JPH1164872A - Reflection type liquid crystal display element and its production - Google Patents

Reflection type liquid crystal display element and its production

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JPH1164872A
JPH1164872A JP22685397A JP22685397A JPH1164872A JP H1164872 A JPH1164872 A JP H1164872A JP 22685397 A JP22685397 A JP 22685397A JP 22685397 A JP22685397 A JP 22685397A JP H1164872 A JPH1164872 A JP H1164872A
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JP
Japan
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liquid crystal
reflective
electrode
crystal display
film
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Application number
JP22685397A
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Japanese (ja)
Inventor
Masahiko Morikawa
昌彦 森川
Shinji Shimada
伸二 島田
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reflection type liquid crystal display element which can be easily manufactured and has high display grade and a manufacturing method therefor. SOLUTION: In a TFT substrate 1, a surface protective layer 21a having strength higher than that of aluminium is formed on a reflection pixel electrode 21 made of an aluminium thin film and a vertically oriented film 7 is formed thereon. As the surface protective layer 21a, an aluminium oxide film formed by anodically oxidizing a surface of the reflection pixel electrode 21 and an aluminium oxide film formed by sputtering and a silicon oxide film, etc., are used.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、反射電極を有する
反射型液晶表示素子、及びその製造方法に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflection type liquid crystal display device having a reflection electrode, and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、CRTの代替を目指して液晶表示
素子の開発が盛んであるが、その中でも携帯情報端末用
として、屋外などの自然光、もしくは室内での照明など
外部からの入射光を反射させて表示を行う反射型液晶表
示素子がある。これは光源としてバックライトを必要と
しないため消費電力が低くなると同時に、薄型、軽量化
が可能である。
2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display devices have been actively developed to replace CRTs. Among them, for use in portable information terminals, natural light such as outdoors or light incident from outside such as indoor lighting is reflected. There is a reflection type liquid crystal display element which performs display by causing the display to be performed. Since this does not require a backlight as a light source, power consumption is reduced, and at the same time, it is possible to reduce the thickness and weight.

【0003】また、プロジェクションに用いる液晶表示
素子としても、反射型液晶表示素子の開発が進められて
いる。これは、画素電極として反射電極を有するため、
画素電極を駆動するアクティブ素子を反射電極下に形成
することが可能で、開口率を高くできるといった利点が
あるためである。このように反射電極を有する液晶表示
素子の開発が注目されている。
As a liquid crystal display element used for projection, a reflective liquid crystal display element is being developed. This is because it has a reflective electrode as a pixel electrode,
This is because an active element for driving the pixel electrode can be formed below the reflective electrode, and there is an advantage that the aperture ratio can be increased. Thus, the development of a liquid crystal display device having a reflective electrode has attracted attention.

【0004】図6に、アクティブ素子としてTFT(Th
in Film Transistor) を用いた従来の反射型液晶表示素
子の一構成例を示す。
FIG. 6 shows a TFT (Th) as an active element.
1 shows an example of a configuration of a conventional reflective liquid crystal display device using an in-film transistor.

【0005】反射型液晶表示素子は、TFTを有するT
FT基板31と対向基板32とが、図示しないスペーサ
を含んだシール樹脂を介して貼り合わされており、基板
31・32間に形成された空間部に液晶層33が形成さ
れている。
[0005] The reflection type liquid crystal display device has a TFT having a TFT.
The FT substrate 31 and the counter substrate 32 are bonded together via a sealing resin including a spacer (not shown), and a liquid crystal layer 33 is formed in a space formed between the substrates 31 and 32.

【0006】上記TFT基板31は、絶縁性の基板34
上に、複数のゲートバス配線(図示せず)が互いに平行
に設けられ、各ゲートバス配線からはゲート電極41が
分岐して設けられている。そして、このゲート電極41
を覆って全面にゲート絶縁膜42が形成されると共に、
ゲート電極41の上方のゲート絶縁膜42の上には、半
導体層43とコンタクト層43aとが順に形成されてい
る。
[0006] The TFT substrate 31 is made of an insulating substrate 34.
Above, a plurality of gate bus lines (not shown) are provided in parallel with each other, and a gate electrode 41 is branched from each gate bus line. And, this gate electrode 41
, A gate insulating film 42 is formed on the entire surface,
On the gate insulating film 42 above the gate electrode 41, a semiconductor layer 43 and a contact layer 43a are sequentially formed.

【0007】上記コンタクト層43aの一方の端部に
は、ソース電極44が重畳形成されると共に、他方の端
部には、ソース電極44と同じ材質からなるドレイン電
極45が重畳形成され、上記ソース電極44には前述の
ゲート絶縁膜42を挟んでゲートバス配線と交差するソ
ースバス配線(図示せず)が接続されている。ソースバ
ス配線もソース電極44と同様な金属で形成されてい
る。
A source electrode 44 is formed on one end of the contact layer 43a, and a drain electrode 45 made of the same material as the source electrode 44 is formed on the other end. A source bus wiring (not shown) crossing the gate bus wiring with the gate insulating film 42 interposed therebetween is connected to the electrode 44. The source bus wiring is also formed of the same metal as the source electrode 44.

【0008】これらゲート電極41、ゲート絶縁膜4
2、半導体層43、コンタクト層43a、ソース電極4
4及びドレイン電極45は、スイッチング素子であるT
FT48を構成している。
The gate electrode 41 and the gate insulating film 4
2, semiconductor layer 43, contact layer 43a, source electrode 4
4 and the drain electrode 45 are connected to a switching element T
The FT 48 is configured.

【0009】上記TFT48の上部基板全面には平担化
膜50が形成され、この平担化膜50のドレイン電極4
5部分には、反射画素電極51と電気的に接続するため
にコンタクトホール52が形成されている。この平担化
膜50の上部にはアルミニウムからなる反射画素電極5
1が重畳形成され、この反射画素電極51は、上記コン
タクトホール52によりドレイン電極45に電気的に接
続されている。上記反射画素電極51の表面には、液晶
分子を配向させる配向膜37が形成されている。
A flattening film 50 is formed on the entire surface of the upper substrate of the TFT 48, and the drain electrode 4 of the flattening film 50 is formed.
Contact holes 52 are formed in the five portions to be electrically connected to the reflection pixel electrodes 51. The reflective pixel electrode 5 made of aluminum is provided on the flattening film 50.
The reflective pixel electrode 51 is electrically connected to the drain electrode 45 through the contact hole 52. On the surface of the reflective pixel electrode 51, an alignment film 37 for aligning liquid crystal molecules is formed.

【0010】一方、対向基板32は、ガラスなどの絶縁
性の基板38上に、画素領域の全面にITO(Indium Ti
n Oxide)などからなる透明な対向電極39が形成され、
その上部に配向膜40が形成されている。
On the other hand, an opposing substrate 32 is formed on an insulating substrate 38 such as glass by covering the entire pixel region with ITO (Indium Ti).
n Oxide), etc.
An alignment film 40 is formed thereon.

【0011】ところで、これら反射型液晶表示素子で
は、より明るい反射出力光を得るために、反射画素電極
51としては反射率の高いアルミニウムが主に使用され
ている。
By the way, in these reflective liquid crystal display devices, aluminum having high reflectance is mainly used as the reflective pixel electrode 51 in order to obtain brighter reflected output light.

【0012】その一例として、特開平6−347828
号公報には、単結晶シリコン上にアクティブ素子を形成
し、反射画素電極としてアルミニウムを蒸蓄により形成
した後、この表面を研磨処理することが記載されてい
る。これによれば、電極表面に生じるヒロックを防止で
き、その結果、光の散乱を防止することにより高い反射
率特性を得ることができる。
One example is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-347828.
Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H11-157, discloses that an active element is formed on single-crystal silicon, aluminum is formed as a reflective pixel electrode by evaporation, and the surface is polished. According to this, hillocks generated on the electrode surface can be prevented, and as a result, high reflectance characteristics can be obtained by preventing light scattering.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報では、アルミニウムからなる反射画素電極に研磨処理
を施してヒロックを防止しているが、その後の配向膜焼
成の過程で、加熱によって生じるヒロックについては、
考慮していない。
In the above-mentioned publication, however, the reflective pixel electrode made of aluminum is polished to prevent hillocks. However, in the process of firing the alignment film, hillocks generated by heating are not considered. ,
Not considered.

【0014】即ち、図6に示したように、反射画素電極
51の上には、配向膜37を、例えばポリイミド等を塗
布し、これを焼成し、その後、液晶分子の配向方向を決
定する配向処理として、綿布などで擦るラビング処理を
施すことで形成するため、たとえ反射画素電極51の表
面を研磨処理したとしても、以降に行われる配向膜37
の焼成過程において、反射画素電極51上にヒロックが
発生することがある。
That is, as shown in FIG. 6, an alignment film 37 is coated on the reflective pixel electrode 51 with, for example, polyimide or the like, and is baked. Thereafter, the alignment film 37 determines the alignment direction of the liquid crystal molecules. Since it is formed by performing a rubbing process of rubbing with a cotton cloth or the like as a process, even if the surface of the reflective pixel electrode 51 is polished, the alignment film 37 to be subsequently performed is formed.
During the firing process, hillocks may be generated on the reflective pixel electrode 51.

【0015】発生したヒロックが、セルギャッブより大
きい数μmの大きさを有すると、ヒロックを介して対向
基板32に設けられた対向電極39と反射画素電極51
とが導通し、上下リークが生じる。また、ラビング処理
によりヒロックが削り取られて、ダスト発生の原因とも
なる。さらに、液晶表示素子として表示を行った際、反
射画素電極51上のヒロック付近では、液晶分子の配向
乱れが発生し、その結果、暗表示時において光抜けが生
じると共に、明表示時に反射率が低下して低コントラス
トとなり、表示品位の低下を招く。
If the generated hillock has a size of several μm larger than the cell gap, the counter electrode 39 and the reflection pixel electrode 51 provided on the counter substrate 32 via the hillock are provided.
Are conducted, and a vertical leak occurs. Further, hillocks are scraped off by the rubbing treatment, which causes dust generation. Further, when a display is performed as a liquid crystal display element, alignment disorder of liquid crystal molecules occurs near a hillock on the reflective pixel electrode 51. As a result, light leakage occurs at the time of dark display and the reflectivity at the time of bright display. As a result, the contrast is lowered to lower the display quality.

【0016】また、たとえヒロックが発生しなくとも、
上記したラビング処理により、図7に示すように、反射
画素電極51の表面に綿布等で擦った跡がキズ55とな
って残る。これは、アルミニウムからなる反射画素電極
51の強度が低く、この表面を所定の布の当たりをもっ
てラビングを行うからである。これにより、反射画素電
極51は一部が削られ、その表面に凹凸が発生し、最悪
の場合、この部分の反射画素電極51が欠如する。
[0016] Even if no hillocks occur,
As a result of the above-described rubbing treatment, traces rubbed with a cotton cloth or the like remain as scratches 55 on the surface of the reflective pixel electrode 51 as shown in FIG. This is because the intensity of the reflective pixel electrode 51 made of aluminum is low, and the surface is rubbed with a predetermined cloth. As a result, a part of the reflective pixel electrode 51 is shaved and irregularities are generated on its surface. In the worst case, the reflective pixel electrode 51 in this part is absent.

【0017】その結果、液晶分子の配向乱れが起き、反
射画素電極51にヒロックが発生した場合と同様に、光
抜けや最大反射率の低下により低コントラストとなり、
表示品位の低下を招くことになる。なお、図中の斜線領
域BMは、上述したゲートバス配線やソースバス配線、
TFT48を覆うブラックマトリクスである。
As a result, as in the case where the alignment of the liquid crystal molecules is disturbed and a hillock is generated in the reflective pixel electrode 51, the contrast becomes low due to light leakage or a decrease in the maximum reflectance.
The display quality will be degraded. The hatched area BM in the figure indicates the gate bus wiring and the source bus wiring described above.
This is a black matrix that covers the TFT 48.

【0018】本発明は、上記の課題を解決するためのも
のであり、製造が容易に行え、且つ表示品位の高い反射
型液晶表示素子及びその製造方法を提供することを目的
とする。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a reflective liquid crystal display element which can be easily manufactured and has high display quality, and a method of manufacturing the same.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】本発明の反射型液晶表示
素子は、上記の課題を解決するために、電極を各々に有
する一対の基板間に液晶が挟持され、該一対の基板のど
ちらか一方の電極としてアルミニウム薄膜からなる反射
電極を有する反射型液晶表示素子において、上記画素電
極の表面に、アルミニウムより強度の高い表面保護層が
形成されていることを特徴としている。
In order to solve the above-mentioned problems, in the reflection type liquid crystal display device of the present invention, a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates each having an electrode, and one of the pair of substrates is provided. In a reflection type liquid crystal display device having a reflection electrode made of an aluminum thin film as one electrode, a surface protection layer having higher strength than aluminum is formed on the surface of the pixel electrode.

【0020】また、本発明の反射型液晶表示素子の製造
方法は、上記の課題を解決するために、電極を各々に有
する一対の基板間に液晶が挟持され、該一対の基板のど
ちらか一方の電極としてアルミニウム薄膜からなる反射
電極を有し、該反射電極上に、液晶分子を配向させるた
めの配向膜が形成されている反射型液晶表示素子の製造
方法において、反射電極上に配向膜を形成する前に、該
反射電極の表面に、アルミニウムより強度の高い表面保
護層を形成することを特徴としている。
In order to solve the above-mentioned problems, a method of manufacturing a reflection type liquid crystal display element according to the present invention comprises interposing a liquid crystal between a pair of substrates each having an electrode, and providing one of the pair of substrates. A reflective electrode comprising an aluminum thin film as an electrode, and a reflective liquid crystal display element manufacturing method in which an alignment film for aligning liquid crystal molecules is formed on the reflective electrode. Before the formation, a surface protective layer having higher strength than aluminum is formed on the surface of the reflective electrode.

【0021】上記によれば、反射電極の表面に形成され
た表面保護層により、配向膜焼成時の反射電極のヒロッ
クの発生が防止され、ヒロックが生じ難くなる。したが
って、ヒロックを原因とする上述の上下リークや、ラビ
ング時のダストの発生が起こり難い。また、表示を行っ
た際のヒロック付近での液晶分子の配向乱れによる光抜
けや、最大反射率の低下も起こらず、高コントラストの
優れた表示品位となる。
According to the above, the surface protection layer formed on the surface of the reflective electrode prevents hillocks of the reflective electrode during firing of the alignment film, and makes hillocks less likely to occur. Therefore, the above-described vertical leakage due to hillocks and the generation of dust during rubbing are unlikely to occur. In addition, light leakage due to disturbance of the alignment of liquid crystal molecules near the hillocks during display and reduction in the maximum reflectivity do not occur, and the display quality with high contrast is excellent.

【0022】また、表面保護層により、ラビング処理に
おいて発生し易かった、反射電極表面のキズが発生し難
くなり、このキズを原因とした液晶分子の配向乱れによ
る表示品位の低下も発生しない。
Further, the surface protection layer makes it difficult for the surface of the reflective electrode to be easily scratched, which is liable to occur in the rubbing treatment, and does not cause a deterioration in display quality due to disorder in the alignment of liquid crystal molecules caused by the scratch.

【0023】上記の表面保護層としては、反射電極の表
面を陽極酸化して形成される膜や、スパッタリングによ
り形成されたアルミ酸化物からなる膜、或いは、スパッ
タリングにより形成されたシリコン酸化物からなる膜等
がある。
The above-mentioned surface protective layer is formed of a film formed by anodizing the surface of the reflective electrode, a film made of aluminum oxide formed by sputtering, or a silicon oxide formed by sputtering. There are membranes and the like.

【0024】このうち、反射電極の表面を陽極酸化する
ことで、表面保護層を形成する方法は、例えばスパッタ
リングにて成膜する方法に比べて、スパッタリング装置
が必要ない上、反射電極以外の部分をマスクする必要も
なく、製造が容易であるといった利点がある。反対に、
スパッタリング装置を用いてアルミ酸化物やシリコン酸
化物の膜からなる表面保護層を形成する方法は、陽極酸
化する方法に比べると製造は若干煩雑であるが、膜厚の
制御が容易であるといった利点がある。
Among them, the method of forming the surface protective layer by anodizing the surface of the reflective electrode does not require a sputtering apparatus and a portion other than the reflective electrode, as compared with a method of forming a film by sputtering, for example. There is an advantage that there is no need for masking and manufacturing is easy. Conversely,
The method of forming a surface protective layer made of an aluminum oxide or silicon oxide film using a sputtering apparatus is slightly more complicated than the anodic oxidation method, but has an advantage that the thickness can be easily controlled. There is.

【0025】また、上記の本発明の反射型液晶表示素子
では、反射電極を有する基板に対向して配されるもう一
方の基板の電極表面に、反射電極表面に設けた表面保護
層と同じ材質の膜が形成された構成とすることもでき
る。
In the above-mentioned reflection type liquid crystal display element of the present invention, the same material as the surface protective layer provided on the surface of the reflective electrode is provided on the electrode surface of the other substrate which is disposed opposite to the substrate having the reflective electrode. May be formed.

【0026】これによれば、両方の基板において、液晶
に最も近接する膜が同じ材質からなるので、液晶層に電
圧を印加した際に発生する電気力線が均一になり、ディ
スクリネーションの発生を防ぐことができる。
According to this, in both substrates, the film closest to the liquid crystal is made of the same material, so that the lines of electric force generated when a voltage is applied to the liquid crystal layer become uniform, and disclination occurs. Can be prevented.

【0027】さらに、この場合、上記の表面保護層と同
じ材質の膜が、表面保護層と同一の膜厚を有する構成と
することで、ディスクリネーションの発生をより一層効
果的に防止できる。
Further, in this case, by forming the film made of the same material as the surface protective layer to have the same thickness as the surface protective layer, the occurrence of disclination can be more effectively prevented.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

〔実施の形態1〕本発明に係る実施の一形態について、
図1ないし図4を用いて説明すれば、以下の通りであ
る。
[Embodiment 1] Regarding one embodiment of the present invention,
This will be described with reference to FIGS. 1 to 4.

【0029】図1は、本実施の形態の反射型液晶表示素
子を示す要部断面図であり、図2は、この反射型液晶表
示素子を構成するアクティブ素子を有する側の基板の平
面図である。なお、ここでは、アクティブ素子を用いた
所謂アクティブマトリクス駆動されるものを例示する
が、もちろん単純マトリクス駆動される反射型液晶表示
素子にも適用可能である。
FIG. 1 is a sectional view of a principal part showing a reflection type liquid crystal display device of the present embodiment, and FIG. 2 is a plan view of a substrate having an active element constituting the reflection type liquid crystal display device. is there. Here, a so-called active matrix driven device using an active element is exemplified. However, it is needless to say that the present invention can be applied to a reflection type liquid crystal display device driven by a simple matrix.

【0030】この反射型液晶表示素子は、液晶層3を間
に挟んで一方にアクティブ素子としてTFT(Thin Fil
m Transistor) を有するTFT基板1が、他方には対向
基板2が設けられている。
This reflection type liquid crystal display element has a TFT (Thin Filtration) as an active element on one side with a liquid crystal layer 3 interposed therebetween.
m Transistor), and a counter substrate 2 on the other side.

【0031】上記のTFT基板1は、ガラスなどの絶縁
性の基板4上に、クロム、タンタルなどからなる複数の
ゲートバス配線5が互いに平行に設けられ、各ゲートバ
ス配線5からはゲート電極11が分岐して設けられてい
る。そして、このゲート電極11を覆って全面に窒化シ
リコン(SiNx)、酸化シリコン(SiOx)などか
らなるゲート絶縁膜12が形成されている。
In the TFT substrate 1, a plurality of gate bus lines 5 made of chromium, tantalum or the like are provided in parallel with each other on an insulating substrate 4 made of glass or the like. Are provided in a branched manner. A gate insulating film 12 made of silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), or the like is formed on the entire surface so as to cover the gate electrode 11.

【0032】ゲート電極11の上方のゲート絶縁膜12
の上には、a−Si(アモルファスシリコン)、多結晶
シリコンなどからなる、半導体層13とコンタクト層1
3aとが順に形成されており、コンタクト層13aの一
方の端部には、チタン、モリブデン、アルミニウムなど
からなるソース電極14が重畳形成されている。
Gate insulating film 12 above gate electrode 11
A semiconductor layer 13 and a contact layer 1 made of a-Si (amorphous silicon), polycrystalline silicon, or the like.
3a are sequentially formed, and a source electrode 14 made of titanium, molybdenum, aluminum, or the like is formed on one end of the contact layer 13a so as to overlap.

【0033】このソース電極14には、前述のゲート絶
縁膜12を挟んでゲートバス配線5と交差するソースバ
ス配線6が接続されており、このソースバス配線6もソ
ース電極14と同様な金属で形成されている。
The source electrode 14 is connected to a source bus line 6 which intersects the gate bus line 5 with the gate insulating film 12 interposed therebetween. The source bus line 6 is also made of the same metal as the source electrode 14. Is formed.

【0034】また、コンタクト層13aの他方の端部に
は、ソース電極14と同様なチタン、モリブデン、アル
ミニウムなどからなるドレイン電極15が重畳形成され
ている。これらゲート電極11、ゲート絶縁膜12、半
導体層13、コンタクト層13a、ソース電極14及び
ドレイン電極15はスイッチング素子であるTFT18
を構成している。
On the other end of the contact layer 13a, a drain electrode 15 made of titanium, molybdenum, aluminum or the like similar to the source electrode 14 is formed so as to overlap. The gate electrode 11, the gate insulating film 12, the semiconductor layer 13, the contact layer 13a, the source electrode 14 and the drain electrode 15 are TFTs 18 serving as switching elements.
Is composed.

【0035】このTFT18の上部基板全面にポリイミ
ド等からなる平担化膜20が形成されており、この平担
化膜20のドレイン電極15部分には反射画素電極(反
射電極)21と電気的に接続するためにコンタクトホー
ル22が形成されている。
A flattening film 20 made of polyimide or the like is formed on the entire surface of the upper substrate of the TFT 18. The drain electrode 15 of the flattening film 20 is electrically connected to a reflective pixel electrode (reflective electrode) 21. A contact hole 22 is formed for connection.

【0036】そして、この平担化膜20の上部にアルミ
ニウムからなる反射画素電極21が重畳形成され、この
反射画素電極21は、上記コンタクトホール22により
ドレイン電極15に電気的に接続されている。反射画素
電極21の膜厚は、3000Å〜5000Åである。
A reflective pixel electrode 21 made of aluminum is formed on the flattening film 20 so as to overlap, and the reflective pixel electrode 21 is electrically connected to the drain electrode 15 through the contact hole 22. The thickness of the reflective pixel electrode 21 is 3000 to 5000 degrees.

【0037】さらに、上記反射画素電極21の表面に
は、反射画素電極21の表面を保護する表面保護層21
aが形成され、さらにこの表面保護層21aを覆って、
液晶分子を配向させる垂直配向膜7が形成されている。
Further, a surface protection layer 21 for protecting the surface of the reflective pixel electrode 21 is provided on the surface of the reflective pixel electrode 21.
a is formed, and further covers this surface protective layer 21a,
A vertical alignment film 7 for aligning liquid crystal molecules is formed.

【0038】上記の表面保護層21aは、アルミニウム
より強度の高い膜であり、例えば、反射画素電極21の
表面を陽極酸化処理して形成される酸化アルミニウム
(Al2 3 )や、スパッタリング法により成膜した、
アルミ酸化物、シリコン酸化物、TiO2 等のチタン酸
化物、Ta2 5 等のタンタル酸化物などを用いること
ができる。
The surface protective layer 21a is a film having a strength higher than that of aluminum. For example, aluminum oxide (Al 2 O 3 ) formed by anodizing the surface of the reflective pixel electrode 21 or sputtering. Formed a film,
Aluminum oxide, silicon oxide, titanium oxide such as TiO 2 , and tantalum oxide such as Ta 2 O 5 can be used.

【0039】ここで、陽極酸化処理してなる酸化アルミ
ニウム、スパッタリング法により成膜されるアルミ酸化
物、シリコン酸化物、チタン酸化物、タンタル酸化物等
からなる膜の膜厚は、1000Å〜2000Åである。
これは、1000Åより薄いと強度が低下し、反射画素
電極21の表面を保護する機能に支障を生じるためで、
反対に2000Åより厚くなると、液晶層3へ印加する
電圧を必要以上に高く設定しなければならないためであ
る。そして、より好ましくは膜厚1400Å〜1800
Åである。
Here, the thickness of the aluminum oxide film formed by the anodizing treatment, or the film formed of the aluminum oxide, silicon oxide, titanium oxide, tantalum oxide or the like formed by the sputtering method is 1000 to 2000 mm. is there.
This is because if the thickness is less than 1000 °, the strength is reduced and the function of protecting the surface of the reflective pixel electrode 21 is hindered.
Conversely, if the thickness is more than 2000 °, the voltage applied to the liquid crystal layer 3 must be set higher than necessary. And, more preferably, the film thickness is 1400 to 1800.
Å.

【0040】一方、対向基板2は、ガラスなどの絶縁性
の基板8上に、画素領域の全面にITO(Indium Tin Ox
ide)などからなる透明な対向電極9が形成され、その上
部に垂直配向膜10が形成されている。
On the other hand, the opposing substrate 2 is made of an indium tin oxide (ITO) on the entire surface of the pixel region on an insulating substrate 8 such as glass.
A transparent counter electrode 9 made of ide) or the like is formed, and a vertical alignment film 10 is formed thereon.

【0041】これらTFT基板1と対向基板2とは、図
示しないスペーサを含んだシール樹脂を介して貼り合わ
されており、基板1・2間に形成された空間部に液晶が
注入されることで、上記の液晶層3が形成されている。
The TFT substrate 1 and the counter substrate 2 are bonded together via a sealing resin including a spacer (not shown), and a liquid crystal is injected into a space formed between the substrates 1 and 2 so that liquid crystal is injected. The liquid crystal layer 3 is formed.

【0042】このような反射型液晶表示素子の一製造方
法を、図1、図2を参照しながら、以下に説明する。ま
ず、基板1上に、タンタル等の金属膜をスパッタリング
法により被着し、フォトリソグラフィによりパターニン
グしてゲートバス配線5、ゲート電極11を形成する。
One method of manufacturing such a reflection type liquid crystal display device will be described below with reference to FIGS. First, a metal film such as tantalum is deposited on the substrate 1 by a sputtering method, and is patterned by photolithography to form the gate bus wiring 5 and the gate electrode 11.

【0043】次に、プラズマCVD法で、ゲート絶縁膜
12となるSiNx膜、半導体層13、コンタクト層1
3aとなる各半導体膜を連続して成膜し、フォトリソグ
ラフィにて半導体層13とコンタクト層13aとを同時
にパターニングし、続けて、コンタクト層13aのギャ
ップ部をパターニングする。
Next, a SiNx film serving as a gate insulating film 12, a semiconductor layer 13, and a contact layer 1 are formed by plasma CVD.
Each semiconductor film 3a is continuously formed, and the semiconductor layer 13 and the contact layer 13a are simultaneously patterned by photolithography, and subsequently, a gap portion of the contact layer 13a is patterned.

【0044】次に、チタンやモリブデン等の金属膜を成
膜し、フォトリソグラフィによりパターニングして、ソ
ース電極14、ドレイン電極15を形成する。これに
て、TFT18が製造される。なお、TFT18の製造
方法は、上記以外に従来からある種々の製造方法を用い
ることができる。
Next, a metal film such as titanium or molybdenum is formed and patterned by photolithography to form a source electrode 14 and a drain electrode 15. Thus, the TFT 18 is manufactured. In addition, as a method of manufacturing the TFT 18, various conventional methods other than the above can be used.

【0045】TFT18までが形成された基板4上に、
平坦化膜20としてのポリイミドをスピン塗布法等によ
って形成し、続いて、平坦化膜20を貫通するコンタク
トホール22をフォトリソグラフィ等にて形成し、その
上に、反射画素電極21となるアルミニウムからなる金
属膜をスパッタリングにて形成し、パターニングする。
On the substrate 4 on which the TFT 18 is formed,
A polyimide as the flattening film 20 is formed by a spin coating method or the like. Subsequently, a contact hole 22 penetrating the flattening film 20 is formed by photolithography or the like. A metal film is formed by sputtering and patterned.

【0046】続いて、反射画素電極21までが形成され
た基板4を、室温の過酸化水素水、或いは室温の硝酸水
に浸漬し、反射画素電極21に電流を3〜10分流すこ
とで、反射画素電極21であるアルミニウム薄膜の表面
を1000Å〜2000Åの膜厚で酸化させて酸化アル
ミニウムを形成し、表面保護層21aを形成する。
Subsequently, the substrate 4 on which the components up to the reflective pixel electrode 21 are formed is immersed in a hydrogen peroxide solution or a nitric acid solution at room temperature, and a current is applied to the reflective pixel electrode 21 for 3 to 10 minutes. The surface of the aluminum thin film that is the reflective pixel electrode 21 is oxidized to a thickness of 1000 to 2000 to form aluminum oxide, thereby forming the surface protection layer 21a.

【0047】或いは、反射画素電極21までが形成され
た基板4を、スパッタリング装置に投入し、反射画素電
極21上に、スパッタリング法により、1000Å〜2
000Åの膜厚で、アルミ酸化物、シリコン酸化物、チ
タン酸化物、タンタル酸化物を形成して表面保護層21
aを形成する。ここでの成膜は、アルゴン(Ar)雰囲
気中でRFプラズマ放電させスパッタリングを行うもの
である。
Alternatively, the substrate 4 on which the reflective pixel electrode 21 is formed is put into a sputtering device, and the reflective pixel electrode 21 is formed on the reflective pixel electrode 21 by a sputtering method at a temperature of 1000 ° to 2 °.
Aluminum oxide, silicon oxide, titanium oxide and tantalum oxide are formed to a thickness of 2,000
a is formed. The film formation here is performed by performing RF plasma discharge in an argon (Ar) atmosphere to perform sputtering.

【0048】その後、表面保護層21aまで形成された
基板4上を覆うようにポリイミド等を塗布して垂直配向
膜7を形成し、温度170℃で垂直配向膜7を焼成す
る。
Thereafter, polyimide or the like is applied so as to cover the substrate 4 on which the surface protective layer 21a is formed, to form the vertical alignment film 7, and the vertical alignment film 7 is baked at a temperature of 170 ° C.

【0049】また、対向基板2においては、基板8上に
ITOからなる対向電極9をスパッタリング等にて形成
し、その上にTFT基板1と同様に、基板8上を覆うよ
うにポリイミド等を塗布して垂直配向膜10を形成し、
垂直配向膜10を焼成する。
In the counter substrate 2, a counter electrode 9 made of ITO is formed on the substrate 8 by sputtering or the like, and a polyimide or the like is coated thereon so as to cover the substrate 8 similarly to the TFT substrate 1. To form a vertical alignment film 10,
The vertical alignment film 10 is fired.

【0050】その後、液晶分子を配向させるために垂直
配向膜7・10に対して綿布などで擦るラビング処理を
行い、さらに、TFT基板1と対向基板2とを、垂直配
向膜7・10が形成されている側の面同士を対向させ
て、4μmのスペーサを混入したシール樹脂(図示せ
ず)を介して貼り合わせる。
Thereafter, a rubbing treatment is performed on the vertical alignment films 7 and 10 with a cotton cloth or the like in order to align the liquid crystal molecules. Further, the vertical alignment films 7 and 10 are formed between the TFT substrate 1 and the counter substrate 2. The surfaces on the opposite sides are opposed to each other and bonded together via a sealing resin (not shown) mixed with a 4 μm spacer.

【0051】その後、注入口より、基板1・2間に形成
された空間部に真空注入により液晶を注入し、基板1・
2間に液晶層3を形成し、注入口が封止する。これに
て、図1に示した反射型液晶表示素子が完成する。
Thereafter, the liquid crystal is injected from the injection port into the space formed between the substrates 1 and 2 by vacuum injection.
A liquid crystal layer 3 is formed between the two, and the inlet is sealed. Thus, the reflection type liquid crystal display device shown in FIG. 1 is completed.

【0052】以上のように、本実施の形態の反射型液晶
表示素子では、反射画素電極21上にアルミニウムより
強度の高い表面保護層21aが形成されているので、垂
直配向膜7の焼成時の加熱処理を経ても、アルミニウム
薄膜からなる反射画素電極21におけるヒロックの発生
が防止される。
As described above, in the reflection type liquid crystal display element of the present embodiment, since the surface protection layer 21 a having a higher strength than aluminum is formed on the reflection pixel electrode 21, the baking of the vertical alignment film 7 is prevented. Even after the heat treatment, generation of hillocks in the reflective pixel electrode 21 made of the aluminum thin film is prevented.

【0053】したがって、ヒロックによる上下リークも
生じず、また、ラビング処理によりヒロックが削り取ら
れて、ダスト発生の原因となることもない。さらに、ヒ
ロック付近の液晶分子の配向乱れによる、電圧無印加時
の光抜けや、電圧印加時の反射率低下による低コントラ
ストを生じることなく、表示品位が良好である。
Therefore, no vertical leakage due to the hillocks occurs, and the hillocks are not scraped off by the rubbing treatment, thereby causing no dust. Furthermore, the display quality is good without causing light leakage when no voltage is applied due to the disorder of alignment of the liquid crystal molecules near the hillock and low contrast due to a decrease in reflectance when voltage is applied.

【0054】さらに、図3にその表面状態を示すよう
に、反射画素電極21上に形成した表面保護層21aに
より、ラビング時における反射画素電極21へのキズ付
けを防止することができる。
Further, as shown in FIG. 3, the surface protective layer 21a formed on the reflective pixel electrode 21 can prevent the reflective pixel electrode 21 from being scratched during rubbing.

【0055】ここで、本実施の形態の反射型液晶表示素
子の構成を有する一実施例の素子の電圧−反射率特性
を、図4に実線にて示す。また、比較のために、図4に
は、従来構造の反射型液晶表示素子の電圧−反射率特性
も一点鎖線にて併せて示す。
Here, the voltage-reflectance characteristics of the device of one example having the structure of the reflection type liquid crystal display device of the present embodiment are shown by a solid line in FIG. For comparison, FIG. 4 also shows the voltage-reflectance characteristics of the reflection-type liquid crystal display device having the conventional structure by a dashed line.

【0056】この図4より、本実施の形態の反射型液晶
表示素子では、従来のものよりも、電圧印加時の明表示
にて高反射率が得られると共に、電圧無印加時の暗表示
にて良好な黒レベルが得られており、コントラストの向
上が図られ、良好な表示品位を有することがわかる。
FIG. 4 shows that the reflective liquid crystal display device of the present embodiment can obtain a higher reflectivity in a bright display when a voltage is applied and a darker display when no voltage is applied, as compared with the conventional one. It can be seen that a good black level was obtained, the contrast was improved, and the display quality was good.

【0057】なお、本実施の形態では、スイッチング素
子としてTFT18を用いた場合について説明したが、
MIMやダイオード素子などの2端子素子を用いること
はもちろん可能である。また、ここでは、垂直配向膜7
・10を用いたが、垂直配向膜7・10に代えて平行配
向膜を用いた場合も、同様の効果が得られる。また、対
向基板2上は対向電極9と垂直配向膜10のみの構成で
あったが、対向電極9の下にカラーフィルタを形成した
構成としてもよい。
In this embodiment, the case where the TFT 18 is used as the switching element has been described.
Of course, it is possible to use a two-terminal element such as an MIM or a diode element. Also, here, the vertical alignment film 7 is used.
Although 10 is used, the same effect can be obtained when a parallel alignment film is used instead of the vertical alignment films 7 and 10. In addition, although only the counter electrode 9 and the vertical alignment film 10 are formed on the counter substrate 2, a structure in which a color filter is formed below the counter electrode 9 may be used.

【0058】また、特に明記していないが、反射画素電
極21の表面に研磨などの鏡面化処理、あるいは反射画
素電極21間の平坦化処理を行ってもよく、このような
処理を施すことで、反射画素電極21の表面が鏡面でよ
り優れた反射率特性を得ることができ、また液晶分子の
配向の均一性が優れているのでより高いコントラストを
得ることができる。
Although not particularly specified, the surface of the reflective pixel electrode 21 may be subjected to a mirror finishing process such as polishing or a flattening process between the reflective pixel electrodes 21. In addition, since the surface of the reflective pixel electrode 21 has a mirror surface, excellent reflectivity characteristics can be obtained, and since the uniformity of alignment of liquid crystal molecules is excellent, higher contrast can be obtained.

【0059】〔実施の形態2〕本発明に係る実施の他の
形態について図5を用いて説明すれば、以下の通りであ
る。尚、説明の便宜上、前記の実施の形態1にて示した
部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記
し、その説明を省略する。
[Second Embodiment] The following will describe another embodiment of the present invention with reference to FIG. For the sake of convenience, members having the same functions as those described in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0060】図5は、本実施の形態の反射型液晶表示素
子を示す要部断面図である。図5に示す反射型液晶表示
素子と、前述の実施の形態1の図1に示した反射型液晶
表示素子との違いは、本実施の形態の反射型液晶表示素
子では、TFT基板1の反射画素電極21の表面に形成
した表面保護層21aと同じ材質からなる膜24が、対
向基板23の対向電極9上に形成されている点である。
FIG. 5 is a cross-sectional view of a principal part showing a reflection type liquid crystal display device of the present embodiment. The difference between the reflective liquid crystal display element shown in FIG. 5 and the reflective liquid crystal display element of the first embodiment shown in FIG. 1 is that in the reflective liquid crystal display element of the present embodiment, the reflection of the TFT substrate 1 The point is that a film 24 made of the same material as the surface protection layer 21 a formed on the surface of the pixel electrode 21 is formed on the counter electrode 9 of the counter substrate 23.

【0061】このような膜24を対向基板23に形成す
ることで、TFT基板1と対向基板23の間に形成する
液晶層3に最も近接する膜がTFT側と、対向側とも同
じ材質となるので、液晶層3に電圧を印加した際に発生
する電気力線が均一になり、ディスクリネーションの発
生を防ぐことができるという効果を加えて奏する。
By forming such a film 24 on the opposite substrate 23, the film closest to the liquid crystal layer 3 formed between the TFT substrate 1 and the opposite substrate 23 has the same material on both the TFT side and the opposite side. Therefore, the lines of electric force generated when a voltage is applied to the liquid crystal layer 3 become uniform, and the effect that disclination can be prevented can be achieved.

【0062】さらに、この場合、TFT基板1に形成し
た表面保護層21aと対向基板23に形成した膜24の
膜厚を等しくすることが望ましく、これにより、ディス
クリネーションの発生をより一層効果的に防止できる。
Further, in this case, it is desirable that the film thickness of the surface protection layer 21a formed on the TFT substrate 1 and the film 24 formed on the counter substrate 23 be equal to each other, so that the occurrence of disclination is more effectively prevented. Can be prevented.

【0063】[0063]

【発明の効果】以上のように、本発明の請求項1記載の
反射型液晶表示素子は、電極を各々に有する一対の基板
間に液晶が挟持され、該一対の基板のどちらか一方の電
極としてアルミニウム薄膜からなる反射電極を有する反
射型液晶表示素子において、上記反射電極の表面に、ア
ルミニウムより強度の高い表面保護層が形成されている
構成である。
As described above, in the reflection type liquid crystal display device according to the first aspect of the present invention, the liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates each having an electrode, and one of the electrodes of the pair of substrates is disposed. In a reflective liquid crystal display device having a reflective electrode made of an aluminum thin film, a surface protective layer having higher strength than aluminum is formed on the surface of the reflective electrode.

【0064】本発明の請求項2記載の反射型液晶表示素
子は、請求項1の構成において、上記表面保護層が、反
射電極の表面を陽極酸化してなる膜である構成である。
A reflective liquid crystal display element according to a second aspect of the present invention has a structure according to the first aspect, wherein the surface protective layer is a film formed by anodizing the surface of the reflective electrode.

【0065】本発明の請求項3記載の反射型液晶表示素
子は、請求項1の構成において、上記表面保護層が、ア
ルミ酸化物からなる膜である構成である。
A reflective liquid crystal display device according to a third aspect of the present invention has a structure according to the first aspect, wherein the surface protective layer is a film made of aluminum oxide.

【0066】本発明の請求項4記載の反射型液晶表示素
子は、請求項1の構成において、上記表面保護層が、シ
リコン酸化物からなる膜である構成である。
A reflective liquid crystal display device according to a fourth aspect of the present invention has a structure according to the first aspect, wherein the surface protective layer is a film made of silicon oxide.

【0067】本発明の請求項7記載の反射型液晶表示素
子の製造方法は、電極を各々に有する一対の基板間に液
晶が挟持され、該一対の基板のどちらか一方の電極とし
てアルミニウム薄膜からなる反射電極を有し、該反射電
極上に、液晶分子を配向させるための配向膜が形成され
ている反射型液晶表示素子の製造方法において、反射電
極上に配向膜を形成する前に、該反射電極の表面に、ア
ルミニウムより強度の高い表面保護層を形成するもので
ある。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a reflective liquid crystal display device, wherein a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates each having an electrode, and one of the pair of substrates is formed of an aluminum thin film. In a method of manufacturing a reflective liquid crystal display device, comprising a reflective electrode, and an alignment film for aligning liquid crystal molecules formed on the reflective electrode, before forming an alignment film on the reflective electrode, A surface protective layer having a higher strength than aluminum is formed on the surface of the reflective electrode.

【0068】本発明の請求項8記載の反射型液晶表示素
子の製造方法は、請求項7の製造方法において、上記の
表面保護層を、反射電極の表面を陽極酸化して形成する
ものである。
According to a method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device according to an eighth aspect of the present invention, in the method of the seventh aspect, the surface protective layer is formed by anodizing the surface of the reflective electrode. .

【0069】本発明の請求項9記載の反射型液晶表示素
子の製造方法は、請求項7の製造方法において、上記の
表面保護層を、反射電極表面にスパッタリングにてアル
ミ酸化物からなる膜を成膜することで形成するものであ
る。
According to a ninth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a reflection type liquid crystal display element according to the ninth aspect, the surface protection layer is formed by forming a film made of aluminum oxide on the surface of the reflective electrode by sputtering. It is formed by forming a film.

【0070】本発明の請求項10記載の反射型液晶表示
素子の製造方法は、請求項7の製造方法において、上記
の表面保護層を、反射電極表面にスパッタリングにてシ
リコン酸化物からなる膜を成膜することで形成するもの
である。
According to a tenth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a reflective liquid crystal display element, the surface protective layer is formed by forming a film made of silicon oxide on the surface of the reflective electrode by sputtering. It is formed by forming a film.

【0071】これにより、配向膜焼成時の反射電極のヒ
ロックの発生が防止され、ヒロックが生じ難くなるの
で、ヒロックを原因とする上下リークや、ラビング時の
ダストの発生が起こり難く、かつ、表示を行った際のヒ
ロック付近での液晶分子の配向乱れによる光抜けや、最
大反射率の低下も起こらず、高コントラストの優れた表
示品位となる。
As a result, the occurrence of hillocks in the reflective electrode during firing of the alignment film is prevented, and hillocks are hardly generated. Therefore, vertical leakage due to hillocks, dust during rubbing is hardly generated, and display is not performed. In this case, there is no light leakage due to the disorder of the alignment of the liquid crystal molecules near the hillocks or a decrease in the maximum reflectance, and the display quality with high contrast is excellent.

【0072】また、表面保護層により、ラビング処理に
おいて発生し易かった、反射電極表面のキズが発生し難
くなり、このキズを原因とした液晶分子の配向乱れによ
る表示品位の低下も発生しない。
Further, the surface protective layer makes it difficult for the surface of the reflective electrode to be easily scratched, which is liable to occur in the rubbing treatment, and does not cause a deterioration in display quality due to disorder in the alignment of liquid crystal molecules caused by the scratch.

【0073】その結果、このように反射電極表面に表面
保護層を設けるといった簡単な構成、及び製造工程で、
反射電極表面の平担性が保たれ、従来に比べて暗表示で
の反射率は低く押さえると共に、明表示においては高い
反射率特性を得ることができるので明るい表示を行え、
高コントラストで優れた表示品位の反射型液晶表示素子
を提供できるという効果を奏する。
As a result, with such a simple structure in which the surface protective layer is provided on the reflective electrode surface and the manufacturing process,
The flatness of the reflective electrode surface is maintained, and the reflectance in dark display is kept lower than in the past, and high reflectance characteristics can be obtained in bright display, so that bright display can be performed.
There is an effect that a reflective liquid crystal display device having high contrast and excellent display quality can be provided.

【0074】上記の表面保護層としては、反射電極の表
面を陽極酸化して形成される膜や、スパッタリングによ
り形成されたアルミ酸化物からなる膜、或いは、スパッ
タリングにより形成されたシリコン酸化物からなる膜等
がある。
As the surface protective layer, a film formed by anodizing the surface of the reflective electrode, a film made of aluminum oxide formed by sputtering, or a silicon oxide formed by sputtering. There are membranes and the like.

【0075】このうち、反射電極の表面を陽極酸化する
ことで、表面保護層を形成する方法は、例えばスパッタ
リングにて成膜する方法に比べて、スパッタリング装置
が必要ない上、反射電極以外の部分をマスキングする必
要もなく、製造が容易であるといった効果を奏する。反
対に、スパッタリング装置を用いてアルミ酸化物やシリ
コン酸化物の膜からなる表面保護層を形成する方法は、
陽極酸化する方法に比べると製造は若干煩雑であるが、
膜厚の制御が容易であるといった効果を奏する。
Of these methods, the method of forming a surface protective layer by anodizing the surface of the reflective electrode does not require a sputtering apparatus and a portion other than the reflective electrode, for example, as compared with a method of forming a film by sputtering. This eliminates the need for masking and facilitates manufacture. Conversely, a method of forming a surface protection layer made of an aluminum oxide or silicon oxide film using a sputtering apparatus is as follows.
Although the production is slightly more complicated than the method of anodizing,
This has the effect of easily controlling the film thickness.

【0076】本発明の請求項5記載の反射型液晶表示素
子は、請求項1、2、3又は4の構成において、反射電
極を有する基板に対向して配されるもう一方の基板の電
極表面に、反射電極表面に設けた表面保護層と同じ材質
の膜が形成されている構成である。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a reflective liquid crystal display device according to the first, second, third or fourth aspect, wherein the electrode surface of the other substrate is provided so as to face the substrate having the reflective electrode. In addition, a film made of the same material as the surface protective layer provided on the reflective electrode surface is formed.

【0077】これにより、液晶層に電圧を印加した際に
発生する電気力線が均一になるので、請求項1、2、3
又は4の構成による効果に加えて、ディスクリネーショ
ンの発生を防ぐことができ、表示品位をさらに向上でき
るという効果を奏する。
As a result, the lines of electric force generated when a voltage is applied to the liquid crystal layer become uniform.
Or, in addition to the effect of the configuration of 4, the disclination can be prevented from occurring, and the display quality can be further improved.

【0078】本発明の請求項6記載の反射型液晶表示素
子は、請求項5の構成において、上記の表面保護層と同
じ材質の膜が、表面保護層と同一の膜厚を有する構成で
ある。
According to a sixth aspect of the present invention, in the reflection type liquid crystal display device, the film of the same material as the surface protective layer has the same thickness as the surface protective layer. .

【0079】これにより、請求項5の構成よりも、液晶
層に電圧を印加した際に発生する電気力線がより均一に
なるので、ディスクリネーションの発生をさらに効果的
に防ぐことができ、表示品位のさらなる向上が図れると
いう効果を奏する。
As a result, the lines of electric force generated when a voltage is applied to the liquid crystal layer become more uniform than in the structure of claim 5, so that the occurrence of disclination can be prevented more effectively. There is an effect that the display quality can be further improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る実施の一形態の反射型液晶表示素
子の構造を示す要部断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a principal part showing a structure of a reflective liquid crystal display element according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の反射型液晶表示素子を構成するアクティ
ブ素子を有する側の基板の構成を示す要部平面図であ
る。
FIG. 2 is a plan view of a principal part showing a configuration of a substrate having an active element constituting the reflective liquid crystal display element of FIG. 1;

【図3】図2のアクティブ素子を有する側の基板におけ
る配向膜にラビング処理を行ったときの反射画素電極の
表面状態を示す説明図である。
3 is an explanatory diagram showing a surface state of a reflective pixel electrode when a rubbing process is performed on an alignment film on a substrate having an active element in FIG. 2;

【図4】図1の反射型液晶表示素子の構成を有する一実
施例の反射型液晶表示素子と、従来構造の反射型液晶表
示素子との電圧−反射率特性を示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing voltage-reflectance characteristics of the reflective liquid crystal display device of the embodiment having the configuration of the reflective liquid crystal display device of FIG. 1 and a reflective liquid crystal display device of a conventional structure.

【図5】本発明に係る実施の他の形態の反射型液晶表示
素子の構造を示す要部断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view of a principal part showing a structure of a reflection type liquid crystal display element according to another embodiment of the present invention.

【図6】従来の反射型液晶表示素子の構造を示す要部断
面図である。
FIG. 6 is a sectional view of a main part showing a structure of a conventional reflective liquid crystal display element.

【図7】従来の構造の反射型液晶表示素子における、ア
クティブ素子を有する側の基板の配向膜にラビング処理
を行ったときの反射画素電極の表面状態を示す説明図で
ある。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing a surface state of a reflective pixel electrode when a rubbing process is performed on an alignment film on a substrate having an active element in a reflective liquid crystal display element having a conventional structure.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 TFT基板(基板) 2 対向基板(基板) 3 液晶層(液晶) 7 垂直配向膜(配向膜) 9 対向電極 10 垂直配向膜(配向膜) 18 TFT 21 反射画素電極(反射電極) 21a 表面保護層 23 対向基板 24 膜(表面保護層と同じ材質の膜) BM ブラックマトリクス Reference Signs List 1 TFT substrate (substrate) 2 Counter substrate (substrate) 3 Liquid crystal layer (liquid crystal) 7 Vertical alignment film (alignment film) 9 Counter electrode 10 Vertical alignment film (alignment film) 18 TFT 21 Reflection pixel electrode (reflection electrode) 21a Surface protection Layer 23 Counter substrate 24 Film (film of the same material as surface protective layer) BM Black matrix

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】電極を各々に有する一対の基板間に液晶が
挟持され、該一対の基板のどちらか一方の電極としてア
ルミニウム薄膜からなる反射電極を有する反射型液晶表
示素子において、 上記反射電極の表面に、アルミニウムより強度の高い表
面保護層が形成されていることを特徴とする反射型液晶
表示素子。
1. A reflection type liquid crystal display device having a liquid crystal sandwiched between a pair of substrates each having an electrode and having a reflection electrode made of an aluminum thin film as one of the electrodes of the pair of substrates. A reflective liquid crystal display device, wherein a surface protective layer having higher strength than aluminum is formed on the surface.
【請求項2】上記表面保護層が、反射電極の表面を陽極
酸化してなる膜であることを特徴とする請求項1記載の
反射型液晶表示素子。
2. A reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein said surface protective layer is a film formed by anodizing the surface of a reflective electrode.
【請求項3】上記表面保護層が、アルミ酸化物からなる
膜であることを特徴とする請求項1記載の反射型液晶表
示素子。
3. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein said surface protective layer is a film made of aluminum oxide.
【請求項4】上記表面保護層が、シリコン酸化物からな
る膜であることを特徴とする請求項1記載の反射型液晶
表示素子。
4. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein said surface protective layer is a film made of silicon oxide.
【請求項5】反射電極を有する基板に対向して配される
もう一方の基板の電極表面に、反射電極表面に設けた表
面保護層と同じ材質の膜が形成されていることを特徴と
する請求項1、2、3又は4記載の反射型液晶表示素
子。
5. A film having the same material as a surface protective layer provided on a surface of a reflective electrode is formed on an electrode surface of another substrate provided opposite to a substrate having a reflective electrode. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, 2, 3, or 4.
【請求項6】上記の表面保護層と同じ材質の膜が、表面
保護層と同一の膜厚を有することを特徴とする請求項5
記載の反射型液晶表示素子。
6. The film of the same material as the surface protective layer has the same thickness as the surface protective layer.
The reflective liquid crystal display element as described in the above.
【請求項7】電極を各々に有する一対の基板間に液晶が
挟持され、該一対の基板のどちらか一方の電極としてア
ルミニウム薄膜からなる反射電極を有し、該反射電極上
に、液晶分子を配向させるための配向膜が形成されてい
る反射型液晶表示素子の製造方法において、 反射電極上に配向膜を形成する前に、該反射電極の表面
に、アルミニウムより強度の高い表面保護層を形成する
ことを特徴とする反射型液晶表示素子の製造方法。
7. A liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates each having an electrode, and a reflective electrode made of an aluminum thin film is provided as one of the pair of substrates, and liquid crystal molecules are formed on the reflective electrode. In a method of manufacturing a reflective liquid crystal display device having an alignment film for aligning, before forming an alignment film on the reflective electrode, forming a surface protective layer having a strength higher than that of aluminum on the surface of the reflective electrode. A method for manufacturing a reflection type liquid crystal display device.
【請求項8】上記の表面保護層を、反射電極の表面を陽
極酸化して形成することを特徴とする請求項7記載の反
射型液晶表示素子の製造方法。
8. The method according to claim 7, wherein the surface protective layer is formed by anodizing the surface of the reflective electrode.
【請求項9】上記の表面保護層を、反射電極表面にスパ
ッタリングにてアルミ酸化物からなる膜を成膜すること
で形成することを特徴とする請求項7記載の反射型液晶
表示素子の製造方法。
9. A method of manufacturing a reflective liquid crystal display device according to claim 7, wherein said surface protective layer is formed by forming a film made of aluminum oxide on the surface of the reflective electrode by sputtering. Method.
【請求項10】上記の表面保護層を、反射電極表面にス
パッタリングにてシリコン酸化物からなる膜を成膜する
ことで形成することを特徴とする請求項7記載の反射型
液晶表示素子の製造方法。
10. A method of manufacturing a reflective liquid crystal display device according to claim 7, wherein said surface protective layer is formed by forming a film made of silicon oxide on the surface of the reflective electrode by sputtering. Method.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2004264470A (en) * 2003-02-24 2004-09-24 Seiu Kagi Kofun Yugenkoshi Reflective tft (thin film transistor) liquid crystal display panel and method for manufacturing the same
JP2012108168A (en) * 2010-11-15 2012-06-07 Seiko Epson Corp Electro-optical device, projection type display device, and method for manufacturing electro-optical device

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