JPH1164239A - Standard sample for calibrating foreign matter detecting sensitivity and its manufacture - Google Patents
Standard sample for calibrating foreign matter detecting sensitivity and its manufactureInfo
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- JPH1164239A JPH1164239A JP22991997A JP22991997A JPH1164239A JP H1164239 A JPH1164239 A JP H1164239A JP 22991997 A JP22991997 A JP 22991997A JP 22991997 A JP22991997 A JP 22991997A JP H1164239 A JPH1164239 A JP H1164239A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、表面異物検査装置
の感度校正に使用する異物検出感度校正用標準サンプル
およびその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a standard sample for calibration of foreign matter detection sensitivity used for sensitivity calibration of a surface foreign matter inspection apparatus, and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造において、半導体ウェ
ーハなどの表面に異物が存在していると、歩留りの低下
を来すので、表面異物検査装置を使用して異物の有無を
確認している。しかし、この装置の異物検出感度に変化
が生じると、正確な異物検出ができなくなる。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, if foreign matter is present on the surface of a semiconductor wafer or the like, the yield is reduced. Therefore, the presence or absence of foreign matter is confirmed using a surface foreign matter inspection device. However, if the foreign matter detection sensitivity of this device changes, accurate foreign matter detection cannot be performed.
【０００３】そこで、従来から、表面異物検査装置それ
自体の検出感度(異物検出感度)を定期的に検査し、校正
することが行われており、この校正を正確に行うこと
は、特に重要である。そして、この校正手段として、従
来から“異物検出感度校正用標準サンプル”が使用され
ている。Therefore, conventionally, the detection sensitivity (foreign matter detection sensitivity) of the surface foreign matter inspection apparatus itself has been regularly inspected and calibrated, and it is particularly important to perform this calibration accurately. is there. As the calibration means, a "standard sample for calibration of foreign object detection sensitivity" has been used.
【０００４】ここで、従来の“異物検出感度校正用標準
サンプル（半導体ウェーハ上に疑似異物をパターンニン
グした異物検出感度校正ウェーハ）”について、図４を
参照して説明する。なお、図４は、従来の異物検出感度
校正ウェーハを説明する図であって、そのうち、(Ａ)
は、該ウェーハの上面図であり、(Ｂ)は、(Ａ)のＢ−Ｂ
線での部分拡大断面図[(Ａ)に図示する疑似異物群を横
から見た一部拡大詳細図]であり、(Ｃ)は、(Ｂ)の疑似
異物を含む表面の散乱光の“信号強度”を示すグラフで
ある。Here, a conventional "standard sample for calibration of foreign substance detection sensitivity (a foreign substance detection sensitivity calibration wafer in which a pseudo foreign substance is patterned on a semiconductor wafer)" will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a diagram for explaining a conventional foreign matter detection sensitivity calibration wafer, of which (A)
Is a top view of the wafer, and (B) is BB of (A).
FIG. 4 is a partially enlarged cross-sectional view taken along a line [a partially enlarged detailed view of the pseudo foreign matter group shown in FIG. 3A as viewed from the side], and FIG. It is a graph showing "signal strength".
【０００５】従来の異物検出感度校正用標準サンプル
(異物検出感度校正ウェーハ)は、図４の(Ａ)に示すよう
に、半導体ウェーハ41上に疑似異物群42を整列配置して
なる異物検出感度校正ウェーハ40であって、この疑似異
物群42は、疑似異物42ａの大きさを数段階に変えながら
整列してあり、疑似異物42ａの下の半導体ウェーハ41や
ＬＳＩ回路パターン43よりも光の反射率が高くなる材質
で形成されている[図４(Ｂ)参照]。この異物検出感度校
正標準ウェーハ40は、常用のフォトリソグラフィーとエ
ッチングにより、半導体ウェーハ41上に、疑似異物42ａ
からなる疑似異物群42を形成して作製されている。Conventional standard sample for calibration of foreign matter detection sensitivity
The (foreign substance detection sensitivity calibration wafer) is a foreign substance detection sensitivity calibration wafer 40 in which pseudo foreign substance groups 42 are arranged and arranged on a semiconductor wafer 41, as shown in FIG. Are formed by changing the size of the pseudo foreign matter 42a in several steps, and are formed of a material having a higher light reflectance than the semiconductor wafer 41 and the LSI circuit pattern 43 under the pseudo foreign matter 42a. 4 (B)]. This foreign matter detection sensitivity calibration standard wafer 40 is provided with a pseudo foreign matter 42a on the semiconductor wafer 41 by ordinary photolithography and etching.
Formed by forming a pseudo foreign substance group 42 composed of
【０００６】そして、検出光44を受けた際、疑似異物42
ａでの散乱光45は、ＬＳＩ回路パターン43が作り出す散
乱光強度よりも強くなっていることから[図４(Ｃ)参
照]、ＬＳＩ回路パターン43と疑似異物42ａの識別が容
易であるという効果が生じる。従って、この異物検出感
度校正ウェーハ40を用いることにより、疑似異物42ａの
各段階の大きさの異物検出感度レベルの校正が可能とな
るものである。When the detection light 44 is received, the pseudo foreign matter 42
Since the scattered light 45 at a is higher than the scattered light intensity generated by the LSI circuit pattern 43 (see FIG. 4C), the effect that the LSI circuit pattern 43 and the pseudo foreign matter 42a can be easily distinguished is obtained. Occurs. Therefore, by using the foreign substance detection sensitivity calibration wafer 40, it is possible to calibrate the foreign substance detection sensitivity level of each size of the pseudo foreign substance 42a.
【０００７】なお、図４(Ｂ)中の符号46は、散乱光ディ
テクタであり、47及び48は、半導体ウェーハ41の表面に
存在する異物及び欠陥部(凹部)を示す。また、図４(Ｃ)
中の符号49は、しきい値を示す。In FIG. 4B, reference numeral 46 denotes a scattered light detector, and reference numerals 47 and 48 denote a foreign substance and a defect (recess) existing on the surface of the semiconductor wafer 41. FIG. 4 (C)
Numeral 49 indicates a threshold value.
【０００８】[0008]
（第１の問題点）ところで、前記従来の異物検出感度校
正ウェーハ40では、疑似異物42ａの上面が平らであるこ
とから[図４(Ｂ)参照]、この平らな疑似異物42ａに当っ
た検出光44の散乱光45からは、正確に疑似異物42ａの大
きさを知ることができず、このため、正しい異物検出感
度校正ができないという問題点を有している。(First Problem) In the conventional foreign matter detection sensitivity calibration wafer 40, since the upper surface of the pseudo foreign matter 42a is flat [see FIG. 4 (B)], the detection of the flat foreign matter 42a hits. From the scattered light 45 of the light 44, the size of the pseudo foreign substance 42a cannot be accurately known, and therefore, there is a problem that correct foreign substance detection sensitivity calibration cannot be performed.
【０００９】その理由は、図４(Ｃ)に示すように、常用
のエッチング技術で作られた疑似異物42ａの平らな上面
では、レーザ光の散乱が少なく、散乱光45の強度が「異
物」として判断するしきい値49を越えないことにより、
疑似異物42ａの“縁”のみが検出され、その大きさが検
出されないからである。The reason is that, as shown in FIG. 4 (C), on the flat upper surface of the pseudo foreign matter 42a formed by a conventional etching technique, the scattering of laser light is small and the intensity of the scattered light 45 is "foreign matter". By not exceeding the threshold 49, which is determined as
This is because only the "edge" of the pseudo foreign matter 42a is detected and its size is not detected.
【００１０】（第２の問題点）また、前記従来の異物検
出感度校正ウェーハ40は、前記したとおり、常用のフォ
トリソグラフィーとエッチングにより、半導体ウェーハ
41上に、疑似異物42ａからなる疑似異物群42を形成して
作製されている。このように、常用のフォトリソグラフ
ィーとエッチングにより形成するため、従来の異物検出
感度校正ウェーハ40では、マスク寸法より小さい寸法の
異物検出感度校正ができないという問題点を有してい
る。その理由は、常用のエッチング技術では、マスク寸
法に近いパターンが形成され、マスクサイズより小さい
寸法のパターンを形成することができないからである。(Second Problem) Further, as described above, the conventional foreign matter detection sensitivity calibration wafer 40 is manufactured by using a semiconductor wafer by ordinary photolithography and etching.
A pseudo foreign substance group 42 composed of a pseudo foreign substance 42a is formed on 41, and is manufactured. As described above, since the conventional foreign matter detection sensitivity calibration wafer 40 is formed by ordinary photolithography and etching, there is a problem that the foreign matter detection sensitivity calibration of a dimension smaller than the mask dimension cannot be performed. The reason is that a pattern close to the mask size is formed by a conventional etching technique, and a pattern smaller than the mask size cannot be formed.
【００１１】（第３の問題点）さらに、前記従来の異物
検出感度校正ウェーハ40は、下地基板として「半導体ウ
ェーハ41(常用のシリコンウェーハ)」を使用している。
常用のシリコンウェーハには、このウェーハ製造中に欠
陥［図４(Ｂ)中の異物67，欠陥(凹部)68参照］が多く発
生し、これが0.1μｍ程度の異物となり、この微細な異
物と疑似異物42ａとを分別することができないため、前
記従来の異物検出感度校正ウェーハ40では、このような
微細な異物に対する異物検出感度校正ができないという
問題点を有している。(Third Problem) Further, the conventional foreign matter detection sensitivity calibration wafer 40 uses a "semiconductor wafer 41 (common silicon wafer)" as a base substrate.
Many defects (refer to foreign matter 67 and defect (concave part) 68 in FIG. 4B) are generated during the production of the ordinary silicon wafer, which become foreign matter of about 0.1 μm. Since the foreign matter 42a cannot be separated from the foreign matter 42a, the conventional foreign matter detection sensitivity calibration wafer 40 has a problem that the foreign matter detection sensitivity cannot be calibrated for such fine foreign matter.
【００１２】（発明の目的）本発明は、前記第１〜第３
の問題点に鑑みなされたものであって、その目的とする
ところは、 ・第一に、疑似異物部の識別性が高い異物検出感度校正
用標準サンプル及びその製造方法を提供することにあ
り、 ・第二に、従来の異物検出感度校正用標準サンプルに比
べて、直径の大きい検出可能な複数の大きさの疑似異物
を形成し、また、マスクサイズよりも小さい疑似異物も
形成し、複数の異物検出感度校正を１枚のサンプル上で
行うことができる異物検出感度校正用標準サンプル及び
その製造方法を提供することにあり、 ・第三に、下地基板として欠陥部ない基板を用い、この
基板上にマスクサイズよりも小さい微細な疑似異物をも
形成することで、微細な異物に対する異物検出感度校正
をも可能とする異物検出感度校正用標準サンプル及びそ
の製造方法を提供することにある。(Object of the Invention) The present invention is directed to the first to third aspects.
In view of the above problems, the object is to firstly, to provide a standard sample for calibration of foreign matter detection sensitivity with high discriminability of a pseudo foreign matter part and a method of manufacturing the same,・ Secondly, compared to the conventional foreign matter detection sensitivity calibration standard sample, a plurality of detectable pseudo foreign matters having a large diameter are formed, and a pseudo foreign matter smaller than the mask size is also formed. It is an object of the present invention to provide a standard sample for calibration of foreign substance detection sensitivity and a method of manufacturing the same, which can perform calibration of foreign substance detection sensitivity on one sample. Provided is a standard sample for calibration of foreign matter detection sensitivity, which also enables the calibration of foreign matter detection sensitivity for fine foreign matter by forming fine pseudo foreign matter smaller than the mask size thereon, and a method of manufacturing the same. Lies in the fact.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明に係る異物検出感
度校正用標準サンプルは、同一下地基板の表面上に、複
数の大きさ及び形状を有する疑似異物で構成される疑似
異物群を複数配置してなる異物検出感度校正用標準サン
プルであって、 ・前記疑似異物のうち、直径の大きい疑似異物の内部に
複数の凸部を形成してなること(請求項１)、 ・前記疑似異物群を構成する疑似異物が、マスクサイズ
よりも微細な直径の小さい疑似異物から直径の大きい疑
似異物にわたって、段階的に大きさの異なる複数個の疑
似異物からなり、かつ、直径の大きい疑似異物の内部に
複数の凸部を形成してなること(請求項２)、を発明を特
定する事項とし、これにより前記目的を達成したもので
ある。According to the present invention, there is provided a standard sample for calibration of foreign object detection sensitivity according to the present invention, wherein a plurality of pseudo foreign object groups each having a plurality of sizes and shapes are arranged on the surface of the same base substrate. A standard sample for calibrating foreign matter detection sensitivity, comprising: a plurality of convexes formed inside the pseudo foreign matter having a large diameter among the pseudo foreign matter (claim 1); Is composed of a plurality of pseudo foreign substances having different sizes in a stepwise manner from a pseudo foreign substance having a diameter smaller than the mask size to a pseudo foreign substance having a larger diameter, and the inside of the pseudo foreign substance having a larger diameter. The invention is characterized in that a plurality of projections are formed (claim 2), thereby achieving the object.
【００１４】また、本発明に係る異物検出感度校正用標
準サンプルの製造方法は、同一下地基板の表面上に、複
数の大きさ及び形状を有する疑似異物で構成される疑似
異物群を複数配置してなる異物検出感度校正用標準サン
プルの製造方法において、(1) 下地基板上に、該基板に
対して選択的にエッチングし易く光を反射する材質から
なる膜を形成する工程と、(2) フォトリソグラフィーお
よびサイドエッチングの入るドライエッチングとウェッ
トエッチングにてエッチングする工程と、(3) 前記
(1)，(2)と同様の工程を繰り返して、マスクサイズより
も微細な直径の小さい疑似異物から直径の大きい疑似異
物にわたって、段階的に大きさの異なる複数個の疑似異
物を形成する工程と、を含むこと(請求項６)、を発明を
特定する事項とし、これによって前記目的を達成したも
のである。Further, in the method of manufacturing a standard sample for calibration of foreign object detection sensitivity according to the present invention, a plurality of pseudo foreign object groups each having a plurality of sizes and shapes are arranged on the surface of the same base substrate. (1) a step of forming a film made of a material that reflects light easily and selectively etches the substrate, on the underlying substrate, Etching by dry etching and wet etching including photolithography and side etching, and (3)
Steps of forming a plurality of pseudo foreign substances having different sizes stepwise from pseudo foreign substances having a smaller diameter than the mask size to pseudo foreign substances having a larger diameter by repeating the same steps as (1) and (2). (Claim 6) is a matter for specifying the invention, thereby achieving the object.
【００１５】以下、本発明の上記“発明を特定する事項
(特徴点)”を、それにより奏する作用と共に詳細に説明
すると、本発明に係る異物検出感度校正用標準サンプル
では、複数の大きさを有する疑似異物で構成される疑似
異物群からなり、このうち、直径の大きい(面積の大き
い)疑似異物は、その内部に複数の凸部を形成してなる
こと(つまり、直径の大きい疑似異物は、その上面が平
らでない構造であること)を特徴としている(第１の特徴
点)。このため、検査光がこの疑似異物の上面で乱反射
し、その大きさを正確に知ることができ、その結果、前
記第１の問題点を解消することができ、正しい異物検出
感度校正をすることができる作用が生じる。Hereinafter, the above-mentioned "items specifying the invention" of the present invention.
(Characteristic points) "will be described in detail together with the action performed thereby. The standard sample for calibration of foreign matter detection sensitivity according to the present invention is composed of a group of pseudo foreign matter having a plurality of sizes of pseudo foreign matter. The pseudo foreign matter having a large diameter (large area) is characterized in that a plurality of convex portions are formed therein (that is, the pseudo foreign matter having a large diameter has a structure in which the upper surface is not flat). (First feature point) For this reason, the inspection light is irregularly reflected on the upper surface of the pseudo foreign matter, and the size thereof can be accurately known. As a result, the first problem can be solved. The effect that the correct foreign substance detection sensitivity calibration can be performed occurs.
【００１６】本発明に係る製造方法を含めて更に説明す
ると、下地基板として、成長中に欠陥が生じないエピタ
キシャルシリコンウェーハを使用し、このウェーハの同
一平面上に、複数の大きさの疑似異物(直径の異なる複
数の疑似異物)を整列させて疑似異物群を形成する。各
疑似異物は、下地基板に対して選択的にエッチングし易
く光を反射する材質(例えばアモルファスシリコン，ポ
リシリコン，ＳｉＯ2，Ａｌなど)で形成し、フォトリソ
グラフィーとドライエッチ及びウェットエッチにより形
成する。To explain further including the manufacturing method according to the present invention, an epitaxial silicon wafer having no defect during growth is used as a base substrate, and a plurality of sizes of pseudo foreign substances ( A plurality of pseudo foreign substances having different diameters are aligned to form a pseudo foreign substance group. Each pseudo foreign substance is formed of a material (e.g., amorphous silicon, polysilicon, SiO 2 , Al, or the like) which easily etches selectively with respect to the underlying substrate and reflects light, and is formed by photolithography, dry etching, and wet etching. .
【００１７】そして、直径の大きい疑似異物は、疑似異
物パターンを数段に積み重ねて、その上面が平らになら
ないように形成する。このため、検査光は、この直径の
大きい疑似異物の上面で乱反射し、その結果、前記した
とおり、その大きさを正確に知ることができ、正しい異
物検出感度校正を行うことができる。なお、疑似異物が
形成されていない下地基板の表面は、欠陥や突起のない
エピタキシャルシリコンウェーハを使用するため、検出
光が当たると鏡面反射することになる。The pseudo foreign matter having a large diameter is formed by stacking a plurality of pseudo foreign matter patterns so that the upper surface thereof is not flat. For this reason, the inspection light is irregularly reflected on the upper surface of the pseudo foreign matter having a large diameter. As a result, as described above, its size can be accurately known, and correct calibration of the foreign matter detection sensitivity can be performed. In addition, since the surface of the base substrate on which the pseudo foreign matter is not formed uses an epitaxial silicon wafer having no defects or protrusions, it is specularly reflected when the detection light is applied.
【００１８】また、本発明に係る異物検出感度校正用標
準サンプルでは、疑似異物群を構成する疑似異物が、マ
スクサイズよりも微細な直径の小さい疑似異物をも形成
することを特徴としている。即ち、フォトリソグラフィ
ーで形成できるレジストの寸法(マスクサイズ)よりも小
さな直径を有する微細な疑似異物をも形成すること、つ
まり、ドライエッチ及びウェットエッチにてオーバーエ
ッチすることで、微細な疑似異物をも形成することを特
徴とし、このため、マスクサイズより小さい寸法の異物
検出感度校正をも可能である作用が生じる。Further, the standard sample for calibration of foreign object detection sensitivity according to the present invention is characterized in that the pseudo foreign object constituting the pseudo foreign object group also forms a pseudo foreign object having a smaller diameter than the mask size. That is, by forming fine pseudo foreign matter having a diameter smaller than the dimension of the resist (mask size) that can be formed by photolithography, that is, by over-etching with dry etching and wet etching, fine pseudo foreign matter is removed. Therefore, there is an effect that it is possible to calibrate the foreign substance detection sensitivity of a dimension smaller than the mask size.
【００１９】そして、疑似異物は、数段階に大きさを変
えて整列配置してあるため、校正できる異物の大きさ
は、マスク寸法より小さいレベルから異物検査装置の検
出可能上限までの範囲が可能となり、前記第２の問題点
(マスク寸法より小さい寸法の異物検出感度校正ができ
ないという問題点)を解消することができ、しかも、数
段階の異物検出感度の校正を、１枚のサンプルで同時に
効率良くできる。Since the pseudo foreign matter is arranged in several steps with different sizes, the size of the foreign matter that can be calibrated can range from a level smaller than the mask dimension to an upper limit detectable by the foreign matter inspection apparatus. And the second problem
(Problem that calibration of foreign substance detection sensitivity smaller than the mask dimension cannot be performed) can be solved, and moreover, calibration of foreign substance detection sensitivity in several steps can be efficiently performed simultaneously with one sample.
【００２０】また、本発明では、前記したとおり、下地
基板として、成長中に欠陥が生じないエピタキシャルシ
リコンウェーハを使用するから、前記第３の問題点を解
消することができ、前記第三の目的を達成することがで
きる。Further, in the present invention, as described above, since the epitaxial silicon wafer which does not cause a defect during growth is used as the base substrate, the third problem can be solved. Can be achieved.
【００２１】[0021]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照して説明するが、本発明は、以下の第
１，第２の実施形態に限定されるものではなく、前記
“発明を特定する事項”の範囲内で適宜変更，変形する
ことができるものである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited to the following first and second embodiments, and Can be changed or modified as appropriate within the scope of "items for specifying".
【００２２】（第１の実施形態）図１は、本発明に係る
異物検出感度校正用標準サンプルの一実施形態(第１の
実施形態)を説明する図であって、そのうち、(Ａ)は、
異物検出感度校正用ウエハの上面図、(Ｂ)は、(Ａ)のＡ
−Ａ線での一部拡大断面図［(Ａ)に図示する疑似異物群
の列部分を横から見た一部拡大詳細図］、(Ｃ)は、(Ｂ)
に図示する疑似異物を上から見た拡大詳細図、(Ｄ)は、
(Ｂ)の疑似異物を含む表面の散乱光の“信号強度”を示
すグラフである。(First Embodiment) FIG. 1 is a view for explaining one embodiment (first embodiment) of a standard sample for calibration of foreign matter detection sensitivity according to the present invention, wherein (A) is ,
The top view of the foreign object detection sensitivity calibration wafer, (B) is A of (A)
Partial enlarged cross-sectional view taken along the line A [partial enlarged detailed view of the column portion of the pseudo foreign matter group shown in (A) viewed from the side], (C) is (B)
(D) is an enlarged detailed view of the pseudo foreign matter shown in FIG.
3B is a graph showing “signal intensity” of scattered light on the surface including the pseudo foreign matter of FIG.
【００２３】第１の実施形態に係る異物検出感度校正ウ
エハ10は、図１(Ａ)に示すように、エピタキシャルシリ
コンウェーハ11(表面に突起や欠陥がない鏡面を有るウ
ェーハ11)を下地基板とし、その上に疑似異物群12を整
列配置した構造からなる。そして、この疑似異物群12
は、図１の(Ｂ)，(Ｃ)に示すように、４種類の疑似異物
12ａ，12ｂ，12ｃ，12ｄからなり、各疑似異物間は、十
分に離して構成されている。As shown in FIG. 1 (A), a foreign object detection sensitivity calibration wafer 10 according to the first embodiment uses an epitaxial silicon wafer 11 (a wafer 11 having a mirror surface having no projections or defects on its surface) as a base substrate. , And a structure in which the pseudo foreign matter group 12 is arranged and arranged thereon. And this pseudo foreign substance group 12
Are four types of pseudo foreign substances as shown in FIGS. 1 (B) and 1 (C).
12a, 12b, 12c, and 12d, and the pseudo foreign substances are sufficiently separated from each other.
【００２４】各疑似異物の大きさは、疑似異物12ａ：0.
25μｍ，疑似異物12ｂ：0.5μｍ，疑似異物12ｃ：0.75
μｍ，疑似異物12ｄ：1.25μｍであり、かつ、面積の大
きい疑似異物12ｃ，12ｄの内部に複数の凸部を形成した
ものであり(→図１(Ｂ)参照)、このように、鏡面反射す
るエピタキシャルシリコンウェーハ11(下地基板)と、乱
反射する４種類の疑似異物12ａ，12ｂ，12ｃ，12ｄを３
６個づつ備えた異物検出感度校正ウエハ10[→図１(Ａ)
参照]である。The size of each of the pseudo foreign substances is as follows.
25 μm, pseudo foreign matter 12b: 0.5 μm, pseudo foreign matter 12c: 0.75
μm, simulated foreign matter 12d: 1.25 μm, and a plurality of convex portions formed inside the simulated foreign matter 12c, 12d having a large area (see FIG. 1 (B)). An epitaxial silicon wafer 11 (underlying substrate) and four types of pseudo foreign substances 12a, 12b, 12c and 12d
Foreign object detection sensitivity calibration wafer 10 [6 each] [→ Fig. 1 (A)
See].
【００２５】上記異物検出感度校正ウエハ10の製造方法
について説明すると、まず、下地基板として、エピタキ
シャルシリコンウェーハ11を準備する。（このエピタキ
シャルシリコンウェーハ11は、成長中に突起や欠陥が生
じることなく、鏡面状の表面を有するので、下地基板と
して特に好ましい。） そして、このエピタキシャルシリコンウェーハ11上にＳ
ｉＯ2の膜を形成し、フォトリソグラフィーおよびサイ
ドエッチの入るドライエッチングとウェットエッチング
により、図１の(Ｂ)，(Ｃ)に示す４種類の疑似異物12
ａ，12ｂ，12ｃ，12ｄを形成する。The method of manufacturing the foreign matter detection sensitivity calibration wafer 10 will be described. First, an epitaxial silicon wafer 11 is prepared as a base substrate. (Since this epitaxial silicon wafer 11 has a mirror-like surface without any projections or defects during growth, it is particularly preferable as a base substrate.)
An iO 2 film is formed, and four types of pseudo foreign substances 12 shown in FIGS. 1B and 1C are formed by photolithography and dry etching and wet etching with side etching.
a, 12b, 12c and 12d are formed.
【００２６】この４種類の疑似異物は、疑似異物12ａ，
12ｂは１段で、疑似異物12ｃは２段で、疑似異物12ｄは
３段で、それぞれ形成する。大きさは、各々0.25μｍ，
0.5μｍ，0.75μｍ，1.25μｍである。特に大きな疑似
異物12ｄの場合、その表面が凸凹になるように市松模様
にマスクを重ね合わせて、図１の(Ｂ)，(Ｃ)に示す疑似
異物12ｄの形状に形成する。The four types of pseudo foreign substances are pseudo foreign substances 12a,
12b is formed in one step, pseudo foreign matter 12c is formed in two steps, and pseudo foreign matter 12d is formed in three steps. The size is 0.25μm each,
0.5 μm, 0.75 μm and 1.25 μm. In particular, in the case of a large pseudo foreign matter 12d, a mask is superimposed on a checkerboard pattern so that the surface becomes uneven, and formed into the shape of the pseudo foreign matter 12d shown in FIGS. 1B and 1C.
【００２７】この形成方法について更に説明すると、エ
ピタキシャルシリコンウェーハ11上に、前記大きさの４
種類の疑似異物12ａ，12ｂ，12ｃ，12ｄを整列配置する
ように形成するが、この形成手段として、各疑似異物よ
り、0.1μｍ程度大きいフォトレジストマスクを用い、
常用のフォトリソグラフィーを行う。The formation method will be described in further detail.
The types of pseudo foreign substances 12a, 12b, 12c, and 12d are formed so as to be aligned. As a forming means, a photoresist mask about 0.1 μm larger than each pseudo foreign substance is used.
Perform regular photolithography.
【００２８】そして、サイドエッチを入れながらドライ
エッチし、続いて、フォトレジストを除去した後、ウェ
ットエッチでさらにエッチングし、その表面に丸みをお
びさせて１段目を形成する。次に、疑似異物12ｃ，12ｄ
の２段目を同様にして形成し、さらに、同様にして疑似
異物12ｄの３段目を形成する。Then, dry etching is performed while a side etch is performed. Subsequently, after the photoresist is removed, further etching is performed by wet etching, and the surface is rounded to form a first step. Next, the pseudo foreign substances 12c and 12d
Is formed in the same manner, and the third step of the pseudo foreign matter 12d is similarly formed.
【００２９】第１の実施形態で用いるフォトレジストマ
スクの形状は、0.35μｍ□を最小単位として用い、疑似
異物12ｃ，12ｄの形成には、これを市松模様に並べて形
成する。その際、高さ方向にもより小さい疑似異物をの
せることで、高さの有る疑似異物12ｃ，12ｄを形成す
る。以上のようにして、４種類の疑似異物12ａ，12ｂ，
12ｃ，12ｄで構成される疑似異物群12を備えた異物検出
感度校正ウエハ10[図１(Ａ)，(Ｂ)参照]を得る。The shape of the photoresist mask used in the first embodiment uses 0.35 μm square as a minimum unit, and the pseudo foreign substances 12 c and 12 d are formed in a checkered pattern. At this time, pseudo foreign substances 12c and 12d having a height are formed by placing pseudo foreign substances smaller in the height direction. As described above, four types of pseudo foreign substances 12a, 12b,
A foreign substance detection sensitivity calibration wafer 10 (see FIGS. 1A and 1B) having a pseudo foreign substance group 12 composed of 12c and 12d is obtained.
【００３０】なお、この第１の実施形態において、疑似
異物をＳｉＯ2で形成した例を示したが、本発明は、こ
れにのみ限定されるものではなく、ＳｉＯ2以外に、疑
似異物の材質として、エッチング加工が容易で［つま
り、下地基板(第１の実施形態ではエピタキシャルシリ
コンウェーハ11)に対して選択エッチングしやすく］サ
イドエッチが入りやすく、かつ光を反射する性質を有す
る、例えば“アモルファスシリコン，ポリシリコン，Ａ
ｌ”のような材質を使用することもできる。In the first embodiment, an example is shown in which the pseudo foreign matter is formed of SiO 2. However, the present invention is not limited to this, and the material of the pseudo foreign matter is not limited to SiO 2. It is easy to perform an etching process [that is, it is easy to selectively etch a base substrate (epitaxial silicon wafer 11 in the first embodiment)]. Silicon, polysilicon, A
Materials such as l ″ can also be used.
【００３１】この第１の実施形態に係る異物検出感度校
正ウエハ10では、図１の(Ｄ)［該ウエハ10の表面におけ
る散乱光の“信号強度”を示すグラフ］に示すように、
走査する検出光14が疑似異物12ａ，12ｂ，12ｃ，12ｄに
よって散乱し、その散乱光15を集めて検出する散乱光デ
ィテクター16の信号強度から異物の大きさが判別できる
ため、各疑似異物の大きさに合わせて、表面異物検査装
置の“異物検出感度の校正”を行うことができる。この
ように、疑似異物は、数段階に大きさを変えて整列して
あるため(図１参照)、数段階の異物検出感度の校正を１
枚のサンプルで同時に効率良くでき、しかも、校正でき
る異物の大きさについては、マスク寸法より小さいレベ
ルから表面異物検査装置の検出可能上限までの範囲が可
能となる。In the foreign object detection sensitivity calibration wafer 10 according to the first embodiment, as shown in FIG. 1D (a graph showing “signal intensity” of scattered light on the surface of the wafer 10),
The detection light 14 to be scanned is scattered by the pseudo foreign substances 12a, 12b, 12c, and 12d, and the size of the foreign substance can be determined from the signal intensity of the scattered light detector 16 that collects and detects the scattered light 15. At the same time, “calibration of foreign matter detection sensitivity” of the surface foreign matter inspection device can be performed. As described above, since the pseudo foreign substances are arranged in several steps with different sizes (see FIG. 1), the calibration of the foreign substance detection sensitivity in several steps is performed by one step.
The size of the foreign matter that can be efficiently and simultaneously calibrated with one sample can be in a range from a level smaller than the mask dimension to an upper limit detectable by the surface foreign matter inspection device.
【００３２】（第２の実施形態）図２は、本発明に係る
異物検出感度校正用標準サンプルの他の実施形態(第２
の実施形態)を説明する図であって、そのうち、(Ａ)
は、異物検出感度校正用ウエハの上面図、(Ｂ)は、(Ａ)
のＡ−Ａ線での一部拡大断面図［(Ａ)に図示する疑似異
物群の列部分を横から見た一部拡大詳細図］、(Ｃ)は、
(Ｂ)に図示する疑似異物を上から見た拡大詳細図、(Ｄ)
は、(Ｂ)の疑似異物を含む表面の散乱光の“信号強度”
を示すグラフである。(Second Embodiment) FIG. 2 shows another embodiment (second embodiment) of the standard sample for calibration of foreign matter detection sensitivity according to the present invention.
(A) is a diagram for explaining (A)
Is a top view of the wafer for foreign substance detection sensitivity calibration, and (B) is (A)
(C) is a partially enlarged cross-sectional view taken along line AA of FIG.
An enlarged detail view of the pseudo foreign matter shown in (B) viewed from above, (D)
Is the “signal intensity” of the scattered light on the surface containing the pseudo foreign matter of (B).
FIG.
【００３３】この第２の実施形態に係る異物検出感度校
正ウエハ20は、図２(Ａ)に示すように、エピタキシャル
シリコンウェーハ21（表面に突起や欠陥が無い鏡面を有
るウェーハ21）を下地基板とし、その上に疑似異物群22
を整列配置した構造からなる。そして、この疑似異物群
22は、図２(Ｂ)，(Ｃ)に示すように、５種類の疑似異物
22ａ，22ｂ，22ｃ，22ｄ，22ｅから構成されている。各
疑似異物の大きさは、疑似異物22ａ：0.10μｍ，疑似異
物22ｂ：0.20μｍ，疑似異物22ｃ：0.30μｍ，疑似異物
22ｄ：0.50μｍ，疑似異物22ｄ：0.75μｍであり、そし
て、疑似異物22ｂ，22ｃ，12ｄ，22eの内部に複数の凸
部を形成したものである[→図１(Ｂ)，(Ｃ)参照]。As shown in FIG. 2A, the foreign matter detection sensitivity calibration wafer 20 according to the second embodiment includes an epitaxial silicon wafer 21 (a wafer 21 having a mirror surface having no protrusions or defects on its surface) as a base substrate. And a group of pseudo foreign substances 22
Are arranged in a line. And this pseudo foreign substance group
Reference numeral 22 denotes five types of pseudo foreign substances as shown in FIGS. 2 (B) and 2 (C).
22a, 22b, 22c, 22d and 22e. The size of each simulated foreign matter is as follows: simulated foreign matter 22a: 0.10 μm, simulated foreign matter 22b: 0.20 μm, simulated foreign matter 22c: 0.30 μm, simulated foreign matter
22d: 0.50 μm, pseudo foreign substance 22d: 0.75 μm, and a plurality of convex portions formed inside the pseudo foreign substances 22b, 22c, 12d, and 22e [→ See FIGS. 1B and 1C] ].
【００３４】上記異物検出感度校正ウエハ20の製造方法
について、図３を参照して説明する。なお、図３は、上
記第２の実施形態に係る異物検出感度校正ウエハ20を製
造する[工程Ａ]〜[工程Ｄ]からなる製造工程順断面図で
ある。A method of manufacturing the foreign matter detection sensitivity calibration wafer 20 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a sectional view in the order of the manufacturing process including [Step A] to [Step D] for manufacturing the foreign matter detection sensitivity calibration wafer 20 according to the second embodiment.
【００３５】まず、図３の[工程Ａ]に示すように、表面
に突起や欠陥が無い鏡面を有るエピタキシャルシリコン
ウェーハ31を準備し、このウェーハ31の表面にアモルフ
ァスシリコン膜32を3000Å成膜する。次に、フォトレジ
スト33により、0.25μｍ，0.35μｍ，0.45μｍ，0.65μ
ｍ，0.9μｍの各直径を有する円形のパターンを付け
る。First, as shown in [Step A] of FIG. 3, an epitaxial silicon wafer 31 having a mirror surface having no projections or defects on its surface is prepared, and an amorphous silicon film 32 is formed on the surface of this wafer 31 at 3000.degree. . Next, with the photoresist 33, 0.25 μm, 0.35 μm, 0.45 μm, 0.65 μm
A circular pattern having a diameter of m, 0.9 μm is provided.
【００３６】続いて、図３の[工程Ｂ]に示すように、サ
イドエッチを入れながらドライエッチして疑似異物パタ
ーン32-1ａ〜32-1ｅを形成し、さらに、図３の[工程Ｃ]
に示すように、各疑似異物パターンをウェットエッチし
て、各疑似異物パターンの直径を0.15μｍ減らし、疑似
異物パターン32-2ａ〜32-2ｅを形成する。Subsequently, as shown in [Step B] of FIG. 3, dry etching is performed while inserting a side etch to form pseudo foreign matter patterns 32-1a to 32-1e, and further, [Step C] of FIG.
As shown in (1), each pseudo foreign substance pattern is wet-etched, the diameter of each pseudo foreign substance pattern is reduced by 0.15 μm, and pseudo foreign substance patterns 32-2a to 32-2e are formed.
【００３７】その後、570℃でアニールし、アモルファ
スシリコン32で形成した各疑似異物パターンをＨＳＧ(h
emispherical grain)化し、図３の[工程Ｄ]に示す疑似
異物パターン32-3ａ〜32-3ｅを形成し、前記した大きさ
の疑似異物22ａ〜22ｅ[前掲の図２(Ｂ)，(Ｃ)参照]を形
成する。なお、寸法が大きく、高さの高いＨＳＧ−Ｓｉ
の疑似異物を形成するには、図３の[工程Ｂ]におけるド
ライエッチ後、２段目を同様にして形成して高さを３倍
にすることもできる。Thereafter, annealing at 570 ° C. is performed, and each pseudo foreign substance pattern formed of amorphous silicon 32 is subjected to HSG (h
Pseudo-contaminant patterns 32-3a to 32-3e shown in [Step D] of FIG. 3 are formed, and the pseudo-contaminants 22a to 22e having the above-described size [see FIGS. 2B and 2C above]. See]. In addition, HSG-Si with large dimensions and high height
In order to form the pseudo foreign matter, the second step may be formed in the same manner after the dry etching in [Step B] of FIG. 3 to triple the height.
【００３８】この第２の実施形態に係る異物検出感度校
正ウエハ20では、図２の(Ｄ)［該ウエハ20の表面におけ
る散乱光の“信号強度”を示すグラフ］に示すように、
走査する検出光24が疑似異物22ａ，22ｂ，22ｃ，22ｄ，
22ｅによって散乱し、その散乱光25を集めて検出する散
乱光ディテクター26の信号強度から異物の大きさが判別
できるため、前記第１の実施形態と同様、各疑似異物の
大きさに合わせて、表面異物検査装置の“異物検出感度
の校正”を行うことができる。In the foreign matter detection sensitivity calibration wafer 20 according to the second embodiment, as shown in FIG. 2D (a graph showing “signal intensity” of scattered light on the surface of the wafer 20),
The detection light 24 to be scanned is simulated foreign matter 22a, 22b, 22c, 22d,
Since the size of the foreign matter can be determined from the signal intensity of the scattered light detector 26 that scatters the light by 22e and collects and detects the scattered light 25, like the first embodiment, the size of the foreign matter is adjusted according to the size of each pseudo foreign matter. "Calibration of foreign matter detection sensitivity" of the surface foreign matter inspection device can be performed.
【００３９】本発明において、特に小さな微細な疑似異
物を形成するためには、材質をアモルファスシリコンと
し、ドライエッチ及びウェットエッチでオーバーエッチ
して十分に小さくし、570〜580℃でアニールしてＨＳＧ
化することで、光を乱反射することができるようにす
る。これにより、マスク寸法に比べ十分小さな疑似異物
を形成することができ、同時に大きな疑似異物も形成で
きる。なお、各々の疑似異物の間は十分に距離が有り、
異物検査装置の分解能よりも広いため、複数の疑似異物
を“ひとつ”として検出しないようにしてある。In the present invention, in order to form particularly small fine pseudo foreign matter, the material is made of amorphous silicon, is sufficiently reduced by overetching with dry etching and wet etching, and is annealed at 570 to 580 ° C. to form HSG.
In this way, light can be irregularly reflected. As a result, pseudo foreign matters sufficiently smaller than the mask dimensions can be formed, and large pseudo foreign matters can be formed at the same time. In addition, there is a sufficient distance between each pseudo foreign matter,
Since the resolution is wider than the resolution of the foreign substance inspection device, a plurality of pseudo foreign substances are not detected as "one".
【００４０】[0040]
【発明の効果】本発明に係る異物検出感度校正用標準サ
ンプルは、以上詳記したとおり、直径の大きい(面積の
大きい)疑似異物の内部に複数の凸部を形成してなるこ
と、つまり、その表面に平らな所がない構造からなるこ
とを特徴とし、これにより、大きい疑似異物であって
も、その表面で検出光を全て乱反射することができ、そ
の結果、１枚の異物検出感度校正サンプルで、複数の寸
法の“異物検出感度校正”ができるという効果が生じ
る。As described in detail above, the standard sample for calibration of foreign object detection sensitivity according to the present invention is formed by forming a plurality of projections inside a pseudo foreign object having a large diameter (large area), It is characterized by having a structure with no flat area on its surface, so that even for a large pseudo foreign substance, all the detection light can be irregularly reflected on its surface, and as a result, one piece of foreign substance detection sensitivity calibration There is an effect that “foreign matter detection sensitivity calibration” of a plurality of dimensions can be performed on a sample.
【００４１】また、本発明によれば、マスクサイズより
も十分に小さい微細な疑似異物をも形成することを特徴
とし、これにより、表面異物検査装置で検出可能な最小
の大きさの異物から大きい異物までの複数の“異物検出
感度校正”ができるという効果が生じる。Further, according to the present invention, fine pseudo foreign matters sufficiently smaller than the mask size are also formed, thereby increasing the size of the smallest foreign matters detectable by the surface foreign matter inspection apparatus. There is an effect that a plurality of "foreign matter detection sensitivity calibrations" can be performed up to the foreign matter.
【図１】本発明に係る異物検出感度校正用標準サンプル
の一実施形態(第１の実施形態)を説明する図であって、
(Ａ)は、異物検出感度校正用ウエハの上面図、(Ｂ)は、
(Ａ)のＡ−Ａ線での一部拡大断面図、(Ｃ)は、(Ｂ)に図
示する疑似異物を上から見た拡大詳細図、(Ｄ)は、(Ｂ)
の疑似異物を含む表面の散乱光の“信号強度”を示すグ
ラフである。FIG. 1 is a view for explaining one embodiment (first embodiment) of a standard sample for calibration of foreign object detection sensitivity according to the present invention,
(A) is a top view of the foreign matter detection sensitivity calibration wafer, and (B) is
(A) is a partially enlarged sectional view taken along line AA, (C) is an enlarged detailed view of the pseudo foreign matter shown in (B) as viewed from above, and (D) is (B)
5 is a graph showing the “signal intensity” of the scattered light on the surface containing the pseudo foreign matter.
【図２】本発明に係る異物検出感度校正用標準サンプル
の他の実施形態(第２の実施形態)を説明する図であっ
て、(Ａ)は、異物検出感度校正用ウェーハの上面図、
(Ｂ)は、(Ａ)のＡ−Ａ線での一部拡大断面図、(Ｃ)は、
(Ｂ)に図示する疑似異物を上から見た拡大詳細図、(Ｄ)
は、(Ｂ)の疑似異物を含む表面の散乱光の“信号強度”
を示すグラフである。FIG. 2 is a view for explaining another embodiment (second embodiment) of the foreign matter detection sensitivity calibration standard sample according to the present invention, wherein (A) is a top view of a foreign matter detection sensitivity calibration wafer,
(B) is a partially enlarged cross-sectional view taken along line AA of (A), and (C) is
An enlarged detail view of the pseudo foreign matter shown in (B) viewed from above, (D)
Is the “signal intensity” of the scattered light on the surface containing the pseudo foreign matter of (B).
FIG.
【図３】図２に示す異物検出感度校正用ウェーハの製造
方法を説明する図であって、[工程Ａ]〜[工程Ｄ]からな
る製造工程順断面図である。3 is a view for explaining a method of manufacturing the foreign matter detection sensitivity calibration wafer shown in FIG. 2, and is a cross-sectional view in the order of manufacturing steps including [Step A] to [Step D].
【図４】従来の異物検出感度校正用ウェーハを説明する
図であって、(Ａ)は、該ウェーハの上面図、(Ｂ)は、
(Ａ)のＢ−Ｂ線での部分拡大断面図、(Ｃ)は、(Ｂ)の疑
似異物を含む表面の散乱光の“信号強度”を示すグラフ
である。4A and 4B are diagrams illustrating a conventional foreign matter detection sensitivity calibration wafer, wherein FIG. 4A is a top view of the wafer, and FIG.
(A) is a partially enlarged cross-sectional view taken along the line BB, and (C) is a graph showing the “signal intensity” of the scattered light on the surface including the pseudo foreign matter in (B).
１０，２０，４０ 異物検出感度校正ウェーハ １１，２１ − エピタキシャルシリコンウェーハ − − ４１ 半導体ウェーハ １２，２２，４２ 疑似異物群 １２ａ〜１２ｄ，２２ａ〜２２ｅ，４２ａ 疑似異物 − − ４３ ＬＳＩ回路パターン １４，２４，４４ 検出光 １５，２５，４５ 散乱光 １６，２６，４６ 散乱光ディテクタ １７，２７， − 鏡面反射光ディテクタ − − ４７ 異物 − − ４８ 欠陥(凹部) １９，２９，４９ しきい値 ３１ エピタキシャルシリコンウェーハ ３２ アモルファスシリコン ３２-1ａ〜３２-1ｅ 疑似異物パターン ３２-2ａ〜３２-2ｅ 疑似異物パターン ３２-3ａ〜３２-3ｅ 疑似異物パターン ３３ フォトレジスト 10, 20, 40 Foreign matter detection sensitivity calibration wafer 11, 21-Epitaxial silicon wafer-41 Semiconductor wafer 12, 22, 42 Pseudo foreign matter group 12a to 12d, 22a to 22e, 42a Pseudo foreign matter-43 LSI circuit pattern 14, 24 , 44 Detection light 15, 25, 45 Scattered light 16, 26, 46 Scattered light detector 17, 27,-Specular reflection light detector--47 Foreign matter--48 Defect (concave) 19, 29, 49 Threshold 31 Epitaxial silicon Wafer 32 Amorphous silicon 32-1a to 32-1e Pseudo foreign substance pattern 32-2a to 32-2e Pseudo foreign substance pattern 32-3a to 32-3e Pseudo foreign substance pattern 33 Photoresist
Claims (10)
及び形状を有する疑似異物で構成される疑似異物群を複
数配置してなる異物検出感度校正用標準サンプルであっ
て、前記疑似異物のうち、直径の大きい疑似異物の内部
に複数の凸部を形成してなることを特徴とする異物検出
感度校正用標準サンプル。1. A foreign matter detection sensitivity calibration standard sample comprising: a plurality of pseudo foreign matter groups each having a plurality of sizes and shapes; A standard sample for calibration of foreign matter detection sensitivity, wherein a plurality of convex portions are formed inside a pseudo foreign matter having a large diameter.
及び形状を有する疑似異物で構成される疑似異物群を複
数配置してなる異物検出感度校正用標準サンプルであっ
て、前記疑似異物群を構成する疑似異物が、マスクサイ
ズよりも微細な直径の小さい疑似異物から直径の大きい
疑似異物にわたって、大きさの異なる複数個の疑似異物
からなり、かつ、直径の大きい疑似異物の内部に複数の
凸部を形成してなることを特徴とする異物検出感度校正
用標準サンプル。2. A standard sample for calibration of foreign object detection sensitivity, comprising a plurality of groups of pseudo foreign particles having a plurality of sizes and shapes on a surface of the same undersubstrate, wherein Pseudo-contaminants constituting the group consist of a plurality of pseudo-contaminants having different sizes from pseudo-contaminants having a smaller diameter than the mask size to pseudo-contaminants having a larger diameter. A standard sample for calibrating foreign matter detection sensitivity, characterized in that a convex portion is formed.
ンウェーハであることを特徴とする請求項１または２に
記載の異物検出感度校正用標準サンプル。3. The standard sample for calibration of foreign matter detection sensitivity according to claim 1, wherein the base substrate is an epitaxial silicon wafer.
下地基板に対して選択エッチングし易く光を反射する材
質で形成してなることを特徴とする請求項１または２に
記載の異物検出感度校正用標準サンプル。4. A pseudo foreign substance constituting the pseudo foreign substance group,
3. The standard sample for calibration of foreign matter detection sensitivity according to claim 1, wherein the standard sample is made of a material which is easily etched selectively with respect to an underlying substrate and reflects light.
シリコン，ＳｉＯ2またはＡｌであることを特徴とする
請求項４に記載の異物検出感度校正用標準サンプル。5. The standard sample according to claim 4, wherein the material is amorphous silicon, polysilicon, SiO 2 or Al.
及び形状を有する疑似異物で構成される疑似異物群を複
数配置してなる異物検出感度校正用標準サンプルの製造
方法において、(1) 下地基板上に、該基板に対して選択
エッチングし易く光を反射する材質からなる膜を形成す
る工程と、(2) フォトリソグラフィーおよびサイドエッ
チングの入るドライエッチングとウェットエッチングに
てエッチングする工程と、(3) 前記(1)，(2)と同様の工
程を繰り返して、マスクサイズよりも微細な直径の小さ
い疑似異物から直径の大きい疑似異物にわたって、大き
さが異なる複数個の疑似異物を形成する工程と、を含む
ことを特徴とする異物検出感度校正用標準サンプルの製
造方法。6. A method of manufacturing a standard sample for calibration of foreign matter detection sensitivity, comprising: arranging a plurality of pseudo foreign matter groups each having a plurality of sizes and shapes on the surface of the same base substrate. A) a step of forming a film made of a material which easily reflects light and selectively etches the substrate on the base substrate; and (2) a step of etching by dry etching and wet etching including photolithography and side etching. (3) By repeating the same steps as (1) and (2) above, a plurality of pseudo foreign substances having different sizes are formed from pseudo foreign substances having a smaller diameter than the mask size to pseudo foreign substances having a larger diameter. A method for producing a standard sample for calibration of foreign matter detection sensitivity, comprising the steps of:
小さい疑似異物”を形成する手段として、サイドエッチ
ングを入れながらドライエッチングし、さらにウェット
エッチングでオーバーエッチングすることにより、マス
クサイズより小さい疑似異物を形成し、その後、アニー
ルし、ＨＳＧ化することを特徴とする請求項６記載の異
物検出感度校正用標準サンプルの製造方法。7. As a means for forming the “pseudo foreign matter having a smaller diameter than the mask size”, dry etching is performed while performing side etching, and over-etching is performed by wet etching. 7. The method for producing a standard sample for calibration of foreign matter detection sensitivity according to claim 6, wherein the method is followed by annealing and HSG conversion.
る手段とし て、該疑似異物の表面が凸凹になるよう
に、市松模様にマスクを重ね合わせることを特徴とする
請求項６記載の異物検出感度校正用標準サンプルの製造
方法。8. The foreign matter according to claim 6, wherein the means for forming the “large foreign matter having a large diameter” includes superimposing a mask on a checkered pattern so that the surface of the pseudo foreign matter becomes uneven. Manufacturing method of standard sample for detection sensitivity calibration.
ンウェーハであることを特徴とする請求項６記載の異物
検出感度校正用標準サンプルの製造方法。9. The method according to claim 6, wherein the base substrate is an epitaxial silicon wafer.
易く光を反射する材質”が、アモルファスシリコン，ポ
リシリコン，ＳｉＯ2またはＡｌで形成することを特徴
とする請求項６記載の異物検出感度校正用標準サンプル
の製造方法。10. The foreign matter detection sensitivity calibration according to claim 6, wherein the “material that easily etches the substrate selectively and reflects light” is formed of amorphous silicon, polysilicon, SiO 2 or Al. Method for manufacturing standard samples.
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|---|---|---|---|
| JP9229919A JP3003642B2 (en) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | Standard sample for calibration of foreign object detection sensitivity and method for producing the same |
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