JPH1154597A - Holder for film forming of semiconductor bar - Google Patents

Holder for film forming of semiconductor bar

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JPH1154597A
JPH1154597A JP21095097A JP21095097A JPH1154597A JP H1154597 A JPH1154597 A JP H1154597A JP 21095097 A JP21095097 A JP 21095097A JP 21095097 A JP21095097 A JP 21095097A JP H1154597 A JPH1154597 A JP H1154597A
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semiconductor
internal space
defining
cut
bar
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Noboru Oshima
昇 大島
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To securely form a film on a section of the semiconductor bar held stacked independently of presence of burrs. SOLUTION: About sides 506 and 507 of an internal space 502, as the part of a predetermined distance D from the sides 504 and 505 of the internal space are exposed except the end face restriction materials 514 and 515, and side face restriction materials 516, 517, 526, and 527, a plurality of semiconductor bars having a semiconductor bar 5a with burrs 5c can be held stacked. The semiconductor bar 5a with burrs 5c can be held as the burrs 5c pass the exposed area of the side 506 and 507 of the internal space 502. As the all semiconductor bars can be held, the semiconductor bar 5a with burrs 5c can also be utilized without wasting over.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体バーの切断
面に成膜するときに、複数の半導体バーを積み重ねた状
態で保持するための半導体バーの成膜用ホルダに関し、
特に、半導体レーザの光出射面に保護膜を形成するため
の半導体バーの成膜用ホルダに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor bar film-forming holder for holding a plurality of semiconductor bars in a stacked state when forming a film on a cut surface of a semiconductor bar.
In particular, the present invention relates to a film forming holder for a semiconductor bar for forming a protective film on a light emitting surface of a semiconductor laser.

【0002】[0002]

【従来の技術】図1,図2に示すように、半導体ウエハ
1が1方向に平行に切断されることによって、複数の半
導体バー5が形成される。半導体バー5が形成された
後、複数の半導体バー5が積み重ねられた状態で、すべ
ての切断面9,10に保護膜が形成される。このとき、
複数の半導体バー5を揃えて積み重ねた状態に保持する
ためのホルダが必要である。
2. Description of the Related Art As shown in FIGS. 1 and 2, a plurality of semiconductor bars 5 are formed by cutting a semiconductor wafer 1 in one direction. After the semiconductor bars 5 are formed, a protective film is formed on all the cut surfaces 9 and 10 in a state where the plurality of semiconductor bars 5 are stacked. At this time,
A holder for holding a plurality of semiconductor bars 5 aligned and stacked is required.

【0003】図9に示すように、従来のホルダ101
は、内部空間102を有し、底面規定部材113および
端部規定部材111,112を備える。内部空間102
は、積み重ねた半導体バー5を包含できる形状および大
きさを成し、半導体バー5を装着するための空間であ
る。底面規定部材113は、内部空間102の底面10
3を規定する。端部規定部材111は、底面規定部材1
13から垂直に延びる端面規定部114および側面規定
部116,117から構成される。端面規定部114
は、内部空間102の端面104を規定する。側面規定
部116,117は、内部空間102の側面106,1
07をそれぞれ規定する。同様に、端部規定部材112
は、底面規定部材113から垂直に延びる端面規定部1
15および側面規定部126,127から構成される。
端面規定部115は端面104を規定し、側面規定部1
26,127は、側面106,107をそれぞれ規定す
る。
[0003] As shown in FIG.
Has an inner space 102 and includes a bottom surface defining member 113 and end portion defining members 111 and 112. Interior space 102
Is a space having a shape and a size that can accommodate the stacked semiconductor bars 5 and for mounting the semiconductor bars 5. The bottom surface defining member 113 is provided on the bottom surface 10 of the internal space 102.
3 is specified. The end defining member 111 is a bottom defining member 1.
It is composed of an end face defining portion 114 and side face defining portions 116 and 117 extending perpendicularly from the reference numeral 13. End face defining part 114
Defines an end surface 104 of the internal space 102. The side surface defining portions 116 and 117 are provided on the side surfaces 106 and 1 of the internal space 102.
07 is specified. Similarly, the end defining member 112
Is an end surface defining portion 1 extending vertically from the bottom surface defining member 113.
15 and side surface defining portions 126 and 127.
The end surface defining portion 115 defines the end surface 104 and the side surface defining portion 1
26 and 127 define side surfaces 106 and 107, respectively.

【0004】計4個の側面規定部116,117,12
6,127の内壁面は、いずれも内部空間102の側面
106,107に接する。側面106,107間の距離
W1は、半導体バー5の切断面9,10間の距離Lの約
1.1〜1.2倍程度に設定される。
[0004] A total of four side defining portions 116, 117, 12
6 and 127 are in contact with the side surfaces 106 and 107 of the internal space 102. The distance W1 between the side surfaces 106 and 107 is set to be about 1.1 to 1.2 times the distance L between the cut surfaces 9 and 10 of the semiconductor bar 5.

【0005】このようなホルダ101の内部空間102
に複数の半導体バー5を積み重ねた状態で包含させるこ
とによって、半導体バー5を保持し、露出している切断
面9,10にまとめて保護膜を成膜する。保護膜が成膜
された後、ホルダ101から半導体バー5を取り出して
切断することによって、複数のレーザチップを形成して
いる。
The internal space 102 of such a holder 101
A plurality of semiconductor bars 5 are contained in a stacked state so that the semiconductor bars 5 are held, and a protective film is formed on the exposed cut surfaces 9 and 10 collectively. After the protective film is formed, the semiconductor bar 5 is taken out of the holder 101 and cut to form a plurality of laser chips.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】図3に示すように、半
導体ウエハ1の切断のときに、バリ5cが形成されるこ
とがある。半導体バー5aの切断面の端部に、隣接する
半導体バー5の一部となるべき部分が、バリ5cとして
残留するのである。バリ5cは、半導体バー5aの切断
面内において、端面から所定距離D以内の領域にある。
このように、半導体バー5の切断面内において、端面か
ら所定距離D以内の領域には、バリ5cが発生しやす
い。
As shown in FIG. 3, when cutting the semiconductor wafer 1, burrs 5c may be formed. At the end of the cut surface of the semiconductor bar 5a, a portion to be a part of the adjacent semiconductor bar 5 remains as a burr 5c. The burr 5c is located in a region within a predetermined distance D from the end surface within the cut surface of the semiconductor bar 5a.
As described above, burrs 5c are likely to be generated in a region within a predetermined distance D from the end surface in the cut surface of the semiconductor bar 5.

【0007】図10(a)に示すように、従来のホルダ
101では、切断面から0.2L以上突出したバリ5c
を有する半導体バー5aは、内部空間102の底面10
3に平行なまま包含することができない。図10
(b),図10(c)に示すように、バリ5cの幅R
は、半導体バー5aの切断面9,10間の距離Lに対し
て、その2割以上である。よって、複数の半導体バー5
を積み重ねた状態でホルダ101に装着しようとして
も、半導体バー5aが含まれていれば、装着は不可能で
ある。
As shown in FIG. 10A, in the conventional holder 101, the burrs 5c projecting 0.2 L or more from the cut surface.
The semiconductor bar 5a having the
3 and cannot be included. FIG.
(B), as shown in FIG. 10 (c), the width R of the burr 5c
Is 20% or more of the distance L between the cut surfaces 9 and 10 of the semiconductor bar 5a. Therefore, a plurality of semiconductor bars 5
If the semiconductor bar 5a is included, the mounting is impossible even if it is attempted to mount the holder 101 in a state in which they are stacked.

【0008】このように、切断面9,10の特定の一部
にだけバリ5cを有する半導体バー5aでは、切断面
9,10の中央部分などの他の部分にはバリ5cが発生
しないにも関わらず、半導体バー5aをホルダ101に
装着できず、その切断面9,10に保護膜を形成できな
いので、半導体バー5aからはレーザチップを形成する
ことができない。
As described above, in the semiconductor bar 5a having the burrs 5c only at specific portions of the cut surfaces 9, 10, even if the burrs 5c are not generated at other portions such as the central portion of the cut surfaces 9, 10, Regardless, the semiconductor bar 5a cannot be mounted on the holder 101, and a protection film cannot be formed on the cut surfaces 9 and 10, so that a laser chip cannot be formed from the semiconductor bar 5a.

【0009】また、図11(a)に示すバリを持たない
半導体ウエハ5bが、図11(b)に示すホルダ101
の内部空間102の距離W1が距離W11に拡大された
ホルダに装着されると、すなわち側面106,107間
の距離W1をバリ5cの幅Rだけ拡大すると、半導体バ
ー5aも含めた複数の半導体バー5をホルダ101に装
着することができる。しかし、距離W1が拡大されたこ
とで、バリを持たない半導体バー5bを装着したとき
に、切断面9,10と側面106,107との間に生じ
る隙間が拡大される。この隙間が半導体バー5の厚さt
以上になれば、図11(c)に示すように、半導体バー
5がそこに落ち込む可能性があり、そのときは他の積み
重ねられた半導体バー5の切断面9,10を覆ってしま
う。落ちた半導体バー5に覆われる半導体バー5の切断
面9,10には、成膜が行われないことになってしま
う。
Further, the semiconductor wafer 5b having no burrs shown in FIG. 11A is mounted on the holder 101 shown in FIG.
When the distance W1 of the internal space 102 is mounted on the holder enlarged to the distance W11, that is, when the distance W1 between the side surfaces 106 and 107 is increased by the width R of the burr 5c, a plurality of semiconductor bars including the semiconductor bar 5a are provided. 5 can be mounted on the holder 101. However, since the distance W1 is increased, a gap generated between the cut surfaces 9, 10 and the side surfaces 106, 107 when the semiconductor bar 5b having no burr is mounted is increased. This gap is the thickness t of the semiconductor bar 5.
In this case, as shown in FIG. 11C, there is a possibility that the semiconductor bar 5 falls into the semiconductor bar 5, and in that case, the semiconductor bars 5 cover the cut surfaces 9, 10 of the other stacked semiconductor bars 5. Films are not formed on the cut surfaces 9 and 10 of the semiconductor bar 5 covered with the dropped semiconductor bar 5.

【0010】本発明の目的は、バリの有無に関係なく半
導体バーを積み重ねて保持でき、当該半導体バーの切断
面に確実に成膜できる半導体バーの成膜用ホルダを提供
することである。
An object of the present invention is to provide a film forming holder for a semiconductor bar which can stack and hold semiconductor bars irrespective of the presence or absence of burrs and can reliably form a film on a cut surface of the semiconductor bar.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウエハ
を1方向に平行に切断して、それぞれが2個の端面およ
び2個の切断面に囲まれた短冊状の同型の半導体バーを
複数個形成し、該半導体バーを積み重ねて保持した状態
で、すべての切断面に成膜するための半導体バーの成膜
用ホルダにおいて、積み重ねた半導体バーを包含でき、
積み重ねた半導体バーよりも僅かに大きな内部空間を有
し、前記内部空間の底面を規定する平板状の底面規定部
材と、該底面規定部材から垂直に延び、半導体バーの端
面に臨む内部空間の端面を規定する2個の端面規定部材
と、底面規定部材から垂直に延び、端面規定部材から所
定距離隔てられて、半導体バーの切断面に臨む内部空間
の側面を規定する4個の側面規定部材とを備えることを
特徴とする半導体バーの成膜用ホルダである。
According to the present invention, a semiconductor wafer is cut in parallel in one direction, and a plurality of strip-shaped semiconductor bars of the same shape each surrounded by two end faces and two cut faces are provided. In a state where the semiconductor bars are stacked and held, the semiconductor bars are stacked and held, and in the film forming holder of the semiconductor bar for forming a film on all cut surfaces, the stacked semiconductor bars can be included,
A flat bottom defining member having an inner space slightly larger than the stacked semiconductor bars and defining a bottom surface of the internal space, and an end face of the inner space extending vertically from the bottom defining member and facing an end face of the semiconductor bar. And four side surface defining members that extend vertically from the bottom surface defining member, are separated from the end surface defining member by a predetermined distance, and define side surfaces of the internal space facing the cut surface of the semiconductor bar. A film forming holder for a semiconductor bar, comprising:

【0012】本発明に従えば、内部空間の側面におい
て、内部空間の端面から所定距離までの部分は、端面規
定部材および側面規定部材の間にあり、露出しているの
で、バリを有する半導体バーを含んでいても、複数の半
導体バーを積み重ねて保持することができる。つまり、
バリを有する半導体バーを装着する場合、バリは内部空
間の側面のうち露出している部分を通過するので、装着
可能である。よって、すべての半導体バーを装着でき、
バリを有する半導体バーであっても無駄にすることなく
利用することができる。
According to the present invention, on the side surface of the internal space, a portion extending from the end surface of the internal space to a predetermined distance is between the end surface defining member and the side surface defining member and is exposed. , A plurality of semiconductor bars can be stacked and held. That is,
When a semiconductor bar having burrs is mounted, the burrs can be mounted because they pass through exposed portions of the side surfaces of the internal space. Therefore, all semiconductor bars can be installed,
Even a semiconductor bar having burrs can be used without waste.

【0013】また本発明は、半導体ウエハを1方向に平
行に切断して、それぞれが2個の端面および2個の切断
面に囲まれた短冊状の同型の半導体バーを複数個形成
し、該半導体バーを積み重ねて保持した状態で、すべて
の切断面に成膜するための半導体バーの成膜用ホルダに
おいて、積み重ねた半導体バーを包含でき、積み重ねた
半導体バーよりも僅かに大きな内部空間を有し、前記内
部空間の底面を規定する平板状の底面規定部材と、該底
面規定部材から垂直に延び、半導体バーの端面に臨む内
部空間の端面を規定する端面規定部、および内部空間の
側面上で内部空間の端面から所定距離までの領域を覆う
2個の側面規定部からそれぞれ構成される2個の端部規
定部材とを備え、前記側面規定部は、端面規定部から内
部空間の側面と距離を隔てて広がり、内部空間から所定
距離にある先端だけが内部空間の側面上に配置されて内
部空間の側面を規定することを特徴とする半導体バーの
成膜用ホルダである。
According to the present invention, a semiconductor wafer is cut in parallel in one direction to form a plurality of strip-shaped semiconductor bars of the same shape each surrounded by two end faces and two cut faces. A semiconductor bar deposition holder for depositing a film on all cut surfaces in a state where the semiconductor bars are stacked and held can include the stacked semiconductor bars and has a slightly larger internal space than the stacked semiconductor bars. A flat bottom defining member that defines a bottom surface of the internal space, an end surface defining portion that extends vertically from the bottom defining member and defines an end surface of the internal space facing the end surface of the semiconductor bar, and a side surface of the internal space. And two end defining members each composed of two side defining portions covering a region up to a predetermined distance from the end surface of the internal space, wherein the side defining portion is a side surface of the internal space from the end defining portion. distance Separated by spreading a semiconductor bar film forming holder, characterized in that only the tip in the interior space at a predetermined distance to define the sides of which are arranged on the side interior space of the interior space.

【0014】本発明に従えば、側面規定部は、内部空間
の側面の一部を覆うが、その先端だけが内部空間の側面
を規定し、その他の部分は内部空間の側面から隔てられ
ているので、バリを有する半導体バーを装着する場合
に、バリは内部空間に包含されないにも関わらず、何処
にも当接しない。よって、すべての半導体バーを装着で
き、バリを有する半導体バーであっても無駄にすること
なく利用することができる。
According to the present invention, the side surface defining portion covers a part of the side surface of the internal space, but only its tip defines the side surface of the internal space, and the other portions are separated from the side surface of the internal space. Therefore, when a semiconductor bar having burrs is mounted, the burrs do not abut on any part, even though they are not included in the internal space. Therefore, all the semiconductor bars can be mounted, and even a semiconductor bar having burrs can be used without wasting.

【0015】さらに本発明は、前記半導体バーは、該半
導体バーの切断面に保護膜が形成された後に、半導体バ
ーの端面に平行に切断されてレーザチップとなることを
特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that the semiconductor bar is cut parallel to an end face of the semiconductor bar to form a laser chip after a protective film is formed on a cut surface of the semiconductor bar.

【0016】本発明に従えば、半導体バーはさらに切断
されてレーザチップになるので、バリを有する半導体バ
ーであっても、切断してしまえば、バリに無関係なレー
ザチップが多数製造される。バリに無関係なレーザチッ
プは正常な動作をするので、バリを有する半導体バーか
らもレーザチップを製造できることになる。よって、す
べての半導体バーを有効に利用して、レーザチップの歩
留まりを向上することができる。
According to the present invention, since the semiconductor bar is further cut into laser chips, even if the semiconductor bar has burrs, a large number of laser chips irrelevant to burrs are manufactured after cutting. Since the laser chip irrelevant to burrs operates normally, the laser chip can be manufactured from a semiconductor bar having burrs. Therefore, the yield of laser chips can be improved by effectively using all the semiconductor bars.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】図1は、典型的な半導体ウエハ1
を示す斜視図であり、図2は、半導体ウエハ1から切り
出された半導体バー5を示す斜視図である。図1の半導
体ウエハ1は、半導体レーザを形成するためのプロセス
工程によって加工されたものであり、各チップ領域6ご
とに電極2および発光チャネル3を有する。チップ領域
6は半導体ウエハ1表面上に互いに直交するX,Y方向
にマトリクス状に配列する。半導体ウエハ1上のX方向
の端部において、Y方向に隣接するチップ領域6の間に
は、スクライブによって切断マーカ4が形成されてい
る。発光チャネル3は、Y方向に光を出射するための領
域である。
FIG. 1 shows a typical semiconductor wafer 1.
FIG. 2 is a perspective view showing a semiconductor bar 5 cut out from the semiconductor wafer 1. The semiconductor wafer 1 shown in FIG. 1 has been processed by a process step for forming a semiconductor laser, and has an electrode 2 and a light emitting channel 3 for each chip region 6. The chip regions 6 are arranged in a matrix on the surface of the semiconductor wafer 1 in the X and Y directions orthogonal to each other. At an end in the X direction on the semiconductor wafer 1, a cutting marker 4 is formed by scribing between chip regions 6 adjacent in the Y direction. The light emitting channel 3 is a region for emitting light in the Y direction.

【0018】このような半導体ウエハ1を切断マーカ4
に沿ってX方向に平行に切断し、図2に示すような複数
の同型な半導体バー5を形成する。切り出された半導体
バー5は、端面7,8および切断面9,10によって囲
まれて短冊状を成す。
The semiconductor wafer 1 is cut into a cutting marker 4
To form a plurality of identical semiconductor bars 5 as shown in FIG. The cut-out semiconductor bar 5 is surrounded by the end faces 7 and 8 and the cut faces 9 and 10 to form a strip.

【0019】図3は、バリ5cを有する半導体バー5a
を示す斜視図である。図3に示すように、半導体ウエハ
1の切断のときに、半導体バー5aの切断面の端部に、
隣接する半導体バー5の一部となるべき部分が、バリ5
cとして残留することがある。バリ5cは、半導体バー
5aの切断面内において、端面から所定距離D以内の領
域にある。このように、半導体バー5の切断面内におい
て、端面から所定距離D以内の領域には、バリ5cが発
生しやすい。距離Dは、たとえば1mm程度である。
FIG. 3 shows a semiconductor bar 5a having burrs 5c.
FIG. As shown in FIG. 3, when the semiconductor wafer 1 is cut, an end of a cut surface of the semiconductor bar 5a is
The part that should become a part of the adjacent semiconductor bar 5 is a burr 5
It may remain as c. The burr 5c is located in a region within a predetermined distance D from the end surface within the cut surface of the semiconductor bar 5a. As described above, burrs 5c are likely to be generated in a region within a predetermined distance D from the end surface in the cut surface of the semiconductor bar 5. The distance D is, for example, about 1 mm.

【0020】図4(a)は、本発明の第1実施形態であ
るホルダ501を示す斜視図であり、図4(b)は、そ
の平面図である。ホルダ501は、内部空間502を有
し、底面規定部材513、端面規定部材514,515
および側面規定部材516,517,526,527を
備える。内部空間502は、積み重ねた半導体バー5を
包含して装着するための空間であり、積み重ねた半導体
バー5よりも僅かに大きい。内部空間502の側面50
6,507は、距離W2だけ隔てられている。距離W2
は、距離W1と同じく距離Lの約1.1〜1.2倍程度
である。
FIG. 4A is a perspective view showing a holder 501 according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a plan view thereof. The holder 501 has an internal space 502, and has a bottom surface defining member 513, end surface defining members 514, 515.
And side surface defining members 516, 517, 526, 527. The internal space 502 is a space for containing and mounting the stacked semiconductor bars 5 and is slightly larger than the stacked semiconductor bars 5. Side surface 50 of internal space 502
6,507 are separated by a distance W2. Distance W2
Is about 1.1 to 1.2 times the distance L similarly to the distance W1.

【0021】底面規定部材513は、内部空間502の
底面503を規定する平板状の部材である。端面規定部
材514,515および側面規定部材516,517,
526,527は、底面規定部材513から垂直に延び
る。このうち、端面規定部材514,515は、内部空
間502の端面504,505を規定する平板状の部材
である。側面規定部材516,526は、内部空間50
2の端面504,505から所定距離Dだけそれぞれ隔
てられた位置に配置された棒状の部材であり、内部空間
502の側面506を規定する。つまり、側面506
は、側面規定部材516,526に共通に接する接平面
である。同様に、側面規定部材517,527は、内部
空間502の端面504,505から所定距離Dだけそ
れぞれ隔てられた位置に配置され、内部空間502の側
面507を規定する。また、側面規定部材516,51
7は、比較的広い間隔で隔てられており、後述する蒸着
のために半導体バー5の切断面9,10が露出するよう
になっている。
The bottom surface defining member 513 is a plate-like member that defines the bottom surface 503 of the internal space 502. The end surface defining members 514, 515 and the side surface defining members 516, 517,
526 and 527 extend vertically from the bottom surface defining member 513. Among these, the end surface defining members 514 and 515 are flat members that define the end surfaces 504 and 505 of the internal space 502. The side surface defining members 516 and 526 are connected to the inner space 50.
The rod-shaped members are disposed at positions separated from the two end surfaces 504 and 505 by a predetermined distance D, and define the side surface 506 of the internal space 502. That is, the side 506
Is a tangent plane commonly contacting the side surface defining members 516 and 526. Similarly, the side surface defining members 517 and 527 are arranged at positions separated from the end surfaces 504 and 505 of the internal space 502 by a predetermined distance D, respectively, and define the side surface 507 of the internal space 502. Also, the side surface defining members 516, 51
Reference numerals 7 are spaced at a relatively wide interval so that the cut surfaces 9 and 10 of the semiconductor bar 5 are exposed for the later-described vapor deposition.

【0022】図4のホルダ501には、複数の半導体バ
ー5を底面規定部材503に平行に保って、端面規定部
材514,515および側面規定部材516,526,
517,527に囲まれた内部空間502にスライド装
着して、複数の半導体バー5を積み重ねた状態で保持す
る。装着された半導体バー5は、端面規定部材514,
515によってX方向の変位を制限され、側面規定部材
516,517,526,527によってY方向の変位
が制限される。
In the holder 501 shown in FIG. 4, the plurality of semiconductor bars 5 are kept parallel to the bottom surface defining member 503, and the end surface defining members 514, 515 and the side surface defining members 516, 526 are provided.
The plurality of semiconductor bars 5 are held in a stacked state by being slidably mounted in an internal space 502 surrounded by 517 and 527. The mounted semiconductor bar 5 includes end surface defining members 514,
The displacement in the X direction is restricted by 515, and the displacement in the Y direction is restricted by the side surface defining members 516, 517, 526, 527.

【0023】このように、図4のホルダ501では、端
面規定部材514,515および側面規定部材516,
517,526,527の間は、所定距離Dだけ隔たっ
ている。図3のように、切断のときにバリ5cを有する
半導体バー5aが形成されたときは、バリ5cを端面規
定部材および側面規定部材の間から突出させる。これに
よって、バリを持たない半導体バー5と同様に底面50
3に平行な姿勢で、半導体バー5aをホルダ501にス
ライド装着して積み重ねることができる。また、距離D
はバリ5cの発生しやすい領域を規定する値であるの
で、バリ5cが側面規定部材516,526,517,
527に当接するのを確実に防止することができる。
As described above, in the holder 501 shown in FIG. 4, the end face defining members 514 and 515 and the side face defining members 516 and 516 are provided.
517, 526, and 527 are separated by a predetermined distance D. As shown in FIG. 3, when the semiconductor bar 5a having the burrs 5c is formed at the time of cutting, the burrs 5c are projected from between the end face defining member and the side face defining member. Thereby, the bottom surface 50 is formed similarly to the semiconductor bar 5 having no burrs.
The semiconductor bars 5a can be slidably mounted on the holder 501 and stacked in a posture parallel to 3. Also, the distance D
Is a value that defines an area in which burrs 5c are likely to occur.
527 can be reliably prevented from contacting.

【0024】図5は、複数の半導体バー5を保持したホ
ルダ501を用いる真空蒸着装置21を示す図である。
真空蒸着装置21は、ダクト13に接続されたチャンバ
20の内部に、蒸発源12、ホルダ固定器11および膜
厚計14を備える。ホルダ固定器11は、半導体バー5
の切断面9,10を蒸発源12に向けて固定するための
器具である。膜厚計14は、水晶振動子を用いて蒸着膜
の膜厚を検出する計器である。
FIG. 5 is a view showing a vacuum evaporation apparatus 21 using a holder 501 holding a plurality of semiconductor bars 5.
The vacuum evaporation apparatus 21 includes an evaporation source 12, a holder fixing device 11, and a film thickness meter 14 inside a chamber 20 connected to the duct 13. The holder fixing device 11 includes the semiconductor bar 5
This is an instrument for fixing the cut surfaces 9, 10 to the evaporation source 12. The film thickness gauge 14 is an instrument that detects the thickness of a deposited film using a quartz oscillator.

【0025】真空蒸着装置21では、ホルダ501は複
数個まとめてホルダ固定器11に固定され、複数の半導
体バー5の切断面9または切断面10のいずれかに、ま
とめて蒸着膜が成膜される。蒸着膜は、膜厚計14によ
って所定の膜厚に制御される。次に、ホルダ固定器11
を180度回転させて、未蒸着の切断面を蒸着源12に
臨む向きに向ける。同様に蒸着を行って、すべての切断
面9,10に蒸着膜を完成させる。
In the vacuum deposition apparatus 21, a plurality of holders 501 are collectively fixed to the holder fixing device 11, and a vapor deposition film is collectively formed on either the cut surface 9 or the cut surface 10 of the plurality of semiconductor bars 5. You. The deposited film is controlled to a predetermined film thickness by the film thickness gauge 14. Next, the holder fixing device 11
Is rotated 180 degrees so that the cut surface of the non-evaporated portion faces the evaporation source 12. Similarly, vapor deposition is performed to complete a vapor deposition film on all cut surfaces 9 and 10.

【0026】図6(a)は、本発明の第2実施形態であ
るホルダ201を示す斜視図であり、図6(b)は、そ
の平面図である。ホルダ201は、積み重ねた半導体バ
ー5を包含して装着するための内部空間202を有し、
該内部空間202の底面203を規定する底面規定部材
213、および内部空間202の両端部をそれぞれ規定
する端部規定部材211,212を備える。内部空間2
02は、内部空間502と同じ形状および大きさを成
す。
FIG. 6A is a perspective view showing a holder 201 according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 6B is a plan view thereof. The holder 201 has an internal space 202 for including and mounting the stacked semiconductor bars 5,
A bottom surface defining member 213 for defining the bottom surface 203 of the internal space 202 and end defining members 211 and 212 for defining both ends of the internal space 202 are provided. Interior space 2
02 has the same shape and size as the internal space 502.

【0027】端部規定部材211,212は、それぞれ
底面規定部材213から垂直に延びる。このうち、端部
規定部材211は、端面規定部214および側面規定部
216,217から構成される。端面規定部214は、
内部空間202の端面204を規定する。側面規定部2
16,217は、内部空間202の側面206,207
をそれぞれ規定する。同様に、端部規定部材212は、
端面205を規定する端面規定部215、および側面2
06,207をそれぞれ規定する側面規定部226,2
27から構成される。
The end defining members 211 and 212 extend vertically from the bottom defining member 213, respectively. The end defining member 211 includes an end face defining section 214 and side face defining sections 216 and 217. The end face defining portion 214
An end surface 204 of the internal space 202 is defined. Side definition part 2
16, 217 are side surfaces 206, 207 of the internal space 202.
Are defined respectively. Similarly, the end defining member 212 is
End surface defining portion 215 that defines end surface 205, and side surface 2
06, 207, respectively.
27.

【0028】側面規定部216,226は、その先端だ
けが内部空間202の側面206上にあり、他の部分は
側面206から隔てられる。側面規定部217,227
も、同様にその先端だけが内部空間202の側面207
上にあり、他の部分は側面207から隔てられる。側面
規定部216および側面規定部217の間隔は、先端に
行くほど狭くなる。側面規定部216,217間の最大
距離は距離W3で、最小距離は距離W1である。
The side surface defining portions 216 and 226 have only their ends on the side surface 206 of the internal space 202, and the other portions are separated from the side surface 206. Side surface defining portions 217, 227
Similarly, only the tip is the side surface 207 of the internal space 202.
Above, the other part is separated from side 207. The distance between the side surface defining portion 216 and the side surface defining portion 217 becomes narrower toward the tip. The maximum distance between the side surface defining portions 216 and 217 is the distance W3, and the minimum distance is the distance W1.

【0029】このように、端面規定部214,215に
よって、半導体バー5のX方向の変位は制限される。側
面規定部216の先端は、側面206上にあり、側面規
定部217の先端は側面207上にあるので、半導体バ
ー5のY方向の変位は制限される。また、側面規定部2
16,217間には、断面が台形の空間が広がってお
り、バリ5cを有する半導体バー5aをスライド装着す
るときに、バリ5cが通過できるようになっている。つ
まり、ホルダ201には、半導体バー5aが装着可能で
ある。なお、装着できるバリ5cの幅Rは、(W3−
L)/2以下である。
As described above, the displacement of the semiconductor bar 5 in the X direction is limited by the end face defining portions 214 and 215. Since the tip of the side surface defining portion 216 is on the side surface 206 and the tip of the side surface defining portion 217 is on the side surface 207, the displacement of the semiconductor bar 5 in the Y direction is limited. Also, the side defining part 2
A space having a trapezoidal cross section is widened between 16 and 217 so that the burrs 5c can pass when the semiconductor bar 5a having the burrs 5c is slid and mounted. That is, the semiconductor bar 5a can be mounted on the holder 201. The width R of the burr 5c that can be attached is (W3-
L) / 2 or less.

【0030】図7,図8は、他の第2実施形態であるホ
ルダ301,401をそれぞれ示す平面図である。図7
に示すホルダ301は、図6のホルダ201と同様な構
成を成し、側面規定部216,217間には、断面が矩
形の空間が広がる。よって、図7の場合も、バリ5cを
有する半導体バー5aをスライドさせて装着することが
できる。なお、最大距離を距離W4とすると、装着でき
るバリ5cの幅Rは、(W4−L)/2以下である。
FIGS. 7 and 8 are plan views respectively showing holders 301 and 401 according to another second embodiment. FIG.
Has a configuration similar to that of the holder 201 shown in FIG. 6, and a space having a rectangular cross section spreads between the side surface defining portions 216 and 217. Therefore, also in the case of FIG. 7, the semiconductor bar 5a having the burr 5c can be slid and mounted. In addition, assuming that the maximum distance is the distance W4, the width R of the burrs 5c that can be mounted is (W4-L) / 2 or less.

【0031】図8に示すホルダ401も、図6のホルダ
201と同様な構成を成し、側面規定部216,217
間には、断面が円形の空間が広がる。円の直径W5とす
ると、装着できるバリ5cの幅Rは、(W5−L)/2
以下である。よって、図4の場合も図5の場合も、バリ
5cを有する半導体バー5aをスライドさせて装着する
ことができる。
The holder 401 shown in FIG. 8 also has the same configuration as the holder 201 shown in FIG.
A space with a circular cross section extends between them. Assuming that the diameter of the circle is W5, the width R of the burr 5c that can be mounted is (W5-L) / 2.
It is as follows. Therefore, in both the case of FIG. 4 and the case of FIG. 5, the semiconductor bar 5a having the burr 5c can be mounted by sliding.

【0032】これらの第2実施形態においても、第1実
施形態と同様に、図5の真空蒸着装置21を用いて、半
導体バー5の切断面9,10に保護膜を形成する。
In the second embodiment, as in the first embodiment, a protective film is formed on the cut surfaces 9 and 10 of the semiconductor bar 5 by using the vacuum evaporation apparatus 21 shown in FIG.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、内部空間
の端面から所定距離までの部分が露出することで、すべ
ての半導体バーを装着でき、バリを有する半導体バーで
あっても無駄にすることなく利用することができる。
As described above, according to the present invention, all the semiconductor bars can be mounted by exposing a portion up to a predetermined distance from the end face of the internal space. Can be used without doing.

【0034】また本発明によれば、側面規定部は先端を
除いて内部空間の側面から隔てられることで、すべての
半導体バーを装着でき、バリを有する半導体バーであっ
ても無駄にすることなく利用することができる。
Further, according to the present invention, since the side surface defining portion is separated from the side surface of the internal space except for the end, all the semiconductor bars can be mounted, and even if the semiconductor bar has burrs, it is not wasted. Can be used.

【0035】さらに本発明によれば、バリを有する半導
体バーからもレーザチップを形成することができ、レー
ザチップの歩留まりを向上することができる。
Further, according to the present invention, a laser chip can be formed from a semiconductor bar having burrs, and the yield of laser chips can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】典型的な半導体ウエハ1を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a typical semiconductor wafer 1. FIG.

【図2】半導体ウエハ1から切り出された半導体バー5
を示す斜視図である。
FIG. 2 shows a semiconductor bar 5 cut from a semiconductor wafer 1;
FIG.

【図3】バリ5cを有する半導体バー5aを示す斜視図
である。
FIG. 3 is a perspective view showing a semiconductor bar 5a having burrs 5c.

【図4】図4(a)は、本発明の第1実施形態であるホ
ルダ501を示す斜視図であり、図4(b)は、その平
面図である。
FIG. 4A is a perspective view showing a holder 501 according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a plan view thereof.

【図5】ホルダ501を用いる真空蒸着装置を示す図で
ある。
FIG. 5 is a view showing a vacuum deposition apparatus using a holder 501.

【図6】図6(a)は、本発明の第2実施形態であるホ
ルダ201を示す斜視図であり、図6(b)は、その平
面図である。
FIG. 6A is a perspective view showing a holder 201 according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 6B is a plan view thereof.

【図7】他の第2実施形態であるホルダ301を示す平
面図である。
FIG. 7 is a plan view showing a holder 301 according to another second embodiment.

【図8】他の第2実施形態であるホルダ401を示す平
面図である。
FIG. 8 is a plan view showing a holder 401 according to another second embodiment.

【図9】従来のホルダ101を示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing a conventional holder 101.

【図10】図10(a)はホルダ101および半導体バ
ー5aを示す斜視図であり、図10(b)は半導体バー
5aを示す斜視図であり、図10(c)はホルダ101
を示す平面図である。
10 (a) is a perspective view showing a holder 101 and a semiconductor bar 5a, FIG. 10 (b) is a perspective view showing a semiconductor bar 5a, and FIG. 10 (c) is a holder 101.
FIG.

【図11】図11(a)は半導体バー5bを示す斜視図
であり、図11(b)は距離W1を距離W11に拡大し
たホルダ101を示す平面図であり、図11(c)はそ
の斜視図である。
11A is a perspective view showing a semiconductor bar 5b, FIG. 11B is a plan view showing a holder 101 in which a distance W1 is enlarged to a distance W11, and FIG. It is a perspective view.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体ウエハ 5,5a,5b 半導体バー 5c バリ 7,8 端面 9,10 切断面 201,301,401,501 ホルダ 202,502 内部空間 203,503 底面 204,205,504,505 端面 206,207,506,507 側面 211,212 端部規定部材 213,513 底面規定部材 214,215 端面規定部 216,217,226,227 側面規定部 514,515 端面規定部材 516,517,526,527 側面規定部材 D 距離 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor wafer 5, 5a, 5b Semiconductor bar 5c Burr 7, 8 End surface 9, 10 Cut surface 201, 301, 401, 501 Holder 202, 502 Internal space 203, 503 Bottom surface 204, 205, 504, 505 End surface 206, 207, 506,507 Side surface 211,212 End portion defining member 213,513 Bottom surface defining member 214,215 End surface defining portion 216,217,226,227 Side surface defining portion 514,515 End surface defining member 516,517,526,527 Side surface defining member D distance

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウエハを1方向に平行に切断し
て、それぞれが2個の端面および2個の切断面に囲まれ
た短冊状の同型の半導体バーを複数個形成し、該半導体
バーを積み重ねて保持した状態で、すべての切断面に成
膜するための半導体バーの成膜用ホルダにおいて、 積み重ねた半導体バーを包含でき、積み重ねた半導体バ
ーよりも僅かに大きな内部空間を有し、 前記内部空間の底面を規定する平板状の底面規定部材
と、 該底面規定部材から垂直に延び、半導体バーの端面に臨
む内部空間の端面を規定する2個の端面規定部材と、 底面規定部材から垂直に延び、端面規定部材から所定距
離隔てられて、半導体バーの切断面に臨む内部空間の側
面を規定する4個の側面規定部材とを備えることを特徴
とする半導体バーの成膜用ホルダ。
1. A semiconductor wafer is cut in parallel in one direction to form a plurality of strip-shaped semiconductor bars of the same shape each surrounded by two end faces and two cut faces. In a film forming holder for semiconductor bars for forming a film on all cut surfaces in a state of being stacked and held, the semiconductor bar can include the stacked semiconductor bars, and has a slightly larger internal space than the stacked semiconductor bars, A flat bottom defining member that defines a bottom surface of the internal space; two end surface defining members that extend perpendicularly from the bottom defining member and define an end surface of the internal space facing the end surface of the semiconductor bar; And four side surface defining members extending at a predetermined distance from the end surface defining member and defining a side surface of the internal space facing the cut surface of the semiconductor bar.
【請求項2】 半導体ウエハを1方向に平行に切断し
て、それぞれが2個の端面および2個の切断面に囲まれ
た短冊状の同型の半導体バーを複数個形成し、該半導体
バーを積み重ねて保持した状態で、すべての切断面に成
膜するための半導体バーの成膜用ホルダにおいて、 積み重ねた半導体バーを包含でき、積み重ねた半導体バ
ーよりも僅かに大きな内部空間を有し、 前記内部空間の底面を規定する平板状の底面規定部材
と、 該底面規定部材から垂直に延び、半導体バーの端面に臨
む内部空間の端面を規定する端面規定部、および内部空
間の側面上で内部空間の端面から所定距離までの領域を
覆う2個の側面規定部からそれぞれ構成される2個の端
部規定部材とを備え、 前記側面規定部は、端面規定部から内部空間の側面と距
離を隔てて広がり、内部空間から所定距離にある先端だ
けが内部空間の側面上に配置されて内部空間の側面を規
定することを特徴とする半導体バーの成膜用ホルダ。
2. A semiconductor wafer is cut in parallel in one direction to form a plurality of strip-shaped semiconductor bars of the same shape each surrounded by two end faces and two cut faces. In a film forming holder for semiconductor bars for forming a film on all cut surfaces in a state of being stacked and held, the semiconductor bar can include the stacked semiconductor bars, and has a slightly larger internal space than the stacked semiconductor bars, A flat bottom defining member for defining a bottom surface of the internal space, an end surface defining portion extending perpendicularly from the bottom defining member and defining an end surface of the internal space facing the end surface of the semiconductor bar, and an internal space on a side surface of the internal space. And two end defining members each comprising two side defining portions that cover an area up to a predetermined distance from the end surface of the internal space, wherein the side defining portion is separated from the end defining portion by a distance from the side surface of the internal space. Wide Ri, semiconductor bars film forming holder, characterized in that only the tip in the interior space at a predetermined distance is disposed on the side of the internal space defining the sides of the interior space.
【請求項3】 前記半導体バーは、該半導体バーの切断
面に保護膜が形成された後に、半導体バーの端面に平行
に切断されてレーザチップとなることを特徴とする請求
項1または2記載の半導体バーの成膜用ホルダ。
3. The laser bar according to claim 1, wherein the semiconductor bar is cut into a laser chip in parallel with an end surface of the semiconductor bar after a protective film is formed on a cut surface of the semiconductor bar. Film holder for semiconductor bars.
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WO2020103612A1 (en) * 2018-11-21 2020-05-28 深圳市中光工业技术研究院 Semiconductor laser and fabrication method therefor

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