触抵抗、接点間耐圧及び寿命
性能を例示し説明する。
第2図はスイッチ接触抵抗Rcについての正規確率分布
特性を示す。
図の横軸はRcをmΩ(十分の1オーム)単位で表し、
縦軸は正規確率目盛(単位%)で表示したもので、これ
は平均値及びそのバラツキ評価によく利用される表示法
である。
尚、供試スイッチ数はA、B、C及びD何れのスイッチ
も26個である。
図中、Aスイッチの特性は1気圧下封止になる封入圧4
00〜460トールのもの、Bスイッチの特性は前記A
より更に減圧封止になる封入圧200〜260トールの
もの、Cスイッチの特性は本発明になる封入圧0.1〜
80トールのものである。
そしてDスイッチの特性は従来の主成分ガス窒素充填に
なるもので、封入圧は前記400〜460トールである
C特性はD特性と略一致した品質性能が具備されている
事は明瞭である。
接触抵抗値はRc=70mΩ以下の安定なスイッチ性能
かえられた。
尚、A〜D各特性に使用した一対のリード片に対する接
点表面金属はロジウム(Rh)めっきのものを使用した
第3図はスイッチの接点間耐圧性能について第2図同様
の分布特性図である。
図の横軸は商用交流を昇圧して接点間絶縁破壊となる電
圧値Vac(単位ボルト)で表示する。
Cスイッチ並にDスイッチの各封止条件は前記記述のと
おりであり、Dスイッチの耐圧が250〜400Vac
範囲であるが、本発明になるCスイッチは360〜56
0Vacと高耐圧性能かえられた。
もちろんガス組成並に封入圧を除き、CとDとは共に接
点間間隙等の封入設定条件は同一である。
前記の如き性能の向上かえられた理由としては(1)接
触抵抗については関与する接点金属ロジウムに多分に依
存する処であるが、減圧封止の酸素成分が寄与し、ロジ
ウムとの化学反応が有効に作用した結果、カーボン(C
)ポリマーの形成が妨げられた事による(ポリマー形成
は接点面に絶縁皮膜生成に関係する)。
(2)耐電圧の向上は接点近傍における電離分子数の絶
対値が減圧度に応じて減少した為放電破壊が抑止された
事による。
と推察される。
本発明スイッチの寿命性能に就き第4図累積故障率(C
umulative Failure Rate CF
Rと略す、単位%)特性を例示する。
図示横軸のNは以下説明の負荷条件下で別に指示した故
障判定基準をこえる迄の耐用開閉動作回数である。
本寿命試験は負荷条件とし特定の接点負荷抵抗800Ω
、開閉電圧(交流)240Vと高レベルの遮断・投入を
与え、又その駆動速度は100回/秒である。
C並にD特性は夫々本発明品並に従来同様の封止になる
もので、E特性は1.5気圧封止になる他社製品になる
スイッチである。
供試数は何れも5個と少数サンプルであるが顕著な寿命
性能の改良が実現された事を証明している。
【図面の簡単な説明】
第1図は公知リードスイッチのガラス管並にリード片の
封入配置図、第2図は該スイッチの接触抵抗分布特性図
、第3図は耐電圧分布特性図、第4図は累積故障率特性
図である。 特性図中、C特性が本発明になるスイッチ、又り特性は
従来品のスイッチである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 接点保護ガスと共にロジウムめっき処理がされたス
    イッチリード片を封入するリードスイッチにおいて、該
    スイッチの封入ガス成分比(体積)が窒素(N2)4に
    対し酸素(O2)1とし、かつ封入圧が0.1〜80ト
    ール(mmHg)である事を特徴とするリードスイッチ
JP53164031A 1978-12-25 1978-12-25 リ−ドスイツチ Expired JPS5811050B2 (ja)

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JP53164031A JPS5811050B2 (ja) 1978-12-25 1978-12-25 リ−ドスイツチ

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JPS5588213A JPS5588213A (en) 1980-07-03
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US4426560A (en) * 1980-11-13 1984-01-17 Westinghouse Electric Corp. Reduced pressure electrical switch

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JPS5588213A (en) 1980-07-03

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