JPH1196965A - Short-arc type mercury lamp - Google Patents

Short-arc type mercury lamp

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Publication number
JPH1196965A
JPH1196965A JP27035597A JP27035597A JPH1196965A JP H1196965 A JPH1196965 A JP H1196965A JP 27035597 A JP27035597 A JP 27035597A JP 27035597 A JP27035597 A JP 27035597A JP H1196965 A JPH1196965 A JP H1196965A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cathode
hole
electron
mercury lamp
arc type
Prior art date
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Pending
Application number
JP27035597A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukio Yasuda
幸夫 安田
Masanori Sugihara
正典 杉原
Keisuke Okubo
啓介 大久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Ushio Inc
Original Assignee
Ushio Denki KK
Ushio Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Denki KK, Ushio Inc filed Critical Ushio Denki KK
Priority to JP27035597A priority Critical patent/JPH1196965A/en
Publication of JPH1196965A publication Critical patent/JPH1196965A/en
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  • Discharge Lamp (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a short-arc type mercury lamp having increased radiant quantities of ultraviolet rays with an increased volume of mercury and capable of supplying an electron emitting substance well at all times. SOLUTION: A negative electrode 2 and a positive electrode 3 are disposed facing with each other in a luminous tube, the luminous tube made of quartz is filled with mercury and rare gas, a hole 20 extending longitudinally within the negative electrode 2 is provided in an end part of the negative electrode for causing an electron-emitting substance to surface-diffuse, a ratio d/D of the bore d of the hole 20 to the maximum outer diameter D within 0.5 mm from the end of the negative electrode is 0.08<d/D<0.5, and the depth L of the hole 20 is equal to or greater than the maximum outer diameter D of the end part of the negative electrode.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明はショートアーク型
水銀ランプに関する。特に、プリント基板、液晶、半導
体の露光装置に用いられる高集光効率で光安定性のよい
ショートアーク型水銀ランプに関する。
The present invention relates to a short arc type mercury lamp. In particular, the present invention relates to a short arc type mercury lamp having high light-collecting efficiency and excellent light stability used in an exposure apparatus for printed circuit boards, liquid crystals, and semiconductors.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、液晶露光工程やプリント基板の露
光工程には波長300nm〜450nmの紫外光を放射す
るショートアーク型水銀ランプが使用されている。そし
て、基板は年々大型化し、露光面積も当然に大きくなっ
てきている。そのため、光源からの紫外光放射量の増大
が要求されている。
2. Description of the Related Art In recent years, a short arc type mercury lamp which emits ultraviolet light having a wavelength of 300 nm to 450 nm has been used in a liquid crystal exposure process or a printed circuit board exposure process. The size of the substrate is increasing year by year, and the exposure area is naturally increasing. Therefore, an increase in the amount of ultraviolet light emitted from the light source is required.

【0003】この紫外光放射量の増大を図るためには、
封入される水銀の量を増大させることが考えられてい
る。具体的には、今まで点灯中の水銀蒸気圧で10気圧
程度であったものが、より高圧となり、例えば、25気
圧程度とすることが試みられている。ところで、このよ
うな水銀量の増大は、紫外光放射量の増大、すなわち、
明るくさせるという点では意義を有する。しかしなが
ら、放電ランプに対しては短寿命化という悪影響をもた
らしてしまう。その理由は、水銀量の増大によって陰極
の損耗をより激しく導くことになり、この陰極の損耗
が、電子放射物質(通称、エミッター)の供給路を不所
望に変形させることになり、結果として、電子放射性物
質の陰極先端への良好な供給を妨げられてしまうからで
ある。
In order to increase the amount of ultraviolet light radiation,
It is contemplated to increase the amount of mercury encapsulated. Specifically, it has been attempted to increase the mercury vapor pressure during lighting up from about 10 atmospheres to a higher pressure, for example, about 25 atmospheres. By the way, such an increase in the amount of mercury is caused by an increase in the amount of ultraviolet light radiation, that is,
It is significant in making it bright. However, this has the adverse effect of shortening the life of the discharge lamp. The reason for this is that an increase in the amount of mercury leads to more severe wear of the cathode, and this wear of the cathode undesirably deforms the supply path of the electron-emitting substance (commonly called an emitter), and as a result, This is because good supply of the electron-emitting substance to the cathode tip is hindered.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】この発明が解決しよう
とする課題は、水銀量を増大させて紫外光放射量を多く
するとともに、常に電子放射物質を良好に供給できるシ
ョートアーク型水銀ランプを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a short arc type mercury lamp capable of increasing the amount of mercury to increase the amount of ultraviolet light emitted and constantly supplying an electron emitting material in a satisfactory manner. Is to do.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1にかかるショートアーク型水銀ランプは、
発光管内に陰極と陽極が対向して配置され、石英から成
る当該発光管内に水銀と希ガスが封入されて、この陰極
先端部には、電子放射物質が表面拡散するための穴が、
当該陰極の内部を長手方向に伸びるように設けられてお
り、この穴の外径dと陰極先端部の最大外径Dとの比d
/Dが、0.08<d/D<0.5であり、当該穴の深
さLは陰極先端部の最大外径D以上であることを特徴と
する。
To solve the above problems, a short arc type mercury lamp according to claim 1 is provided.
A cathode and an anode are arranged opposite to each other in an arc tube, mercury and a rare gas are sealed in the arc tube made of quartz, and a hole for diffusing the surface of the electron emitting material is formed at the tip of the cathode.
It is provided so as to extend in the longitudinal direction inside the cathode, and a ratio d between the outer diameter d of the hole and the maximum outer diameter D of the cathode tip portion is provided.
/ D is 0.08 <d / D <0.5, and the depth L of the hole is not less than the maximum outer diameter D of the tip of the cathode.

【0006】さらに、請求項2にかかるショートアーク
型水銀ランプは、前記穴の中には、当該穴に接する部分
に含まれる電子放射物質の含有濃度より高濃度の電子放
射物質が埋め込まれていることを特徴とする。さらに、
請求項3にかかるショートアーク型水銀ランプは、前記
高濃度の電子放射物質は、タンタルとタングステンと酸
化トリウムを含む焼結体であることを特徴とする。さら
に、請求項4にかかるショートアーク型水銀ランプは、
前記陰極の外表面には、最先端部を除きタングステンカ
ーバイト層が形成されたことを特徴とする。
Further, in the short arc type mercury lamp according to the second aspect, the hole is filled with an electron-emitting substance having a higher concentration than the electron-emitting substance contained in a portion in contact with the hole. It is characterized by the following. further,
The short arc type mercury lamp according to claim 3 is characterized in that the high-concentration electron emitting material is a sintered body containing tantalum, tungsten and thorium oxide. Further, the short arc type mercury lamp according to claim 4 is:
A tungsten carbide layer is formed on an outer surface of the cathode except for a tip portion.

【0007】[0007]

【作用】放電ランプが、常に、安定な点灯を維持するた
めには陰極の先端でアーク境界に電子放射物質が良好に
供給されることが必要である。このため、陰極の先端部
以外の領域に含有された電子放射性物質を、いかに良好
に先端部まで導くかが極めて重要なこととなる。一般
に、電子放射物質が陰極先端のアーク境界部まで導かれ
る方法として、表面拡散、粒界拡散、粒内拡散がある。
表面拡散とは、層表面に沿っての物質の移動であり、陰
極の場合は陰極表面における電子放射物質の移動を意味
する。次に、粒界拡散とは、金属の各結晶粒間の境界面
における原子の移動をいい、陰極の場合なら陰極を構成
するタングステン原子の結晶粒間の境界面を電子放射物
質が移動することを意味する。また、粒内拡散とは、金
属の各結晶粒の中を原子が移動することで陰極の場合、
タングステンの粒子のなかを電子放射物質が移動するこ
とを意味する。このうち、表面拡散がもっとも支配的で
あり、表面拡散を増大させることが電子放射物質の良好
な供給を維持できるものと考えても差し支えない。請求
項1にかかる発明は、このような知見に基づいてなされ
たもので、陰極先端部に所定の穴を設けることで、表面
拡散を増大させたものである。ここで、本発明者は陰極
の先端に穴を設けて、当該穴を利用して電子放射物質の
供給を良好にすることに関する先行文献に、米国特許
3,902,090が存在することを知っている。しか
し、この先行文献に開示したものは、陰極先端部に穴が
設けられておらず、表面拡散による電子放射物質の供給
が十分には行なえないという問題が存在する。
In order for the discharge lamp to always maintain stable operation, it is necessary that the electron emitting material be well supplied to the arc boundary at the tip of the cathode. For this reason, it is extremely important how well the electron-emitting substance contained in the region other than the tip of the cathode is guided to the tip. Generally, there are surface diffusion, grain boundary diffusion, and intragranular diffusion as a method for guiding the electron emitting substance to the arc boundary at the tip of the cathode.
Surface diffusion is the movement of a substance along the surface of a layer, and in the case of a cathode, means the movement of an electron-emitting substance on the surface of the cathode. Next, grain boundary diffusion refers to the movement of atoms at the interface between metal crystal grains, and in the case of a cathode, the movement of the electron-emitting substance at the interface between tungsten atom crystal grains that constitute the cathode. Means In addition, intragranular diffusion means that atoms move through each metal crystal grain, and in the case of a cathode,
This means that the electron-emitting substance moves through the tungsten particles. Of these, surface diffusion is the most dominant, and it can be safely assumed that increasing the surface diffusion can maintain a good supply of the electron-emitting substance. The invention according to claim 1 has been made based on such knowledge, and the surface diffusion is increased by providing a predetermined hole at the cathode tip. Here, the present inventor has found that U.S. Pat. ing. However, the prior art disclosed in the prior art has a problem that a hole is not provided at the tip of the cathode, and the supply of the electron-emitting substance by surface diffusion cannot be sufficiently performed.

【0008】さらに、請求項2にかかる発明では、穴の
中に高濃度の電子放射物質が埋め込まれているので、当
該穴の内表面を利用した表面拡散を効果的に利用するこ
とができる。この点を補足説明すれば、当該穴の中に電
子放射性物質を入れなくても陰極材料そのものに電子放
射物質を含有させれば、当該穴の内表面を利用して表面
拡散させることは可能である。しかしながら、この場合
は陰極材料に含有されている電子放射物質が当該穴に到
達するまでは、粒界拡散、又は粒内拡散に依存すること
になり、これらの拡散は前述のように表面拡散より拡散
効率が劣るからである。つまり、穴の中に高濃度の電子
放射物質を入れることで粒界拡散や粒内拡散をほとんど
利用することなく表面拡散だけで陰極先端への電子放射
物質を供給することが可能になる。
Further, in the invention according to the second aspect, since a high-concentration electron-emitting substance is embedded in the hole, surface diffusion using the inner surface of the hole can be effectively used. To further explain this point, it is possible to diffuse the surface using the inner surface of the hole if the cathode material itself contains the electron-emitting material without putting the electron-emitting material in the hole. is there. However, in this case, until the electron-emitting substance contained in the cathode material reaches the hole, the electron-emitting substance depends on grain boundary diffusion or intragranular diffusion. This is because the diffusion efficiency is inferior. That is, by putting a high-concentration electron-emitting substance into the hole, it becomes possible to supply the electron-emitting substance to the cathode tip only by surface diffusion without using almost any grain boundary diffusion or intragranular diffusion.

【0009】さらに、請求項3にかかる発明は、前記高
濃度の電子放射物質が、Ta(タンタル)、W(タング
ステン)、ThO2(酸化トリウム)を含む焼結体であ
るので、高温中でタングステンの単結晶化を抑制するの
で、常に粒界拡散が起こるという利点がある。
Further, the invention according to claim 3 is characterized in that the high-concentration electron-emitting substance is a sintered body containing Ta (tantalum), W (tungsten) and ThO2 (thorium oxide). Has the advantage that grain boundary diffusion always occurs.

【0010】さらに、請求項4にかかる発明は、陰極表
面であって最先端部を除いてタングステンカーバイト層
が形成されているので、タングステンカーバイト層の還
元作用により電子放射物質であるトリウムを良好に発生
させることができる。
Furthermore, in the invention according to claim 4, since the tungsten carbide layer is formed on the surface of the cathode except for the tip end portion, thorium, which is an electron emitting substance, is reduced by the reduction action of the tungsten carbide layer. It can be generated well.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】図1は本発明にかかるショートア
ーク型水銀ランプの全体図を示す。石英製発光管1の中
に陰極2と陽極3が対向配置され、それぞれの電極は内
部リード12、13を介して封止部6,7内部で金属箔
8、9に接続される。この金属箔8,9には外部リード
10、11が接続されている。発光管1の中には水銀と
希ガスが封入される。そして、点灯中の水銀蒸気圧は、
10気圧となる。ここで、本発明は前述のごとく紫外光
放射量を高めるために、例えば、25気圧以上の高圧水
銀ランプにおいて適用される。これ以下の水銀ランプで
は陰極の損耗もそれほど問題にはならず、すなわち、電
子放射物質の供給も十分にできるからである。
FIG. 1 is an overall view of a short arc type mercury lamp according to the present invention. A cathode 2 and an anode 3 are arranged opposite to each other in a quartz arc tube 1, and the respective electrodes are connected to metal foils 8 and 9 inside sealing portions 6 and 7 via internal leads 12 and 13. External leads 10 and 11 are connected to the metal foils 8 and 9. Mercury and a rare gas are sealed in the arc tube 1. And the mercury vapor pressure during lighting is
It becomes 10 atm. Here, the present invention is applied to, for example, a high-pressure mercury lamp of 25 atm or more to increase the amount of ultraviolet light radiation as described above. With a mercury lamp less than this, the wear of the cathode is not so problematic, that is, the supply of the electron-emitting substance can be sufficiently provided.

【0012】図2は本発明にかかるショートアーク型水
銀ランプの陰極拡大図を示す。陰極2はタングステン、
または酸化トリウムを含有したものからなり、平坦な先
端部2aを持つ略円錐台形状をしている。先端部2aか
らは、陰極の長手方向を伸びるように穴20が設けら
れ、陰極の内部には電子放射物質用貯蔵部30が設けら
れる。この貯蔵部30には、タンタル(Ta)、タング
ステン(W)、ThO2(酸化トリウム)を含む焼結体
21が配置される。図では貯蔵部30の下方(陰極の根
元側)にも穴が設けられているが、これは、本発明にか
かる陰極の構造を製造するために、その便宜上設けられ
たものである。
FIG. 2 is an enlarged view of a cathode of a short arc type mercury lamp according to the present invention. The cathode 2 is tungsten,
Alternatively, it is made of a material containing thorium oxide and has a substantially truncated cone shape having a flat tip portion 2a. A hole 20 is provided from the tip 2a so as to extend in the longitudinal direction of the cathode, and a storage section 30 for an electron-emitting substance is provided inside the cathode. In this storage unit 30, a sintered body 21 containing tantalum (Ta), tungsten (W), and ThO2 (thorium oxide) is arranged. In the figure, a hole is also provided below the storage unit 30 (at the base of the cathode), but this hole is provided for convenience in manufacturing the structure of the cathode according to the present invention.

【0013】また、陰極2の外表面であって傾斜部分に
はタングステンカーバイト層22が最先端部を除いて塗
布されている。これによって、タングステンカーバイト
層の炭素と、陰極に含有される酸化トリウムの酸素が結
合して、電子放射物質であるトリウムを速やかに生成さ
せることを可能にする。なお、先端部分にタングステン
カーバイト層が形成されないのは、アークによって溶融
してしまうからである。
[0013] A tungsten carbide layer 22 is coated on the outer surface of the cathode 2 and on the inclined portion except for the tip end portion. As a result, the carbon of the tungsten carbide layer and the oxygen of thorium oxide contained in the cathode are combined, so that thorium, which is an electron-emitting substance, can be generated quickly. The reason why the tungsten carbide layer is not formed at the tip is that the tungsten carbide is melted by the arc.

【0014】ここで、穴20の内径dは、先端部2aの
外径Dとの関係で所定の値に定まる。具体的には、d/
Dの値が0.08より大きく、0.5より小さいことが
必要である。この理由は、d/Dの値が0.08より小
さい場合には表面拡散による電子放射物質の供給が十分
にできなくなるからであり、0.5より大きい場合は電
子の放射位置が不安定になるからである。なお、先端部
2aは、必ずしも平面であるとは限られず、曲面形状の
場合もあるので、外径Dは陰極先端から0.5m以内の
最大外径として定義する。このような穴の一例をあげれ
ば、穴の内径dがΦ0.2mmであり、先端部2aの外
径DはΦ1.3mmである。また、貯蔵部30は内径Φ
2.5mmであり、長さ10.0mmである。
Here, the inner diameter d of the hole 20 is determined to a predetermined value in relation to the outer diameter D of the tip 2a. Specifically, d /
It is necessary that the value of D be greater than 0.08 and less than 0.5. The reason for this is that if the value of d / D is less than 0.08, it becomes impossible to supply the electron-emitting substance sufficiently by surface diffusion, and if the value of d / D is more than 0.5, the electron emission position becomes unstable. Because it becomes. Note that the tip 2a is not necessarily flat, but may be a curved surface. Therefore, the outer diameter D is defined as the maximum outer diameter within 0.5 m from the cathode tip. As an example of such a hole, the inner diameter d of the hole is Φ0.2 mm, and the outer diameter D of the tip 2a is Φ1.3 mm. The storage unit 30 has an inner diameter Φ
2.5 mm and length 10.0 mm.

【0015】また、穴20の深さLも、先端部2aの外
径Dとの関係で所定の値に定まる。具体的には、L>D
であることが必要である。これは、穴20の深さLが先
端部2aの外径Dと同一または小さい場合には、孔内最
深部にアークが触れ、最深部近傍の粒の成長が生じ、電
子放射物質の拡散を阻害するからである。深さLは、例
えば、1.2mmである。
The depth L of the hole 20 is also determined to a predetermined value in relation to the outer diameter D of the tip 2a. Specifically, L> D
It is necessary to be. This is because, when the depth L of the hole 20 is equal to or smaller than the outer diameter D of the tip 2a, the arc touches the deepest part in the hole, and the growth of grains near the deepest part occurs, and the diffusion of the electron emitting material is prevented. This is because it inhibits. The depth L is, for example, 1.2 mm.

【0016】電子放射物質の焼結体21は、前述のよう
に、タンタル(Ta)、タングステン(W)、ThO2
(酸化トリウム)の焼結体である。これは高温化でタン
グステン粒の成長を抑制するという点で有利な効果を有
する。しかしながら、電子放射物質としては、これ意外
に、希土類のセシウム、ランタン、イットリウムなどを
使うこともできる。また、貯蔵部30に配置された電子
放射物質の焼結体は、その周囲の陰極そのものに含有さ
れている電子放射物質より高濃度であることが好まし
い。これは、陰極先端面へのトリウムの供給量を増加
し、かつ、周囲の陰極へトリウムが粒界拡散し、タング
ステン粒の成長を抑制し、よりスムーズな粒界拡散が促
されるからである。一例を挙げれば、周囲の陰極のトリ
ウム濃度は1wt%、焼結体は2wt%である。
As described above, the sintered body 21 of the electron emitting material is made of tantalum (Ta), tungsten (W), ThO 2
It is a sintered body of (thorium oxide). This has an advantageous effect in that the growth of tungsten grains is suppressed by raising the temperature. However, surprisingly, rare-earth cesium, lanthanum, yttrium, or the like can also be used as the electron-emitting material. Further, it is preferable that the sintered body of the electron emitting substance arranged in the storage unit 30 has a higher concentration than the electron emitting substance contained in the surrounding cathode itself. This is because the supply amount of thorium to the cathode front end surface is increased, and thorium diffuses into the surrounding cathode at the grain boundaries to suppress the growth of tungsten grains, thereby promoting smoother grain boundary diffusion. For example, the thorium concentration of the surrounding cathode is 1 wt%, and the sintered body is 2 wt%.

【0017】図3も本発明のショートアーク型水銀ラン
プの陰極拡大図を示すが、図2とは異なる他の実施例を
示す。すなわち、穴20の中には、電子放射物質の焼結
体が配置されていない点で異なる。この場合は陰極材料
に含有されている電子放射物質を利用することになり、
この電子放射物質が穴20の内面における表面拡散を利
用することになる。この構造の利点は、陰極後端部の表
面拡散を効果的に利用できることにある。
FIG. 3 also shows an enlarged view of the cathode of the short arc type mercury lamp of the present invention, but shows another embodiment different from FIG. That is, the difference is that the sintered body of the electron emitting material is not arranged in the hole 20. In this case, the electron emitting material contained in the cathode material will be used,
This electron emitting material utilizes surface diffusion on the inner surface of the hole 20. The advantage of this structure is that the surface diffusion at the rear end of the cathode can be effectively used.

【0018】図4も、本発明のショートアーク型水銀ラ
ンプの陰極拡大図を示すが、図2、図3とは異なる他の
実施例を示す。すなわち、図2に示す構造と同様に貯蔵
部30には電子放射物質の焼結体21が配置されている
が、この焼結体21は貯蔵部30に配置されるのみなら
ず、穴20の中であって陰極の先端に向ってもさらに埋
設されている点で異なる。この構造における利点は、陰
極先端部に向うに伴い、温度が高くなるので孔内でのト
リウムの拡散がより円滑に進むことである。
FIG. 4 also shows an enlarged view of the cathode of the short arc type mercury lamp of the present invention, but shows another embodiment different from FIGS. That is, similarly to the structure shown in FIG. 2, the sintered body 21 of the electron-emitting substance is disposed in the storage unit 30, but this sintered body 21 is not only disposed in the storage unit 30 but also in the hole 20. It differs in that it is further buried in the middle and toward the tip of the cathode. An advantage of this structure is that the diffusion of thorium in the pores proceeds more smoothly as the temperature rises toward the cathode tip.

【0019】このようなショートアーク型水銀ランプ
は、例えば、定格40V、定格2000Wのものが使わ
れる。また、本実施例で示した貯蔵部は必ずしも必要な
ものではなく穴のみで構成してもよい。また、直流点灯
のランプに限られるものではなく交流点灯のランプにも
適用できる。
As such a short arc type mercury lamp, for example, a lamp having a rating of 40 V and a rating of 2000 W is used. Further, the storage section shown in this embodiment is not always necessary, and may be constituted only by holes. Further, the present invention is not limited to the lamps for DC lighting, but can be applied to lamps for AC lighting.

【0020】[0020]

【発明の効果】本発明のショートアーク型水銀ランプ
は、水銀量を増大させて紫外光放射量を多くすることが
できるとともに、陰極に設けた穴によって表面拡散を利
用することで、常に良好な電子放射物質の供給をするこ
とができる。
According to the short arc type mercury lamp of the present invention, the amount of mercury can be increased to increase the amount of ultraviolet light emitted, and the hole provided in the cathode makes use of the surface diffusion to always provide a favorable light. An electron emitting material can be supplied.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のショートアーク型水銀ランプを示す。FIG. 1 shows a short arc type mercury lamp of the present invention.

【図2】本発明にかかるショートアーク型水銀ランプの
陰極の拡大図である。
FIG. 2 is an enlarged view of a cathode of a short arc type mercury lamp according to the present invention.

【図3】本発明にかかるショートアーク型水銀ランプの
陰極の拡大図である。
FIG. 3 is an enlarged view of a cathode of a short arc type mercury lamp according to the present invention.

【図4】本発明にかかるショートアーク型水銀ランプの
陰極の拡大図である。
FIG. 4 is an enlarged view of a cathode of a short arc type mercury lamp according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 発光管 2 陰極 3 陽極 4 封止部 5 封止部 6 箔部 7 箔部 8 外部リード部材 9 外部リード部材 20 穴 21 焼結体 22 タングステンカーバイト層 30 貯蔵部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Arc tube 2 Cathode 3 Anode 4 Sealing part 5 Sealing part 6 Foil part 7 Foil part 8 External lead member 9 External lead member 20 Hole 21 Sintered body 22 Tungsten carbide layer 30 Storage part

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 発光管内に陰極と陽極が対向して配置し
ており、石英から成る当該発光管内に水銀と希ガスが封
入されているショートアーク型水銀ランプにおいて、 前記陰極の先端には、電子放射物質が表面拡散するため
の穴が、当該陰極の内部を長手方向に伸びるように設け
られており、この穴の外径dと陰極先端から0.5mm
以内の最大外径Dとの比d/Dが、0.08<d/D<
0.5であり、当該穴の深さLは陰極先端部の最大外径
D以上であることを特徴とするショートアーク型水銀ラ
ンプ。
1. A short arc type mercury lamp in which a cathode and an anode are arranged opposite to each other in an arc tube, and mercury and a rare gas are sealed in the arc tube made of quartz. A hole for surface diffusion of the electron emitting material is provided so as to extend in the longitudinal direction inside the cathode, and the outer diameter d of the hole and 0.5 mm from the tip of the cathode are provided.
The ratio d / D to the maximum outer diameter D within 0.08 <d / D <
0.5, wherein the depth L of the hole is equal to or greater than the maximum outer diameter D of the tip of the cathode.
【請求項2】前記穴の中には、当該穴に接する部分に含
まれている電子放射物質の含有濃度より高濃度の電子放
射物質が埋め込まれていることを特徴とする請求項1に
記載するショートアーク型水銀ランプ。
2. The electron emission material according to claim 1, wherein the hole has an electron emission material having a concentration higher than that of the electron emission material contained in a portion in contact with the hole. Short arc type mercury lamp.
【請求項3】前記高濃度の電子放射物質は、タンタルと
タングステンと酸化トリウムを含む焼結体であることを
特徴とする請求項2に記載するショートアーク型水銀ラ
ンプ。
3. The short arc type mercury lamp according to claim 2, wherein said high-concentration electron emitting material is a sintered body containing tantalum, tungsten and thorium oxide.
【請求項4】前記陰極の外表面には、最先端部を除きタ
ングステンカーバイト層が形成されたことを特徴とする
請求項1に記載するショートアーク型水銀ランプ。
4. The short arc type mercury lamp according to claim 1, wherein a tungsten carbide layer is formed on an outer surface of the cathode except for a tip portion.
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