JPH1164663A - Production of optical waveguide - Google Patents
Production of optical waveguideInfo
- Publication number
- JPH1164663A JPH1164663A JP23054197A JP23054197A JPH1164663A JP H1164663 A JPH1164663 A JP H1164663A JP 23054197 A JP23054197 A JP 23054197A JP 23054197 A JP23054197 A JP 23054197A JP H1164663 A JPH1164663 A JP H1164663A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lithium
- titanium
- chemical composition
- substrate
- composition formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路の製造方
法に関し、詳しくは光通信装置に用いられる光導波路の
製造方法に関する。The present invention relates to a method for manufacturing an optical waveguide, and more particularly, to a method for manufacturing an optical waveguide used in an optical communication device.
【0002】[0002]
【従来の技術】高度情報化社会に向けて情報容量が増す
にともない、光通信の実用化が進み、光スイッチングの
必要性が高まっている。さらに、新しい光加入者システ
ム(スイッチドアクセススター:SAS)の提案もなさ
れ、光スイッチングはますます重要なデバイスとなって
きている。しかしながら、従来の機械的な光スイッチン
グ(プリズム、ミラー、ファイバー等)では、速度、形
状、信頼性などの点で集積化には不適当であった。そこ
で、ニオブ酸リチウム(LiNbO3 )等の強誘電体材
料を用い、チタン(Ti)を基板中に拡散させて光導波
路を形成し、この光導波路に電界をかけることにより光
の屈折率を電気光学効果により変化させ、導波路中を伝
送する光の位相を変化させてスイッチングや変調を行う
導波路型制御デバイスの開発が進められてきている。2. Description of the Related Art With the increase in information capacity toward the advanced information society, the practical use of optical communication has progressed, and the need for optical switching has increased. In addition, a new optical subscriber system (Switched Access Star: SAS) has been proposed, and optical switching has become an increasingly important device. However, conventional mechanical optical switching (prisms, mirrors, fibers, and the like) is not suitable for integration in terms of speed, shape, reliability, and the like. Therefore, using a ferroelectric material such as lithium niobate (LiNbO 3 ), titanium (Ti) is diffused into a substrate to form an optical waveguide, and an electric field is applied to the optical waveguide to change the refractive index of light to electric. Development of a waveguide-type control device that performs switching and modulation by changing the phase of light transmitted through the waveguide by changing the phase by an optical effect has been promoted.
【0003】一般的に、Ti拡散LiNbO3 導波路の
作製は、例えば光集積回路(オーム社),(1993)
西原浩,春名正光,栖原敏明,p170−175に開示
されている方法が採用されている。具体的には、LiN
bO3 基板の表面の油脂、汚れを洗浄した後にレジスト
を塗布し、パターンを焼き付けた後に現像を行ってレジ
ストパターンを形成する。次に、スパッタリングあるい
は電子ビーム蒸着法によりTi膜を堆積する。マグネト
ロン形RFスパッタ装置を使用する場合には、ターゲッ
ト径が10cmのTiターゲットを用い、RFパワーを
100W、スパッタリング雰囲気をアルゴン(Ar)ガ
ス雰囲気とし、その雰囲気の圧力を2.7Paとして、
スパッタリング速度が24nm/分になるようにした。
この条件で基板とターゲットとの間隔が45mmのと
き、約30mm径にわたって均一なTi膜を得ることが
できる。拡散導波路の表面屈折率変化量Δnは主にこの
Ti膜厚によって制御することになるので、Tiスパッ
タ速度は0.3nm/秒〜0.4nm/秒あるいはそれ
以下が適当である。Generally, a Ti-diffused LiNbO 3 waveguide is manufactured by, for example, an optical integrated circuit (Ohm), (1993)
The method disclosed in Hiroshi Nishihara, Masamitsu Haruna, Toshiaki Suhara, p170-175 is employed. Specifically, LiN
A resist is applied after cleaning the grease and dirt on the surface of the bO 3 substrate, and after baking the pattern, developing is performed to form a resist pattern. Next, a Ti film is deposited by sputtering or electron beam evaporation. When a magnetron type RF sputtering apparatus is used, a Ti target having a target diameter of 10 cm is used, the RF power is set to 100 W, the sputtering atmosphere is set to an argon (Ar) gas atmosphere, and the pressure of the atmosphere is set to 2.7 Pa.
The sputtering rate was set to 24 nm / min.
Under these conditions, when the distance between the substrate and the target is 45 mm, a uniform Ti film can be obtained over a diameter of about 30 mm. Since the change amount Δn of the surface refractive index of the diffusion waveguide is mainly controlled by the Ti film thickness, the Ti sputtering rate is suitably from 0.3 nm / sec to 0.4 nm / sec or less.
【0004】次に、レジストを除去した後、Tiパター
ンを形成する。このTiパターンを熱拡散してTi拡散
LiNbO3 導波路を作製する。熱拡散には、電気炉を
用いる。その際、酸化リチウム(Li2 O)の外方拡散
を防ぐためにアルゴン(Ar)ガスと酸素(O2 )ガス
とを約60℃の温水中を通して水蒸気を含ませた混合ガ
スを石英管に導いて加熱する。この加熱温度は1000
℃で、加熱時間はTi膜厚が40nm〜50nmのと
き、6時間程度である。Ti膜厚が45nm、拡散温度
が1000℃、拡散時間を、Arガスを流しながら6時
間、O2 ガスを流しながら1時間としたとき、得られる
Ti拡散LiNbO3 導波路は、表面屈折率変化Δn=
0.022、拡散深さd=2.6μm、伝搬損失0.5
dB/cm〜1.0dB/cmの特性を得る。Then, after removing the resist, a Ti pattern is formed. This Ti pattern is thermally diffused to produce a Ti-diffused LiNbO 3 waveguide. An electric furnace is used for heat diffusion. At this time, in order to prevent outward diffusion of lithium oxide (Li 2 O), argon (Ar) gas and oxygen (O 2 ) gas were passed through warm water at about 60 ° C. to introduce a mixed gas containing water vapor into the quartz tube. And heat. This heating temperature is 1000
At 6 ° C., the heating time is about 6 hours when the Ti film thickness is 40 nm to 50 nm. When the Ti film thickness is 45 nm, the diffusion temperature is 1000 ° C., and the diffusion time is 6 hours while flowing Ar gas and 1 hour while flowing O 2 gas, the resulting Ti-diffused LiNbO 3 waveguide has a surface refractive index change. Δn =
0.022, diffusion depth d = 2.6 μm, propagation loss 0.5
A characteristic of dB / cm to 1.0 dB / cm is obtained.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術で説明したTi拡散LiNbO3 導波路の製造方法
では、Tiを熱拡散することにより導波路を作製してい
るため、拡散導波路の表面屈折率変化量Δnは主にTi
膜厚によって制御することになる。このTi膜厚の均一
範囲は30mm径であるので、3インチ基板(直径76
mm)の全範囲を覆っていない。さらに、屈折率変化の
最大値もΔn=0.022と低いものとなっている。こ
れは熱拡散を用いているため、基板中に拡散されたTi
濃度が1.5%以下(最大でもΔn=0.08である)
であることに起因する。However, in the method of manufacturing a Ti-diffused LiNbO 3 waveguide described in the prior art, since the waveguide is manufactured by thermally diffusing Ti, the surface refraction of the diffusion waveguide is reduced. The rate of change Δn is mainly Ti
It will be controlled by the film thickness. Since the uniform range of the thickness of the Ti film is 30 mm in diameter, a 3 inch substrate (having a diameter of
mm) is not covered. Further, the maximum value of the refractive index change is as low as Δn = 0.022. Since this uses thermal diffusion, Ti diffused into the substrate
Concentration is 1.5% or less (Δn = 0.08 at the maximum)
It is caused by that.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた光導波路の製造方法である。すな
わち、ゾル−ゲル法により、電気光学効果を有する基板
上にチタンが添加された化学組成式がLiNbO3 で表
されるニオブ酸リチウム膜を形成する光導波路の製造方
法である。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a method for manufacturing an optical waveguide which has been made to solve the above problems. That is, this is a method for producing an optical waveguide in which a lithium niobate film having a chemical composition formula of LiNbO 3 in which titanium is added is formed on a substrate having an electro-optical effect by a sol-gel method.
【0007】上記光導波路の製造方法では、電気光学効
果を有する基板上に、ゾル−ゲル法により、チタンが添
加された化学組成式がLiNbO3 で表されるニオブ酸
リチウム膜を形成することから、ゾル−ゲル法の特徴と
するところの大面積に均一のチタンを添加したLiNb
O3 が形成される。さらに表面屈折率変化量が均一さ
れ、光散乱が少なくなり、光学特性のばらつきが抑えら
れる。また、チタンの添加量を制御することによって、
屈折率差が大きい光導波路が製造される。In the method of manufacturing an optical waveguide, a lithium niobate film having a chemical composition formula of LiNbO 3 to which titanium is added is formed on a substrate having an electro-optical effect by a sol-gel method. LiNb with uniform titanium added to a large area characterized by the sol-gel method
O 3 is formed. Furthermore, the amount of change in the surface refractive index is uniform, light scattering is reduced, and variations in optical characteristics are suppressed. Also, by controlling the amount of titanium added,
An optical waveguide having a large refractive index difference is manufactured.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を、以下に説明
する。Embodiments of the present invention will be described below.
【0009】まず、第1の工程で、Rを炭化水素として
化学組成式RCOOLiで表される有機酸リチウムと、
mを自然数として化学組成式Nb(O−Cm H2m+1)5
で表されるアルコキシドニオブと、nを自然数として化
学組成式Ti(O−Cn H2n +1)4 で表されるアルコキ
シドチタンとを用いて、チタンを添加した化学組成式L
iNbO3 で表されるニオブ酸リチウムの前駆体を作製
する。First, in a first step, lithium organic acid represented by a chemical composition formula RCOOLi, wherein R is a hydrocarbon,
chemical composition formula m is a natural number Nb (O-C m H 2m + 1) 5
Alkoxide niobium represented in, by using the alkoxide of titanium represented by the chemical composition formula of n is a natural number Ti (O-C n H 2n +1) 4, the chemical composition formula was added titanium L
A precursor of lithium niobate represented by iNbO 3 is produced.
【0010】または、Rを炭化水素として化学組成式R
COOLiで表される有機酸リチウムと、aを自然数と
して化学組成式Li(O−Ca H2a+1)で表されるアル
コキシドリチウムと、bを自然数として化学組成式Nb
(O−Cb H2b+1)5 で表されるアルコキシドニオブ
と、cを自然数として化学組成式Ti(O−C
c H2c+1)4 で表されるアルコキシドチタンとを用い
て、チタンを添加した化学組成式LiNbO3 で表され
るニオブ酸リチウムの前駆体を作製する。Alternatively, a chemical composition represented by the chemical formula R
Lithium organic acid represented by COOLi, chemical composition formula Li a a is a natural number (O-C a H 2a + 1) and alkoxide of lithium represented by the chemical composition formula b is a natural number Nb
(O-C b H 2b + 1 ) 5 , and a chemical composition formula Ti (O-C
A precursor of lithium niobate represented by a chemical composition formula LiNbO 3 to which titanium is added is prepared using alkoxide titanium represented by c H 2c + 1 ) 4 .
【0011】次いで第2の工程で、上記作製した前駆体
を基板上に塗布して、ニオブ酸リチウムの前駆体からな
る塗膜を形成した後、その塗膜を加熱焼成する。Next, in a second step, the above-prepared precursor is applied on a substrate to form a coating film composed of a precursor of lithium niobate, and the coating film is heated and fired.
【0012】そして上記第2の工程の前駆体を基板上に
塗布する工程とその塗膜を加熱焼成する工程とを繰り返
すことによって、基板上にチタンを添加した化学組成式
LiNbO3 で表されるニオブ酸リチウム膜を形成す
る。By repeating the step of applying the precursor of the second step on the substrate and the step of heating and baking the coating film, the substrate is represented by the chemical composition formula LiNbO 3 in which titanium is added to the substrate. A lithium niobate film is formed.
【0013】上記有機酸リチウム(RCOOLi;Rは
炭化水素を表す)としては、飽和カルボン酸リチウム
(Cn H2n+1COOLi;nは自然数を表す)、不飽和
カルボン酸リチウム、芳香族カルボン酸リチウムがあ
る。The lithium organic acid (RCOOLi; R represents a hydrocarbon) includes saturated lithium carboxylate (C n H 2n + 1 COOLi; n represents a natural number), unsaturated lithium carboxylate, and aromatic carboxylic acid. There is lithium.
【0014】上記飽和カルボン酸リチウムとしては、ギ
酸リチウム、酢酸リチウム、プロピオン酸リチウム、酪
酸リチウム、カルロン酸リチウム、エナント酸リチウ
ム、カプリル酸リチウム、ペラルゴン酸リチウム、カプ
リン酸リチウム、ウンデカン酸リチウム、ドデカン酸リ
チウム、トリデカン酸リチウム、テトラデカン酸リチウ
ム、ペンタデカン酸リチウム、ヘキサデカン酸リチウ
ム、ペプタデカン酸リチウム、オクタデカン酸リチウ
ム、ノナデカン酸リチウム、エイコサン酸リチウム、ヘ
ンエイコサン酸リチウム、ドコサン酸リチウム、トリコ
サン酸リチウム、テトラコサン酸リチウム、ペンタコサ
ン酸リチウム、ヘキサコサン酸リチウム、ヘプタコサン
酸リチウム、オクタコサン酸リチウム、ノナコサン酸リ
チウム、トリアコンタン酸リチウム、ヘントリアコンタ
ン酸リチウム、ドトリアコンタン酸リチウム、トリトリ
アコンタン酸リチウム、テトラトリアコンタン酸リチウ
ム、ペンタトリアコンタン酸リチウム、ヘキサトリアコ
ンタン酸リチウム、ヘプタトリアコンタン酸リチウム、
ノナトリアコンタン酸リチウム、テトラコンタン酸リチ
ウム、ヘンテトラコンタン酸リチウム、ドテトラコンタ
ン酸リチウム、トリテトラコンタン酸リチウム、テトラ
テトラコンタン酸リチウム、ペンタテトラコンタン酸リ
チウム、ヘキサテトラコンタン酸リチウム、ヘプタテト
ラコンタン酸リチウム、オクタテトラコンタン酸リチウ
ム、ノナテトラコンタン酸リチウム、ペンタコンタン酸
リチウム、ヘンペンタコンタン酸リチウム、ドペンタコ
ンタン酸リチウム、トリペンタコンタン酸リチウム、テ
トラペンタコンタン酸リチウム、ペンタペンタコンタン
酸リチウム、ヘキサペンタコンタン酸リチウム、ヘプタ
ペンタコンタン酸リチウム、オクタペンタコンタン酸リ
チウム、ノナペンタコンタン酸リチウム、ヘキサコンタ
ン酸リチウム、ドヘキサコンタン酸リチウム、デセン酸
リチウム、ウンデセン酸リチウム、ドデセン酸リチウ
ム、トリデセン酸リチウム、テトラデセン酸リチウム、
ペンタデセン酸リチウム、ヘキサデセン酸リチウム、ペ
プタデセン酸リチウム、オクタデセン酸リチウム、ノナ
デセン酸リチウム、エイコセン酸リチウム、ヘンエイコ
セン酸リチウム、ドコセン酸リチウム、トリコセン酸リ
チウム、テトラコセン酸リチウム、ヘンタコセン酸リチ
ウム、ヘキサコセン酸リチウム、ペプタコセン酸リチウ
ム、オクタコセン酸リチウム、ノナコセン酸リチウム、
シュウ酸リチウム、マロン酸リチウム、コハク酸リチウ
ム、グルタル酸リチウム、アジピン酸リチウム、ピメリ
ン酸リチウム、スベリン酸リチウム、アゼライン酸リチ
ウム、セバシン酸リチウム等を用いることができる。The saturated lithium carboxylate includes lithium formate, lithium acetate, lithium propionate, lithium butyrate, lithium caronate, lithium enanthate, lithium caprylate, lithium pelargonate, lithium caprate, lithium undecanoate, lithium dodecanoate Lithium, lithium tridecanoate, lithium tetradecanoate, lithium pentadecanoate, lithium hexadecanoate, lithium peptadecanoate, lithium octadecanoate, lithium nonadecanoate, lithium eicosanoate, lithium heneicosanoate, lithium docosanoate, lithium tricosanoate, lithium tetracosanoate, Lithium pentacosanoate, lithium hexacosanoate, lithium heptacosanoate, lithium octacosanoate, lithium nonakosanoate, triacontan Lithium, Heng triacontyl lithium Tan, lithium dotriacontanoic, lithium tritriacontanoic acid, lithium tetra triacontyl Tan, lithium pentatriacontanoic Con Tan, lithium hexatriacontane, lithium heptamethylene triacontyl Tan acid,
Lithium nonatricontanate, lithium tetracontanate, lithium hentetracontanate, lithium dotetracontanate, lithium tritetracontanate, lithium tetratetracontanate, lithium pentatetracontanate, lithium hexatetracontanate, heptatetracontan Lithium oxide, lithium octatetracontanate, lithium nonatetracontanate, lithium pentacontanate, lithium hempantacontanate, lithium dopentacontanate, lithium tripentacontanate, lithium tetrapentacontanate, lithium pentapentacontanate, Lithium hexapentacontanate, lithium heptapentacontanate, lithium octapentacontanate, lithium nonapentacontanate, lithium hexacontanate, Lithium Kisakontan acid, lithium-decenoic acid, lithium undecenoic acid, lithium dodecene acid, lithium tridecene acid, lithium tetradecene acid,
Lithium pentadecenoate, lithium hexadecenoate, lithium peptadecenoate, lithium octadecenoate, lithium nonadecenoate, lithium eicosenoate, lithium heneicosenoate, lithium docosenate, lithium tricosenate, lithium tetracosenoate, lithium hentakosenate, lithium hexacosenate, lithium peptacosenate Lithium, lithium octacocene, lithium nonacocene,
Lithium oxalate, lithium malonate, lithium succinate, lithium glutarate, lithium adipate, lithium pimerate, lithium suberate, lithium azelate, lithium sebacate, and the like can be used.
【0015】不飽和カルボン酸リチウムとしては、アク
リル酸リチウム、プロピオール酸リチウム、メタクリル
酸リチウム、クロトン酸リチウム、イソクロトン酸リチ
ウム、オレイン酸リチウム、フマル酸リチウム、マレイ
ン酸リチウム等を用いることができる。As the unsaturated lithium carboxylate, lithium acrylate, lithium propiolate, lithium methacrylate, lithium crotonate, lithium isocrotonate, lithium oleate, lithium fumarate, lithium maleate and the like can be used.
【0016】芳香族カルボン酸リチウムとしては、安息
香酸リチウム、トルイル酸リチウム、ナフトエ酸リチウ
ム、サリチル酸リチウム、アントラニル酸リチウム、ケ
イ皮酸リチウム、マンデル酸リチウム等を用いることが
できる。上記有機酸リチウムは、例えば炭素数が60ま
での有機酸リチウムであればよい。As the lithium aromatic carboxylate, lithium benzoate, lithium toluate, lithium naphthoate, lithium salicylate, lithium anthranilate, lithium cinnamate, lithium mandelate and the like can be used. The organic lithium may be any organic lithium having up to 60 carbon atoms, for example.
【0017】上記アルコキシドニオブとしては、ペンタ
メトキシドニオブ、ペンタエトキシドニオブ、ペンタプ
ロポキシドニオブ、ペンタブトキシドニオブ、ペンタペ
ントキシドニオブ、ペンタヘキサキシドニオブ、ペンタ
ヘプトキシドニオブ、ペンタオクトキシドニオブ、ペン
タノナキシドニオブ、ペンタデコキシドニオブ、ペンタ
ウンデコキシドニオブ、ペンタドデコキシドニオブ、ペ
ンタトリデコキシドニオブ、ペンタテトラデコキシドニ
オブ、ペンタペンタデコキシドニオブ、ペンタヘキサデ
コキシドニオブ、ペンタヘプタデコキシドニオブ、ペン
タオクタデコキシドニオブ、ペンタノナデコキシドニオ
ブ、ペンタエイコキシドニオブ、ペンタヘンエイコキシ
ドニオブ、ペンタドコキシドニオブ、ペンタトリコキシ
ドニオブ、ペンタテトラコキシドニオブ、ペンタペンタ
コキシドニオブ、ペンタヘキサコキシドニオブ、ペンタ
ヘプタコキシドニオブ、ペンタオクタコキシドニオブ、
ペンタノナコキシドニオブ、1メトキシ2エトキシドニ
オブ、2メトキシ3エトキシドニオブ、3メトキシ2エ
トキシドニオブ、4メトキシ1エトキシドニオブ等を用
いることができる。Examples of the above alkoxydoniobium include pentamethoxydniobium, pentaethoxydniobium, pentapropoxydniobium, pentabutoxidedniobium, pentapentoxydniobium, pentahexoxidedniobium, pentaheptoxydniobium, pentaoctoxydniobium and pentadoxydniobium. Nonaxidoniobium, pentadecoxydniobium, pentown decodoxydniobium, pentadodexoxydniobium, pentatridecoxydniobium, pentatetradecoxydniobium, pentapentadecoxydniobium, pentahexadecoxydniobium, pentaheptadecoxydniobium , Pentaoctadecoxydniobium, pentanonadecoxydniobium, pentaeicoxidniobium, pentaheneicodoxyniobium, pentadoxydniobium, pentatricoxydniobium, pentad Tiger Jobs Sydney of, penta penta Jobs Sydney of, penta-hexa Jobs Sydney of, penta hepta Jobs Sydney of, penta octa Jobs Sydney of,
Pentanonacoxide niobium, 1 methoxy 2 ethoxydniobium, 2 methoxy 3 ethoxydniobium, 3 methoxy 2 ethoxydniobium, 4 methoxy 1 ethoxydniobium and the like can be used.
【0018】上記アルコキシドチタンとしては、テトラ
メトキシドチタン、テトラエトキシドチタン、テトラプ
ロポキシドチタン、テトラブトキシドチタン、テトラペ
ントキシドチタン、テトラヘキサキシドチタン、テトラ
ヘプトキシドチタン、テトラオクトキシドチタン、テト
ラノナキシドチタン、テトラデコキシドチタン、1メト
キシ3エトキシドチタン、2メトキシ2エトキシドチタ
ン、3メトキシ1エトキシドチタン等を用いることがで
きる。Examples of the above alkoxide titanium include tetramethoxide titanium, tetraethoxide titanium, tetrapropoxide titanium, tetrabutoxide titanium, tetrapentoxide titanium, tetrahexoxide titanium, tetraheptoxide titanium, tetraoctoxide titanium, tetraoctoxide titanium, and tetraoctoxide titanium. Titanium nonoxide, tetradecoxide titanium, 1 methoxy 3 ethoxide titanium, 2 methoxy 2 ethoxide titanium, 3 methoxy 1 ethoxide titanium, or the like can be used.
【0019】上記アルコキシドリチウムとしては、メト
キシドリチウム、エトキシドリチウム、プロポキシドリ
チウム、ブトキシドリチウム、ペントキシドリチウム、
ヘキサキシドリチウム、ヘプトキシドリチウム、オクト
キシドリチウム、ノナキシドリチウム、デコキシドリチ
ウム、ウンデコキシドリチウム、ドデコキシドリチウ
ム、トリデコキシドリチウム、テトラデコキシドリチウ
ム、ペンタデコキシドリチウム、ヘキサデコキシドリチ
ウム、ヘプタデコキシドリチウム、オクタデコキシドリ
チウム、ノナデコキシドリチウム、エイコキシドリチウ
ム、ヘンエイコキシドリチウム、ドコキシドリチウム、
トリコキシドリチウム、テトラコキシドリチウム、ペン
タコキシドリチウム、ヘキサコキシドリチウム、ヘプタ
コキシドリチウム、オクタコキシドリチウム、ノナコキ
シドリチウム等を用いることができる。The lithium alkoxide includes lithium methoxide, lithium ethoxide, lithium propoxide, lithium butoxide, lithium pentoxide,
Lithium hexaoxide, lithium heptoxide, lithium octoxide, lithium nonoxide, lithium decoxide, undecoxide lithium, lithium dodecoxide, lithium tridecoxide, lithium tetradecoxide, lithium pentadecoxide, lithium hexadecoxide , Lithium heptadecoxide, lithium octadecoxide, lithium nonadecoxide, lithium eicoxide, lithium henecoxide, lithium docoxide,
Lithium trichoxide, lithium tetracoxide, lithium pentacoxide, lithium hexacoxide, lithium heptacoxide, lithium octacoxide, lithium nonacoxide, and the like can be used.
【0020】次に、具体的な製造方法を、図1の製造工
程図によって説明する。なお、図1では、この発明が理
解できる程度に概略的に示してある。またここで示した
使用材料、数値的条件等は、この発明の範囲内の一例で
あって、この発明がこれらの使用材料、数値的条件にの
み限定されるものではない。Next, a specific manufacturing method will be described with reference to a manufacturing process diagram of FIG. FIG. 1 schematically shows the present invention so that the present invention can be understood. The materials used, numerical conditions, and the like shown here are examples within the scope of the present invention, and the present invention is not limited only to these materials and numerical conditions.
【0021】この実施例1では、ゾル−ゲル原料に、一
例として、有機酸リチウムとして酢酸リチウム、アルコ
キシドニオブとしてペンタエトキシドニオブ、アルコキ
シドチタンとしてテトラエトキシドチタンを用いた。In Example 1, as the sol-gel raw material, for example, lithium acetate was used as the organic acid lithium, pentaethoxydniobium was used as the alkoxide niobium, and tetraethoxide titanium was used as the alkoxide titanium.
【0022】まず、酢酸リチウムとペンタエトキシドニ
オブをエタノール溶液中に溶解する。この溶液を24時
間攪拌、還流することにより、脱エステル反応を行う。
この反応は(1)式で表される。First, lithium acetate and pentaethoxydniobium are dissolved in an ethanol solution. This solution is stirred and refluxed for 24 hours to perform a deesterification reaction.
This reaction is represented by equation (1).
【0023】[0023]
【化1】 Embedded image
【0024】上記(1)式のように、mを自然数として
Li−O−Nb−(O−Cm H2m+1)4 のかたちのリチ
ウムとニオブとが1対1の結合をしたニオブ酸リチウム
の前駆体が作製された。As shown in the above formula (1), niobate in which lithium and niobium in the form of Li—O—Nb— (O—C m H 2m + 1 ) 4 have a one-to-one bond, where m is a natural number. A precursor for lithium was made.
【0025】さらにこの溶液に0.2%Tiが添加され
る量のテトラエトキシドチタンを添加する。テトラエト
キシドチタンは、事前に酢酸リチウムとペンタエトキシ
ドニオブとを混ぜ反応させて作製してもかまわない。テ
トラエトキシドチタンは、リチウムとニオブが1対1の
結合をしたニオブ酸リチウムの前駆体の一部と置換した
状態でも、テトラエトキシドチタン単独で存在してもよ
い。このようにして、Ti添加ニオブ酸リチウムの前駆
体溶液を作製した。その後、このニオブ酸リチウムの前
駆体溶液をエタノールで希釈して、0.2mol/dm
3 の濃度の塗布溶液を作製した。Further, to this solution is added tetraethoxide titanium in such an amount that 0.2% Ti is added. Tetraethoxide titanium may be produced by previously mixing and reacting lithium acetate and pentaethoxydniobium. Tetraethoxide titanium may be present alone or in a state where lithium and niobium are substituted for part of a precursor of lithium niobate having a one-to-one bond. Thus, a precursor solution of Ti-added lithium niobate was prepared. Thereafter, this precursor solution of lithium niobate was diluted with ethanol to obtain 0.2 mol / dm.
A coating solution having a concentration of 3 was prepared.
【0026】そして図1の(1)に示すように、上記作
製した溶液を、回転塗布装置を用いて基板11上に塗布
して塗膜を形成する。この基板11は、ニオブ酸リチウ
ム基板、またはリチウムタンタレイト基板、サファイヤ
(α−Al2 O3 )基板もしくはシリコン基板にリチウ
ムニオベイトを堆積した基板が用いられる。ここでは3
インチ(76mm)のニオブ酸リチウム基板を用いた。Then, as shown in FIG. 1A, the solution prepared above is applied to the substrate 11 using a spin coating apparatus to form a coating film. As the substrate 11, a lithium niobate substrate, a lithium tantalate substrate, a sapphire (α-Al 2 O 3 ) substrate, or a substrate obtained by depositing lithium niobate on a silicon substrate is used. Here 3
An inch (76 mm) lithium niobate substrate was used.
【0027】次いで上記塗膜を形成した基板11に対
し、150℃で30分間のベーキング、続いて450℃
で30分間のベーキングを行って、塗膜を乾燥させる。Next, the substrate 11 on which the coating film was formed was baked at 150 ° C. for 30 minutes, and then baked at 450 ° C.
And baking for 30 minutes to dry the coating film.
【0028】上記塗布溶液の基板11への塗布工程と、
上記ベーキングによる塗膜の乾燥工程とを、例えば20
回繰り返した後、700℃の酸素雰囲気中で30分間の
結晶化アニーリングを行うことにより、1μmの厚さの
Ti添加ニオブ酸リチウム膜12を作製した。A step of applying the coating solution to the substrate 11;
The step of drying the coating film by baking is performed, for example, by 20
After repeating this process twice, crystallization annealing was performed in an oxygen atmosphere at 700 ° C. for 30 minutes to produce a Ti-added lithium niobate film 12 having a thickness of 1 μm.
【0029】次に、図1の(2)に示すように、上記T
i添加ニオブ酸リチウム膜12上にレジストを塗布して
レジスト膜を形成した後、そのレジスト膜にパターンを
焼き付けてから現像を行って、レジストパターン13を
形成した。Next, as shown in FIG.
After applying a resist on the i-added lithium niobate film 12 to form a resist film, a pattern was baked on the resist film and then developed to form a resist pattern 13.
【0030】次に、エッチングガスに例えばヘキサフル
オロエタン(C2 F6 )とアルゴン(Ar)との混合ガ
スを用いて、ECR(Electron Cycrotron Resonance)
エッチング、反応性イオンエッチング(RIE)、プラ
ズマエッチング等のエッチング技術によって、上記Ti
添加ニオブ酸リチウム膜12をエッチングし、図1の
(3)に示すように、基板11上にリッジ状のTi添加
ニオブ酸リチウム膜パターン14を形成する。このTi
添加ニオブ酸リチウム膜パターン14がリッジ構造を成
す。Next, ECR (Electron Cycrotron Resonance) is performed by using, for example, a mixed gas of hexafluoroethane (C 2 F 6 ) and argon (Ar) as an etching gas.
Etching, reactive ion etching (RIE), plasma etching, etc.
The added lithium niobate film 12 is etched to form a ridge-shaped Ti-added lithium niobate film pattern 14 on the substrate 11 as shown in FIG. This Ti
The added lithium niobate film pattern 14 forms a ridge structure.
【0031】上記Ti添加ニオブ酸リチウム膜12のパ
ターニング方法としては、上記説明した方法の他に、例
えばリフトオフ法を用いることができる。具体的には、
図2の(1)に示すように、ニオブ酸リチウム基板(以
下基板という)21に上にレジストを塗布してレジスト
膜を形成した後、そのレジスト膜にパターンを焼き付け
てから現像を行って、レジストパターン22を形成す
る。このレジストパターン22は、Ti添加ニオブ酸リ
チウム膜のリッジ構造を形成する領域が開口されている
ものである。As a method of patterning the Ti-added lithium niobate film 12, for example, a lift-off method can be used in addition to the method described above. In particular,
As shown in (1) of FIG. 2, after a resist is applied on a lithium niobate substrate (hereinafter, referred to as a substrate) 21 to form a resist film, a pattern is baked on the resist film and development is performed. A resist pattern 22 is formed. The resist pattern 22 has an opening in a region where the ridge structure of the Ti-added lithium niobate film is formed.
【0032】次に回転塗布装置により上記前駆体溶液を
エタノールで希釈した塗布溶液を基板21上に塗布した
後、その基板21を150℃で60分間加熱して、上記
塗膜を乾燥させる。この塗布工程と乾燥工程とを20回
繰り返して、図2の(2)に示すように、レジストパタ
ーン22上および開口されている部分の基板21上にT
i添加ニオブ酸リチウム膜23を作製する。このとき、
Ti添加ニオブ酸リチウム膜23はレジストパターン2
2よりも薄く形成する。Next, a coating solution obtained by diluting the precursor solution with ethanol is applied on the substrate 21 by a spin coating apparatus, and the substrate 21 is heated at 150 ° C. for 60 minutes to dry the coating film. This coating process and the drying process are repeated 20 times, and as shown in FIG. 2B, T.sub.T is formed on the resist pattern 22 and on the opening portion of the substrate 21.
An i-doped lithium niobate film 23 is formed. At this time,
The Ti-added lithium niobate film 23 has a resist pattern 2
It is formed thinner than 2.
【0033】次いで上記レジストパターン22を除去し
た後、図2の(3)に示すように、700℃の酸素雰囲
気中で30分間の結晶化アニーリングを行って、基板2
1上に厚さが1μmのTi添加ニオブ酸リチウム膜パタ
ーン24を形成する。このTi添加ニオブ酸リチウム膜
パターン24がリッジ構造を成す。Next, after removing the resist pattern 22, as shown in FIG. 2C, crystallization annealing is performed for 30 minutes in an oxygen atmosphere at 700 ° C.
A Ti-added lithium niobate film pattern 24 having a thickness of 1 μm is formed on 1. The Ti-added lithium niobate film pattern 24 forms a ridge structure.
【0034】次に実施例2を説明する。この実施例2で
は、ゾル−ゲル原料に、一例として、有機酸リチウムと
して酢酸リチウム、アルコキシドニオブとしてペンタエ
トキシドニオブ、アルコキシドチタンとして2.0%の
Tiが添加される量のテトラエトキシドチタンを用い
た。そして上記実施例1と同様の方法により、Ti添加
ニオブ酸リチウム膜を作製した。すなわち、実施例1と
は、アルコキシドチタンの量が異なる以外、その他の条
件は同様である。Next, a second embodiment will be described. In Example 2, for example, lithium acetic acid as an organic acid lithium, pentaethoxydniobium as an alkoxide niobium, and tetraethoxytitanium in an amount of 2.0% Ti as an alkoxide titanium were added to the sol-gel raw material. Using. Then, a Ti-added lithium niobate film was produced in the same manner as in Example 1 above. That is, the other conditions are the same as in Example 1, except that the amount of the alkoxide titanium is different.
【0035】次に実施例3を説明する。この実施例3で
は、ゾル−ゲル原料に、一例として、有機酸リチウムと
して不飽和カルボン酸リチウムであるアクリル酸リチウ
ムを用い、アルコキシドニオブとしてペンタエトキシド
ニオブ、アルコキシドチタンとして0.2%のTiが添
加される量のテトラエトキシドチタンを用いた。そして
上記実施例1と同様の方法により、Ti添加ニオブ酸リ
チウム膜を作製した。すなわち、実施例1とは、有機酸
リチウムにアクリル酸リチウムを用いたこと以外、その
他の条件は同様である。Next, a third embodiment will be described. In Example 3, for example, lithium acrylate which is an unsaturated lithium carboxylate was used as the organic acid lithium as the sol-gel raw material, pentaethoxydniobium was used as the alkoxide niobium, and 0.2% Ti was used as the alkoxide titanium. The amount of titanium tetraethoxide added was used. Then, a Ti-added lithium niobate film was produced in the same manner as in Example 1 above. That is, the other conditions are the same as in Example 1, except that lithium acrylate was used as the lithium organic acid.
【0036】次に実施例4を説明する。この実施例4で
は、ゾル−ゲル原料に、一例として、有機酸リチウムと
して芳香族カルボン酸リチウムである安息香酸リチウム
を用い、アルコキシドニオブとしてペンタエトキシドニ
オブ、アルコキシドチタンとして0.2%のTiが添加
される量のテトラエトキシドチタンを用いた。そして上
記実施例1と同様の方法により、Ti添加ニオブ酸リチ
ウム膜を作製した。すなわち、実施例1とは、有機酸リ
チウムに安息香酸リチウムを用いたこと以外、その他の
条件は同様である。Next, a fourth embodiment will be described. In Example 4, for example, lithium benzoate, which is lithium aromatic carboxylate, was used as the organic acid lithium as the sol-gel raw material, pentaethoxydniobium was used as the alkoxydniobium, and 0.2% Ti was used as the alkoxidetitanium. The amount of titanium tetraethoxide added was used. Then, a Ti-added lithium niobate film was produced in the same manner as in Example 1 above. That is, the other conditions are the same as in Example 1, except that lithium benzoate was used as the lithium organic acid.
【0037】次に実施例5を説明する。この実施例5で
は、ゾル−ゲル原料に、一例として、アルコキシドリチ
ウムとしてエトキシドリチウム、アルコキシドニオブと
してペンタエトキシドニオブ、アルコキシドチタンとし
て0.2%のTiが添加される量のテトラエトキシドチ
タンを用いた。そして上記実施例1と同様の方法によ
り、Ti添加ニオブ酸リチウム膜を作製した。すなわ
ち、実施例1とは、有機酸リチウムの代わりにアルコキ
シドリチウムとしてエトキシドリチウムを用いたこと以
外、その他の条件は同様である。Next, a fifth embodiment will be described. In Example 5, as an example, tetraethoxide titanium in an amount to which ethoxide lithium is added as lithium alkoxide, pentaethoxide niobium is used as alkoxide niobium, and 0.2% Ti is added as titanium alkoxide is added to the sol-gel raw material. Using. Then, a Ti-added lithium niobate film was produced in the same manner as in Example 1 above. That is, the other conditions were the same as in Example 1, except that lithium ethoxide was used as lithium alkoxide instead of lithium organic acid.
【0038】次に、上記実施例1〜5によって作製され
たTi添加ニオブ酸リチウム膜に波長1.53μm、T
Mモード光を導波させて伝搬損失を測定した。またプリ
ズム結合法によって屈折率を測定し、屈折率差を計算し
た。そして3インチ基板での屈折率差および伝搬損失の
均一性(ともに±5%となる範囲)を表1に示した。Next, the Ti-added lithium niobate films prepared in Examples 1 to 5 were applied with a wavelength of 1.53 μm and a T
The propagation loss was measured by guiding the M mode light. The refractive index was measured by the prism coupling method, and the refractive index difference was calculated. Table 1 shows the refractive index difference and the uniformity of the propagation loss (both in the range of ± 5%) on the 3-inch substrate.
【0039】また比較例としては、前記従来の技術で説
明した光集積回路(オーム社),(1993)西原浩,
春名正光,栖原敏明,p170−175に開示されてい
る結果を、同じく表1に示した。As a comparative example, an optical integrated circuit (Ohm Co., Ltd.) described in the prior art, (1993) Hiroshi Nishihara,
The results disclosed in Masamitsu Haruna, Toshiaki Suhara, p170-175 are also shown in Table 1.
【0040】[0040]
【表1】 [Table 1]
【0041】上記表1に示したように、ゾル−ゲル法に
よりTiを添加したニオブ酸リチウム膜を作製したの
で、ゾル−ゲル法の特徴である大面積に均一の膜厚でT
i添加ニオブ酸リチウム膜を形成することができる。さ
らに実施例1と実施例2とからわかるように、Tiの添
加量をアルコキシドチタンの添加量により制御すること
によって、屈折率差が大きくすることが可能になる。し
かも伝搬損失が小さい光導波路の制御が可能になる。As shown in Table 1 above, since a lithium niobate film to which Ti was added was prepared by the sol-gel method, a large area uniform film thickness characteristic of the sol-gel method was obtained.
An i-doped lithium niobate film can be formed. Further, as can be seen from Example 1 and Example 2, by controlling the addition amount of Ti by the addition amount of alkoxide titanium, the refractive index difference can be increased. In addition, it is possible to control an optical waveguide having a small propagation loss.
【0042】上記光導波路の製造方法は、電気光学効果
を利用した光導波路、ならびに電気光学効果を利用した
光導波路を用いた素子(例えば、光スイッチング、光変
調器)等の光導波路の形成に用いることが可能である。The method of manufacturing an optical waveguide is used to form an optical waveguide utilizing the electro-optic effect and an optical waveguide such as an element (eg, optical switching, optical modulator) using the optical waveguide utilizing the electro-optic effect. It can be used.
【0043】[0043]
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
電気光学効果を有する基板上に、ゾル−ゲル法により、
チタンが添加された化学組成式がLiNbO3 で表され
るニオブ酸リチウム膜を形成するので、ゾル−ゲル法の
特徴とするところの大面積に均一のチタンを添加したニ
オブ酸リチウム膜を形成することができる。さらに表面
屈折率変化量が均一化され、光散乱が少なくなり、光学
特性のばらつきが抑えることが可能になる。また、チタ
ンの添加量を制御することによって、屈折率差が大きい
光導波路を作製することが可能になる。As described above, according to the present invention,
On a substrate having an electro-optic effect, by a sol-gel method,
Since the chemical composition formula to which titanium is added forms a lithium niobate film represented by LiNbO 3 , a lithium niobate film to which titanium is uniformly added over a large area, which is a feature of the sol-gel method, is formed. be able to. Further, the amount of change in the surface refractive index is made uniform, light scattering is reduced, and variations in optical characteristics can be suppressed. Further, by controlling the amount of titanium added, it becomes possible to manufacture an optical waveguide having a large difference in refractive index.
【図1】本発明の製造方法を説明する製造工程図であ
る。FIG. 1 is a manufacturing process diagram for explaining a manufacturing method of the present invention.
【図2】リフトオフ法による製造方法を説明する製造工
程図である。FIG. 2 is a manufacturing process diagram for explaining a manufacturing method by a lift-off method.
11 基板 12 Ti添加ニオブ酸リチウム膜 11 Substrate 12 Ti-doped lithium niobate film
Claims (10)
する基板上にチタンが添加された化学組成式LiNbO
3 で表されるニオブ酸リチウム膜を形成することを特徴
とする光導波路の製造方法。1. A chemical composition formula LiNbO in which titanium is added on a substrate having an electro-optical effect by a sol-gel method.
3. A method of manufacturing an optical waveguide, comprising forming a lithium niobate film represented by 3 .
いて、 前記基板に、化学組成式LiNbO3 で表されるニオブ
酸リチウム基板を用いることを特徴とする光導波路の製
造方法。2. The method of manufacturing an optical waveguide according to claim 1, wherein a lithium niobate substrate represented by a chemical composition formula LiNbO 3 is used as the substrate.
いて、 前記基板に、化学組成式LiNbO3 で表されるニオブ
酸リチウム膜が積層された基板を用いることを特徴とす
る光導波路の製造方法。3. The method of manufacturing an optical waveguide according to claim 1, wherein a substrate in which a lithium niobate film represented by a chemical composition formula LiNbO 3 is laminated on the substrate is used. Method.
か1項に記載の光導波路の製造方法において、 前記チタンが添加された化学組成式LiNbO3 で表さ
れるニオブ酸リチウム膜を、 Rを炭化水素として化学組成式RCOOLiで表される
有機酸リチウムと、 mを自然数として化学組成式Nb(O−Cm H2m+1)5
で表されるアルコキシドニオブと、 nを自然数として化学組成式Ti(O−Cn H2n+1)4
で表されるアルコキシドチタンとを用いてチタンを添加
した化学組成式LiNbO3 で表されるニオブ酸リチウ
ムの前駆体を作製する第1の工程と、 前記前駆体を基板上に塗布した後、その塗膜を加熱焼成
する第2の工程とを行うことによって、前記基板上にチ
タンを添加した化学組成式LiNbO3で表されるニオ
ブ酸リチウム膜を形成することを特徴とする光導波路の
製造方法。4. The method of manufacturing an optical waveguide according to claim 1, wherein the lithium-niobate film represented by the chemical composition formula LiNbO 3 to which titanium is added is: lithium organic acid represented by the chemical composition formula RCOOLi the R hydrocarbon, chemical composition formula m is a natural number Nb (O-C m H 2m + 1) 5
Alkoxide niobium represented in the chemical composition formula of n is a natural number Ti (O-C n H 2n + 1) 4
A first step of preparing a precursor of lithium niobate represented by a chemical composition formula LiNbO 3 to which titanium is added by using titanium and an alkoxide titanium represented by the formula: Performing a second step of heating and firing the coating film to form a lithium niobate film represented by a chemical composition formula LiNbO 3 to which titanium is added on the substrate, the method comprising the steps of: .
いて、 前記第2の工程の前駆体を基板上に塗布する工程とその
塗膜を加熱焼成する工程とを繰り返し行うことによっ
て、前記基板上にチタンを添加した化学組成式LiNb
O3 で表されるニオブ酸リチウム膜を複数層に形成する
ことを特徴とする光導波路の製造方法。5. The method for manufacturing an optical waveguide according to claim 4, wherein the step of applying the precursor of the second step on a substrate and the step of heating and baking the coating film are repeatedly performed, thereby obtaining the substrate. Chemical composition formula LiNb with titanium added
A method for manufacturing an optical waveguide, comprising forming a lithium niobate film represented by O 3 in a plurality of layers.
の製造方法において、 前記有機酸リチウムに、自然数をnとして化学組成式C
n H2n+1COOLiで表される飽和カルボン酸リチウム
を用いることを特徴とする光導波路の製造方法。6. The method for manufacturing an optical waveguide according to claim 4, wherein said lithium organic acid has a chemical composition formula C wherein n is a natural number.
A method for manufacturing an optical waveguide, comprising using a saturated lithium carboxylate represented by nH2n + 1COOLi.
の製造方法において、 前記有機酸リチウムに、不飽和カルボン酸リチウムを用
いることを特徴とする光導波路の製造方法。7. The method for manufacturing an optical waveguide according to claim 4, wherein an unsaturated lithium carboxylate is used for the lithium organic acid.
の製造方法において、 前記有機酸リチウムに、芳香族カルボン酸リチウムを用
いることを特徴とする光導波路の製造方法。8. The method of manufacturing an optical waveguide according to claim 4, wherein lithium organic carboxylate is used as the lithium organic acid.
か1項に記載の光導波路の製造方法において、 前記チタンが添加された化学組成式LiNbO3 で表さ
れるニオブ酸リチウム膜を、 aを自然数として化学組成式Li(O−Ca H2a+1)で
表されるアルコキシドリチウムと、 bを自然数として化学組成式Nb(O−Cb H2b+1)5
で表されるアルコキシドニオブと、 cを自然数として化学組成式Ti(O−Cc H2c+1)4
で表されるアルコキシドチタンとを用いてチタンを添加
した化学組成式LiNbO3 で表されるニオブ酸リチウ
ムの前駆体を作製する第1の工程と、 前記前駆体を基板上に塗布した後、その塗膜を加熱焼成
する第2の工程とを行うことによって、前記基板上にチ
タンを添加した化学組成式LiNbO3で表されるニオ
ブ酸リチウム膜を形成することを特徴とする光導波路の
製造方法。9. The method for manufacturing an optical waveguide according to claim 1, wherein the lithium niobate film represented by the chemical composition formula LiNbO 3 to which titanium is added is: chemical composition formula Li a a is a natural number (O-C a H 2a + 1) and alkoxide of lithium represented by the chemical composition formula b is a natural number Nb (O-C b H 2b + 1) 5
And a chemical composition formula Ti (O—C c H 2c + 1 ) 4 where c is a natural number.
A first step of preparing a precursor of lithium niobate represented by a chemical composition formula LiNbO 3 to which titanium is added by using titanium and an alkoxide titanium represented by the formula: Performing a second step of heating and firing the coating film to form a lithium niobate film represented by a chemical composition formula LiNbO 3 to which titanium is added on the substrate, the method comprising the steps of: .
おいて、 前記第2の工程の前駆体を基板上に塗布する工程とその
塗膜を加熱焼成する工程とを繰り返し行うことによっ
て、前記基板上にチタンを添加した化学組成式LiNb
O3 で表されるニオブ酸リチウム膜を複数層に形成する
ことを特徴とする光導波路の製造方法。10. The method of manufacturing an optical waveguide according to claim 9, wherein the step of applying the precursor of the second step on a substrate and the step of heating and baking the coating film are repeatedly performed, whereby the substrate is formed. Chemical composition formula LiNb with titanium added
A method for manufacturing an optical waveguide, comprising forming a lithium niobate film represented by O 3 in a plurality of layers.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23054197A JPH1164663A (en) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | Production of optical waveguide |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23054197A JPH1164663A (en) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | Production of optical waveguide |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1164663A true JPH1164663A (en) | 1999-03-05 |
Family
ID=16909380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23054197A Pending JPH1164663A (en) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | Production of optical waveguide |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1164663A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013197541A (en) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Manufacturing method of ultrasonic thickness sensor |
JP2014074635A (en) * | 2012-10-04 | 2014-04-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Ultrasonic sensor |
-
1997
- 1997-08-27 JP JP23054197A patent/JPH1164663A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013197541A (en) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Manufacturing method of ultrasonic thickness sensor |
JP2014074635A (en) * | 2012-10-04 | 2014-04-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Ultrasonic sensor |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2002350659A (en) | Optical waveguide element and manufacturing method for optical waveguide element | |
US20010026669A1 (en) | Optical waveguide element, manufacturing method for optical waveguide element, optical deflecting element, and optical switching element | |
JPH04131805A (en) | Quartz optical waveguide and production thereof | |
JPH1164663A (en) | Production of optical waveguide | |
JP3225878B2 (en) | Polymer waveguide and method of manufacturing the same | |
JPH1168206A (en) | Manufacture of waveguide type optical amplification element | |
JPH063546A (en) | Single mode optical waveguide | |
JP4316065B2 (en) | Manufacturing method of optical waveguide element | |
JPH1164664A (en) | Production of optical waveguide | |
JPH0812302B2 (en) | Method for producing titanium oxide thin film | |
JP3898585B2 (en) | Method for manufacturing member with optical waveguide | |
JP2001116943A (en) | Method for producing thin metal oxide film element | |
JPH0313907A (en) | Production of substrate type optical waveguide | |
Chu et al. | Polyimide/Ta/sub 2/O/sub 5//polyimide antiresonant reflecting optical waveguides | |
JP2001235640A (en) | Optical waveguide element | |
JPH06174908A (en) | Production of waveguide type diffraction grating | |
CN114779400B (en) | Preparation method and application of film with photonic device structure | |
JP2003114346A (en) | Method for manufacturing optical waveguide element | |
Josse et al. | Planar and channel waveguides on fluoride glasses | |
WO2024172075A1 (en) | Structure, waveguide, light modulator, and structure production method | |
JPH0727941A (en) | Production of waveguide | |
JPH03191332A (en) | Production of optical waveguide and optical wavelength converting element | |
JP2590807B2 (en) | Manufacturing method of optical waveguide | |
JPH11199393A (en) | Production of ferroelectric thin film element | |
JP2000241639A (en) | Optical wave guide element, and manufacture therefor |