JPH1152546A - Pattern inspection apparatus and pattern inspection method - Google Patents

Pattern inspection apparatus and pattern inspection method

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JPH1152546A
JPH1152546A JP20341697A JP20341697A JPH1152546A JP H1152546 A JPH1152546 A JP H1152546A JP 20341697 A JP20341697 A JP 20341697A JP 20341697 A JP20341697 A JP 20341697A JP H1152546 A JPH1152546 A JP H1152546A
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JP
Japan
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pattern
data
circuit
design
corner
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Application number
JP20341697A
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Japanese (ja)
Inventor
Mitsuo Tabata
光雄 田畑
Yasunao Isomura
育直 磯村
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Publication of JPH1152546A publication Critical patent/JPH1152546A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable the inspection of patterns with simple constitution despite of intricate shapes added with specific patterns by providing the apparatus with graphic addition circuits for adding specific pattern data to the corner parts of the patterns for the design data of the patterns. SOLUTION: The design data of the patterns is sent from a magnetic disk device 9 through a control computer 10 to a bit pattern generating circuit 11. The data developed to graphics in the bit pattern generating circuit 11 is subjected to the detection of the corner parts of the patterns by the graphic addition circuit 120, by which the pattern data corresponding to a mask formed with the patterns for correcting light proximity effect is generated and the data added with such specific patterns to the corner parts is sent to a data comparator circuit 8. Design pattern image data is formed in the data comparator circuit 8 and the point where the design data and the observed data do not coincide is decided as a defect.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を製作
するときに使用されるフォトマスク等のパターンを検査
するパターン検査装置、及びパターン検査方法に係り、
特に複雑な形状のパターンを検査するパターン検査装置
及びパターン検査方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern inspection apparatus and a pattern inspection method for inspecting a pattern such as a photomask used when manufacturing a semiconductor device.
In particular, the present invention relates to a pattern inspection apparatus and a pattern inspection method for inspecting a pattern having a complicated shape.

【0002】[0002]

【従来の技術】大規模集積回路(LSI)の製造におけ
る歩留まり低下の大きな原因の一つとして、デバイスを
フォトリソグラフィ技術で製造する際に使用されるフォ
トマスクまたはレチクルに生じている欠陥が挙げられ
る。歩留まりの向上のため、このような欠陥を検査する
装置の開発が行われ実用化されている。従来のマスク欠
陥検査装置は、大きく分けて次の2つの方法がある。
2. Description of the Related Art One of the major causes of a decrease in yield in the manufacture of large-scale integrated circuits (LSI) is a defect occurring in a photomask or a reticle used when manufacturing a device by photolithography. . In order to improve the yield, devices for inspecting such defects have been developed and put into practical use. Conventional mask defect inspection apparatuses are roughly classified into the following two methods.

【0003】(イ)一つは、一つのマスク上に同じパタ
ーンが描かれた2つのチップのパターンの光学像を調
べ、所定の光学検出手段と所定の受光素子によりパター
ンデータを検出し、検出された2つのパターンデータを
所定のデータ比較処理手段により比較してその違いを調
べることにより、欠陥の有無を調べるダイ・トゥー・ダ
イ(Die−to−die)方式と呼ばれる方法であ
る。
(A) One is to examine an optical image of a pattern of two chips in which the same pattern is drawn on one mask, and detect pattern data by a predetermined optical detecting means and a predetermined light receiving element. This is a method called a die-to-die method in which the presence or absence of a defect is checked by comparing the two pattern data obtained by a predetermined data comparison processing means and checking the difference.

【0004】(ロ)他の方法は、マスク上のパターンの
像を光学検出手段により検出し所定の受光素子によりパ
ターン像データを取得する一方、パターンの設計データ
を所定のデータ処理手段により処理して比較参照のため
の設計パターンデータを作り、パターン像データと設計
パターンデータとを所定の比較処理手段により処理して
欠陥の有無を調べるダイ・トゥー・データベース(Di
e−to−database)方式あるいは「設計デー
タ比較方式」と呼ばれる方法である。
(B) In another method, an image of a pattern on a mask is detected by an optical detecting means and pattern image data is obtained by a predetermined light receiving element, while design data of the pattern is processed by a predetermined data processing means. To create design pattern data for comparison and reference, and process the pattern image data and the design pattern data by a predetermined comparison processing means to check for the presence or absence of a defect.
This is a method called an “e-to-database” method or “design data comparison method”.

【0005】ダイ・トゥー・ダイ方式の場合、同じパタ
ーンが描かれた2つのチップ同士を比較しているため、
共通欠陥すなわち同じ場所に同じ欠陥が存在した場合、
その欠陥を検出できない欠点がある。一方設計データ比
較方式(ダイ・トゥー・データベース方式)の場合、パ
ターンの設計データとの絶対比較を行っているためこの
ような問題は生じない。このため、より精度の高いマス
クに対しては設計データ比較方式の検査が要求される傾
向にある。この設計データ比較方式では、前述したよう
に信頼性の高い検査ができる反面、設計データを高速で
処理するための高速デジタル処理技術が要求される。つ
まり、マスクには微細なパターンが密度濃く形成されて
おり、そのパターンデータの量も膨大である。
In the die-to-die method, two chips on which the same pattern is drawn are compared with each other.
If there is a common defect, that is, the same defect at the same location,
There is a disadvantage that the defect cannot be detected. On the other hand, in the case of the design data comparison method (die-to-database method), such a problem does not occur because the absolute comparison with the design data of the pattern is performed. For this reason, there is a tendency that an inspection using a design data comparison method is required for a mask having higher accuracy. In this design data comparison method, a highly reliable inspection can be performed as described above, but a high-speed digital processing technique for processing design data at high speed is required. In other words, fine patterns are formed on the mask at a high density, and the amount of pattern data is enormous.

【0006】設計データ比較方式を用いて検査を行う装
置としては例えば、文献、電子材料、1983年9月、
第47頁で示された装置、あるいは特公平1−4048
9号公報で示された技術等があげられる。図10および
11に、その検査方法および装置構成を示す。検査は光
学系等を用いて検査対象(マスク)2上のマスクパター
ン像を拡大する。すなわち、図10に示すようにマスク
2上の幅数百μm程度の細い短冊状の部分をマスク2を
搭載したテーブルを連続的に動かすことにより走査しな
がら測定して実行される。図11の概略構成図を参照し
て検査方法について簡単に述べる。XYテーブル1上に
マスク2を載置し、適当な光源3によってパターンを照
射する。対物レンズ4を用いてフォトダイオードアレイ
5にパターン像を結像して、センサー回路6でパターン
像を観測する。この観測データはA/D変換され、位置
回路7からの位置データとともにデータ比較回路8に送
られる。一方、パターンの設計データは磁気デスク装置
9から制御計算機10を通してビットパターン発生回路
(ビット展開回路)11に送られ、図形に展開されたデ
ータとしてデータ比較回路8に送られる。データ比較回
路8の前段では展開された図形データに適当なデータ処
理を行ない、光学的な点広がり関数に対応した設計パタ
ーンイメージデータを作成する。これは、観測データが
対物レンズ4の解像特性やフォトダイオードアレイ5の
アパーチャ効果によってフィルターが作用した状態とな
っているのに対して、元々の設計データにはこの情報が
含まれていないためである。つまり、データ処理を行う
ことにより、観測データに一致させた設計パターンイメ
ージデータを得ることができることになる。この両者を
データ比較回路8の後段で、所定のアルゴリズムにした
がって比較し、設計データと観測データが一致しないと
ころを欠陥と判定する。なお、上記方法では図10に示
すように検査対象(マスク)2を搭載したXYテーブル
を平均的に連続移動しながら、上記一連のデータ処理を
ほぼリアルタイムで行い、マスク全面を検査することに
なる。
As an apparatus for performing an inspection using the design data comparison method, for example, literatures, electronic materials, September 1983,
Apparatus shown on page 47, or Japanese Patent Publication No. 1-4048
No. 9 discloses a technique. 10 and 11 show the inspection method and the configuration of the apparatus. The inspection enlarges a mask pattern image on the inspection target (mask) 2 using an optical system or the like. That is, as shown in FIG. 10, the measurement is performed while scanning a thin strip-shaped portion having a width of about several hundred μm on the mask 2 by continuously moving a table on which the mask 2 is mounted. The inspection method will be briefly described with reference to the schematic configuration diagram of FIG. A mask 2 is placed on an XY table 1 and a pattern is irradiated by a suitable light source 3. A pattern image is formed on the photodiode array 5 using the objective lens 4, and the pattern image is observed by the sensor circuit 6. This observation data is A / D converted and sent to the data comparison circuit 8 together with the position data from the position circuit 7. On the other hand, the pattern design data is sent from the magnetic disk device 9 to the bit pattern generation circuit (bit expansion circuit) 11 through the control computer 10, and is sent to the data comparison circuit 8 as data expanded into a figure. In the preceding stage of the data comparison circuit 8, appropriate data processing is performed on the developed graphic data to create design pattern image data corresponding to the optical point spread function. This is because the observation data is in a state where the filter is actuated due to the resolution characteristics of the objective lens 4 and the aperture effect of the photodiode array 5, whereas the original design data does not include this information. It is. That is, by performing data processing, it is possible to obtain design pattern image data that matches the observation data. The two are compared at a subsequent stage of the data comparison circuit 8 according to a predetermined algorithm, and a portion where the design data and the observed data do not match is determined as a defect. Note that, in the above method, as shown in FIG. 10, while continuously moving the XY table on which the inspection object (mask) 2 is mounted on average, the above series of data processing is performed almost in real time to inspect the entire mask. .

【0007】図10および11に示した例に示されるよ
うに、従来の設計データ方式における設計データの扱い
としては、あるきまったルールで記述されて圧縮された
データをデジタル回路を用いて処理し2値あるいは多値
のデジタルデータに展開して比較用の参照データを作成
している。展開されたデータはデータ量が膨大になるた
め、このデータ処理は通常リアルタイムで行われる。す
なわち、マスクパターンを適当な幅で切り出し、その幅
のパルスパターン像のデータを取得するとともに、対応
する設計データを逐次展開処理し参照データを作成し、
パターン像データと参照データとを比較していく。
As shown in the examples shown in FIGS. 10 and 11, the handling of design data in the conventional design data system is to process data compressed and described by a certain rule using a digital circuit. It is developed into binary or multi-valued digital data to create reference data for comparison. This data processing is usually performed in real time because the amount of expanded data is enormous. That is, the mask pattern is cut out at an appropriate width, the data of the pulse pattern image of that width is obtained, and the corresponding design data is sequentially developed to create reference data.
The pattern image data is compared with the reference data.

【0008】一方、パターンの微細化が進むにつれて、
光リソグラフィの解像性能を向上させるため、図12に
示すような光近接効果補正用パターン42〜45が付加
されたフォトマスクが、頻繁に使用されるようになって
きた(例えば、アール,プフォー等(R.Pforr,
et.al.)による文献エス・ピー・アイ・イー(S
PIE)2440巻、第150−170頁、1995年
等がある。
On the other hand, as the pattern becomes finer,
In order to improve the resolution performance of optical lithography, photomasks to which optical proximity effect correction patterns 42 to 45 are added as shown in FIG. 12 have been frequently used (for example, R, Pfour). (R. Pforr,
et. al. ) By S.P.I.E. (S
PIE) 2440, pp. 150-170, 1995 and the like.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上述した設計データ比
較方式においては、リアルタイムで所定の処理を行うた
めに、データ処理回路は高速デジタル処理回路が採用し
たとしても、扱うデータの規模によってはおのずと限界
がある。
In the above-described design data comparison method, since a predetermined processing is performed in real time, even if a high-speed digital processing circuit is used as the data processing circuit, the data processing circuit naturally has a limit depending on the scale of data to be handled. There is.

【0010】特に現行の設計データ比較方式による検査
装置を使って図12に示したような光近接効果補正用パ
ターン42〜45を付加したマスクを検査する場合、設
計データ量の増大がする。符号イで示した元図形パター
ン31は矩形数1であるのに対し、光近接効果補正用パ
ターン42〜45は矩形ロ,ハ,ニ,ホ,ヘ,ト,チ,
リの8個が追加された9個の矩形パターンを有し、デー
タ量は9倍となる。このため光近接効果補正用パターン
42〜45を付加したマスクはデータ処理時間がかかり
すぎ処理能力を越えてしまう問題が生じる。つまり、光
近接効果補正用パターン42〜45が付加されたがため
に前述したデータ処理回路の処理時間が増えてリアルタ
イム処理が満足できなくなるという問題があった。
In particular, when inspecting a mask to which the optical proximity effect correction patterns 42 to 45 are added as shown in FIG. 12 using an existing inspection apparatus based on a design data comparison method, the amount of design data increases. The original graphic pattern 31 indicated by the symbol a has the number of rectangles 1, whereas the optical proximity effect correction patterns 42 to 45 have the rectangles b, c, d, e, e, f, t, j, and d.
There are nine rectangular patterns with eight of them added, and the data amount is nine times as large. For this reason, the mask to which the optical proximity effect correction patterns 42 to 45 are added takes a long time to process data, causing a problem that the processing capability is exceeded. That is, since the optical proximity effect correction patterns 42 to 45 are added, there is a problem that the processing time of the data processing circuit described above increases and real-time processing cannot be satisfied.

【0011】上記問題点に鑑み本発明は光近接効果補正
用のパターン等の特定のパターンが付加された特殊かつ
複雑な形状であってもデータ処理回路中のメモリ容量の
増大やハードウェアの複雑化等を伴うことなく簡単な構
成でパターンの検査が可能なパターン検査装置を提供す
ることである。
In view of the above problems, the present invention increases the memory capacity in a data processing circuit and the complexity of hardware even in a special and complicated shape to which a specific pattern such as a pattern for optical proximity effect correction is added. It is an object of the present invention to provide a pattern inspection apparatus capable of inspecting a pattern with a simple configuration without any modification.

【0012】本発明の他の目的は特定のパターンが付加
されたため複雑な形状をしたパターンであっても短時間
でかつ正確にパターンの検査が可能なパターン検査装置
を提供することである。
Another object of the present invention is to provide a pattern inspection apparatus capable of inspecting a pattern in a short time and accurately even if the pattern has a complicated shape because a specific pattern is added.

【0013】本発明のさらに他の目的は特定のパターン
が付加された複雑なパターンを有する検査対象を、短時
間で正確に測定することが可能なパターン検査方法を提
供することである。
Still another object of the present invention is to provide a pattern inspection method capable of accurately measuring an inspection object having a complicated pattern to which a specific pattern is added in a short time.

【0014】本発明のさらに他の目的は特定のパターン
のサイズや形状が異なる場合であっても簡単かつ迅速に
高精度な検査が可能なパターン検査方法を提供すること
である。
Still another object of the present invention is to provide a pattern inspection method capable of easily and quickly performing high-precision inspection even when the size and shape of a specific pattern are different.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明はパターンが形成された検査対象に所定の
波長の光を照射し、その透過光あるいは反射光を所定の
光学系および受光素子によって検出してパターン像に対
応する観測データを取得するとともに、このパターンに
略対応するパターンの設計データを入力し、パターン設
計データに基づいて2値あるいは多値の設計パターンイ
メージデータを作り出し、この設計パターンイメージデ
ータと観測データとを比較することによりパターンの欠
陥検査を行う設計データ比較方式のパターン検査装置で
あって、比較に必要な設計パターンイメージデータを作
り出す際に、パターンのコーナー部を自動で検知し、検
知したパターンデータのコーナー部分に特定のパターン
データを付加する図形付加回路を少なくとも具備するパ
ターン検査装置であることを第1の特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention irradiates a pattern-formed inspection object with light having a predetermined wavelength and transmits or reflects the transmitted light or reflected light to a predetermined optical system and a light receiving element. In addition to obtaining observation data corresponding to the pattern image by detecting the pattern data, the design data of the pattern substantially corresponding to the pattern is input, and binary or multi-valued design pattern image data is created based on the pattern design data. This is a design data comparison type pattern inspection system that performs pattern defect inspection by comparing design pattern image data with observation data, and automatically creates pattern pattern image data required for comparison. Diagram of adding specific pattern data to corners of detected pattern data A first feature in that an additional circuit is a pattern inspection apparatus characterized by at least.

【0016】上記本発明の第1の特徴の構成によれば、
入力する設計パターンデータとしては上記特定パターン
が付加されてない設計データを入力すればよいので設計
データ量が増大しない。すなわち、光近接効果補正用の
パターン等の特定パターンが形成されたマスクであって
も、扱うデータは従来と同じで良いため、設計データ量
の増大によりデータ処理時間がかかりすぎ処理能力を越
えてしまう問題が生じない。また、入力した設計データ
から設計パターンイメージデータを作り出す際に、パタ
ーンのコーナー部を自動で検知し、さらに検知したパタ
ーンデータのコーナー部分に特定のパターンデータを付
加するため、データ比較の参照データとしてはマスクパ
ターンに形成されたパターンと対応したパターンデータ
を用いることと同等になる。したがって、入力データが
実際のマスクパターンと異なることによって検査ができ
なくなったり、疑似的な欠陥が増大したりすることはな
く、通常のパターンが形成されたマスクと同等の検査が
可能となる。
According to the configuration of the first aspect of the present invention,
As design pattern data to be inputted, design data to which the specific pattern is not added may be inputted, so that the amount of design data does not increase. That is, even with a mask on which a specific pattern such as a pattern for optical proximity effect correction is formed, the data to be handled may be the same as the conventional one. No problem occurs. Also, when creating design pattern image data from input design data, it automatically detects the corners of the pattern and adds specific pattern data to the corners of the detected pattern data. Is equivalent to using pattern data corresponding to the pattern formed in the mask pattern. Therefore, the inspection cannot be performed because the input data is different from the actual mask pattern, and the number of pseudo defects does not increase, so that the same inspection as that of the mask on which the normal pattern is formed can be performed.

【0017】より具体的には、本発明の第1の特徴の図
形付加回路はコーナーパターン検出ウィンドウ回路と、
コーナーパターン検出ウィンドウ回路の出力端子に接続
された飾りパターンデータ発生回路と、コーナーパター
ン検出回路の入力端子及び飾りパターンデータ発生回路
の出力端子の双方に接続された図形合成回路を含むよう
に構成することが望ましい。図形合成回路で論理和(O
R)演算することにより特定パターンが付加されていな
い元図形パターンと特定パターンに対応した付加ビット
パターンが合成される。
More specifically, the figure adding circuit according to the first feature of the present invention includes a corner pattern detecting window circuit,
The decorative pattern data generating circuit connected to the output terminal of the corner pattern detecting window circuit, and the graphic synthesizing circuit connected to both the input terminal of the corner pattern detecting circuit and the output terminal of the decorative pattern data generating circuit are included. It is desirable. Logical OR (O
R) By performing the operation, the original graphic pattern to which the specific pattern is not added and the additional bit pattern corresponding to the specific pattern are combined.

【0018】本発明の第2の特徴は、コーナー部分に特
定のパターンが付加されて回路パターンが形成されてい
る半導体リソグラフィ用マスク等の検査対象のパターン
欠陥を検査する方法に係る。すなわち本発明の第2の特
徴は検査対象に所定の波長の光を照射し、その透過光あ
るいは反射光を所定の光学系と受光素子によって検出し
てパターン像に対応する観測データを取得するととも
に、特定のパターンが付加されてない設計データから特
定のパターンが付加されるべきコーナー部を自動で検出
し、検出したコーナー部分に特定のパターンデータを付
加し、特定パターンが付加された設計データから設計パ
ターンイメージデータを作り出し、設計パターンイメー
ジデータと取得した観測データとを比較するパターン検
査方法であることである。ここで、コーナー部分に付加
される特定のパターンとしては、光近接効果補正用パタ
ーン等を用いることができる。
A second feature of the present invention relates to a method of inspecting a pattern defect to be inspected such as a semiconductor lithography mask having a circuit pattern formed by adding a specific pattern to a corner portion. That is, the second feature of the present invention is to irradiate the inspection object with light of a predetermined wavelength, detect the transmitted light or the reflected light with a predetermined optical system and a light receiving element, and obtain observation data corresponding to the pattern image. Automatically detects corners where specific patterns should be added from design data to which specific patterns have not been added, and adds specific pattern data to the detected corners. This is a pattern inspection method that creates design pattern image data and compares the design pattern image data with acquired observation data. Here, as the specific pattern added to the corner portion, an optical proximity effect correction pattern or the like can be used.

【0019】本発明の第2の特徴によれば、入力する設
計パターンデータとしては特定パターンが付加されてな
い設計データを入力するため、処理対象となるデータ量
は少なくてよい。すなわち、光近接効果補正用のパター
ン等の特定のパターンが付加されたマスクであっても、
扱うデータはこれらの特定のパターンが無い場合と同じ
で良いため、設計データ量の増大によりデータ処理時間
がかかりすぎ処理能力を越えてしまう問題が生じない。
また、入力した設計データから設計パターンイメージデ
ータを作り出す際に、パターンのコーナー部を自動で検
知し、さらに検知したパターンデータのコーナー部分に
特定のパターンデータを付加しているのでデータ比較の
参照データとしてはマスクパターンに形成されたパター
ンと対応したパターンデータを用いることと同等にな
る。したがって、入力データが実際のマスクパターンと
異なることによって検査ができなくなったり、疑似的な
欠陥が増大したりすることはなく、通常のパターンが形
成されたマスクと同等の検査が可能となる。
According to the second feature of the present invention, since design data to which a specific pattern is not added is input as design pattern data to be input, the amount of data to be processed may be small. That is, even with a mask to which a specific pattern such as a pattern for optical proximity effect correction is added,
Since the data to be handled may be the same as when there is no specific pattern, there is no problem that the data processing time is too long due to an increase in the design data amount and the processing capacity is exceeded.
Also, when creating design pattern image data from the input design data, the corners of the pattern are automatically detected, and specific pattern data is added to the corners of the detected pattern data. Is equivalent to using pattern data corresponding to the pattern formed in the mask pattern. Therefore, the inspection cannot be performed because the input data is different from the actual mask pattern, and the number of pseudo defects does not increase, so that the same inspection as that of the mask on which the normal pattern is formed can be performed.

【0020】本発明の第2の特徴においては、コーナー
部分に付加する特定のパターンの形状及び大きさを、外
部からの設定により変更可能とすることが好ましい。こ
の外部からの設定はパターンデータのコーナー部分に特
定のパターンデータを付加するための図形付加回路を複
数個用意し、特定のパターンの形状及び大きさに適合す
るように、そのうちから所望の図形付加回路を選択する
ようにすればよい。
In the second aspect of the present invention, it is preferable that the shape and size of a specific pattern added to a corner portion can be changed by an external setting. For this external setting, a plurality of figure adding circuits for adding specific pattern data to the corners of the pattern data are prepared, and a desired figure is added from among them so as to match the shape and size of the specific pattern. What is necessary is just to select a circuit.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図1は本発明の実施の形態に係る
パターン検査装置の概略を示す模式図である。本発明の
パターン検査装置は図11に示した従来のパターン検査
装置の改良に係り、ビットパターン発生回路(ビット展
開回路)11とデータ比較回路8との間に、図形付加回
路120を挿入した点を特徴としている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram showing an outline of a pattern inspection apparatus according to an embodiment of the present invention. The pattern inspection apparatus according to the present invention relates to an improvement of the conventional pattern inspection apparatus shown in FIG. 11, in which a figure adding circuit 120 is inserted between a bit pattern generation circuit (bit expansion circuit) 11 and a data comparison circuit 8. It is characterized by.

【0022】すなわち、本発明のパターン検査装置は検
査対象となるマスク2を載置するXYテーブル1とこれ
に対して検査用の光を照射する光源3とこれを検出する
フォトダイオードアレイ等の検出器5を光学的検査手段
の基本としている。そしてXYテーブル1上にマスク2
を載置し、光源3によってマスク2のパターンを照射す
る。光は集光レンズ13により集光されマスク2上に照
射される。マスクを通過した光はXYテーブル1の下に
配置された対物レンズ4を用いてフォトダイオードアレ
イ5にパターン像を結像する。対物レンズ4はピエゾ素
子70により位置が調整され焦点距離が制御される。マ
スク1の動きはレーザ測長システム71で測定される。
レーザ測長システム71の出力はレーザ測長システムに
接続された位置回路7に入力される。
That is, the pattern inspection apparatus according to the present invention detects an XY table 1 on which a mask 2 to be inspected is placed, a light source 3 for irradiating inspection light to the XY table 1, and a photodiode array or the like for detecting this. The vessel 5 is the basis of the optical inspection means. Then, a mask 2 is placed on the XY table 1.
And the pattern of the mask 2 is irradiated by the light source 3. The light is condensed by the condensing lens 13 and is irradiated on the mask 2. The light that has passed through the mask forms a pattern image on the photodiode array 5 using the objective lens 4 arranged below the XY table 1. The position of the objective lens 4 is adjusted by the piezo element 70 and the focal length is controlled. The movement of the mask 1 is measured by a laser length measuring system 71.
The output of the laser length measuring system 71 is input to a position circuit 7 connected to the laser length measuring system.

【0023】フォトダイオードアレイ5はセンサー回路
6に接続され、センサー回路6はデータ比較回路8に接
続されている、データ比較回路8は位置回路7に接続さ
れている。フォトダイオードアレイに結像したパターン
像はセンサー回路6でパターン像として観測され、観測
データを出力する。この観測データはA/D変換され、
位置回路7からの位置データとともにデータ比較回路8
に送られる。
The photodiode array 5 is connected to a sensor circuit 6, and the sensor circuit 6 is connected to a data comparison circuit 8. The data comparison circuit 8 is connected to a position circuit 7. The pattern image formed on the photodiode array is observed as a pattern image by the sensor circuit 6, and outputs observation data. This observation data is A / D converted,
Data comparison circuit 8 together with the position data from position circuit 7
Sent to

【0024】本発明の実施の形態に係るパターン検査装
置はさらに制御計算機(CPU)10を有している。制
御計算機10にはバス61を介して磁気ディスク装置
9、磁気テープ装置91、フロッピーディスク装置9
2、ビットパターン発生回路(ビット展開回路)11が
接続されている。さらに制御計算機10にはバス62を
介してオートローダ制御回路81、テーブル制御回路8
2、オートフォーカス制御回路83、データ比較回路
8、位置回路7、コンソール93、パターンモニタ9
4、磁気カード装置95、ミニプリンタ96等が接続さ
れている。そしてビットパターン発生回路11とデータ
比較回路8の間に前述した図形付加回路120が接続さ
れている。
The pattern inspection apparatus according to the embodiment of the present invention further has a control computer (CPU) 10. The control computer 10 is connected to the magnetic disk device 9, the magnetic tape device 91, the floppy disk device 9 via the bus 61.
2. A bit pattern generation circuit (bit expansion circuit) 11 is connected. Further, the control computer 10 has an autoloader control circuit 81 and a table control circuit 8 via a bus 62.
2, auto focus control circuit 83, data comparison circuit 8, position circuit 7, console 93, pattern monitor 9
4. A magnetic card device 95, a mini printer 96 and the like are connected. The above-described graphic adding circuit 120 is connected between the bit pattern generating circuit 11 and the data comparing circuit 8.

【0025】パターンの設計データは磁気ディスク装置
9から制御計算機10を通してビットパターン発生回路
11に送られる。ビットパターン発生回路11で図形に
展開されたデータは図形付加回路120により光近接効
果補正用のパターンが形成されたマスクに対応したパタ
ーンデータが発生され、この特定パターンが付加された
データがデータ比較回路8に送られる。データ比較回路
8の前段では展開された図形データに適当なデータ処理
を行ない、光学的な点広がり関数に対応した設計パター
ンイメージデータを作成する。これは、観測データが対
物レンズ4の解像特性やフォトダイオードアレイ5のア
パーチャ効果によってフィルターが作用した状態となっ
ているのに対して、元々の設計データにはこの情報が含
まれていないためである。つまり、データ処理を行うこ
とにより、観測データに一致させた設計パターンイメー
ジデータを得ることができことになる。この両者をデー
タ比較回路8の後段で、所定のアルゴリズムにしたがっ
て比較し、設計データと観測データが一致しないところ
を欠陥と判定する。なお、本発明の実施の形態に係るパ
ターン検査装置では検査対象(マスク)2を搭載したX
Yテーブル1をテーブル制御回路82により平面的に連
続移動しながら、上記一連のデータ処理をほぼリアルタ
イムで行い、マスク全面を検査する。
The pattern design data is sent from the magnetic disk drive 9 to the bit pattern generation circuit 11 through the control computer 10. The data developed into the graphic by the bit pattern generating circuit 11 is generated by the graphic adding circuit 120 to generate pattern data corresponding to the mask on which the pattern for optical proximity effect correction is formed, and the data to which the specific pattern is added is compared with the data. It is sent to the circuit 8. In the preceding stage of the data comparison circuit 8, appropriate data processing is performed on the developed graphic data to create design pattern image data corresponding to the optical point spread function. This is because the observation data is in a state where the filter is actuated due to the resolution characteristics of the objective lens 4 and the aperture effect of the photodiode array 5, whereas the original design data does not include this information. It is. In other words, by performing data processing, it is possible to obtain design pattern image data that matches the observation data. The two are compared at a subsequent stage of the data comparison circuit 8 according to a predetermined algorithm, and a portion where the design data and the observed data do not match is determined as a defect. Note that, in the pattern inspection apparatus according to the embodiment of the present invention, the X on which the inspection target (mask) 2 is mounted is set.
While continuously moving the Y table 1 in a plane by the table control circuit 82, the above series of data processing is performed almost in real time, and the entire mask is inspected.

【0026】以下に図形付加回路の詳細について述べ
る。本発明の図形付加回路は図2に示すように、コーナ
ーパターン検出ウィンドウ回路21と、コーナー部に付
加する飾りパターンデータ発生回路22と、図形合成回
路23とからなる。
The details of the figure adding circuit will be described below. As shown in FIG. 2, the figure adding circuit of the present invention includes a corner pattern detecting window circuit 21, a decorative pattern data generating circuit 22 for adding a corner portion, and a figure synthesizing circuit 23.

【0027】コーナーパターン検出ウィンドウ回路21
は、検査の基準となる元図形パターンデータCが順次入
力される毎に、所定のビット構成のコーナーパターン検
出プレートを作用させて、コーナーに飾パターンを付加
すべきパターンが含まれているか否かを検出する。飾り
パターンを付加すべきパターンを検出した場合は、コー
ナーパターン検出ウィンドウ回路21は、一致検出した
図形を示す図形コードHと共に、特徴に一致する旨のフ
ラグIを立てる。飾りパターンデータ発生回路22は、
コーナーパターン検出ウィンドウ回路21のフラグIが
立った場合に、コーナーパターン検出ウィンドウ回路2
1が出力した図形コードHに応じた飾りパターンJを発
生する。なお、これらの図形コードHは、パターンのコ
ーナーの向き、凹凸の別などで区別する。飾りパターン
データ発生回路22は、飾りパターンを付加処理する前
の元図形パターンのうち、飾りパターンを付加すべきビ
ットの位置にデータ“1”を立て、それ以外をデータ
“0”としたビットパターンを発生させる。
Corner pattern detection window circuit 21
Is to determine whether or not a pattern to which a decorative pattern should be added to a corner is included by operating a corner pattern detection plate having a predetermined bit configuration every time the original figure pattern data C serving as a reference for inspection is sequentially input. Is detected. When a pattern to which a decorative pattern is to be added is detected, the corner pattern detection window circuit 21 sets a flag I indicating that the feature coincides, together with a graphic code H indicating the graphic whose coincidence has been detected. The decoration pattern data generation circuit 22
When the flag I of the corner pattern detection window circuit 21 is set, the corner pattern detection window circuit 2
1 generates a decorative pattern J corresponding to the graphic code H output. Note that these graphic codes H are distinguished by the direction of the corner of the pattern, the type of unevenness, and the like. The decoration pattern data generation circuit 22 sets the data “1” at the position of the bit to which the decoration pattern is to be added in the original graphic pattern before the decoration pattern addition processing, and sets the other data as the data “0”. Generate.

【0028】図3(a)は元図形パターン31を示す。
そして図3(b)〜(e)はこの元図形パターン31に
対してコーナーパターン検出ウィンドウ回路21で検出
したコーナーパターンを示す。また図3(f)〜(i)
は、飾りパターンデータ発生回路22で発生する、元図
形パターン31に対応する飾りパターン32〜35を例
示したものである。図形合成回路23は、元図形パター
ン31と付加ビットパターン(飾りパターン)32〜3
5とをビット毎の論理和(OR)演算する。即ち、飾パ
ターン32〜35は図3(b)〜(e)に示すコーナー
パターンのビットが“1”であるビットだけを白黒反転
(データの“0”,“1”を反転)したパターンにほぼ
対応することになる。図3に示すパターンの処理結果は
図4に示す様になる。
FIG. 3A shows an original figure pattern 31.
FIGS. 3B to 3E show corner patterns detected by the corner pattern detection window circuit 21 with respect to the original graphic pattern 31. FIG. 3 (f) to 3 (i)
5 illustrates decorative patterns 32-35 corresponding to the original graphic pattern 31 generated by the decorative pattern data generating circuit 22. The graphic synthesizing circuit 23 includes an original graphic pattern 31 and additional bit patterns (decorative patterns) 32 to 3.
5 and a logical sum (OR) operation for each bit. That is, the decorative patterns 32 to 35 are obtained by inverting only the bits of the corner pattern shown in FIGS. 3B to 3E whose bits are “1” into black and white (inverting data “0” and “1”). It almost corresponds. The processing result of the pattern shown in FIG. 3 is as shown in FIG.

【0029】図2のブロック図に示した概念に従って、
1ビット飾り付加処理をする具体的な回路構成の例を図
5に、その動作例を図6に示す。ここで「nビット飾
り」は図7に示すように元図形パターン31のコーナー
端から飾りパターン32,33,34,35の端までの
長さを図形のビット(最小単位)で割った値で表わすも
のと定義する。図5に示すように本発明の実施の形態に
係る図形付加回路はROM(読出し専用メモリ)51
と、ROM51のアドレス側に接続されたラッチ52
a,52b,52cと、ROM51のデータ側に接続さ
れたラッチ52d,52e、ORゲート54a〜54
c,55a〜55cと、ORゲート55a〜55cの出
力側に接続されたORゲート56a〜56cとを具備し
ている。ORゲート56a〜56cにはORゲート55
a〜55cの出力と共に、ラッチ52cの出力も入力す
る。ラッチ52cの出力は元図形パターンに対応する。
さらにラッチ52a〜52eにはシフトクロック発振器
53が接続されている。
According to the concept shown in the block diagram of FIG.
FIG. 5 shows an example of a specific circuit configuration for performing 1-bit decoration addition processing, and FIG. 6 shows an operation example thereof. Here, "n-bit decoration" is a value obtained by dividing the length from the corner end of the original figure pattern 31 to the end of the decoration pattern 32, 33, 34, 35 by the figure bit (minimum unit) as shown in FIG. Is defined as As shown in FIG. 5, the figure adding circuit according to the embodiment of the present invention includes a ROM (read only memory) 51.
And a latch 52 connected to the address side of the ROM 51.
a, 52b, 52c, latches 52d, 52e connected to the data side of the ROM 51, and OR gates 54a-54.
c, 55a to 55c, and OR gates 56a to 56c connected to the output sides of the OR gates 55a to 55c. OR gate 55 is connected to OR gates 56a to 56c.
The output of the latch 52c is input together with the outputs of a to 55c. The output of the latch 52c corresponds to the original figure pattern.
Further, a shift clock oscillator 53 is connected to the latches 52a to 52e.

【0030】図5においてROM51,ラッチ52a〜
52cでコーナーパターン検出ウィンドウ回路21が構
成され、ROM51,ラッチ52d,52e,ORゲー
ト54a〜54c,55a〜55cで飾りパターンデー
タ発生回路22が構成され、ORゲート56a〜56c
で図形合成回路23が構成される。コーナーパターン検
出ウィンドウ回路21は、2次元のパターンマッチング
を検出する機能があり、構成方法はあらゆる手段が適用
できるが、ここでは、ROM51を使った例を説明す
る。ROM51を使用すると、コーナーパターン検出機
能とマスキングパターンデータ発生機能との両方を一度
に実現できる。ROM51はコーナーパターン検出する
ビット構成数によって必要な容量が決まる。つまり、3
×3ビットでパターンを検出する場合には、9ビットの
アドレス線と9ビットのデータ出力を持ったROMが必
要になる。また、4×4ビットのウィンドウを構成する
場合は、16ビットのデータ出力が必要になる。コーナ
ーのパターンの大きさ(ビット数)をコーナー辺のビッ
ト数で表現すると、本発明の実施の形態のコーナーパタ
ーン検出ウィンドウは、nビット飾り付加処理の場合に
は図7に示すようにn+2ビットのマトリックスが必要
になる。図3の例は2ビット飾り付加処理のための4×
4ビットのウィンドウを示している。図5に示す回路
は、1ビット飾り付加処理の場合であり、3×3ビット
=9ビットの入出力を持ったROMになる。図5の構成
で使用するROM51に書き込むデータの様子を、図8
に示す。元図形パターンの白を“0”、黒を“1”と決
めている。ROM51のアドレス線A0〜A8に走査検
出するパターンを供給すると、入力するパターンによっ
てROM51内のアドレスが一義的に決まる。所定のビ
ット構成になった場合に、その図形パターンに相当する
飾りパターンデータを、そのアドレスに予め書き込んで
おく。すなわち設計データには飾り処理すべきか否かの
情報を含ませておく。もし、飾り処理すべきパターンに
該当しない入力パターンならば、飾りパターンデータ
は、全ビットが“0”である。図5において、元図形パ
ターンのストライプデータは、シフトクロック発振器5
3のクロックに従って、データラッチ52aにシフトラ
ッチされる。ROM51のアドレス線には、ラッチ52
a〜52cのラッチ結果が接続され、3×3ビットの2
次元パターンを検定できる。よって、ROM51には3
×3ビットのパターンを1ビットずつシフトしながら走
査することになる。そして、検出の結果の飾りパターン
データは3×3ビット分が一度に得られるが、パイプラ
イン処理で元図形パターンとタイミングを合わせるため
に、3ビットずつ遅延ラッチ52d,52eに一時的に
保持されて、図形合成回路の機能があるORゲート56
a〜56cに入力される。つまり、ROM51のアドレ
ス線A0〜A2に入力したビットに対応するマスクパタ
ーンはデータ線D6〜D8から出力され、そのままのク
ロック周期内で図形合成回路23としてのORゲート5
6a〜56cに入力する。また、アドレス線A3〜A5
に入力したビットに対応するマスクパターンはデータ線
D3〜D5から出力され、遅延ラッチ52eでクロック
1段分の遅延を掛けた後、ORゲート56a〜56cに
入力する。そして、アドレス線A6〜A8に入力したビ
ットに対応するマスクパターンはデータ線D0〜D2か
ら出力され、遅延ラッチ52d,52eでクロック2段
分の遅延をかけた後、ORゲート56a〜56cに入力
する。ORゲート54a〜54c,55a〜55cで
は、コーナー検出ウィンドウ回路21が走査中に、別個
に検出した隣接したビットに飾り付加処理を施す。図5
では、3×3ビットのコーナーパターン検出を行い、1
ビットの飾り付加処理を施す例を示したが、複数ビット
数の処理の場合には、アドレス線及びデータ線を所定の
ビット数有したROMを用意し、遅延ラッチする段数も
所定段配置すれば同じように処理可能となる。また、複
数の付加パターンに対応できるように図5に示した回路
と同一の回路構成で複数の回路を設け、そのうちの所望
の回路を選択できる構成にすることにより付加パターン
サイズや形状の異なる付加パターンを任意に選択し、広
範なパターンに対応することも可能である。
In FIG. 5, the ROM 51 and the latches 52a to 52a.
The corner pattern detection window circuit 21 is constituted by 52c, the decorative pattern data generation circuit 22 is constituted by the ROM 51, latches 52d and 52e, and the OR gates 54a to 54c and 55a to 55c, and the OR gates 56a to 56c.
Constitutes the graphic synthesizing circuit 23. The corner pattern detection window circuit 21 has a function of detecting two-dimensional pattern matching, and any means can be applied to the configuration method. Here, an example using the ROM 51 will be described. When the ROM 51 is used, both the corner pattern detection function and the masking pattern data generation function can be realized at one time. The required capacity of the ROM 51 is determined by the number of bits for detecting a corner pattern. That is, 3
In order to detect a pattern with × 3 bits, a ROM having a 9-bit address line and a 9-bit data output is required. When a 4 × 4 bit window is configured, 16-bit data output is required. When the size (the number of bits) of the corner pattern is represented by the number of bits on the corner side, the corner pattern detection window according to the embodiment of the present invention has n + 2 bits as shown in FIG. Is required. FIG. 3 shows an example of 4 × for 2 bit decoration addition processing.
4 shows a 4-bit window. The circuit shown in FIG. 5 is a case of 1-bit decoration addition processing, and is a ROM having 3 × 3 bits = 9 bits of input / output. The state of data written to the ROM 51 used in the configuration of FIG.
Shown in In the original figure pattern, white is determined as “0” and black is determined as “1”. When a pattern for scanning detection is supplied to the address lines A0 to A8 of the ROM 51, the address in the ROM 51 is uniquely determined by the input pattern. When a predetermined bit configuration is obtained, decorative pattern data corresponding to the figure pattern is written in advance at the address. That is, the design data includes information on whether or not to perform the decoration process. If the input pattern does not correspond to the pattern to be decorated, all bits of the decoration pattern data are “0”. In FIG. 5, the stripe data of the original figure pattern is
According to the third clock, the data is latched by the data latch 52a. A latch 52 is connected to an address line of the ROM 51.
a to 52c are connected, and 3 × 3 bit 2
Can test dimensional patterns. Therefore, 3
Scanning is performed while shifting the pattern of × 3 bits one bit at a time. Then, the decoration pattern data as a result of the detection is obtained at a time of 3 × 3 bits, but is temporarily stored in the delay latches 52d and 52e three bits at a time in order to match the timing with the original figure pattern by pipeline processing. And an OR gate 56 having a function of a graphic synthesis circuit.
a to 56c. That is, the mask pattern corresponding to the bits input to the address lines A0 to A2 of the ROM 51 is output from the data lines D6 to D8, and the OR gate 5 serving as the graphic synthesizing circuit 23 within the same clock cycle.
6a to 56c. Also, address lines A3 to A5
Are output from the data lines D3 to D5, delayed by one stage of clock by the delay latch 52e, and then input to the OR gates 56a to 56c. The mask patterns corresponding to the bits input to the address lines A6 to A8 are output from the data lines D0 to D2, and after being delayed by two clocks by the delay latches 52d and 52e, input to the OR gates 56a to 56c. I do. In the OR gates 54a to 54c and 55a to 55c, the corner detection window circuit 21 performs a decoration adding process on the separately detected adjacent bits during scanning. FIG.
Then, a 3 × 3 bit corner pattern is detected and 1
Although the example in which the bit decoration addition process is performed has been described, in the case of a process with a plurality of bits, a ROM having a predetermined number of bits for address lines and data lines is prepared, and the number of stages for delay latching is also arranged in a predetermined number. Processing can be performed in the same manner. Also, a plurality of circuits having the same circuit configuration as that shown in FIG. 5 are provided so as to be able to cope with a plurality of additional patterns, and a desired circuit can be selected from the plurality of circuits so that additional patterns having different sizes and shapes of additional patterns are provided. It is also possible to arbitrarily select a pattern and correspond to a wide range of patterns.

【0031】このように本実施の形態によれば、入力す
る設計パターンデータとしては上記飾りパターンのよう
な特定パターンが付加されてない設計データを入力する
だけで、コーナーパターン検出ウィンドウ回路21、飾
りパターンデータ発生回路22及び図形合成回路23か
らなる図形付加回路12により、光近接効果補正用のパ
ターンが形成されたマスクに対応したパターンデータを
発生することができる。すなわち、光近接効果補正用の
パターンが形成されたマスクであっても、扱うデータは
従来と同じで良いため、設計データ量の増大によりデー
タ処理時間がかかりすぎ処理能力を越えてしまう問題が
生じない。
As described above, according to the present embodiment, as the design pattern data to be input, only the design data to which the specific pattern such as the decoration pattern is not added is input, and the corner pattern detection window circuit 21 and the decoration pattern The figure adding circuit 12 including the pattern data generating circuit 22 and the figure synthesizing circuit 23 can generate pattern data corresponding to a mask on which a pattern for optical proximity effect correction is formed. In other words, even with a mask on which a pattern for optical proximity effect correction is formed, the data to be handled may be the same as the conventional one, so that there is a problem that the data processing takes too much time and exceeds the processing capability due to an increase in the design data amount. Absent.

【0032】なお、本発明は上述した実施の形態に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々
変形して実施することができる。上述の実施の形態で
は、図形合成回路として論理和処理を行ったが、基準パ
ターンデータから適当な処理を経て飾りパターンが付加
されるものであればよい。また、上述したように複数の
図形付加回路を用意しておき、そのうちの所望の図形付
加回路を選択するように構成すれば図9(a)および
(b)に示すようにサイズや形状の異なる付加パターン
を任意に選択することも可能である。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be implemented with various modifications without departing from the scope of the invention. In the above-described embodiment, the logical sum processing is performed as the graphic synthesizing circuit. However, any circuit may be used as long as the decorative pattern is added through appropriate processing from the reference pattern data. Also, if a plurality of figure adding circuits are prepared as described above and a desired figure adding circuit is selected from among them, the sizes and shapes differ as shown in FIGS. 9A and 9B. It is also possible to arbitrarily select the additional pattern.

【0033】[0033]

【発明の効果】本発明によれば、光近接効果補正用のパ
ターンが形成されたマスクであつても、扱うデータは従
来と同じで良いため、設計データ量の増大によりデータ
処理時間がかかりすぎ処理能力を越えてしまう問題が生
じることはない。また疑似的な欠陥が増大したりするこ
ともなく、通常のパターンが形成されたマスクと同等の
検査が可能となる。したがって、光近接効果補正用のパ
ターンが形成されたマスクの実用化が容易となる。その
結果、光リソグラフィの性能向上に大きく貢献しする。
その結果、半導体製造分野において本発明の奏する効果
は極めて大きい。
According to the present invention, even with a mask on which a pattern for correcting the optical proximity effect is formed, the data to be handled can be the same as the conventional one, so that it takes too much data processing time due to an increase in the amount of design data. There is no problem of exceeding the processing capacity. In addition, an inspection equivalent to a mask on which a normal pattern is formed can be performed without increasing pseudo defects. Therefore, it becomes easy to put the mask having the optical proximity effect correction pattern formed into practical use. As a result, it greatly contributes to improving the performance of optical lithography.
As a result, the effects of the present invention are extremely large in the semiconductor manufacturing field.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態に係るパターン検査装置の
概略を示す模式図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing an outline of a pattern inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態に係る図形付加回路の構成
図である。
FIG. 2 is a configuration diagram of a figure adding circuit according to the embodiment of the present invention;

【図3】本発明の原理を説明するための概念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram for explaining the principle of the present invention.

【図4】本発明の実施の形態による処理結果(パター
ン)を示す概念図である。
FIG. 4 is a conceptual diagram showing a processing result (pattern) according to the embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施の形態に係る図形付加回路の具体
的構成例を示す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a specific configuration example of the graphic adding circuit according to the embodiment of the present invention;

【図6】図5の動作を説明する概念図である。FIG. 6 is a conceptual diagram illustrating the operation of FIG.

【図7】「nビット飾り」の定義を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating the definition of “n-bit decoration”.

【図8】本発明の実施の形態で使用するROMに書込む
データの様子を表す概念図である。
FIG. 8 is a conceptual diagram showing a state of data written in a ROM used in the embodiment of the present invention.

【図9】本発明においてサイズの異なる付加パターンを
用いる場合の例を示す図である。
FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a case where additional patterns having different sizes are used in the present invention.

【図10】パターン検査装置におけるマスクの移動(ス
キャン)を説明する図である。
FIG. 10 is a diagram illustrating movement (scanning) of a mask in the pattern inspection apparatus.

【図11】従来のパターン検査装置の概略構成を示す概
念図である。
FIG. 11 is a conceptual diagram showing a schematic configuration of a conventional pattern inspection apparatus.

【図12】近接効果補正用パターンが付加されたフォト
マスクのパターンの例を示す図である。
FIG. 12 is a diagram illustrating an example of a photomask pattern to which a proximity effect correction pattern is added.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 XYテーブル 2 検査対象(マスク) 3 光源 4 対物レンズ 5 フォトダイオードアレイ 6 センサ回路 7 位置回路 8 データ比較回路 9 磁気ディスク装置 10 制御計算機(CPU) 11 ビットパターン発生回路(ビット展開回路) 13 集光レンズ 21 コーナーパターン検出ウィンドウ回路 22 飾りパターンデータ発生回路 23 図形合成回路 31 元図形パターン 32〜35 飾りパターン 42〜45 光近接効果補正用パターン 61,62 バス 70 ピエゾ素子 71 レーザ測長システム 81 オートローダ制御回路 82 テーブル制御回路 83 オートフォーカス制御回路 91 磁気テープ装置 92 フロッピィディスク装置 93 コンソール(CRT) 94 パターンモニタ 95 磁気カード装置 96 ミニプリンタ 120 図形付加回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 XY table 2 Inspection object (mask) 3 Light source 4 Objective lens 5 Photodiode array 6 Sensor circuit 7 Position circuit 8 Data comparison circuit 9 Magnetic disk drive 10 Control computer (CPU) 11 Bit pattern generation circuit (Bit development circuit) 13 Collection Optical lens 21 Corner pattern detection window circuit 22 Decorative pattern data generation circuit 23 Graphic composition circuit 31 Original graphic pattern 32 to 35 Decorative pattern 42 to 45 Optical proximity correction pattern 61, 62 Bus 70 Piezo element 71 Laser length measurement system 81 Autoloader Control circuit 82 Table control circuit 83 Auto focus control circuit 91 Magnetic tape device 92 Floppy disk device 93 Console (CRT) 94 Pattern monitor 95 Magnetic card device 96 Mini printer 120 With graphics Additional circuit

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 検査対象に所定の波長の光を照射し、そ
の透過光あるいは反射光を検出して検査対象のパターン
像に対応する観測データを取得するとともに、該パター
ンに略対応する設計パターンイメージデータを作り出
し、この設計パターンイメージデータと該観測データと
を比較することによりパターンの検査を行うパターン検
査装置において、 パターンの設計データに対して、パターンのコーナー部
を自動で検知し、検知したコーナー部分に特定のパター
ンデータを付加する図形付加回路を少なくとも具備する
ことを特徴とするパターン検査装置。
An object to be inspected is irradiated with light having a predetermined wavelength, transmitted light or reflected light is detected to obtain observation data corresponding to a pattern image of the object to be inspected, and a design pattern substantially corresponding to the pattern is obtained. In a pattern inspection apparatus that creates image data and inspects the pattern by comparing the design pattern image data with the observation data, a pattern corner is automatically detected and detected for the pattern design data. A pattern inspection apparatus comprising at least a figure adding circuit for adding specific pattern data to a corner portion.
【請求項2】 前記図形付加回路は、コーナーパターン
検出ウィンドウ回路と、該コーナーパターン検出ウィン
ドウ回路の出力端子に接続された飾りパターンデータ発
生回路と、該コーナーパターン検出回路の入力端子及び
飾りパターンデータ発生回路の出力端子に接続された図
形合成回路を含むことを特徴とする請求項1記載のパタ
ーン検査装置。
2. The figure adding circuit includes a corner pattern detection window circuit, a decoration pattern data generation circuit connected to an output terminal of the corner pattern detection window circuit, an input terminal of the corner pattern detection circuit, and decoration pattern data. 2. The pattern inspection apparatus according to claim 1, further comprising a graphic synthesizing circuit connected to an output terminal of the generating circuit.
【請求項3】 検査対象に所定の波長の光を照射し、そ
の透過光あるいは反射光を検出して検査対象のパターン
像に対応する観測データを取得するとともに、対応する
パターンの設計データから特定のパターンが付加される
べきコーナー部を自動で検出し、 検出したコーナー部分に特定のパターンデータを付加
し、 該特定のパターンが付加された設計データから設計パタ
ーンイメージデータを作り出し、 該設計パターンイメージデータと上記観測データとを比
較することによりパターンの検査をすることを特徴とす
るパターン検査方法。
3. An inspection object is irradiated with light of a predetermined wavelength, and the transmitted light or the reflected light is detected to obtain observation data corresponding to the pattern image of the inspection object, and to specify from the design data of the corresponding pattern. Automatically detecting a corner to which the pattern is to be added, adding specific pattern data to the detected corner, generating design pattern image data from the design data to which the specific pattern is added, A pattern inspection method characterized by inspecting a pattern by comparing data with the observation data.
【請求項4】 前記特定のパターンは、光近接効果補正
用パターンであることを特徴とする、請求項3記載のパ
ターン検査方法。
4. The pattern inspection method according to claim 3, wherein the specific pattern is an optical proximity effect correction pattern.
【請求項5】 前記特定のパターンの形及び大きさを、
外部からの設定により変更可能とした、請求項3又は4
記載のパターン検査方法。
5. The shape and size of the specific pattern,
5. The method according to claim 3, wherein the setting can be changed by an external setting.
The pattern inspection method described.
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