JPH1153717A - 磁気ディスク装置 - Google Patents
磁気ディスク装置Info
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- JPH1153717A JPH1153717A JP21277397A JP21277397A JPH1153717A JP H1153717 A JPH1153717 A JP H1153717A JP 21277397 A JP21277397 A JP 21277397A JP 21277397 A JP21277397 A JP 21277397A JP H1153717 A JPH1153717 A JP H1153717A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気抵抗効果型ヘッドの磁気抵抗効果を有す
る磁性薄膜部における磁区構造の状態に起因して生じた
再生不能状態を解除できる磁気ディスク装置を提供す
る。 【解決手段】 磁気ディスクに対し所定の磁気再生動作
を行う磁気抵抗効果型ヘッドと、この磁気抵抗効果型ヘ
ッドから読み出された再生ディスクのエラーを検出する
再生エラー検出部13と、この再生エラー検出部13の
エラー検出状況に応じて磁気抵抗効果型ヘッドに印加さ
れる電流の大きさを通常読み出し時に比して略2倍以下
の値に設定する電流値設定部15と、この電流値設定部
による設定後の電流を磁気抵抗効果型ヘッドに印加する
読み出し駆動部とを備えている。
る磁性薄膜部における磁区構造の状態に起因して生じた
再生不能状態を解除できる磁気ディスク装置を提供す
る。 【解決手段】 磁気ディスクに対し所定の磁気再生動作
を行う磁気抵抗効果型ヘッドと、この磁気抵抗効果型ヘ
ッドから読み出された再生ディスクのエラーを検出する
再生エラー検出部13と、この再生エラー検出部13の
エラー検出状況に応じて磁気抵抗効果型ヘッドに印加さ
れる電流の大きさを通常読み出し時に比して略2倍以下
の値に設定する電流値設定部15と、この電流値設定部
による設定後の電流を磁気抵抗効果型ヘッドに印加する
読み出し駆動部とを備えている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
に係わり、特に、磁気抵抗効果型ヘッドを搭載した磁気
ディスク装置に関する。
に係わり、特に、磁気抵抗効果型ヘッドを搭載した磁気
ディスク装置に関する。
【0002】
【従来の技術】磁気抵抗効果型ヘッド(以下、MRヘッ
ドと略称する)は、その感磁部が磁気抵抗効果を有する
磁性薄膜(以下、MR膜と略称する)によって構成さ
れ、磁気ディスク表面に記録された微小磁化データから
漏洩する磁界の強度変化に対応して、MR膜の抵抗率が
変化することから、MR膜に一対の電極を設置し、読み
出すための電流を流して抵抗変化を出力電圧として検出
するものである。
ドと略称する)は、その感磁部が磁気抵抗効果を有する
磁性薄膜(以下、MR膜と略称する)によって構成さ
れ、磁気ディスク表面に記録された微小磁化データから
漏洩する磁界の強度変化に対応して、MR膜の抵抗率が
変化することから、MR膜に一対の電極を設置し、読み
出すための電流を流して抵抗変化を出力電圧として検出
するものである。
【0003】一般に、再生信号の分解能を改善すること
を目的とし、MR膜に近接して配置されるシールドコア
を有するシールド型MRヘッドが、よく知られている。
シールドコアは、単層のメッキ膜あるいはスパッタ膜で
構成される。シールド型MRヘッドは、磁気ディスク表
面に記録された微小磁化データを読み出すという再生機
能のみを有し、記録機能を有していないため、記録動作
専用の誘導型薄膜ヘッドが隣接して配置されることが多
い。
を目的とし、MR膜に近接して配置されるシールドコア
を有するシールド型MRヘッドが、よく知られている。
シールドコアは、単層のメッキ膜あるいはスパッタ膜で
構成される。シールド型MRヘッドは、磁気ディスク表
面に記録された微小磁化データを読み出すという再生機
能のみを有し、記録機能を有していないため、記録動作
専用の誘導型薄膜ヘッドが隣接して配置されることが多
い。
【0004】また、再生出力電圧の直線性を得ることを
目的とし、MR膜の磁化困難軸方向に所要のバイアス磁
場を付与するためのバイアス導体が、MR膜に近接して
設置される。このバイアス方式は、SALバイアスと呼
ばれる。
目的とし、MR膜の磁化困難軸方向に所要のバイアス磁
場を付与するためのバイアス導体が、MR膜に近接して
設置される。このバイアス方式は、SALバイアスと呼
ばれる。
【0005】上述したMRヘッドの出力電圧の再生波形
は、MR膜の磁区構造の影響を大きく受ける。例えば、
MR膜内部に微視的な異方性の分散が残り、磁気的に不
均一な状態になっている場合には、記録動作を再生する
毎に再生波形が歪み、出力電圧が変動し、安定した出力
電圧を維持することが困難になる。これは、記録動作を
する毎に、誘導型薄膜ヘッドから大きな記録磁界がシー
ルドコアおよびMR膜に加わり、磁区構造に微小な変化
を引き起こすためである。
は、MR膜の磁区構造の影響を大きく受ける。例えば、
MR膜内部に微視的な異方性の分散が残り、磁気的に不
均一な状態になっている場合には、記録動作を再生する
毎に再生波形が歪み、出力電圧が変動し、安定した出力
電圧を維持することが困難になる。これは、記録動作を
する毎に、誘導型薄膜ヘッドから大きな記録磁界がシー
ルドコアおよびMR膜に加わり、磁区構造に微小な変化
を引き起こすためである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のMRヘ
ッドでは、記録再生を繰り返す毎に再生波形が歪み、出
力電圧の変動特性(以下、出力変動率と略称する)が悪
化するという問題点を有している。この問題点を解消す
る手段の一つとして、永久磁石をMR膜の両側に隣接し
て配置し、MR膜の磁化容易軸方向にバイアス磁界を付
与し、MR膜を単磁区化する方法が、刊行物IEEE
TRANSACTIONS ON MAGNETIC
S,VOL.30,NO.6,November 19
94,p3861〜p3863,“Study of
SAL−Biased MR Heads With
Patterned Permanent Magne
t Bias”Yimin Guo and Jian
−Gang Zhu、および米国特許第5,018,0
37号明細書“Magnetoresistive R
ead Transducer Having Har
d MagneticBias”などに開示されてい
る。ところが、このような構造のヘッドにおいても、永
久磁石の磁化強度が十分に強くない場合、MR膜の磁区
状態が不安定になり、出力電圧を完全に安定化すること
は困難である。
ッドでは、記録再生を繰り返す毎に再生波形が歪み、出
力電圧の変動特性(以下、出力変動率と略称する)が悪
化するという問題点を有している。この問題点を解消す
る手段の一つとして、永久磁石をMR膜の両側に隣接し
て配置し、MR膜の磁化容易軸方向にバイアス磁界を付
与し、MR膜を単磁区化する方法が、刊行物IEEE
TRANSACTIONS ON MAGNETIC
S,VOL.30,NO.6,November 19
94,p3861〜p3863,“Study of
SAL−Biased MR Heads With
Patterned Permanent Magne
t Bias”Yimin Guo and Jian
−Gang Zhu、および米国特許第5,018,0
37号明細書“Magnetoresistive R
ead Transducer Having Har
d MagneticBias”などに開示されてい
る。ところが、このような構造のヘッドにおいても、永
久磁石の磁化強度が十分に強くない場合、MR膜の磁区
状態が不安定になり、出力電圧を完全に安定化すること
は困難である。
【0007】また、例えば特開平7−78309号公報
には、MRヘッドのシールドコアを2枚の磁性層とその
磁性層の中間に非磁性層を配して構成し、MR膜部とシ
ールドコアとを非磁性導体により接続し、電流をMR膜
部を介してシールドコアの磁化困難軸方向に流し、磁化
容易軸方向の磁界によりシールドコアの消磁を行うこと
で、再生出力波形を安定化する方法が開示されている
が、MRヘッドの製造プロセスが複雑になり、製造コス
トが高くなるという問題点を有している。
には、MRヘッドのシールドコアを2枚の磁性層とその
磁性層の中間に非磁性層を配して構成し、MR膜部とシ
ールドコアとを非磁性導体により接続し、電流をMR膜
部を介してシールドコアの磁化困難軸方向に流し、磁化
容易軸方向の磁界によりシールドコアの消磁を行うこと
で、再生出力波形を安定化する方法が開示されている
が、MRヘッドの製造プロセスが複雑になり、製造コス
トが高くなるという問題点を有している。
【0008】上述したように、磁気ディスク表面の微小
磁化データをMRヘッドで読み出そうとしても、再生波
形が歪み、出力変動率の悪化が原因で、正常にデータを
読み出せなくなる事態が生じる。かかる事態はMR膜の
磁区構造との関係において発生し、一度発生すると、そ
の後何度読み出し動作を行っても正常にデータを再生で
きないという不都合があった。この現象は数百回の記録
再生動作のうち、数回発生するまれな現象である一方、
一度発生してしまえば磁気ディスク装置の致命的な欠陥
になるという重大な不都合があった。
磁化データをMRヘッドで読み出そうとしても、再生波
形が歪み、出力変動率の悪化が原因で、正常にデータを
読み出せなくなる事態が生じる。かかる事態はMR膜の
磁区構造との関係において発生し、一度発生すると、そ
の後何度読み出し動作を行っても正常にデータを再生で
きないという不都合があった。この現象は数百回の記録
再生動作のうち、数回発生するまれな現象である一方、
一度発生してしまえば磁気ディスク装置の致命的な欠陥
になるという重大な不都合があった。
【0009】本発明の目的は、このような実情に鑑みて
なされたものであり、かかる従来例の有する不都合を改
善し、特に、MRヘッドにおけるMR膜の磁区構造の不
安定性により生じた再生不能状態を解除できる磁気ディ
スク装置を提供することにある。
なされたものであり、かかる従来例の有する不都合を改
善し、特に、MRヘッドにおけるMR膜の磁区構造の不
安定性により生じた再生不能状態を解除できる磁気ディ
スク装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ディスク装
置は、磁気ディスクに対し所定の磁気再生動作を行う磁
気抵抗効果型ヘッドと、この磁気抵抗効果型ヘッドから
読み出された再生データのエラーを検出する再生エラー
検出部と、この再生エラー検出部のエラー検出状況に応
じて磁気抵抗効果型ヘッドに印加される電流の大きさを
通常読み出し時に比して略2倍以下の値に設定する電流
値設定部と、この電流設定部により設定された電流を前
記磁気抵抗効果型ヘッドに印加する読み出し駆動部とを
備え、前記設定された電流を印加した後に読み出し動作
を行うようにしている。
置は、磁気ディスクに対し所定の磁気再生動作を行う磁
気抵抗効果型ヘッドと、この磁気抵抗効果型ヘッドから
読み出された再生データのエラーを検出する再生エラー
検出部と、この再生エラー検出部のエラー検出状況に応
じて磁気抵抗効果型ヘッドに印加される電流の大きさを
通常読み出し時に比して略2倍以下の値に設定する電流
値設定部と、この電流設定部により設定された電流を前
記磁気抵抗効果型ヘッドに印加する読み出し駆動部とを
備え、前記設定された電流を印加した後に読み出し動作
を行うようにしている。
【0011】磁気抵抗効果型ヘッドから読み出された再
生データにエラーが検出されると、電流値設定部は、磁
気抵抗効果型ヘッドに印加される電流の大きさを通常の
読み出し時に用いられる電流値に比して略2倍以下の値
に設定する。その後、読み出し駆動部は、設定された電
流値の電流を磁気抵抗効果型ヘッドに印加する。これに
より、磁気抵抗効果を有する磁性薄膜の磁区構造が変化
する。
生データにエラーが検出されると、電流値設定部は、磁
気抵抗効果型ヘッドに印加される電流の大きさを通常の
読み出し時に用いられる電流値に比して略2倍以下の値
に設定する。その後、読み出し駆動部は、設定された電
流値の電流を磁気抵抗効果型ヘッドに印加する。これに
より、磁気抵抗効果を有する磁性薄膜の磁区構造が変化
する。
【0012】読み出し動作は、通常読み出し時の電流値
に戻して行うのが好ましい。
に戻して行うのが好ましい。
【0013】電流値設定部が、磁気抵抗効果型ヘッドに
略2倍以下に設定された電流を印加する時間は最小限、
例えば瞬間的とするのが好ましい。
略2倍以下に設定された電流を印加する時間は最小限、
例えば瞬間的とするのが好ましい。
【0014】電流値設定部は、再生データのエラーが繰
り返し検出される度に、設定された電流値の大きさを徐
々に増加させる電流の段階的増加機能を備えており、n
回目の電流印加後にもなお再生エラーが検出される場合
には、電流がn回目よりも幾分大きい値に設定され、n
+1回目の電流の印加が行われる。
り返し検出される度に、設定された電流値の大きさを徐
々に増加させる電流の段階的増加機能を備えており、n
回目の電流印加後にもなお再生エラーが検出される場合
には、電流がn回目よりも幾分大きい値に設定され、n
+1回目の電流の印加が行われる。
【0015】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図1
から図4に基づいて詳細に説明する。
から図4に基づいて詳細に説明する。
【0016】図1は、本発明の第1の実施の形態を示す
概略構成図、図2は、図1に示すディスクドライブの内
部構造を示す一部省略したブロック図である。
概略構成図、図2は、図1に示すディスクドライブの内
部構造を示す一部省略したブロック図である。
【0017】ホストコンピュータ20と接続された磁気
ディスク装置10は、磁気ディスク(図示せず)に対し
データの記録再生を行うディスクドライブ11と、この
ディスクドライブ11の記録再生動作を制御するディス
クコントローラ12とを備えている。
ディスク装置10は、磁気ディスク(図示せず)に対し
データの記録再生を行うディスクドライブ11と、この
ディスクドライブ11の記録再生動作を制御するディス
クコントローラ12とを備えている。
【0018】ホストコンピュータ20は、実行されるプ
ログラムに応じて磁気ディスク装置10に対し所定の制
御命令やデータの書き込み・読み出し命令をディスクコ
ントローラ12に出力する機能を備えている。一方、デ
ィスクコントローラ12は、ディスクドライブ11を含
む装置全体の動作状況やディスクドライブから読み出さ
れたデータをホストコンピュータ20に出力する機能を
備えている。
ログラムに応じて磁気ディスク装置10に対し所定の制
御命令やデータの書き込み・読み出し命令をディスクコ
ントローラ12に出力する機能を備えている。一方、デ
ィスクコントローラ12は、ディスクドライブ11を含
む装置全体の動作状況やディスクドライブから読み出さ
れたデータをホストコンピュータ20に出力する機能を
備えている。
【0019】また、ディスクコントローラ12は、ディ
スクドライブ11から読み出されたデータが正常である
かどうかを検出する再生エラー検出部13と、データが
正常でない場合にデータを正常に補修するエラー補修部
14と、磁気抵抗効果ヘッド1に印加する電流の大きさ
を通常の略2倍以下の値に設定する電流設定部15と、
この再生エラー検出部13,エラー補修部14および電
流設定部15の動作を制御すると共にホストコンピュー
タ20とディスクドライブ11との間のやり取りを制御
する制御部Aとを備えている。
スクドライブ11から読み出されたデータが正常である
かどうかを検出する再生エラー検出部13と、データが
正常でない場合にデータを正常に補修するエラー補修部
14と、磁気抵抗効果ヘッド1に印加する電流の大きさ
を通常の略2倍以下の値に設定する電流設定部15と、
この再生エラー検出部13,エラー補修部14および電
流設定部15の動作を制御すると共にホストコンピュー
タ20とディスクドライブ11との間のやり取りを制御
する制御部Aとを備えている。
【0020】エラー補修部14の具体例として、ECC
(Error Correct Code)が知られて
いる。また、制御部Aは、HDC(Hard Disk
Controller)と呼ばれることもある。この
制御部Aは、予め準備されたマイクロプログラムを逐次
実行することにより各種のデータ受け渡し制御を実現す
るものである。
(Error Correct Code)が知られて
いる。また、制御部Aは、HDC(Hard Disk
Controller)と呼ばれることもある。この
制御部Aは、予め準備されたマイクロプログラムを逐次
実行することにより各種のデータ受け渡し制御を実現す
るものである。
【0021】ディスクドライブ11は、磁気ディスクに
対し所定の再生動作を行う磁気抵抗効果型ヘッド11
と、この磁気抵抗効果型ヘッド1から読み出された再生
信号を検出する再生信号検出部2と、電流値設定部15
による設定後の磁気抵抗効果型ヘッド1に印加する読み
出し駆動部3とを備えている。再生信号検出部2の形態
として、これまで信号波形のピークを検出するピーク検
出方式が多く使用されてきたが、最近ではPRML方式
が使用される場合もある。また、この他に、通常の記録
および再生に必要な記録再生系(図示せず)と、これら
各部の動作を個別に制御する制御部B(図示せず)とを
備えている。
対し所定の再生動作を行う磁気抵抗効果型ヘッド11
と、この磁気抵抗効果型ヘッド1から読み出された再生
信号を検出する再生信号検出部2と、電流値設定部15
による設定後の磁気抵抗効果型ヘッド1に印加する読み
出し駆動部3とを備えている。再生信号検出部2の形態
として、これまで信号波形のピークを検出するピーク検
出方式が多く使用されてきたが、最近ではPRML方式
が使用される場合もある。また、この他に、通常の記録
および再生に必要な記録再生系(図示せず)と、これら
各部の動作を個別に制御する制御部B(図示せず)とを
備えている。
【0022】これを更に詳述すると、本発明の実施の形
態において、電流値設定部15は、略2倍以下に設定さ
れた電流を印加した後、通常読み出し時の電流値に戻し
読み出し動作をする機能と、略2倍以下に設定された電
流を瞬間的に印加する機能と、再生データのエラーが繰
り返し検出される度に、設定された電流値の大きさを徐
々に増加させる電流の段階的増加機能とを備えている。
態において、電流値設定部15は、略2倍以下に設定さ
れた電流を印加した後、通常読み出し時の電流値に戻し
読み出し動作をする機能と、略2倍以下に設定された電
流を瞬間的に印加する機能と、再生データのエラーが繰
り返し検出される度に、設定された電流値の大きさを徐
々に増加させる電流の段階的増加機能とを備えている。
【0023】具体的には、電流値設定部15は、再生エ
ラー検出部13において連続的に検出されるエラーの回
数nを計数し、その結果に応じて読み出し駆動部3に所
定の電流値を設定するようになっている。
ラー検出部13において連続的に検出されるエラーの回
数nを計数し、その結果に応じて読み出し駆動部3に所
定の電流値を設定するようになっている。
【0024】次に、本発明の実施の形態の動作を図3と
図4に基づいて詳細に説明する。なお、図3は、図1に
示す実施の形態のエラー解除動作を説明するフローチャ
ート、図4は、磁気抵抗効果ヘッドによる再生波形の一
例を示す説明図であり、(a)は、エラー解除動作を行
う前の歪んだ再生波形を示し、(b)は、エラー解除後
に得られる正常な再生波形を示す。
図4に基づいて詳細に説明する。なお、図3は、図1に
示す実施の形態のエラー解除動作を説明するフローチャ
ート、図4は、磁気抵抗効果ヘッドによる再生波形の一
例を示す説明図であり、(a)は、エラー解除動作を行
う前の歪んだ再生波形を示し、(b)は、エラー解除後
に得られる正常な再生波形を示す。
【0025】ホストコンピュータ20からディスクコン
トローラ12にデータの読み出し命令が入力されると、
ディスクコントローラ12によりディスクドライブ11
が制御され、磁気抵抗効果型ヘッド1から所定の再生信
号が出力される。読み出された再生信号は、再生信号検
出部2においてデジタルデータに変換された後、ディス
クコントローラ12に入力され、再生エラー検出部13
においてエラーが検出された場合には、データがディス
クコントローラ12のエラー補修部14に入力される。
ここで、エラーが補修され正常なデータを得ることがで
きれば、そのデータがホストコンピュータ20に出力さ
れる。
トローラ12にデータの読み出し命令が入力されると、
ディスクコントローラ12によりディスクドライブ11
が制御され、磁気抵抗効果型ヘッド1から所定の再生信
号が出力される。読み出された再生信号は、再生信号検
出部2においてデジタルデータに変換された後、ディス
クコントローラ12に入力され、再生エラー検出部13
においてエラーが検出された場合には、データがディス
クコントローラ12のエラー補修部14に入力される。
ここで、エラーが補修され正常なデータを得ることがで
きれば、そのデータがホストコンピュータ20に出力さ
れる。
【0026】一方、エラー補修部14によりエラーを補
修することができなかった場合には、エラー補修部14
から制御部Aにその旨が通知される。このエラー補修不
可能の通知を受けた制御部Aは、予め準備されたエラー
対策プログラムを実行し、エラー修復のための一連の制
御命令をディスクドライブ11の制御部Bに入力する。
この制御命令に応答して、制御部Bは、磁気抵抗効果型
ヘッド1をトラック上に精度よく位置決めさせるための
動作を付勢し、その後、再度、データの読み出しを行わ
せる。
修することができなかった場合には、エラー補修部14
から制御部Aにその旨が通知される。このエラー補修不
可能の通知を受けた制御部Aは、予め準備されたエラー
対策プログラムを実行し、エラー修復のための一連の制
御命令をディスクドライブ11の制御部Bに入力する。
この制御命令に応答して、制御部Bは、磁気抵抗効果型
ヘッド1をトラック上に精度よく位置決めさせるための
動作を付勢し、その後、再度、データの読み出しを行わ
せる。
【0027】以上のエラー対策処理によっても同一の再
生データにエラーが検出される場合は、磁気抵抗効果型
ヘッド1のMR膜部において磁区構造に不都合な変化が
生じたと判断し、図3に示すエラー解除動作が付勢され
る。かかる場合、再生波形は図4(a)に示すように出
力電圧が低い状態であったり、上下非対称な波形の状態
にあり、エラーが多発することが知られている。
生データにエラーが検出される場合は、磁気抵抗効果型
ヘッド1のMR膜部において磁区構造に不都合な変化が
生じたと判断し、図3に示すエラー解除動作が付勢され
る。かかる場合、再生波形は図4(a)に示すように出
力電圧が低い状態であったり、上下非対称な波形の状態
にあり、エラーが多発することが知られている。
【0028】エラー解除動作について説明する。まず、
電流値設定部15において装備されたカウンタnにn=
1が設定される(ステップS01)。続いて、電流値設
定部15は、本実施例において、通常の電流の(n×1
0+100)%に相当する電流値を、読み出し駆動部3
に設定する(ステップS02)。次に、制御部Bが読み
出し駆動部3の動作を付勢し、読み出し駆動部3から磁
気抵抗効果型ヘッド1に通常の110%(n×10+1
00%)の電流が印加される(ステップS03)。これ
により、磁気抵抗効果ヘッド1のMR膜部の磁区構造が
僅かに変化される。次に、制御部Bは、エラーの対象に
なっていたデータを再度、再生する(ステップS0
4)。
電流値設定部15において装備されたカウンタnにn=
1が設定される(ステップS01)。続いて、電流値設
定部15は、本実施例において、通常の電流の(n×1
0+100)%に相当する電流値を、読み出し駆動部3
に設定する(ステップS02)。次に、制御部Bが読み
出し駆動部3の動作を付勢し、読み出し駆動部3から磁
気抵抗効果型ヘッド1に通常の110%(n×10+1
00%)の電流が印加される(ステップS03)。これ
により、磁気抵抗効果ヘッド1のMR膜部の磁区構造が
僅かに変化される。次に、制御部Bは、エラーの対象に
なっていたデータを再度、再生する(ステップS0
4)。
【0029】この再生時に、通常の電流の(n×10+
100)%に相当する電流値を磁気抵抗効果ヘッド1に
印加して、読み出し動作を実施しても良いし、通常の電
流値に戻して印加して、読み出し動作を実施しても良
い。電流増加に伴う発熱によるエレクトロマイグレーシ
ョンが原因でMR膜の寿命が低下する現象が実験的に確
認されているので、これを考慮すると、通常の電流値に
戻して読み出し動作を実施するのが良い。また、磁気抵
抗効果型ヘッド1に印加する電流値が通常設定されてい
る電流値よりも大きくなるほど、再生波形の上下非対称
性が悪化することからも、通常の電流値で読み出し動作
を実施する方が信頼性の高いディスク装置を提供でき
る。
100)%に相当する電流値を磁気抵抗効果ヘッド1に
印加して、読み出し動作を実施しても良いし、通常の電
流値に戻して印加して、読み出し動作を実施しても良
い。電流増加に伴う発熱によるエレクトロマイグレーシ
ョンが原因でMR膜の寿命が低下する現象が実験的に確
認されているので、これを考慮すると、通常の電流値に
戻して読み出し動作を実施するのが良い。また、磁気抵
抗効果型ヘッド1に印加する電流値が通常設定されてい
る電流値よりも大きくなるほど、再生波形の上下非対称
性が悪化することからも、通常の電流値で読み出し動作
を実施する方が信頼性の高いディスク装置を提供でき
る。
【0030】ここで、エラーが検出されず、正常なデー
タ読み出しを行うことができれば、電流値設定部15の
カウンタnにn=0を設定してエラー解除のための動作
を終了する(ステップS08)。この場合、再生データ
は図4(b)に示すように正常化される。
タ読み出しを行うことができれば、電流値設定部15の
カウンタnにn=0を設定してエラー解除のための動作
を終了する(ステップS08)。この場合、再生データ
は図4(b)に示すように正常化される。
【0031】一方、やはりエラーが検出される場合は、
nをカウントアップしてn=2とし(ステップS0
7)、幾分大きくなった電流の下で上述と同様の処理が
実行される。以上の動作は、本実施例において最大10
回まで行われ、最後は電流値を通常の2倍にして読み出
し動作を行う。
nをカウントアップしてn=2とし(ステップS0
7)、幾分大きくなった電流の下で上述と同様の処理が
実行される。以上の動作は、本実施例において最大10
回まで行われ、最後は電流値を通常の2倍にして読み出
し動作を行う。
【0032】このように、本発明の実施の形態によれ
ば、磁気抵抗効果型ヘッド1のMR膜部における磁区構
造が原因で再生データにエラーが検出される場合には、
電流設定部15が、電流の大きさを通常読み出し時の略
2倍以下に設定し、この電流値の下で読み出し動作が付
勢されるので、磁気抵抗効果型ヘッド1のMR膜部の磁
区構造に僅かな変化を生じせしめることができ、これに
より、従来解除不能であった磁区構造に起因する再生エ
ラーを、高い確率で解除することができる。従って、従
来発生していた致命的な欠陥である磁気抵抗効果型ヘッ
ド1のMR膜部の磁区構造に起因する修復不可能とされ
ていたエラーを抑制することができ、磁気ディスク装置
の信頼性の向上に有益である。
ば、磁気抵抗効果型ヘッド1のMR膜部における磁区構
造が原因で再生データにエラーが検出される場合には、
電流設定部15が、電流の大きさを通常読み出し時の略
2倍以下に設定し、この電流値の下で読み出し動作が付
勢されるので、磁気抵抗効果型ヘッド1のMR膜部の磁
区構造に僅かな変化を生じせしめることができ、これに
より、従来解除不能であった磁区構造に起因する再生エ
ラーを、高い確率で解除することができる。従って、従
来発生していた致命的な欠陥である磁気抵抗効果型ヘッ
ド1のMR膜部の磁区構造に起因する修復不可能とされ
ていたエラーを抑制することができ、磁気ディスク装置
の信頼性の向上に有益である。
【0033】そして、エラー解除動作の再試行にあた
り、設定した電流値を徐々に増加していくので、エラー
解除のための電流値を常に必要最低限に抑えることがで
き、これがため、電流増加に伴う発熱によるエレクトロ
マイグレーションが原因で磁気抵抗効果型ヘッド1のM
R膜の寿命が低下する現象を最小限に抑制することがで
きる。
り、設定した電流値を徐々に増加していくので、エラー
解除のための電流値を常に必要最低限に抑えることがで
き、これがため、電流増加に伴う発熱によるエレクトロ
マイグレーションが原因で磁気抵抗効果型ヘッド1のM
R膜の寿命が低下する現象を最小限に抑制することがで
きる。
【0034】また、電流値設定部15は、エラー解除動
作の試行を連続して10回までに制限し、エラー解除用
の電流が通常の2倍に達したところでエラー解除動作が
終了されるので、大電流の印加に伴う発熱が原因で磁気
抵抗効果型ヘッド1のMR膜部が溶断破壊されるのを未
然に防止でき、MR膜部の安全性が保たれる。
作の試行を連続して10回までに制限し、エラー解除用
の電流が通常の2倍に達したところでエラー解除動作が
終了されるので、大電流の印加に伴う発熱が原因で磁気
抵抗効果型ヘッド1のMR膜部が溶断破壊されるのを未
然に防止でき、MR膜部の安全性が保たれる。
【0035】更に、電流を印加する時間を最小限にする
ことによって、磁気抵抗効果型ヘッド1のMR膜の発熱
を抑制することが可能であり、発熱によるエレクトロマ
イグレーションも低減でき、磁気抵抗効果型ヘッド1の
寿命が向上できる。このことは磁気ディスク装置の寿命
向上に直結する。
ことによって、磁気抵抗効果型ヘッド1のMR膜の発熱
を抑制することが可能であり、発熱によるエレクトロマ
イグレーションも低減でき、磁気抵抗効果型ヘッド1の
寿命が向上できる。このことは磁気ディスク装置の寿命
向上に直結する。
【0036】これらに加え、電流値設定部15における
電流値は、試行を重ねる度に増加するカウンタnに基づ
いて一義的に設定される構成としたので、かかる構成の
設計が比較的容易である。
電流値は、試行を重ねる度に増加するカウンタnに基づ
いて一義的に設定される構成としたので、かかる構成の
設計が比較的容易である。
【0037】ここで、本発明の実施の形態によらず、エ
ラー解除動作の試行は1回に止めても良いし、また、再
試行を行う場合の電流の増加具合や試行回数についても
適宜設定されれば良い。
ラー解除動作の試行は1回に止めても良いし、また、再
試行を行う場合の電流の増加具合や試行回数についても
適宜設定されれば良い。
【0038】次に、本発明の第2の実施の形態を図5と
図6を参照して説明する。なお、図5は本発明の第2の
実施例の形態を示す概略構成図、図6は、図5に示すデ
ィスクドライブの内部構造を示す一部省略したブロック
図である。
図6を参照して説明する。なお、図5は本発明の第2の
実施例の形態を示す概略構成図、図6は、図5に示すデ
ィスクドライブの内部構造を示す一部省略したブロック
図である。
【0039】この第2の実施の形態によれば、再生エラ
ー検出部13と電流値設定部15をディスクドライブ1
1に備えても良い。エラー検出部14についても適切な
場所に配置されれば良い。
ー検出部13と電流値設定部15をディスクドライブ1
1に備えても良い。エラー検出部14についても適切な
場所に配置されれば良い。
【0040】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成され機能す
るので、磁気抵抗効果型ヘッドのMR膜部における磁区
構造が原因で再生データにエラーが検出される場合に
は、電流値設定部が、電流の大きさを通常時の略2倍以
下の電流値に設定し、この電流下で読み出し動作が付勢
されるので、磁気抵抗効果型ヘッドのMR膜の磁区構造
に変化を生ぜしめることができ、これにより、従来解除
不可能であった磁区構造に起因する再生エラーを、高い
確率で解除することができる。従って、従来発生してい
た致命的な欠陥であるMR膜の磁区構造に起因する修復
不能とされていたエラーを抑制することができ、磁気デ
ィスク装置の信頼性の向上にも利益がある。
るので、磁気抵抗効果型ヘッドのMR膜部における磁区
構造が原因で再生データにエラーが検出される場合に
は、電流値設定部が、電流の大きさを通常時の略2倍以
下の電流値に設定し、この電流下で読み出し動作が付勢
されるので、磁気抵抗効果型ヘッドのMR膜の磁区構造
に変化を生ぜしめることができ、これにより、従来解除
不可能であった磁区構造に起因する再生エラーを、高い
確率で解除することができる。従って、従来発生してい
た致命的な欠陥であるMR膜の磁区構造に起因する修復
不能とされていたエラーを抑制することができ、磁気デ
ィスク装置の信頼性の向上にも利益がある。
【0041】また、電流値設定部が、略2倍以下に設定
された電流を印加した後、通常読み出し時の電流値に戻
し読み出し動作をするので、電流増加に伴う発熱による
エレクトロマイグレーションが原因でMR膜の寿命が低
下する現象を最小限に抑制することができる。
された電流を印加した後、通常読み出し時の電流値に戻
し読み出し動作をするので、電流増加に伴う発熱による
エレクトロマイグレーションが原因でMR膜の寿命が低
下する現象を最小限に抑制することができる。
【0042】また、電流値設定部が、略2倍以下に設定
された電流を瞬間的に印加するので、電流増加に伴う発
熱を最小限に抑制し、発熱によるエレクトロマイグレー
ションが原因でMR膜の寿命が低下する現象をより確実
に回避することができる。
された電流を瞬間的に印加するので、電流増加に伴う発
熱を最小限に抑制し、発熱によるエレクトロマイグレー
ションが原因でMR膜の寿命が低下する現象をより確実
に回避することができる。
【0043】また、エラー解除動作の再試行にあたり、
設定した電流値を徐々に増加していくので、エラー解除
のための読み出し電流値を常に必要最低限に抑えること
ができ、これがため、エレメントマイグレーションに起
因するMR膜の寿命に対する悪影響を最小限に止めるこ
とができる。
設定した電流値を徐々に増加していくので、エラー解除
のための読み出し電流値を常に必要最低限に抑えること
ができ、これがため、エレメントマイグレーションに起
因するMR膜の寿命に対する悪影響を最小限に止めるこ
とができる。
【0044】上述したように、通常時の電流に比し略2
倍以下の電流を磁気抵抗効果型ヘッドに印加するにも拘
わらず、電流増加に伴う発熱を最小限に抑制し、発熱に
よるエレクトロマイグレーションが原因でMR膜の寿命
が低下する現象を確実に回避し、従来発生していた致命
的な欠陥である磁気抵抗効果型ヘッドのMR膜部の磁区
構造に起因する修復不可能とされていたエラーを抑制す
ることができ、磁気ディスク装置の信頼性を向上するこ
とができるという従来にない優れた磁気ディスク装置を
提供することができる。さらに、従来採用できなかった
磁区構造が不安定なMRヘッドの磁気ディスク装置への
搭載が可能になるため、従来に比し製造コストを低減で
き、生産性を高めるという効果もある。
倍以下の電流を磁気抵抗効果型ヘッドに印加するにも拘
わらず、電流増加に伴う発熱を最小限に抑制し、発熱に
よるエレクトロマイグレーションが原因でMR膜の寿命
が低下する現象を確実に回避し、従来発生していた致命
的な欠陥である磁気抵抗効果型ヘッドのMR膜部の磁区
構造に起因する修復不可能とされていたエラーを抑制す
ることができ、磁気ディスク装置の信頼性を向上するこ
とができるという従来にない優れた磁気ディスク装置を
提供することができる。さらに、従来採用できなかった
磁区構造が不安定なMRヘッドの磁気ディスク装置への
搭載が可能になるため、従来に比し製造コストを低減で
き、生産性を高めるという効果もある。
【図1】本発明の第1の実施の形態を示す概略構成図で
ある。
ある。
【図2】図1に示すディスクドライブの内部構造を示す
一部省略したブロック図である。
一部省略したブロック図である。
【図3】図1に示す実施の形態のエラー解除動作を説明
するフローチャートである。
するフローチャートである。
【図4】磁気抵抗効果ヘッドによる再生波形の一例を示
す説明図であり、図4(a)は、エラー解除動作を行う
前の歪んだ再生波形を示し、図4(b)は、エラー解除
後に得られる正常な再生波形を示す。
す説明図であり、図4(a)は、エラー解除動作を行う
前の歪んだ再生波形を示し、図4(b)は、エラー解除
後に得られる正常な再生波形を示す。
【図5】本発明の第2の実施の形態を示す概略構成図で
ある。
ある。
【図6】図5に示すディスクドライブの内部構造を示す
一部省略したブロック図である。
一部省略したブロック図である。
1 磁気抵抗効果型ヘッド 2 再生信号検出部 3 読み出し駆動部 10 磁気ディスク装置 11 ディスクドライブ 12 ディスクコントローラ 13 エラー補修部 14 再生エラー検出部 15 電流値設定部 20 ホストコンピュータ
Claims (7)
- 【請求項1】磁気ディスクに対し所定の磁気再生動作を
行う磁気抵抗効果型ヘッドと、 この磁気抵抗効果型ヘッドから読み出された再生データ
のエラーを検出する再生エラー検出部と、 この再生エラー検出部のエラー検出状況に応じて前記磁
気抵抗効果型ヘッドに印加される電流の大きさを通常読
み出し時に比して略2倍以下の値に設定する電流値設定
部と、 この電流値設定部により設定された電流を前記磁気抵抗
効果型ヘッドに印加する読み出し駆動部と、を備え、前
記設定された電流を印加した後に読み出し動作を行うこ
とを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項2】前記読み出し動作は、通常読み出し時の電
流値に戻して行うことを特徴とする請求項1記載の磁気
ディスク装置。 - 【請求項3】前記電流値設定部が、前記磁気抵抗効果型
ヘッドに前記略2倍以下に設定された電流を瞬間的に印
加することを特徴とする請求項1または2記載の磁気デ
ィスク装置。 - 【請求項4】前記電流値設定部は、前記再生データのエ
ラーが繰り返し検出される度に、設定された電流値の大
きさを徐々に増加させる電流の段階的増加機能を備えて
いることを特徴とする請求項1,2または3記載の磁気
ディスク装置。 - 【請求項5】前記設定された電流値の大きさは、通常の
電流に対し10%単位で増加させることを特徴とする請
求項4記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項6】前記再生エラー検出部と、前記電流値設定
部とは、ディスクコントローラ内に設けられ、 前記読み出し駆動部は、ディスクドライブ内に設けられ
ていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載
の磁気ディスク装置。 - 【請求項7】前記再生エラー検出部と、前記電流値設定
部と、前記読み出し駆動部とは、ディスクドライブ内に
設けられていることを特徴とする請求項1〜5のいずれ
かに記載の磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21277397A JPH1153717A (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21277397A JPH1153717A (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 磁気ディスク装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1153717A true JPH1153717A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16628162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21277397A Pending JPH1153717A (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1153717A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG102590A1 (en) * | 1999-08-27 | 2004-03-26 | Seagate Technology Llc | Method and apparatus for adaptive tuning bias current for a magnetoresistive head |
-
1997
- 1997-08-07 JP JP21277397A patent/JPH1153717A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG102590A1 (en) * | 1999-08-27 | 2004-03-26 | Seagate Technology Llc | Method and apparatus for adaptive tuning bias current for a magnetoresistive head |
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