JPH1155044A - High frequency power amplifier - Google Patents
High frequency power amplifierInfo
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- JPH1155044A JPH1155044A JP9241655A JP24165597A JPH1155044A JP H1155044 A JPH1155044 A JP H1155044A JP 9241655 A JP9241655 A JP 9241655A JP 24165597 A JP24165597 A JP 24165597A JP H1155044 A JPH1155044 A JP H1155044A
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- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
【001】[0101]
【産業上の利用分野】この発明は、高周波信号を直線的
に増幅するための増幅手段において、電源電圧の変動や
周辺の温度の変動等の組み合わせに従って、当該増幅手
段を制御手するための順を予め学習させるための学習機
能を有することを特徴とする高周波電力増幅装置に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an amplifying means for linearly amplifying a high-frequency signal, which is used in order to control the amplifying means in accordance with a combination of a fluctuation of a power supply voltage, a fluctuation of a surrounding temperature and the like. And a high-frequency power amplifier having a learning function for learning in advance.
【002】[0092]
【従来の技術】第2図は、従来の高周波電力増幅装置の
構成を示す図であり、(1)は当該高周波電力増幅装置
の利得を制御するための可変減衰器、(2)(3)はマ
ッチング用のコンデンサ、(4)は当該高周波電力増幅
装置の電流を調節するためのボリューム、(5)(6)
は温度補償のための抵抗とダイオード、(7)は増幅用
トランジスタ、(8)は同調コイル、(9)(10)は
マッチング用のコンデンサ、(11)(14)はバイパ
スコンデンサ、(12)は出力電力を検出するためのカ
ップラー、(13)は検波用ダイオード、(15)(1
6)(17)は検波用ダイオード(13)からの出力を
増幅するための直流増幅回路、(31)は当該高周波電
力増幅装置の入力端子、(32)は当該高周波電力増幅
装置の出力端子、(33)は電源端子、(34)は検波
ダイオードの出力端子、(35)は直流増幅回路の基準
電圧端子である。当該高周波電力増幅装置の入力端子
(31)に加えられた高周波信号は、可変減衰器でレベ
ルを調整されて、マッチング用コンデンサ(2)(3)
を経由して増幅用トランジスタ(7)に加えられる。可
変抵抗器(4)は増幅用トランジスタ(7)の電流を調
節するためのものであり、抵抗(6)とダイオード
(5)は温度補償のためのものである。増幅された出力
は、(8)(9)(10)でマッチングがとられ、カッ
プラー(12)を経由して出力端子(32)から出力さ
れる。カップラー(12)により出力電力の一部が取り
出され、ダイオード(13)およびバイパスコンデンサ
(14)により検波され、端子(34)を経由して直流
増幅回路(15)(16)(17)によって増幅され、
基準電圧端子(35)の電圧と比較され、その出力に応
じて前述の可変減衰器(1)の減衰量を制御する。増幅
回路の出力が大きくなると、可変減衰器(1)の減衰を
大きくすることで、増幅回路全体の利得を減じるように
動作している。2. Description of the Related Art FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a conventional high frequency power amplifier, wherein (1) is a variable attenuator for controlling the gain of the high frequency power amplifier, (2) and (3). Is a capacitor for matching, (4) is a volume for adjusting the current of the high frequency power amplifier, (5) (6)
Is a resistor and a diode for temperature compensation, (7) is an amplifying transistor, (8) is a tuning coil, (9) and (10) are matching capacitors, (11) and (14) are bypass capacitors, and (12). Is a coupler for detecting output power, (13) is a detection diode, (15) (1)
6) (17) is a DC amplifier circuit for amplifying an output from the detection diode (13), (31) is an input terminal of the high-frequency power amplifier, (32) is an output terminal of the high-frequency power amplifier, (33) is a power supply terminal, (34) is an output terminal of a detection diode, and (35) is a reference voltage terminal of a DC amplifier circuit. The level of the high-frequency signal applied to the input terminal (31) of the high-frequency power amplifier is adjusted by a variable attenuator, and the matching capacitors (2) and (3)
Is applied to the amplification transistor (7). The variable resistor (4) is for adjusting the current of the amplifying transistor (7), and the resistor (6) and the diode (5) are for temperature compensation. The amplified output is matched at (8), (9), and (10), and output from the output terminal (32) via the coupler (12). A part of the output power is taken out by the coupler (12), detected by the diode (13) and the bypass capacitor (14), and amplified by the DC amplifier circuits (15), (16) and (17) via the terminal (34). And
It is compared with the voltage of the reference voltage terminal (35), and controls the amount of attenuation of the variable attenuator (1) according to the output. When the output of the amplifier circuit increases, the attenuation of the variable attenuator (1) is increased to reduce the gain of the entire amplifier circuit.
【003】[0093]
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波電力増幅
装置は、上記のように構成されているため、高周波信号
を直線的に増幅するための増幅回路の電流がプリセット
されたままであり、周辺の温度の変化、電源電圧の変
化、あるいは入力電力の変化等に応じて調整ができない
ため、安全をみて余分に大きな電流を流しておかなけれ
ばならない等の問題があった。この発明は、高周波信号
を直線的に増幅するための増幅回路の電流を周辺の温度
の変化、電源電圧の変化、あるいは入力電力の変化等に
応じて最適に調整ができ、常に最小の電流で動作させら
れるため効率の良い高周波電力増幅装置を実現すること
を目的とする。Since the conventional high-frequency power amplifying device is constructed as described above, the current of the amplifier circuit for linearly amplifying the high-frequency signal remains preset, and the surrounding high-frequency signal is not amplified. Since the adjustment cannot be performed in accordance with a change in temperature, a change in power supply voltage, a change in input power, or the like, there is a problem that an extra large current must be supplied for safety. According to the present invention, the current of an amplifier circuit for linearly amplifying a high-frequency signal can be optimally adjusted according to a change in ambient temperature, a change in a power supply voltage, a change in input power, and the like. An object of the present invention is to realize an efficient high-frequency power amplifier that can be operated.
【004】[0093]
【課題を解決するための手段】この発明に係わる高周波
信号を直線的に増幅するための増幅回路の電流は、周辺
の温度の変化、電源電圧の変化、あるいは入力電力の変
化等に応じて最適に調整されるように機能する。The current of an amplifier circuit for linearly amplifying a high-frequency signal according to the present invention is optimal according to a change in ambient temperature, a change in power supply voltage, or a change in input power. Function to be adjusted to.
【005】[0056]
【作用】この発明において、周辺の温度の変化、電源電
圧の変化、あるいは入力電力の変化等に応じて予め学習
された手順によって増幅回路の電流を制御するととも
に、当該学習機能を補完するためにパラメーターを最適
化するための計算機能を有する。According to the present invention, the current of the amplifier circuit is controlled by a procedure learned in advance according to a change in the surrounding temperature, a change in the power supply voltage, a change in the input power, and the like. It has a calculation function for optimizing parameters.
【006】[0086]
【実施例】以下この発明の高周波電力増幅装置の一実施
例を図について説明する。第1図において、(1)は当
該増幅装置の利得を制御するための可変減衰器、(2)
(3)はマッチング用のコンデンサ、(4)は当該増幅
装置の電流を制限するための固定抵抗器、(5)(6)
は温度補償のための抵抗とダイオード、(7)は増幅用
トランジスタ、(8)は同調コイル、(9)(10)は
マッチング用のコンデンサ、(11)(14)はバイパ
スコンデンサ、(12)は出力電力を検出するためのカ
ップラー、(13)は検波用ダイオード、(18)は当
該増幅装置の電流を検出するための分流器、(19)は
温度検出せンサ、(20)は制御部、(21)はバスラ
イン、(22)はマイクロプロセッサ、(23)はRO
M、(24)はEEPROM、(25)(27)はD/
A、(26)(28)(29)(30)はA/D、(3
1)は当該増幅装置の入力端子、(32)は当該増幅装
置の出力端子、(33)は電源端子、(34)は検波ダ
イオードの出力端子である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the high-frequency power amplifier of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 1, (1) is a variable attenuator for controlling the gain of the amplifying device, (2)
(3) is a capacitor for matching, (4) is a fixed resistor for limiting the current of the amplifying device, (5) (6)
Is a resistor and a diode for temperature compensation, (7) is an amplifying transistor, (8) is a tuning coil, (9) and (10) are matching capacitors, (11) and (14) are bypass capacitors, and (12). Is a coupler for detecting output power, (13) is a detection diode, (18) is a shunt for detecting the current of the amplifying device, (19) is a temperature detector, and (20) is a control unit. , (21) is a bus line, (22) is a microprocessor, (23) is RO
M, (24) is EEPROM, (25) (27) is D /
A, (26) (28) (29) (30) are A / D, (3
1) is an input terminal of the amplification device, (32) is an output terminal of the amplification device, (33) is a power supply terminal, and (34) is an output terminal of the detection diode.
【007】第1図において、当該増幅装置の入力端子
(31)に加えられた高周波信号は、可変減衰器(1)
でレベルを調整されて、マッチング用コンデンサ(2)
(3)を経由して増幅用トランジスタ(7)に加えられ
る。固定抵抗器(4)は増幅用トランジスタ(7)の電
流を制限するためのものであり制御部(20)内のD/
A(26)によって流れる電流が制御され、抵抗(6)
とダイオード(5)は温度補償のためのものである。増
幅された出力は、マッチング回路(8)(9)(10)
でマッチングがとられ、カップラー(12)を経由して
出力端子(32)から出力される。カップラー(12)
により当該増幅装置の出力電力の一部が取り出され、ダ
イオード(13)およびバイパスコンデンサ(14)に
より検波され、端子(34)を経由して制御部(20)
に接続され、A/D(30)によりデジタル信号に変換
されてマイクロコンピュータ(22)により読み込まれ
る。一方、当該増幅装置に流れる電流は分流器(18)
に接続されたA/D(30)によりデジタル信号に変換
されてマイクロプロセッサー(22)により読み込ま
れ、当該増幅装置に印加された電源電圧はA/D(2
6)によりデジタル信号に変換されてマイクロプロセッ
サー(22)により読み込まれ、当該増幅装置の周辺の
温度はA/D(30)によりデジタル信号に変換されて
マイクロプロセッサー(22)により読み込まれる。マ
イクロプロセッサー(22)はA/D(26)(28)
(29)(30)からのデジタ信号に応じてD/A(2
5)(27)を制御する。当該増幅装置の出力が大きく
なると、可変減衰器(1)の減衰を大きくすることで、
当該増幅装置全体の利得を減じるように制御する他に、
当該増幅装置の周辺の温度が変化したり、電源電圧が変
化した場合にも当該増幅装置を最適な状態に保つように
機能する。In FIG. 1, a high-frequency signal applied to an input terminal (31) of the amplifying device is supplied to a variable attenuator (1).
The level is adjusted by the matching capacitor (2)
It is added to the transistor for amplification (7) via (3). The fixed resistor (4) is for limiting the current of the amplifying transistor (7), and has a D / D in the control unit (20).
The current flowing through A (26) is controlled and the resistance (6)
And the diode (5) are for temperature compensation. The amplified output is supplied to a matching circuit (8) (9) (10)
Are output from the output terminal (32) via the coupler (12). Coupler (12)
, A part of the output power of the amplifying device is taken out, detected by the diode (13) and the bypass capacitor (14), and passed through the terminal (34) to the control unit (20).
Are converted into digital signals by the A / D (30) and read by the microcomputer (22). On the other hand, the current flowing through the amplifying device is a shunt (18)
Is converted into a digital signal by an A / D (30) connected to the A / D (30) and read by the microprocessor (22), and the power supply voltage applied to the amplifying device is A / D (2).
The signal is converted into a digital signal by 6) and read by the microprocessor (22), and the temperature around the amplifying device is converted into a digital signal by the A / D (30) and read by the microprocessor (22). Microprocessor (22) is A / D (26) (28)
(29) According to the digital signal from (30), D / A (2
5) Control (27). When the output of the amplification device increases, the attenuation of the variable attenuator (1) is increased,
Besides controlling to reduce the gain of the whole amplification device,
It functions to keep the amplifying device in an optimal state even when the temperature around the amplifying device changes or the power supply voltage changes.
【008】一方、当該増幅装置は、例えば、周辺の温度
を強制的に−30℃、+20℃、あるいは+60℃にし
た状態で当該増幅装置を最適な状態に保つようなD/A
(25)(27)の値を予め学習させその結果をEEP
ROM(24)に記憶させておき、上記の温度以外の温
度に対してはROM(23)にプログラムされた計算機
能により補完させることができる。また、当該増幅装置
の入力電力が小さくなった時には、当該増幅装置の電流
を必要最小限度にまで制限することによって、能率の良
い増幅装置を実現することができる。On the other hand, the amplifying apparatus is, for example, a D / A that keeps the amplifying apparatus in an optimum state in a state where the ambient temperature is forcibly set to −30 ° C., + 20 ° C., or + 60 ° C.
(25) The value of (27) is learned in advance and the result is EEP
The temperature stored in the ROM (24) can be complemented by a calculation function programmed in the ROM (23) for temperatures other than the above temperatures. In addition, when the input power of the amplifying device is reduced, the current of the amplifying device is limited to a necessary minimum, thereby realizing an efficient amplifying device.
【009】以上の説明では、一段の高周波電力増幅装置
について説明したが、多段の場合についても同様に制御
を行なうことができる。また、電流を制御する方法、利
得を制御する方法、出力電力、電流および電圧を検出す
る方法等は一例について説明したが、他の類似の方法が
考えられる。また、リニアアンプについて述べたが、ノ
ンリニアアンプについても同様に適用することができ
る。In the above description, a single-stage high-frequency power amplifying device has been described, but control can be similarly performed in a multi-stage case. Also, the method of controlling the current, the method of controlling the gain, the method of detecting the output power, the current and the voltage, and the like have been described by way of example, but other similar methods are conceivable. Further, although the description has been given of the linear amplifier, the present invention can be similarly applied to a non-linear amplifier.
【010】[0102]
【発明の効果】本発明は、上記のように構成されるた
め、周辺の温度の変化あるいは電源電圧の変化にも安定
であり、入力電力が小さくなった時には、当該増幅装置
の電流を必要最小限度にまで制限することによって、能
率の良い高周波電力増幅装置を実現することができる。Since the present invention is constructed as described above, it is stable against a change in the surrounding temperature or a change in the power supply voltage. When the input power becomes small, the current of the amplifying device is reduced to a necessary minimum. By limiting to the limit, an efficient high-frequency power amplifier can be realized.
【第1図】本発明の高周波電力増幅装置の一実施例を示
す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of a high-frequency power amplifier of the present invention.
【第2図】従来の高周波電力増幅装置の例を示す構成図
である。FIG. 2 is a configuration diagram showing an example of a conventional high-frequency power amplifier.
1 可変減衰器 2、3 マッチング用コンデンサ 4 電流制限/調整のための固定/
可変抵抗器 5 温度補償用抵抗器 6 温度補償用ダイオード 7 増幅用トランジスタ 8 同調用コイル 9、10 マッチング用コンデンサ 11、14 バイパスコンデンサ 12 カプラー 13 検波用ダイオード 15、16、17 直流増幅器 18 分流器 19 温度センサ 20 制御部 21 バスライン 22 マイクロプロセッサー 23 ROM 24 EEPRPM 25、27 D/A 26、28、29、30 A/D 31 当該増幅装置の入力端子 32 当該増幅装置の出力端子 33 電源端子 34 検波出力端子 35 直流増幅回路の基準電圧端子1 Variable Attenuator 2, 3 Matching Capacitor 4 Current Limit / Fixed / Adjusted for Adjustment
Variable resistor 5 Temperature compensation resistor 6 Temperature compensation diode 7 Amplifying transistor 8 Tuning coil 9, 10 Matching capacitor 11, 14 Bypass capacitor 12 Coupler 13 Detection diode 15, 16, 17 DC amplifier 18 Current shunt 19 Temperature sensor 20 Control unit 21 Bus line 22 Microprocessor 23 ROM 24 EEPRPM 25, 27 D / A 26, 28, 29, 30 A / D 31 Input terminal of the amplifying device 32 Output terminal of the amplifying device 33 Power supply terminal 34 Detection Output terminal 35 DC amplifier reference voltage terminal
Claims (2)
手段において、当該増幅手段の出力電力を検出するため
の検出手段と、当該増幅手段の利得を制御するための制
御手段と、当該増幅手段に流れる電流を検出するための
検出手段と、当該電流を制御するための制御手段と、当
該増幅手段の周辺の温度を検出するための検出手段と、
当該増幅手段の電源電圧を検出するための検出手段とを
備え、当該検出手段の変動の組み合わせに従って当該制
御手段を制御するための制御手順を予め学習させるため
の学習機能を有することを特徴とする高周波電力増幅装
置Amplifying means for linearly amplifying a high-frequency signal; detecting means for detecting output power of the amplifying means; control means for controlling a gain of the amplifying means; Detecting means for detecting a current flowing through the means, control means for controlling the current, and detecting means for detecting a temperature around the amplifying means;
Detecting means for detecting a power supply voltage of the amplifying means, and having a learning function for learning a control procedure for controlling the control means in advance according to a combination of fluctuations of the detecting means. High frequency power amplifier
ーターを最適化するための計算機能を有することを特徴
とする特許請求の範囲第1項に記載の高周波電力増幅装
置2. The high-frequency power amplifier according to claim 1, further comprising a calculation function for optimizing control parameters to complement said learning function.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9241655A JPH1155044A (en) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | High frequency power amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9241655A JPH1155044A (en) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | High frequency power amplifier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1155044A true JPH1155044A (en) | 1999-02-26 |
Family
ID=17077557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9241655A Pending JPH1155044A (en) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | High frequency power amplifier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1155044A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016006464A1 (en) * | 2014-07-09 | 2016-01-14 | 株式会社 東芝 | Calibration circuit and receiver |
-
1997
- 1997-08-04 JP JP9241655A patent/JPH1155044A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016006464A1 (en) * | 2014-07-09 | 2016-01-14 | 株式会社 東芝 | Calibration circuit and receiver |
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