JPS5081290A - - Google Patents
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- Publication number
- JPS5081290A JPS5081290A JP12896473A JP12896473A JPS5081290A JP S5081290 A JPS5081290 A JP S5081290A JP 12896473 A JP12896473 A JP 12896473A JP 12896473 A JP12896473 A JP 12896473A JP S5081290 A JPS5081290 A JP S5081290A
- Authority
- JP
- Japan
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Thyristors (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12896473A JPS5081290A (fr) | 1973-11-16 | 1973-11-16 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12896473A JPS5081290A (fr) | 1973-11-16 | 1973-11-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5081290A true JPS5081290A (fr) | 1975-07-01 |
Family
ID=14997757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12896473A Pending JPS5081290A (fr) | 1973-11-16 | 1973-11-16 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5081290A (fr) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58108773A (ja) * | 1981-11-23 | 1983-06-28 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | タ−ンオフ時に活性ベ−ス領域から多数キヤリヤを急速に除去する半導体素子およびその製造方法 |
| JPS59132665A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS63265466A (ja) * | 1988-03-11 | 1988-11-01 | Hitachi Ltd | ゲートターンオフサイリスタ |
| JPH05243560A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Hitachi Ltd | ゲートターンオフサイリスタ及びこれを用いた電力変換装置 |
| JPH06120484A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-04-28 | Hitachi Ltd | ゲートターンオフサイリスタ |
-
1973
- 1973-11-16 JP JP12896473A patent/JPS5081290A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58108773A (ja) * | 1981-11-23 | 1983-06-28 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | タ−ンオフ時に活性ベ−ス領域から多数キヤリヤを急速に除去する半導体素子およびその製造方法 |
| JPS59132665A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS63265466A (ja) * | 1988-03-11 | 1988-11-01 | Hitachi Ltd | ゲートターンオフサイリスタ |
| JPH0358548B2 (fr) * | 1988-03-11 | 1991-09-05 | Hitachi Ltd | |
| JPH05243560A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Hitachi Ltd | ゲートターンオフサイリスタ及びこれを用いた電力変換装置 |
| JPH06120484A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-04-28 | Hitachi Ltd | ゲートターンオフサイリスタ |