JPH116049A - Vacuum film forming equipment - Google Patents

Vacuum film forming equipment

Info

Publication number
JPH116049A
JPH116049A JP15502597A JP15502597A JPH116049A JP H116049 A JPH116049 A JP H116049A JP 15502597 A JP15502597 A JP 15502597A JP 15502597 A JP15502597 A JP 15502597A JP H116049 A JPH116049 A JP H116049A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate
vacuum vessel
film forming
vacuum
deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15502597A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shunji Wada
俊司 和田
Takayuki Toyoshima
隆之 豊島
Toshiyuki Sakami
俊之 酒見
Masaru Tanaka
勝 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Sheet Glass Co Ltd
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Nippon Sheet Glass Co Ltd
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Sheet Glass Co Ltd, Sumitomo Heavy Industries Ltd filed Critical Nippon Sheet Glass Co Ltd
Priority to JP15502597A priority Critical patent/JPH116049A/en
Publication of JPH116049A publication Critical patent/JPH116049A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide vacuum film forming equipment capable of solving the problem of adhesion of vapor deposition material in a vacuum vessel by merely performing a relatively simple operation and also capable of continuous normal running for a long period. SOLUTION: This equipment has a vacuum vessel 10, a plasma beam generator 20 as a plasma source attached to the vacuum vessel 10, and a hearth 41 as an anode disposed in the bottom of the vacuum vessel 10. A plasma beam generated by the plasma beam generator 20 is introduced to the hearth 41 to ionize a vapor deposition material 200, by which a film composed of the vapor deposition material 200 is formed on a substrate, as an object of treatment, which is disposed in the position above the hearth 41 and to which voltage is applied. An adhesion-preventive plate 71 made of metal is disposed inside the side wall of a main body 11a of vessel of the vacuum vessel 10, and a mesh plate 72 made of metal is detachably disposed inside the adhesion- preventive plate 71.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、真空容器内で蒸着
材料を蒸気化し、蒸気化した蒸着材料を被処理物体上に
成膜する真空成膜装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum deposition apparatus for vaporizing a vapor deposition material in a vacuum vessel and depositing the vaporized vapor deposition material on an object to be processed.

【0002】[0002]

【従来の技術】真空成膜装置には、イオンプレーティン
グ装置、プラズマCVD装置、真空蒸着装置、あるいは
スパッタリング装置等がある。
2. Description of the Related Art Vacuum film forming apparatuses include an ion plating apparatus, a plasma CVD apparatus, a vacuum evaporation apparatus, and a sputtering apparatus.

【0003】イオンプレーティング装置としては、例え
ば、アーク放電型プラズマ源である圧力勾配型プラズマ
源またはHCDプラズマ源を用いた装置が知られてい
る。このようなイオンプレーティング装置では、プラズ
マビーム発生器(プラズマ源)を備えており、真空容器
中に配置されたハース(陽極)とプラズマビーム発生器
との間でプラズマビームを発生させ、ハース上に載置さ
れた蒸着材料を加熱蒸発させている。そして、蒸着材料
からの蒸着金属粒子はプラズマビームによってイオン化
され、このイオン粒子が負電圧の基板表面に付着し、基
板上に膜が形成される。
As an ion plating apparatus, for example, an apparatus using a pressure gradient type plasma source or an HCD plasma source, which is an arc discharge type plasma source, is known. Such an ion plating apparatus is provided with a plasma beam generator (plasma source), and generates a plasma beam between a hearth (anode) arranged in a vacuum vessel and the plasma beam generator. Is heated and evaporated. Then, the vapor-deposited metal particles from the vapor-deposited material are ionized by the plasma beam, and these ion particles adhere to the substrate surface at a negative voltage, and a film is formed on the substrate.

【0004】図5は、従来のイオンプレーティング装置
の一例を示す図である。図5を参照して、このイオンプ
レーティング装置は、気密性の真空容器10を有してい
る。真空容器10には、ガイド部12を介してプラズマ
ビーム発生器(例えば、圧力勾配型プラズマ銃)20が
取り付けられている。ガイド部12の外側には、プラズ
マビームをガイドするためのステアリングコイル31が
配設されている。プラズマビーム発生器20には、プラ
ズマビームを収束するための第1および第2の中間電極
27および28が同心的に配置されている。第1の中間
電極27には磁極軸がプラズマ発生器20の中心軸と平
行になるようにして永久磁石27aが内蔵されており、
第2の中間電極28にはコイル28aが内蔵されてい
る。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a conventional ion plating apparatus. Referring to FIG. 5, this ion plating apparatus has an airtight vacuum vessel 10. A plasma beam generator (for example, a pressure gradient type plasma gun) 20 is attached to the vacuum vessel 10 via a guide unit 12. Outside the guide section 12, a steering coil 31 for guiding the plasma beam is provided. In the plasma beam generator 20, first and second intermediate electrodes 27 and 28 for converging a plasma beam are concentrically arranged. The first intermediate electrode 27 has a permanent magnet 27a built therein so that the magnetic pole axis is parallel to the central axis of the plasma generator 20.
The coil 28a is built in the second intermediate electrode 28.

【0005】プラズマビーム発生器20には、第1およ
び第2の中間電極27および28で規定される通路に繋
がる絶縁管(例えば、ガラス管)21が備えられてい
る。絶縁管21内には、Mo筒22が配置されている。
Mo筒22内には、Taパイプ23が配置されている。
Mo筒22とTaパイプ23とで規定される空間は、L
aB6 製の環状板24で隔離されている。絶縁管21、
Mo筒22、およびTaパイプ23の一端には、導体板
部25が取り付けられている。導体板部25に形成され
たキャリアガス導入口26からキャリアガスが導入さ
れ、キャリアガスは、Taパイプ23を通過する。
[0005] The plasma beam generator 20 is provided with an insulating tube (for example, a glass tube) 21 connected to a passage defined by the first and second intermediate electrodes 27 and 28. A Mo cylinder 22 is arranged in the insulating tube 21.
A Ta pipe 23 is arranged in the Mo cylinder 22.
The space defined by the Mo cylinder 22 and the Ta pipe 23 is L
It is isolated by aB 6 made of an annular plate 24. Insulating tube 21,
A conductor plate 25 is attached to one end of the Mo cylinder 22 and the Ta pipe 23. Carrier gas is introduced from a carrier gas inlet 26 formed in the conductor plate portion 25, and the carrier gas passes through the Ta pipe 23.

【0006】真空容器10内には、被処理物体としての
基板100が搬送装置60に支持されることによって配
置されている。基板100には、負バイアス用の直流電
源が接続される。真空容器10の底面には、基板100
に対向するように、ハース(陽極)41が配置されてい
る。
A substrate 100 as an object to be processed is disposed in a vacuum vessel 10 by being supported by a transfer device 60. A DC power supply for negative bias is connected to the substrate 100. A substrate 100 is provided on the bottom surface of the vacuum vessel 10.
A hearth (anode) 41 is arranged so as to oppose to.

【0007】導体板部25には、可変電源90のマイナ
ス端が接続されている。可変電源90のプラス端は、そ
れぞれ抵抗器R1およびR2を介して、第1および第2
の中間電極27および28に接続されている。一方、ハ
ース41は、可変電源90ならびに抵抗器R1およびR
2に接続される。また、真空容器10の側壁には、Ar
ガス等のキャリアガスを導入するためのガス導入口10
aと、真空容器10内を排気するための排気口10bと
が形成されている。
[0007] The negative end of the variable power supply 90 is connected to the conductor plate 25. The positive end of the variable power supply 90 is connected to the first and second terminals via resistors R1 and R2, respectively.
Are connected to the intermediate electrodes 27 and. On the other hand, the hearth 41 includes a variable power supply 90 and resistors R1 and R1.
2 is connected. In addition, Ar walls are provided on the side walls of the vacuum vessel 10.
Gas inlet 10 for introducing a carrier gas such as gas
a and an exhaust port 10 b for exhausting the inside of the vacuum vessel 10.

【0008】このイオンプレーティング装置では、キャ
リアガス導入口26からキャリアガスが導入されると、
第1の中間電極27とMo筒22との間で放電が始ま
る。これによって、プラズマビーム300が発生する。
プラズマビーム300は、ステアリングコイル31と磁
石ケース43内の永久磁石43aにガイドされて、陽極
として用いられるハース41および磁石ケース43に到
達する。ハース41にプラズマビーム300が与えられ
ると、ハース41に収容された蒸着材料200がジュー
ル加熱されて蒸発する。蒸着金属粒子は、イオン化さ
れ、負電圧が印加された基板100の表面に付着し、基
板100上に膜が形成される。
In this ion plating apparatus, when a carrier gas is introduced from the carrier gas inlet 26,
Discharge starts between the first intermediate electrode 27 and the Mo cylinder 22. As a result, a plasma beam 300 is generated.
The plasma beam 300 is guided by the steering coil 31 and the permanent magnet 43a in the magnet case 43, and reaches the hearth 41 and the magnet case 43 used as an anode. When the plasma beam 300 is applied to the hearth 41, the deposition material 200 accommodated in the hearth 41 is heated by Joule heating and evaporates. The vapor-deposited metal particles are ionized and adhere to the surface of the substrate 100 to which a negative voltage is applied, and a film is formed on the substrate 100.

【0009】また、図6は、従来のプラズマCVD装置
の一例を示す図である。尚、同図において、図5に示し
たイオンプレーティング装置と同一部または同様部には
図5と同符号を付し、説明を省略する。図6を参照し
て、このプラズマCVD装置は、真空容器10′の側壁
には、蒸着材料としての原料ガス250を導入する原料
ガス導入口10a′が形成されている。また、真空容器
10′内の底面には、陽極41′が配置されている。
FIG. 6 shows an example of a conventional plasma CVD apparatus. 5, the same or similar parts as those of the ion plating apparatus shown in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals as in FIG. 5, and description thereof will be omitted. Referring to FIG. 6, a source gas inlet 10a 'for introducing a source gas 250 as a vapor deposition material is formed on a side wall of a vacuum vessel 10' in the plasma CVD apparatus. An anode 41 'is arranged on the bottom surface in the vacuum vessel 10'.

【0010】このプラズマCVD装置では、真空容器1
0′内が排気されると共に、原料ガス導入口10a′か
ら原料ガス250が導入され、プラズマビーム発生器2
0によってプラズマビーム300を発生して陽極41′
に導く。そして、原料ガス250は、イオン化され、負
電圧が印加された基板100の表面に付着し、基板10
0上に膜が形成される。
In this plasma CVD apparatus, the vacuum vessel 1
0 'is evacuated, and a source gas 250 is introduced from a source gas inlet 10a'.
0 generates a plasma beam 300 to generate an anode 41 '.
Lead to. Then, the source gas 250 is ionized, adheres to the surface of the substrate 100 to which the negative voltage is applied, and
A film is formed on the top surface.

【0011】図5および図6に示した例をも含め、真空
成膜装置を運転すると、蒸着材料からの蒸着金属粒子あ
るいは原料ガスは、基板だけではなく、真空容器の内壁
面上にも付着する。蒸着材料の内壁面上への付着は、蒸
着金属粒子あるいは原料ガスがイオン化するしないに拘
らず起こる。この付着物は装置の運転時に異常放電の原
因やパーティクルの発生原因になることがある。即ち、
蒸着材料の付着は、装置を正常に運転し、製品を製造す
る上での障害になる。このため、付着物の除去作業が必
要である。ところが、プラズマビーム発生器、陽極、お
よび搬送部などの各種部材が取り付けられていて、しか
も容器状を呈する真空容器の内壁面を洗浄等すること
は、多大な労力を必要とし、また、操業効率を低下させ
ることになる。
When the vacuum film forming apparatus including the examples shown in FIGS. 5 and 6 is operated, the vapor-deposited metal particles or the raw material gas from the vapor-deposited material adhere not only on the substrate but also on the inner wall surface of the vacuum vessel. I do. The deposition of the deposition material on the inner wall surface occurs regardless of whether the deposition metal particles or the source gas are ionized. The deposits may cause abnormal discharge or particles during operation of the apparatus. That is,
The deposition of the deposition material is an obstacle to normal operation of the apparatus and production of the product. For this reason, it is necessary to remove the deposits. However, cleaning the inner wall surface of the vacuum vessel, which is equipped with various members such as a plasma beam generator, an anode, and a transfer section, and which has a container shape, requires a great deal of labor, and also requires a high operating efficiency. Will be reduced.

【0012】そこで、防着板と呼ばれる板部材を用いる
手法が取られることが多い。この手法は、防着板を真空
容器の内壁面を覆うように配置し、装置を運転するにつ
れて防着板に前記蒸着材料が付着していくと、この付着
物の厚さが問題を生ずるような厚さに達する前に装置の
運転を停止し、防着板を真空容器内から取り外して洗浄
等するものである。この手法によれば、真空容器の内壁
面には蒸着材料が付着しないので、真空容器自体を洗浄
するような困難な作業は不要である。このように、防着
板を用いることで、真空容器内における蒸着材料の付着
という問題を、比較的簡単な作業を行うだけで改善でき
る。
Therefore, a technique using a plate member called a deposition-preventing plate is often adopted. In this method, if the deposition plate is arranged to cover the inner wall surface of the vacuum vessel, and the deposition material adheres to the deposition plate as the apparatus is operated, the thickness of the deposit may cause a problem. The operation of the apparatus is stopped before the thickness reaches a certain value, and the deposition-preventing plate is removed from the inside of the vacuum vessel to perform cleaning or the like. According to this method, since the deposition material does not adhere to the inner wall surface of the vacuum vessel, a difficult operation such as cleaning the vacuum vessel itself is unnecessary. As described above, by using the anti-adhesion plate, the problem of the deposition material being deposited in the vacuum vessel can be improved by performing a relatively simple operation.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】ところで、付着物自体
の性質や付着状態などに起因して、比較的薄い付着厚さ
であっても、付着物が防着板から剥離し、剥離した付着
物が落下したり、容器内を浮遊することがある。剥離し
た付着物もやはり異常放電の原因やパーティクルの発生
原因となるので、付着物が比較的薄い付着厚さであって
も、装置の運転を停止し、防着板の洗浄作業を行わなけ
ればならないことがあった。即ち、従来の真空成膜装置
には、長時間、連続して運転することができないという
問題点がある。
By the way, due to the properties of the adhered substance itself and the state of adherence, even if the adhered substance has a relatively small thickness, the adhered substance is peeled off from the adhesion-preventing plate, and the detached adhered substance is removed. May fall or float in containers. The detached deposits also cause abnormal discharge and particles, so even if the deposits are relatively thin, the operation of the device must be stopped and the anti-adhesion plate must be cleaned. There were things that did not work. That is, the conventional vacuum film forming apparatus has a problem that it cannot be operated continuously for a long time.

【0014】本発明の課題は、真空容器内における蒸着
材料の付着の問題を比較的簡単な作業を行うだけで解消
でき、しかも、長時間、連続して正常に運転することが
できる真空成膜装置を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the problem of deposition of a vapor deposition material in a vacuum vessel by performing only a relatively simple operation, and furthermore, to provide a vacuum film forming apparatus capable of continuously operating normally for a long time. It is to provide a device.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、真空容
器内で蒸着材料を蒸気化し、蒸気化した蒸着材料を被処
理物体表面に成膜させる真空成膜装置において、前記真
空容器の側壁の内側に金属製の防着板を配置し、前記防
着板の内側に金属製のメッシュ板を着脱可能に配置した
ことを特徴とする真空成膜装置が得られる。
According to the present invention, there is provided a vacuum film forming apparatus for vaporizing a vapor deposition material in a vacuum vessel and depositing the vaporized vapor deposition material on the surface of an object to be processed. , A metal deposition plate is disposed inside, and a metal mesh plate is detachably disposed inside the deposition plate to obtain a vacuum film forming apparatus.

【0016】本発明によればまた、前記メッシュ板は、
金網、エキスパンドメタル、および打ち抜き金属板のう
ちのいずれかにより構成されている前記真空成膜装置が
得られる。
According to the present invention, the mesh plate may include:
The above-described vacuum film forming apparatus including one of a wire mesh, an expanded metal, and a stamped metal plate is obtained.

【0017】本発明によればさらに、前記メッシュ板
は、銅、ステンレス、鉄、およびアルミニウムのうちの
いずれかの材料からなる前記真空成膜装置が得られる。
According to the present invention, there is further provided the vacuum film forming apparatus, wherein the mesh plate is made of any one of copper, stainless steel, iron and aluminum.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態による真空成膜装置を説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a vacuum film forming apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0019】図1は、真空成膜装置としてのイオンプレ
ーティング装置の構成を示す図である。尚、同図におい
て、従来例と同一部または同様部には図5と同符号を付
し、説明を省略する。また、電気回路等は図示していな
い。
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an ion plating apparatus as a vacuum film forming apparatus. 5, the same parts as those in the conventional example or the same parts are denoted by the same reference numerals as in FIG. 5, and the description will be omitted. Further, an electric circuit and the like are not shown.

【0020】図1を参照して、本装置は、真空容器10
と、真空容器10に取り付けられたプラズマ源としての
プラズマビーム発生器20と、プラズマビームをガイド
するためのステアリングコイル31と、真空容器内の底
部に配置された陽極として機能すると共に、蒸着材料2
00を収容したハース41と、被処理物体としての基板
100をハース41の上方に移動可能に支持する搬送装
置60とを有している。真空容器10は、筒形状の容器
本体11aと、上板11bと、下板11cとにより構成
されている。そして、プラズマビーム発生器20が発生
するプラズマビームをハース41に導き、蒸着材料20
0を蒸気化し、ハース41の上方にて電圧が印加された
基板100上に蒸着材料200から成る膜を形成するも
のである。
Referring to FIG. 1, the present apparatus comprises a vacuum vessel 10
A plasma beam generator 20 as a plasma source attached to the vacuum vessel 10, a steering coil 31 for guiding the plasma beam, and a function as an anode disposed at the bottom of the vacuum vessel.
The hearth 41 accommodates the substrate 100, and the transfer device 60 movably supports the substrate 100 as an object to be processed above the hearth 41. The vacuum container 10 includes a cylindrical container main body 11a, an upper plate 11b, and a lower plate 11c. Then, the plasma beam generated by the plasma beam generator 20 is guided to the hearth 41, and the evaporation material 20
0 is vaporized, and a film made of the vapor deposition material 200 is formed on the substrate 100 to which a voltage is applied above the hearth 41.

【0021】図2(a)ならびに(b)は、図1に示す
装置における防着板71および後述するメッシュ板の一
部ならびにさらにその一部を示す図である。図1ならび
に図2を参照して、本装置においては、真空容器10の
容器本体11aの側壁の内側に、自らに蒸着材料を付着
させることで容器本体11aの側壁の内側への蒸着材料
の付着を防止するための金属製の防着板71が、取付金
具73によって真空容器10外へ取り出し可能に取り付
けられている。防着板71は、銅、ステンレス、鉄、あ
るいはアルミニウム等、蒸着材料の付着に耐えられ、か
つ蒸着中にガスを発生しない材料から成っている。防着
板71は、容器本体11aの4側壁に対して取り付けら
れている。防着板71は、4枚の防着板71それぞれが
独立していてもよいし、2枚の防着板71を予め一体化
したものを1組でもよいし、3枚を一体化したものと1
枚との組み合わせでもよい。あるいは、4枚の防着板7
1を予め一体化した四角筒形状としてもよい。また、防
着板71は容器本体11aの内面を覆うように取り出し
可能に配置されていればよく、例えば上板11bに吊り
下げられてもよい。いずれにしても防着板71は、上板
11bまたは下板11cを容器本体11aから取り外し
た後に、真空容器10内から取り出すことができる。
FIGS. 2 (a) and 2 (b) are views showing a part of the attachment plate 71 and a mesh plate described later in the apparatus shown in FIG. Referring to FIGS. 1 and 2, in the present apparatus, the deposition material is adhered to the inside of the side wall of the container body 11 a of the vacuum vessel 10, whereby the deposition material is adhered to the inside of the side wall of the container body 11 a. Is attached to the outside of the vacuum vessel 10 by a mounting bracket 73 so as to be able to be taken out. The deposition-preventing plate 71 is made of a material such as copper, stainless steel, iron, or aluminum that can withstand deposition of a vapor deposition material and does not generate gas during vapor deposition. The attachment prevention plates 71 are attached to four side walls of the container body 11a. Each of the four deposition-preventing plates 71 may be independent, or one set of two deposition-prevention plates 71 may be integrated in advance, or three deposition-prevention plates may be integrated. And 1
It may be a combination with sheets. Alternatively, the four attachment plates 7
1 may be in the form of a rectangular tube integrated in advance. Further, the attachment-preventing plate 71 may be disposed so as to be able to be taken out so as to cover the inner surface of the container main body 11a, and may be hung on the upper plate 11b, for example. In any case, the attachment-preventing plate 71 can be taken out of the vacuum container 10 after removing the upper plate 11b or the lower plate 11c from the container main body 11a.

【0022】さらに、防着板71の内側面上には、板状
の金網により構成されたメッシュ板72が防着板71に
対して着脱可能に配置されている。メッシュ板72は、
防着板71と同様に、銅、ステンレス、鉄、あるいはア
ルミニウム等、蒸着材料の付着に耐えられ、かつ蒸着中
にガスを発生しない材料から成っている。
Further, on the inner surface of the attachment-preventing plate 71, a mesh plate 72 constituted by a plate-like wire net is disposed so as to be detachable from the attachment-preventing plate 71. The mesh plate 72 is
Like the deposition-preventing plate 71, it is made of a material such as copper, stainless steel, iron, or aluminum that can withstand the deposition of a deposition material and does not generate gas during the deposition.

【0023】メッシュ板72は、図2(b)に示すよう
に、そのフック部72aにより、防着板71に吊り下げ
られている。メッシュ板72は、防着板71に取り出し
可能に配置されていればよく、例えば、ボルト留めされ
ていてもよい。また、メッシュ板72は、防着板71同
様に、4枚が独立していてもよいし、2〜4枚のメッシ
ュ板72を予め一体化した形態としてもよい。メッシュ
板72は、上板11bまたは下板11cを容器本体11
aから取り外した後に、真空容器10内から、独立して
取り出すことができるし、防着板71と一緒に取り外す
こともできる。
As shown in FIG. 2B, the mesh plate 72 is suspended from the attachment-preventing plate 71 by its hook portion 72a. The mesh plate 72 only needs to be disposed so as to be able to be taken out of the deposition-inhibiting plate 71, and may be bolted, for example. Further, the mesh plate 72 may be independent of four like the attachment-preventing plate 71, or may be a form in which two to four mesh plates 72 are integrated in advance. The mesh plate 72 connects the upper plate 11 b or the lower plate 11 c to the container body 11.
After being removed from the vacuum container 10, it can be taken out of the vacuum vessel 10 independently, or it can be removed together with the deposition preventing plate 71.

【0024】図3(a)〜(d)は、本装置におけるメ
ッシュ板72の作用効果を説明するための図である。本
装置を稼働するにつれ、防着板71上のメッシュ板72
には、図3(a)〜(c)に示すように、だんだんと蒸
着材料200が付着物200′として付着していく。付
着物200′は、メッシュ板の網目から防着板71側へ
入り込み、メッシュ板72の網線に回り込むように付着
していく。このため、付着物200′のメッシュ板72
に対する付着強度は、単に平面状の防着板71あるいは
粗面加工された防着板に対する強度よりも大きく、メッ
シュ板72に付着した付着物200′は容易に剥離する
ことはない。よって、剥離した付着物200′に起因す
る異常放電等の問題が解消できる。また、付着物20
0′がかなりの付着厚さになるまで、装置の運転を停止
する必要がなく、装置を長時間、連続して運転すること
ができる。
FIGS. 3A to 3D are diagrams for explaining the operation and effect of the mesh plate 72 in the present apparatus. As the apparatus operates, the mesh plate 72 on the deposition-preventing plate 71
As shown in FIGS. 3A to 3C, the vapor deposition material 200 gradually adheres as an adhered matter 200 '. The attached matter 200 ′ enters the adhesion-preventing plate 71 side from the mesh of the mesh plate and adheres so as to wrap around the mesh line of the mesh plate 72. Therefore, the mesh plate 72 of the attached matter 200 ′
The adhesion strength to the mesh plate 72 is not greater than the strength of the flat protection plate 71 or the rough-plated protection plate. Therefore, the problem of abnormal discharge and the like caused by the detached deposit 200 'can be solved. In addition, the deposit 20
It is not necessary to stop the operation of the apparatus until 0 'becomes a considerable adhesion thickness, and the apparatus can be operated continuously for a long time.

【0025】尚、メッシュ板72の網目の粗密度につい
ては、あまり密であるとすぐに付着物200′によって
網目がつぶれて板部材と変わりがなくなってしまう一
方、あまり粗いと殆どの付着物200′が網目を抜けて
防着板71に付着してしまうことを考慮して、決定する
ようにする。
With respect to the coarse density of the mesh of the mesh plate 72, if the mesh is too dense, the mesh 200 is immediately crushed by the deposits 200 'and becomes no different from the plate member. ′ Is determined in consideration of the fact that '′ passes through the mesh and adheres to the deposition-preventing plate 71.

【0026】メッシュ板72に所定量の付着物200′
が付着した時点で、メッシュ板72を真空容器内から取
り出し、付着物200′を除去した後に戻すか、あるい
は新しいメッシュ板と交換する。勿論、防着板71と一
緒に取り外すこともできる。
A predetermined amount of the deposit 200 'is attached to the mesh plate 72.
When the is adhered, the mesh plate 72 is taken out of the vacuum vessel and returned after removing the attached matter 200 ', or is replaced with a new mesh plate. Of course, it can also be removed together with the attachment-preventing plate 71.

【0027】尚、本発明におけるメッシュ板は、板状の
金網により構成されていなくてもよく、例えば、図4
(a)に示すよう打ち抜き金属板であるメッシュ板7
2′や、図4(b)に示すように板状のエキスパンドメ
タルにより構成されたメッシュ板72″でもよい。
Incidentally, the mesh plate in the present invention does not need to be constituted by a plate-shaped wire netting.
A mesh plate 7 which is a stamped metal plate as shown in FIG.
2 'or a mesh plate 72 "made of a plate-shaped expanded metal as shown in FIG. 4 (b).

【0028】また、本実施の形態ではイオンプレーティ
ング装置を例にあげたが、プラズマCVD装置等の他の
真空成膜装置にも本発明は適用できる。
In this embodiment, an ion plating apparatus has been described as an example. However, the present invention can be applied to other vacuum film forming apparatuses such as a plasma CVD apparatus.

【0029】[0029]

【発明の効果】本発明による真空成膜装置は、真空容器
の側壁の内側に金属製の防着板を配置し、防着板の内側
に金属製のメッシュ板を着脱可能に配置したため、真空
容器内における蒸着材料の付着の問題を比較的簡単な作
業を行うだけで解消でき、しかも、長時間、連続して運
転することができる。具体的には、蒸着材料に起因する
付着物がメッシュ板に強固に付着するので、付着後剥離
しにくい。よって、剥離した付着物に起因する異常放電
の問題やパーティクルの発生の問題を解消できる。ま
た、付着物がかなりの付着厚さになるまで、装置の運転
を停止する必要がなく、装置を長時間、連続して正常に
運転することができる。
In the vacuum film forming apparatus according to the present invention, the metal deposition plate is disposed inside the side wall of the vacuum vessel, and the metal mesh plate is detachably disposed inside the deposition plate. The problem of adhesion of the vapor deposition material in the container can be solved only by performing a relatively simple operation, and the operation can be continuously performed for a long time. Specifically, since the deposits caused by the vapor deposition material are firmly attached to the mesh plate, it is difficult to peel off after the attachment. Therefore, the problem of abnormal discharge and the problem of generation of particles due to the detached deposits can be solved. Further, it is not necessary to stop the operation of the apparatus until the deposit becomes a considerable thickness, and the apparatus can be normally operated continuously for a long time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態による真空成膜装置として
のイオンプレーティング装置の構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an ion plating apparatus as a vacuum film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す装置における防着板およびメッシュ
板を示す図であり、(a)はその一部を示し、(b)さ
らにその一部を示す。
FIGS. 2A and 2B are views showing a deposition-preventing plate and a mesh plate in the apparatus shown in FIG. 1, wherein FIG. 2A shows a part thereof, and FIG.

【図3】(a)〜(d)は、図1に示す装置におけるメ
ッシュ板の作用効果を説明するための図である。
FIGS. 3 (a) to 3 (d) are diagrams for explaining the function and effect of the mesh plate in the apparatus shown in FIG. 1;

【図4】(a)および(b)はそれぞれ、図1に示す装
置におけるメッシュ板の、金網以外の構成例である。
FIGS. 4 (a) and (b) are configuration examples of a mesh plate in the apparatus shown in FIG. 1 other than a wire mesh.

【図5】従来例による真空成膜装置としてのイオンプレ
ーティング装置を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing an ion plating apparatus as a vacuum film forming apparatus according to a conventional example.

【図6】従来例による真空成膜装置としてのプラズマC
VD装置を示す図である。
FIG. 6 shows a plasma C as a conventional vacuum film forming apparatus.
It is a figure showing a VD device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 真空容器 11a 容器本体 11b 上板 11c 下板 20 プラズマビーム発生器 31 ステアリングコイル 41 ハース 60 搬送装置 71 防着板 72、72′、72″ メッシュ板 72a フック部 73 取付金具 100 基板 200 蒸着材料 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Vacuum container 11a Container main body 11b Upper plate 11c Lower plate 20 Plasma beam generator 31 Steering coil 41 Hearth 60 Transfer device 71 Deposition plate 72, 72 ', 72 "Mesh plate 72a Hook part 73 Mounting bracket 100 Substrate 200 Evaporation material

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 酒見 俊之 愛媛県新居浜市惣開町5番2号 住友重機 械工業株式会社新居浜製造所内 (72)発明者 田中 勝 愛媛県新居浜市惣開町5番2号 住友重機 械工業株式会社新居浜製造所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Toshiyuki Sakami 5-2 Sokaicho, Niihama-shi, Ehime Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Niihama Works (72) Inventor Masaru Tanaka 5-2 Sokaicho, Niihama-shi, Ehime No. Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Niihama Works

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 真空容器内で蒸着材料を蒸気化し、蒸気
化した蒸着材料を被処理物体表面に成膜させる真空成膜
装置において、前記真空容器の側壁の内側に金属製の防
着板を配置し、前記防着板の内側に金属製のメッシュ板
を着脱可能に配置したことを特徴とする真空成膜装置。
In a vacuum film forming apparatus for vaporizing a vapor deposition material in a vacuum vessel and depositing the vaporized vapor deposition material on the surface of an object to be processed, a metal deposition plate is provided inside a side wall of the vacuum vessel. A vacuum film forming apparatus, wherein a metal mesh plate is detachably disposed inside the deposition-preventing plate.
【請求項2】 前記メッシュ板は、板状の金網、板状の
エキスパンドメタル、および打ち抜き金属板のうちのい
ずれかにより構成されている請求項1に記載の真空成膜
装置。
2. The vacuum film forming apparatus according to claim 1, wherein the mesh plate is formed of any one of a plate-like metal net, a plate-like expanded metal, and a stamped metal plate.
【請求項3】 前記メッシュ板は、銅、ステンレス、
鉄、およびアルミニウムのうちのいずれかの材料からな
る請求項1または2に記載の真空成膜装置。
3. The mesh plate is made of copper, stainless steel,
3. The vacuum film forming apparatus according to claim 1, wherein the vacuum film forming apparatus is made of any one of iron and aluminum.
JP15502597A 1997-06-12 1997-06-12 Vacuum film forming equipment Pending JPH116049A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15502597A JPH116049A (en) 1997-06-12 1997-06-12 Vacuum film forming equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15502597A JPH116049A (en) 1997-06-12 1997-06-12 Vacuum film forming equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH116049A true JPH116049A (en) 1999-01-12

Family

ID=15597033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15502597A Pending JPH116049A (en) 1997-06-12 1997-06-12 Vacuum film forming equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH116049A (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007051330A (en) * 2005-08-18 2007-03-01 Neos Co Ltd Vacuum thin film deposition system
JP2009001914A (en) * 2008-09-22 2009-01-08 Ulvac Japan Ltd Vapor deposition source and vapor deposition system
JP4511629B2 (en) * 2007-05-30 2010-07-28 キヤノンアネルバ株式会社 Film forming apparatus and film forming method
WO2012052182A1 (en) * 2010-10-21 2012-04-26 Leybold Optics Gmbh Device and process for coating a substrate
CN103205718A (en) * 2012-01-17 2013-07-17 住友重机械工业株式会社 Film forming apparatus
WO2014065125A1 (en) * 2012-10-26 2014-05-01 富士フイルム株式会社 Anti-adhesive plate for vacuum film deposition apparatus, method of manufacturing anti-adhesive plate for vacuum film deposition apparatus, vacuum film deposition apparatus, and vacuum film deposition method
JP2014145113A (en) * 2013-01-29 2014-08-14 Toyota Motor Corp Heat radiation member and production method of heat radiation member
KR20190130272A (en) * 2018-05-14 2019-11-22 주식회사 야스 Vacuum deposition chamber with latch screen
CN111320778A (en) * 2020-02-25 2020-06-23 深圳赛兰仕科创有限公司 PTFE membrane surface treatment method and PTFE membrane surface treatment system
KR20210076518A (en) * 2019-12-16 2021-06-24 주식회사 에프티시스템 Deposition apparatus for pollution prevention

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007051330A (en) * 2005-08-18 2007-03-01 Neos Co Ltd Vacuum thin film deposition system
JP4511629B2 (en) * 2007-05-30 2010-07-28 キヤノンアネルバ株式会社 Film forming apparatus and film forming method
JPWO2008146844A1 (en) * 2007-05-30 2010-08-19 キヤノンアネルバ株式会社 Deposition equipment
JP2009001914A (en) * 2008-09-22 2009-01-08 Ulvac Japan Ltd Vapor deposition source and vapor deposition system
CN103403220A (en) * 2010-10-21 2013-11-20 莱博德光学有限责任公司 Device and process for coating a substrate
WO2012052182A1 (en) * 2010-10-21 2012-04-26 Leybold Optics Gmbh Device and process for coating a substrate
CN103403220B (en) * 2010-10-21 2016-09-14 莱博德光学有限责任公司 For being coated with the device and method of cloth base material
CN103205718A (en) * 2012-01-17 2013-07-17 住友重机械工业株式会社 Film forming apparatus
WO2014065125A1 (en) * 2012-10-26 2014-05-01 富士フイルム株式会社 Anti-adhesive plate for vacuum film deposition apparatus, method of manufacturing anti-adhesive plate for vacuum film deposition apparatus, vacuum film deposition apparatus, and vacuum film deposition method
JP2014145113A (en) * 2013-01-29 2014-08-14 Toyota Motor Corp Heat radiation member and production method of heat radiation member
KR20190130272A (en) * 2018-05-14 2019-11-22 주식회사 야스 Vacuum deposition chamber with latch screen
KR20210076518A (en) * 2019-12-16 2021-06-24 주식회사 에프티시스템 Deposition apparatus for pollution prevention
CN111320778A (en) * 2020-02-25 2020-06-23 深圳赛兰仕科创有限公司 PTFE membrane surface treatment method and PTFE membrane surface treatment system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9812299B2 (en) Apparatus and method for pretreating and coating bodies
EP0726967B1 (en) A method for generation of a discharge in own vapors of a radio frequency electrode for sustained self-sputtering and evaporation of the electrode
JP3964951B2 (en) Equipment for coating substrates
US20120097104A1 (en) Rf impedance matching network with secondary dc input
JPH09186150A (en) Apparatus for coating substrate by chemical deposition
JPH04325680A (en) Device for attaching reactive film onto substrate
JP4976132B2 (en) Sputtering sources in ion physical vapor deposition of metals.
JP2007042818A (en) Depositing apparatus and method
JPH116049A (en) Vacuum film forming equipment
WO2010070845A1 (en) Sputtering device and sputtering method
US10407767B2 (en) Method for depositing a layer using a magnetron sputtering device
JPH09176840A (en) Vacuum coating apparatus
JPS6324068A (en) Continuous vacuum deposition plating device
JPH04228566A (en) Conductive fiber coating method and apparatus by sputter ion plating
JP2688831B2 (en) Film forming equipment by sputtering method
JP2854130B2 (en) Apparatus for coating substrates by sputtering
CA2860079A1 (en) Low temperature arc ion plating coating
JP2984746B2 (en) Ion beam sputtering equipment
JPH07316794A (en) Plasma beam control method of ion plating and control device therefor
JPH10176263A (en) Method for operating ion plating device
TW201040296A (en) Self-ionized sputtering apparatus
JP2000017429A (en) Vacuum deposition apparatus
JP6713623B2 (en) Plasma CVD apparatus, magnetic recording medium manufacturing method and film forming method
JP3030420B2 (en) Ion plating equipment
JPH10317129A (en) Vacuum coating forming device

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20020501