JPH1179785A - Thin film magnetic head - Google Patents

Thin film magnetic head

Info

Publication number
JPH1179785A
JPH1179785A JP25423097A JP25423097A JPH1179785A JP H1179785 A JPH1179785 A JP H1179785A JP 25423097 A JP25423097 A JP 25423097A JP 25423097 A JP25423097 A JP 25423097A JP H1179785 A JPH1179785 A JP H1179785A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
slider
magnetic head
glass
film
thin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP25423097A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Norihiro Okada
式博 岡田
Hiroshi Yamamoto
洋 山本
Tatsuya Harada
達也 原田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP25423097A priority Critical patent/JPH1179785A/en
Publication of JPH1179785A publication Critical patent/JPH1179785A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C10/00Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
    • C03C10/0036Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
    • C03C10/0045Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3 and MgO as main constituents

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain good adhesion, to make processing easy and to suppress the generation of recesses in an electromagnetic conversion part by constituting a slider of a crystallized glass essentially comprising silicon oxide, magnesium oxide and aluminum oxide in specified proportions and having specified crystallinity, and forming an electromagnetic converting part on the slider. SOLUTION: The crystallized glass for a slider of a magnetic head consists of 30 to 65 wt.% SiO2 , 9 to 40 wt.% MgO, and 8 to 41 wt.% Al2 O3 , and has 30 to 90% crystallization degree and 700 to 800 Vickers' hardness. This crystallized glass has low density as about 3.1 g/cm<3> , which decreases the inertial mass of the slider and enables rapid and accurate seeking operation of a magnetic head. Since the glass material of this compsn. is crystallized at the same time of forming by heating and pressurizing, a planer body can be easily produced. The magnetic head is obtd. by forming an electromagnetic converting part of a thin film laminated body on a slider, and is used for an induction thin film magnetic head or an MR induction composite head.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、結晶化ガラスから
構成されるスライダを有する薄膜磁気ヘッドに関する。
The present invention relates to a thin-film magnetic head having a slider made of crystallized glass.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、磁気記録における高密度化が進め
られている。これに伴ない、ハードディスク用の磁気ヘ
ッドとして、磁極として軟磁性薄膜を用いる誘導型薄膜
磁気ヘッドや、磁気抵抗効果を利用して再生を行う磁気
抵抗効果型磁気ヘッド(MRヘッド)の開発が盛んに進
められている。MRヘッドは、磁性材料を用いた読み取
りセンサ部の抵抗変化により外部磁気信号を読み出すも
のである。MRヘッドでは再生出力が記録媒体に対する
相対速度に依存しないことから、線記録密度の高い磁気
記録においても高い出力が得られるという特長がある。
MRヘッドは再生用ヘッドであるため、記録を行うため
の誘導型ヘッド部をMRヘッド部と一体化したMR誘導
型複合ヘッドが一般に用いられている。
2. Description of the Related Art In recent years, the density of magnetic recording has been increased. Along with this, as a magnetic head for a hard disk, an induction type thin film magnetic head using a soft magnetic thin film as a magnetic pole, and a magnetoresistive effect type magnetic head (MR head) for reproducing using a magnetoresistive effect are actively developed. It is being advanced. The MR head reads an external magnetic signal by a resistance change of a read sensor unit using a magnetic material. The MR head has a feature that a high output can be obtained even in magnetic recording with a high linear recording density because the reproduction output does not depend on the relative speed to the recording medium.
Since the MR head is a reproducing head, an MR induction type composite head in which an induction type head for recording is integrated with the MR head is generally used.

【0003】ハードディスク用の磁気ヘッドは、スライ
ダのトレーリング側の側面に電磁変換部を設けたもので
ある。薄膜磁気ヘッドの電磁変換部は、下部磁極、ギャ
ップ層、絶縁膜に囲まれたコイル、上部磁極、保護膜等
を、それぞれが所定のパターンとなるように順次積層し
たものである。スライダには、通常、Al23−TiC
焼結体が用いられている。
A magnetic head for a hard disk has a slider provided with an electromagnetic transducer on the side surface on the trailing side. The electromagnetic conversion unit of the thin-film magnetic head is formed by sequentially laminating a lower magnetic pole, a gap layer, a coil surrounded by an insulating film, an upper magnetic pole, a protective film, and the like in a predetermined pattern. The slider usually has Al 2 O 3 —TiC
A sintered body is used.

【0004】薄膜磁気ヘッドは、通常、浮上型磁気ヘッ
ドとして用いられる。浮上型磁気ヘッドは、高速回転す
る磁気ディスク上に浮上した状態で記録・再生を行うも
のであり、スライダのエアベアリング面(ディスクに対
向する面)と磁気ディスクとの間隔は、高密度記録を行
うために極めて狭くなっている。また、最近では、電磁
変換部が磁気ディスクと接触するタイプの薄膜磁気ヘッ
ドも開発されている。浮上型磁気ヘッドでは、CSS
(Contact Start Stop)方式を採用するものが多い。C
SS方式では、ディスク静止中はバネ力により磁気ヘッ
ドがディスク表面に押しつけられており、ディスクが回
転を始めると、動圧により磁気ヘッドが浮上する。
[0004] Thin-film magnetic heads are generally used as flying magnetic heads. The floating magnetic head performs recording and reproduction while flying above a magnetic disk that rotates at high speed. The distance between the air bearing surface of the slider (the surface facing the disk) and the magnetic disk is high-density recording. Very narrow to do. Recently, a thin-film magnetic head in which an electromagnetic transducer comes into contact with a magnetic disk has been developed. The flying magnetic head uses CSS
(Contact Start Stop) method is often used. C
In the SS system, the magnetic head is pressed against the disk surface by a spring force while the disk is stationary, and when the disk starts rotating, the magnetic head floats by dynamic pressure.

【0005】薄膜磁気ヘッドでは、シーク速度を速くす
るために、スライダの慣性質量が小さいことが望まれ
る。また、CSSの繰り返しによる摩耗に耐えるため
に、スライダの耐摩耗性が良好であることが必要であ
る。また、スライダからの電磁変換部の剥離を防ぐため
に、スライダと電磁変換部との接着性が良好であること
が望まれる。
In a thin film magnetic head, it is desired that the inertial mass of the slider be small in order to increase the seek speed. In addition, the slider must have good wear resistance in order to withstand wear due to repeated CSS. Further, in order to prevent the electromagnetic conversion portion from peeling off from the slider, it is desired that the adhesion between the slider and the electromagnetic conversion portion be good.

【0006】しかし、従来、スライダ材として用いられ
るAl23−TiC焼結体は、比重が比較的高いため、
慣性質量を小さくすることができない。また、耐摩耗性
を向上させるために、例えば特開平4−276367号
公報に記載されているようなSiからなる保護被膜をス
ライダのエアベアリング面に形成する場合、Al23
TiC焼結体からなるスライダはSi保護被膜との接着
性が不十分であるため、剥離が生じたり、耐摩耗性が十
分に得られないといった問題が生じる。また、電磁変換
部の最下層には、通常、SiO2などからなる絶縁層が
設けられるが、Al23−TiC焼結体からなるスライ
ダは、この絶縁層との接着性が十分とはいえない。
However, since Al 2 O 3 —TiC sintered body conventionally used as a slider material has a relatively high specific gravity,
Inertia mass cannot be reduced. In order to improve abrasion resistance, when a protective film made of Si is formed on an air bearing surface of a slider as described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-276673, Al 2 O 3
The slider made of the TiC sintered body has insufficient adhesion to the Si protective coating, and thus causes problems such as peeling and insufficient wear resistance. In addition, an insulating layer made of SiO 2 or the like is usually provided as the lowermost layer of the electromagnetic conversion portion. However, a slider made of Al 2 O 3 —TiC sintered body does not have sufficient adhesiveness with this insulating layer. I can't say.

【0007】ところで、薄膜磁気ヘッドは、通常、ま
ず、表面が平滑な絶縁性基板上に電磁変換部を形成し、
次いで、絶縁性基板を切断・研磨等によりスライダ形状
に加工して製造する。したがって、絶縁性基板は、表面
が平滑であるか、表面の平滑化が容易であり、また、切
断が容易であり、また、電磁変換部形成後の研磨の際に
電磁変換部のリセスが生じないことが望ましい。しか
し、Al23−TiC焼結体は硬度が高いため加工が困
難であり、また、電磁変換部のリセスが発生しやすい。
[0007] In general, a thin-film magnetic head first forms an electromagnetic converter on an insulating substrate having a smooth surface.
Next, the insulating substrate is processed into a slider shape by cutting, polishing, or the like, and manufactured. Therefore, the insulating substrate has a smooth surface, or the surface can be easily smoothed, easily cut, and a recess of the electromagnetic conversion portion occurs during polishing after the formation of the electromagnetic conversion portion. Desirably not. However, since the Al 2 O 3 —TiC sintered body has a high hardness, it is difficult to process, and a recess of the electromagnetic conversion portion is easily generated.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、慣性
質量が小さく、電磁変換部に対する接着性が高く、切断
や研磨等の加工が容易で、表面平滑化が容易で、電磁変
換部のリセスの発生を抑えることができ、しかも、耐摩
耗性に優れたスライダを有する薄膜磁気ヘッドを提供す
ることである。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to have a small inertial mass, a high adhesiveness to an electromagnetic conversion portion, easy processing such as cutting and polishing, easy surface smoothing, An object of the present invention is to provide a thin-film magnetic head having a slider which can suppress the occurrence of recess and has excellent wear resistance.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(5)のいずれかの構成により達成される。 (1) 酸化ケイ素、酸化マグネシウムおよび酸化アル
ミニウムを主成分として含み、これらをそれぞれSiO
2、MgOおよびAl23に換算し、重量百分率で含有
量を表わしたとき、SiO2 :30〜65重量%、Mg
O :9〜40重量%、Al23:8〜41重量%であ
り、結晶化率が30〜90%である結晶化ガラスから構
成されるスライダを有し、このスライダ上に電磁変換部
が設けられている薄膜磁気ヘッド。 (2) 前記結晶化ガラスのビッカース硬度が600〜
800である上記(1)の薄膜磁気ヘッド。 (3) 前記結晶化ガラスが酸化チタンを含み、これを
TiO2に換算し、重量百分率で含有率を表したとき、 TiO2:15重量%以下 である上記(1)または(2)の薄膜磁気ヘッド。 (4) 前記結晶化ガラスがディオプサイド結晶を含む
上記(1)〜(3)のいずれかの薄膜磁気ヘッド。 (5) 前記スライダの電磁変換部が設けられている表
面の表面粗さRmaxが、5.0nm以下である上記(1)
〜(4)のいずれかの薄膜磁気ヘッド。
This object is achieved by any one of the following constitutions (1) to (5). (1) It contains silicon oxide, magnesium oxide and aluminum oxide as main components, each of which is SiO 2
2, in terms of MgO and Al 2 O 3, when representing the content in weight percent, SiO 2: 30 to 65 wt%, Mg
O: 9 to 40 wt%, Al 2 O 3: 8~41 weight%, and has a slider composed of crystallized glass crystallization rate is 30 to 90%, the electromagnetic conversion unit on the slider Thin-film magnetic head provided with. (2) The crystallized glass has a Vickers hardness of 600 to 600
800. The thin-film magnetic head of (1) above, (3) The thin film according to the above (1) or (2), wherein the crystallized glass contains titanium oxide, which is converted into TiO 2 and the content is expressed in terms of percentage by weight, TiO 2 : 15% by weight or less. Magnetic head. (4) The thin-film magnetic head according to any one of (1) to (3), wherein the crystallized glass contains a diopside crystal. (5) The surface roughness Rmax of the surface of the slider on which the electromagnetic transducer is provided is not more than 5.0 nm (1).
The thin film magnetic head according to any one of (1) to (4).

【0010】[0010]

【作用および効果】本発明の薄膜磁気ヘッドは、スライ
ダに上記結晶化ガラスを用いる。上記結晶化ガラスの密
度(約3.1g/cm3)であり、Al23−TiC焼結体
の密度(約4.2g/cm3)に比べ低いため、スライダの
慣性質量を小さくできる。このため、シーク動作が迅速
かつ正確に行える。
Operation and Effect The thin film magnetic head of the present invention uses the above crystallized glass for the slider. The density of the crystallized glass (about 3.1 g / cm 3 ), which is lower than the density of the Al 2 O 3 —TiC sintered body (about 4.2 g / cm 3 ), can reduce the inertial mass of the slider. . Therefore, the seek operation can be performed quickly and accurately.

【0011】上記結晶化ガラスは、上記組成のガラス材
に熱処理を施して結晶化することにより製造する。上記
組成のガラス材は、低温側から昇温していったときに、
そのガラス転移点以上かつ液相線温度未満の温度におい
て粘性流動現象を利用した加圧成形が可能である。ガラ
スの粘性流動を利用することにより、所望の形状の成形
体を短時間で容易に得ることができる。すなわち、ガラ
スインゴットを加熱・加圧成形することにより、容易に
板状体が得られる。しかも、成形の際に必要な温度は1
000℃以下と低く、900℃以下の温度でも成形可能
であり、また、印加する圧力も5MPa程度以下と低くて
済み、0.5MPa以下の圧力でも成形可能である。ま
た、粉末を成形して焼結する方法では、成形体中に気孔
が存在するため焼結時の収縮率が大きく、寸法精度の良
好なものは得にくいが、本発明ではバルク状のガラス材
を加圧して成形するため気孔の発生がない。また、本発
明では、加圧に用いるプレス機の接触面の形状がガラス
材の表面性に反映するので、ある程度の平滑性が加圧成
形だけで得られる。このため、結晶化後に施す表面平滑
化のための研磨工程を簡略化できる。また、研磨するこ
とにより、表面粗さ(Rmax)が5.0nm以下、特に
4.0nm以下の平滑な表面が容易に得られる。
The above-mentioned crystallized glass is produced by subjecting a glass material having the above composition to heat treatment and crystallization. When the glass material of the above composition is heated from the low temperature side,
Pressure molding utilizing the viscous flow phenomenon is possible at a temperature equal to or higher than the glass transition point and lower than the liquidus temperature. By utilizing the viscous flow of glass, a molded article having a desired shape can be easily obtained in a short time. That is, a plate-like body can be easily obtained by heating and pressing the glass ingot. Moreover, the temperature required for molding is 1
The molding can be performed at a temperature as low as 000 ° C. or less and at a temperature of 900 ° C. or less, and the applied pressure can be as low as about 5 MPa or less. Also, in the method of molding and sintering powder, since there are pores in the molded body, the shrinkage ratio during sintering is large, and it is difficult to obtain good dimensional accuracy. And pressurized to form no pores. Further, in the present invention, since the shape of the contact surface of the press machine used for pressurization reflects on the surface properties of the glass material, a certain degree of smoothness can be obtained only by press molding. For this reason, the polishing step for smoothing the surface performed after crystallization can be simplified. In addition, a smooth surface having a surface roughness (Rmax) of 5.0 nm or less, particularly 4.0 nm or less can be easily obtained by polishing.

【0012】また、上記結晶化ガラスのビッカース硬度
(600〜800)は、Al23−TiC焼結体のビッ
カース硬度(1800〜2300程度)に比べ低く、電
磁変換部の硬度に近いので、スライダ形状への加工が容
易であり、研磨の際の電磁変換部のリセスも生じにく
い。また、スライダのエアベアリング面に保護被膜[S
i、TiN、TiCN、ダイヤモンド状カーボン(DL
C)等]を形成する場合、剥離が生じにくい。
The Vickers hardness (600 to 800) of the crystallized glass is lower than the Vickers hardness (about 1800 to 2300) of the Al 2 O 3 —TiC sintered body and is close to the hardness of the electromagnetic conversion part. Processing into a slider shape is easy, and recesses in the electromagnetic conversion portion during polishing are less likely to occur. In addition, a protective coating [S
i, TiN, TiCN, diamond-like carbon (DL
C) etc.], peeling hardly occurs.

【0013】本発明では、均質なバルク状ガラス材を溶
融しないで加熱・加圧成形し、成形と同時にまたは成形
に続いて結晶化することによりスライダ材とするので、
十分な強度をもつスライダが得られる。加熱・加圧成形
時にガラス材の一部が溶融すると、結晶化後の組織構造
が均質にならずに十分な強度が得られないおそれがある
が、本発明ではこれを防ぐことができる。上記結晶化ガ
ラスからなるスライダは、Al23−TiC焼結体に比
べ硬度が低いにもかかわらず、十分な耐摩耗性が得られ
る。
In the present invention, since a homogeneous bulk glass material is heated and pressed without melting and crystallized at the same time or subsequent to the forming, the slider material is obtained.
A slider having sufficient strength can be obtained. If a part of the glass material is melted during the heat and pressure molding, the structure after crystallization may not be homogeneous and sufficient strength may not be obtained, but the present invention can prevent this. The slider made of the crystallized glass has sufficient wear resistance despite its lower hardness than the Al 2 O 3 —TiC sintered body.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明の薄膜磁気ヘッドは、スラ
イダ上に、薄膜積層体からなる電磁変換部が形成された
ものである。本発明は、通常の誘導型薄膜磁気ヘッドや
MR誘導型複合ヘッドに適用される。MR誘導型複合ヘ
ッドは、電磁変換部として、再生用のMRヘッド(磁気
抵抗効果型ヘッド)部と記録用の誘導型ヘッド部とを有
する。以下、薄膜磁気ヘッドの例として、MR誘導型複
合ヘッドの構成について説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A thin-film magnetic head according to the present invention has a slider on which an electromagnetic conversion section composed of a thin-film laminate is formed. The present invention is applied to a normal induction type thin film magnetic head and an MR induction type composite head. The MR induction type composite head has an MR head (magnetoresistive head) for reproduction and an induction type head for recording as electromagnetic conversion units. Hereinafter, as an example of a thin-film magnetic head, a configuration of an MR induction type composite head will be described.

【0015】MR誘導型複合ヘッドの構成例を、図1に
示す。この複合ヘッドは、スライダ1上に、MRヘッド
部10と誘導型ヘッド部20とがこの順で積層された構
造である。MRヘッド部10は、スライダ11側から、
絶縁膜12、下部シールド膜13、絶縁膜14、MR膜
(磁気抵抗効果膜)15、MRリード膜(MR膜用電極
膜)16および絶縁膜17が順次積層された構成であ
る。誘導型ヘッド部20は、MRヘッド部10側から、
下部磁極21、磁極間のギャップとして働く絶縁膜2
2、絶縁膜23、コイル24、上部磁極25および保護
膜26が順次積層された構成である。
FIG. 1 shows an example of the configuration of an MR induction type composite head. This composite head has a structure in which an MR head unit 10 and an inductive head unit 20 are stacked on a slider 1 in this order. The MR head 10 is moved from the slider 11 side.
In this configuration, an insulating film 12, a lower shield film 13, an insulating film 14, an MR film (magnetoresistive film) 15, an MR lead film (electrode film for MR film) 16, and an insulating film 17 are sequentially stacked. The induction type head unit 20 is provided from the MR head unit 10 side.
Lower magnetic pole 21, insulating film 2 acting as a gap between magnetic poles
2, an insulating film 23, a coil 24, an upper magnetic pole 25, and a protective film 26 are sequentially laminated.

【0016】スライダ 本発明において、スライダ1は、酸化ケイ素、酸化マグ
ネシウムおよび酸化アルミニウムを主成分として含むガ
ラス材を結晶化させた結晶化ガラスから構成される。前
記ガラス材において、酸化ケイ素をSiO2に、酸化マ
グネシウムをMgOに、酸化アルミニウムをAl23
それぞれ換算し、含有量を重量百分率で表わしたとき、
SiO2 :30〜65重量%、MgO :9〜40重量
%、Al23:8〜41重量%であり、好ましくはSi
2 :40〜65重量%、MgO :9〜30重量%、
Al23:8〜31重量%である。
Slider In the present invention, the slider 1 is made of crystallized glass obtained by crystallizing a glass material containing silicon oxide, magnesium oxide and aluminum oxide as main components. In the glass material, when silicon oxide is converted to SiO 2 , magnesium oxide is converted to MgO, and aluminum oxide is converted to Al 2 O 3 , and the content is represented by weight percentage,
SiO 2: 30 to 65 wt%, MgO: 9 to 40 wt%, Al 2 O 3: 8~41 weight%, and preferably Si
O 2 : 40 to 65% by weight, MgO: 9 to 30% by weight,
Al 2 O 3: 8~31 by weight.

【0017】このような組成のガラス材を結晶化により
半透明化または不透明化することによって、高い強度が
得られ、しかも、従来のスライダに用いられているAl
23−TiCに比べ硬度が低くなるため、加工性に優
れ、生産性を高くすることができる。より詳細な組成限
定理由は以下のとおりである。SiO2が少なすぎると
ガラス化が困難であり、また、化学的耐久性が低くな
り、また、高強度も望めなくなる。SiO2が多すぎる
と作業温度が高くなり、また、気泡が抜けにくくなり、
また、ガラスの均一性が確保しにくくなる。MgOが少
なすぎると融液の粘度が高くなって作業性が悪くなり、
MgOが多すぎるとガラス化が困難となり、また、化学
的耐久性が低くなる。Al23が少なすぎると結晶化の
際に均一に結晶を析出させることが難しくなり、Al2
3が多すぎると作業温度が高くなり、また、気泡が抜
けにくくなり、また、ガラスの均一性が確保しにくくな
る。
The glass material having such a composition is made translucent or opaque by crystallization, so that a high strength can be obtained.
Since the hardness is lower than that of 2 O 3 —TiC, the workability is excellent and the productivity can be increased. The more detailed reasons for limiting the composition are as follows. If the amount of SiO 2 is too small, vitrification is difficult, chemical durability is lowered, and high strength cannot be expected. If there is too much SiO 2 , the working temperature will be high, and it will be difficult for bubbles to escape,
Further, it becomes difficult to ensure the uniformity of the glass. If the content of MgO is too small, the viscosity of the melt becomes high and workability deteriorates,
If the amount of MgO is too large, vitrification becomes difficult, and the chemical durability decreases. Al 2 O 3 is excessively and it becomes difficult to deposit uniformly crystals in crystallization small, Al 2
If the amount of O 3 is too large, the working temperature will be high, bubbles will not easily escape, and it will be difficult to ensure uniformity of the glass.

【0018】上記主成分以外に、機械的強度の向上、電
磁変換部や鋳型などに対する熱膨張率の適合、流動性改
善などのために、下記の各種副成分が必要に応じて添加
される。
In addition to the above main components, the following various subcomponents are added as necessary for improving mechanical strength, adapting the coefficient of thermal expansion to the electromagnetic conversion portion and the mold, and improving fluidity.

【0019】副成分としては、酸化チタンが挙げられ
る。酸化チタンは、結晶化がガラス表面から進行してガ
ラス内部が一様に結晶化しにくくなることを抑制する。
ガラス表面からの結晶化が先行すると、結晶層がガラス
表面付近を覆ってしまい、強度が損なわれることがあ
る。酸化チタンの含有率は、TiO2に換算して重量百
分率で表したとき、TiO2:15重量%以下であるこ
とが好ましい。TiO2が多すぎると、ガラス材をガラ
ス転移点側から昇温していったとき、成形に必要な十分
な粘度の低下を示す前に結晶化が生じてしまうため、ガ
ラス転移点から結晶が析出するまでの比較的低い温度で
の成形が困難となる。
Titanium oxide is mentioned as an auxiliary component. Titanium oxide suppresses the progress of crystallization from the glass surface to make it difficult to uniformly crystallize the inside of the glass.
If crystallization from the glass surface precedes, the crystal layer covers the vicinity of the glass surface, and the strength may be impaired. The content of titanium oxide, when expressed by weight percentage in terms of TiO 2, TiO 2: is preferably 15 wt% or less. If the amount of TiO 2 is too large, when the temperature of the glass material is increased from the glass transition point side, crystallization occurs before showing a sufficient decrease in viscosity necessary for molding. Molding at a relatively low temperature until precipitation becomes difficult.

【0020】また、副成分としてCa、BaおよびZn
の少なくとも1種が含まれていてもよい。CaおよびB
aは流動性を増加させ、また、作業温度を低くする。C
aおよびBaは、アルカリ金属元素に比べ、化学的耐久
性に対する悪影響が少ない。また、Caの添加によりデ
ィオプサイド結晶が析出しやすくなるので、Caの添加
は機械的強度の向上に寄与する。Znは、熱膨張率を大
きくする必要があるときに添加される。これらをそれぞ
れCaO、BaOおよびZnOに換算したとき、CaO
+BaO+ZnOは、好ましくは20重量%以下、より
好ましくは15重量%以下である。これらの合計含有量
が多すぎると、ガラス材の表面から結晶化が進みやすく
なる。
Further, Ca, Ba, Zn
May be included. Ca and B
a increases the flowability and lowers the working temperature. C
a and Ba have less adverse effects on chemical durability than alkali metal elements. Further, the addition of Ca facilitates the precipitation of diopside crystals, and thus the addition of Ca contributes to the improvement of mechanical strength. Zn is added when it is necessary to increase the coefficient of thermal expansion. When these are converted to CaO, BaO and ZnO, respectively,
+ BaO + ZnO is preferably at most 20% by weight, more preferably at most 15% by weight. If the total content of these components is too large, crystallization tends to proceed from the surface of the glass material.

【0021】また、副成分として貴金属元素、すなわち
Pd、Pt、Ag、Au、Re、Ru、RhおよびIr
の少なくとも1種が含まれていてもよい。これらの貴金
属元素の添加により、強度が向上し、また、結晶化の際
の作業時間の短縮が可能であるが、コスト上昇を招く。
これらの合計含有量は、好ましくは1重量%以下、より
好ましくは0.5重量%以下である。
Noble metal elements as auxiliary components, that is, Pd, Pt, Ag, Au, Re, Ru, Rh and Ir
May be included. By adding these noble metal elements, the strength can be improved and the operation time for crystallization can be shortened, but the cost is increased.
Their total content is preferably 1% by weight or less, more preferably 0.5% by weight or less.

【0022】また、副成分としてMn、Fe、Niおよ
びCeの少なくとも1種が含まれていてもよい。これら
をそれぞれMnO、FeO、NiOおよびCeO2に換
算したとき、MnO+FeO+NiO+CeO2は、好
ましくは2重量%以下である。
Further, at least one of Mn, Fe, Ni and Ce may be contained as an auxiliary component. When these are converted into MnO, FeO, NiO and CeO 2 , respectively, MnO + FeO + NiO + CeO 2 is preferably 2% by weight or less.

【0023】また、副成分としてアルカリ金属元素およ
びPの少なくとも1種、すなわちLi、Na、Kおよび
Pの少なくとも1種が含まれていてもよい。アルカリ金
属元素の添加は、ガラス転移点を下げて作業温度を低く
する効果があり、また、熱膨張率を調整する効果もあ
る。Pの添加は、熱膨張率を調整する効果がある。これ
らをそれぞれLi2O、Na2O、K2OおよびP25
換算したとき、Li2O+Na2O+K2O+P25は、
好ましくは5重量%以下、より好ましくは2重量%以下
である。アルカリ金属元素およびPは化学的耐久性を低
下させるため、含まれないことが最も好ましい。
Further, at least one of alkali metal elements and P, that is, at least one of Li, Na, K and P may be contained as a subcomponent. The addition of an alkali metal element has the effect of lowering the glass transition point and lowering the working temperature, and also has the effect of adjusting the coefficient of thermal expansion. The addition of P has the effect of adjusting the coefficient of thermal expansion. When these were converted into Li 2 O, Na 2 O, K 2 O and P 2 O 5 respectively, Li 2 O + Na 2 O + K 2 O + P 2 O 5 was
It is preferably at most 5% by weight, more preferably at most 2% by weight. Most preferably, the alkali metal element and P are not included because they reduce the chemical durability.

【0024】また、副成分としてBが含まれていてもよ
い。Bは、熱膨張率の調整のために添加される。BをB
23に換算したとき、B23は好ましくは5重量%以
下、より好ましくは3重量%以下である。Bも化学的耐
久性を低下させるため、含まれないことが最も好まし
い。
Further, B may be contained as an auxiliary component. B is added for adjusting the coefficient of thermal expansion. B to B
When converted to 2 O 3 , B 2 O 3 is preferably at most 5% by weight, more preferably at most 3% by weight. Most preferably, B is not included because it also lowers chemical durability.

【0025】また、副成分としてZrが含まれていても
よい。ZrをZrO2に換算したとき、ZrO2は、好ま
しくは5重量%以下、より好ましくは3重量%以下であ
る。ZrO2の含有量が多すぎると、ガラス化しにくく
なる。
Further, Zr may be contained as an auxiliary component. When converted to Zr to ZrO 2, ZrO 2 is preferably 5 wt% or less, more preferably 3 wt% or less. If the content of ZrO 2 is too large, vitrification becomes difficult.

【0026】主成分の原料は、通常、酸化物であるが、
一部には窒化物を用いてもよい。副成分は、単体として
添加しても化合物として添加してもよい。副成分元素の
化合物としては、酸化物、窒化物、塩化物、硝酸塩、硫
酸塩などが挙げられる。なお、原料の一部に窒化物を用
いた場合、ガラス中において窒素原子は酸素原子を置換
するかたちで含有されると考えられる。本発明で用いる
ガラス材中には、短繊維やウィスカーとして窒化物が含
まれることはない。なお、窒素を含む場合、窒素をSi
34に換算したとき、Si34は好ましくは4重量%以
下である。窒素量が多すぎると、硬度が高くなりすぎ、
また、製造の際には窒素の組成変動が生じやすいため、
組成の再現性が悪くなってしまう。
The raw material of the main component is usually an oxide,
Partially, nitride may be used. The auxiliary component may be added as a simple substance or as a compound. Examples of the compound of the accessory component element include oxides, nitrides, chlorides, nitrates, and sulfates. When a nitride is used as a part of the raw material, it is considered that nitrogen atoms are contained in the glass in such a manner as to replace oxygen atoms. The glass material used in the present invention does not contain nitride as short fibers or whiskers. When nitrogen is contained, nitrogen is replaced with Si
When converted to 3 N 4, Si 3 N 4 is preferably 4 wt% or less. If the amount of nitrogen is too large, the hardness will be too high,
In addition, since the composition of nitrogen is likely to fluctuate during production,
The reproducibility of the composition deteriorates.

【0027】なお、組成によっても異なるが、上記ガラ
ス材は、ガラス転移点が500〜780℃程度である。
The glass material has a glass transition point of about 500 to 780 ° C., though it depends on the composition.

【0028】本発明で用いる結晶化ガラスが含む結晶相
は特に限定されないが、少なくともディオプサイドが含
まれることが好ましい。生成する結晶は組成によっても
異なり、また、同定が困難なこともあるが、通常、生成
した結晶のうち同定できる結晶としては、ディオプサイ
ドのほか、マグネシウムチタネート、エンスタタイト、
β−クオーツ、マグネシウムアルミノチタネート、ルチ
ル、ガーナイト、サファイアリン、ペタライトなどが挙
げられる。
The crystal phase contained in the crystallized glass used in the present invention is not particularly limited, but preferably contains at least diopside. The generated crystals vary depending on the composition and may be difficult to identify.In general, the crystals that can be identified among the generated crystals include diopside, magnesium titanate, enstatite,
β-quartz, magnesium alumino titanate, rutile, garnite, sapphireline, petalite and the like.

【0029】上記結晶化ガラスの平均結晶粒径は特に限
定されないが、通常、100μm以下、好ましくは10
μm以下、より好ましくは1μm以下である。結晶粒径が
大きすぎると高強度が得られにくい。結晶粒径は、走査
型電子顕微鏡(SEM)やX線小角散乱により求めるこ
とができる。
The average crystal grain size of the crystallized glass is not particularly limited, but is usually 100 μm or less, preferably 10 μm or less.
μm or less, more preferably 1 μm or less. If the crystal grain size is too large, it is difficult to obtain high strength. The crystal grain size can be determined by a scanning electron microscope (SEM) or small-angle X-ray scattering.

【0030】上記結晶化ガラスの結晶化率は、30〜9
0%、好ましくは60〜85%である。結晶化率が低す
ぎると、硬度が不十分となり、耐摩耗性が不十分とな
る。ただし、後述するような加熱・加圧成形を行えば、
通常、30%以上の結晶化率が得られる。一方、結晶化
率が高すぎると、過度の結晶化およびガラス中のピンホ
ール発生により、表面性が著しく悪化する。過度の結晶
化による表面性の悪化は表面研磨により修正が可能であ
るが、ピンホールの発生による表面性悪化は回復不可能
である。なお、本明細書における結晶化率は、X線回折
チャートを用いたピーク分離法により求めた値である。
The crystallization rate of the crystallized glass is 30 to 9
0%, preferably 60-85%. If the crystallization ratio is too low, the hardness becomes insufficient and the wear resistance becomes insufficient. However, if heat and pressure molding as described below is performed,
Usually, a crystallization ratio of 30% or more is obtained. On the other hand, if the crystallization ratio is too high, excessive crystallization and generation of pinholes in the glass significantly deteriorate the surface properties. Deterioration of surface properties due to excessive crystallization can be corrected by surface polishing, but deterioration of surface properties due to generation of pinholes cannot be recovered. The crystallization ratio in the present specification is a value determined by a peak separation method using an X-ray diffraction chart.

【0031】上記結晶化ガラスのビッカース硬度(加重
200g)は、好ましくは600〜800、より好まし
くは700〜800である。ビッカース硬度が低すぎる
と、耐摩耗性が不十分となる。一方、ビッカース硬度が
高すぎる場合、結晶化が進みすぎていることになるの
で、ピンホールの発生により表面性が悪くなる。
The Vickers hardness (weight: 200 g) of the crystallized glass is preferably from 600 to 800, more preferably from 700 to 800. If the Vickers hardness is too low, the wear resistance becomes insufficient. On the other hand, if the Vickers hardness is too high, it means that the crystallization has progressed too much, and the surface properties deteriorate due to the generation of pinholes.

【0032】電磁変換部 次に、電磁変換部について説明する。The electromagnetic conversion unit will be described electromagnetic conversion unit.

【0033】絶縁膜12は、厚さが1〜20μm程度、
構成材料がAl23、SiO2等であることが好まし
く、形成にはスパッタ法などを用いることが好ましい。
The insulating film 12 has a thickness of about 1 to 20 μm,
The constituent material is preferably Al 2 O 3 , SiO 2 or the like, and it is preferable to use a sputtering method or the like for the formation.

【0034】下部シールド膜13は、厚さが0.1〜5
μm程度、構成材料がFeAlSi、NiFe、CoF
e、CoFeNi、FeN、FeZrN、FeTaN、
CoZrNb、CoZrTa等であることが好ましく、
形成にはスパッタ法やめっき法などを用いることが好ま
しい。
The lower shield film 13 has a thickness of 0.1 to 5
μm, constituent materials are FeAlSi, NiFe, CoF
e, CoFeNi, FeN, FeZrN, FeTaN,
CoZrNb, CoZrTa or the like is preferable,
It is preferable to use a sputtering method or a plating method for the formation.

【0035】絶縁膜14は、厚さが10〜200nm程
度、構成材料がAl23、SiO2等であることが好ま
しく、形成にはスパッタ法などを用いることが好まし
い。
The insulating film 14 preferably has a thickness of about 10 to 200 nm and is made of a material such as Al 2 O 3 or SiO 2 , and is preferably formed by a sputtering method or the like.

【0036】MR膜15は、磁性膜1層で構成してもよ
いが、通常、磁性膜と非磁性膜とを積層した多層膜構造
とすることが好ましい。磁性膜の材料としては、例え
ば、NiFe、NiFeRh、FeMn、NiMn、C
o、Fe、NiO、NiFeCr等が好ましい。また、
非磁性膜の材料としては、例えば、Ta、Cu、Ag等
が好ましい。上記多層膜構造としては、例えば、NiF
eRh/Ta/NiFeの3層構造や、NiFe/Cu
/NiFe/FeMn、NiFe/Cu/Co/FeM
n、Cu/Co/Cu/NiFe、Fe/Cr、Co/
Cu、Co/Agといった複数層構造を1ユニットとし
て複数ユニットを繰り返し積層した構造とすることが好
ましい。さらに、このような多層膜構造とする場合、磁
性膜の膜厚は、0.5〜50nm、特に1〜25nmとする
ことが好ましい。非磁性膜の膜厚は、0.5〜50nm、
特に1〜25nmとすることが好ましい。上記ユニットの
繰り返し数は、1〜30回、特に1〜20回が好まし
い。そして、MR膜全体の厚さは、5〜100nm、特に
10〜60nmであることが好ましい。MR膜の形成に
は、スパッタ法やめっき法などを用いることが好まし
い。
The MR film 15 may be composed of a single magnetic film, but is usually preferably a multilayer film structure in which a magnetic film and a non-magnetic film are laminated. As a material of the magnetic film, for example, NiFe, NiFeRh, FeMn, NiMn, C
o, Fe, NiO, NiFeCr and the like are preferable. Also,
As a material of the nonmagnetic film, for example, Ta, Cu, Ag, or the like is preferable. As the multilayer film structure, for example, NiF
eRh / Ta / NiFe three-layer structure, NiFe / Cu
/ NiFe / FeMn, NiFe / Cu / Co / FeM
n, Cu / Co / Cu / NiFe, Fe / Cr, Co /
It is preferable to adopt a structure in which a plurality of units such as Cu and Co / Ag are repeatedly laminated as one unit. Further, in the case of such a multilayer film structure, the thickness of the magnetic film is preferably 0.5 to 50 nm, particularly preferably 1 to 25 nm. The thickness of the non-magnetic film is 0.5 to 50 nm,
In particular, the thickness is preferably 1 to 25 nm. The number of repetitions of the above unit is preferably 1 to 30, especially 1 to 20 times. The thickness of the entire MR film is preferably 5 to 100 nm, particularly preferably 10 to 60 nm. It is preferable to use a sputtering method, a plating method, or the like for forming the MR film.

【0037】MRリード膜16は、厚さが10〜500
nm、特に50〜300nm程度、構成材料がW、Cu、A
u、Ag、Ta、Mo、CoPt等であることが好まし
く、形成にはスパッタ法やめっき法などを用いることが
好ましい。
The MR lead film 16 has a thickness of 10 to 500
nm, especially about 50 to 300 nm, and the constituent material is W, Cu, A
u, Ag, Ta, Mo, CoPt and the like are preferable, and it is preferable to use a sputtering method, a plating method, or the like for the formation.

【0038】絶縁膜17は、厚さが5〜500nm、特に
10〜200nm、構成材料がAl23、SiO2等であ
ることが好ましく、形成にはスパッタ法などを用いるこ
とが好ましい。
The insulating film 17 preferably has a thickness of 5 to 500 nm, particularly 10 to 200 nm, and is preferably made of a material such as Al 2 O 3 or SiO 2 , and is preferably formed by a sputtering method or the like.

【0039】MRヘッド部を構成する各膜は、レジスト
パターンを用いた通常のリフトオフ法やミリングパタニ
ング法、あるいはこれらを併用する方法などによりパタ
ーニングすることができる。
Each film constituting the MR head portion can be patterned by a usual lift-off method using a resist pattern, a milling patterning method, or a method using both of them.

【0040】誘導型ヘッド部20の下部磁極21および
上部磁極25は、NiFe、CoFe、CoFeNi等
の軟磁性材料から構成される。下部磁極の厚さは、0.
5〜4μm程度であり、上部磁極の厚さは、3〜5μm程
度である。図示例の構造では、下部磁極21はMR膜に
対する磁気シールド膜としても働くため、上部磁極25
に比べ幅広とする。下部磁極の形成には、めっき法やス
パッタ法などを用いればよい。上部磁極の形成には、フ
レームめっき法を用いることが好ましい。
The lower magnetic pole 21 and the upper magnetic pole 25 of the induction type head 20 are made of a soft magnetic material such as NiFe, CoFe, CoFeNi or the like. The thickness of the lower magnetic pole is 0.
The upper magnetic pole has a thickness of about 3 to 5 μm. In the structure of the illustrated example, the lower magnetic pole 21 also functions as a magnetic shield film for the MR film.
Wider than. The lower magnetic pole may be formed by a plating method, a sputtering method, or the like. It is preferable to use a frame plating method for forming the upper magnetic pole.

【0041】絶縁膜22は厚さが0.01〜0.5μm
程度、絶縁膜23は厚さが3〜20μm程度、保護膜2
6は厚さが5〜50μm程度であることが好ましい。絶
縁膜22および保護膜26の構成材料は、Al23、S
iO2等であることが好ましく、これらの形成にはスパ
ッタ法などを用いることが好ましい。また、絶縁膜23
は、フォトレジスト材料を熱硬化させて形成することが
好ましい。
The insulating film 22 has a thickness of 0.01 to 0.5 μm
The thickness of the insulating film 23 is about 3 to 20 μm.
6 preferably has a thickness of about 5 to 50 μm. The constituent materials of the insulating film 22 and the protective film 26 are Al 2 O 3 , S
It is preferable to use iO 2 or the like, and it is preferable to use a sputtering method or the like for forming these. Also, the insulating film 23
Is preferably formed by thermally curing a photoresist material.

【0042】コイル24は、Cu等の導電性材料から構
成される。コイルの厚さは、2〜5μm程度であること
が好ましい。コイルの形成には、フレームめっき法を用
いることが好ましい。
The coil 24 is made of a conductive material such as Cu. The thickness of the coil is preferably about 2 to 5 μm. It is preferable to use a frame plating method for forming the coil.

【0043】本発明の薄膜磁気ヘッドは、アーム等の従
来公知のアセンブリと組み合わせて使用される。
The thin-film magnetic head of the present invention is used in combination with a conventionally known assembly such as an arm.

【0044】製造方法 次に、本発明の薄膜磁気ヘッドの好ましい製造方法につ
いて説明する。
Manufacturing Method Next, a preferred method of manufacturing the thin-film magnetic head of the present invention will be described.

【0045】この方法では、まず、所定形状、例えば円
板状等の結晶化ガラス基板を製造し、この上に薄膜積層
体からなる電磁変換部を形成し、次いで、切断・研磨等
により基板をスライダ形状に加工することにより、薄膜
磁気ヘッドを得る。
In this method, first, a crystallized glass substrate having a predetermined shape, for example, a disk shape, is manufactured, an electromagnetic conversion section composed of a thin film laminate is formed thereon, and then the substrate is cut or polished to form a substrate. By processing into a slider shape, a thin-film magnetic head is obtained.

【0046】結晶化ガラス基板の製造方法の概要を、図
2に示す。
FIG. 2 shows an outline of a method for manufacturing a crystallized glass substrate.

【0047】ガラス材は、原料を溶融し、これを急冷す
ることにより製造する。溶融は、白金や石英、アルミナ
等のるつぼなどを用いて、好ましくは5分間〜20時
間、より好ましくは10分間〜2時間行なう。溶融温度
は組成によって異なるが、通常、1400℃以上であ
り、原料には、酸化物や、溶融時に酸化物を生成し得る
物質、例えば炭酸塩、重炭酸塩、水酸化物などを用いる
ことができる。加熱時に、原料同士の反応により複合酸
化物が形成される。溶融は、通常、空気中で行なう。急
冷の方法は、冷却後に非晶質ガラスとできる方法であれ
ば特に制限はなく、例えば、鉄板、カーボン、水中、型
などに流し出す方法を用いることができる。
The glass material is produced by melting a raw material and quenching it. The melting is performed using a crucible made of platinum, quartz, alumina, or the like, preferably for 5 minutes to 20 hours, more preferably for 10 minutes to 2 hours. The melting temperature varies depending on the composition, but is usually 1400 ° C. or higher. As the raw material, an oxide or a substance capable of forming an oxide when melted, such as a carbonate, a bicarbonate, or a hydroxide, may be used. it can. At the time of heating, a composite oxide is formed by a reaction between the raw materials. Melting is usually performed in air. The quenching method is not particularly limited as long as it can be converted into amorphous glass after cooling. For example, a method of pouring into an iron plate, carbon, water, a mold, or the like can be used.

【0048】なお、ガラスを均質化するために、溶融時
に十分に攪拌したり、溶融→冷却→粉砕→再溶融を繰り
返したり、高周波誘導加熱を行なってもよい。
In order to homogenize the glass, sufficient stirring may be performed at the time of melting, or melting, cooling, pulverization, and re-melting may be repeated, or high-frequency induction heating may be performed.

【0049】このようにして製造した非晶質の透明なガ
ラス材を結晶化するためには、図2(a)、図2(b)
および図2(c)に示す方法のうちのいずれかを用いる
ことが好ましい。
In order to crystallize the amorphous transparent glass material manufactured in this way, FIGS. 2A and 2B
It is preferable to use any of the methods shown in FIG.

【0050】図2(a)に示す方法では、ガラス材に核
生成または分相のための熱処理を施した後、そのガラス
転移点以上の温度域で加圧成形し、次いで結晶化する。
図2(a)では、加圧成形後に結晶化のための熱処理を
施しているが、加圧成形時の加熱により結晶化すること
もできる。図2の(a)、(b)、(c)では、核生成
または分相のための熱処理を一次熱処理とし、結晶化の
ための熱処理を二次熱処理として示してある。
In the method shown in FIG. 2A, a glass material is subjected to a heat treatment for nucleation or phase separation, and then pressure-formed in a temperature range not lower than its glass transition point, and then crystallized.
In FIG. 2A, heat treatment for crystallization is performed after pressure molding, but crystallization may be performed by heating during pressure molding. In FIGS. 2A, 2B and 2C, the heat treatment for nucleation or phase separation is shown as a primary heat treatment, and the heat treatment for crystallization is shown as a secondary heat treatment.

【0051】図2(b)に示す方法では、一次熱処理を
施さず、加圧成形後に二次熱処理を施す。この方法で
も、独立した二次熱処理を施さずに、加圧成形時の加熱
により結晶化することができる。
In the method shown in FIG. 2B, a secondary heat treatment is performed after pressure molding without performing a primary heat treatment. Also in this method, crystallization can be performed by heating during pressure molding without performing an independent secondary heat treatment.

【0052】図2(c)に示す方法では、加圧成形した
後に、一次熱処理および二次熱処理を順次施す。
In the method shown in FIG. 2C, a primary heat treatment and a secondary heat treatment are sequentially performed after pressure molding.

【0053】これらの方法のうちでは、図2(a)に示
す方法が最も好ましい。
Of these methods, the method shown in FIG. 2A is most preferable.

【0054】なお、ガラス材を結晶化した後に加圧成形
することも不可能ではないが、作業性が著しく悪くなる
ため、好ましくない。ただし、ガラス材の組成によって
は結晶化した後でも比較的容易に加圧成形することが可
能なこともある。
Although it is not impossible to form the glass material under pressure after crystallization, it is not preferable because the workability is remarkably deteriorated. However, depending on the composition of the glass material, pressure molding may be relatively easily performed even after crystallization.

【0055】これらの方法において、一次熱処理は、ガ
ラスを一様に結晶化するために必要に応じて施される。
ガラス材の組成によっては、結晶が異常に成長して強度
が不十分となったりするが、このような場合、結晶化の
前に一次熱処理を施すことにより均一に結晶化すること
が可能となる。また、一次熱処理を施すことにより、結
晶化に要する時間を短縮することもできる。一次熱処理
における各種条件は特に限定されないが、核生成または
分相が生じる温度付近、具体的には600〜850℃程
度で30分間〜50時間程度熱処理すればよい。なお、
核生成または分相が生じる温度が結晶化温度に近い場合
には、一次熱処理を省略しても影響は少ない。また、二
次熱処理の際の昇温速度を遅くすることによって核生成
または分相が生じる温度付近の通過時間を長くすれば、
独立した一次熱処理を施した場合と同様な効果を得るこ
とが可能である。
In these methods, the primary heat treatment is performed as necessary to uniformly crystallize the glass.
Depending on the composition of the glass material, crystals grow abnormally and the strength becomes insufficient, but in such a case, it is possible to uniformly crystallize by performing a primary heat treatment before crystallization. . Further, by performing the primary heat treatment, the time required for crystallization can be reduced. Various conditions in the primary heat treatment are not particularly limited, but heat treatment may be performed at a temperature near the nucleation or phase separation, specifically, about 600 to 850 ° C. for about 30 minutes to 50 hours. In addition,
When the temperature at which nucleation or phase separation occurs is close to the crystallization temperature, omitting the primary heat treatment has little effect. Also, if the passage time near the temperature at which nucleation or phase separation occurs is lengthened by slowing the rate of temperature rise during the secondary heat treatment,
The same effect as in the case where independent primary heat treatment is performed can be obtained.

【0056】図2の(a)〜(c)に示す各方法におけ
る加圧成形時の温度は、ガラスの粘性流動が利用できる
ようにガラス材のガラス転移点以上とし、好ましくは5
MPa以下で成形が可能な温度範囲である。ガラス材の結
晶化は、成形時の温度によっては成形中も進行するた
め、所望の結晶化率範囲に収まるように成形時の温度を
適宜設定する。この温度は成形に要する時間によっても
異なり、具体的には実験などにより確認すればよいが、
通常、1000℃以下、好ましくは700〜930℃で
ある。
The temperature at the time of pressure molding in each of the methods shown in FIGS. 2A to 2C is set to be equal to or higher than the glass transition point of the glass material so that viscous flow of the glass can be utilized.
It is a temperature range where molding is possible at MPa or less. Since the crystallization of the glass material proceeds during the molding depending on the temperature during the molding, the temperature during the molding is appropriately set so as to fall within a desired crystallization rate range. This temperature varies depending on the time required for molding, and may be specifically confirmed by experiments or the like.
Usually, it is 1000 ° C or lower, preferably 700 to 930 ° C.

【0057】ガラス材の加熱は、あらかじめ加熱した型
中に挿入することにより行なってもよく、ガラス材を入
れた型を炉に入れることにより行なってもよい。そし
て、ガラス材が軟化点まで昇温した後、加圧成形する。
この他、加熱後に型を炉から取り出して、加圧してもよ
く、この場合、炉中で多数のガラス材を同時に加熱でき
るので、生産性が向上する。このように、ガラス材の加
圧は、成形時の最高温度に到達する前に開始してもよ
く、成形時の最高温度に到達してから開始してもよい。
前者の場合、ガラスが軟化すると同時に成形が始まるた
め、成形工程を短縮することができる。また、設定した
最高温度に達する前に必要な変位が得られれば、その時
点で加圧を中止することができるので、さらに時間短縮
が可能である。一方、後者では、成形後の均質性が良好
となる。また、ガラスの粘度が低下してから圧力を加え
るので、成形用型の割れを防ぐことができる。加圧は、
ガラス材が型に忠実な変形を示すまで持続すればよく、
加圧手段や加圧時の温度などによっても異なるが、通常
は5〜20分間程度持続すればよい。
The heating of the glass material may be carried out by inserting it into a preheated mold, or by placing the mold containing the glass material in a furnace. Then, after the temperature of the glass material is raised to the softening point, pressure molding is performed.
In addition, the mold may be taken out of the furnace after heating and pressurized. In this case, since a large number of glass materials can be heated simultaneously in the furnace, the productivity is improved. Thus, the pressing of the glass material may be started before reaching the maximum temperature during molding, or may be started after reaching the maximum temperature during molding.
In the former case, the molding is started simultaneously with the softening of the glass, so that the molding step can be shortened. Further, if the necessary displacement is obtained before reaching the set maximum temperature, pressurization can be stopped at that point, so that the time can be further reduced. On the other hand, in the latter, the homogeneity after molding is good. In addition, since pressure is applied after the viscosity of the glass has decreased, cracking of the molding die can be prevented. Pressurization is
It only has to last until the glass material shows a deformation faithful to the mold,
Although it varies depending on the pressurizing means and the temperature at the time of pressurization, it is usually sufficient to keep it for about 5 to 20 minutes.

【0058】ガラス材の表面付近から結晶化が進行した
場合、結晶化後に、ガラス材の表面付近に結晶化率の高
い領域が存在することがある。本発明にはこのような領
域が存在する場合も含まれるが、一様に結晶化してこの
ような領域が実質的に存在しないことが、より好まし
い。
When crystallization proceeds from near the surface of the glass material, there may be a region having a high crystallization rate near the surface of the glass material after crystallization. Although the present invention includes the case where such a region exists, it is more preferable that the region is uniformly crystallized and such a region does not substantially exist.

【0059】なお、加圧成形後に二次熱処理を行なう場
合には、冷却せずに続いて二次熱処理を行なえば生産性
が向上する。
In the case where the secondary heat treatment is performed after the pressure molding, the productivity is improved by performing the secondary heat treatment without cooling.

【0060】上記したガラス転移点、軟化点、結晶化温
度、核生成または分相が生じる温度などは、示差熱分析
や熱膨張率の測定などにより求めることができる。
The glass transition point, softening point, crystallization temperature, temperature at which nucleation or phase separation occurs, and the like can be determined by differential thermal analysis, measurement of the coefficient of thermal expansion, and the like.

【0061】結晶化ガラス基板は、電磁変換部を形成す
る前に、その表面を研磨して平滑化することが好まし
い。研磨方法は特に限定されず、必要とされる表面粗さ
が実現できる方法から適宜選択すればよい。研磨後の表
面粗さ(JIS B 0610で規定されているRmax)は、5.
0nm以下、特に4.0nm以下であることが好ましい。
It is preferable that the surface of the crystallized glass substrate is polished and smoothed before forming the electromagnetic conversion portion. The polishing method is not particularly limited, and may be appropriately selected from methods capable of achieving the required surface roughness. The surface roughness after polishing (Rmax specified in JIS B 0610) is 5.
It is preferably at most 0 nm, particularly preferably at most 4.0 nm.

【0062】[0062]

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。Embodiments of the present invention will be described below.

【0063】基板No.1 最終組成がSiO2 :50.0重量%、MgO :1
5.1重量%、Al23:11.0重量%、TiO2
12.2重量%、CaO :11.7重量%となるよう
に化合物の粉末を秤量し、再溶融法を用いて均質なガラ
ス融液を作製し、ガラス融液をカーボンの型に流し込ん
で、ドーム状のガラスインゴットを得た。
Substrate No. 1 The final composition was SiO 2 : 50.0% by weight, MgO: 1
5.1 wt%, Al 2 O 3: 11.0 wt%, TiO 2:
The compound powder was weighed so as to be 12.2% by weight and CaO 2: 11.7% by weight, and a homogeneous glass melt was prepared by a re-melting method, and the glass melt was poured into a carbon mold. A dome-shaped glass ingot was obtained.

【0064】このガラスインゴットを電気炉に入れて一
次熱処理および二次熱処理を施し、二次熱処理の際に加
圧成形を行って、結晶化ガラスからなる円板状の基板N
o.1を得た。一次熱処理は、インゴットの歪み緩和のた
めのアニールおよび結晶核生成のためのものであり、二
次熱処理は、結晶化のためのものである。一次熱処理の
温度−時間プロファイルは、750℃まで35分間で昇
温してアニールのために5分間保持した後、730℃ま
で5分間で降温し、結晶核生成のためにこの温度に10
時間保持した後、35分間で20℃まで降温するものと
した。二次熱処理の温度−時間プロファイルは、850
℃まで40分間で昇温して30分間保持した後、910
℃まで10分間で昇温して10分間保持し、次いで、2
時間で20℃まで降温するものとした。なお、加圧は、
760〜850℃のときに行い、加圧力は0.28MPa
とした。各熱処理は、カーボンの型の酸化を防ぐために
Ar雰囲気中で行った。基板No.1は、白色で半透明で
あった。
The glass ingot is placed in an electric furnace and subjected to a first heat treatment and a second heat treatment. During the second heat treatment, the glass ingot is subjected to pressure molding to form a disc-shaped substrate N made of crystallized glass.
o.1. The first heat treatment is for annealing and crystal nucleation for relaxing the ingot, and the second heat treatment is for crystallization. The temperature-time profile of the primary heat treatment is as follows: the temperature is raised to 750 ° C. in 35 minutes, held for 5 minutes for annealing, and then lowered to 730 ° C. in 5 minutes.
After holding for a time, the temperature was lowered to 20 ° C. in 35 minutes. The temperature-time profile of the secondary heat treatment is 850.
After raising the temperature to 40 ° C. for 40 minutes and holding for 30 minutes, 910
To 10 ° C. in 10 minutes and hold for 10 minutes, then 2
The temperature was lowered to 20 ° C. over time. In addition, pressurization is
It is performed at 760-850 ° C, and the pressing force is 0.28MPa.
And Each heat treatment was performed in an Ar atmosphere to prevent oxidation of the carbon mold. Substrate No. 1 was white and translucent.

【0065】次に、基板No.1の表面を、研磨した。研
磨には、圧力を300g/cm2に設定した固定砥粒定盤を
用い、加工液には、研削液を50倍に希釈したもの(p
H9)を用いた。この研磨により、表面粗さRmaxは
4.0nm以下となった。
Next, the surface of the substrate No. 1 was polished. For polishing, a fixed abrasive platen with a pressure set to 300 g / cm 2 was used, and the working fluid was prepared by diluting the grinding fluid 50-fold (p
H9) was used. This polishing reduced the surface roughness Rmax to 4.0 nm or less.

【0066】基板No.1のX線回折チャートから、ピー
ク分離法により結晶化率を求めたところ、35%であっ
た。また、基板No.1のビッカース硬度(加重200g)
は、660であった。
From the X-ray diffraction chart of the substrate No. 1, the crystallization ratio was determined by the peak separation method and found to be 35%. Vickers hardness of substrate No.1 (weight 200g)
Was 660.

【0067】基板No.1についてTMA(熱機械分析)
を行い、熱膨張特性を調べたところ、薄膜磁気ヘッドの
加工工程における加熱範囲(300℃以下)では線膨張
率の変化率が小さく、かつ安定していた。また、寸法変
化も無視し得るものであった。
TMA (Thermo-mechanical analysis) for substrate No. 1
When the thermal expansion characteristic was examined, the rate of change of the linear expansion coefficient was small and stable in the heating range (300 ° C. or lower) in the processing step of the thin-film magnetic head. Also, the dimensional change was negligible.

【0068】基板No.2 二次熱処理の温度−時間プロファイルにおいて、850
℃での保持時間を2時間とし、910℃での保持時間を
30分間としたほかは基板No.1の場合と同様な条件で
基板No.2を作製した。基板No.2は、白色で不透明であ
った。
In the temperature-time profile of the substrate No. 2 secondary heat treatment,
Substrate No. 2 was manufactured under the same conditions as in the case of Substrate No. 1 except that the holding time at ° C. was 2 hours and the holding time at 910 ° C. was 30 minutes. Substrate No. 2 was white and opaque.

【0069】基板No.2の表面を、基板No.1と同様にし
て研磨した。この研磨により、表面粗さRmaxは4.0n
m以下となった。
The surface of substrate No. 2 was polished in the same manner as substrate No. 1. By this polishing, the surface roughness Rmax was 4.0n.
m or less.

【0070】基板No.2について、基板No.1と同様な測
定を行った結果、結晶化率は80%であり、ビッカース
硬度は770であった。なお、基板No.2は基板No.1に
比べ、高温での線膨張率の安定性がより良好であった。
The same measurement as that of the substrate No. 1 was performed on the substrate No. 2, and as a result, the crystallization ratio was 80% and the Vickers hardness was 770. In addition, the stability of the coefficient of linear expansion at a high temperature of the substrate No. 2 was better than that of the substrate No. 1.

【0071】基板No.3(比較例) 基板No.1、2に用いたものよりも結晶化しやすい組成
のガラスインゴット、具体的には、SiO2 :43.0
重量%、MgO :23.9重量%、Al23:15.
7重量%、TiO2 :10.5重量%、CaO :
6.9重量%からなるガラスインゴットを用い、910
℃での保持時間を4時間としたほかは基板No.2の場合
と同様な条件で基板No.3を作製した。基板No.3は、白
色で不透明であった。
Substrate No. 3 (Comparative Example) A glass ingot having a composition that is easier to crystallize than those used for substrates Nos. 1 and 2, specifically, SiO 2 : 43.0
% By weight, MgO: 23.9% by weight, Al 2 O 3 : 15.
7 wt%, TiO 2: 10.5 wt%, CaO:
910% by weight of a glass ingot consisting of 6.9% by weight.
Substrate No. 3 was produced under the same conditions as in the case of Substrate No. 2 except that the holding time at ° C. was 4 hours. Substrate No. 3 was white and opaque.

【0072】基板No.3の表面を、基板No.1と同様にし
て研磨した。この研磨により、表面粗さRmaxは32nm
となった。基板No.3の表面を光学顕微鏡により観察し
たところ、研磨後においても多数のピンホールが認めら
れ、スライダとしての利用は不可能であった。
The surface of the substrate No. 3 was polished in the same manner as the substrate No. 1. By this polishing, the surface roughness Rmax is 32 nm
It became. When the surface of the substrate No. 3 was observed with an optical microscope, many pinholes were observed even after polishing, and it was impossible to use the slider as a slider.

【0073】基板No.3について、基板No.1と同様な測
定を行った結果、結晶化率は95%であり、ビッカース
硬度は790であった。
The same measurement as that of the substrate No. 1 was performed on the substrate No. 3, and as a result, the crystallization ratio was 95% and the Vickers hardness was 790.

【0074】なお、基板No.3の作製に用いたガラスイ
ンゴットに、基板No.1または基板No.2の作製時に用い
た二次熱処理を施したところ、結晶化率およびビッカー
ス硬度は本発明範囲内となった。
When the glass ingot used for producing the substrate No. 3 was subjected to the secondary heat treatment used for producing the substrate No. 1 or the substrate No. 2, the crystallization ratio and the Vickers hardness were within the range of the present invention. Became inside.

【0075】薄膜磁気ヘッド 基板No.1または基板No.2の表面上に電磁変換部を形成
した後、切断および研磨により基板をスライダ形状に加
工し、図1に示す構成の薄膜磁気ヘッドを作製した。ス
ライダ1に接する絶縁膜12は、SiO2から構成し
た。
After forming an electromagnetic conversion portion on the surface of the thin film magnetic head substrate No. 1 or No. 2, the substrate is processed into a slider shape by cutting and polishing to produce a thin film magnetic head having the structure shown in FIG. did. The insulating film 12 in contact with the slider 1 was made of SiO 2 .

【0076】どちらの基板を用いた場合でも、基板の切
断および研磨は容易であり、短時間で薄膜磁気ヘッドが
得られた。また、研磨の際に電磁変換部のリセスは発生
しなかった。
Regardless of which substrate was used, cutting and polishing of the substrate was easy, and a thin-film magnetic head was obtained in a short time. In addition, no recess of the electromagnetic conversion portion occurred during polishing.

【0077】これらの薄膜磁気ヘッドを用いて、CSS
を繰り返し行った。その結果、CSSを10万回以上繰
り返しても読み取りが可能であり、スライダと電磁変換
部との接着性が良好で、スライダの耐摩耗性が良好であ
ることが確認できた。
Using these thin-film magnetic heads, CSS
Was repeated. As a result, it was confirmed that reading was possible even when CSS was repeated 100,000 times or more, that the adhesion between the slider and the electromagnetic conversion portion was good, and that the slider had good wear resistance.

【0078】以上の結果から、本発明の効果が明らかで
ある。
From the above results, the effect of the present invention is clear.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】薄膜磁気ヘッドの構成例を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration example of a thin-film magnetic head.

【図2】(a)〜(c)は、本発明で用いる結晶化ガラ
スの製造方法を説明するためのフローチャートである。
FIGS. 2A to 2C are flowcharts for explaining a method for producing crystallized glass used in the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 スライダ 10 MRヘッド部 12 絶縁膜 13 下部シールド膜 14 絶縁膜 15 MR膜(磁気抵抗効果膜) 16 MRリード膜 17 絶縁膜 20 誘導型ヘッド部 21 下部磁極 22 絶縁膜(ギャップ) 23 絶縁膜 24 コイル 25 上部磁極 26 保護膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Slider 10 MR head part 12 Insulating film 13 Lower shield film 14 Insulating film 15 MR film (Magnetoresistance effect film) 16 MR lead film 17 Insulating film 20 Inductive head part 21 Lower magnetic pole 22 Insulating film (gap) 23 Insulating film 24 Coil 25 Upper magnetic pole 26 Protective film

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 酸化ケイ素、酸化マグネシウムおよび酸
化アルミニウムを主成分として含み、これらをそれぞれ
SiO2、MgOおよびAl23に換算し、重量百分率
で含有量を表わしたとき、 SiO2 :30〜65重量%、 MgO :9〜40重量%、 Al23:8〜41重量%であり、 結晶化率が30〜90%である結晶化ガラスから構成さ
れるスライダを有し、このスライダ上に電磁変換部が設
けられている薄膜磁気ヘッド。
1. A silicon oxide comprises as a main component magnesium oxide and aluminum oxide, which was converted into SiO 2, MgO and Al 2 O 3, respectively, when representing the content in weight percent, SiO 2:. 30 to 65 wt%, MgO: 9 to 40 wt%, Al 2 O 3: 8~41 weight%, and the crystallization rate has a slider composed of crystallized glass is 30 to 90%, on the slider Thin-film magnetic head provided with an electromagnetic converter.
【請求項2】 前記結晶化ガラスのビッカース硬度が6
00〜800である請求項1の薄膜磁気ヘッド。
2. The crystallized glass having a Vickers hardness of 6
2. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein the number is from 00 to 800.
【請求項3】 前記結晶化ガラスが酸化チタンを含み、
これをTiO2に換算し、重量百分率で含有率を表した
とき、 TiO2:15重量%以下である請求項1または2の薄
膜磁気ヘッド。
3. The crystallized glass comprises titanium oxide,
3. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein TiO 2 is 15% by weight or less when converted to TiO 2 and expressed as a percentage by weight.
【請求項4】 前記結晶化ガラスがディオプサイド結晶
を含む請求項1〜3のいずれかの薄膜磁気ヘッド。
4. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein said crystallized glass includes a diopside crystal.
【請求項5】 前記スライダの電磁変換部が設けられて
いる表面の表面粗さRmaxが、5.0nm以下である請求
項1〜4のいずれかの薄膜磁気ヘッド。
5. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein a surface roughness Rmax of a surface of the slider on which the electromagnetic transducer is provided is 5.0 nm or less.
JP25423097A 1997-09-03 1997-09-03 Thin film magnetic head Withdrawn JPH1179785A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25423097A JPH1179785A (en) 1997-09-03 1997-09-03 Thin film magnetic head

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25423097A JPH1179785A (en) 1997-09-03 1997-09-03 Thin film magnetic head

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1179785A true JPH1179785A (en) 1999-03-23

Family

ID=17262078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25423097A Withdrawn JPH1179785A (en) 1997-09-03 1997-09-03 Thin film magnetic head

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1179785A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002255585A (en) * 2001-03-01 2002-09-11 Hitachi Ltd Glass substrate for information recording disk and information recording disk using the glass substrate
DE10245234A1 (en) * 2002-09-27 2004-04-08 Schott Glas Crystallizable glass and its use for the production of a highly rigid, break-resistant glass ceramic with a surface that can be easily polished
JP2014240348A (en) * 2005-12-30 2014-12-25 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Composite articles and methods of manufacturing said composite articles
EP3027578A4 (en) * 2013-09-25 2016-08-24 Byd Co Ltd Wave absorbing material and method of preparing the same
JP2022506640A (en) * 2018-11-05 2022-01-17 コーニング インコーポレイテッド Manufacturing method of 3D glass ceramic articles

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002255585A (en) * 2001-03-01 2002-09-11 Hitachi Ltd Glass substrate for information recording disk and information recording disk using the glass substrate
DE10245234A1 (en) * 2002-09-27 2004-04-08 Schott Glas Crystallizable glass and its use for the production of a highly rigid, break-resistant glass ceramic with a surface that can be easily polished
WO2004031089A1 (en) 2002-09-27 2004-04-15 Schott Ag Crystallisable glass and the use thereof for producing extremely solid and break-resistant glass-ceramics having an easily polished surface
US7291571B2 (en) 2002-09-27 2007-11-06 Schott Ag Crystallizable glass and the use thereof for producing extremely solid and break resistant glass-ceramics having an easily polished surface
DE10245234B4 (en) * 2002-09-27 2011-11-10 Schott Ag Crystallisable glass, its use for producing a highly rigid, break-resistant glass ceramic with a good polishable surface and use of the glass ceramic
JP2014240348A (en) * 2005-12-30 2014-12-25 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Composite articles and methods of manufacturing said composite articles
EP3027578A4 (en) * 2013-09-25 2016-08-24 Byd Co Ltd Wave absorbing material and method of preparing the same
US10308555B2 (en) 2013-09-25 2019-06-04 Byd Company Limited Wave-absorbing materials and methods for preparing the same
JP2022506640A (en) * 2018-11-05 2022-01-17 コーニング インコーポレイテッド Manufacturing method of 3D glass ceramic articles
US11554976B2 (en) 2018-11-05 2023-01-17 Corning Incorporated Methods of making three dimensional glass ceramic articles

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1577275B1 (en) Crystallized glass for information recording medium, crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass
US6332338B1 (en) Method of producing glass substrate for information recording medium
JP5542953B2 (en) Glass substrate for magnetic recording medium, magnetic recording medium, and glass substrate blank for magnetic recording medium
JP4428835B2 (en) Magnetic recording medium and method for manufacturing the same
CN102432171B (en) Glass for use as substrate for information recording medium and chemical reinforcing glass
US7589038B2 (en) Inorganic composition
KR100446053B1 (en) Substrate for information recording media
EP1067102B1 (en) Substrate for information recording medium and magnetic recording medium composed of crystallized glass
JP5993306B2 (en) Glass substrate for magnetic recording medium and use thereof
JP4726399B2 (en) Glass substrate
SG178005A1 (en) Glass substrate for magnetic disk and manufacturing method of the same
JP4726400B2 (en) Manufacturing method of glass substrate
US20100189886A1 (en) Method For Making Data Storage Media
JPH1179785A (en) Thin film magnetic head
US6028750A (en) Thin film magnetic head substrate with improved heat radiation
WO2006030961A1 (en) Method for manufacturing perpedicular magnetic recording medium, perpendicular magnetic recording medium, and magnetic recording/ reproducing apparatus
JP7459715B2 (en) Substrate for magnetic recording medium, magnetic recording medium and magnetic storage device
JP7491133B2 (en) Substrate for magnetic recording medium, magnetic recording medium and magnetic storage device
US5916655A (en) Disk substrate
US5820960A (en) Thin zirconia disk substrate
JP2001180975A (en) Substrate for information recording medium comprising crystallized glass and the information recording medium
JP4442051B2 (en) Glass substrate, information recording medium using the same, and optical communication element
WO1995028703A1 (en) Improved disk substrate
JPH09134518A (en) Magnetic recording medium
JPH07101502B2 (en) Magnetic recording medium

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20040531

A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20041207