JPH1170468A - ウエハの研磨方法及び研磨パッドのドレッシング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハの研磨方法において、研磨パッドの局
部的な研磨レートの劣化に起因するウエハ平坦度の均一
性の悪化を回避する。 【解決手段】 研磨パッドが貼り付けられたプラテン
（定盤）の回転速度をｍ（ｒｐｍ）とし、ウエハを装着
したキャリアの回転速度をｎ（ｒｐｍ）としたとき
（ｍ，ｎは互いに素な自然数）、ｍｎの最小公倍数をで
きるだけ大きくする。このとき、プラテンがｍ回転する
までは、ウエハ上の定点と接触する研磨パッド上の点の
描く軌跡が研磨開始当初の接触点に戻ることがなく、軌
跡が研磨パッド上に均一に分布する。したがって、ウエ
ハ上の各点が研磨パッド上の大半の領域と接し、ウエハ
上のある点が研磨パッド内の研磨レートの低い領域に高
い頻度で接する一方、ウエハ上の他の点は研磨レートの
低い領域とはあまり接しないことに起因するウエハの平
坦度の均一性の悪化を防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ケミカルメカニカ
ルポリッシング（ＣＭＰ）によるウエハの研磨方法と、
このＣＭＰに使用される研磨パッドのドレッシング方法
とに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体集積回路が形成された
ウエハの表面をほぼ完全に平坦化するためのプロセスと
して、ウエハをプラテン（定盤）に取り付けられた研磨
パッド上で回転させながらコロイダルシリカを液中に分
散させたスラリー状の研磨液を両者間に供給し、ウエハ
の表面を研磨していくケミカルメカニカルポリッシング
いわゆるＣＭＰが注目されている。

【０００３】ウエハの層間絶縁膜等の上面を平坦化する
場合、有機溶剤に溶けたガラス溶液をウエハ上に回転塗
布するＳＯＧ法や、層間絶縁膜上にフォトレジスト膜を
堆積した後フォトレジスト膜と層間絶縁膜とを同時にエ
ッチングするエッチバック法に比べ、このＣＭＰ法は、
化学的研磨作用に機械的研磨作用が付加されているため
に、より完全にウエハを平坦化できる技術ではある。し
かし、ウエハ内の全ての部分で理想的な平坦度を得よう
とすると、まだ改善の余地があるのが現状である。そこ
で、ウエハ内における平坦度の均一性を高めるための多
くの提案がなされている。

【０００４】たとえば、特開平８−３３９９７９号公報
に開示されるごとく、ウエハの裏面を流体で支持するこ
とによりウエハ内における平坦度の均一性を向上させる
ものがある。

【０００５】また、特開平９−２２５８１２号公報に開
示されているごとく、ＣＭＰを行いながら研磨パッドの
平坦度を良好に保持する手段を講ずることにより、ウエ
ハの平坦度の均一性を向上させようとするものがある。

【０００６】また、一般に、ＣＭＰにおける研磨レート
Ｒpoを算出するものとして、下記のPreston の式が知ら
れている。

【０００７】Ｒpo＝ｋ＊Ｐ＊Ｖ ただし、ｋ：Preston 係数 Ｐ：圧力 Ｖ：研磨パッドとウエハとの相対速度 従来、この式に基づいて、研磨レートの面内均一性を向
上させるためには、パッドとウエハの相対速度の時間積
分をウエハ上の任意の点で相等しくすることが指向され
ていた。すなわち、Preston の式によれば、研磨パッド
の回転速度とウエハの回転速度とが相等しい場合に、ウ
エハ上の任意の点において、ウエハとパッドとの相対速
度の時間積分が相等しくなり、面内レート均一性が最良
になると考えられていた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＣＭＰ
は、化学的研磨作用と機械的研磨作用とによるものであ
るために、実際のプロセスでは研磨状態の変化も複雑で
あり、研磨中に研磨パッドの状態を常に理想的な状態に
維持するのは困難である。そして、例えば、文献（VLSI
Multilevel Interconnection conference(1997)p.175-
179)に記載されているように、上述のPreston の式から
導かれる条件が必ずしも面内均一性を最良にするものと
は限らないことがしばしば見られた。最良の条件がこの
Preston の式に基づく条件からはずれる要因にはいくつ
か考えられるものの、上記文献においても、未だ面内均
一性を向上するための新たな指針は提案されていない。

【０００９】たとえば、独立気泡型発砲ポリウレタン樹
脂からなる研磨パッドをプラテンに取り付けている場
合、発明者達の観察によると以下のメカニズムによって
研磨レートが変化する。

【００１０】図１０に示すように、独立気泡型発砲ポリ
ウレタン樹脂は、その表面で気泡が開口してなる径が５
０−１００μｍ程度の多くの凹部を有しており、この凹
部内にスラリー状の研磨剤が蓄えられる。研磨中には、
凹部内のスラリー状の研磨剤が少しずつ研磨パッドとウ
エハ間に供給されて、研磨が行われる。しかし、研磨に
よってウエハや研磨パッドから除去された研磨屑が凹部
内に溜まったり、ウエハの荷重によって局所的に凹部が
閉塞されると、その部分では研磨が行われないことにな
る。これらの原因によって、研磨パッド内における研磨
レートが局部的に変化するとともに、全体としての研磨
レートの低下をもたらす。そこで、研磨パッドをある程
度の時間使用すると、ダイヤモンド砥粒を有するドレッ
シング砥石によって研磨パッドの表面を削ることが行わ
れており、これにより、研磨パッド全体が再び活性化さ
れ、表面には新たな凹部が生成される。しかし、ドレッ
シングと次のドレッシングとの間において目詰まりや平
坦性の悪化を完全に解消することは現在のところ困難で
ある。

【００１１】ここで、本発明者達は、研磨パッド内にお
ける上述のような局部的な研磨レートのばらつきがウエ
ハの平坦度の均一性に悪影響を及ぼしているのではない
かということを示唆するものとして、以下のような注目
すべき事実に気がついた。

【００１２】ダイヤモンド粒子などを含有するドレッシ
ングディスク（ドレッサー）によって研磨パッドをドレ
ッシングした後に、ダイヤモンド粒子がドレッサーから
脱落して研磨パッドに残留し、ウエハに肉眼で見えるよ
うな深い大きなスクラッチを生ぜしめることがある。こ
のスクラッチを観察すると、ダイヤモンド粒子の大きさ
に比べて深く大きいことがわかった。このような大きな
スクラッチが生じる原因は、研磨パッドの所定位置に食
い込んだダイヤモンド粒子が、研磨パッドとウエハとの
相対的回転運動に伴いウエハ上の特定の軌跡を何回も通
ることにより、当初のマイクロスクラッチが徐々に拡大
されたものと推測される。

【００１３】すなわち、研磨パッドに上述のような研磨
レートの不均一性が存在する場合に、たとえば研磨パッ
ド上の局部的に研磨レートの小さい部分がウエハ上の同
じ領域を特に高い頻度で通過するならば、逆に考える
と、ウエハ上の定点が研磨パッド上の特定の領域のみを
高い頻度で通過するならば、研磨パッドの研磨レートの
ばらつきが次第にウエハ上で助長されてウエハの平坦度
の均一性を悪化させる原因となる。しかるに、従来のＣ
ＭＰにおいては、研磨パッドの回転とウエハの回転との
関係はほとんど考慮されていない。

【００１４】本発明は、このような知見に基づきなされ
たものであって、ウエハの研磨方法として、研磨パッド
の平坦性，ウエハ−研磨パッド間の平行度等の精度的な
問題とは別に、ウエハの各点に対する研磨パッドの接触
領域を研磨パッド上でできる限り均一に分布させること
により、研磨パッド内の研磨レートの不均一性の影響を
受けることなく、ウエハ内の平坦度の均一性を向上させ
る方法を確立することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、ウエハの研磨方法に関する手段と、研
磨パッドのドレッシングに関する手段とを講じている。

【００１６】本発明のウエハの研磨方法は、定盤上に取
り付けられた研磨パッドを第１の回転速度で回転させ、
上記研磨パッドの表面上に研磨剤を供給し、ウエハを第
２の回転速度で回転させながら上記研磨パッドの表面に
押圧することにより上記ウエハを研磨するウエハの研磨
方法であって、上記第１の回転速度と上記第２の回転速
度との比は、上記ウエハ上の定点と接触する研磨パッド
上の点の描く軌跡が研磨パッド上で均一に分布するよう
に調整されている。

【００１７】この方法により、研磨中にウエハ上の任意
の点ができる限り多くの研磨パッド上の点と接するの
で、研磨パッド内の局部的研磨レートのばらつきによる
悪影響を受けることがなく、研磨終了後におけるウエハ
の被研磨面の平坦度の均一性が向上する。

【００１８】上記ウエハの研磨方法において、上記第１
の回転速度と上記第２の回転速度との比を、上記ウエハ
上の定点と接触する研磨パッド上の点が研磨中に実質的
に一定となる軌跡を描かないように調整することができ
る。

【００１９】この方法により、研磨中にウエハ上のどの
点も研磨パッド上の多くの領域と接することになる。し
たがって、研磨パッド内の局部的研磨レートのばらつき
による悪影響を受けることがなく、研磨終了後における
ウエハの被研磨面の平坦度の均一性が向上する。

【００２０】上記ウエハの研磨方法において、上記第１
の回転速度と上記第２の回転速度との比を、両者の比を
互いに素である自然数ｍ，ｎの比で表したときに、上記
自然数ｍ，ｎの最小公倍数が１０以上であるように調整
することができる。

【００２１】この方法により、定盤がｍ回転したときに
ウエハがｍｎ／ｍ回転つまりｎ回転して、ウエハ上の定
点が接触する研磨パッド上の点が最初の位置に戻り、そ
の後、一定軌跡上を移動する。しかし、ｍ，ｎの最小公
倍数が大きいときにはこの一定軌跡の全長が長くなるの
で、その分、上記一定軌跡が研磨パッド上の多くの領域
を通ることになる。したがって、ウエハ上の任意の点が
他の点に比べて研磨パッド上の局部的に研磨レートの低
い領域に高い頻度で接するような事態は可及的に回避さ
れ、研磨後におけるウエハの被研磨面の平坦度の均一性
が向上する。

【００２２】上記ウエハの研磨方法において、上記第１
の回転速度と上記第２の回転速度との比がほぼ無理数で
あるように調整することができる。

【００２３】この方法により、定盤の回転速度とウエハ
の回転速度との比を近似的に整数の比で表したとして
も、両者の最小公倍数は極めて大きくなる。したがっ
て、ウエハ上の１点と接触する研磨パッド上の点が一定
軌跡内に入るまでには、その一定軌跡が研磨パッド上の
領域をまんべんなく通ることになる。また、現実に限ら
れている研磨時間内では、ウエハ上の１点と接触する研
磨パッド上の点が一定軌跡内に入ることはない。したが
って、上述の作用効果がより顕著に得られることにな
る。

【００２４】上記ウエハの研磨方法において、上記研磨
パッドを独立気泡型発砲ポリウレタン樹脂により構成し
ておくことが好ましい。

【００２５】この方法により、研磨パッド上で、気泡が
開口して形成される凹部への研磨屑の蓄積や凹部のつぶ
れによって局部的に研磨レートが低い部分が生じても、
上述の作用により、ウエハのある特定の点のみがその影
響を強く受けることがないので、上述の作用効果が確実
に得られることになる。

【００２６】また、上記ウエハの研磨方法において、上
記研磨パッドに、周期的に形成された溝又は穴を設けて
おくことができる。

【００２７】この方法により、溝や穴を介してスラリー
状の研磨剤の供給，排泄が円滑に行なわれる。目詰まり
した溝や穴は実質的に研磨に寄与しない不活性領域と見
なしうるが、上述の使用により、ウエハのある特定の領
域のみがその影響を強く受けることがないので、上述の
作用効果が確実に得られることになる。

【００２８】本発明の研磨パッドのドレッシング方法
は、回転する定盤上に取り付けられた研磨パッドを第１
の回転速度で回転させ、ドレッサーを第２の回転速度で
回転させながら上記研磨パッドの表面に押圧することに
より上記研磨パッドの表面を活性化させる研磨パッドの
ドレッシング方法であって、上記第１の回転速度と上記
第２の回転速度との比は、上記ドレッサー上の定点と接
触する研磨パッド上の点の描く軌跡が研磨パッド上で均
一に分布するように調整されている。

【００２９】上記研磨パッドのドレッシング方法におい
て、上記第１の回転速度と上記第２の回転速度との比
を、上記ドレッサー上の定点と接触する研磨パッド上の
点が研磨中に実質的に一定となる軌跡を描かないように
調整することができる。

【００３０】上記研磨パッドのドレッシング方法におい
て、上記第１の回転速度と上記第２の回転速度との比
を、両者の比を互いに素である自然数ｍ，ｎの比で表し
たときに、上記自然数ｍ，ｎの最小公倍数が１０以上で
あるように調整することができる。

【００３１】上記記載の研磨パッドのドレッシング方法
において、上記第１の回転速度と上記第２の回転速度と
の比がほぼ無理数であるように調整することができる。

【００３２】これらの方法により、ウエハの研磨方法に
おける作用効果と同様に、微細なダイヤモンド等の砥粒
が埋設されたドレッサーを用いて研磨パッドをドレッシ
ングする際に、形状や大きさが一様でない砥粒が研磨パ
ッド上で一定軌跡を頻繁に通ることに起因するドレッシ
ングの均一性の悪化が抑制され、研磨パッドの活性化が
ほぼ一様になる。したがって、研磨パッド内における局
部的な研磨レートのばらつきが抑制される。

【００３３】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
説明する。

【００３４】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係るＣＭＰに使用される研磨機の構造の例
を示す斜視図である。同図に示すように、本実施形態に
係るＣＭＰ研磨機は、たとえばスピードファム社製のも
のであって、中心軸の回りに回転する円盤状のプラテン
１（定盤）と、該プラテン１を中心部で支持するプラテ
ン軸２と、プラテン１上に貼り付けられた独立気泡型ポ
リウレタン樹脂や不織布等からなる研磨パッド３と、ウ
エハ６が装着された円板状のキャリア４と、該キャリア
４を中心部で支持するキャリア軸５と、コロイダルシリ
カを主成分とするスラリー状の研磨液８を供給するため
の研磨液供給装置７とを備えている。ここで、上記プラ
テン軸２及びキャリア軸５は、いずれもサーボモータ等
により強制的に回転され、かつその回転速度が互いに独
立に可変に制御されるものである。

【００３５】図２は、このような研磨機における研磨パ
ッド３と、ウエハ６との位置関係を示す複素平面図であ
る。この複素平面図を参照しながら、研磨パッド３つま
りプラテン１の回転とウエハ６つまりキャリア４の回転
とにより生じる相対的な運動の形態について説明する。

【００３６】図２に示すキャリアとプラテンとの回転運
動において、同図に示す各パラメータを下記 ｒ：ウエハ中心Ｐ（ウエハの回転中心）−ウエハ上の点
Ｚ間の距離 Ｒ：ウエハ中心Ｐ−研磨パッド中心Ｏ（研磨パッドの回
転中心）間の距離 ｗ：ウエハの回転角速度 θ：ウエハの初期位相角 ｗp ：プラテン回転角速度 のように設定する。キャリア４には複数のウエハが装着
されている場合もあり得るが、ここでは、便宜上キャリ
ア４には１枚のウエハ６のみが装着されており、かつウ
エハ中心とキャリア中心とは一致し、さらに研磨パッド
中心とプラテン中心とは一致しているものとして取り扱
う。

【００３７】複素平面においてウエハ中心Ｐと研磨パッ
ド中心Ｏとがｙ軸（虚数軸）方向にオフセットされてい
る状態を初期状態とし、静止座標系におけるウエハ上の
点Ｚの初期位相角θと研磨時間ｔを変数とすると、時計
回り（ＣＣＷ）の回転運動における点Ｚの位置は、下記
式（１）により表される（ただし、ｉは虚数単位であ
る）。

【００３８】 Ｚ（ｔ，θ）＝ｉＲ＋ｒExp ｛ｉ（−ｗｔ＋θ）｝ （１） このウエハの運動を、同じく時計回り（ＣＣＷ）に回転
する研磨パッド上で観察すると研磨パッド上で点Ｚが描
く軌跡が求まる。この軌跡を求めるには、上記式（１）
のＣＣＷ回転写像を求めればよい。つまり、下記式
（２）により表される。

【００３９】 Ｚ→Ｚp （ｔ，θ） ＝Exp （ｉｗp ｔ）［ｉＲ＋ｒExp ｛ｉ（−ｗｔ＋θ）｝］ ＝ｉＲExp （ｉｗp ｔ）＋ｒExp ［ｉ｛（ｗp −ｗ）ｔ＋θ｝］（２） 上記式（２）に基づいて、ウエハと研磨パッドとの角速
度ｗ，ｗp の比によって研磨パッド上で点Ｚの描く軌跡
がどのように変化するかが求まる。たとえば研磨パッド
の角速度ｗp がウエハの角速度ｗの２倍である場合に
は、下記式（３）を式（２）に代入することにより、下
記式（４）が導かれる。

【００４０】 ｗp ＝２ｗ （３） Ｚp ＝ｉＲExp （ｉ２ｗｔ）＋ｒExp ｛ｉ（ｗｔ＋θ）｝ （４） ここで、初期位相角が点Ｚの初期位相角θよりもｐｉ
（１８０°）だけ進んでいるウエハ上の点Ｘの位置を式
（４）から求めると、下記式（５）で表されるものとな
る。

【００４１】 Ｚp （ｔ，θ+pi） ＝ｉＲExp （ｉ２ｗｔ）＋ｒExp ［｛ｉ（ｗｔ＋θ＋ｐｉ）｝］ （５） さらに、時間ｐｉ／ｗだけ経過したときの点Ｘの位置を
式（５）から求めると、下記式（６）になり、この式
（６）と式（４）とは完全に一致する。

【００４２】 Ｚp （ｔ+pi/w，θ+pi）＝ｉＲExp ｛ｉ（２ｗｔ＋２ｐｉ） ＋ｒExp ［ｉ｛ｗ（ｔ＋ｐｉ／ｗ）＋θ＋ｐｉ）｝］ ＝ｉＲExp （ｉ２ｗｔ）＋ｒExp ［｛ｉ（ｗｔ＋θ＋ｐｉ）｝］ ＝Ｚp （ｔ，θ） （６） つまり、ｗ／ｗp ＝１／２のときには、ウエハ中心に対
して互いに対称な（つまり位相差が１８０°の）２つの
点Ｚ，Ｘの運動がｗ／ｐｉの時間差（ｗの半周期）があ
るのみで、両者の研磨パッドとの接触点が研磨パッド上
で描く軌跡は全く一致することになる。

【００４３】したがって、従来しばしば用いられてきた
ｗ＝３０ｒｐｍ，ｗp ＝６０ｒｐｍという条件では、ウ
エハ上の任意の点と、ウエハ中心に対してこの点とは反
対側の点が実に１分間に３０回という頻度で同じ軌跡を
回り続けることになる。

【００４４】もし、ウエハ上の２つの点が同じ軌跡で運
動する研磨パッド上に局所的な研磨レートを変動させる
要因が存在したならば、そのミクロな要因が次第にウエ
ハ上で助長されて、ウエハの平坦度の均一性を悪化させ
るというマクロな現象に影響が及ぶことになる。たとえ
ば、ノッチが何らかの影響で研磨パッド表面に不均一な
変化を及ぼして特異な研磨レートの異常を生ぜしめる
と、同じ軌跡を回る反ノッチ側にも過度に研磨パッドを
圧縮するなどの変化の影響が及ぶことになる。当然、そ
の逆もあることになる。

【００４５】同様にして、一般に、研磨パッドの角速度
ｗp がウエハの角速度ｗの２ｎ倍（ｎは整数）の場合、
ウエハ回転の位相差がｐｉ／ｎ同士であるウエハ上の各
点は、研磨パッド上で同じ軌跡に沿って運動することに
なる。

【００４６】たとえばｗp ：ｗ＝４：１の場合、ウエハ
上の任意の点と、その点に対してウエハ中心回りにその
点から９０°，１８０°，２７０°だけ回転した３点と
の合計４点の軌跡が一致することになる。このような事
態は、本来、ＣＭＰレシピ作成上絶対に避けなければな
らないことである。しかるに、従来、プラテンの回転速
度とキャリアの回転速度のとの関係はほとんど考慮され
ていない。

【００４７】また、プラテンとキャリアとの回転速度の
比が簡単な整数：１の形でなくても、両者の簡単な整数
比で表されている場合にも不具合が生じる。たとえば、
研磨パッドの角速度とウエハの角速度との比がｍ：ｎ
（ただし、ｍ，ｎは互いに素でありかつ１でない正の整
数）のときについて考える。図３は、研磨パッドの回転
状態とウエハの回転状態とを、研磨パッドの１回転ごと
に示す図である。同図に示すように、初期の状態では、
ウエハ上の点Ｚと研磨パッド上の点Ｓ（一定軌跡の出発
点）とが接触していたとする。その状態からプラテンが
１回転したときにはキャリアがｎ／ｍ回転するが、ｍ，
ｎが互いに素であることからｎ／ｍが整数になることは
なく、ウエハ上の点Ｚに接する研磨パッド上の点Ｓ’が
点Ｓに一致することはない。そして、プラテンがｍ回転
したときにキャリアがｍｎ／ｍ（＝ｎ）回転するので、
ウエハ上の点Ｚに接する研磨パッド上の点Ｓ’が当初の
接触点Ｓに初めて一致する。つまり、ウエハ上の点Ｚに
接触する研磨パッド上の点が一定軌跡の出発点Ｓに到達
する。その後は、研磨パッドとウエハとが同じ相対運動
を繰り返すので、ウエハ上の点Ｚは研磨パッド上の一定
軌跡に沿って運動することになる。

【００４８】したがって、互いに素である整数ｍ，ｎの
最小公倍数ｍｎが大きいときには、一定軌跡の長さが長
くなるので、ウエハ上の点Ｚは研磨パッド上の特定の点
だけではなく多くの点とまんべんなく接触することにな
る。しかし、上記最小公倍数ｍｎが小さいときには、ウ
エハ上の点Ｚがすぐに研磨パッド上の一定軌跡の出発点
Ｓに戻ってその後同じ軌跡上を運動するので、点Ｚが研
磨パッド上の限られた領域だけと接触することになる。
したがって、ウエハ上のある点は研磨パッド上の局所的
に研磨レートの低い領域と高い頻度で接し、ウエハ上の
他の点は研磨パッド上の局所的に研磨レートが低い領域
とはほとんど接しないという事態が生じる可能性があ
る。

【００４９】以上の考察により、以下の結論が得られ
る。

【００５０】１．プラテンの回転速度とキャリアの回転
速度とを互いに素である２つの自然数ｍ，ｎの比で表し
たときに、ｍ，ｎの最小公倍数ｍｎが大きいほど好まし
い。特に、後述の実験例などで得られる結果からみて、
最小公倍数ｍｎが１０以上であることが好ましい。

【００５１】２．特に、プラテンの回転速度とキャリア
の回転速度との比（両者の角速度の比）が自然数ｍ／ｎ
（有理数）の形で表せない無理数にほぼ一致（近似）す
ることがより好ましい。現実に両者の比を無理数そのも
のにするのは困難であるが、両者の比が近似的に無理数
であれば、限られた研磨時間の間においては、ウエハ上
の点Ｚが研磨パッド上の一定軌跡上を移動することはな
く、研磨パッド上のほとんど全ての点と接することにな
るからである。なお、このような無理数に近い回転速度
比の設定は、キャリア軸５及びプラテン軸２を回転させ
るモータの回転速度の設定により容易に実現できる。

【００５２】３．また、現実に限られた研磨時間から考
えると、研磨中に一定軌跡内に入らない（つまり、研磨
パッド及びウエハが整数回回転した状態でウエハ上の点
Ｚと接触する研磨パッド上の点が一定軌跡の出発点Ｓに
一致しない）ように両者の回転速度の比が設定されてい
ればよい。

【００５３】４．一方、上記軌跡の状態から考えると、
ウエハ上の点Ｚと接触する研磨パッド上の点の描く軌跡
によって研磨パッド上の領域が部分領域に区画されるが
（図５参照）、この区画される部分領域が同心のリング
状領域内（研磨パッドの中心Ｏを中心とする同一半径を
有するリング状領域内）ではできるだけ均一な大きさ，
かつできるだけ微細であることが好ましい。言い換える
と、上記軌跡が研磨パッド上で均一に分布し、軌跡によ
って形成される網目模様が高密度であることが好まし
い。

【００５４】ここで、実質的に、ＣＭＰ装置の回転数の
設定はｍ（ｒｐｍ）（ただし、ｍは整数）となっている
ので、ウエハ上の点Ｚと接触する研磨パッド上の点の描
く軌跡は１分程度の研磨時間ごとに同じ軌跡を描くよう
になる。ところが研磨時間は長くても４分程度であるの
で、研磨中に４回以上一定軌跡を描かないことが好まし
い。

【００５５】なお、上記解析ではキャリア（ウエハ）を
回転させる運動のみを行わせているが、この回転運動に
加えて、プラテンの回転方向に垂直な方向もしくは一致
する方向あるいは斜めに交差する方向に往復させる（並
進運動）ようにしてもよい。また、このような並進運動
の範囲を十分大きくしてその単位時間当たりの往復回数
を上記キャリアの単位時間当たりの回転数に置き換える
ことにより、場合によってはキャリアを回転させなくて
も上記と同じ効果を発揮することができる。

【００５６】また、上記実施形態では、キャリアに１枚
のウエハが装着されている場合について説明している
が、本発明は、１枚のキャリアに複数枚のウエハが装着
されている場合にも適用できる。その場合にも、ウエハ
上の各点はキャリア中心の回りに回転するので、キャリ
ア中心からあるウエハの点Ｚまでの距離をｒとし、研磨
パッド中心Ｏからキャリア中心までの距離をオフセット
距離Ｒとすれば、上記式（１）〜（６）の解析がそのま
ま適用できるからである。

【００５７】以下、スピードファム社製の研磨機を用い
て行った研磨パッド（プラテン）上の軌跡分析に関する
実験例及び比較例（従来条件）について説明する。ただ
し、下記の各実験例及び各比較例において、初期の位相
角θは４５°、ウエハの径ｒは１００（ｍｍ）、研磨パ
ッド中心−ウエハ中心間のオフセット距離Ｒは１６２．
５（ｍｍ）、研磨時間は６０（ｓｅｃ）である。また、
被研磨面はウエハ上のｐ型ＴＥＯＳ膜又はＢＰＳＧ膜で
ある。

【００５８】−実験例１− 図４は、実験例１におけるウエハ上の１点（定点）が研
磨パッド上に描く軌跡を示す図である。本実験例におけ
る研磨条件は、ＢＰＳＧ膜を平坦化するためのＣＭＰに
おける条件であってプラテンの回転速度ｗp を２３ｒｐ
ｍとしキャリアの回転速度ｗを１７ｒｐｍとしている。
つまり、プラテンとキャリアの回転速度の比が互いに素
である２つの数２３，１７で表され、かつその最小公倍
数が２３×１７（＝３９１）と大きい。したがって、同
図に示されるように、この研磨時間（６０ｓｅｃ）より
も短い時間内においては、研磨パッド上の軌跡が一定と
なっておらず、ウエハ上のある点が研磨パッド上の一定
軌跡上を運動することはない。ちょうど６０ｓｅｃ研磨
を行うと、プラテンが２３回転したときにウエハ上の定
点が研磨パッド上の当初の接触点に戻るが（つまり、ウ
エハ上の定点と接触する研磨パッド上の点が一定軌跡内
に入らないが）、その場合にも、ウエハ上の定点が比較
的まんべんなく研磨パッド上の多くの領域と接するの
で、局部的な研磨レートのばらつきによる悪影響を回避
することができる。

【００５９】−実験例２− 図５は、実験例２におけるウエハ上の定点が研磨パッド
上に描く軌跡を示す図である。本実験例における研磨条
件は、ｐ型ＴＥＯＳ膜を平坦化するためのＣＭＰにおけ
る条件であってプラテンの回転速度ｗp を６１ｒｐｍと
しキャリアの回転速度ｗを４３ｒｐｍとしている。つま
り、プラテンとウエハの回転速度の比が互いに素である
２つの数６１，４３で表され、かつその最小公倍数が６
１×４３（＝２６４３）と極めて大きい。したがって、
同図に示されるように、この研磨時間（６０ｓｅｃ）よ
りも短い時間内においては、ウエハ上の定点と接触する
研磨パッド上の点が一定軌跡内に入っていない。ちょう
ど６０ｓｅｃの間研磨を行うと、プラテンが６１回転し
たときにウエハ上のある点が研磨パッド上の当初の接触
点に戻るが、その場合にも、ウエハ上のある点が研磨パ
ッド上の各領域とまんべんなく接するので、局部的な研
磨レートのばらつきによる悪影響を回避することができ
る。

【００６０】−比較例１− 図６は、比較例１におけるウエハ上の１点が研磨パッド
上に描く軌跡を示す図である。比較例１における研磨条
件は、従来ＢＰＳＧ膜を平坦化するためのＣＭＰの際に
採用されていた条件であってプラテン及びキャリアの回
転速度ｗp ，ｗをいずれも同じ２０ｒｐｍとしている。
同図に示されるように、研磨パッド上にはほぼ完全な円
形の一定軌跡が形成される共鳴状態が生じており、ウエ
ハ上のある点が極めて高い頻度で研磨パッド上の限られ
た領域とのみ接することを示している。

【００６１】−比較例２− 図７は、比較例２におけるウエハ上の１点が研磨パッド
上に描く軌跡を示す図である。比較例２における研磨条
件は、従来ｐ型ＴＥＯＳ膜を平坦化するためのＣＭＰの
際に採用されていた条件であってプラテンの回転速度ｗ
p を６０ｒｐｍとしキャリアの回転速度ｗを３０ｒｐｍ
としている。つまり、プラテンとウエハの回転速度の比
が互いに素である２つの数２，１で表され、かつその最
小公倍数が２×１（＝２）と小さい。同図に示されるよ
うに、ウエハ上の定点と接触する研磨パッド上の点がプ
ラテンの２回転ごとに一定軌跡の出発点に戻り、その後
この一定軌跡上を運動する共鳴状態となる。したがっ
て、比較例１よりは頻度が低いものの、ウエハ上のある
点が高い頻度で研磨パッド上の限られた領域とのみ接す
ることになる。

【００６２】−比較例３− 図８は、比較例３におけるウエハ上の定点が研磨パッド
上に描く軌跡を示す図である。比較例３における研磨条
件は、従来のＣＭＰの際に採用されていた条件であって
プラテンの回転速度ｗp を６０ｒｐｍとしキャリアの回
転速度ｗを４０ｒｐｍとしている。つまり、プラテンと
ウエハの回転速度の比が互いに素である２つの数３，２
で表され、かつその最小公倍数が３×２（＝６）と小さ
い。同図に示されるように、ウエハ上の定点と接触する
研磨パッド上の点がプラテンの３回転ごとに一定軌跡の
出発点に戻り、その後この一定軌跡上を運動する共鳴状
態となる。したがって、比較例１や比較例２よりは頻度
が低いものの、ウエハ上のある点が高い頻度で研磨パッ
ド上の限られた領域とのみ接することには変わりがな
い。

【００６３】次に、上記実験例と比較例との研磨条件に
よるウエハの平坦度の均一性の相違について説明する。

【００６４】図９は、このような基準により、実験例２
の条件、つまりプラテンの回転速度ｗp を６１ｒｐｍ、
キャリアの回転速度ｗを４３ｒｐｍとしたときのウエハ
の平均的な研磨レートＳＳＲ（ｎｍ／ｍｉｎ）（黒四
角）とウエハ面内における各部の研磨レートのばらつき
ＷＩＷＮＵ（％）（白四角）とを、比較例３の条件であ
るプラテンの回転速度ｗp を６０ｒｐｍ、キャリアの回
転速度ｗを４０ｒｐｍとしたときの研磨レート（黒丸）
及びそのばらつき（白丸）と比較する図である。ただ
し、キャリアに印加する荷重は１４０ＫｇＧであり、ウ
エハの研磨レートはウエハの外周から５ｍｍ以内の領域
を除く数カ所で測定している。また、研磨レートのばら
つきは、同一ウエハ内の数箇所における測定値のうち最
大値と最小値の差を平均値で除した値である。同図に示
されるように、平均的な研磨レートについては比較例３
と実験例２との間で差はないが、実験例２の条件でＣＭ
Ｐを行った場合は、比較例３に比べてウエハ内における
研磨レートのばらつきが低減されている。すなわち、ウ
エハの平坦度の均一性が向上していることがわかる。

【００６５】そして、以上の実験例や比較例のデータか
ら見て、プラテンの回転速度ｗp とウエハの回転速度ｗ
との比が互いに素である２つの自然数ｍ，ｎで表される
ときには、ｍ，ｎの最小公倍数が１０以上であることが
好ましい。

【００６６】その場合、たとえばｍ＝５，ｎ＝２のよう
に、ｍ，ｎいずれもが１でない自然数の方がより好まし
いが、必ずしもそうである必要はない。たとえばｍ＝１
０，ｎ＝１の場合には、プラテンが１０回転したときに
キャリアが１回転し、そのときにウエハ上の定点との接
触点が研磨パッド上の一定軌跡の出発点に戻り、研磨パ
ッド上には、５周で外形部から内径部に到達する渦巻と
５周で内周部から外周部に到達する逆回りの渦巻とから
なる一定軌跡が形成される。また、ｍ＝１でｎ＝１０の
場合には、プラテンが１回転したときにキャリアが１０
回転し、そのときにウエハ上の定点との接触点が一定軌
跡の出発点に戻り、研磨パッド上には１０回転する小コ
イル状の軌跡が形成される。しかし、いずれの場合に
も、ｍ，ｎの最小公倍数が１０以上であれば、一定軌跡
が研磨パッド上の多くの領域を通過するように形成され
るので、ウエハ上のある点が他の点に比べて研磨パッド
上の研磨レートの低い領域と接する確率がめだって高く
なるような事態は回避される。

【００６７】（第２の実施形態）なお、本発明は、ダイ
ヤモンド・ドレッサーによる研磨パッドのドレッシング
を行って、研磨パッドの活性化（研磨レートの回復）を
行うプロセス（ドレッシング工程）にも適用できる。す
なわち、ダイヤモンド・ドレッサーの表面には微細なダ
イヤモンド粒子が埋設されているが、この粒子の形状や
大きさは一様ではない。したがって、ダイヤモンド・ド
レッサーを回転させながら、回転している研磨パッドを
ドレッシングする際にも、研磨の場合と同様に、各ダイ
ヤモンド粒子が同じ軌跡を頻繁に描くようになると、ド
レッシングの均一性が得られない。その結果、研磨パッ
ドの活性化も一様にならず、研磨パッド内における局部
的な研磨レートのばらつきを引き起こす。したがって、
ドレッシングを均一に行うためにも、上記第１の実施形
態がそのまま利用できる。

【００６８】以下、上記第１の実施形態を研磨パッドの
ドレッシング方法に適用した第２の実施形態について説
明する。

【００６９】図１１は、本発明の第２の実施形態に係る
研磨パッドのドレッシング時における研磨機の斜視図で
ある。本実施形態に係るＣＭＰ研磨機は、上記第１の実
施形態で説明したとおりのものであって、中心軸の回り
に回転する円盤状のプラテン１（定盤）と、該プラテン
１を中心部で支持するプラテン軸２と、プラテン１上に
貼り付けられた独立気泡型ポリウレタン樹脂や不織布等
からなる研磨パッド３とを備えている。一方、ドレッサ
ー装置は、円板状のドレッサー１１と、該ドレッサー１
１を中心部で支持するドレッサー軸１２とを備えてい
る。ここで、上記プラテン軸２及びドレッサー軸１２
は、いずれもサーボモータ等により強制的に回転され、
かつその回転速度が互いに独立に可変に制御されるもの
である。

【００７０】図１２は、このような研磨機における研磨
パッド３とドレッサー１１との位置関係を示す複素平面
図である。この複素平面図に示すように、本実施形態に
おいても、プラテン１の回転とドレッサー１１の回転と
の相対的な運動の形態は、基本的に、上記第１の実施形
態におけるプラテン１の回転とキャリア４の回転との間
の相対的な運動の形態と同じである。

【００７１】したがって、図１２に示す研磨パッドとド
レッサーとの回転運動において、同図に示す各パラメー
タを、以下のように、上記図２におけるパラメータと同
じ符号で表す。

【００７２】 ｒ：ドレッサー中心Ｐ−ドレッサー上の点Ｚ間の距離 Ｒ：ドレッサー中心Ｐ−研磨パッド中心Ｏ間の距離 ｗ：ドレッサーの回転角速度 θ：ドレッサーの初期位相角 ｗp ：プラテン回転角速度 のように設定する。

【００７３】このように設定することにより、本実施形
態においても、上記第１の実施形態における式（１）〜
（６）がそのまま適用できる。

【００７４】すなわち、例えばｗ／ｗp ＝１／２などの
条件の場合には、ドレッサー中心に対して互いに対称な
（つまり位相差が１８０°の）２つの点Ｚ，Ｘの運動が
ｗ／ｐｉの時間差（ｗの半周期）があるのみで、両者の
研磨パッドとの接触点が研磨パッド上で描く軌跡は全く
一致することになる。

【００７５】そして、プラテンとドレッサーとの回転速
度の比が簡単な整数：１の形の場合や、両者の簡単な整
数比で表されている場合には不具合が生じる。たとえ
ば、研磨パッドの角速度とドレッサーの角速度との比が
ｍ：ｎ（ただし、ｍ，ｎは互いに素でありかつ１でない
正の整数）のときについて考える。図１３は、研磨パッ
ドの回転状態とドレッサーの回転状態とを、研磨パッド
の１回転ごとに示す図である。同図に示すように、初期
の状態では、ドレッサー上の点Ｚと研磨パッド上の点Ｓ
（一定軌跡の出発点）とが接触していたとする。その状
態からプラテンが１回転したときにはドレッサーがｎ／
ｍ回転するが、ｍ，ｎが互いに素であることからｎ／ｍ
が整数になることはなく、ドレッサー上の点Ｚに接する
研磨パッド上の点Ｓ’が点Ｓに一致することはない。そ
して、プラテンがｍ回転したときにドレッサーがｍｎ／
ｍ（＝ｎ）回転するので、ドレッサー上の点Ｚに接する
研磨パッド上の点Ｓ’が当初の接触点Ｓに初めて一致す
る。つまり、ドレッサー上の点Ｚに接触する研磨パッド
上の点が一定軌跡の出発点Ｓに到達する。その後は、研
磨パッドとドレッサーとが同じ相対運動を繰り返すの
で、ドレッサー上の点Ｚは研磨パッド上の一定軌跡に沿
って運動することになる。

【００７６】したがって、互いに素である整数ｍ，ｎの
最小公倍数ｍｎが大きいときには、一定軌跡の長さが長
くなるので、ドレッサー上の点Ｚは研磨パッド上の特定
の点だけではなく多くの点とまんべんなく接触すること
になる。しかし、上記最小公倍数ｍｎが小さいときに
は、ドレッサー上の点Ｚがすぐに研磨パッド上の一定軌
跡の出発点Ｓに戻ってその後同じ軌跡上を運動するの
で、点Ｚが研磨パッド上の限られた領域だけと接触する
ことになる。したがって、ドレッサー上のある点は研磨
パッド上の局所的に研磨レートの低い領域と高い頻度で
接し、ドレッサー上の他の点は研磨パッド上の局所的に
研磨レートが低い領域とはほとんど接しないという事態
が生じる可能性がある。

【００７７】そして、本実施形態におけるプラテン１と
ドレッサー１１との角速度の比を種々変えると、上記第
１の実施形態と同様に、図４〜図８に示す軌跡とよく似
た研磨パッド上の軌跡が得られる。

【００７８】以上の考察により、上記第１の実施形態と
同様に、以下の結論が得られる。

【００７９】１．プラテンの回転速度とドレッサーの回
転速度とを互いに素である２つの自然数ｍ，ｎの比で表
したときに、ｍ，ｎの最小公倍数ｍｎが大きいほど好ま
しい。特に、最小公倍数ｍｎが１０以上であることが好
ましい。

【００８０】２．特に、プラテンの回転速度とドレッサ
ーの回転速度との比（両者の角速度の比）が自然数ｍ／
ｎ（有理数）の形で表せない無理数にほぼ一致（近似）
することがより好ましい。

【００８１】３．また、研磨中に一定軌跡内に入らない
（つまり、研磨パッド及びドレッサーが整数回回転した
状態でドレッサー上の点Ｚと接触する研磨パッド上の点
が一定軌跡の出発点Ｓに一致しない）ように両者の回転
速度の比が設定されていればよい。

【００８２】４．一方、ドレッサー上の点Ｚと接触する
研磨パッド上の点の描く軌跡によって研磨パッド上の領
域が部分領域に区画されるが（第１の実施形態における
図５参照）、この区画される部分領域が同心のリング状
領域内（研磨パッドの中心Ｏを中心とする同一半径を有
するリング状領域内）ではできるだけ均一な大きさ，か
つできるだけ微細であることが好ましい。言い換える
と、上記軌跡が研磨パッド上で均一に分布し、軌跡によ
って形成される網目模様が高密度であることが好まし
い。

【００８３】なお、ドレッシング工程は、本来の半導体
装置の製造工程（ドレッサー表面の平坦化工程）ではな
いので、できるだけ短い時間で研磨レートの活性化を終
了させたいという実工程上の要請があり、短時間に研磨
パッド表面の活性化を実現するためには、本発明は特に
有用である。

【００８４】（その他の実施形態）また、上記各実施形
態では、プラテンとキャリア（ドレッサー）の回転方向
を同じとしているが、本発明はかかる実施形態に限定さ
れるものではない。両者の回転方向を互いに逆方向にし
た場合でも、両者の回転速度の比を互いに素な自然数と
したときの最小公倍数を１０以上にするなど、本発明を
適用することで、上記実施形態と同じ効果を得ることが
できる。

【００８５】さらに、研磨パッドとしては、上記実施形
態に示す構造のもののほか、独立発砲ポリウレタン等か
ら構成される研磨パッドの表面に、周期的に加工された
溝や穴（たとえば、ピッチ５〜１０ｍｍ程度で、寸法が
１ｍｍ程度）を有するものであってもよい。かかる溝や
穴はスラリーの供給，排泄を円滑に行わせるために設け
られたもので、このような溝や穴が局部的に目詰まりを
生じた場合にはこれらの領域は実質的に研磨に寄与しな
い不活性領域と見なしうるが、かかる場合にも、本発明
を適用することによって、ウエハ内の平坦度の均一性の
向上を図ることができる。

【００８６】

【発明の効果】本発明のウエハの研磨方法によれば、Ｃ
ＭＰによるウエハの研磨方法として、定盤の回転速度と
ウエハの回転速度との比を、ウエハ上の定点と接触する
研磨パッド上の点の描く軌跡が研磨パッド上で均一に分
布するように調整したので、研磨パッド内の局部的研磨
レートのばらつきによる悪影響を回避することができ、
よって、研磨終了後におけるウエハの被研磨面の平坦度
の均一性の向上を図ることができる。

【００８７】本発明の研磨パッドのドレッシング方法に
よれば、研磨パッドの表面を活性化するドレッシングを
行う際に、定盤の回転速度とドレッサーの回転速度との
比を、ドレッサー上の定点と接触する研磨パッド上の点
の描く軌跡が研磨パッド上で均一に分布するように調整
したので、ドレッサー内の特定の砥粒が研磨パッド上の
一定軌跡を頻繁に通るのを可及的に回避することがで
き、よって、研磨パッドの表面を一様に活性化すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係るＣＭＰ研磨機に
よるウエハの研磨状態を概略的に示す斜視図である。

【図２】第１の実施形態における研磨パッドとウエハの
相対的な運動を説明するための複素平面図である。

【図３】第１の実施形態における研磨パッドの整数回回
転ごとにおけるウエハ上の定点の位置と研磨パッドとの
接触位置を示す平面図である。

【図４】実験例１における研磨パッド上の軌跡を示す平
面図である。

【図５】実験例２における研磨パッド上の軌跡を示す平
面図である。

【図６】比較例１における研磨パッド上の軌跡を示す平
面図である。

【図７】比較例２における研磨パッド上の軌跡を示す平
面図である。

【図８】比較例３における研磨パッド上の軌跡を示す平
面図である。

【図９】実験例２と比較例３との条件でＣＭＰを行った
結果得られるウエハの平均的な研磨レート及び平均的な
研磨レートのばらつきを示す図である。

【図１０】ＣＭＰによる研磨中の研磨パッドの表面状態
を示す断面図である。

【図１１】本発明の第２の実施形態に係る研磨パッドの
ドレッシング方法を概略的に示す斜視図である。

【図１２】第２の実施形態における研磨パッドとドレッ
サーとの相対的な運動を説明するための複素平面図であ
る。

【図１３】第２の実施形態における研磨パッドの整数回
回転ごとにおけるドレッサー上の定点の位置と研磨パッ
ドとの接触位置を示す平面図である。

【符号の説明】

１ プラテン（定盤） ２ プラテン軸 ３ 研磨パッド ４ キャリア ５ キャリア軸 ６ ウエハ（ウエハ） ７ 研磨液供給装置 ８ 研磨液 １１ ドレッサー １２ ドレッサー軸

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 定盤上に取り付けられた研磨パッドを第
   １の回転速度で回転させ、上記研磨パッドの表面上に研
   磨剤を供給し、ウエハを第２の回転速度で回転させなが
   ら上記研磨パッドの表面に押圧することにより上記ウエ
   ハを研磨するウエハの研磨方法であって、 上記第１の回転速度と上記第２の回転速度との比は、上
   記ウエハ上の定点と接触する研磨パッド上の点の描く軌
   跡が研磨パッド上で均一に分布するように調整されてい
   ることを特徴とするウエハの研磨方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載のウエハの研磨方法におい
   て、 上記第１の回転速度と上記第２の回転速度との比は、上
   記ウエハ上の定点と接触する研磨パッド上の点が研磨中
   に実質的に一定となる軌跡を描かないように調整されて
   いることを特徴とするウエハの研磨方法。
3. 【請求項３】 請求項１記載のウエハの研磨方法におい
   て、 上記第１の回転速度と上記第２の回転速度との比は、両
   者の比を互いに素である自然数ｍ，ｎの比で表したとき
   に、上記自然数ｍ，ｎの最小公倍数が１０以上であるよ
   うに調整されていることを特徴とするウエハの研磨方
   法。
4. 【請求項４】 請求項１記載のウエハの研磨方法におい
   て、 上記第１の回転速度と上記第２の回転速度との比がほぼ
   無理数であるように調整されていることを特徴とするウ
   エハの研磨方法。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のうちいずれか１つに記載
   のウエハの研磨方法において、 上記研磨パッドは独立気泡型発砲ポリウレタン樹脂によ
   り構成されていることを特徴とするウエハの研磨方法。
6. 【請求項６】 請求項１〜５のうちいずれか１つに記載
   のウエハの研磨方法において、 上記研磨パッドは、周期的に形成された溝又は穴を有す
   ることを特徴とするウエハの研磨方法。
7. 【請求項７】 回転する定盤上に取り付けられた研磨パ
   ッドを第１の回転速度で回転させ、ドレッサーを第２の
   回転速度で回転させながら上記研磨パッドの表面に押圧
   することにより上記研磨パッドの表面を活性化させる研
   磨パッドのドレッシング方法であって、 上記第１の回転速度と上記第２の回転速度との比は、上
   記ドレッサー上の定点と接触する研磨パッド上の点の描
   く軌跡が研磨パッド上で均一に分布するように調整され
   ていることを特徴とする研磨パッドのドレッシング方
   法。
8. 【請求項８】 請求項７記載の研磨パッドのドレッシン
   グ方法において、 上記第１の回転速度と上記第２の回転速度との比は、上
   記ドレッサー上の定点と接触する研磨パッド上の点が研
   磨中に実質的に一定となる軌跡を描かないように調整さ
   れていることを特徴とする研磨パッドのドレッシング方
   法。
9. 【請求項９】 請求項７記載の研磨パッドのドレッシン
   グ方法において、 上記第１の回転速度と上記第２の回転速度との比は、両
   者の比を互いに素である自然数ｍ，ｎの比で表したとき
   に、上記自然数ｍ，ｎの最小公倍数が１０以上であるよ
   うに調整されていることを特徴とする研磨パッドのドレ
   ッシング方法。
10. 【請求項１０】 請求項７記載の研磨パッドのドレッシ
    ング方法において、 上記第１の回転速度と上記第２の回転速度との比がほぼ
    無理数であるように調整されていることを特徴とする研
    磨パッドのドレッシング方法。