JPS58104080A - Ａｌｃの表面処理法 - Google Patents
Ａｌｃの表面処理法Info
- Publication number
- JPS58104080A JPS58104080A JP20251581A JP20251581A JPS58104080A JP S58104080 A JPS58104080 A JP S58104080A JP 20251581 A JP20251581 A JP 20251581A JP 20251581 A JP20251581 A JP 20251581A JP S58104080 A JPS58104080 A JP S58104080A
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- frit
- slip
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- Aftertreatments Of Artificial And Natural Stones (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は水蒸気養生した軽量気泡コンクリート（ＡＬＯ
）の表面処理法に関する。
）の表面処理法に関する。
さらに詳しくは、ＡＬＣ！の表面に釉薬を施釉する事に
より、光沢のあるガラス様の層を形成させる処理法に関
するものである。
より、光沢のあるガラス様の層を形成させる処理法に関
するものである。
ＡＬＯは多孔質であるため、軽量であり、断熱性等に優
れた性質があるが、反面水を吸い易いため耐水性に難が
あシ、又表面が多孔質なために粉塵等を吸着して美観に
欠ける等の欠点がある。
れた性質があるが、反面水を吸い易いため耐水性に難が
あシ、又表面が多孔質なために粉塵等を吸着して美観に
欠ける等の欠点がある。
近年上記の欠点を解消するため １）原料に撥水剤を混
入させる。２）Ａ Ｌ Ｏの表面に合成樹脂層を形成さ
せる等の提案又は実用化が見られる。しかしながら１）
の方法の場合には水に圧力のかかる状態、例えば風雨の
状況下での防水性は十分でなく、また表面の美観も素地
のま＼では単調である。２）の方法は、合成樹脂の耐候
性には限界があり、数われることか多い等の問題点があ
る。
入させる。２）Ａ Ｌ Ｏの表面に合成樹脂層を形成さ
せる等の提案又は実用化が見られる。しかしながら１）
の方法の場合には水に圧力のかかる状態、例えば風雨の
状況下での防水性は十分でなく、また表面の美観も素地
のま＼では単調である。２）の方法は、合成樹脂の耐候
性には限界があり、数われることか多い等の問題点があ
る。
本発明の方法は上記の欠点を解消する事を目的とするも
のである。この目的を達成するため本願゛発明者はＡＬ
Ｏの表面処理法について鋭意検討を行った結果、該ＡＬ
Ｏの表層面に各種の釉薬を施釉する方法沢着目、釉薬の
種類、配合比等を選択する事によりＡＬＯの表面に緻密
に密着する施釉が可能である事を実験的に見出し本発明
に至ったものである。
のである。この目的を達成するため本願゛発明者はＡＬ
Ｏの表面処理法について鋭意検討を行った結果、該ＡＬ
Ｏの表層面に各種の釉薬を施釉する方法沢着目、釉薬の
種類、配合比等を選択する事によりＡＬＯの表面に緻密
に密着する施釉が可能である事を実験的に見出し本発明
に至ったものである。
釉薬を施釉することは古くから陶磁器の製作等で知られ
ている。また建築材料では瓦等へ利用したり、あるいは
釉薬として水砕スラグを使用して軽量瓦の表面処理をし
た応用例（特開昭５６−９２１８２公報）も見られる。
ている。また建築材料では瓦等へ利用したり、あるいは
釉薬として水砕スラグを使用して軽量瓦の表面処理をし
た応用例（特開昭５６−９２１８２公報）も見られる。
しかしながら、本発明で対象とするＡＬＯは、前記軽量
瓦等のように軽量とは云え密度が２．０程変のものとは
違い、その密度は０５前後と極めて低密度であることの
ほか、主要構成物がオートクレーブ養生によって水熱合
成された高い結晶性を有する硅酸カルシウム水和物であ
ることから釉薬の施工にも前記のものとは違う新しい工
夫が必要であった。
瓦等のように軽量とは云え密度が２．０程変のものとは
違い、その密度は０５前後と極めて低密度であることの
ほか、主要構成物がオートクレーブ養生によって水熱合
成された高い結晶性を有する硅酸カルシウム水和物であ
ることから釉薬の施工にも前記のものとは違う新しい工
夫が必要であった。
即ち、本発明は、無機酸化物の少くとも１つを混合して
溶融、冷却微粉砕したフリットの融点が８５０℃以下の
ものを原料、、・、今して使用し、該７リツ）１００重
量部に対し、６０〜７０重量部の水と混合し次いである
いは同時に０．５〜２．０重量部の炭酸塩を添加して混
合しスリップとする工程と、該スリップを、水分含有率
５重量−以下、湿乾収縮率０．０５チ以下のＡＬＯの表
面に塗布、適度に乾燥したのち該フリットの融点より高
い温度、好ましくはフリットの融点より３０〜１００℃
高い温度で熱処理して施釉する事を特徴とするものであ
る。本発明に於てフリットの融点が８５０℃以下好まし
くは７５０〜８２０℃以下のものを使用する理由は、Ａ
ＬＯは前にも述べたように高い結晶性硅酸カルシウム水
和物で、その代表的な物質として１１＾トペルモライト
があるが、このトペルモライトの結晶水放出温度が８５
０℃附近であるためであり、若しこれ以上の温度で熱処
理を行うとＡＬＯに亀裂が発生したりして強度が低下す
るためである。
溶融、冷却微粉砕したフリットの融点が８５０℃以下の
ものを原料、、・、今して使用し、該７リツ）１００重
量部に対し、６０〜７０重量部の水と混合し次いである
いは同時に０．５〜２．０重量部の炭酸塩を添加して混
合しスリップとする工程と、該スリップを、水分含有率
５重量−以下、湿乾収縮率０．０５チ以下のＡＬＯの表
面に塗布、適度に乾燥したのち該フリットの融点より高
い温度、好ましくはフリットの融点より３０〜１００℃
高い温度で熱処理して施釉する事を特徴とするものであ
る。本発明に於てフリットの融点が８５０℃以下好まし
くは７５０〜８２０℃以下のものを使用する理由は、Ａ
ＬＯは前にも述べたように高い結晶性硅酸カルシウム水
和物で、その代表的な物質として１１＾トペルモライト
があるが、このトペルモライトの結晶水放出温度が８５
０℃附近であるためであり、若しこれ以上の温度で熱処
理を行うとＡＬＯに亀裂が発生したりして強度が低下す
るためである。
フリットに添加する水の量を外割りで６０〜７０重量％
とする。のけ、ＡＬＯに塗布するに適したス１： ラリ−状態と、するためである。
とする。のけ、ＡＬＯに塗布するに適したス１： ラリ−状態と、するためである。
次にこれに添”加する炭酸塩としては炭酸マグネシウム
、炭酸ナトリウム等が一般的であるがこれらに限定する
ものではない。
、炭酸ナトリウム等が一般的であるがこれらに限定する
ものではない。
こ＼で０．５〜２重量部の炭酸塩を添加する理由につい
ては、本発明の方法に於て使用する釉薬は一般的に比重
が重いので、これらの分散を良好にするためであり、数
量についてはこれ以下ではスリップの性状を改善する事
ができないからであり、逆にこれ以上になると、釉薬中
のアルカリの量が多くなり過ぎてＡＬＯに塗布、焼成し
た後の皮膜が弱くなるからである。
ては、本発明の方法に於て使用する釉薬は一般的に比重
が重いので、これらの分散を良好にするためであり、数
量についてはこれ以下ではスリップの性状を改善する事
ができないからであり、逆にこれ以上になると、釉薬中
のアルカリの量が多くなり過ぎてＡＬＯに塗布、焼成し
た後の皮膜が弱くなるからである。
本発明に開用される低融点の釉薬としては、鉛袖か、無
給油でもリン酸塩ペースのもの、アルカリ金属の比率の
高いもの等があるが、好ましいものとしては融点が低く
、かつ加熱溶融時間が短かくなる姶ペースのものである
。
給油でもリン酸塩ペースのもの、アルカリ金属の比率の
高いもの等があるが、好ましいものとしては融点が低く
、かつ加熱溶融時間が短かくなる姶ペースのものである
。
この釉薬の選定、調合の割合等何れも重要なポイントで
あるが例として主な原料、例えば鉛丹、長石、硼砂、硼
酸、石英、カオリン、石灰石、試薬の金属酸化物等から
選択した場合のフリットの基本組成は次のような比率の
範囲となるようにする。
あるが例として主な原料、例えば鉛丹、長石、硼砂、硼
酸、石英、カオリン、石灰石、試薬の金属酸化物等から
選択した場合のフリットの基本組成は次のような比率の
範囲となるようにする。
第 １ 表
Ｐｂ Ｏ３０〜７０部
Ｏａｏ １０〜４０
Ａｔ、Ｏｓ １〜３０
８ｉ０． ７０〜３５０
ＢｔＯｓ ３０〜７Ｏ
Ｎａ、ｏ ｏ〜ａ。
Ｋ、００〜２０
Ｂａ０ ５〜３０
Ｍｇ０ ５〜３０
ＺｎＯ５〜４０
Ｍｎ ０ ０．１〜３．５
Ｆ６ （ＯＨ）ａ Ｏ，３〜１１０ｕ、０ ０
．０３〜？ 次に素材であるＡＬＯの水分率を０．５重量％以下、湿
乾収縮率を０．０５％以下のものと規制する理由につい
ては、前者はこれ以上の水分率があるＡＬＯを使用する
と施釉層にピンホールが発生し欠陥製品となるからであ
り、後者のＡＬＯの収縮率が０．０５１を超えるものを
使用すると釉面と素るためである。
．０３〜？ 次に素材であるＡＬＯの水分率を０．５重量％以下、湿
乾収縮率を０．０５％以下のものと規制する理由につい
ては、前者はこれ以上の水分率があるＡＬＯを使用する
と施釉層にピンホールが発生し欠陥製品となるからであ
り、後者のＡＬＯの収縮率が０．０５１を超えるものを
使用すると釉面と素るためである。
本発明法に基づいて作成したスリップを上記のように規
制されたＡＬＯの表層面に塗布し、乾燥し、ついで最終
工程である熱処理を行う場合に、フリットの融点よりも
高い温度、好ましくは３０〜１００℃高い温度で処理す
るのは、これ以下では充分な施釉ができないためである
。
制されたＡＬＯの表層面に塗布し、乾燥し、ついで最終
工程である熱処理を行う場合に、フリットの融点よりも
高い温度、好ましくは３０〜１００℃高い温度で処理す
るのは、これ以下では充分な施釉ができないためである
。
以下本発明を具体的に説明する。
第１表に示された釉薬を適切に選定し、これを混合して
大気中で例えばマツフル炉に装入して充分に溶融し、冷
却してフリットを作成する。
大気中で例えばマツフル炉に装入して充分に溶融し、冷
却してフリットを作成する。
上記フリットは適当な粉砕器を使って微粉となるまで粉
砕した後このフリット１００重量部に対し水を６０〜７
０重量部添加してスラリー状とし、ついで０．５〜２重
量部の炭酸マグネシウムの粉末を加えてよく混合してス
リップを作成する。
砕した後このフリット１００重量部に対し水を６０〜７
０重量部添加してスラリー状とし、ついで０．５〜２重
量部の炭酸マグネシウムの粉末を加えてよく混合してス
リップを作成する。
］
次に水分率が５重量％以下、□湿乾収縮率０．０５チ以
下のＡＬＯの表層面１ｍ”当り１００〜３０゜２の範囲
で上記スリップを吹付は法又は塗布法によって塗付し、
後表面の付着水分を６０〜９０℃の温度で３０秒〜５分
間乾燥する。
下のＡＬＯの表層面１ｍ”当り１００〜３０゜２の範囲
で上記スリップを吹付は法又は塗布法によって塗付し、
後表面の付着水分を６０〜９０℃の温度で３０秒〜５分
間乾燥する。
上記ＡＬＯは、施釉面のみを加熱することができ、前記
フリットの融点より３０〜１００℃高い温度に保持され
た電気炉によって２〜５分間加熱処理を行い、釉をＡＬ
Ｏ上に均質に融着させる。
フリットの融点より３０〜１００℃高い温度に保持され
た電気炉によって２〜５分間加熱処理を行い、釉をＡＬ
Ｏ上に均質に融着させる。
この融着が十分でなく ｓ ｌｔ＊Ａ Ｌｃ表層面上に
スリップの釉が不均一と観察された場合は、さらに熱処
理の温度を上昇させると良い。このスリップの吹付けか
らフリットの熱処理までの工程は通常２〜３回繰返し行
うのが好ましい。
スリップの釉が不均一と観察された場合は、さらに熱処
理の温度を上昇させると良い。このスリップの吹付けか
らフリットの熱処理までの工程は通常２〜３回繰返し行
うのが好ましい。
尚施釉時の熱処理は、スリップの塗布が行われたＡＬＯ
の表層面全体の一面加熱で−ある事が必要である。
の表層面全体の一面加熱で−ある事が必要である。
これは施釉面並びにＡＬＯの収縮クラックの防止策の一
つともなる。
つともなる。
本発明法により施釉されたＡＬＯの表層面は、−見ガラ
ス様の固１被覆となり防水性は勿論、外観がきれいで強
度も抜群に優れたものである。
ス様の固１被覆となり防水性は勿論、外観がきれいで強
度も抜群に優れたものである。
以下実施例について説明する。
実施例１
鉛丹、長石、カオリン、硼酸、石英、石灰石の所定楡を
夫々粉砕し第２表に示した配合比で混合した・γノち、
これをアルミナルツゼに移し入れ、６００℃に保持され
た電気炉に装入して溶融した。
夫々粉砕し第２表に示した配合比で混合した・γノち、
これをアルミナルツゼに移し入れ、６００℃に保持され
た電気炉に装入して溶融した。
第２表
ｐｂｏ ５８ ｆ ｈＬ＊ｏｓ ６ ｆＯＢＯ
２０５ｉ０２ ２４Ｏ Ｎａ２０ ２０ に２０３ ２０３２３ 上記溶融物はあらかじめ約８０℃に保温されたニッケル
板上に移して放冷後、乳鉢で微粉砕してフリットを調製
した。
２０５ｉ０２ ２４Ｏ Ｎａ２０ ２０ に２０３ ２０３２３ 上記溶融物はあらかじめ約８０℃に保温されたニッケル
板上に移して放冷後、乳鉢で微粉砕してフリットを調製
した。
次に該フリット３５０ｆに２１０ｗ１の水と３５２の炭
酸マグネシウムを加えて攪拌しスリップを調製した。
酸マグネシウムを加えて攪拌しスリップを調製した。
このスリップを、７０℃に調整された乾燥器にＡＬＯノ
ξネルを入れて、その含水率を５重量％に調整した後の
ＡＬＯ／ξネルの表層面１ｍ”当り３００２の割合で吹
き付は塗布し、ついで７０℃で２分間乾燥したのち、６
５０℃に保持された電気炉でスリップを塗布した面のみ
を５分間加熱処理したあと冷却した。
ξネルを入れて、その含水率を５重量％に調整した後の
ＡＬＯ／ξネルの表層面１ｍ”当り３００２の割合で吹
き付は塗布し、ついで７０℃で２分間乾燥したのち、６
５０℃に保持された電気炉でスリップを塗布した面のみ
を５分間加熱処理したあと冷却した。
一旦冷却した塗布面には、前回同様に又スリップを塗布
し、乾燥したのち、同じ温度で５分間熱処理して放冷し
た。
し、乾燥したのち、同じ温度で５分間熱処理して放冷し
た。
このようにして得られたＡＬＯの施釉面は、光沢のある
乳白色の緻密で陶磁器に近い、即ち硬い鉛筆の芯では傷
付かないような固い釉の膜が形成された。
乳白色の緻密で陶磁器に近い、即ち硬い鉛筆の芯では傷
付かないような固い釉の膜が形成された。
またこの施釉面は後記の透水試験法による水位降下は全
ぐ、見られなかった。
ぐ、見られなかった。
ちなみに通常のＡＬＯの場合の水位降下は４２−であっ
た。
た。
透水試験法
対象とする面に内径５０ｍ＋のガラス管を立て、これに
水を３００−満し、それから２４時間経過後の水位の減
少度合を測定する。
水を３００−満し、それから２４時間経過後の水位の減
少度合を測定する。
実施例２
釉薬として第３表のものを使用し、スリップとする時の
水量を２６０−炭酸ナトリウムを７．５２、ＡＩ・Ｃへ
のスリップの塗布量を１ｍ’当り１００２、熱処理を８
００℃とし施釉作業を３回繰返し行つ；を以外は実施例
１と同様にして処理した。
水量を２６０−炭酸ナトリウムを７．５２、ＡＩ・Ｃへ
のスリップの塗布量を１ｍ’当り１００２、熱処理を８
００℃とし施釉作業を３回繰返し行つ；を以外は実施例
１と同様にして処理した。
このようにして得られたＡＬＯの施釉面は実施例１と同
様十分に固い膜が形成された。しかし１１６０：Ｄ比較
的低いフリット組成の場合には、ＡＬＯへ塗布する１回
毎のスリップの量は少な目にし癩釉作業の繰り返しを多
くする必要があった。
様十分に固い膜が形成された。しかし１１６０：Ｄ比較
的低いフリット組成の場合には、ＡＬＯへ塗布する１回
毎のスリップの量は少な目にし癩釉作業の繰り返しを多
くする必要があった。
この施釉面の透水試験の結果は実施例１と同様水位降下
は全く見られなかつ念。
は全く見られなかつ念。
第３表
１）、０３９Ｆ Ｂ２０，７３９
ＢａＯ４９Ａｌ２Ｏ５ｌ
Ｎａ２Ｏ５Ｓｉｎ□２００
に２０ ６ 、、’１’、ｇｎ０ １０・）１．
１ □シー１ 以上述べたようにこの方法によればフリットの融点の制
約は受けるが、例へば鉛ペースの釉薬を使用すれば、施
釉面を希望の着色とするための各種金属酸化物の添加が
可能であり、ＡＬＯの外装処理としてその用途は極めて
広いと云うことが出来る。
１ □シー１ 以上述べたようにこの方法によればフリットの融点の制
約は受けるが、例へば鉛ペースの釉薬を使用すれば、施
釉面を希望の着色とするための各種金属酸化物の添加が
可能であり、ＡＬＯの外装処理としてその用途は極めて
広いと云うことが出来る。
手続補正ＪＦ（自発）
昭和５７年 １月２２日
特許庁長官島 １）春 樹膜
１事件の表示
昭和５６年特許願第２０２５１５号
２発明の名称
ＡＬＣの表面処理法
３補正をする者
事件との関係 特許出願人
住所 東京ＩＰつ抱ｇ、ｖｒａぢ丁目１７署３号名 称
イし友Ｌ ＆ Ｉｆ、し１社六′久ネＬ４代理人 住 所 ”７１０４東京都中央区銀座８丁目１５番１０
号銀座ダイヤハイツ４１０号電話０３−５４２−０９１
７６補正の内容
イし友Ｌ ＆ Ｉｆ、し１社六′久ネＬ４代理人 住 所 ”７１０４東京都中央区銀座８丁目１５番１０
号銀座ダイヤハイツ４１０号電話０３−５４２−０９１
７６補正の内容
Claims (1)
- 無機酸化物を溶融した後微粉砕して得た融点８５０℃以
下のフリット１００重量部に対し、６０〜７０重敏部の
水と０５〜２重量部の炭酸塩とを添加し混合してスリッ
プとし、該スリップを水分含有率５重ｉ％以下、湿乾収
縮率０．０５ ％以下のＡＬＯの表層面に塗布、乾燥し
た後肢フリットの融点より高い温度で熱処理して施釉す
る事を特徴とするＡＬＯの表面処理法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20251581A JPS58104080A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | Ａｌｃの表面処理法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20251581A JPS58104080A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | Ａｌｃの表面処理法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58104080A true JPS58104080A (ja) | 1983-06-21 |
Family
ID=16458760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20251581A Pending JPS58104080A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | Ａｌｃの表面処理法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58104080A (ja) |
-
1981
- 1981-12-17 JP JP20251581A patent/JPS58104080A/ja active Pending
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