JPH1184326A - 光変調器 - Google Patents
光変調器Info
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- JPH1184326A JPH1184326A JP24425897A JP24425897A JPH1184326A JP H1184326 A JPH1184326 A JP H1184326A JP 24425897 A JP24425897 A JP 24425897A JP 24425897 A JP24425897 A JP 24425897A JP H1184326 A JPH1184326 A JP H1184326A
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- waveguides
- waveguide
- optical modulator
- electrode
- light
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光変調器において、印加する電圧に対してより
効率よく変調を行い、変調動作時の電圧を低減したいと
いう要望がある。 【解決手段】光変調器１に入射された光は、第１のＹ型
分岐導波路で分岐され２本の直線導波路２２，２３に入
射される。この２本の導波路２２，２３に対しては、外
側のＬｉＮｂＯ3 基板１０を掘って形成された溝１１，
１２に電極３０ -1，３０-3が、導波路２２，２３の間の
基板１０の表面に電極３０-3が設けられている。したが
って、この電極３０-1〜３０-3を介して所望の変調信号
に基づいた電界を導波路２２，２３に印加する。この電
界により、２本の直線導波路２２，２３を導波している
光の位相が各々変化される。そして、各々位相の変化さ
れた２つの光が、第２のＹ型分岐導波路で合波され、生
成された干渉光が出射される。
効率よく変調を行い、変調動作時の電圧を低減したいと
いう要望がある。 【解決手段】光変調器１に入射された光は、第１のＹ型
分岐導波路で分岐され２本の直線導波路２２，２３に入
射される。この２本の導波路２２，２３に対しては、外
側のＬｉＮｂＯ3 基板１０を掘って形成された溝１１，
１２に電極３０ -1，３０-3が、導波路２２，２３の間の
基板１０の表面に電極３０-3が設けられている。したが
って、この電極３０-1〜３０-3を介して所望の変調信号
に基づいた電界を導波路２２，２３に印加する。この電
界により、２本の直線導波路２２，２３を導波している
光の位相が各々変化される。そして、各々位相の変化さ
れた２つの光が、第２のＹ型分岐導波路で合波され、生
成された干渉光が出射される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、印加する変調信号
の電圧に対して、効率よく変調を行うことができ、変調
動作時の電圧を低減することができる光変調器に関す
る。
の電圧に対して、効率よく変調を行うことができ、変調
動作時の電圧を低減することができる光変調器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】いわゆるマルチメディア時代に向けて、
超高速、大容量の双方向通信システムである光通信シス
テムの実用化が、ＦＴＴＨ(Fiber To The Home) 計画の
下に進んでいる。この計画においては、全国の家庭端末
まで、光ファイバを導入することが必要となる。このよ
うなシステムを実用化するためには、光回線に対応した
光送受信機を設置することになり、高性能な光変調器、
光スイッチなどの光デバイスの開発が必要である。とこ
ろで、たとえばそのような光送信器などに用いられる光
変調器としては、レーザーダイオード（ＬＤ）などの半
導体レーザにより直接変調を行う変調器と、外部の変調
器とがあるが、超高速、長距離伝送に効果的に用いるこ
とができることから、後者の外部変調器が広く使用され
つつある。
超高速、大容量の双方向通信システムである光通信シス
テムの実用化が、ＦＴＴＨ(Fiber To The Home) 計画の
下に進んでいる。この計画においては、全国の家庭端末
まで、光ファイバを導入することが必要となる。このよ
うなシステムを実用化するためには、光回線に対応した
光送受信機を設置することになり、高性能な光変調器、
光スイッチなどの光デバイスの開発が必要である。とこ
ろで、たとえばそのような光送信器などに用いられる光
変調器としては、レーザーダイオード（ＬＤ）などの半
導体レーザにより直接変調を行う変調器と、外部の変調
器とがあるが、超高速、長距離伝送に効果的に用いるこ
とができることから、後者の外部変調器が広く使用され
つつある。
【０００３】ところで、光変調器のような光デバイス
は、通常、電圧の印加によってその屈折率が変化する電
気光学効果を有する材料により構成される。換言すれ
ば、電界により屈折率が変化する電気光学効果を利用し
て導波路を伝搬する光を制御するものが、光変調器、光
スイッチ、光分波器といった光デバイスである。そのよ
うな電気光学効果を示す材料の中で、Ｔｉ拡散ニオブ酸
リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）を用いた光導波路型変調器
は、大きな電気光学効果を示すとともに、低損失の導波
路形成が可能であるため、よく利用されている。
は、通常、電圧の印加によってその屈折率が変化する電
気光学効果を有する材料により構成される。換言すれ
ば、電界により屈折率が変化する電気光学効果を利用し
て導波路を伝搬する光を制御するものが、光変調器、光
スイッチ、光分波器といった光デバイスである。そのよ
うな電気光学効果を示す材料の中で、Ｔｉ拡散ニオブ酸
リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）を用いた光導波路型変調器
は、大きな電気光学効果を示すとともに、低損失の導波
路形成が可能であるため、よく利用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、そのよ
うな光変調器においては、印加する電圧に対してより効
率よく変調を行い、変調動作時の電圧を低減したいとい
う要望がある。前述したように、このような光変調器に
おいては、電界による屈折率変化を利用して変調を行っ
ており、効率よく変調を行うためには、実際に光波が伝
搬する導波路に有効に電界をかける必要がある。
うな光変調器においては、印加する電圧に対してより効
率よく変調を行い、変調動作時の電圧を低減したいとい
う要望がある。前述したように、このような光変調器に
おいては、電界による屈折率変化を利用して変調を行っ
ており、効率よく変調を行うためには、実際に光波が伝
搬する導波路に有効に電界をかける必要がある。
【０００５】これまでの通常用いられているマッハツェ
ンダー型光変調器の平行導波路部分の断面図を図４に示
す。図４に示すように、これまでの光変調器９０におい
ては、ＬｉＮｂＯ3 基板９１内にＴｉ拡散平行導波路９
２-1，９２-2が形成され、その両脇のＬｉＮｂＯ3基板
９１の表面に、電極９３-1〜９３-3が設けられている。
そのため電極９３-1〜９３-3によりＴｉ拡散平行導波路
９２-1，９２-2内に形成される電界は、Ｔｉ拡散平行導
波路９２-1，９２-2の中心位置からはずれてＬｉＮｂＯ
3 基板９１の表面に集中し、効率よくＴｉ拡散平行導波
路９２-1，９２-2に電界をかけられないという問題があ
った。
ンダー型光変調器の平行導波路部分の断面図を図４に示
す。図４に示すように、これまでの光変調器９０におい
ては、ＬｉＮｂＯ3 基板９１内にＴｉ拡散平行導波路９
２-1，９２-2が形成され、その両脇のＬｉＮｂＯ3基板
９１の表面に、電極９３-1〜９３-3が設けられている。
そのため電極９３-1〜９３-3によりＴｉ拡散平行導波路
９２-1，９２-2内に形成される電界は、Ｔｉ拡散平行導
波路９２-1，９２-2の中心位置からはずれてＬｉＮｂＯ
3 基板９１の表面に集中し、効率よくＴｉ拡散平行導波
路９２-1，９２-2に電界をかけられないという問題があ
った。
【０００６】このような状態で効率よく変調を行うため
には、光波もＬｉＮｂＯ3 基板９１の表面に集中させる
方がよい。しかし、基板表面に光波を集中させた場合、
光変調器９０に結合する光ファイバのコア径と導波路と
の乖離が大きくなり、光変調器９０と光ファイバの結合
効率が低下するという新たな問題が生じる。なお、ここ
で結合効率とは、導波路へ入射され伝搬した導波光のパ
ワーと、導波路へ入射させる光ファイバからの出射光の
パワーとの比である。通常は、この光変調器９０と光フ
ァイバとの結合効率を重要視するため、そのような電界
集中の方策は取られていない。
には、光波もＬｉＮｂＯ3 基板９１の表面に集中させる
方がよい。しかし、基板表面に光波を集中させた場合、
光変調器９０に結合する光ファイバのコア径と導波路と
の乖離が大きくなり、光変調器９０と光ファイバの結合
効率が低下するという新たな問題が生じる。なお、ここ
で結合効率とは、導波路へ入射され伝搬した導波光のパ
ワーと、導波路へ入射させる光ファイバからの出射光の
パワーとの比である。通常は、この光変調器９０と光フ
ァイバとの結合効率を重要視するため、そのような電界
集中の方策は取られていない。
【０００７】したがって、本発明の目的は、印加する電
圧に対してより効率よく変調を行い、変調動作時の電圧
を低減できるような光変調器を提供することにある。
圧に対してより効率よく変調を行い、変調動作時の電圧
を低減できるような光変調器を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、導波路の側面に溝を掘り、その中に電極を配置する
ことで、導波路への電界強度を上げるようにした。
に、導波路の側面に溝を掘り、その中に電極を配置する
ことで、導波路への電界強度を上げるようにした。
【０００９】したがって、本発明の光変調器は、基材
と、前記基材中に形成され、電気光学材料からなり、２
つの導波路を有し、該２つの導波路により各々導波され
た光の干渉光を出射する導波路部と、前記導波路部の前
記２つの導波路の側面付近に各々設けられ、当該導波路
に対して所望の変調信号に基づく電界を印加する電極で
あって、前記各導波路に対して電界を印加する２つの電
極の少なくともいずれか一方が、前記基材中の当該導波
路の中心深さとほぼ等しい深さに形成されている電極と
を有する。
と、前記基材中に形成され、電気光学材料からなり、２
つの導波路を有し、該２つの導波路により各々導波され
た光の干渉光を出射する導波路部と、前記導波路部の前
記２つの導波路の側面付近に各々設けられ、当該導波路
に対して所望の変調信号に基づく電界を印加する電極で
あって、前記各導波路に対して電界を印加する２つの電
極の少なくともいずれか一方が、前記基材中の当該導波
路の中心深さとほぼ等しい深さに形成されている電極と
を有する。
【００１０】好適には、前記導波路部は、端部より入射
された光を分岐する第１のＹ分岐型導波路と、前記第１
のＹ分岐型導波路により分岐された２つの光を各々導波
させる前記２つの導波路と、前記２つの導波路により導
波された光を合波し生成された干渉光を端部より出射す
る第２のＹ分岐型導波路とを有する。
された光を分岐する第１のＹ分岐型導波路と、前記第１
のＹ分岐型導波路により分岐された２つの光を各々導波
させる前記２つの導波路と、前記２つの導波路により導
波された光を合波し生成された干渉光を端部より出射す
る第２のＹ分岐型導波路とを有する。
【００１１】また好適には、前記電極は、前記２つの導
波路の外側に形成された第１および第３の電極と、前記
２つの導波路の間に形成された当該２つの導波路に対し
て共通の第２の電極からなり、少なくとも前記第１およ
び第３の電極は前記基材中の前記導波路の中心深さとほ
ぼ等しい深さに形成されている。
波路の外側に形成された第１および第３の電極と、前記
２つの導波路の間に形成された当該２つの導波路に対し
て共通の第２の電極からなり、少なくとも前記第１およ
び第３の電極は前記基材中の前記導波路の中心深さとほ
ぼ等しい深さに形成されている。
【００１２】さらに好適には、前記基材は、前記基材中
の前記深さに形成される電極の位置に、所定の溝を有
し、前記電極の中の前記基材中の前記深さに形成される
電極は、前記基材に形成された溝中に配置される。
の前記深さに形成される電極の位置に、所定の溝を有
し、前記電極の中の前記基材中の前記深さに形成される
電極は、前記基材に形成された溝中に配置される。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の光変調器の実施の形態を
図１〜図３を参照して説明する。本実施の形態において
は、従来よりよく用いられているマッハツェンダ型干渉
計で構成された光変調器を例示して本発明を説明する。
図１〜図３を参照して説明する。本実施の形態において
は、従来よりよく用いられているマッハツェンダ型干渉
計で構成された光変調器を例示して本発明を説明する。
【００１４】図１は、本実施の形態の光変調器の平面図
であって、光変調器の構成を模式的に示した図である。
図１に示すように、光変調器１は、ＬｉＮｂＯ3 基板１
０上に、導波路２０が形成され、その平行直線導波路部
分に電極３０-1〜３０-3が形成された構成である。導波
路２０は、対向する２つのＹ型分岐導波路２１，２４
と、これを結ぶ２本の直線導波路２２，２３とで構成さ
れる。これらの導波路２０は、ＬｉＮｂＯ3基板１０に
対し、導波路パタン形状にＴｉを熱拡散して形成する。
なお、図１において、導波路の幅ａは４〜８μｍ、Ｙ型
分岐導波路２１，２４の分岐部分の長さｂは１ｍｍ、直
線導波路２２，２３の長さｃは１５ｍｍ，２本の直線導
波路２２，２３の間隔ｄは２０μｍである。
であって、光変調器の構成を模式的に示した図である。
図１に示すように、光変調器１は、ＬｉＮｂＯ3 基板１
０上に、導波路２０が形成され、その平行直線導波路部
分に電極３０-1〜３０-3が形成された構成である。導波
路２０は、対向する２つのＹ型分岐導波路２１，２４
と、これを結ぶ２本の直線導波路２２，２３とで構成さ
れる。これらの導波路２０は、ＬｉＮｂＯ3基板１０に
対し、導波路パタン形状にＴｉを熱拡散して形成する。
なお、図１において、導波路の幅ａは４〜８μｍ、Ｙ型
分岐導波路２１，２４の分岐部分の長さｂは１ｍｍ、直
線導波路２２，２３の長さｃは１５ｍｍ，２本の直線導
波路２２，２３の間隔ｄは２０μｍである。
【００１５】次に、電極３０-1〜３０-3の配置について
図２を参照して説明する。図２は、光変調器１の図１の
Ａ−Ａにおける断面図である。図示のごとく、電極３０
の中の直線導波路２２，２３の両脇の電極３０-1，３０
-3は、直線導波路２２，２３の側面に設けられた溝１
１，１２の中に配置されている。なお、２本の直線導波
路２２，２３に挟まれる電極３０-2は、従来通りＬｉＮ
ｂＯ3 基板１０の表面に配置してよい。導波路２０の深
さｅは、通常と同じく１．５〜４μｍ程度であり、溝１
１，１２の深さは、０．５〜１μｍであるのが好適であ
る。また、そにように溝１１，１２の深さは、１μｍ以
下であるので、通常行われるドライエッチングなどの方
法により簡単に形成することができる。
図２を参照して説明する。図２は、光変調器１の図１の
Ａ−Ａにおける断面図である。図示のごとく、電極３０
の中の直線導波路２２，２３の両脇の電極３０-1，３０
-3は、直線導波路２２，２３の側面に設けられた溝１
１，１２の中に配置されている。なお、２本の直線導波
路２２，２３に挟まれる電極３０-2は、従来通りＬｉＮ
ｂＯ3 基板１０の表面に配置してよい。導波路２０の深
さｅは、通常と同じく１．５〜４μｍ程度であり、溝１
１，１２の深さは、０．５〜１μｍであるのが好適であ
る。また、そにように溝１１，１２の深さは、１μｍ以
下であるので、通常行われるドライエッチングなどの方
法により簡単に形成することができる。
【００１６】このように電極３０-1〜３０-3を配置した
場合に、直線導波路２２，２３に印加される電界につい
て図３を参照して説明する。図３は、光変調器の導波路
に対して印加される電界の状態を説明するための図であ
り、（Ａ）は本実施の形態の光変調器１の電極３０-1〜
３０-3により生じる電界を示す図であり、（Ｂ）は比較
のための図４にその断面図を示したような従来の光変調
器９０の電極９３-1〜９３-3により生じる電界を示す図
であり、各々等電位線を示す図である。なお、この電界
分布は、変分法によるシミュレーション結果である。図
示のごとく、図３（Ａ）に示す本実施の形態の光変調器
１においては、直線導波路２２，２３の中心部分を中心
として、そのコア部分全体について電界が集中している
ことがわかる。図３（Ｂ）に示すような、比較的ＬｉＮ
ｂＯ3 基板１０の表面付近に電界が集中している例と比
較して、直線導波路２２，２３に適切に電界が印加され
ていることがわかる。
場合に、直線導波路２２，２３に印加される電界につい
て図３を参照して説明する。図３は、光変調器の導波路
に対して印加される電界の状態を説明するための図であ
り、（Ａ）は本実施の形態の光変調器１の電極３０-1〜
３０-3により生じる電界を示す図であり、（Ｂ）は比較
のための図４にその断面図を示したような従来の光変調
器９０の電極９３-1〜９３-3により生じる電界を示す図
であり、各々等電位線を示す図である。なお、この電界
分布は、変分法によるシミュレーション結果である。図
示のごとく、図３（Ａ）に示す本実施の形態の光変調器
１においては、直線導波路２２，２３の中心部分を中心
として、そのコア部分全体について電界が集中している
ことがわかる。図３（Ｂ）に示すような、比較的ＬｉＮ
ｂＯ3 基板１０の表面付近に電界が集中している例と比
較して、直線導波路２２，２３に適切に電界が印加され
ていることがわかる。
【００１７】次に、このような光変調器１の動作につい
て説明する。第１のＹ型分岐導波路２１の端部に光ファ
イバが接続され、この光ファイバにより伝搬されてきた
シングルモードのコヒーレント光が、この端部より光変
調器１に入射される。光変調器１に入射された光は、第
１のＹ型分岐導波路２１のＹ分岐部分で分岐され、２本
の直線導波路２２，２３に入射される。
て説明する。第１のＹ型分岐導波路２１の端部に光ファ
イバが接続され、この光ファイバにより伝搬されてきた
シングルモードのコヒーレント光が、この端部より光変
調器１に入射される。光変調器１に入射された光は、第
１のＹ型分岐導波路２１のＹ分岐部分で分岐され、２本
の直線導波路２２，２３に入射される。
【００１８】この２本の直線導波路２２，２３に対して
は、各々両脇に設けられている電極３０-1〜３０-3を介
して、所望の変調信号に基づいた電界を印加する。その
結果この電界により、２本の直線導波路２２，２３を導
波している光の位相が各々変化される。そして、各々位
相の変化された２つの光が、第２のＹ型分岐導波路２４
のＹ分岐部分で合波され、元の光の位相変化に基づいて
光強度が変化する干渉光が生成され、第２のＹ型分岐導
波路２４の端部より、この端部に接続されている光ファ
イバに出射される。これにより、前記所望の変調信号に
基づいて光強度が変化する変調された光を得ることがで
きる。
は、各々両脇に設けられている電極３０-1〜３０-3を介
して、所望の変調信号に基づいた電界を印加する。その
結果この電界により、２本の直線導波路２２，２３を導
波している光の位相が各々変化される。そして、各々位
相の変化された２つの光が、第２のＹ型分岐導波路２４
のＹ分岐部分で合波され、元の光の位相変化に基づいて
光強度が変化する干渉光が生成され、第２のＹ型分岐導
波路２４の端部より、この端部に接続されている光ファ
イバに出射される。これにより、前記所望の変調信号に
基づいて光強度が変化する変調された光を得ることがで
きる。
【００１９】このように、本実施の形態の光変調器１に
おいては、導波路２０への実効的な電界強度が増大して
おり、変調時の動作電圧を低減化することができる。ま
た、光変調器１においては変調効率を上げるために光変
調器１と光ファイバの接続状態を変えたわけではないの
で、光変調器１に結合する光ファイバのコア径と導波路
との乖離が大きくなり、光変調器１と光ファイバの結合
効率が低下するという問題は生じない。
おいては、導波路２０への実効的な電界強度が増大して
おり、変調時の動作電圧を低減化することができる。ま
た、光変調器１においては変調効率を上げるために光変
調器１と光ファイバの接続状態を変えたわけではないの
で、光変調器１に結合する光ファイバのコア径と導波路
との乖離が大きくなり、光変調器１と光ファイバの結合
効率が低下するという問題は生じない。
【００２０】なお、本発明は本実施の形態に限られるも
のではなく、種々の改変が可能である。たとえば、光変
調器１を構成する材料としては、前述したニオブ酸リチ
ウム（ＬｉＮｂＯ3 ）に限られるものではない。たとえ
ば、ＬｉＴａＯ3 結晶基板などの任意の電気光学材料を
用いてよい。
のではなく、種々の改変が可能である。たとえば、光変
調器１を構成する材料としては、前述したニオブ酸リチ
ウム（ＬｉＮｂＯ3 ）に限られるものではない。たとえ
ば、ＬｉＴａＯ3 結晶基板などの任意の電気光学材料を
用いてよい。
【００２１】また、たとえばアクリル系高分子の主鎖に
ジアソ系色素を結合させたものなどの非線形有機材料を
用いてもよい。その場合、たとえばＳｉウェハなどの基
板上に、コア層より屈折率の低いエポキシ系の透明樹脂
などのポリマーをクラッド層として、またアクリル系高
分子の主鎖にジアゾ系色素を結合させたものをコア層と
して塗布する。そして、コア層を図１に示したような２
つのＹ型分岐導波路および２本の直線導波路からなる導
波路形状に加工したあと、ガラス転移点付近の温度で直
流電界を印加しポーリング処理をすることにより光変調
器１を製造する。このように非線形有機材料を用いるこ
とにより、前述した結晶基板を用いた場合と比べて、高
温処理工程を必要としないなど製作工程が簡素化され、
装置の低コスト化ができる。
ジアソ系色素を結合させたものなどの非線形有機材料を
用いてもよい。その場合、たとえばＳｉウェハなどの基
板上に、コア層より屈折率の低いエポキシ系の透明樹脂
などのポリマーをクラッド層として、またアクリル系高
分子の主鎖にジアゾ系色素を結合させたものをコア層と
して塗布する。そして、コア層を図１に示したような２
つのＹ型分岐導波路および２本の直線導波路からなる導
波路形状に加工したあと、ガラス転移点付近の温度で直
流電界を印加しポーリング処理をすることにより光変調
器１を製造する。このように非線形有機材料を用いるこ
とにより、前述した結晶基板を用いた場合と比べて、高
温処理工程を必要としないなど製作工程が簡素化され、
装置の低コスト化ができる。
【００２２】また、本実施の形態の光変調器１において
は、２本の直線導波路２２，２３の外側と、その間の３
箇所に電極３０-1〜３０-3を配置し、これにより直線導
波路２２，２３に対して電圧を印加するようにした。し
かし、たとえば、２本の直線導波路２２，２３の各々に
対して、その両脇、すなわち４箇所に電極を設け、この
電極を介して電界を印加するようにしてもよい。
は、２本の直線導波路２２，２３の外側と、その間の３
箇所に電極３０-1〜３０-3を配置し、これにより直線導
波路２２，２３に対して電圧を印加するようにした。し
かし、たとえば、２本の直線導波路２２，２３の各々に
対して、その両脇、すなわち４箇所に電極を設け、この
電極を介して電界を印加するようにしてもよい。
【００２３】また、本実施の形態の光変調器１において
は、２本の直線導波路２２，２３で挟まれる真ん中の電
極３０-2については、従来通りＬｉＮｂＯ3 基板１０の
表面に配置していた。このような構成でも、従来と比較
すると十分効率的に直線導波路２２，２３に対して電界
を印加することができる。しかし、もちろんこの中央の
電極３０-2についても、ＬｉＮｂＯ3 基板１０に凹部を
形成し、そこに埋め込むようにしてもよい。
は、２本の直線導波路２２，２３で挟まれる真ん中の電
極３０-2については、従来通りＬｉＮｂＯ3 基板１０の
表面に配置していた。このような構成でも、従来と比較
すると十分効率的に直線導波路２２，２３に対して電界
を印加することができる。しかし、もちろんこの中央の
電極３０-2についても、ＬｉＮｂＯ3 基板１０に凹部を
形成し、そこに埋め込むようにしてもよい。
【００２４】
【発明の効果】本発明の光変調器によれば、導波路への
電界集中を行い、実行的に電界強度を上げることができ
るので、印加する電圧に対してより効率よく変調を行う
ことができ、変調動作時の電圧を低減することができ
る。
電界集中を行い、実行的に電界強度を上げることができ
るので、印加する電圧に対してより効率よく変調を行う
ことができ、変調動作時の電圧を低減することができ
る。
【図１】本発明の一実施の形態の光変調器の平面図であ
って、光変調器の構成を模式的に示した図である。
って、光変調器の構成を模式的に示した図である。
【図２】図１に示した光変調器のＡ−Ａにおける断面図
である。
である。
【図３】光変調器の導波路に対して印加される電界の状
態を説明するための図であり、（Ａ）は図１に示した本
発明に係わる変調器において導波路に対して印加される
電界の状態を示す図であり、（Ｂ）は従来の変調器にお
いて導波路に対して印加される電界の状態を示す図であ
る。
態を説明するための図であり、（Ａ）は図１に示した本
発明に係わる変調器において導波路に対して印加される
電界の状態を示す図であり、（Ｂ）は従来の変調器にお
いて導波路に対して印加される電界の状態を示す図であ
る。
【図４】従来の光変調器の平行導波路部分の断面図であ
る。
る。
１…光変調器 １０…ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）基板 １１，１２…溝 ２０…導波路 ２１，２４…Ｙ型分岐導波路 ２２，２３…直線導波路 ３０…電極 ９０…光変調器 ９１…ＬｉＮｂＯ3 基板 ９２…Ｔｉ拡散平行導波路 ９３…電極
Claims (4)
- 【請求項１】基材と、 前記基材中に形成され、電気光学材料からなり、２つの
導波路を有し、該２つの導波路により各々導波された光
の干渉光を出射する導波路部と、 前記導波路部の前記２つの導波路の側面付近に各々設け
られ、当該導波路に対して所望の変調信号に基づく電界
を印加する電極であって、前記各導波路に対して電界を
印加する２つの電極の少なくともいずれか一方が、前記
基材中の当該導波路の中心深さとほぼ等しい深さに形成
されている電極とを有する光変調器。 - 【請求項２】前記導波路部は、 端部より入射された光を分岐する第１のＹ分岐型導波路
と、 前記第１のＹ分岐型導波路により分岐された２つの光を
各々導波させる前記２つの導波路と、 前記２つの導波路により導波された光を合波し生成され
た干渉光を端部より出射する第２のＹ分岐型導波路とを
有する請求項１記載の光変調器。 - 【請求項３】前記電極は、前記２つの導波路の外側に形
成された第１および第３の電極と、前記２つの導波路の
間に形成された当該２つの導波路に対して共通の第２の
電極からなり、少なくとも前記第１および第３の電極は
前記基材中の前記導波路の中心深さとほぼ等しい深さに
形成されている請求項２記載の光変調器。 - 【請求項４】前記基材は、前記基材中の前記深さに形成
される電極の位置に、所定の溝を有し、前記電極の中の
前記基材中の前記深さに形成される電極は、前記基材に
形成された溝中に配置される請求項２または３記載の光
変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24425897A JP3740803B2 (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | 光変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24425897A JP3740803B2 (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | 光変調器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1184326A true JPH1184326A (ja) | 1999-03-26 |
| JP3740803B2 JP3740803B2 (ja) | 2006-02-01 |
Family
ID=17116084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24425897A Expired - Fee Related JP3740803B2 (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | 光変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3740803B2 (ja) |
-
1997
- 1997-09-09 JP JP24425897A patent/JP3740803B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3740803B2 (ja) | 2006-02-01 |
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