JPH1167872A - Plasma cleaning method for substrate - Google Patents

Plasma cleaning method for substrate

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JPH1167872A
JPH1167872A JP22782397A JP22782397A JPH1167872A JP H1167872 A JPH1167872 A JP H1167872A JP 22782397 A JP22782397 A JP 22782397A JP 22782397 A JP22782397 A JP 22782397A JP H1167872 A JPH1167872 A JP H1167872A
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plasma
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently and uniformly perform plasma cleaning, by measuring the length of a substrate before the substrate is transported into a vacuum chamber, controlling a transportation means based on the length, and always placing the substrate in the center of the vacuum chamber. SOLUTION: A substrate detection sensor 65 is arranged in a transportation path 14 on the upstream side of a vacuum chamber 11. The length Lp of a substrate 1 is obtained from the time when the substrate 1 under transportation is detected and from transportation speed. When the substrate 1 is transported into the vacuum chamber 11 in a length wipe direction Lv and it is placed on an electrode 12, a distance xb from the tip part of the substrate 1 to an end part on the downstream side in the vacuum chamber 11 is designated, and the substrate 1 is pushed to the center in the vacuum chamber 11. A cover member 13 descends and the vacuum chamber 11 is closed. Then, plasma leaning of the surface of the substrate 1 is performed. At that time, the substrate 1 is always placed is the center of the vacuum chamber 11, and the generated plasma is stabilized. Then, uniform and efficient plasma cleaning can always be executed on the substrate 1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント基板やリ
ードフレームなどの基板に電子部品を実装するのに先立
って、基板の表面をプラズマクリーニングする基板のプ
ラズマクリーニング方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of plasma cleaning a substrate surface before mounting electronic components on a substrate such as a printed circuit board or a lead frame.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子部品実装装置により、プリント基板
やリードフレームなどの基板に電子部品を実装するのに
先立ち、基板の表面を清浄化することが行われる。基板
の表面の清浄化処理を行う方法として、プラズマクリー
ニングが知られている。プラズマクリーニングは、処理
対象の基板を真空チャンバ内の電極上に載置し、真空チ
ャンバ内を真空吸引した後にプラズマ発生用ガスを真空
チャンバ内に導入し、電極に高周波電圧を印加すること
により真空チャンバ内にプラズマを発生させ、この結果
発生したイオンや電子を基板の表面に衝突させてイオン
や電子のエッチング効果により基板の表面の清浄化処理
を行うものである。
2. Description of the Related Art Before mounting electronic components on a substrate such as a printed circuit board or a lead frame, an electronic component mounting apparatus cleans the surface of the substrate. 2. Description of the Related Art Plasma cleaning is known as a method for cleaning the surface of a substrate. In plasma cleaning, a substrate to be processed is placed on an electrode in a vacuum chamber, a vacuum is sucked in the vacuum chamber, a plasma generation gas is introduced into the vacuum chamber, and a high-frequency voltage is applied to the electrode to form a vacuum. Plasma is generated in the chamber, and ions and electrons generated as a result are caused to collide with the surface of the substrate to perform a cleaning process on the surface of the substrate by an etching effect of the ions and electrons.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のプラ
ズマクリーニングの効果は真空チャンバ内で発生するプ
ラズマの密度に依存しており、プラズマ密度は真空チャ
ンバ内の全ての範囲で必ずしも均一ではないため、プラ
ズマクリーニングの効果は真空チャンバ内の部位によっ
てばらついている。一般には真空チャンバの中央部は周
辺部と比べてプラズマクリーニング効果が高くかつ安定
している。
However, the effect of the above-described plasma cleaning depends on the density of the plasma generated in the vacuum chamber, and the plasma density is not always uniform over the entire range in the vacuum chamber. The effect of the plasma cleaning varies from site to site in the vacuum chamber. Generally, the central portion of the vacuum chamber has a higher and more stable plasma cleaning effect than the peripheral portion.

【0004】また、同一のプラズマクリーニング装置で
処理される基板のサイズには大小がある。このため、サ
イズの小さい基板を処理対象とする場合には、プラズマ
クリーニングが均一に、かつ効率よく行えるように基板
を載置する位置を考慮することが望ましい。
[0004] The size of a substrate to be processed by the same plasma cleaning apparatus varies in size. Therefore, when a small-sized substrate is to be processed, it is desirable to consider a position where the substrate is placed so that plasma cleaning can be performed uniformly and efficiently.

【0005】しかしながら従来のプラズマクリーニング
装置では、小さい基板を処理対象とする場合に、真空チ
ャンバ内の最もプラズマクリーニング効率の良い位置に
基板が載置されるとは限らず、そのため必ずしも最適な
条件でプラズマクリーニングが行われず、結果として生
産性の向上を阻害するという問題点があった。
However, in the conventional plasma cleaning apparatus, when a small substrate is to be processed, the substrate is not always placed at a position having the highest plasma cleaning efficiency in the vacuum chamber. There is a problem in that plasma cleaning is not performed, and as a result, productivity improvement is hindered.

【0006】そこで本発明は、常に基板を真空チャンバ
の中央部に載置し、効率よく均一なプラズマクリーニン
グを行うことができる基板のプラズマクリーニング方法
を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a plasma cleaning method for a substrate, in which a substrate is always placed at the center of a vacuum chamber and plasma cleaning can be performed efficiently and uniformly.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の基板のプ
ラズマクリーニング方法は、基板を搬送手段により真空
チャンバ内に搬入し、真空チャンバ内を真空吸引した後
にプラズマ発生用ガスを真空チャンバ内に導入し、真空
チャンバ内に設けられた電極に高周波電圧を印加するこ
とにより真空チャンバ内にプラズマを発生させて真空チ
ャンバ内に載置された基板をプラズマクリーニングする
基板のプラズマクリーニング方法であって、基板を真空
チャンバ内に搬入する前に長さ計測手段により基板の長
さを計測し、この計測結果に基づき搬送手段を制御して
基板を常に真空チャンバの中央部に載置するようにし
た。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a plasma cleaning method for a substrate, wherein a substrate is carried into a vacuum chamber by a transfer means, and a vacuum generating chamber is evacuated. A plasma cleaning method for a substrate, comprising: introducing, applying a high-frequency voltage to an electrode provided in a vacuum chamber, generating plasma in the vacuum chamber, and plasma-cleaning a substrate placed in the vacuum chamber, Before carrying the substrate into the vacuum chamber, the length of the substrate was measured by the length measuring means, and the transport means was controlled based on the measurement result so that the substrate was always placed at the center of the vacuum chamber.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】上記構成の本発明によれば、基板
を真空チャンバ内に搬入する前に長さ計測手段により基
板の長さを計測し、この計測結果に基づき搬送手段を制
御することにより、基板を常に真空チャンバの中央部に
載置して均一なプラズマクリーニングを行うことができ
る。
According to the present invention having the above structure, the length of the substrate is measured by the length measuring means before the substrate is carried into the vacuum chamber, and the transfer means is controlled based on the measurement result. Thereby, the substrate can always be placed in the center of the vacuum chamber and uniform plasma cleaning can be performed.

【0009】次に、本発明の実施の形態を図面を参照し
て説明する。図1は本発明の一実施の形態の基板のプラ
ズマクリーニング装置の斜視図、図2は同基板のプラズ
マクリーニング装置の部分断面図、図3は同基板のプラ
ズマクリーニング装置の制御系の構成を示すブロック
図、図4は同基板のプラズマクリーニング装置の部分断
面図、図5は同基板の長さ計測のフローチャート、図
6、図7は同基板のプラズマクリーニング装置の部分断
面図である。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a plasma cleaning apparatus for a substrate according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the plasma cleaning apparatus for the same substrate, and FIG. 3 shows a configuration of a control system of the plasma cleaning apparatus for the same substrate. FIG. 4 is a partial cross-sectional view of a plasma cleaning apparatus for the same substrate, FIG. 5 is a flowchart of length measurement of the same substrate, and FIGS. 6 and 7 are partial cross-sectional views of the plasma cleaning apparatus for the same substrate.

【0010】まず、図1を参照して基板のプラズマクリ
ーニング装置の全体構造を説明する。図1において、1
0はベース部材であり、ベース部材10の上面には、基
板1の搬送路14が設けられている。搬送路14は、基
板1の幅に対応して長手方向に連続して形成された凹部
であり、この凹部に基板1を載置し、基板1を長手方向
に押送することにより基板1を搬送するものである。
First, the overall structure of a plasma cleaning apparatus for a substrate will be described with reference to FIG. In FIG. 1, 1
Reference numeral 0 denotes a base member, and a transfer path 14 for the substrate 1 is provided on an upper surface of the base member 10. The transport path 14 is a concave portion formed continuously in the longitudinal direction corresponding to the width of the substrate 1. The substrate 1 is placed in this concave portion, and the substrate 1 is transported by pushing the substrate 1 in the longitudinal direction. Is what you do.

【0011】搬送路14上には、真空チャンバ11が設
けられている。真空チャンバ11はベース部材10、ベ
ース部材10に装着された電極12(図2および図3参
照)及びベース部材10上に配設された箱形の蓋部材1
3により構成される。蓋部材13の外側面には2つの板
状のブラケット15が固着されており、ブラケット15
の端部はブロック16に結合されている。ブロック16
は、蓋部材13の開閉手段17に結合されている。開閉
手段17はシリンダなどから成り、開閉手段17を駆動
することにより、蓋部材13は上下動し、真空チャンバ
11が開閉する。
A vacuum chamber 11 is provided on the transfer path 14. The vacuum chamber 11 includes a base member 10, an electrode 12 (see FIGS. 2 and 3) mounted on the base member 10, and a box-shaped lid member 1 provided on the base member 10.
3. Two plate-shaped brackets 15 are fixed to the outer surface of the lid member 13.
Is connected to the block 16. Block 16
Is connected to the opening / closing means 17 of the lid member 13. The opening / closing means 17 is composed of a cylinder or the like. By driving the opening / closing means 17, the lid member 13 moves up and down, and the vacuum chamber 11 opens and closes.

【0012】図1において、ベース部材10の側面に
は、ガイドレール40が配設されている。ガイドレール
40には、2個のスライダ41、42がスライド自在に
嵌合している。スライダ41、42にはブラケット4
3、44がそれぞれ固着されている。ブラケット43、
44には、第1のシリンダ45、第2のシリンダ47が
それぞれ装着されている。第1のシリンダ45のロッド
46及び第2のシリンダ47のロッド48には、第1の
搬送アーム49、第2の搬送アーム50がそれぞれ結合
されている。
In FIG. 1, a guide rail 40 is provided on a side surface of the base member 10. Two sliders 41 and 42 are slidably fitted on the guide rail 40. Bracket 4 for sliders 41 and 42
3 and 44 are respectively fixed. Bracket 43,
A first cylinder 45 and a second cylinder 47 are mounted on 44, respectively. A first transfer arm 49 and a second transfer arm 50 are connected to the rod 46 of the first cylinder 45 and the rod 48 of the second cylinder 47, respectively.

【0013】第1の搬送アーム49の先端部と第2の搬
送アーム50の先端部は、搬送路14上に延出して下向
きに屈曲しており、第1の搬送爪49a及び第2の搬送
爪50aになっている。第1の搬送爪49a及び第2の
搬送爪50aは、搬送路14上に位置し、第1のシリン
ダ45のロッド46、第2のシリンダ47のロッド48
が突没することにより上下動する。
The distal end of the first transport arm 49 and the distal end of the second transport arm 50 extend on the transport path 14 and are bent downward, and have a first transport claw 49a and a second transport arm 49a. It is a nail 50a. The first transport claws 49a and the second transport claws 50a are located on the transport path 14, and the rod 46 of the first cylinder 45 and the rod 48 of the second cylinder 47
Is moved up and down as a result.

【0014】ベース部材10の側面には、第1のモータ
57および第2のモータ58が配設されている。第1の
モータ57および第2のモータ58の回転軸には、それ
ぞれプーリ55、56が装着されている。ベース部材1
0の側面には、プーリ55、56に対応して従動プーリ
53、54が設けられている。プーリ55と従動プーリ
53、プーリ56と従動プーリ54には、それぞれベル
ト59、60が調帯されている。ベルト59、60は連
結部材51、52によってブラケット43、44と結合
されている。
A first motor 57 and a second motor 58 are provided on the side of the base member 10. Pulleys 55 and 56 are mounted on the rotating shafts of the first motor 57 and the second motor 58, respectively. Base member 1
Driven pulleys 53 and 54 are provided on the side surface of 0 in correspondence with the pulleys 55 and 56. Belts 59 and 60 are tuned to the pulley 55 and the driven pulley 53, and to the pulley 56 and the driven pulley 54, respectively. The belts 59, 60 are connected to the brackets 43, 44 by connecting members 51, 52.

【0015】したがって、第1のモータ57、第2のモ
ータ58が正逆駆動することによりベルト59、60は
水平方向に走行し、ブラケット43、44に装着されて
いる第1のシリンダ45、第2のシリンダ47は水平方
向に正逆移動する。この水平方向の正逆移動と、第1の
シリンダ45および第2のシリンダ47の上下動を組み
合わせることにより、第1の搬送爪49aおよび第2の
搬送爪50aは基板1を搬送路14上で押送して搬送す
る。即ち、第1の搬送爪49aおよび第2の搬送爪50
aは基板1の搬送手段となっており、第1の搬送爪49
aは上流側(図1において左方)より基板1を真空チャ
ンバ11内に搬入する。また第2の搬送爪50aは真空
チャンバ11内より、下流側(図1において右方)へ基
板1を搬出する。
Therefore, when the first motor 57 and the second motor 58 are driven forward and backward, the belts 59 and 60 travel in the horizontal direction, and the first cylinder 45 and the first cylinder 45 mounted on the brackets 43 and 44, respectively. The second cylinder 47 moves forward and backward in the horizontal direction. By combining the forward / reverse movement in the horizontal direction and the vertical movement of the first cylinder 45 and the second cylinder 47, the first transport claws 49a and the second transport claws 50a move the substrate 1 on the transport path 14 Push and transport. That is, the first transport claws 49a and the second transport claws 50
a is a means for transporting the substrate 1 and the first transport claws 49
In a, the substrate 1 is loaded into the vacuum chamber 11 from the upstream side (left side in FIG. 1). The second transport claw 50a unloads the substrate 1 from the vacuum chamber 11 to the downstream side (to the right in FIG. 1).

【0016】ベース部材10の上流側には、基板1のロ
ーダ部20が配設されている。ローダ部20はZ軸モー
タ23を備えたZテーブル22を有しており、Zテーブ
ル22には、マガジン21が装着されている。マガジン
21の内部には多数の基板1が水平姿勢で段積して収納
されている。24はプッシャであり、マガジン21内の
基板1を搬送路14上に押し出す。
On the upstream side of the base member 10, a loader section 20 of the substrate 1 is provided. The loader unit 20 has a Z table 22 provided with a Z axis motor 23, and a magazine 21 is mounted on the Z table 22. A large number of substrates 1 are stacked and stored in the magazine 21 in a horizontal posture. A pusher 24 pushes the substrate 1 in the magazine 21 onto the transport path 14.

【0017】また、ベース部材10の下流側には、基板
1のアンローダ部30が配設されている。アンローダ部
30はZ軸モータ33を備えたZテーブル32を有して
おり、Zテーブル32には、マガジン31が装着されて
いる。マガジン31内にはプラズマクリーニング処理済
みの基板1が第2の搬送爪50aにより挿入されて回収
される。
On the downstream side of the base member 10, an unloader section 30 for the substrate 1 is provided. The unloader unit 30 has a Z table 32 provided with a Z-axis motor 33, and a magazine 31 is mounted on the Z table 32. The substrate 1 after the plasma cleaning process is inserted into the magazine 31 by the second transport claw 50a and collected.

【0018】次に、図2を参照して真空チャンバ11の
構造を説明する。図2において、ベース部材10には開
口部10aが設けられており、開口部10aには絶縁部
材8を介して電極12が下方より装着されている。電極
12は高周波電源19と電気的に接続されており、蓋部
材13は電気的に接地部61に接地され、電極12に対
向する対向電極となっている。また、真空チャンバ11
は、パイプ18を通じて真空吸引部62、プラズマガス
供給部63および大気開放弁64と接続されている。真
空吸引部62は真空チャンバ11内を真空吸引する。プ
ラズマガス供給部63は真空チャンバ11内にプラズマ
発生用のガスを供給する。大気開放弁64を開放するこ
とにより、真空チャンバ11内には真空破壊用の空気が
導入される。
Next, the structure of the vacuum chamber 11 will be described with reference to FIG. In FIG. 2, an opening 10 a is provided in the base member 10, and an electrode 12 is attached to the opening 10 a from below via an insulating member 8. The electrode 12 is electrically connected to the high-frequency power supply 19, and the lid member 13 is electrically grounded to the grounding portion 61, and serves as a counter electrode facing the electrode 12. Also, the vacuum chamber 11
Is connected to the vacuum suction unit 62, the plasma gas supply unit 63, and the atmosphere release valve 64 through the pipe 18. The vacuum suction unit 62 suctions the inside of the vacuum chamber 11 under vacuum. The plasma gas supply unit 63 supplies a gas for generating plasma into the vacuum chamber 11. By opening the atmosphere release valve 64, air for vacuum breaking is introduced into the vacuum chamber 11.

【0019】真空チャンバ11の上流側の搬送路14に
は、基板検出センサ65が配設されている。基板検出セ
ンサ65は基板1が搬送路14上を搬送される途中で下
方より基板1を検出する。基板1を継続して検出してい
る時間Tと基板1の搬送速度Vから、基板1の長さLp
を求めることができる。すなわち、基板検出センサ65
は基板1が真空チャンバ11内に搬送される前に基板1
の長さLpを計測する長さ計測手段となっている。基板
1は、長さ方向寸法Lvの真空チャンバ11内に搬入さ
れ、電極12上に載置される。このとき、基板1の先端
部から真空チャンバ11内の下流側の端部までの距離x
bが指定されることにより、基板1の真空チャンバ11
内での載置位置が決定される。
A substrate detection sensor 65 is provided on the transport path 14 on the upstream side of the vacuum chamber 11. The substrate detection sensor 65 detects the substrate 1 from below while the substrate 1 is being transported on the transport path 14. From the time T during which the substrate 1 is continuously detected and the transport speed V of the substrate 1, the length Lp of the substrate 1 is obtained.
Can be requested. That is, the board detection sensor 65
Before the substrate 1 is transferred into the vacuum chamber 11,
Is a length measuring means for measuring the length Lp. The substrate 1 is carried into a vacuum chamber 11 having a length dimension Lv and mounted on the electrode 12. At this time, the distance x from the front end of the substrate 1 to the downstream end in the vacuum chamber 11
By designating “b”, the vacuum chamber 11 of the substrate 1 is
Is determined.

【0020】次に、図3を参照してプラズマクリーニン
グ装置の制御系の構成を説明する。図3において、制御
部70は、真空チャンバ11の開閉動作、ローダ部2
0、アンローダ部30の動作などプラズマクリーニング
装置全体の制御を行う。記憶部72は、真空チャンバ1
1の位置座標値や真空チャンバ寸法値、搬送速度などの
パラメータを記憶する。また制御部70は基板検出セン
サ65からの信号に基づき、基板1の長さLpを計算す
るとともに、記憶部72のパラメータに基づき真空チャ
ンバ11内で基板1が設定位置通りに載置されるように
モータ駆動部71を制御する。モータ駆動部71は制御
指令に従って第1の搬送爪49aを駆動する。入力手段
73は、キーボードなどであって真空チャンバ11の位
置座標値や真空チャンバの長さ寸法値Lv、搬送速度V
などのパラメータを入力する。
Next, the configuration of a control system of the plasma cleaning apparatus will be described with reference to FIG. In FIG. 3, the control unit 70 performs opening and closing operations of the vacuum chamber 11 and the loader unit 2.
0, controls the entire plasma cleaning apparatus such as the operation of the unloader unit 30. The storage unit 72 includes the vacuum chamber 1
The parameters such as a position coordinate value, a vacuum chamber dimensional value, and a transfer speed are stored. The control unit 70 calculates the length Lp of the substrate 1 based on the signal from the substrate detection sensor 65, and places the substrate 1 at the set position in the vacuum chamber 11 based on the parameters of the storage unit 72. To control the motor driving unit 71. The motor driving unit 71 drives the first transport claw 49a according to the control command. The input means 73 is a keyboard or the like, and is a position coordinate value of the vacuum chamber 11, a length dimension value Lv of the vacuum chamber, a transfer speed V
Enter parameters such as

【0021】この基板のプラズマクリーニング装置は上
記のような構成より成り、次に各図を参照して動作を説
明する。動作開始前には、基板1の搬送速度Vや、真空
チャンバ11の長さ寸法値Lvなどは予め入力手段73
により入力されている。まず、図4において、真空チャ
ンバ11が開いた状態、すなわち蓋部材13が上昇した
状態で、第1の搬送爪49aによって真空チャンバ11
内に基板1が搬入される。このとき、基板1の長さLp
が図5に示すフローにしたがって長さ計測手段により計
測され、同時に基板1を真空チャンバ11の中央部に載
置するための距離xbが計算される。
The apparatus for cleaning a plasma of a substrate is constituted as described above, and the operation will be described with reference to the drawings. Before the start of the operation, the transfer speed V of the substrate 1 and the length dimension Lv of the vacuum chamber 11 are previously input to the input unit 73.
Has been entered. First, in FIG. 4, in a state where the vacuum chamber 11 is opened, that is, in a state where the lid member 13 is raised, the vacuum chamber 11 is moved by the first transfer claws 49a.
Substrate 1 is carried in. At this time, the length Lp of the substrate 1
Is measured by the length measuring means in accordance with the flow shown in FIG. 5, and at the same time, the distance xb for placing the substrate 1 in the center of the vacuum chamber 11 is calculated.

【0022】以下、図5のフローについて説明する。図
5において、基板1の搬入が開始される(ST1)と、
基板検出センサ65が検出動作を開始し、基板1を検出
(ST2)したならば、その時点での時刻t1を読み込
む(ST3)。基板検出センサ65は引き続き基板1を
検出しており、基板1を検出しなくなったならば(ST
4)、その時点の時刻t2を読み込む。その結果基板1
の搬入完了が確認される(ST5)。次いで、搬送速度
Vと基板検出センサ65が基板1を継続して検出した時
間(t2−t1)から基板長さLpが計算される(ST
6)。そして基板1を真空チャンバ11の中央部に載置
するための距離xbが計算される(ST7)。
Hereinafter, the flow of FIG. 5 will be described. In FIG. 5, when the loading of the substrate 1 is started (ST1),
When the board detection sensor 65 starts the detection operation and detects the board 1 (ST2), the time t1 at that time is read (ST3). The board detection sensor 65 continues to detect the board 1, and if the board 1 is no longer detected (ST
4) Read the time t2 at that time. As a result, substrate 1
Is completed (ST5). Next, the substrate length Lp is calculated from the transport speed V and the time (t2-t1) when the substrate detection sensor 65 continuously detects the substrate 1 (ST).
6). Then, a distance xb for mounting the substrate 1 at the center of the vacuum chamber 11 is calculated (ST7).

【0023】このようにして求められた距離xbに従っ
て、基板1が第1の搬送爪49aにより真空チャンバ1
1内の中央部まで押送されたならば、蓋部材13が下降
して真空チャンバ11が閉じられる。この後、真空チャ
ンバ11内は真空吸引部62により真空吸引され、次い
でプラズマガス供給部63によりプラズマ発生用ガスが
真空チャンバ11内に導入される。次に高周波電源19
を駆動して電極12に高周波電圧を印加することによ
り、図6に示すように真空チャンバ11内にはプラズマ
が発生する。その結果発生したイオンや電子が基板1の
表面に衝突することにより(図6に示す下向き矢印参
照)、基板1の表面のプラズマクリーニングが行われ
る。このとき、基板1は常に真空チャンバ11の中央部
に載置されるため、発生したプラズマは安定しており、
基板1に対して常に均一な効率の良いプラズマクリーニ
ングが行われる。
According to the distance xb obtained in this way, the substrate 1 is moved by the first transfer claws 49a to the vacuum chamber 1
When the cover member 13 is pushed down to the center in 1, the lid member 13 is lowered and the vacuum chamber 11 is closed. Thereafter, the inside of the vacuum chamber 11 is evacuated by the vacuum suction unit 62, and then a plasma generating gas is introduced into the vacuum chamber 11 by the plasma gas supply unit 63. Next, the high frequency power supply 19
Is driven to apply a high-frequency voltage to the electrode 12, thereby generating a plasma in the vacuum chamber 11 as shown in FIG. The ions and electrons generated as a result collide with the surface of the substrate 1 (see the downward arrow shown in FIG. 6), whereby the surface of the substrate 1 is subjected to plasma cleaning. At this time, since the substrate 1 is always placed in the center of the vacuum chamber 11, the generated plasma is stable,
A uniform and efficient plasma cleaning is always performed on the substrate 1.

【0024】プラズマクリーニングが終了すると、真空
チャンバ11内には大気開放弁64を介して空気が導入
され、その後図7に示すように、蓋部材13を上昇させ
て真空チャンバ11を開く。次に、第1の搬送爪49
a、第2の搬送爪50aを下流側へ移動させることによ
り、新たな基板1を真空チャンバ11内に搬入するとと
もに、プラズマクリーニング処理済みの基板1を真空チ
ャンバ11から搬出する。搬出された基板1はマガジン
31内に回収され、プラズマクリーニングの1サイクル
が終了する。
When the plasma cleaning is completed, air is introduced into the vacuum chamber 11 through an atmosphere release valve 64, and thereafter, as shown in FIG. 7, the lid member 13 is raised to open the vacuum chamber 11. Next, the first transport claws 49
a) By moving the second transfer claw 50a to the downstream side, a new substrate 1 is loaded into the vacuum chamber 11, and the substrate 1 after the plasma cleaning processing is unloaded from the vacuum chamber 11. The unloaded substrate 1 is collected in the magazine 31, and one cycle of the plasma cleaning is completed.

【0025】[0025]

【発明の効果】本発明によれば、基板を真空チャンバ内
に搬入する前に長さ計測手段により基板の長さを計測
し、この計測結果に基づき搬送手段を制御するようにし
ているので、異なる長さ寸法の基板が搬入される場合で
も、基板は常にプラズマの密度が安定して均一な真空チ
ャンバの中央部に載置されるため、したがって基板を均
一に効率よくプラズマクリーニングすることができる。
According to the present invention, the length of the substrate is measured by the length measuring means before the substrate is carried into the vacuum chamber, and the transport means is controlled based on the measurement result. Even when substrates of different lengths are carried in, the substrates are always placed in the center of the vacuum chamber with a stable and uniform plasma density, so that the substrates can be uniformly and efficiently plasma-cleaned. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態の基板のプラズマクリー
ニング装置の斜視図
FIG. 1 is a perspective view of a substrate plasma cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態の基板のプラズマクリー
ニング装置の部分断面図
FIG. 2 is a partial cross-sectional view of a substrate plasma cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施の形態の基板のプラズマクリー
ニング装置の制御系の構成を示すブロック図
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a control system of the substrate plasma cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施の形態の基板のプラズマクリー
ニング装置の部分断面図
FIG. 4 is a partial cross-sectional view of a plasma cleaning apparatus for a substrate according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施の形態の基板の長さ計測のフロ
ーチャート
FIG. 5 is a flowchart of substrate length measurement according to an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施の形態の基板のプラズマクリー
ニング装置の部分断面図
FIG. 6 is a partial cross-sectional view of a plasma cleaning apparatus for a substrate according to an embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施の形態の基板のプラズマクリー
ニング装置の部分断面図
FIG. 7 is a partial cross-sectional view of a plasma cleaning apparatus for a substrate according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 10 ベース部材 11 真空チャンバ 12 電極 13 蓋部材 14 搬送路 19 高周波電源 20 ローダ部 30 アンローダ部 49a 第1の搬送爪 50a 第2の搬送爪 62 真空吸引部 63 プラズマガス供給部 65 基板検出センサ Reference Signs List 1 substrate 10 base member 11 vacuum chamber 12 electrode 13 lid member 14 transfer path 19 high-frequency power supply 20 loader unit 30 unloader unit 49a first transfer claw 50a second transfer claw 62 vacuum suction unit 63 plasma gas supply unit 65 substrate detection sensor

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板を搬送手段により真空チャンバ内に搬
入し、真空チャンバ内を真空吸引した後にプラズマ発生
用ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内に設
けられた電極に高周波電圧を印加することにより真空チ
ャンバ内にプラズマを発生させて真空チャンバ内に載置
された基板をプラズマクリーニングする基板のプラズマ
クリーニング方法であって、基板を真空チャンバ内に搬
入する前に長さ計測手段により基板の長さを計測し、こ
の計測結果に基づき搬送手段を制御して基板を常に真空
チャンバの中央部に載置することを特徴とする基板のプ
ラズマクリーニング方法。
1. A substrate is carried into a vacuum chamber by a transfer means, a vacuum gas is sucked into the vacuum chamber, a plasma generating gas is introduced into the vacuum chamber, and a high-frequency voltage is applied to an electrode provided in the vacuum chamber. A plasma cleaning method for a substrate, comprising: generating plasma in a vacuum chamber to perform plasma cleaning on a substrate placed in the vacuum chamber, wherein the substrate is measured by a length measuring unit before the substrate is carried into the vacuum chamber. A length of the substrate is measured, and a transfer means is controlled based on a result of the measurement, whereby the substrate is always placed in the center of the vacuum chamber.
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CN110844490A (en) * 2019-09-13 2020-02-28 上海金方得智能科技有限公司 Intelligent transportation line system

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