JPH115189A - Soldering material for package of high density semiconductor - Google Patents

Soldering material for package of high density semiconductor

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JPH115189A
JPH115189A JP15722797A JP15722797A JPH115189A JP H115189 A JPH115189 A JP H115189A JP 15722797 A JP15722797 A JP 15722797A JP 15722797 A JP15722797 A JP 15722797A JP H115189 A JPH115189 A JP H115189A
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JP
Japan
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phase
solder
content
intermetallic compound
soldering
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JP15722797A
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Yasuhisa Tanaka
靖久 田中
Yoshihiro Kaku
芳弘 賀来
Daisuke Yoshitome
大輔 吉留
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Taiho Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Taiho Kogyo Co Ltd
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a higher fatigue resistance of a solder holding a ball such as a ball grid array or a bump form. SOLUTION: The component of a solder material is at least two of the following three groups; (1) 0.01-10% MA, (at least one of In and Ga), (2) 0.01-8% MB (at least one of Sb and Bi), and (3) 0.01-10% of at least one of Ag and Au, 10-95% Pb, and the balance of Sn (not 0%). The texture of the solder materials MA and MB are substantially dissolved in a Pb phase and a Sn phase under a soldering condition. The secondary phase, which includes or comprises MA and/or MB, mainly exists at the grain boundaries of crystal grains of Pb and Sn.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、はんだ材料に関す
るものであり、さらに詳しく述べるならば、ボールグリ
ッドアレイ(BGA)、バンプ接合、フリップチップ接
合などのマイクロ接合に使用され、接合部での熱膨張・
収縮に起因する繰返し応力がもたらす疲労に対する耐疲
労性にすぐれたボール又はバンプ形状を有するはんだ材
料に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solder material, and more particularly, to a solder material used for micro bonding such as ball grid array (BGA), bump bonding, flip chip bonding, and the like. expansion·
The present invention relates to a solder material having a ball or bump shape excellent in fatigue resistance against fatigue caused by repetitive stress caused by shrinkage.

【0002】[0002]

【従来の技術】BGAなどのはんだバンプ形成法として
は次の方法が知られている。 (イ)メタルマスクを用いてペーストを端子上に印刷し
た後、加熱溶融する方法。 (ロ)基板上にはんだペーストを印刷し、グリッドアレ
イ端子を有するLSIパッケージを搭載してリフローす
る方法。 (ハ)はんだボールを端子上に配列し、加熱を行ってバ
ンプを形成する方法。 (ニ)レジストなどのマスクを使用し、めっきによりは
んだボールを形成する方法。 (ホ)ボールボンディング法。 (ヘ)特開平8−197280号公報で提案されたはん
だ箔を使用する方法。
2. Description of the Related Art The following method is known as a method for forming a solder bump such as BGA. (A) A method in which a paste is printed on a terminal using a metal mask and then heated and melted. (B) A method of printing a solder paste on a substrate, mounting an LSI package having grid array terminals, and performing reflow. (C) A method in which solder balls are arranged on terminals and heated to form bumps. (D) A method of forming solder balls by plating using a mask such as a resist. (E) Ball bonding method. (F) A method using a solder foil proposed in JP-A-8-197280.

【0003】これらのマイクロ接合法で形成されたはん
だボール等の接合金属である、銅、ニッケル等は熱膨張
率が異なるのでLSI使用時に接合面に歪が発生し、疲
労が起こる。この疲労はんだバンプの形状に大きく依存
することが知られている(「表面実装技術」1997.
3.第20頁参照)。一方かかるマイクロ接合の疲労は
金属材料の面からも考察されており、塑性変形の繰り返
しにより発生したクラックが拡大して破壊に至ると考察
されている(高信頼度マイクロソルダリング技術、工業
調査会編:第247頁〜268頁)。
[0003] Since bonding metals such as solder balls formed by these micro-bonding methods, such as copper and nickel, have different coefficients of thermal expansion, distortion occurs on the bonding surface when an LSI is used, and fatigue occurs. It is known that it greatly depends on the shape of the fatigue solder bump ("Surface mounting technology" 1997.
3. See page 20). On the other hand, the fatigue of such micro-joining is also considered from the viewpoint of metal materials, and it is considered that cracks generated by repeated plastic deformation expand and lead to fracture (high reliability micro soldering technology, Industrial Research Committee). (Eds .: pages 247 to 268).

【0004】はんだボール、バンプなどのマイクロ接合
はんだ金属(以下「はんダボール」と略称する)の熱疲
労についての本発明者の見解は、接合部での発熱による
結晶粒成長に伴って、特に疲労に弱いPb相が粗大化す
るために一旦発生したクラックはPb相内で急速に拡大
し、かつ上下からパッケージと基板の間で拘束されてい
る1個1個のはんだボールは、加熱時では、上下方向の
圧縮歪みと熱膨張歪みが複合され、冷却時には逆方向の
歪みが複合し、これらの繰返しによりクラックが発生す
ることに主たる原因があるとの点である。なお、はんだ
の熱膨張率は銅やニッケルより小さいので、接合面で
は、加熱時でははんだは圧縮歪みを受け、逆に冷却時は
引張歪みを受けるために、はんだ内部は体積的に圧縮と
引張を繰り返して受けるために、マイクロ接合はんだ内
部は極めて厳しい環境にさらされる。
[0004] The inventor's view on the thermal fatigue of micro-joined solder metals such as solder balls and bumps (hereinafter abbreviated as “solder balls”) is that, particularly with the growth of crystal grains due to heat generation at the joints, The cracks once generated due to the coarsening of the fatigue-resistant Pb phase rapidly expand in the Pb phase, and each solder ball restrained between the package and the substrate from above and below, Compression strain and thermal expansion strain in the vertical direction are combined, and strains in the opposite direction are combined during cooling, and the main cause is that cracks are generated by repetition of these. Since the coefficient of thermal expansion of the solder is smaller than that of copper or nickel, the solder undergoes compressive strain during heating and conversely tensile strain during cooling at the joint surface. , The interior of the micro-joined solder is exposed to an extremely severe environment.

【0005】一般に、はんだ合金の濡れ性はJISZ3
197に規定される広がり試験により定量的に測定でき
る。共晶はんだの広がり率に及ぼす単独添加元素の影響
は、接合する母材を銅、黄銅、軟鋼とした場合はAl,
Sb,As,Bi,Cd,Cu,P,Znなどについて
調査されており(技術文献「60%錫−40%鉛半田の
ぬれ性に及ぼす不純物元素の影響」日本錫センター発
行)、いずれも顕著な影響は確認されていない。また組
み合わせ添加については、同様にAl+Sb,As+S
b,Al+Zn+Cdなどのごく限られた組み合わせに
ついて調査されており、同様に顕著な影響は確認されて
いない。これに対し、本発明者はIn,Sb等の元素は
Pb−Sn系共晶はんだ合金に添加されると銅板に対す
る接合不良を起こり易くすることを確認できた。
[0005] Generally, the wettability of a solder alloy is JISZ3
It can be quantitatively measured by the spread test specified in 197. The effect of a single additive element on the spread rate of the eutectic solder is as follows: when the base material to be joined is copper, brass, or mild steel,
Sb, As, Bi, Cd, Cu, P, Zn, etc. have been investigated (technical literature "Effects of impurity elements on wettability of 60% tin-40% lead solder", published by Nippon Tin Center), all of which are remarkable. No significant effects have been identified. For the combination addition, similarly, Al + Sb, As + S
Very limited combinations such as b, Al + Zn + Cd, etc. have been investigated, and no significant effect has been confirmed. On the other hand, the present inventor has confirmed that when elements such as In and Sb are added to the Pb-Sn-based eutectic solder alloy, poor joining to the copper plate easily occurs.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、はんだ材
料の耐疲労性改善の方法を鋭意研究した結果、はんだ付
直後の状態では、Pb−Sn系合金への添加元素を固溶
状態とし、はんだ付後に、これを二次相として析出させ
ることにより、耐疲労性が高められることを見出し、ボ
ールグリッドアレイ、バンプ接合、フリップチップ接合
などのボール又はバンプ形状をもつ下記のはんだ材料を
考案した。
Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies on a method for improving the fatigue resistance of a solder material. As a result, immediately after soldering, the added element to the Pb-Sn alloy is in a solid solution state. After soldering, by finding this as a secondary phase, it is found that fatigue resistance can be improved, and the following solder material having a ball or bump shape such as a ball grid array, a bump joint, and a flip chip joint is used. Devised.

【0007】MA (但し、In,Gaの少なくとも1
種)0.01〜10%(以下百分率は特に断らない限り
「重量%」である), MB (但し、Sb,Biの少なくとも1種)0.01
〜8%、及び Ag及びAuの少なくとも1種0.01〜10%から
なる群〜の少なくとも2種と、Pb10〜95%
と、残部(0%を除く)Snとから実質的にからなり、
はんだ付状態ではMA 、MB はPb相及びSn相に実質
的に固溶した状態であり、はんだ付後に析出させた前記
A 及び/又はMB を含むもしくはMA 及び/又はMB
からなる二次相が主としてPb結晶粒及びSn結晶粒の
粒界に存在しており、耐疲労性が優れていることを特徴
とするはんだ材料。 上記はんだ材料にさらに、Ag及びAuの少なくとも1
種を0.01〜10%含有させることができる。
M A (however, at least one of In and Ga)
Species) 0.01% to 10% (hereinafter percentages are "wt%" unless otherwise specified), M B (however, Sb, at least one of Bi) 0.01
And at least two of the group consisting of 0.01 to 10% of at least one of Ag and Au, and 10 to 95% of Pb.
And the remainder (excluding 0%) Sn,
M A is a soldered state, M B is the state of being substantially dissolved in the Pb phase and Sn phase, the precipitated after soldering including M A and / or M B or M A and / or M B
A solder material characterized by having a secondary phase consisting mainly of Pb crystal grains and Sn crystal grains at grain boundaries and having excellent fatigue resistance. The solder material further includes at least one of Ag and Au.
Seeds can be contained from 0.01 to 10%.

【0008】しかしながら、これらのはんだ材料で耐疲
労性を向上させる目的で添加されているIn,Sbは濡
れ性の低下をもたらすために、はんだ付け作業を時間を
かけて行うなど、作業性の低下を招く接合法を採用しな
ければ、接合不良が起こるので、はんだ合金がもってい
る耐疲労性を十分に引き出すことができない。よって本
発明は濡れ性及び耐疲労性がすぐれたはんだ材料も提供
するものである。上述の各元素はPb−Snはんだ合金
の広がり率を向上する元素群と広がり率を低下する元素
群に予め分けることができ、しかも各元素の広がり率を
向上(低下)に対する寄与はその重量%とほぼ一致する
ために、前者の元素群の添加量の合計が後者の元素群の
添加量の合計と等しいかあるいはそれ以上に多い場合に
広がり率を良好にできることを見出した。したがって、
本発明は、Pb−Sn系はんだにおいて、Ag及びBi
の1種又は2種からなり、広がり率を向上する第1元素
の含有量(重量%)がIn,Sb,の1種又は2種以上
からなり広がり率を低下する第2元素の含有量(重量
%)と等しいかあるいはより多いことを特徴とする濡れ
性に優れたはんだ材料も提供する。なお、Ni及びCu
(以下「第3元素」と言う)は濡れ性に関しては第2の
元素と同等の作用をもっている。しかしNiは金属間化
合物をほとんど形成せず、一方Cuは実質的固溶状態の
実現を困難にするほど金属間化合物を、はんだ付け状態
で形成し易い。したがって、第3元素は上限を2%に制
限した上で第2元素と同様に広がり率調整に使用するこ
とができる。
However, In and Sb added for the purpose of improving fatigue resistance in these solder materials cause a decrease in wettability. If a joining method that causes the above is not adopted, poor joining occurs, so that the fatigue resistance of the solder alloy cannot be sufficiently brought out. Therefore, the present invention also provides a solder material having excellent wettability and fatigue resistance. Each of the above-mentioned elements can be divided in advance into an element group for improving the spread rate of the Pb-Sn solder alloy and an element group for decreasing the spread rate, and the contribution to the improvement (decrease) of the spread rate of each element is represented by weight%. It has been found that the spreading ratio can be improved when the total amount of the former element group is equal to or greater than the total amount of the latter element group. Therefore,
The present invention relates to a Pb-Sn based solder in which Ag and Bi are used.
And the content (% by weight) of the first element for improving the spreading rate is one or more of In and Sb, and the content of the second element for lowering the spreading rate (%). (Wt.%) Or a solder material having excellent wettability characterized by being equal to or greater than the same. Note that Ni and Cu
(Hereinafter referred to as “third element”) has the same effect as the second element with respect to wettability. However, Ni hardly forms an intermetallic compound, while Cu makes it easier to form an intermetallic compound in a soldered state so that it is difficult to realize a substantially solid solution state. Therefore, the third element can be used for adjusting the spread ratio similarly to the second element after the upper limit is limited to 2%.

【0009】上記元素中で、In,Sb及びAgは金属
間化合物を結晶粒界に生成することにより、はんだ付後
の使用中に発生する繰返し応力が原因するはんだ合金組
織の結晶組織の粗大化を防止し、耐疲労性を向上する特
殊な元素である。さらに、その他の第2元素は鋳造によ
る2次相を加工と適切な熱処理により微細な金属間化合
物にするはんだ付方法(特開平3−128192号)を
用いて耐疲労性を向上させるのに有効である。したがっ
て接合部品の用途や要求特性によってこれらの元素を添
加することが好ましいが、濡れ性の悪化を招くので、そ
の総量は第1群元素以下にすることが必要である。
In the above-mentioned elements, In, Sb and Ag form intermetallic compounds at the crystal grain boundaries, thereby increasing the crystal structure of the solder alloy structure due to the repetitive stress generated during use after soldering. It is a special element that prevents and improves fatigue resistance. Further, other second elements are effective for improving fatigue resistance by using a soldering method (JP-A-3-128192) in which a secondary phase formed by casting is converted into a fine intermetallic compound by processing and appropriate heat treatment. It is. Therefore, it is preferable to add these elements depending on the use and required characteristics of the joined parts, but the wettability is deteriorated, so that the total amount thereof needs to be less than or equal to the first group element.

【0010】[0010]

【作用】まず、本発明における組成限定理由を説明す
る。本発明において、Pb−Sn基本系の組成に関し
て、Pb10〜95%、Sn残部(0%を除く)組成範
囲としたのは、この組成範囲においてはSn−Pb二元
系の共晶組成から著しく離れず比較的低温でのはんだ付
が可能となるからである。ただし、はんだ付性の観点か
らSn2%以上が好ましく、Pbは10〜90%、特に
10〜80%が好ましく、より好ましくは20〜60%
である。なおPbは、共晶系として、30〜50%、好
ましくは30〜45%とすると、はんだ付性や使い易さ
の点でより優れ、はんだ強度も大とすることができ、一
方、Pbを50%前後45〜60%とすると、コスト面
が重視され、はんだ付け強度がさほど高くなくても良い
用途に対して有利である。高温にて使用する場合は、P
b量を60%以上、好ましくは70〜95%としたはん
だ材料を用いることもできる。また、特に高温での耐疲
労性が要求される時は、Sn量を少なくPb量を多くす
ることが望ましい。例えば、Sn3〜9%、Pb80〜
90%である。第1発明において、MA 、MB 及びAg
(Au)を添加元素としており、これらの含有量(各群
において2種類添加の場合は、合計含有量)の限定理由
を以下説明する。
First, the reasons for limiting the composition in the present invention will be described. In the present invention, with respect to the composition of the Pb-Sn basic system, the composition range of 10 to 95% of Pb and the balance of Sn (excluding 0%) is markedly different from the eutectic composition of the binary system of Sn-Pb in this composition range. This is because soldering can be performed at a relatively low temperature without leaving. However, from the viewpoint of solderability, Sn is preferably 2% or more, and Pb is preferably 10 to 90%, particularly preferably 10 to 80%, and more preferably 20 to 60%.
It is. When Pb is 30 to 50%, preferably 30 to 45%, as a eutectic system, Pb is more excellent in solderability and ease of use, and the solder strength can be increased. When the ratio is about 50% to 45 to 60%, cost is emphasized, which is advantageous for applications in which the soldering strength does not need to be very high. When using at high temperature, P
A solder material having a b content of 60% or more, preferably 70 to 95%, can also be used. In particular, when fatigue resistance at high temperatures is required, it is desirable to reduce the amount of Sn and increase the amount of Pb. For example, Sn 3-9%, Pb 80-
90%. In the first invention, M A , M B and Ag
(Au) is used as an additive element, and the reason for limiting the content thereof (in the case of adding two types in each group, the total content) will be described below.

【0011】添加元素の下限を0.01%としたのは、
これ未満では、詳しくは後述する析出による耐疲労性の
向上が図られないからである。また、MA とMB の含有
量がそれぞれ10%以上、8%以上になると、はんだ付
け前の状態で添加元素が多量に析出してしまい、はんだ
の湯流れ性やはんだ付性が低下し、あるいははんだ表面
が曇る現象を引き起してクラックが入り易くなる。そし
て、はんだ付けした時点の状態で、析出物がマクロ的に
偏析し、この部分で疲労が発生する疲労起点が多くな
る。このため、はんだ付け後に添加元素を固溶状態から
析出させた二次相による耐疲労性の優れた部分による、
偏析部分等の疲労起点保護作用が不充分となるため、耐
疲労性が著しく低下する傾向が現れるため、これらの含
有量を上限とした。このMA の含有量は、好ましくは5
%以下、より好ましくは3%以下である。またMB の含
有量は、好ましくは5%以下、より好ましくは3%以下
である。
The reason for setting the lower limit of the additive element to 0.01% is as follows.
If the amount is less than this, the fatigue resistance cannot be improved by precipitation, which will be described later in detail. If the contents of M A and M B are respectively 10% or more and 8% or more, a large amount of additional elements are precipitated in a state before soldering, and the flowability and solderability of the solder deteriorate. Alternatively, the solder surface becomes cloudy, which tends to cause cracks. Then, in the state at the time of soldering, the precipitates segregate macroscopically, and the fatigue starting point at which fatigue occurs in this portion increases. For this reason, due to the excellent fatigue resistance of the secondary phase precipitated from the solid solution state of the additive element after soldering,
Since the effect of protecting the segregated portion from the fatigue starting point becomes insufficient, the fatigue resistance tends to be remarkably reduced. The content of M A is preferably 5
%, More preferably 3% or less. The content of M B is preferably 5% or less, more preferably 3% or less.

【0012】Ag及び/又はAuの上限も同様の理由に
より定められる。また、特に、Agはその含有量の上限
を越えるとAg−Snの大きな金属間化合物が生成され
るとともに、ヒケ巣・ピンホール・ブローホール等が多
量に発生し、はんだの湯流れ性の低下や、耐疲労性の低
下を招くこととなる。このAgとAuは、多量に含有さ
せても添加量の割にさほどの性能向上が期待できない
し、高価な元素でもある。この経済的な観点を含め、総
合的にはんだ性能を勘案すると、AgとAuの合計量
は、好ましくは5%以下、より好ましくは3%以下とす
ると良い。
The upper limits of Ag and / or Au are determined for the same reason. In particular, if the content of Ag exceeds the upper limit of the content, a large intermetallic compound of Ag-Sn is generated, and a large number of sinkholes, pinholes, blowholes, etc. are generated, and the flowability of the solder decreases. In addition, the fatigue resistance is reduced. Ag and Au cannot be expected to improve performance so much even if they are contained in large amounts, and are also expensive elements. Considering solder performance comprehensively including this economical viewpoint, the total amount of Ag and Au is preferably 5% or less, more preferably 3% or less.

【0013】なお、MA とMB の個別添加元素の成分範
囲としては、Inの含有量及びGaの含有量は、それぞ
れ好ましくは0.01〜5%、より好ましくは0.03
〜1%、さらに好ましくは0.05〜0.9%である。
A の含有量を多くする場合には、InとGaの一方の
みを添加するよりも、両方を添加する方が好ましい。
The ranges of the individual addition elements of M A and M B are preferably 0.01 to 5%, more preferably 0.03%, respectively, of the In content and the Ga content.
To 1%, more preferably 0.05 to 0.9%.
When increasing the content of M A , it is more preferable to add both In and Ga than to add only one of In and Ga.

【0014】MB のうち、Sbの好ましい含有量は0.
01〜3%、より好ましくは0.03〜1%、さらに好
ましくは0.05〜0.9%である。Sbは、3%以下
とするとはんだ付性がより良好となるが、2%を越える
とはんだ付け時にもごく一部が析出することがある。こ
の析出は、この後析出される二次相の作用にあまり影響
はないが、より好ましい二次相を得るためにはSbを2
%以下とするとよい。MB のうち、Biの好ましい含有
量は0.01〜5%、より好ましくは0.03〜3%、
さらに好ましくは0.05〜1%である。Sbと同様に
Biも3.5%を越えるとはんだ付け時にもごく一部が
析出することがある。
The preferred content of Sb in M B is 0.1.
It is 0.1 to 3%, more preferably 0.03 to 1%, and still more preferably 0.05 to 0.9%. If Sb is 3% or less, the solderability will be better, but if it exceeds 2%, a very small portion may precipitate even during soldering. This precipitation has little effect on the function of the secondary phase that is subsequently deposited, but in order to obtain a more preferable secondary phase, Sb must be added at 2%.
%. Of M B, preferable content of Bi is 0.01% to 5%, more preferably from 0.03 to 3%,
More preferably, it is 0.05 to 1%. As with Sb, if Bi also exceeds 3.5%, a very small portion may precipitate during soldering.

【0015】AgとAuの個別添加元素の成分範囲とし
ては、好ましい含有量は0.01〜5%、より好ましく
は0.1〜4%、さらに好ましくは0.5〜3%であ
る。
[0015] As the component range of the individual additive elements of Ag and Au, the preferable content is 0.01 to 5%, more preferably 0.1 to 4%, and further preferably 0.5 to 3%.

【0016】本発明のはんだ材料に、任意の添加元素と
して加えられるAg及び/又はAuはさらに耐疲労性を
向上させる効果がある。その含有量(2種添加の時はそ
の合計量)が0.01%未満では、効果がなく、一方1
0%を越えると、二次相の効果を滅殺してしまい耐疲労
性が低下する傾向が現われるため、これらの含有量を上
限とした。また、特にAgはその含有量の上限を越える
とAg−Snの大きな金属間化合物が生成され、耐疲労
性を低下させる。経済的な観点を含めて、総合的にはん
だ性能を勘案すると、AgとAuの合計量は、好ましく
は5%以下、より好ましくは3%以下とすると良い。
Ag and / or Au added to the solder material of the present invention as an optional additive element have the effect of further improving fatigue resistance. If the content (the total amount when two types are added) is less than 0.01%, there is no effect.
If it exceeds 0%, the effect of the secondary phase will be destroyed and the fatigue resistance tends to be reduced. In particular, if Ag exceeds the upper limit of its content, an intermetallic compound having a large Ag-Sn is generated, and the fatigue resistance is reduced. Considering the solder performance comprehensively from the viewpoint of economy, the total amount of Ag and Au is preferably 5% or less, more preferably 3% or less.

【0017】上記以外の成分は実質的に不純物である。
ここで、Fe,Mn,Mo,Ti,Cd,Zn,As,
Mg,Ca,Ta,Sr,Be,Tl,Ge等は、不純
物として少量混入することもあるが、公知の添加目的
で、本発明の作用効果をなくさない範囲で含有させても
よいことは勿論である。ただし、As,Ni,Mg,C
a,Ta,Ti,Zn,Sr,Be,Tl,Ge及びG
aは広がり率を向上するから、これらの元素の存在量に
応じて、Ag,Inの量を多くすることができる。Cu
は、2%以下であれば、本発明の二次相の作用を滅殺し
ないが、はんだ付時点の状態でCu−Sn系金属間化合
物の晶出物を生成しやすい。
Components other than the above are substantially impurities.
Here, Fe, Mn, Mo, Ti, Cd, Zn, As,
Mg, Ca, Ta, Sr, Be, Tl, Ge, and the like may be mixed in small amounts as impurities, but may be contained for known addition purposes within a range that does not impair the effects of the present invention. Of course. However, As, Ni, Mg, C
a, Ta, Ti, Zn, Sr, Be, Tl, Ge and G
Since a improves the spreading ratio, the amount of Ag and In can be increased in accordance with the abundance of these elements. Cu
If not more than 2%, the action of the secondary phase of the present invention is not destroyed, but a crystallized Cu—Sn-based intermetallic compound is easily generated at the time of soldering.

【0018】次に、本発明の組織上の特徴を説明する。
本発明のはんだ材料の組織は、はんだ付の時点で添加元
素がSn結晶及びPb結晶に実質的に固溶した固溶組織
(以下「固溶組織」と略称する。はんだ自体は通常共晶
組織であり、固溶組織ではなく、PbとSnも相互に僅
かながら固溶度をもつので、添加元素以外も固溶してい
るが、これらは本発明で言う「固溶組織」の特長とは関
係がない点を付記する)を有するものである。はんだ付
時点で生成される二次相は、静的強度向上には有効な場
合もあるが、針状で鋭い角をもった粒子状であり、この
ような尖った部分は切欠となって疲労破壊の起点になる
ので、本発明では、はんだ付の時点での二次相の生成を
できるだけ避け、固溶組織を作ることを一つの特徴とす
る。そして、はんだ付けの後にこの固溶組織から二次相
を析出させることを特徴とする。
Next, the organizational features of the present invention will be described.
The structure of the solder material of the present invention is a solid solution structure in which the additive element substantially forms a solid solution in the Sn crystal and the Pb crystal at the time of soldering (hereinafter abbreviated as “solid solution structure”. The solder itself usually has a eutectic structure. Since Pb and Sn are not solid-solution structures but Pb and Sn have a slight solid solubility with respect to each other, they also form a solid solution other than the added elements. These are the characteristics of the “solid solution structure” in the present invention. (Note that there is no relationship). The secondary phase formed at the time of soldering may be effective for improving the static strength, but it is in the form of needles and particles with sharp corners, and such sharp parts become notches and become fatigued. One of the features of the present invention is to avoid the formation of a secondary phase at the time of soldering as much as possible and to form a solid solution structure, since it becomes a starting point of fracture. Then, after soldering, a secondary phase is precipitated from the solid solution structure.

【0019】Pb−Sn系はんだにおける疲労挙動で
は、結晶粒特にPb相の成長現象が支配的である。これ
は、使用環境の温度等により、Sn相とPb相が次第に
成長し、その後Pb相が優先的に粗大化すると、相対的
にSn相に比較し疲労に弱いPb相から疲労が進行する
ことである。そこで、この粒子成長を止める手段とし
て、二次相をはんだ付けした後に生成する構成によっ
て、はんだ付け部分での疲労の進行を抑制することがで
きる。
In the fatigue behavior of the Pb-Sn solder, the growth phenomenon of crystal grains, particularly the Pb phase, is dominant. This is because when the Sn phase and the Pb phase gradually grow due to the temperature of the use environment and then the Pb phase is preferentially coarsened, the fatigue progresses from the Pb phase, which is relatively weaker than the Sn phase. It is. Therefore, as a means for stopping the particle growth, a structure generated after soldering the secondary phase can suppress the progress of fatigue at the soldered portion.

【0020】従来のはんだ材料においては、金属間化合
物等の晶出物は有害であり、なるべく存在しないように
添加元素量を制限すべきと認識されていた。一般に、は
んだは使用中に結晶粒の成長、合体等を招く可能性があ
る温度上昇(約100℃まで)にさらされる。
In conventional solder materials, it has been recognized that crystallized substances such as intermetallic compounds are harmful, and that the amount of added elements should be restricted so as not to exist as much as possible. In general, the solder is exposed to elevated temperatures (up to about 100 ° C.) during use which can lead to grain growth, coalescence, and the like.

【0021】このような結晶粒が高温にさらされ、Pb
相の連続部分が多くなるとクラックの伝ぱんを妨げる要
素がなくなるから、大きなクラック等が発生する。もち
ろん、本発明のはんだ材料は固溶強化によりはんだの初
期の強度はかなり高くなっているので、急速に疲労破壊
に至ることはないが、固溶強化されていても結晶粒の成
長は起こり、かつ高温・長時間・繰り返し複合応力を受
ける条件の下では大幅な結晶粒の再編成が起こるので、
長時間の使用中には、固溶強化による耐疲労性向上の効
果よりも結晶粒粗大化により耐疲労性劣化の影響が顕著
になってしまう。したがって、本発明のはんだ材料で
は、はんだ付けした後の長期間使用中にPb結晶粒1
(図1参照)及びSn結晶粒2の粒界に金属間化合物な
どの二次相3を存在させることにより、結晶粒の成長を
阻止するように構成した。ここで、結晶粒の成長と二次
相の生成は一方だけが優先して進行することはなく同時
進行的に起こるので、結晶粒の粗大化と二次相による粒
成長抑制効果の競合状態となる。結晶粒の粗大化をもた
らすような高温では二次相の生成が促進され、ある程度
の二次相が生成されると結晶粒の粗大化は阻止される。
なお、長時間使用中に析出する金属間化合物などは鋭い
角をもたず、どの方向の寸法もほぼ等しい塊状となる。
When such crystal grains are exposed to a high temperature, Pb
When the number of phase continuations increases, there are no elements that hinder the propagation of cracks, and thus large cracks and the like occur. Of course, in the solder material of the present invention, the initial strength of the solder is considerably increased by solid solution strengthening, so that it does not lead to rapid fatigue fracture, but crystal grains grow even with solid solution strengthening, And under the conditions of high temperature, long time, and repeated compound stress, significant reorganization of crystal grains occurs.
During use for a long time, the effect of deterioration of fatigue resistance due to coarsening of crystal grains becomes more remarkable than the effect of improving fatigue resistance by solid solution strengthening. Therefore, in the solder material of the present invention, the Pb crystal grains 1 during long-term use after soldering are used.
(See FIG. 1) and the presence of a secondary phase 3 such as an intermetallic compound at the grain boundaries of the Sn crystal grains 2 prevents the crystal grains from growing. Here, the growth of the crystal grains and the generation of the secondary phase do not proceed preferentially on one side but occur simultaneously, so that the competition between the coarsening of the crystal grains and the effect of suppressing the grain growth by the secondary phase may occur. Become. The formation of a secondary phase is promoted at such a high temperature as to cause the coarsening of the crystal grains, and the coarsening of the crystal grains is prevented when some secondary phase is generated.
It should be noted that intermetallic compounds or the like that precipitate during use for a long period of time do not have sharp corners, and are in a lump having substantially the same size in any direction.

【0022】本発明の代表的態様のはんだ材料では、金
属顕微鏡で10,000倍程度に拡大すると二次相が実
際に何とか観察される。もちろんこれ以下の微細な二次
相も存在するが、観察に別途高価な測定機器が必要であ
る。二次相の大きさは、微細かつ多量に存在すればこれ
以下としても良い。この点と関連した実質的な固溶状態
とは1000倍程度以上の金属顕微鏡の通常の視野で二
次相が0〜数個以下である状態と指すと定義することが
できる。
In the solder material according to the representative embodiment of the present invention, when the magnification is increased to about 10,000 times with a metallurgical microscope, the secondary phase is actually observed. Of course, a fine secondary phase smaller than this exists, but an expensive measuring instrument is separately required for observation. The size of the secondary phase may be smaller if it is fine and present in a large amount. The substantial solid solution state related to this point can be defined as a state in which the number of secondary phases is 0 to several in a normal field of view of a metal microscope of about 1000 times or more.

【0023】本発明に対して、従来のPb−Sn−Cu
系のはんだ材料等では、はんだ付前の段階でSnCu金
属間化合物の殆ど全部が晶出しており、はんだ付け時点
ではこの晶出物はマトリックス中へは実質的に固溶され
ていない。なお、この点に関してはBGAはんだボール
表面にNi被覆を施す発明に関する特開平9−1098
6号でもSn−Cu金属間化合物の生成に言及してい
る。このような金属間化合物ははんだ付けの熱で粗大な
形態となってしてしまう。そして、はんだ付け後の組織
を観察してみると、この粗大なSnCu金属間化合物は
結晶粒界、粒内にランダムに存在し、またマトリックス
内への固溶分は実質的にない。このため、はんだ付け後
に析出させることができないし、使用時の熱によりPb
粒の成長現象がPb−Sn共晶はんだと同程度にみら
れ、粗大なSnCu金属間化合物には結晶粒成長抑制効
果は認められなかった。
According to the present invention, the conventional Pb-Sn-Cu
In a system solder material or the like, almost all of the SnCu intermetallic compound is crystallized at a stage before soldering, and at the time of soldering, the crystallized substance is not substantially dissolved in the matrix. Regarding this point, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-1098 relates to the invention in which the surface of a BGA solder ball is coated with Ni.
No. 6 also mentions the formation of a Sn-Cu intermetallic compound. Such an intermetallic compound becomes coarse due to the heat of soldering. When observing the structure after soldering, the coarse SnCu intermetallic compound is randomly present in the crystal grain boundaries and in the grains, and has substantially no solid solution in the matrix. For this reason, it cannot be precipitated after soldering, and Pb
Grain growth phenomenon was observed to the same degree as that of the Pb-Sn eutectic solder, and no coarse grain Cu intermetallic compound had an effect of suppressing the growth of crystal grains.

【0024】同様に、Pb−Sn−Agはんだでは、A
g−Sn金属間化合物がみられるが、はんだ付け直後か
ら長時間使用後までの組織を観察してみると、結晶粒界
・粒内にランダムに存在し、使用時の熱によりこの金属
間化合物自身が再固溶するとともにPb相やSn相の粒
界に対し殆ど影響せず粗大な結晶に成長する。またAg
−Sn金属間化合物が移動成長する場合もある。このた
めこのような形態での単独で存在したAg−Sn金属間
化合物は、Pb粒の成長現象に対し結晶粒成長抑制効果
は認められなかった。このように、従来のはんだ付けで
見られるSnCu金属間化合物や、単独のAg−Sn金
属間化合物では、結晶粒成長抑制効果に基づく疲労寿命
の延長効果は得られないばかりでなく、硬さがPb−S
nとは異なる粗大な金属間化合物の存在領域に複合歪み
が加わると、クラックが発生し易くなる。
Similarly, for Pb-Sn-Ag solder, A
Although the g-Sn intermetallic compound is observed, the structure from immediately after soldering until after long-time use shows that the intermetallic compound is present randomly in the crystal grain boundaries and in the grains, and due to heat during use, the intermetallic compound is present. As a result of the solid solution itself, it grows into a coarse crystal with almost no influence on the grain boundaries of the Pb phase and the Sn phase. Also Ag
The -Sn intermetallic compound may move and grow. For this reason, the Ag-Sn intermetallic compound that existed alone in such a form did not have the effect of suppressing the crystal grain growth on the Pb grain growth phenomenon. As described above, the SnCu intermetallic compound found in conventional soldering and the Ag-Sn intermetallic compound alone cannot not only obtain the effect of extending the fatigue life based on the effect of suppressing crystal grain growth, but also increase the hardness. Pb-S
When a composite strain is applied to a region where a coarse intermetallic compound different from n is present, cracks are likely to occur.

【0025】これに対し、本発明の二次相は、はんだ付
け時点の状態で、Pb相及び/又はSn相の中に実質的
に固溶でき、はんだ付け後に熱でこの固溶組織から析出
する形態であるため、Pb相やSn相の粒界に結果的に
大半が存在でき、これにより、結晶粒成長抑制効果が得
られることとなる。
On the other hand, the secondary phase of the present invention can substantially form a solid solution in the Pb phase and / or Sn phase at the time of soldering, and precipitates from this solid solution structure by heat after soldering. As a result, the majority can exist as a result at the grain boundaries of the Pb phase and the Sn phase, whereby an effect of suppressing crystal grain growth can be obtained.

【0026】本発明の特徴である二次相に要求される性
能をまとめると以下のとおりである。 はんだ付直後にはPb相及び/又はSn相の中に、実
質的に固溶されている固溶分が存在することと、はんだ
付け後の低温の熱処理又は長期間の使用中の熱により析
出して生成すること。 高融点を有し、高温において安定であること。あるい
は、少なくとも使用中にかかる熱に対してマトリックス
に完全に再固溶してしまわない程度に安定であること。
金属間化合物は、化学量論的化合物でも、非化学量論的
化合物でも、また固溶元素を含む化合物でも、この要件
を充たす。金属(固溶体)であっても、Pb,Snより
も安定であれば、Inなどのように、この要件を充た
す。 析出物が微細で分散性があること。はんだ付け後の低
温熱処理での析出により形成された二次相や、はんだ接
合部品の長時間使用中に析出により形成される二次相は
この要件を充たす。 そして、はんだ付けした後のはんだ組織中に、分散して
微細に数多く析出すると結晶粒界に配置されやすくなり
よい。なお、分散した二次相は大半がマトリックス相の
結晶粒界に存在することが高い粒子成長抑制効果を得る
のに必要であるが、最初から結晶粒界に析出することは
必要ではなく、ピン止め効果の結果、結晶粒界に存在し
ておればよい。
The performance required for the secondary phase, which is a feature of the present invention, is summarized as follows. Immediately after soldering, there is a solid solution that is substantially dissolved in the Pb phase and / or Sn phase, and precipitation occurs due to low-temperature heat treatment after soldering or heat during long-term use. To generate. It has a high melting point and is stable at high temperatures. Alternatively, it must be stable to at least the heat during use so that it does not completely re-dissolve in the matrix.
The intermetallic compound, whether it is a stoichiometric compound, a non-stoichiometric compound, or a compound containing a solid solution element, satisfies this requirement. If a metal (solid solution) is more stable than Pb and Sn, it satisfies this requirement like In or the like. The precipitate is fine and dispersible. A secondary phase formed by precipitation in a low-temperature heat treatment after soldering and a secondary phase formed by precipitation during long-term use of a solder joint part satisfy this requirement. Then, when a large number of fine particles are dispersed and precipitated in the solder structure after soldering, they may be easily arranged at crystal grain boundaries. Most of the dispersed secondary phase is necessary to obtain a high grain growth suppression effect that is present at the crystal grain boundary of the matrix phase, but it is not necessary to precipitate at the crystal grain boundary from the beginning. As a result of the stopping effect, it suffices if it exists at the crystal grain boundary.

【0027】上記二次相の具体例を以下説明する。 (1)MAB 型金属間化合物; Sb−In,Sb−Ga,Bi−In,Bi−Ga系金
属間化合物。 この金属間化合物は、MA −MB −Pb−Sn系組成の
はんだ材料に生成される二元化合物である。また、この
金属間化合物は、MA −MB −Pb−Sn−Ag(A
u)系組成の場合にも、Ag(Au)を含有しない二元
化合物として生成されることが多い。いずれの場合に
も、はんだ付け後に熱で析出させることにより、疲労強
度を著しく高める。このように、はんだ付け後に熱で析
出させた金属間化合物は微細である。なお、マトリック
スの粒子成長抑制をする際に、問題とならない程度では
あるが、金属間化合物がごくわずかながら成長すること
がある。(1)の金属間化合物は、二次相としてより好
ましい。これは、本発明の二次相の機能のほかにも、二
次相自体の疲労強度が高い、二次相とSn相・Pb相の
接触面での強度が高い、二次相の成長速度がそれ程大き
くないと思われる、固溶分からの析出速度又は生成速度
がそれほど大きくなく、極微細な二次相から順次適当な
大きさの二次相が形成されて粒子成長抑制機能を高めて
いる、Sn相・Pb相が若干成長してしまった場合にこ
の二次相もわずかに成長して、Pb相の移動を抑止する
効果を高めるなどの付加的機能があるのではないかと推
測される。
A specific example of the secondary phase will be described below. (1) M A M B-type intermetallic compound; Sb-In, Sb-Ga , Bi-In, Bi-Ga system intermetallic compound. The intermetallic compound is a binary compound that is generated solder material M A -M B -Pb-Sn-based composition. Further, the intermetallic compound, M A -M B -Pb-Sn -Ag (A
In the case of the u) -based composition, it is often produced as a binary compound containing no Ag (Au). In any case, the fatigue strength is remarkably increased by heat precipitation after soldering. Thus, the intermetallic compound precipitated by heat after soldering is fine. When suppressing the growth of particles in the matrix, the intermetallic compound may grow to a very small extent, although this is not a problem. The intermetallic compound (1) is more preferable as the secondary phase. This is because, in addition to the function of the secondary phase of the present invention, the secondary phase itself has a high fatigue strength, a high strength at the contact surface between the secondary phase and the Sn phase / Pb phase, and a growth rate of the secondary phase. Is not so large, the precipitation rate or formation rate from the solid solution is not so large, the secondary phase of an appropriate size is formed sequentially from the ultra-fine secondary phase to enhance the particle growth suppression function If the Sn phase and Pb phase grow slightly, the secondary phase also grows slightly, and it is presumed that there is an additional function such as enhancing the effect of suppressing the movement of the Pb phase. .

【0028】(2)MB −Ag(Au)型金属間化合
物; Sb−Ag,Bi−Ag,Sb−Au,Bi−Au系金
属間化合物。 この金属間化合物は、MB −Pb−Sn−Ag(Au)
系組成において、そのAg(Au)の一部がMB と結合
して生成する二元系化合物である。またMA −MB −P
b−Sn−Ag(Au)系組成においては、(1)の化
合物も存在し、(2)の化合物も存在することが多い。
したがって、この組成においてはAg(Au)は(1)
の金属間化合物の一部に取り込まれるよりもMB と結合
する傾向が大である。この(1)と(2)の金属間化合
物が併存により疲労強度は、(1)の金属間化合物のみ
が生成する場合よりも高められる傾向にある。
[0028] (2) M B -Ag (Au ) type intermetallic compound; Sb-Ag, Bi-Ag , Sb-Au, Bi-Au intermetallic compound. The intermetallic compound, M B -Pb-Sn-Ag (Au)
In the system composition, some of the Ag (Au) is a two-component compound produced in conjunction with M B. Also, M A -M B -P
In the b-Sn-Ag (Au) -based composition, the compound of (1) also exists, and the compound of (2) often exists.
Therefore, in this composition, Ag (Au) is (1)
Tendency to bind with M B than incorporated into a portion of the intermetallic compound is larger. Due to the coexistence of the intermetallic compounds (1) and (2), the fatigue strength tends to be higher than when only the intermetallic compound (1) is formed.

【0029】(3)MA −Ag(Au)型金属間化合
物: In−Ag,Ga−Ag,In−Au,Ga−Au系金
属間化合物。 この金属間化合物は、MA −Pb−Sn−Ag系組成に
おいて、そのAgの一部がMA と結合して生成する二元
系化合物である。しかしながら、この化合物の生成傾向
は(2)の金属間化合物よりも弱く、(2)の金属間化
合物は生成されても(3)は生成されないこともある。
ここで、金属間化合物の生成傾向とは、本発明組成の上
限と下限の近傍を除いた成分含有量において、優先的に
はんだ中に生成する金属間化合物の傾向の意味で説明し
ている。したがって、組成が上限や下限近傍の場合は、
ここで説明している生成傾向とは異なった優先順位で金
属間化合物が生成される。(3)の金属間化合物はAg
(Au)の含有量及び/又はSnの含有量が高い時に生
成されやすい。(3)の金属間化合物の大きさは通常
0.1〜1μm で観察される。
[0029] (3) M A -Ag (Au ) type intermetallic compound: In-Ag, Ga-Ag , In-Au, Ga-Au intermetallic compound. The intermetallic compound, the M A -Pb-Sn-Ag based composition, part of the Ag is a two-component compound produced in conjunction with M A. However, the formation tendency of this compound is weaker than that of the intermetallic compound of (2), and the formation of (3) may not be produced even if the intermetallic compound of (2) is formed.
Here, the generation tendency of the intermetallic compound is described in terms of the tendency of the intermetallic compound generated in the solder preferentially in the component content excluding the vicinity of the upper limit and the lower limit of the composition of the present invention. Therefore, when the composition is near the upper or lower limit,
Intermetallic compounds are generated with a different priority than the generation tendency described here. The intermetallic compound of (3) is Ag
It is easily generated when the content of (Au) and / or the content of Sn is high. The size of the intermetallic compound (3) is usually observed at 0.1 to 1 μm.

【0030】(4)MB −Sn−Ag(Au)型金属間
化合物: Sb−Sn−Ag(Au),Bi−Sn−Ag(Au)
系金属間化合物。 この金属間化合物は、MB −Pb−Sn系組成にAg
(Au)を添加した組成において、Agと、MB と、マ
トリックスのSnの一部が結合して生成する化合物、及
びAuと、MB と、マトリックスのSnの一部が結合し
て生成する化合物である。この化合物は三元化合物であ
るかあるいはSn−Ag(Au)二元化合物にMB が固
溶したものの何れかである。この金属間化合物の生成傾
向は(3)よりは強く(2)とほぼ同等である。
[0030] (4) M B -Sn-Ag (Au) type intermetallic compound: Sb-Sn-Ag (Au ), Bi-Sn-Ag (Au)
System intermetallic compound. The intermetallic compound, Ag in M B -Pb-Sn-based composition
(Au) in the composition with the addition of a Ag, and M B, compound produced by combining some of the Sn matrix, and the Au, and M B, generates by combining a part of the Sn matrix Compound. The compound is any of those is M B were dissolved in the ternary compound a is or Sn-Ag (Au) binary compound. The tendency of formation of this intermetallic compound is stronger than (3) and almost equal to (2).

【0031】(5)MA −Sn−Ag(Au)型金属間
化合物:In−Sn−Ag(Au),Ga−Sn−Ag
(Au)系金属間化合物に該当する。この金属間化合物
は(4)のMB がMA に置き換わったものに該当する。
上記(4)の説明のMB をMA に読み替えると理解しや
すい。
(5) M A -Sn-Ag (Au) type intermetallic compound: In-Sn-Ag (Au), Ga-Sn-Ag
This corresponds to the (Au) -based intermetallic compound. The intermetallic compound is M B (4) corresponds to that replaced by M A.
It is easy to understand if M B in the above description (4) is replaced with M A.

【0032】(6)MAB −Ag(Au)型金属間化
合物: Sb−In−Ag(Au),Sb−Ga−Ag(A
u),Bi−In−Ag(Au),Bi−Ga−Ag
(Au)系金属間化合物。 この金属間化合物は、全添加元素を含む化合物である。
(1)のMAB 型、(2)のMA −Ag型金属間化合
物よりも生成傾向が弱く、Ag含有量が極めて多い時に
のみ生成される場合がある。この化合物が生成傾向が弱
い理由は、マトリックス成分に比べて、濃度が希薄な添
加元素相互の反応は起こり難いことと、化合物の組成が
複雑であるために本来生成し難いことによると推察され
る。なお、同様に希薄濃度元素より構成される化合物で
あっても、(1)のように組成が単純な化合物は生成傾
向は高い。
[0032] (6) M A M B -Ag (Au) type intermetallic compound: Sb-In-Ag (Au ), Sb-Ga-Ag (A
u), Bi-In-Ag (Au), Bi-Ga-Ag
(Au) -based intermetallic compounds. This intermetallic compound is a compound containing all the added elements.
M A M B type (1), there is a case where the generation tendency than M A -Ag type intermetallic compound weak, Ag content is generated only when very high (2). The reason that this compound has a weak tendency to form is presumed to be that it is unlikely that the reaction between the added elements having a low concentration is more likely to occur than the matrix component, and that it is originally difficult to form due to the complex composition of the compound. . Similarly, a compound having a simple composition as shown in (1) has a high tendency to be formed even with a compound composed of a dilute concentration element.

【0033】上記(1)〜(6)は、単独の形態で二次
相として存在することもあるが、添加元素の種類が多く
なると併存することもある。全体として、併存させた場
合のほうが耐疲労性能は高くなる傾向にある。また、こ
れらの析出した二次相は、はんだ付け後の熱により、S
n相やPb相の結晶粒界に結果として大半が存在する形
態となっている。
The above (1) to (6) may be present as a secondary phase in a single form, but may also be present when the types of added elements are increased. As a whole, fatigue resistance tends to be higher when coexisting. In addition, these precipitated secondary phases are converted into S by heat after soldering.
As a result, the majority is present at the crystal grain boundaries of the n phase and the Pb phase.

【0034】析出した二次相のうち、結晶粒界に存在す
る割合は60%以上とするとよい。好ましくは、70%
以上、より好ましくは80%以上、さらに好ましくは9
0%以上である。使用環境で80〜100℃になること
があり、その環境に長期にさらされる場合には、存在す
る割合を60数%程度以上にすることができる。低温熱
処理を行なえば、80〜95%程度まで容易に制御する
こともできる。そのような温度にさらされない場合にお
いては、この低温熱処理を組合せて改善することもでき
る。
The proportion of the precipitated secondary phase existing at the crystal grain boundaries is preferably 60% or more. Preferably, 70%
Or more, more preferably 80% or more, and still more preferably 9% or more.
0% or more. The temperature may be 80 to 100 ° C. in the use environment, and when the environment is exposed to the environment for a long time, the existing ratio can be about 60% or more. If low-temperature heat treatment is performed, it can be easily controlled to about 80 to 95%. When not exposed to such a temperature, this low-temperature heat treatment can be combined and improved.

【0035】(7)Ag−Sn型金属間化合物 この金属間化合物は単独の存在では前述のように疲労強
度を高めないが、生成傾向はかなり強く、Pb−Sn−
Ag系はんだ材でも生成している。前述のように従来の
Pb−Sn−Agはんだでは、はんだ付け直後から長時
間使用後までの組織を観察してみると、Ag−Sn金属
間化合物が結晶粒界・粒内にランダムに存在し、使用時
の熱によりこの金属間化合物自身が再固溶するとともに
Pb相やSn相の粒界に対し殆ど影響せず粗大な結晶に
成長する。またAg−Sn金属間化合物が移動成長する
場合もある。このためこのような形態での単独で存在し
たAg−Sn金属間化合物は、Pb粒のグローイング現
象に対し結晶粒成長抑制効果は認められない。
(7) Ag-Sn type intermetallic compound Although this intermetallic compound alone does not increase the fatigue strength as described above, it has a rather strong tendency to form, and Pb-Sn-
Ag-based solder material is also generated. As described above, in the conventional Pb-Sn-Ag solder, when observing the structure from immediately after soldering to after long-time use, the Ag-Sn intermetallic compound is randomly present in the crystal grain boundaries and grains. In addition, the heat during use causes the intermetallic compound itself to form a solid solution again and grows into a coarse crystal with almost no influence on the grain boundaries of the Pb phase and the Sn phase. Further, the Ag-Sn intermetallic compound sometimes grows by migration. For this reason, the Ag-Sn intermetallic compound present alone in such a form has no effect of suppressing the growth of crystal grains against the glowing phenomenon of Pb grains.

【0036】ところが、上記(1)〜(6)の金属間化
合物と併存させると、はんだの耐疲労性がさらに向上す
る。これは、上記(1)〜(6)がSn相・Pb相の粒
子成長抑制効果をベースに、AgーSn金属間化合物そ
のものの粒子の移動成長がある場合にその移動をピン止
め効果により抑制する,移動成長時に上記(1)〜
(6)がAgを吸収して新たな二次相として構成される
か析出して一種の緩衝物的効果により移動・成長を抑制
する,この緩衝物的効果により、Sn相・Pb相の移動
・成長を抑える二次相のピン止め効果のミクロ的作用範
囲を実質的に拡げる,移動抑制されたAgーSn金属間
化合物の析出物がマトリックス中に熱で再固溶されてし
まうまでのわずかな時間のみではあるが、Sn相・Pb
相の粒子成長に対して補助的なピン止め効果をするなど
の作用機構が考えられる。なお、この金属間化合物もは
んだ付時点に多量に生成すると、Agが(7)の生成に
消費され、二次相の生成を阻害したり、上記(1)〜
(6)の二次相が析出しても補完しきれなくなったりす
るので特に留意が必要である。また、この(7)につい
ては、低温熱処理でもSn相やPb相の結晶粒界に選択
的に存在させることは困難であった。
However, the fatigue resistance of the solder is further improved when it coexists with the above intermetallic compounds (1) to (6). This is because the above (1) to (6) are based on the effect of suppressing the particle growth of the Sn phase / Pb phase, and when the particles of the Ag—Sn intermetallic compound move and grow, the movement is suppressed by the pinning effect. The above (1) ~
(6) absorbs Ag and forms or precipitates as a new secondary phase and suppresses movement and growth by a kind of buffer effect. By this buffer effect, movement of Sn phase / Pb phase・ The microscopic working range of the pinning effect of the secondary phase, which suppresses the growth, is substantially increased until the precipitate of the Ag—Sn intermetallic compound, whose migration has been suppressed, is re-dissolved in the matrix by heat in the matrix. Although it is only a short time, Sn phase
An action mechanism such as an auxiliary pinning effect on the phase grain growth can be considered. When a large amount of this intermetallic compound is also formed at the time of soldering, Ag is consumed for the formation of (7), which hinders the formation of the secondary phase, or the above (1) to (5).
It is necessary to pay particular attention to the fact that the secondary phase of (6) cannot be complemented even if it precipitates. Further, regarding (7), it was difficult to selectively exist at the crystal grain boundaries of the Sn phase and the Pb phase even in the low-temperature heat treatment.

【0037】(8)AlーSb金属間化合物 この二次相も、はんだ付け後の熱により、Sn相やPb
相の結晶粒界に結果として大半が存在する形態となる。
この金属間化合物の寸法は通常1〜5μmである。
(8) Al-Sb intermetallic compound This secondary phase is also converted to Sn phase or Pb by heat after soldering.
The result is a form in which the majority exists at the grain boundaries of the phase.
The size of the intermetallic compound is usually 1 to 5 μm.

【0038】続いて、金属間化合物のどの種類が実際に
生成されるかを、まず、Sn−Pb−Sb−In四元素
組成に例をとって説明する。この組成では、マトリック
ス相は、Sn相とPb相であり、二次相は(1)の金属
間化合物相となった。そして、この二次相の多くはSn
相・Pb相の結晶粒界に存在している。次に、Sn−P
b−Sb−In−Ag五元素組成では、マトリックス相
は、Sn相とPb相であり、二次相として存在する可能
性がある金属間化合物は(1)〜(7)の7種類であ
る。Agの含有量が少ない時は、(1)の金属間化合物
のみが二次相として分散する3相組織になるが、Agの
含有量が多くなると、AgはMA ,MB の一方または両
方と反応し、かつ一部がSnとも反応する。そして、配
合される組成により、(1)〜(6)から選ばれた1つ
または複数の金属間化合物が存在することとなる。もち
ろんAgの含有量を多くすると(7)も相対的に多くな
る傾向となる。(1)はMA とMB を所定量以上添加す
ればよい。一方、(2),(4)を特に生成させたい場
合はMB を多くMA を少なくするか配合しないようにす
ればよい。(3),(5)を特に生成させたい場合はM
A を多くMB を少なくするか配合しないようにすればよ
い。(4),(5)を特に生成させたい場合はPb量を
少なくし残部のSn量を相対的に多くするように配合す
ると生成されやすい傾向にある。なお、はんだはもとも
と鋳造したままの、均質化等の熱処理を経ていない偏析
が多い合金であり、はんだ接合部品は、使用温度の最高
100℃前後の温度で各成分が局部的に反応している準
安定状態であるから、実際には平衡状態図の理論で予測
できるものとは異なる二次相が併存して作られることも
ある。
Next, what kind of intermetallic compound is actually produced will be described first with reference to the Sn-Pb-Sb-In quaternary composition. In this composition, the matrix phase was an Sn phase and a Pb phase, and the secondary phase was the intermetallic compound phase (1). Most of this secondary phase is Sn
Phase / Pb phase exists at the grain boundaries. Next, Sn-P
In the penta-element composition of b-Sb-In-Ag, the matrix phase is a Sn phase and a Pb phase, and there are seven types of intermetallic compounds that may exist as secondary phases (1) to (7). . When the content of Ag is small, a three-phase structure in which only the intermetallic compound of (1) is dispersed as a secondary phase is formed. However, when the content of Ag is increased, Ag becomes one or both of M A and M B. And some also react with Sn. Then, depending on the composition to be blended, one or more intermetallic compounds selected from (1) to (6) exist. Of course, when the Ag content is increased, (7) tends to be relatively increased. In (1), M A and M B may be added in predetermined amounts or more. On the other hand, when it is desired to particularly generate (2) and (4), it is only necessary to increase M B and decrease M A or not to mix them. If you want to generate (3) and (5) in particular, use M
It suffices to not blended or less large number of A M B. Particularly when it is desired to generate (4) and (5), if the Pb content is reduced and the remaining Sn content is relatively increased, it is likely to be generated. In addition, solder is an alloy which has a lot of segregation which has not been subjected to heat treatment such as homogenization as originally cast, and each component locally reacts at a temperature of about 100 ° C., which is the maximum operating temperature, in a solder joint part. Because it is a metastable state, secondary phases that are different from those predicted by the equilibrium diagram theory may coexist.

【0039】さらに、本発明のはんだ合金においては、
Pbの含有量が19.8〜60重量%であり、Snの含
有量が40〜80重量%の組成をもつことが好ましい。
Pbの含有量が60%を超え、Snの含有量が40%を
下回ると、Pbの組織が多すぎて全体の強度を低下さ
せ、さらに融点が高くなりすぎてはんだ付性を悪くす
る。逆にPbの含有量が19.8%を下回り、Snの含
有量が80%を超えるとはんだ付性が大幅に低下するか
らである。なお、好ましいPb及びSnの含有量はそれ
ぞれ29.8〜50%及び70%以下である。
Further, in the solder alloy of the present invention,
Preferably, the composition has a Pb content of 19.8 to 60% by weight and a Sn content of 40 to 80% by weight.
If the content of Pb exceeds 60% and the content of Sn is less than 40%, the structure of Pb is too large to lower the overall strength, and further the melting point becomes too high to deteriorate the solderability. Conversely, when the content of Pb is less than 19.8% and the content of Sn exceeds 80%, the solderability is significantly reduced. The preferred contents of Pb and Sn are 29.8 to 50% and 70% or less, respectively.

【0040】さらにはんだ合金に添加される第1元素の
含有量が0.1%未満であると広がり率向上が少ないた
めに濡れ性によって決定される接合強度が低下し、一方
15%を超えるとはんだの融点が高くなり作業性が損な
われる他に、電子部品がはんだ接合の際に受ける熱影響
が無視できなくなる、偏析などにより粗大な2次相の析
出があり、はんだ強度を大幅に低下するなどの問題が起
こる。一方、第2元素の含有量が0.05%未満である
と、その添加効果が少なく、15%を超えると濡れ性と
接合強度が低下する。この対策として第1元素の添加量
を多くすることができるが、すると添加元素の総量が多
くなってはんだの融点が一挙に高まるので、好ましくな
い。好ましい添加量は第1元素は0.15〜5%、第2
元素は0.05〜5%である。
Further, when the content of the first element added to the solder alloy is less than 0.1%, the bonding strength determined by the wettability is reduced due to little improvement in the spreading ratio, and when it exceeds 15%. In addition to the high melting point of the solder, which impairs the workability, the thermal effects of the soldering of the electronic components during soldering cannot be ignored, and there is precipitation of a coarse secondary phase due to segregation, which significantly reduces the solder strength. Such problems occur. On the other hand, if the content of the second element is less than 0.05%, the effect of adding the second element is small, and if it exceeds 15%, the wettability and the bonding strength are reduced. As a countermeasure against this, the amount of the first element added can be increased, but this is not preferable because the total amount of the added elements increases and the melting point of the solder increases at a stroke. The preferable addition amount is 0.15 to 5% for the first element,
The element is 0.05-5%.

【0041】本発明の好ましい成分系はIn−Sb−A
gあるいはIn−Sb−Ag−Cu系である。この成分
系では、In,Sbの二元素ははんだづけ直後にはほと
んどが固溶しているが、電子部品の使用中の熱により相
互にあるいはSnを含めた各元素で金属間化合物を作
り、耐疲労性を高めることができる。Agは主としてS
n,Inとの金属間化合物を形成するが、Ag,Sn及
びInの結合ははんだ付け後の凝固過程でも起こる。一
般に溶融もしくは半溶融状態のはんだに金属間化合物が
生成するとはんだが流れ難くなるので、広がり率が低下
する筈であるが、実際は上述のように、InとSbは広
がり率を低下させ、Agは広がり率を向上させることが
分かった。そこで広がり率を向上する手段につき研究
し、耐疲労性を損なうことなくはんだ付性を共晶はんだ
と同等に確保する方策について各添加元素の添加量と濡
れ性との関係を求める研究を行い、図2示す結果が得ら
れた。また、それぞれの添加元素の含有量は、In:
0.05〜3.0%、Ag;0.15〜10.0%、S
b:0.05〜1.5%その他の第2元素の合計量がA
g量以下、であることが好ましい。また、Sbに代えて
あるいはSbとともにCuを添加することもできる。こ
の場合の添加量もしくはSbとの合計量は0.05〜
1.5%である。
The preferred component system of the present invention is In-Sb-A
g or In-Sb-Ag-Cu system. In this component system, most of the two elements, In and Sb, are in solid solution immediately after soldering. However, heat during use of the electronic component forms an intermetallic compound with each other or with each element including Sn. Fatigue can be increased. Ag is mainly S
While forming an intermetallic compound with n and In, the bonding of Ag, Sn and In also occurs during the solidification process after soldering. In general, if an intermetallic compound is generated in a molten or semi-molten solder, the flow of the solder becomes difficult, so the spreading rate should decrease. However, as described above, In and Sb reduce the spreading rate, and Ag It was found that the spreading ratio was improved. Therefore, we researched ways to improve the spread rate, and conducted a study to find the relationship between the amount of each additive element and the wettability for measures to ensure the same solderability as eutectic solder without impairing fatigue resistance. The result shown in FIG. 2 was obtained. Further, the content of each additive element is In:
0.05 to 3.0%, Ag; 0.15 to 10.0%, S
b: 0.05 to 1.5% The total amount of other second elements is A
g or less. Further, Cu can be added instead of or together with Sb. In this case, the added amount or the total amount with Sb is 0.05 to
1.5%.

【0042】さらに、Ag,In及びSbの添加量を変
化させて同様の試験を行った結果を、Ag(%)/{I
n+Sb+Cu+As+Ni+Mg+Ca+Ta+Ti
+Zr+Sr+Be+Tl+Ge+Ga(%)}を横軸
とし、広がり率を縦軸として図3に示す。図3よりAg
はSbとInの悪影響を打ち消して広がり率を向上させ
る;Ag(%)/(Sb+In+Cu+As+Ni+M
g+Ca+Ta+Ti+Zr+Sr+Be+Tl+Ge
+Ga)(%)比率が1.5以上では共晶組成以上の広
がり率が得られる;Ag(%)/(Sb+In+Cu+
As+Ni+Mg+Ca+Ta+Ti+Zr+Sr+B
e+Tl+Ge+Ga(%))比率が4以上ではその効
果は飽和するなどの結果が得られている。
Further, the same test was performed by changing the amounts of Ag, In and Sb, and the result was expressed as Ag (%) / ΔI
n + Sb + Cu + As + Ni + Mg + Ca + Ta + Ti
+ Zr + Sr + Be + Tl + Ge + Ga (%)} is shown on the horizontal axis, and the spread rate is shown on the vertical axis in FIG. Ag from FIG.
Eliminates the adverse effects of Sb and In and improves the spreading ratio; Ag (%) / (Sb + In + Cu + As + Ni + M
g + Ca + Ta + Ti + Zr + Sr + Be + Tl + Ge
When the (+ Ga) (%) ratio is 1.5 or more, a spreading ratio higher than the eutectic composition is obtained; Ag (%) / (Sb + In + Cu +)
As + Ni + Mg + Ca + Ta + Ti + Zr + Sr + B
When the ratio of (e + Tl + Ge + Ga (%)) is 4 or more, the effect is saturated.

【0043】広がり率を共晶はんだと同様に保持するた
めに、90%以上あればよいので、図2及び3からAg
%が(In+Sb+Cu+As+Ni+Mg+Ca+T
a+Ti+Zr+Sr+Be+Tl+Ge+Ga)
(%)の1倍以上添加することにより十分な濡れ性を確
保することが分かる。望ましくは91%以上を確保する
として1.25倍以上が好ましい。また、それぞれの添
加元素の含有量は、In:0.05〜3.0%、Ag;
0.15〜10.0%、Sb:0.05〜1.5%その
他の第2元素の合計量がAg量以下、であることが好ま
しい。また、Sbに代えてあるいはSbとともにCuを
添加することもできる。この場合の添加量もしくはSb
との合計量は0.05〜1.5%である。
In order to maintain the spread ratio as in the case of the eutectic solder, 90% or more is sufficient.
% Is (In + Sb + Cu + As + Ni + Mg + Ca + T
a + Ti + Zr + Sr + Be + Tl + Ge + Ga)
It can be seen that sufficient wettability is ensured by adding at least one time (%). Desirably, it is 1.25 times or more to secure 91% or more. The content of each additive element is as follows: In: 0.05 to 3.0%, Ag;
0.15 to 10.0%, Sb: 0.05 to 1.5% The total amount of other second elements is preferably not more than the Ag amount. Further, Cu can be added instead of or together with Sb. In this case, the added amount or Sb
Is 0.05 to 1.5%.

【0044】[0044]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によるとマ
イクロ接合部におけるはんだの熱疲労によるクラックを
起こり難くするために、高集積度電子機器の信頼性を高
めることができる。
As described above, according to the present invention, the reliability of a highly integrated electronic device can be improved because cracks due to thermal fatigue of solder at a microjoined portion are less likely to occur.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 (a)図は本発明のはんだ材料のはんだ付後
の組織を模式的に示した図、(b)図は熱歪みを受けて
組織変化を示した状態を模式的に示す図である。
FIG. 1A is a view schematically showing a structure of a solder material of the present invention after soldering, and FIG. 1B is a view schematically showing a state in which the structure has been changed due to thermal strain. It is.

【図2】 共晶はんだに加えられた単独元素の広がり率
に及ぼす影響を示したグラフである。
FIG. 2 is a graph showing an effect of a single element added to a eutectic solder on a spreading rate.

【図3】 共晶はんだに加えられたIn,Sb,Agが
広がり率に及ぼす影響を、横軸をAg/(In+Sb)
として示したグラフである。
FIG. 3 shows the effect of In, Sb, and Ag added to the eutectic solder on the spread rate, and the horizontal axis is Ag / (In + Sb).
FIG.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 重量百分率で、MA (但し、In,G
aの少なくとも1種)0.01〜10%、MB (但
し、Sb,Biの少なくとも1種)0.01〜8%、及
びAg及びAuの少なくとも1種0.01〜10%か
らなる群〜の少なくとも2種と、Pb10〜95%
と、残部(0%を除く)Snとから実質的にからなり、
はんだ付状態ではMA 、MB はPb相及びSn相に実質
的に固溶した状態であり、はんだ付後に析出させた前記
A 及び/又はMB を含むもしくはMA 及び/又はMB
からなる二次相が主としてPb結晶粒及びSn結晶粒の
粒界に存在しており、耐疲労性が優れていることを特徴
とする高密度半導体の実装のためのボール又はバンプ形
状をもつはんだ材料。
1. The method of claim 1 wherein M A (In, G
at least one) 0.01% to 10% of a, M B (however, Sb, at least one) from 0.01 to 8%, and the group consisting of at least one 0.01% to 10% of Ag and Au and Bi At least two kinds of Pb and 10 to 95% of Pb
And the remainder (excluding 0%) Sn,
M A is a soldered state, M B is the state of being substantially dissolved in the Pb phase and Sn phase, the precipitated after soldering including M A and / or M B or M A and / or M B
Solder having a ball or bump shape for mounting a high-density semiconductor, characterized by having a secondary phase consisting mainly of Pb crystal grains and Sn crystal grains at grain boundaries and having excellent fatigue resistance. material.
【請求項2】 重量百分率でAg及びAuの少なくとも
1種を0.01〜10%さらに含有することを特徴する
請求項1記載のはんだ材料。
2. The solder material according to claim 1, further comprising 0.01 to 10% by weight of at least one of Ag and Au.
【請求項3】 Ag及びBiの1種又は2種からなる第
1元素の含有量(重量%)がIn,Sbの1種又は2種
以上からなる第2元素の含有量(重量%)と等しいかあ
るいは第2元素の含有量より多いことを特徴とする請求
項1又は2記載のはんだ材料。
3. The content (% by weight) of a first element composed of one or two of Ag and Bi is the content (% by weight) of a second element composed of one or more of In and Sb. 3. The solder material according to claim 1, wherein the solder material is equal to or greater than the content of the second element.
【請求項4】 さらに、総量で2%以下のCu及びNi
の1種又は2種以上からなる第3元素を含有してなり、
第1元素の含有量(重量%)が第2元素と第3元素の合
計含有量(重量%)と等しいかあるいは前記合計含有量
より多いことを特徴とする請求項3記載のはんだ材料。
4. The method according to claim 1, wherein the total amount of Cu and Ni is 2% or less.
Comprising a third element consisting of one or more of the following,
The solder material according to claim 3, wherein the content (% by weight) of the first element is equal to or greater than the total content (% by weight) of the second element and the third element.
【請求項5】 Pbの含有量が19.8〜60重量%で
あり、Snの含有量が40〜80重量%である請求項3
記載のはんだ材料。
5. The Pb content is 19.8 to 60% by weight, and the Sn content is 40 to 80% by weight.
The solder material described.
【請求項6】 第1元素の含有量が0.1〜15重量%
であり、第2元素及び第3元素の合計含有量が0.05
〜15重量%である請求項4又は5記載のはんだ材料。
6. The content of the first element is 0.1 to 15% by weight.
And the total content of the second element and the third element is 0.05
The solder material according to claim 4, wherein the content is from 15% by weight to 15% by weight.
【請求項7】 第2元素がIn及びSbである請求項5
記載のはんだ材料。
7. The method according to claim 5, wherein the second element is In and Sb.
The solder material described.
【請求項8】 P:0.001〜0.1%をさらに含有
することを特徴とする請求項3から7までのいずれか1
項記載のはんだ材料。
8. The method according to claim 3, further comprising P: 0.001 to 0.1%.
The solder material described in the item.
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