JPH1169618A - Amplifying circuit - Google Patents
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- JPH1169618A JPH1169618A JP9215026A JP21502697A JPH1169618A JP H1169618 A JPH1169618 A JP H1169618A JP 9215026 A JP9215026 A JP 9215026A JP 21502697 A JP21502697 A JP 21502697A JP H1169618 A JPH1169618 A JP H1169618A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は増幅回路に関し、更
に詳しく言えば、オーディオ信号の大小に連動して電源
電圧を切替えて省電力を図るいわゆる切替型の電源回路
を備え、省電力が図られた増幅回路の改善を目的とす
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an amplifier circuit, and more particularly, to a so-called switching type power supply circuit which switches power supply voltage in accordance with the size of an audio signal to save power, thereby achieving power saving. The purpose is to improve the amplifier circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】以下で従来の切替型の電源回路を有する
増幅回路について説明する。この回路は、図2に示すよ
うに、電流増幅アンプ11と、アンプ11の最終出力段
の第1〜第4のパワートランジスタQ11〜Q14に、
アンプ11の出力電圧Vout の変化に合せて、高電圧V
ccH ,低電圧VccL のいずれかを電源電圧Vccとして供
給する第1の電源回路12と、負側に同様の電源電圧−
VccH ,−VccL を供給する制御回路13とを有してい
る。2. Description of the Related Art A conventional amplifier circuit having a switching type power supply circuit will be described below. As shown in FIG. 2, this circuit includes a current amplifying amplifier 11 and first to fourth power transistors Q11 to Q14 at the final output stage of the amplifier 11.
In accordance with the change of the output voltage Vout of the amplifier 11, the high voltage V
ccH or the low voltage VccL as the power supply voltage Vcc, and a similar power supply voltage − on the negative side.
And a control circuit 13 for supplying VccH and -VccL.
【0003】アンプ11は、入力信号を増幅して出力電
圧Vout として出力する回路であって、その最終出力段
は、NPN型の第1,第2のトランジスタQ11,Q1
2と、PNP型の第3,第4のトランジスタQ13,Q
14と、第1の抵抗R31および第2の抵抗R32より
構成される。第1のトランジスタQ11のエミッタは第
2のトランジスタQ12のベースに接続し、第3のトラ
ンジスタQ13のエミッタが第4のトランジスタQ14
のベースに接続している。また、第1のトランジスタQ
11のエミッタと第3のトランジスタQ12のエミッタ
との間に、第1の抵抗R31が接続し、第2のトランジ
スタQ12のエミッタと第4のトランジスタQ14のエ
ミッタが接続し、第4のトランジスタQ14のベースが
第3のトランジスタQ13のエミッタに接続し、第4の
トランジスタQ14のエミッタと第3のトランジスタQ
13のエミッタとの間に第2の抵抗R32を接続詞、第
1のトランジスタQ11のベースが入力となり、第2の
トランジスタQ12のエミッタが出力OUTとなってい
る。The amplifier 11 is a circuit for amplifying an input signal and outputting it as an output voltage Vout. The final output stage of the amplifier 11 is an NPN type first and second transistor Q11, Q1.
2 and PNP-type third and fourth transistors Q13 and Q13.
14 and a first resistor R31 and a second resistor R32. The emitter of the first transistor Q11 is connected to the base of the second transistor Q12, and the emitter of the third transistor Q13 is connected to the fourth transistor Q14.
Connected to the base. Also, the first transistor Q
11, the first resistor R31 is connected between the emitter of the third transistor Q12, the emitter of the second transistor Q12 is connected to the emitter of the fourth transistor Q14, and the emitter of the fourth transistor Q14 is connected. The base is connected to the emitter of the third transistor Q13, and the emitter of the fourth transistor Q14 and the third transistor Q13.
The second resistor R32 is connected to the emitter of the transistor 13 and the base of the first transistor Q11 is an input, and the emitter of the second transistor Q12 is an output OUT.
【0004】第1の電源回路12は、パワーMOSFE
TM11,抵抗R11〜R15,ツェナーダイオードZ
D11,ドライバトランジスタQ15、第1〜第3のダ
イオードD11〜D13を有する。パワーMOSFET
M11のソースは高電圧VccH に接続し、ゲートは抵抗
R11を介してやはり高電圧VccH に接続している。ま
た、このゲートは同時に抵抗R12を介してドライバト
ランジスタQ15のコレクタに接続している。またその
ドレインはアンプの最終出力段の第2のトランジスタQ
12のコレクタに接続し、同時に第1のダイオードD1
1を介して低電圧VccL と接続している。[0004] The first power supply circuit 12 is a power MOSFE.
TM11, resistors R11 to R15, zener diode Z
D11, a driver transistor Q15, and first to third diodes D11 to D13. Power MOSFET
The source of M11 is connected to the high voltage VccH, and the gate is also connected to the high voltage VccH via the resistor R11. This gate is simultaneously connected to the collector of the driver transistor Q15 via the resistor R12. Its drain is the second transistor Q in the final output stage of the amplifier.
12 at the same time as the first diode D1
1 and connected to the low voltage VccL.
【0005】ドライバトランジスタQ15のベースとエ
ミッタは、抵抗R13によって接続しており、そのエミ
ッタは、一方VccLには、ZD1のカソードが接続さ
れ、そのアノードは、R14を介して接地されている。
Q15のエミッタは、ZD11のアノードに接続され、
接地されている。ドライバトランジスタQ15のベース
には、抵抗R15,ダイオードD13が直列接続されて
おり、第3のダイオードD13と並列に第2のダイオー
ドD12が接続されている。The base and the emitter of the driver transistor Q15 are connected by a resistor R13. The emitter of the driver transistor Q15 is connected to the cathode of ZD1 at VccL, and the anode is grounded via R14.
The emitter of Q15 is connected to the anode of ZD11,
Grounded. The resistor R15 and the diode D13 are connected in series to the base of the driver transistor Q15, and the second diode D12 is connected in parallel with the third diode D13.
【0006】また、コンデンサC1の一端がドライバト
ランジスタQ15のエミッタに接続し、他端が抵抗R1
5を介してドライバトランジスタQ15のベースに接続
している。上記の電源回路には、アンプ11の出力電圧
Vout が常時第2,第3のダイオードD12,D13を
介して入力される。第2のダイオードD12はch1の
出力電圧の入力部となり、第3のダイオードD13はc
h2の出力電圧の入力部となる。負側の電源電圧の供給
については、正側の第1の電源回路12の動作とほぼ同
様なので説明を省略し、以下では正側の動作についての
み説明する。One end of the capacitor C1 is connected to the emitter of the driver transistor Q15, and the other end is connected to the resistor R1.
5 is connected to the base of the driver transistor Q15. The output voltage Vout of the amplifier 11 is always input to the above power supply circuit via the second and third diodes D12 and D13. The second diode D12 serves as an input section for the output voltage of ch1, and the third diode D13 serves as c.
It becomes an input part of the output voltage of h2. The supply of the negative power supply voltage is substantially the same as the operation of the first power supply circuit 12 on the positive side, and therefore the description is omitted, and only the operation on the positive side will be described below.
【0007】ch1については、アンプ11の出力電圧
Vout が所定の基準電圧Vref(VccL−VZD11)よ
りも低い場合には、ドライバトランジスタQ15のベー
ス電位が十分に上昇せず、ドライバトランジスタQ15
のVBEがONする電圧に至らないので、ドライバトラン
ジスタQ15はOFFしている。すると、ドライバトラ
ンジスタQ15のコレクタ電流が流れないためパワーM
OSFETM11もOFFし、アンプ11の最終出力段
のトランジスタQ12のコレクタには、第1のダイオー
ドD11を介して低電圧VccL が電源電圧Vccとして供
給される。For ch1, when the output voltage Vout of the amplifier 11 is lower than a predetermined reference voltage Vref (VccL-VZD11), the base potential of the driver transistor Q15 does not rise sufficiently and the driver transistor Q15
Does not reach the voltage at which VBE turns on, the driver transistor Q15 is off. Then, since the collector current of driver transistor Q15 does not flow, power M
The OSFET M11 is also turned off, and the low voltage VccL is supplied as the power supply voltage Vcc to the collector of the transistor Q12 at the final output stage of the amplifier 11 via the first diode D11.
【0008】また、出力電圧Vout が所定の基準電圧V
ref よりも高電圧の際には、抵抗R15,第2のダイオ
ードD12を介して入力されるドライバトランジスタQ
15のベース電位が上昇して、ドライバトランジスタQ
15はONする。すると、ドライバトランジスタQ15
にコレクタ電流が流れるので、パワーMOSFETM1
1もONし、アンプ11の最終出力段のトランジスタQ
12のコレクタには、パワーMOSFETM11を介し
て高電圧VccH が供給される。When the output voltage Vout is equal to a predetermined reference voltage V
When the voltage is higher than ref, the driver transistor Q input through the resistor R15 and the second diode D12 is used.
15, the base potential of the driver transistor Q rises.
15 turns ON. Then, the driver transistor Q15
Since the collector current flows through the power MOSFET M1
1 also turns on, and the transistor Q of the final output stage of the amplifier 11
The collector 12 is supplied with a high voltage VccH via a power MOSFET M11.
【0009】以上のようにして、上記回路では、基準電
圧Vref を出力電圧Vout が上回ると、電源電圧Vccが
高電圧VccH になり、基準電圧Vref を出力電圧が下回
ると、電源電圧Vccが低電圧VccL にしている。As described above, in the above circuit, when the output voltage Vout exceeds the reference voltage Vref, the power supply voltage Vcc becomes the high voltage VccH, and when the output voltage falls below the reference voltage Vref, the power supply voltage Vcc becomes the low voltage. VccL.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】前述した回路は、更
に、符号20で示す第2の電源回路が設けられている。
つまり第1の整流回路21の出力は、VccLおよび−
VccLとなり、この間にはコンデンサーCaおよびC
bが接続されている。また第2の整流回路22の出力
は、VccHおよび−VccHとなり、この間にはコン
デンサCcとCdが接続されている。このコンデンサC
a、Cbの間とコンデンサCc、Cdの間は接地されて
いる。更には第1の整流回路21の出力は、フューズ2
3、24を介して電源トランスと接続され、第2の整流
回路22の入力は、リレー25、26を介して電源トラ
ンスと接続されている。The above-mentioned circuit is further provided with a second power supply circuit indicated by reference numeral 20.
That is, the output of the first rectifier circuit 21 is VccL and-
VccL, during which capacitors Ca and C
b is connected. The outputs of the second rectifier circuit 22 are VccH and -VccH, between which the capacitors Cc and Cd are connected. This capacitor C
a and Cb and the capacitors Cc and Cd are grounded. Further, the output of the first rectifier circuit 21 is
The input of the second rectifier circuit 22 is connected to the power transformer via relays 25 and 26.
【0011】一方、第1のトランジスタQ11のベース
にコレクタが接続され、VccHにエミッタが接続され
たプリドライバーの一要素であるトランジスタQAが接
続されてる。尚、符号27は、AB級アンプとするため
のバイアス回路であり、符号28は定電流回路である。On the other hand, the collector of the first transistor Q11 is connected to the base, and the transistor QA, which is an element of the pre-driver, whose emitter is connected to VccH, is connected. Reference numeral 27 denotes a bias circuit for providing a class AB amplifier, and reference numeral 28 denotes a constant current circuit.
【0012】ところが第1の問題として、以下のことが
発生した。つまり電源がオフした際、コンデンサCa>
Cc(Cb>Cd)なので、放電が開始される電源がオ
フした直後、VccL(−VccL)の方がVccH
(−VccH)よりも先に小さくなり、パワーMOSF
ETM11のソース・ドレイン間にかかる電圧は、ほぼ
VccH−0ボルト(−VccH−(0ボルト))とな
る。この時M11には、動作上で一番大きな電圧が加わ
り、素子耐圧を越えて破壊に至る事があった。However, as a first problem, the following has occurred. That is, when the power is turned off, the capacitor Ca>
Since Cc (Cb> Cd), VccL (-VccL) becomes VccH immediately after the power supply at which discharge is started is turned off.
(-VccH) before power MOSF
The voltage applied between the source and the drain of the ETM 11 is approximately VccH-0 volt (-VccH- (0 volt)). At this time, the largest voltage was applied to M11 in operation, and the breakdown voltage exceeded the element withstand voltage in some cases.
【0013】また第2の問題として以下の事が発生し
た。つまり電源VccL(−VccL)は、扱う電流が
小さいことから、負荷ショート保護としてフューズ2
3、24を使っている。しかし負荷ショートでフューズ
が切れ、VccL(−VccL)が供給されず、その結
果トランジスタQ11、Q12(Q13、Q14)は、
トランジスタとして動作せず、hFEが1に近づく。つま
りトランジスタQ11、Q12がダイオードとして働
き、Q11のベースに流れる電流供給が異常に大きくな
り、そのASOを越えて、QAが破壊することがあっ
た。通常はQAのコレクタ電流は、1/(hFE1×hFE
2)でよかったものが、ダイオード動作により増加する
からである。ここでhFE1は、Q11のhFE、hFE2はQ
12のhFE2である。As a second problem, the following has occurred. That is, since the power supply VccL (−VccL) handles a small current, the fuse 2 is used as load short-circuit protection.
3, 24 are used. However, the fuse blows due to a load short, and VccL (-VccL) is not supplied. As a result, the transistors Q11 and Q12 (Q13 and Q14)
HFE approaches 1 without operating as a transistor. That is, the transistors Q11 and Q12 function as diodes, the current supply flowing to the base of Q11 becomes abnormally large, and the QA may be broken beyond the ASO. Normally, the collector current of QA is 1 / (hFE1 × hFE
This is because what is good in 2) is increased by the diode operation. Here, hFE1 is hFE of Q11, and hFE2 is QFE
12 hFE2.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に
鑑みてなされ、第1に、電源回路の第1の電源電圧また
は前記第2の電源電圧の供給が絶たれたとき、強制的に
前記スイッチングトランジスタをオンさせる事で解決す
るものである。また電源回路は、電源がオフした際、ま
たは負荷ショートで第1の電源電圧に接続されたフュー
ズが切断された場合、強制的に前記スイッチングトラン
ジスタをオンさせることで解決するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and firstly, when the supply of the first power supply voltage or the second power supply voltage of the power supply circuit is cut off, the power supply circuit is forced to operate. The problem is solved by turning on the switching transistor. Further, the power supply circuit solves the problem by forcibly turning on the switching transistor when the power supply is turned off or when the fuse connected to the first power supply voltage is cut due to a load short.
【0015】電源が断たれたときは、強制的にスイッチ
ングトランジスタをオンさせることで、ドレイン電圧V
ccLをVccHに近づけ、ソース・ドレイン間の電圧
を小さくしている。また強制的にオンさせることで、Q
1、Q2のトランジスタ動作を行わせ、Q1のベースに
接続されているトランジスタQAの負荷を軽減してい
る。When the power supply is cut off, the switching transistor is forcibly turned on, so that the drain voltage V
ccL is brought close to VccH, and the voltage between the source and drain is reduced. Also, by forcibly turning it on, Q
1, the transistor operation of Q2 is performed, and the load on the transistor QA connected to the base of Q1 is reduced.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】以下で本発明の実施形態に係る増
幅回路を図面を参照しながら説明する。この増幅回路
は、図1に示すように、電流増幅アンプ1と、アンプ1
の最終出力段の第1〜第4のパワートランジスタQ1〜
Q4に、アンプ1の出力電圧Vout の変化に合せて、高
電圧VccH ,低電圧VccL のいずれかを電源電圧Vccと
して供給する電源回路2と、保護回路3とを有してい
る。又図面では省略したが、−VccH、−VccLの
間にも、同様に電源回路、保護回路が接続されている。
動作は同じであるので、以下片側のみ説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an amplifier circuit according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, this amplifier circuit includes a current amplifier 1 and an amplifier 1.
Of the final output stage of the first to fourth power transistors Q1 to Q1
Q4 includes a power supply circuit 2 for supplying either the high voltage VccH or the low voltage VccL as the power supply voltage Vcc in accordance with a change in the output voltage Vout of the amplifier 1, and a protection circuit 3. Although not shown in the drawing, a power supply circuit and a protection circuit are similarly connected between -VccH and -VccL.
Since the operation is the same, only one side will be described below.
【0017】アンプ1は、入力信号を増幅して出力電圧
Vout として出力する回路であって、その最終出力段
は、NPN型の第1,第2のトランジスタQ1,Q2
と、PNP型の第3,第4のトランジスタQ3,Q4
と、第1,第2の抵抗R11、R12より構成される。
第1のトランジスタQ1のエミッタは第2のトランジス
タQ2のベースに接続し、第3のトランジスタQ3のエ
ミッタが第4のトランジスタQ4のベースに接続してい
る。また、第1のトランジスタQ1のエミッタと第3の
トランジスタQ3のエミッタとの間に、第1の抵抗R1
1、R12が接続され、第2のトランジスタQ2のエミ
ッタと第4のトランジスタQ4のエミッタが接続し、第
4のトランジスタQ4のベースが第3のトランジスタQ
3のエミッタに接続し、第1のトランジスタQ1のベー
スが入力となり、第2のトランジスタQ2のエミッタが
出力OUTとなっている。また第2のトランジスタと第
4のトランジスタの中点と第1の抵抗R11と第2の抵
抗R12との中点は共通接続され、出力outと成ってい
る。The amplifier 1 is a circuit for amplifying an input signal and outputting it as an output voltage Vout. The final output stage of the amplifier 1 includes NPN-type first and second transistors Q1 and Q2.
And third and fourth PNP transistors Q3 and Q4
And first and second resistors R11 and R12.
The emitter of the first transistor Q1 is connected to the base of the second transistor Q2, and the emitter of the third transistor Q3 is connected to the base of the fourth transistor Q4. A first resistor R1 is connected between the emitter of the first transistor Q1 and the emitter of the third transistor Q3.
1, R12 are connected, the emitter of the second transistor Q2 is connected to the emitter of the fourth transistor Q4, and the base of the fourth transistor Q4 is connected to the third transistor Q4.
3, the base of the first transistor Q1 serves as an input, and the emitter of the second transistor Q2 serves as an output OUT. The middle point of the second transistor and the fourth transistor and the middle point of the first resistor R11 and the second resistor R12 are commonly connected to each other to form an output out.
【0018】第1の電源回路2は、パワーMOSFET
M1,抵抗R1〜R5、ツェナーダイオードZD1,ド
ライバトランジスタQ5,第1〜第3のダイオードD1
〜D3等を有する。パワーMOSFETM1のソースは
高電圧VccH に接続し、ゲートは抵抗R1を介して高電
圧VccH に接続している。また、このゲートは同時に抵
抗R2を介してドライバトランジスタQ5のコレクタに
接続している。またそのドレインはアンプの最終出力段
の第2のトランジスタQ2のコレクタに接続し、同時に
第1のダイオードD1を介して低電圧VccL と接続して
いる。なお、低電圧VccL は第1の電源電圧の一例であ
り、高電圧VccH は第2の電源電圧の一例で有る。The first power supply circuit 2 includes a power MOSFET
M1, resistors R1 to R5, zener diode ZD1, driver transistor Q5, first to third diodes D1
To D3 and the like. The source of the power MOSFET M1 is connected to the high voltage VccH, and the gate is connected to the high voltage VccH via the resistor R1. The gate is connected to the collector of the driver transistor Q5 via the resistor R2 at the same time. The drain is connected to the collector of the second transistor Q2 in the final output stage of the amplifier, and at the same time, to the low voltage VccL via the first diode D1. The low voltage VccL is an example of a first power supply voltage, and the high voltage VccH is an example of a second power supply voltage.
【0019】ドライバトランジスタQ5のベースとエミ
ッタは、抵抗R3によって接続しており、そのエミッタ
はZD1を介してVccLに接続されている。またZD
1のアノードは、抵抗R10を介して接地されている。
ドライバトランジスタQ5のベースには、抵抗R5,ダ
イオードD3が直列接続されており、第3のダイオード
D3と並列に第2のダイオードD2が接続されている。The base and the emitter of driver transistor Q5 are connected by a resistor R3, and the emitter is connected to VccL via ZD1. Also ZD
One anode is grounded via a resistor R10.
A resistor R5 and a diode D3 are connected in series to the base of the driver transistor Q5, and a second diode D2 is connected in parallel with the third diode D3.
【0020】また、コンデンサC1の一端がドライバト
ランジスタQ5のエミッタに接続し、他端が抵抗R5を
介してドライバトランジスタQ5のベースに接続してい
る。一方、保護回路3が設けられている。この保護回路
3は、トランジスタQ6、Q7、抵抗R6〜R11、ダ
イオードD4、ツェナーダイオードZD2より成る。Further, one end of the capacitor C1 is connected to the emitter of the driver transistor Q5, and the other end is connected to the base of the driver transistor Q5 via the resistor R5. On the other hand, a protection circuit 3 is provided. The protection circuit 3 includes transistors Q6 and Q7, resistors R6 to R11, a diode D4, and a Zener diode ZD2.
【0021】トランジスタQ5のエミッタは、ダイオー
ドD4のアノードが接続され、カソードは、VccLに
エミッタを接続されたトランジスタQ8のコレクタと接
続されている。またダイオードD4のカソードは、抵抗
R11、R10を介して−VccHと接続されている。
またR11とR10の中点は、ツェナーダイオードZD
2を介して抵抗R4と接続されている。The emitter of the transistor Q5 is connected to the anode of the diode D4, and the cathode is connected to the collector of the transistor Q8 whose emitter is connected to VccL. The cathode of diode D4 is connected to -VccH via resistors R11 and R10.
The middle point between R11 and R10 is the Zener diode ZD.
2 and a resistor R4.
【0022】更にはトランジスタQ7のベースとVcc
Lとの間には、抵抗R8が接続され、トランジスタQ6
のコレクタとQ7のベースには抵抗R9が接続され、ベ
ースには、R6を介して保護回路3のコントロール端子
が設けられ、ベースとGNDの間には抵抗R7が接続さ
れている。またトランジスタQ4のコレクタにはアノー
ドが接続されたダイオードD10が接続され、−Vcc
Lが供給されている。Further, the base of transistor Q7 and Vcc
L, a resistor R8 is connected, and the transistor Q6
A resistor R9 is connected to the collector of Q7 and the base of Q7, a control terminal of the protection circuit 3 is provided at the base via R6, and a resistor R7 is connected between the base and GND. Further, a diode D10 having an anode connected to the collector of the transistor Q4 is connected to -Vcc.
L is supplied.
【0023】最後に図面では省略したが、図2の第2の
電源回路20が点A、B、C、Dに接続されている。図
2のA、B、C、Dが図1のものと対応している。また
点E、F、Gには、図2のQA、バイアス回路27およ
び定電流回路が接続されている。一方、負側にも、ほぼ
同様の回路2、3が設けられており、これによって負の
電源電圧については高電圧−VccH ,低電圧−VccL の
いずれかが選択されて供給されることになる。この場合
にも、第3のトランジスタQ3のコレクタは、パワーM
OSFETM2を介して高電圧−VccH に接続され、ダ
イオードD10を介して−VccLと接続されている。Finally, although omitted in the drawing, the second power supply circuit 20 of FIG. 2 is connected to points A, B, C and D. A, B, C, and D in FIG. 2 correspond to those in FIG. The points E, F, and G are connected to the QA, the bias circuit 27, and the constant current circuit in FIG. On the other hand, almost the same circuits 2 and 3 are provided on the negative side, whereby either the high voltage -VccH or the low voltage -VccL is selected and supplied for the negative power supply voltage. . Also in this case, the collector of the third transistor Q3 has the power M
It is connected to the high voltage -VccH via the OSFET M2 and to -VccL via the diode D10.
【0024】以下で上記回路の動作について説明する。
上記の電源回路には、アンプ1の出力電圧Vout が常時
第2,第3のダイオードD2,D3を介して入力され
る。第2のダイオードD2はch1の出力電圧の入力部
となり、第3のダイオードD3はch2の出力電圧の入
力部となる。図1に示す回路では、ch1に対応するア
ンプ1のみ示しているので、以下ではch1の場合のみ
説明する。また、負側の電源電圧の供給については、正
側の電源回路12の動作とほぼ同様なので説明を省略
し、以下では正側の動作についてのみ説明する。The operation of the above circuit will be described below.
The output voltage Vout of the amplifier 1 is always input to the above power supply circuit via the second and third diodes D2 and D3. The second diode D2 serves as an input section for the output voltage of ch1, and the third diode D3 serves as an input section for the output voltage of ch2. Since only the amplifier 1 corresponding to ch1 is shown in the circuit shown in FIG. 1, only the case of ch1 will be described below. The supply of the negative power supply voltage is substantially the same as the operation of the positive power supply circuit 12, and therefore the description thereof is omitted, and only the positive operation will be described below.
【0025】ch1については、アンプ1の出力電圧V
out が所定の基準電圧Vref よりも低い場合には、ドラ
イバトランジスタQ5のベース電位が十分に上昇せず、
ドライバトランジスタQ5のVBEがONする電圧に至ら
ないので、ドライバトランジスタQ5はOFFしてい
る。すると、ドライバトランジスタQ5のコレクタ電流
が流れないためパワーMOSFETM1もOFFし、ア
ンプ1の最終出力段のトランジスタQ2のコレクタに
は、第1のダイオードD1を介して低電圧VccL が電源
電圧Vccとして供給される。As for ch1, the output voltage V of the amplifier 1
When out is lower than the predetermined reference voltage Vref, the base potential of the driver transistor Q5 does not rise sufficiently,
Since VBE of the driver transistor Q5 does not reach the voltage at which it turns on, the driver transistor Q5 is off. Then, since the collector current of the driver transistor Q5 does not flow, the power MOSFET M1 is also turned off, and the low voltage VccL is supplied as the power supply voltage Vcc to the collector of the transistor Q2 at the final output stage of the amplifier 1 via the first diode D1. You.
【0026】また、出力電圧Vout が所定の基準電圧V
ref よりも高電圧の際には、抵抗R5,第2のダイオー
ドD2を介して入力され、ドライバトランジスタQ5の
ベース電位が上昇し、ドライバトランジスタQ5はON
する。すると、ドライバトランジスタQ5にコレクタ電
流が流れるので、パワーMOSFETM1もONし、ア
ンプ1の最終出力段のトランジスタQ2のコレクタに
は、パワートランジスタM1を介して高電圧VccH が供
給される。The output voltage Vout is equal to a predetermined reference voltage Vout.
When the voltage is higher than ref, the voltage is input via the resistor R5 and the second diode D2, the base potential of the driver transistor Q5 increases, and the driver transistor Q5 is turned on.
I do. Then, since a collector current flows through the driver transistor Q5, the power MOSFET M1 is also turned on, and the high voltage VccH is supplied to the collector of the transistor Q2 at the final output stage of the amplifier 1 via the power transistor M1.
【0027】以上のようにして、上記回路では、基準電
圧Vref を出力電圧Vout が上回ると、電源電圧Vccが
高電圧VccH になり、基準電圧Vref を出力電圧が下回
ると、電源電圧Vccが低電圧VccL にしている。続いて
本発明の保護回路動作を説明する。従来例でも説明した
2つのモードで説明する。As described above, in the above circuit, when the output voltage Vout exceeds the reference voltage Vref, the power supply voltage Vcc becomes the high voltage VccH, and when the output voltage falls below the reference voltage Vref, the power supply voltage Vcc becomes the low voltage. VccL. Next, the operation of the protection circuit of the present invention will be described. The description will be made in the two modes described in the conventional example.
【0028】第1のモードは、電源がオフした場合であ
る。従来では、コンデンサCa>Cc(Cb>Cd)な
ので、放電が開始される電源がオフした直後、VccL
(−VccL)の方がVccH(−VccH)よりも先
に小さくなり、パワートランジスタM11のソース・ド
レイン間にかかる電圧は、ほぼVccH−VccL(−
VccH−(−VccL))となりる。M11には、動
作上で一番大きな電圧が加わり、素子耐圧を越えて破壊
に至る事があった。The first mode is when the power is turned off. Conventionally, since the capacitor Ca> Cc (Cb> Cd), immediately after the power supply at which the discharge is started is turned off, VccL
(−VccL) becomes smaller than VccH (−VccH), and the voltage applied between the source and drain of the power transistor M11 is almost VccH−VccL (−
VccH-(-VccL)). The largest voltage was applied to M11 in operation, and the breakdown voltage exceeded the withstand voltage of the device, sometimes leading to destruction.
【0029】しかし本発明は、コントロール端子をLに
することでパワートランジスタM1を強制的にオンさせ
ている。つまり通常動作時は、コントロール端子をHに
しておく。トランジスタQ6、Q7がオンし、ダイオー
ドD4が逆バイアスされているので、電源の切替動作は
行われる。However, in the present invention, the power transistor M1 is forcibly turned on by setting the control terminal to L. That is, during normal operation, the control terminal is kept at H. Since the transistors Q6 and Q7 are turned on and the diode D4 is reverse-biased, the power supply is switched.
【0030】しかし電源がオフしたとき、コントロール
端子をLにすると、トランジスタQ7がオフになるの
で、−VccHによりダイオードD4は、順バイアスさ
れる。トランジスタQ5のエミッタは、強制的にマイナ
ス電圧まで引っ張られるので、M1はオンし、素子M1
の破壊を防止できる。第2のモードは、負荷ショート等
でフューズが切れ、VccL(−VccL)が供給され
無くなった場合である。However, when the power is turned off, when the control terminal is set to L, the transistor Q7 is turned off, so that the diode D4 is forward-biased by -VccH. Since the emitter of the transistor Q5 is forcibly pulled to a negative voltage, M1 turns on and the element M1
Can be prevented from being destroyed. The second mode is a case where the fuse is blown due to a load short or the like, and VccL (-VccL) is no longer supplied.
【0031】トランジスタQ1、Q2(Q3、Q4)
は、コレクタがオープンとなりトランジスタとして動作
せず、hFEが1に近づく。つまりトランジスタQ1、Q
2がダイオードとして働き、Q1ののベースに流れる電
流供給が異常に大きくなり、QAのASOを越え破壊す
る。しかし本発明では、VccLが供給されなくなると
コントロール端子のH、Lに関わらず、ダイオードD4
のカソードは、−VccHによってマイナス電位に引っ
張られる。従って、Q5のベースには、GNDからD5
を介してベース電流が供給され、トランジスタQ5のエ
ミッタをマイナス電圧まで強制的に引っ張るので、Q5
はオンし、M1はオンし、トランジスタQ1、Q2をト
ランジスタ動作させ、プリドライバーのトランジスタQ
Aの破壊を防止できる。Transistors Q1, Q2 (Q3, Q4)
, The collector is open and does not operate as a transistor, and hFE approaches 1. That is, the transistors Q1 and Q
2 acts as a diode and the current supply flowing to the base of Q1 becomes abnormally large and breaks beyond the ASO of QA. However, according to the present invention, when VccL is not supplied, the diode D4 does not matter regardless of the control terminal H or L.
Is pulled to a negative potential by -VccH. Therefore, the base of Q5 is D5
, A base current is supplied through the gate of the transistor Q5 to forcibly pull the emitter of the transistor Q5 to a negative voltage.
Is turned on, M1 is turned on, and the transistors Q1 and Q2 are operated as transistors.
A can be prevented from being destroyed.
【0032】尚、ZD2のカソードは、接地されている
ので、R10とR11との間は、ツェナー電位V(ZD
2)分マイナスに押し下げており、−VccHが変動し
ても安定して保護できるように構成されている。ここで
スイッチングトランジスタM1は、MOSFETで説明
したが、バイポーラトランジスタでも良い。Since the cathode of ZD2 is grounded, a Zener potential V (ZD) is applied between R10 and R11.
2) It is configured to be able to stably protect even if -VccH fluctuates. Here, the switching transistor M1 has been described as a MOSFET, but may be a bipolar transistor.
【0033】[0033]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る増幅
回路によれば、第1に、電源回路の第1の電源電圧また
は前記第2の電源電圧の供給が絶たれたとき、強制的に
前記スイッチングトランジスタをオンさせているため、
また第2として、電源がオフした際、または負荷ショー
トで第1の電源電圧に接続されたフューズが切断された
場合、強制的に前記スイッチングトランジスタをオンさ
せている。As described above, according to the amplifier circuit of the present invention, first, when the supply of the first power supply voltage or the second power supply voltage of the power supply circuit is cut off, the forced operation is performed. Because the switching transistor is turned on in
Second, the switching transistor is forcibly turned on when the power supply is turned off or when a fuse connected to the first power supply voltage is cut due to a load short.
【0034】電源が断たれたときは、強制的にスイッチ
ングトランジスタをオンさせることで、ドレイン電圧V
ccLをVccHに近づけ、ソース・ドレイン間の電圧
を小さくしている。また強制的にオンさせることで、Q
1、Q2のトランジスタ動作を行わせ、Q1のベースに
接続されているトランジスタQAの負荷を軽減してい
る。When the power supply is cut off, the switching transistor is forcibly turned on so that the drain voltage V
ccL is brought close to VccH, and the voltage between the source and drain is reduced. Also, by forcibly turning it on, Q
1, the transistor operation of Q2 is performed, and the load on the transistor QA connected to the base of Q1 is reduced.
【0035】従って、スイッチングトランジスタやプリ
ドライバーのトランジスタの破壊が防止でき、安定した
増幅動作が実現できる。Therefore, destruction of the switching transistor and the transistor of the pre-driver can be prevented, and a stable amplification operation can be realized.
【図1】本発明の実施形態に係る増幅回路の回路図であ
る。FIG. 1 is a circuit diagram of an amplifier circuit according to an embodiment of the present invention.
【図2】一般の切替型の電源回路の動作を説明する図で
ある。FIG. 2 is a diagram illustrating an operation of a general switching type power supply circuit.
M1 パワートランジスタ Q5 ドライバトランジスタ Q1 第1のトランジスタ Q2 第2のトランジスタ Q3 第3のトランジスタ Q4 第4のトランジスタ ZD1 ツェナーダイオード out 出力電圧 VccH 高電圧(第2の電源電圧) VccL 低電圧(第1の電源電圧) M1 power transistor Q5 driver transistor Q1 first transistor Q2 second transistor Q3 third transistor Q4 fourth transistor ZD1 Zener diode out output voltage VccH high voltage (second power supply voltage) VccL low voltage (first power supply Voltage)
Claims (2)
と、PNP型の第3,第4のトランジスタとを備え、前
記第1のトランジスタのエミッタが前記第2のトランジ
スタのベースに接続され、前記第3のトランジスタのエ
ミッタが前記第4のトランジスタのベースに接続され、
前記第1のトランジスタのエミッタと前記第3のトラン
ジスタのベースとの間に、第1の抵抗および第2の抵抗
が接続され、前記第2のトランジスタのエミッタと前記
第4のトランジスタのエミッタが接続され、前記第1の
トランジスタおよび前記第3のトランジスタのベースが
入力となり、前記第2のトランジスタおよび前記第4の
トランジスタのエミッタが出力となる最終段出力部を有
し、入力信号を増幅して出力する増幅部と、 前記増幅部に、第1の電源電圧と、前記第1の電源電圧
よりも高い第2の電源電圧とのいずれかを、前記増幅部
の出力電圧の変化に合せて選択し、これを電源電圧とし
て前記増幅部に供給する電源回路で、前記供給は、前記
第2の電源電圧が電流流入側に接続され、前記第1の電
源電圧が電流流出側に接続されるとともに前記第1のト
ランジスタのコレクタに接続されたスイッチングトラン
ジスタでなされ、 前記電源回路は、電源がオフした際、または負荷ショー
トで第1の電源電圧に接続されたフューズが切断された
場合、強制的に前記スイッチングトランジスタをオンさ
せる事を特徴とした増幅回路。An NPN type first and second transistor; and a PNP type third and fourth transistor, wherein an emitter of the first transistor is connected to a base of the second transistor, An emitter of the third transistor is connected to a base of the fourth transistor;
A first resistor and a second resistor are connected between the emitter of the first transistor and the base of the third transistor, and the emitter of the second transistor is connected to the emitter of the fourth transistor. And a final-stage output section in which the bases of the first transistor and the third transistor are input and the emitters of the second transistor and the fourth transistor are output, and amplify the input signal. An amplifying unit to be output; and selecting one of a first power supply voltage and a second power supply voltage higher than the first power supply voltage in accordance with a change in the output voltage of the amplifying unit. A power supply circuit for supplying the power supply voltage as a power supply voltage to the amplifying unit, wherein the power supply is such that the second power supply voltage is connected to a current inflow side and the first power supply voltage is connected to a current outflow side. And a switching transistor connected to the collector of the first transistor, wherein the power supply circuit is forcibly applied when a power supply is turned off or when a fuse connected to the first power supply voltage is cut due to a load short circuit. An amplifier circuit characterized in that the switching transistor is turned on.
極には、第3の抵抗を介して第5のトランジスタのコレ
クタが接続され、第5のトランジスタのベースには、チ
ャンネル1、チャンネル2の出力が入力され、前記第5
のトランジスタのエミッタを強制的にマイナス電圧にし
て前記第5のトランジスタ、前記スイッチングトランジ
スタをオンさせる請求項1記載の増幅回路。2. A control electrode of the switching transistor is connected to a collector of a fifth transistor via a third resistor. Outputs of channel 1 and channel 2 are input to a base of the fifth transistor. The fifth
2. The amplifier circuit according to claim 1, wherein the emitter of said transistor is forcibly set to a negative voltage to turn on said fifth transistor and said switching transistor.
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