JPS58107693A - Semiconductor laser driving device - Google Patents
Semiconductor laser driving deviceInfo
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- JPS58107693A JPS58107693A JP56206580A JP20658081A JPS58107693A JP S58107693 A JPS58107693 A JP S58107693A JP 56206580 A JP56206580 A JP 56206580A JP 20658081 A JP20658081 A JP 20658081A JP S58107693 A JPS58107693 A JP S58107693A
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
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- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体レーザをスイッチング制御する駆動装
置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a driving device for controlling switching of a semiconductor laser.
一半導体レーザ(以下単にレーザと称す)は、レーザプ
リンタ、通信その他に使用されている。レーザプリンタ
を第1図のブロック、図について説明すると、1はレー
ザ2をオン・オフ制御する信号を出力するレーザ駆動装
置、3はコリメータレンズ、4はビームエキスパンダー
である。5はポリゴンモータ軸に取り付けられた回転多
面鏡を有するポリゴンミラーで、コリメータレンズ3及
びビームエキスパンダー4を通ってきたレーザビームを
高速に走査する。6はポリゴンミラー5で走査されたレ
ーザビームを回転している感光体ドラム7上に投影させ
るfθ レンズである。8は感光体ドラム7の端部近傍
に設けられ、レーザビームを受光して感光体ドラム7の
回転とレーザビーム走査との同期をとる同期信号発生用
受光素子である。Semiconductor lasers (hereinafter simply referred to as lasers) are used in laser printers, communications, and other applications. To explain the laser printer with reference to the blocks and diagrams in FIG. 1, 1 is a laser driving device that outputs a signal for controlling on/off of a laser 2, 3 is a collimator lens, and 4 is a beam expander. Reference numeral 5 denotes a polygon mirror having a rotating polygon mirror attached to a polygon motor shaft, which scans the laser beam that has passed through the collimator lens 3 and the beam expander 4 at high speed. Reference numeral 6 denotes an fθ lens that projects the laser beam scanned by the polygon mirror 5 onto the rotating photosensitive drum 7. Reference numeral 8 denotes a light receiving element for generating a synchronization signal, which is provided near the end of the photoreceptor drum 7 and receives the laser beam to synchronize the rotation of the photoreceptor drum 7 with the scanning of the laser beam.
また、9は光出力検出素子で、レーザ2に内蔵されるか
、レーザ2の近傍に設置され、レーザ2のレーザビーム
を受光し、その信号をレーザ駆動装@1へ帰還させてレ
ーザ2の出力の安定化を図る。In addition, 9 is a light output detection element, which is built into the laser 2 or installed near the laser 2, receives the laser beam of the laser 2, and returns the signal to the laser driving device @1 to detect the laser 2. Try to stabilize the output.
第1図のレーザプリンタにおけるレーザ2の動作を第2
図の波形図により説明する。ポリゴンミラー5の矢印方
向の回転により、レーザビームが走査を開始すると、レ
ーザビームが受光素子8に入射して受光素子8から同期
信号が発生し、この同期信号により制御回路(図示され
ていない)からのレーザイネーブル信号がオフとなり、
レーザビームが感光体ドラム7の印字位置に来るまでの
時間がカウントされる。感光体にキャラクタ部を露光す
る場合(ネガ−ポジ)にはレーザイネーブル信号がオフ
になっている期間はレーザ2もオフとされる。レーザビ
ームが印字位置に到達する時間になると、レーザイネー
ブル信号がオンとなってレーザ2が動作を開始し、レー
ザビームが画像印字領域を走査する間、レーザ駆動装置
1は画像データに従ってレーザ2をオン・オン制御する
。The operation of laser 2 in the laser printer shown in Figure 1 is explained in the second diagram.
This will be explained using the waveform diagram in the figure. When the laser beam starts scanning by rotating the polygon mirror 5 in the direction of the arrow, the laser beam enters the light receiving element 8 and a synchronizing signal is generated from the light receiving element 8. This synchronizing signal causes a control circuit (not shown) to be activated. The laser enable signal from
The time until the laser beam reaches the printing position on the photosensitive drum 7 is counted. When exposing a character portion on a photoreceptor (negative-positive), the laser 2 is also turned off during the period when the laser enable signal is turned off. When the time comes for the laser beam to reach the printing position, the laser enable signal is turned on and the laser 2 starts operating. While the laser beam scans the image printing area, the laser driving device 1 controls the laser 2 according to the image data. On/on control.
画像印字領域の走査が終了すると、レーザイネーブル信
号が一旦オフになった後、予め設定し光時間で再びオン
となり、レーザ2もオンになる。レーザ2がオンになっ
ているこの期間にレーザビームの走査が開始位置(図で
は左端)に戻り、受光素子8により再び同期信号が発生
して、上記の印字動作が次のラインで実行される。この
ように、レーザ2の動作タイミングは、レーザビームが
感光体ドラム7上を1ライン走査するごとに同期して行
なわれるdポジーポジの場合、レーザのオン−オフは上
記と逆になる。When the scanning of the image printing area is completed, the laser enable signal is once turned off and then turned on again at a preset light time, and the laser 2 is also turned on. During this period when the laser 2 is on, the laser beam scan returns to the starting position (the left end in the figure), the photodetector 8 generates a synchronization signal again, and the above printing operation is executed on the next line. . As described above, in the case of d-positive, in which the operation timing of the laser 2 is synchronized every time the laser beam scans one line on the photoreceptor drum 7, the on-off of the laser is opposite to the above.
また、第?、図のAのタイミングの間、レーザ2の光出
力が光出力検出素子9により検出され、その信号がレー
ザ駆動装置1に帰還されてレーザ発光出力を安定化させ
る。Also, number one? , during the timing of A in the figure, the optical output of the laser 2 is detected by the optical output detection element 9, and the signal is fed back to the laser driving device 1 to stabilize the laser emission output.
この種のレーザプリンタ等に使用されるレーザ駆動装置
1としては、従来第4図に示されるように、トランジス
タQ、 、 Q2等を含む差動増幅器の、トランジスタ
ものコレクタ側にレーザ2を接続し、トランジスタQ、
のベースに入力されるレーザオン・オフ信号によってレ
ーザ2のオン・オフ制御を行い、さらに、レーザ光出力
検出素子9がらフィードバックされる光出力信号をアン
プAMPを介してトランジスタq3のベースに接続して
駆動電流を制御するように構成されたものが知られてい
る。Conventionally, a laser driving device 1 used in this type of laser printer, etc., has a laser 2 connected to the collector side of a differential amplifier including transistors Q, Q2, etc., as shown in FIG. , transistor Q,
On/off control of the laser 2 is performed by the laser on/off signal inputted to the base of the transistor q3, and the optical output signal fed back from the laser light output detection element 9 is connected to the base of the transistor q3 via the amplifier AMP. Devices configured to control the drive current are known.
このような従来回路においては、レーザ2を高速にオン
・オフ制御するために、トランジスタQ□。In such a conventional circuit, a transistor Q□ is used to control on/off of the laser 2 at high speed.
q2は能動領域で動作□させることが望ましく、通常、
レーザ2には微少電流が流れており、レーザ2は常時弱
く発光(LED発光)している。このため、この回路を
レーザプリンタに応用すると、画像カブリを生じ実用上
問題となっていた。It is desirable that q2 operates in the active region, and usually,
A minute current flows through the laser 2, and the laser 2 always emits weak light (LED light emission). Therefore, when this circuit is applied to a laser printer, image fogging occurs, which is a practical problem.
このため、上記差動増幅器型のスイッチング回路に代え
て高速型のトランジスタや電界効果トランジスタ(以下
FETと称す)等の高速スイッチング素子を用いること
が考えられるが、この場合、電流制御回路を含む駆動回
路を概略的に示すと第3図のようになり、新たな問題を
生じる。即ち、想定される回路は、第3図に示されるよ
うに、レーザ2と高速のスイッチングトランジスタQと
の直列回路の間に、−流制御用トランジスタ10を含む
回路と固定抵抗R1)との並列回路を設け、スイッチン
グトランジスタqにはレーザオン・オフ制御回路11を
接続し、電流制御用トランジスタ10には電流制御回路
12を接続したものである。For this reason, it is conceivable to use a high-speed switching element such as a high-speed transistor or a field-effect transistor (hereinafter referred to as FET) in place of the above-mentioned differential amplifier type switching circuit. When the circuit is schematically shown in FIG. 3, a new problem arises. That is, the assumed circuit is, as shown in FIG. 3, a circuit including a negative current control transistor 10 and a fixed resistor R1 in parallel between a series circuit of the laser 2 and a high-speed switching transistor Q. A laser on/off control circuit 11 is connected to the switching transistor q, and a current control circuit 12 is connected to the current control transistor 10.
このレーザ駆動装置において、スイッチングトランジス
タQをオンとすると、レーザ2には電流iqが流れて発
光する。電流iqは、電流制御用トランジスタ10を流
れる電流iFと、固定抵抗R[)を流れる電流iDとの
和からなり、電流iFを電流制御回路12により制御す
ることによりレーザ2の発光出力を安定に保持している
。In this laser driving device, when the switching transistor Q is turned on, a current iq flows through the laser 2 and emits light. The current iq is made up of the sum of the current iF flowing through the current control transistor 10 and the current iD flowing through the fixed resistor R[), and by controlling the current iF by the current control circuit 12, the light emission output of the laser 2 is stabilized. keeping.
然るに、このような駆動装置では、スイッチング用のト
ランジスタqのオン・オフ時、その領域へ少数キャリア
が注入され、あるいはベース領域から逃げるための時間
を要し、負荷抵抗R1−にも影響して、レーザ2自体の
オン・オフ特性が悪くなる。However, in such a drive device, when the switching transistor q is turned on and off, it takes time for minority carriers to be injected into that region or to escape from the base region, which also affects the load resistance R1-. , the on/off characteristics of the laser 2 itself deteriorates.
本発明は、このようなレーザ駆動装置において、レーザ
の発光出力強度のスイッチング特性を改良することを目
的とするものである。すなわち、本発明は、レーザ駆動
装置において、電流制御用にFETを用いることにより
上記目的を達成せんとするものである。An object of the present invention is to improve the switching characteristics of the laser emission output intensity in such a laser driving device. That is, the present invention aims to achieve the above object by using an FET for current control in a laser driving device.
以下、一実施例により本発明の詳細な説明する。Hereinafter, the present invention will be explained in detail using one example.
第5図は本発明の一実施例を示す回路図で、レーザ2と
スイッチングFETQ’との間に設けられる並列回路は
、第3図の従来例と異なり、FET20を含む直列回路
と固定抵抗R1)との並列回路である。スイッチングF
E T Q’にはレーザオン・オフ制御回路11が接
続され、電流制御用FET20には電流制御回路12が
接続される。FIG. 5 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, in which the parallel circuit provided between the laser 2 and the switching FET Q' is different from the conventional example shown in FIG. ) is a parallel circuit with switching F
A laser on/off control circuit 11 is connected to E T Q′, and a current control circuit 12 is connected to the current control FET 20 .
電流制御用のFET20には、例えばJ107(シリコ
ニクス社製)などを用いることができる。For example, J107 (manufactured by Siliconix Corporation) can be used as the FET 20 for current control.
本実施例では、電流制御回路12は、光出力検出素子9
の増幅された出力信号をサンプルホールドするサンプル
ホールド回路21と、このサンプルホールド回路21の
出力信号の大きさにより、この出力信号又は基準電圧の
いずれかを選択するアナログスイッチなどのスイッチ2
2と、このスイッチ22の出力信号に基づいて電流制御
用FET20を制御する回路とを備えている。In this embodiment, the current control circuit 12 includes the optical output detection element 9
a sample-and-hold circuit 21 that samples and holds an amplified output signal; and a switch 2, such as an analog switch, that selects either this output signal or a reference voltage depending on the magnitude of the output signal of this sample-and-hold circuit 21.
2, and a circuit that controls the current control FET 20 based on the output signal of the switch 22.
本実施例において、FET20、抵抗RF 、 RDは
、レーザ2の電流制限抵抗として作用する。第3図のよ
うにFET20を接続した場合孟、この!ET20は純
抵抗素子として扱うことができる。In this embodiment, the FET 20 and the resistors RF and RD act as current limiting resistors for the laser 2. When FET20 is connected as shown in Figure 3, this! ET20 can be treated as a pure resistance element.
FET20のオン時に現われる抵抗をT(とすると、こ
の並列回路の合成抵抗には、
RD−(RF 十r()
R=−1−一一一一一一一一一一一一−kD +’p
+ r(
と表わされ、レーザ2を流れる電流IQは、RD十RF
+r(
となり、FET2Qの抵抗r(を制御することにより、
fq が制御されることがわかる。ここで、■ccは電
源電圧、■Fはレーザ2の順方向電圧、VQはFET2
0の飽和電圧である。If the resistance that appears when FET 20 is turned on is T(, then the combined resistance of this parallel circuit is RD-(RF 1r() R=-1-11111111111-kD +' p
+ r( , and the current IQ flowing through the laser 2 is RD + RF
+r( , and by controlling the resistance r( of FET2Q),
It can be seen that fq is controlled. Here, ■cc is the power supply voltage, ■F is the forward voltage of the laser 2, and VQ is the FET2
The saturation voltage is 0.
FET2Qのゲート電圧と電線iFとの関係は、例えば
第6図のように表わされるので、iFが制御される範囲
の中心になるように基準電圧■r2を設定しておけばよ
い。Since the relationship between the gate voltage of FET2Q and the electric wire iF is expressed, for example, as shown in FIG. 6, the reference voltage r2 may be set so that iF is at the center of the controlled range.
このように設定された一第5図の本実施例において、レ
ーザ2がオフの状態からレーザオン・オフ制御回路11
によりスイッチングFETQ’をオンにする。このとき
、光出力検出素子9からの信号は零又は非常に小さいの
で、サンプルホールド回路21の出力信号は基準電圧v
r3より小さく、したがって比較器23からの信号状態
によりスイッチ22が基準電圧■r1側に接続される。In the embodiment shown in FIG. 5, which is set in this way, the laser on/off control circuit 11 starts from the state where the laser 2 is off.
turns on the switching FETQ'. At this time, since the signal from the optical output detection element 9 is zero or very small, the output signal of the sample and hold circuit 21 is equal to the reference voltage v.
r3, therefore, the state of the signal from the comparator 23 connects the switch 22 to the reference voltage r1 side.
その結果FET20には基準電圧■、□に対応する電流
が流れ、し〜ザ2は予め設定された電流値で発光する。As a result, currents corresponding to the reference voltages ■ and □ flow through the FET 20, and the sensor 2 emits light at a preset current value.
次にレーザ2の発光出力が所定値に達し、サイプルホー
ルド回路21の出力信号が基準電圧v、3に達する。と
、スイッチ22はサンプルホールド回路21の側に接続
される。この状、態でレーザ2の発光出力か増大すると
、増幅器24.25を介してFET20のゲート電圧(
負)の絶対値が増大してFET20の抵抗r(を増加さ
せ、レーザ2の電流iQを減少させてレーザ2の発光出
力を減少させる。逆に、レーザ2の発光出力が減少した
場 合には、上記とは逆に作用してレーザ2の発光
出力を増大させる。また、レーザ2の発光出力が所定値
以下に減少した場合には、スイッチ22が基準電圧vr
□側に切り替わり、電流iQが設定値になるようにFE
T20が制御される。Next, the light emission output of the laser 2 reaches a predetermined value, and the output signal of the siple hold circuit 21 reaches the reference voltage v,3. Then, the switch 22 is connected to the sample and hold circuit 21 side. In this state, when the emission output of the laser 2 increases, the gate voltage of the FET 20 (
The absolute value of (negative) increases, increasing the resistance r( of FET 20, decreasing the current iQ of laser 2, and reducing the light emission output of laser 2. Conversely, when the light emission output of laser 2 decreases, acts in the opposite way to the above and increases the light emission output of the laser 2. Also, when the light emission output of the laser 2 decreases below a predetermined value, the switch 22 changes the reference voltage vr
FE switches to the □ side so that the current iQ reaches the set value.
T20 is controlled.
レーザプリンタの印字動作時のように、スイッチングF
ETQ’が繰り返しオン、オフされる場合には、サンプ
ルホールドされた信号により、スイッチ22はサンプル
ホールド回路21側に接続されたままである。Switching F as in the printing operation of a laser printer
When ETQ' is repeatedly turned on and off, the switch 22 remains connected to the sample and hold circuit 21 due to the sampled and held signal.
レーザオン・オフ制御回路11によりスイッチングFE
TQをオン・オフしたところ、レーザ2の発光出力強度
は、低周波数のスイッチングにおいては第4図Talの
実線で示されるように立ち上り、立ち下りが良好となり
、また高周波数のスイッチングにおいては同図(b)の
実線で示されるようにコントラストあるいは解像度もよ
くなった。Switching FE by laser on/off control circuit 11
When TQ was turned on and off, the emission output intensity of laser 2 rose as shown by the solid line in Figure 4 Tal during low frequency switching, and had a good fall as shown in the same figure during high frequency switching. As shown by the solid line in (b), the contrast or resolution also improved.
本実施例では、レーザ2の発光出力が一定値になるまで
は、スイッチ22の切り替えにより、し−ザ2の電流i
Qを一定にするように構成しているので、電源をオンに
したとき、あるいは故障などでサンプルホールド回路2
1への電圧のサン”プリングが行なわれていなかったり
、電圧が極端に下った場合に、FET20に過電流が流
れてレーザ2を破損する事故を予防することができる。In this embodiment, the current i of the laser 2 is controlled by switching the switch 22 until the emission output of the laser 2 reaches a constant value.
Since it is configured to keep the Q constant, the sample and hold circuit 2
It is possible to prevent an accident in which an overcurrent flows through the FET 20 and damages the laser 2 if sampling of the voltage to the FET 1 is not performed or if the voltage drops extremely.
ナオ、第5図の実施例において、スイッチングFETQ
’は、第3図に示されているスイッチングトランジスタ
qであってもよい。また、FET20を含む並列回路と
スイッチングFETQ’(又はスイッチングトランジス
タQ)の位置は入れ替っていてもよい。Nao, in the embodiment of FIG.
' may be the switching transistor q shown in FIG. Further, the positions of the parallel circuit including the FET 20 and the switching FET Q' (or the switching transistor Q) may be exchanged.
以上に述べたように、本発明はレーザの発光出力を安定
化するのに電流制御用に立ち上り、立ち下り速度の速い
FETを使用したので、スイッチング手段による高速の
オン・オフ動作に対してもレーザ発光出力のスイッチ、
ング特性の優れたレーザ駆動装置を提供することができ
、本発明のレーザ駆動装置をレーザプリンタに使用する
場合には解像度の優れたプリント画像を得ることができ
る。As described above, the present invention uses FETs with fast rise and fall speeds for current control to stabilize the light emission output of the laser. Laser emission output switch,
A laser drive device with excellent printing characteristics can be provided, and when the laser drive device of the present invention is used in a laser printer, a printed image with excellent resolution can be obtained.
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明が適用される一例としてのレーザプリン
タを示すブロック回路図、第2図は第1図のレーザプリ
ンタにおけるレーザの動作状態を示す波形図、第3図は
従来のレーザ駆動装置を示すブロック回路図、第4図は
本発明の一実施例と従来のレーザ駆動装置とにおけるレ
ーザの発光状態を比較するレーザ発光波形図、第5図は
本発明の一実施例を示すブロック回路図、第6図はFE
Tのゲート電圧対負荷電流特性を示す図である。
1・・・レーザ駆動装置、2・・・レーザ、9・・・光
出力検出素子、10・・・電流制御用トランジスタ、1
1・・・レーザオン・オフ制御回路、12・・・電流制
御回路、20・・・電流制御用FET、21・・・サン
プルホールド回路、22・・・スイッチ、RD・・・固
定抵抗、Q・・・スイッチングトランジスタ、q′・・
・スイッチングFETo
。
特許出願人 ミノルタカメラ株式会社
代理人弁理士青山葆外8名
第155
第2図
レー七−−−1−−−1■町curt−−−−−−−−
−−−−−−u−尤、ユ、工、−−−第3因
第4図
1−
手続補正書(自発)
昭和57年1 月29日
特許庁 長 官 殿
l事件の表示
昭和56年特許願第 206580 号2発明の名
称
半導体レーザ駆動装置
3補正をする者
事件との関係 特許出願人
オオサカVヒIVクアヅテマチ
住所 大阪市東区安土町2丁目頷番池大販国際ビル4
代理人
5補正命令の日付 自 発
7、補正の内容
(1)明細書第6頁第12行目に「その」とあるを、[
電流制御用トランジスタ10のベース]ト補正する。
(2)同第8頁第3行目に「8図」とあるを、「5図」
と補正する。
(3)同第1O頁第12〜18行目に「レーザ・・・よ
くなった。」とあるを削除する。
(4)同第12頁第5行目に「従来の」とあるを削除す
る。
(5)同第12頁第5〜6行目に「を示す」とあるを、
「における不都合点を説明するための」と補正する。
(6)同第12頁第6〜8行目に[第4図は・・・波形
図、」とあるを、「第4図は従来のレーザ1勧装置の一
例を示す回路図、」と補正する。[BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS] FIG. 1 is a block circuit diagram showing a laser printer as an example to which the present invention is applied, FIG. 2 is a waveform diagram showing the operating state of the laser in the laser printer of FIG. 1, and FIG. The figure is a block circuit diagram showing a conventional laser drive device, FIG. 4 is a laser emission waveform diagram comparing the laser emission state in an embodiment of the present invention and a conventional laser drive device, and FIG. A block circuit diagram showing one embodiment, FIG. 6 is an FE
FIG. 3 is a diagram showing gate voltage versus load current characteristics of T. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Laser drive device, 2... Laser, 9... Optical output detection element, 10... Current control transistor, 1
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Laser on/off control circuit, 12...Current control circuit, 20...FET for current control, 21...Sample hold circuit, 22...Switch, RD...Fixed resistance, Q.・・Switching transistor, q′・・
・Switching FETo
. Patent Applicant Minolta Camera Co., Ltd. Agent Patent Attorney Aoyama Sogai 8 No. 155 Figure 2 Leh 7 --- 1 --- 1 ■ Town curt ---
------- U-Yu, Yu, Eng, --- Third cause, Figure 4, 1- Procedural amendment (spontaneous) January 29, 1980 Director General of the Patent Office Indication of the case 1982 Patent Application No. 206580 2 Name of the invention Semiconductor laser drive device 3 Relationship with the person making the amendment Patent applicant Osaka Vhi IV Quadutemachi Address Nobobanike Daihan International Building 4, 2-chome, Azuchi-cho, Higashi-ku, Osaka
Date of amendment order by agent 5 Motto 7. Contents of amendment (1) The word "the" in line 12 of page 6 of the specification has been changed to [
The base of the current control transistor 10 is corrected. (2) On the 3rd line of page 8, replace “Figure 8” with “Figure 5”
and correct it. (3) Delete the phrase "Laser...has gotten better." from lines 12 to 18 on page 10. (4) Delete the word "conventional" in the 5th line of page 12. (5) On page 12, lines 5 and 6, it says “indicates”.
amend it to ``to explain the disadvantages of''. (6) On the 6th to 8th lines of page 12, the phrase [Figure 4 is a waveform diagram] has been replaced with ``Figure 4 is a circuit diagram showing an example of a conventional laser device.'' to correct.
Claims (2)
に接続し、電界効果1ランジスタを含む回路と固定抵抗
との並列回路を前記半導体レーザに直列に接続し、かつ
前記電界効果トランジスタには電流制御回路を接続して
そめ電界効果トランジスタを流れる電流を微調整するこ
とにより前記半導体レーザに流れる電流を制御すること
を特徴とする半導体レーザ駆動装置。(1) A high-speed switching means is connected in series to the semiconductor laser, a parallel circuit including a circuit including a field effect transistor and a fixed resistor is connected in series to the semiconductor laser, and a current control circuit is connected to the field effect transistor. A semiconductor laser driving device characterized in that the current flowing through the semiconductor laser is controlled by finely adjusting the current flowing through the connected field effect transistor.
一定値になるまでは前記電界効果トランジスタに一定電
流を流し、半導体レーザの発光出力が一定値に到達した
後はその発光出力に対応して前記電界効果トランジスタ
を流れる電流を変化させる保護回路を有する特許請求の
範囲第1項に記載の半導体レーザ駆動装置。(2) The current control circuit causes a constant current to flow through the field effect transistor until the light emission output of the semiconductor laser reaches a constant value, and after the light emission output of the semiconductor laser reaches a certain value, the current control circuit controls the current to flow in accordance with the light emission output of the semiconductor laser. 2. The semiconductor laser driving device according to claim 1, further comprising a protection circuit that changes the current flowing through the field effect transistor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56206580A JPS58107693A (en) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | Semiconductor laser driving device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56206580A JPS58107693A (en) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | Semiconductor laser driving device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58107693A true JPS58107693A (en) | 1983-06-27 |
JPH059950B2 JPH059950B2 (en) | 1993-02-08 |
Family
ID=16525752
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56206580A Granted JPS58107693A (en) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | Semiconductor laser driving device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58107693A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62104090A (en) * | 1985-10-30 | 1987-05-14 | Mita Ind Co Ltd | Protecting device for semiconductor laser |
US4723312A (en) * | 1984-08-31 | 1988-02-02 | Hitachi, Ltd. | Light emitting diode driver circuit |
US4734914A (en) * | 1985-03-15 | 1988-03-29 | Olympus Optical Co., Ltd. | Stabilized laser apparatus |
US5548320A (en) * | 1992-09-28 | 1996-08-20 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Laser diode printing apparatus |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53116794A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | Laser device for optical communication |
JPS56147494A (en) * | 1980-04-17 | 1981-11-16 | Nec Corp | Semiconductor laser driving circuit |
-
1981
- 1981-12-21 JP JP56206580A patent/JPS58107693A/en active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53116794A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | Laser device for optical communication |
JPS56147494A (en) * | 1980-04-17 | 1981-11-16 | Nec Corp | Semiconductor laser driving circuit |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4723312A (en) * | 1984-08-31 | 1988-02-02 | Hitachi, Ltd. | Light emitting diode driver circuit |
US4734914A (en) * | 1985-03-15 | 1988-03-29 | Olympus Optical Co., Ltd. | Stabilized laser apparatus |
JPS62104090A (en) * | 1985-10-30 | 1987-05-14 | Mita Ind Co Ltd | Protecting device for semiconductor laser |
US5548320A (en) * | 1992-09-28 | 1996-08-20 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Laser diode printing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH059950B2 (en) | 1993-02-08 |
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