JPH1146125A - Method and circuit for reducing electromagnetic radiation disturbance - Google Patents
Method and circuit for reducing electromagnetic radiation disturbanceInfo
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- JPH1146125A JPH1146125A JP20113297A JP20113297A JPH1146125A JP H1146125 A JPH1146125 A JP H1146125A JP 20113297 A JP20113297 A JP 20113297A JP 20113297 A JP20113297 A JP 20113297A JP H1146125 A JPH1146125 A JP H1146125A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電磁放射妨害源で
ある半導体デバイスやＡＳＩＣを備えた電子機器に対す
る電磁放射妨害の低減方法及び低減回路に関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and a circuit for reducing electromagnetic interference in electronic devices having a semiconductor device or an ASIC as an electromagnetic interference source.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、電磁放射妨害源である半導体
デバイスやＡＳＩＣを備えた電子機器に対する電磁放射
妨害の低減方法及び低減回路が種々提案されている（特
開昭６０−５１３１１号、特開平２−９７１０７号及び
特開平８−２８８６２６号の各公報等参照）。2. Description of the Related Art Conventionally, various methods and circuits for reducing electromagnetic radiation interference with respect to electronic devices equipped with semiconductor devices and ASICs as electromagnetic radiation disturbance sources have been proposed (JP-A-60-51311, JP-A-60-51311). 2-97107 and JP-A-8-288626).
【０００３】例えば、図９に示すように電磁放射妨害源
である半導体デバイス１を備えた電子機器において、半
導体デバイス１と周辺の半導体デバイス２とを接続する
信号線Ｌｓに、電磁放射妨害源である半導体デバイス１
の電源ラインＬｐから電源が供給される半導体デバイス
３を挿入することによって、信号線Ｌｓの配線長を短く
して信号線Ｌｓから放射される電磁放射妨害波を低減す
るようにしていた。図１０は上記電子機器がプログラマ
ブルコントローラである場合を示す回路ブロック図であ
り、電磁放射妨害源であるＡＳＩＣ(Application Speci
fic IC) １と図示しない周辺のＩＣに接続されるＩ／Ｏ
バスコネクタ４とを接続する信号線（Ｉ／Ｏバスライ
ン）Ｌｓに、ＡＳＩＣ１とＩ／Ｏバスコネクタ４を介し
た周辺のＩＣとの間でデータの送受信を仲介するバスト
ランシーバ（例えば、東芝製74HC245 等）３が挿入され
ている。なお、ＡＳＩＣとは特定用途向けＩＣと訳さ
れ、広義には汎用品以外の全てのＩＣやＬＳＩが該当
し、一般にはフルカスタムＩＣとセミカスタムＩＣ、Ａ
ＳＳＰ（特定用途向け標準品）の総称である。For example, as shown in FIG. 9, in an electronic apparatus provided with a semiconductor device 1 which is an electromagnetic interference source, a signal line Ls connecting the semiconductor device 1 and a peripheral semiconductor device 2 is connected to a signal line Ls by the electromagnetic interference source. A certain semiconductor device 1
By inserting the semiconductor device 3 to which power is supplied from the power supply line Lp, the wiring length of the signal line Ls is shortened to reduce the electromagnetic interference wave radiated from the signal line Ls. FIG. 10 is a circuit block diagram showing a case where the electronic device is a programmable controller, and an ASIC (Application Speci
fic IC) 1 and I / O connected to peripheral IC not shown
A signal line (I / O bus line) Ls connecting the bus connector 4 is provided with a bus transceiver (for example, a product of Toshiba) that mediates data transmission and reception between the ASIC 1 and peripheral ICs via the I / O bus connector 4. 3) is inserted. Note that ASIC is translated as application-specific IC, and in a broad sense, includes all ICs and LSIs other than general-purpose products. Generally, full custom ICs, semi-custom ICs, and A
SSP (standard product for specific application).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記従来例では、電源
ラインＬｐを介して供給される電源が非常に安定してい
る場合には信号線Ｌｓがアンテナとなって外部に放射さ
れる電磁放射妨害波を低減することができるが、電磁放
射妨害源である半導体デバイス（ＡＳＩＣ）１と信号線
Ｌｓに挿入される半導体デバイス（バストランシーバ）
３とが共通の電源ラインＬｐに接続されているため、電
源自体が不安定で電磁放妨害源の半導体デバイス（ＡＳ
ＩＣ）１からの高周波電流が電源ラインＬｐを通して半
導体デバイス（バストランシーバ）３から周辺の半導体
デバイス２へ、あるいはＩ／Ｏバスコネクタ４を介して
周辺の半導体デバイスへ回り込んでしまい、却って電磁
放射妨害を増大させてしまうという問題があった（図９
及び図１０の点線参照）。In the above conventional example, when the power supplied through the power supply line Lp is very stable, the signal line Ls acts as an antenna to radiate electromagnetic radiation to the outside. A semiconductor device (ASIC) 1 that can reduce waves but is a source of electromagnetic radiation interference and a semiconductor device (bus transceiver) inserted into the signal line Ls
3 are connected to a common power supply line Lp, the power supply itself is unstable and the semiconductor device (AS
The high-frequency current from the IC 1 flows from the semiconductor device (bus transceiver) 3 to the peripheral semiconductor device 2 via the power supply line Lp or to the peripheral semiconductor device via the I / O bus connector 4, and on the contrary, electromagnetic radiation There was a problem that interference was increased (see FIG. 9).
And the dotted line in FIG. 10).
【０００５】本発明は上記問題点の解決を目的とするも
のであり、電磁放射妨害源となる半導体デバイス等を備
えた電子機器の電磁放射妨害を確実に低減することがで
きる電磁放射妨害の低減方法及び低減回路を提供しよう
とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and to reduce electromagnetic radiation interference of an electronic apparatus including a semiconductor device or the like which is a source of electromagnetic radiation disturbance. It seeks to provide a method and a reduction circuit.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、上記
目的を達成するために、電磁放射妨害源である半導体デ
バイスを備えた電子機器に対する電磁放射妨害の低減方
法であって、電磁放射妨害源である半導体デバイスと周
辺の半導体デバイスとを接続する信号線に、電磁放射妨
害源である半導体デバイスの電源と高周波的に絶縁され
た電源が供給される半導体デバイスを挿入することを特
徴とし、半導体デバイスを電源と接続する電源ラインか
らの高周波電流の回り込みを抑えて電磁放射妨害を確実
に低減させることができる。According to the first aspect of the present invention, there is provided a method for reducing electromagnetic interference in an electronic apparatus having a semiconductor device which is a source of electromagnetic radiation. A semiconductor device that is supplied with a power supply that is insulated from a power supply of a semiconductor device that is an electromagnetic radiation source and a high-frequency power is inserted into a signal line that connects the semiconductor device that is the interference source and a peripheral semiconductor device. In addition, the sneak of high-frequency current from the power supply line connecting the semiconductor device to the power supply can be suppressed, and electromagnetic radiation interference can be reliably reduced.
【０００７】請求項２の発明は、上記目的を達成するた
めに、電磁放射妨害源であるＡＳＩＣを備えた電子機器
に対する電磁放射妨害の低減方法であって、電磁放射妨
害源であるＡＳＩＣと周辺のＩＣとを接続する信号線
に、インダクタンス要素を用いて電磁放射妨害源である
ＡＳＩＣの電源と高周波的に絶縁された電源が供給され
るＩＣを挿入することを特徴とし、ＡＳＩＣを電源と接
続する電源ラインからの高周波電流の回り込みをインダ
クタンス要素によって抑えて電磁放射妨害を確実に低減
させることができる。According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for reducing electromagnetic interference in an electronic device having an ASIC which is an electromagnetic interference source. And an IC supplied with a power supply which is insulated from a power supply of an ASIC which is an electromagnetic radiation source by using an inductance element, is supplied to a signal line for connecting the ASIC to the power supply. The sneak of high-frequency current from the power supply line is suppressed by the inductance element, so that electromagnetic radiation interference can be reliably reduced.
【０００８】請求項３の発明は、上記目的を達成するた
めに、電磁放射妨害源であるＡＳＩＣを備えた電子機器
に対する電磁放射妨害の低減方法であって、電磁放射妨
害源であるＡＳＩＣと周辺のＩＣとを接続する信号線
に、コンデンサを用いて電磁放射妨害源であるＡＳＩＣ
の電源と高周波的に絶縁された電源が供給されるＩＣを
挿入することを特徴とし、ＡＳＩＣを電源と接続する電
源ラインからの高周波電流の回り込みをコンデンサによ
って抑えて電磁放射妨害を確実に低減させることができ
る。According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for reducing electromagnetic radiation interference in an electronic device having an ASIC which is an electromagnetic radiation disturbance source. ASIC which is a source of electromagnetic radiation interference by using a capacitor in the signal line connecting the IC
An IC to which a power supply insulated from the power supply of the ASIC is supplied is inserted, and high frequency current from a power supply line for connecting the ASIC to the power supply is suppressed by a capacitor to reliably reduce electromagnetic interference. be able to.
【０００９】請求項４の発明は、上記目的を達成するた
めに、電磁放射妨害源である半導体デバイスを備えた電
子機器に対する電磁放射妨害の低減方法であって、電磁
放射妨害源である半導体デバイスと周辺の半導体デバイ
スとを接続する信号線に、電磁放射妨害源である半導体
デバイスの電源と高周波的に絶縁された電源が供給され
る半導体デバイスと、高周波ノイズを阻止するフィルタ
とを挿入することを特徴とし、半導体デバイスを電源と
接続する電源ラインからの高周波電流の回り込みを抑え
るとともにフィルタによって信号線に流れる高周波ノイ
ズを阻止することで電磁放射妨害を確実に低減させるこ
とができる。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of reducing electromagnetic interference in an electronic apparatus having a semiconductor device as an electromagnetic radiation source, the method comprising: Inserting a semiconductor device that is supplied with a power supply that is insulated from a power supply of a semiconductor device that is an electromagnetic radiation interference source in a high frequency and a filter that blocks high frequency noise in a signal line connecting the semiconductor device and a peripheral semiconductor device. By suppressing the sneak of high-frequency current from a power supply line connecting a semiconductor device to a power supply, and by preventing high-frequency noise flowing through a signal line by a filter, electromagnetic radiation interference can be reliably reduced.
【００１０】請求項５の発明は、請求項１〜４の何れか
の発明において、プリント基板の配線パターンとして形
成される信号線の周囲をシールドアースで囲むことを特
徴とし、信号線から放射される電磁放射妨害波をシール
ドアースによって吸収することができ、複数の信号線が
隣接して配設される場合にあっても信号線間でのノイズ
の影響を低減することができる。According to a fifth aspect of the present invention, in any one of the first to fourth aspects of the present invention, a signal line formed as a wiring pattern on a printed circuit board is surrounded by a shield ground, and radiated from the signal line. Electromagnetic interference can be absorbed by the shield ground, and the influence of noise between the signal lines can be reduced even when a plurality of signal lines are arranged adjacent to each other.
【００１１】請求項６の発明は、請求項１〜５の何れか
の発明において、信号線をテブナン終端することを特徴
とし、信号線の信号電圧を低減して高周波電流を減ら
し、且つ急峻な電流変化を緩和することで信号線からの
電磁放射妨害を低減することができる。請求項７の発明
は、上記目的を達成するために、電磁放射妨害源である
半導体デバイスを備えた電子機器に対する電磁放射妨害
の低減回路であって、電磁放射妨害源である半導体デバ
イスと周辺の半導体デバイスとを接続する信号線に、電
磁放射妨害源である半導体デバイスの電源と高周波的に
絶縁された電源が供給される半導体デバイスを挿入して
成ることを特徴とし、半導体デバイスを電源と接続する
電源ラインからの高周波電流の回り込みを抑えて電磁放
射妨害を確実に低減させることができる。According to a sixth aspect of the present invention, in any one of the first to fifth aspects of the present invention, the signal line is terminated with a Thevenin, and the signal voltage of the signal line is reduced to reduce the high-frequency current, and the steepness is reduced. By alleviating the current change, electromagnetic interference from the signal line can be reduced. According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a circuit for reducing electromagnetic interference with respect to an electronic apparatus having a semiconductor device as an electromagnetic radiation source. A semiconductor device that is supplied with a power supply that is insulated from a power supply of a semiconductor device, which is a source of electromagnetic radiation, and that is insulated at a high frequency, is inserted into a signal line that connects the semiconductor device, and the semiconductor device is connected to a power supply. In this way, it is possible to suppress the sneak of high-frequency current from the power supply line to reduce electromagnetic interference.
【００１２】請求項８の発明は、上記目的を達成するた
めに、電磁放射妨害源であるＡＳＩＣを備えた電子機器
に対する電磁放射妨害の低減回路であって、電磁放射妨
害源であるＡＳＩＣと周辺のＩＣとを接続する信号線
に、インダクタンス要素を用いて電磁放射妨害源である
ＡＳＩＣの電源と高周波的に絶縁された電源が供給され
るＩＣを挿入して成ることを特徴とし、ＡＳＩＣを電源
と接続する電源ラインからの高周波電流の回り込みをイ
ンダクタンス要素によって抑えて電磁放射妨害を確実に
低減させることができる。According to another aspect of the present invention, there is provided a circuit for reducing electromagnetic interference in an electronic device having an ASIC which is an electromagnetic interference source. Characterized by inserting an IC to which a power supply insulated from a power supply of an ASIC as an electromagnetic radiation source using an inductance element is supplied to a signal line for connecting the IC to the power supply circuit. Influence of high-frequency current from the power supply line connected to the power supply line is suppressed by the inductance element, so that electromagnetic radiation interference can be reliably reduced.
【００１３】請求項９の発明は、上記目的を達成するた
めに、電磁放射妨害源であるＡＳＩＣを備えた電子機器
に対する電磁放射妨害の低減回路であって、電磁放射妨
害源であるＡＳＩＣと周辺のＩＣとを接続する信号線
に、コンデンサを用いて電磁放射妨害源であるＡＳＩＣ
の電源と高周波的に絶縁された電源が供給されるＩＣを
挿入して成ることを特徴とし、ＡＳＩＣを電源と接続す
る電源ラインからの高周波電流の回り込みをコンデンサ
によって抑えて電磁放射妨害を確実に低減させることが
できる。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a circuit for reducing electromagnetic interference with respect to an electronic device having an ASIC as an electromagnetic interference source, wherein the ASIC as an electromagnetic interference source and a peripheral device are provided. ASIC which is a source of electromagnetic radiation interference by using a capacitor in the signal line connecting the IC
It is characterized by inserting an IC that is supplied with a power supply that is insulated from the power supply of the ASIC and a high frequency. Can be reduced.
【００１４】請求項１０の発明は、上記目的を達成する
ために、電磁放射妨害源である半導体デバイスを備えた
電子機器に対する電磁放射妨害の低減回路であって、電
磁放射妨害源である半導体デバイスと周辺の半導体デバ
イスとを接続する信号線に、電磁放射妨害源である半導
体デバイスの電源と高周波的に絶縁された電源が供給さ
れる半導体デバイスと、高周波ノイズを阻止するフィル
タとを挿入して成ることを特徴とし、半導体デバイスを
電源と接続する電源ラインからの高周波電流の回り込み
を抑えるとともにフィルタによって信号線に流れる高周
波ノイズを阻止することで電磁放射妨害を確実に低減さ
せることができる。According to a tenth aspect of the present invention, in order to achieve the above object, there is provided a circuit for reducing electromagnetic interference in an electronic apparatus provided with a semiconductor device which is an electromagnetic radiation source, the semiconductor device being an electromagnetic radiation source. Insert a semiconductor device that is supplied with a power supply that is insulated from the power of the semiconductor device that is an electromagnetic radiation source and a high-frequency noise, and a filter that blocks high-frequency noise in signal lines connecting the semiconductor device and the peripheral semiconductor device. The present invention is characterized in that electromagnetic radiation interference can be reliably reduced by suppressing high-frequency current flowing from a power supply line connecting a semiconductor device to a power supply and preventing high-frequency noise flowing through a signal line by a filter.
【００１５】請求項１１の発明は、請求項７〜１０の何
れかの発明において、プリント基板の配線パターンとし
て形成される信号線の周囲を囲むシールドアースを設け
て成ることを特徴とし、信号線から放射される電磁放射
妨害波をシールドアースによって吸収することができ、
複数の信号線が隣接して配設される場合にあっても信号
線間でのノイズの影響を低減することができる。According to an eleventh aspect of the present invention, in any one of the seventh to tenth aspects of the present invention, a shield ground surrounding a signal line formed as a wiring pattern of a printed circuit board is provided. Can be absorbed by shield ground,
Even when a plurality of signal lines are arranged adjacent to each other, the influence of noise between the signal lines can be reduced.
【００１６】請求項１２の発明は、請求項７〜１１の何
れかの発明において、信号線をテブナン終端する回路を
備えたことを特徴とし、信号線の信号電圧を低減して高
周波電流を減らし、且つ急峻な電流変化を緩和すること
で信号線からの電磁放射妨害を低減することができる。According to a twelfth aspect of the present invention, in any one of the seventh to eleventh aspects, a circuit for terminating the signal line in the Thevenin is provided, and the signal voltage of the signal line is reduced to reduce the high-frequency current. And, by alleviating a steep current change, electromagnetic radiation interference from the signal line can be reduced.
【００１７】[0017]
（実施形態１）図１は本発明の実施形態１を示す回路図
であり、電磁放射妨害源である半導体デバイス１を備え
た電子機器において、半導体デバイス１と周辺の半導体
デバイス２とを接続する信号線Ｌｓに、電磁放射妨害源
である半導体デバイス１の電源ラインＬｐから電源が供
給される半導体デバイス３を挿入するとともに、２つの
半導体デバイス１，３の間の電源ラインＬｐにインダク
タンス要素たるインダクタＬ1 を挿入して、半導体デバ
イス３への電源を電磁放射妨害源である半導体デバイス
１の電源から高周波的に絶縁してある。(Embodiment 1) FIG. 1 is a circuit diagram showing Embodiment 1 of the present invention. In an electronic apparatus provided with a semiconductor device 1 which is an electromagnetic radiation interference source, the semiconductor device 1 and a peripheral semiconductor device 2 are connected. A semiconductor device 3 to which power is supplied from a power supply line Lp of the semiconductor device 1 which is a source of electromagnetic radiation is inserted into the signal line Ls, and an inductor serving as an inductance element is connected to the power supply line Lp between the two semiconductor devices 1 and 3. insert the L 1, are high frequency isolate the power supply to the semiconductor device 3 from the power semiconductor device 1 is an electromagnetic radiation interference source.
【００１８】すなわち、インダクタＬ1 を挿入すること
で電源ラインＬｐの高周波電流に対するインピーダンス
を増加させ、電磁放射妨害源である半導体デバイス１か
ら電源ラインＬｐに回り込む高周波電流を熱に変換させ
て半導体デバイス３の電源を高周波的に絶縁することに
より、半導体デバイス１から電源ラインＬｐへの高周波
電流の回り込みを抑制して電磁放射妨害を低減すること
ができる。しかも、半導体デバイス３を信号線Ｌｓに挿
入することで電磁放射妨害源である半導体デバイス１か
らの信号線Ｌｓの配線長を最短にでき、信号線Ｌｓから
の電磁放射妨害波を低減することができるという利点も
ある。[0018] That is, to increase the impedance to the high frequency current of the power supply line Lp by inserting the inductor L 1, a semiconductor device a high-frequency current is converted to heat sneaking from the semiconductor device 1 to the power supply line Lp is an electromagnetic radiation source of disturbance By insulating the power supply of No. 3 in high frequency, it is possible to suppress the sneak of high frequency current from the semiconductor device 1 to the power supply line Lp and reduce electromagnetic interference. Moreover, by inserting the semiconductor device 3 into the signal line Ls, it is possible to minimize the wiring length of the signal line Ls from the semiconductor device 1 which is an electromagnetic radiation disturbance source, and to reduce electromagnetic radiation disturbance waves from the signal line Ls. There is also the advantage that you can.
【００１９】図２は上記電子機器がプログラマブルコン
トローラである場合を示す回路ブロック図であり、電磁
放射妨害源であるＡＳＩＣ１と、図示しない周辺のＩＣ
に接続されるＩ／Ｏバスコネクタ４とがプリント配線板
に実装され、ＡＳＩＣ１とＩ／Ｏバスコネクタ４とを接
続する信号線Ｌｓは計２４本のＩ／Ｏバスラインであっ
てプリント配線板に配線パターンとして形成されてい
る。また、この信号線ＬｓのＡＳＩＣ１とＩ／Ｏバスコ
ネクタ４の間には、ＡＳＩＣ１とＩ／Ｏバスコネクタ４
を介した周辺のＩＣとの間でデータの送受信を仲介する
バストランシーバ（例えば、東芝製74HC245 等）３が挿
入されている。さらに、ＡＳＩＣ１及びバストランシー
バ３はプリント配線板の内層パターンで形成される直流
５Ｖの電源ラインＬｐとグランドラインＬｅとに接続さ
れるとともに、電源ラインＬｐ及びグランドラインＬｅ
と、ＡＳＩＣ１及びバストランシーバ３との間にインダ
クタンス要素であるフェライトビーズＦＢがそれぞれ挿
入してある。FIG. 2 is a circuit block diagram showing a case where the electronic device is a programmable controller. The ASIC 1 as an electromagnetic radiation interference source and a peripheral IC (not shown)
The I / O bus connector 4 connected to the ASIC 1 is mounted on a printed wiring board, and the signal line Ls connecting the ASIC 1 and the I / O bus connector 4 is a total of 24 I / O bus lines, and Is formed as a wiring pattern. The ASIC 1 and the I / O bus connector 4 are connected between the ASIC 1 and the I / O bus connector 4 of the signal line Ls.
A bus transceiver (for example, 74HC245 manufactured by Toshiba) for mediating the transmission and reception of data to and from peripheral ICs via the IC is inserted. Further, the ASIC 1 and the bus transceiver 3 are connected to a 5 V DC power line Lp and a ground line Le formed by an inner layer pattern of the printed wiring board, and the power line Lp and the ground line Le.
And the ASIC 1 and the bus transceiver 3, ferrite beads FB, which are inductance elements, are inserted respectively.
【００２０】而して、図２に示す回路構成においても、
電源ラインＬｐ及びグランドラインＬｅに挿入したフェ
ライトビーズＦＢによって高周波電流に対するインピー
ダンスを増加させ、バストランシーバ３に供給される直
流電源をＡＳＩＣ１に供給される直流電源から高周波的
に絶縁することにより、ＡＳＩＣ１から電源ラインＬｐ
及びグランドラインＬｅへの高周波電流の回り込みを抑
制して電磁放射妨害を低減することができる。本発明者
らの実験によれば、本実施形態の構成によって電磁放射
妨害を約１０ｄＢ程低減することができた。Thus, in the circuit configuration shown in FIG.
The ferrite beads FB inserted into the power supply line Lp and the ground line Le increase the impedance against high-frequency current, and insulate the DC power supply supplied to the bus transceiver 3 from the DC power supply supplied to the ASIC 1 at a high frequency. Power line Lp
In addition, it is possible to suppress the sneak of the high-frequency current to the ground line Le and reduce electromagnetic interference. According to experiments performed by the present inventors, the configuration of the present embodiment was able to reduce electromagnetic radiation interference by about 10 dB.
【００２１】（実施形態２）図３は本発明の実施形態２
を示す回路図であり、電磁放射妨害源である半導体デバ
イス１を備えた電子機器において、半導体デバイス１と
周辺の半導体デバイス２とを接続する信号線Ｌｓに、電
磁放射妨害源である半導体デバイス１の電源ラインＬｐ
から電源が供給される半導体デバイス３を挿入するとと
もに、２つの半導体デバイス１，３の間の電源ラインＬ
ｐとグランドラインＬｅとの間にコンデンサＣ1 を挿入
して、半導体デバイス３への電源を電磁放射妨害源であ
る半導体デバイス１の電源から高周波的に絶縁してあ
る。(Embodiment 2) FIG. 3 shows Embodiment 2 of the present invention.
FIG. 3 is a circuit diagram showing an electronic apparatus including a semiconductor device 1 serving as an electromagnetic radiation disturbance source, wherein a signal line Ls connecting the semiconductor device 1 and a peripheral semiconductor device 2 is connected to a semiconductor device 1 serving as an electromagnetic radiation disturbance source. Power line Lp
And a power supply line L between the two semiconductor devices 1 and 3
Insert a capacitor C 1 between the p and a ground line Le, are high frequency isolate the power supply to the semiconductor device 3 from the power semiconductor device 1 is an electromagnetic radiation interference source.
【００２２】すなわち、コンデンサＣ1 を挿入すること
で電源ラインＬｐとグランドラインＬｅとの間のインピ
ーダンスを減少させ、電磁放射妨害源である半導体デバ
イス１から電源ラインＬｐに回り込む高周波電流をコン
デンサＣ1 を介してグランドラインＬｅにバイパスさせ
て半導体デバイス３の電源を高周波的に絶縁することに
より、半導体デバイス１から電源ラインＬｐへの高周波
電流の回り込みを抑制して電磁放射妨害を低減すること
ができる。しかも、半導体デバイス３を信号線Ｌｓに挿
入することで電磁放射妨害源である半導体デバイス１か
らの信号線Ｌｓの配線長を最短にでき、信号線Ｌｓから
の電磁放射妨害波を低減することができるという利点も
ある。That is, by inserting the capacitor C 1 , the impedance between the power line Lp and the ground line Le is reduced, and the high frequency current flowing from the semiconductor device 1, which is a source of electromagnetic radiation, to the power line Lp is reduced by the capacitor C 1. The power supply of the semiconductor device 3 is insulated at a high frequency by bypassing to the ground line Le through the semiconductor device 1, so that a high-frequency current from the semiconductor device 1 to the power supply line Lp can be suppressed and electromagnetic interference can be reduced. . Moreover, by inserting the semiconductor device 3 into the signal line Ls, it is possible to minimize the wiring length of the signal line Ls from the semiconductor device 1 which is an electromagnetic radiation disturbance source, and to reduce electromagnetic radiation disturbance waves from the signal line Ls. There is also the advantage that you can.
【００２３】図４は上記電子機器が画像処理装置である
場合を示す回路ブロック図であり、電磁放射妨害源であ
るＡＳＩＣ１’と、図示しない周辺のＩＣに接続される
Ｉ／Ｏバスコネクタ４’とがプリント配線板に実装さ
れ、ＡＳＩＣ１’とＩ／Ｏバスコネクタ４’とを接続す
る信号線Ｌｓは計２４本のアドレス及びデータラインで
あってプリント配線板に配線パターンとして形成されて
いる。また、この信号線ＬｓのＡＳＩＣ１’とＩ／Ｏバ
スコネクタ４’の間にはバスバッファ（例えば、東芝製
74AC541 等）３’が挿入されている。さらに、ＡＳＩＣ
１’及びバスバッファ３’はプリント配線板の内層パタ
ーンで形成される直流５Ｖの電源ラインＬｐとグランド
ラインＬｅとで電源コネクタ５に接続されるとともに、
ＡＳＩＣ１’及びバスバッファ３’との間の電源ライン
Ｌｐ−グランドラインＬｅ間には積層セラミックコンデ
ンサ（以下、単にコンデンサという）Ｃ1 が挿入してあ
る。FIG. 4 is a circuit block diagram showing the case where the electronic apparatus is an image processing apparatus. The ASIC 1 'is a source of electromagnetic radiation and an I / O bus connector 4' connected to a peripheral IC (not shown). Are mounted on the printed wiring board, and the signal lines Ls connecting the ASIC 1 'and the I / O bus connector 4' are a total of 24 address and data lines, which are formed as wiring patterns on the printed wiring board. Further, a bus buffer (for example, a product made by Toshiba) is provided between the ASIC 1 'of the signal line Ls and the I / O bus connector 4'.
74AC541 etc.) 3 'is inserted. Furthermore, ASIC
1 'and the bus buffer 3' are connected to the power supply connector 5 via a 5V DC power supply line Lp and a ground line Le formed by an inner layer pattern of the printed wiring board.
ASIC1 'and bus buffer 3' is between the power supply line Lp- ground line Le between the multilayer ceramic capacitor (hereinafter, simply referred to as a capacitor) has been inserted is C 1.
【００２４】而して、図４に示す回路構成においても、
電源ラインＬｐ−グランドラインＬｅ間に挿入したコン
デンサＣ1 によって高周波電流に対する電源ラインＬｐ
−グランドラインＬｅ間のインピーダンスを減少させ、
バスバッファ３’に供給される直流電源をＡＳＩＣ１’
に供給される直流電源から高周波的に絶縁することによ
り、ＡＳＩＣ１’から電源ラインＬｐ及びグランドライ
ンＬｅへの高周波電流の回り込みを抑制して電磁放射妨
害を低減することができる。本発明者らの実験によれ
ば、本実施形態の構成によって電磁放射妨害を約１０ｄ
Ｂ程低減することができた。Thus, in the circuit configuration shown in FIG.
Power line Lp for the high-frequency current by the capacitor C 1 which is inserted between the power supply line Lp- ground line Le
Reducing the impedance between the ground lines Le,
ASIC1 'is a DC power supplied to bus buffer 3'.
, The high frequency current from the ASIC 1 'to the power supply line Lp and the ground line Le can be suppressed to reduce electromagnetic interference. According to experiments performed by the present inventors, the configuration of the present embodiment reduces electromagnetic radiation interference by about 10 d.
B was able to be reduced.
【００２５】（実施形態３）図５は本発明の実施形態３
を示す回路ブロック図である。本実施形態は電子機器と
してプログラマブルコントローラに本発明を適用したも
のであり、図２に示した実施形態１との違いは、電磁放
射妨害源であるＡＳＩＣ１とバストランシーバ３との
間、及びバストランシーバ３とＩ／Ｏコネクタ４との間
の信号線Ｌｓに高周波ノイズを阻止するフィルタ回路６
を各々挿入した点にある。(Embodiment 3) FIG. 5 shows Embodiment 3 of the present invention.
FIG. 4 is a circuit block diagram showing In the present embodiment, the present invention is applied to a programmable controller as an electronic device. The difference from the first embodiment shown in FIG. 2 is that the ASIC 1 which is an electromagnetic interference source and the bus transceiver 3 and the bus transceiver 3 Filter circuit 6 for preventing high-frequency noise on signal line Ls between I / O connector 4 and I / O connector 4
Is inserted at each point.
【００２６】フィルタ回路６は、信号線Ｌｓに直列に挿
入される一対のインダクタＬ2 ，Ｌ 3 の直列回路と、イ
ンダクタＬ2 ，Ｌ3 の接続点とグランドラインＬｅとの
間に挿入されるコンデンサＣ2 とから構成されるローパ
スフィルタである。而して本実施形態によれば、実施形
態１と同様に電源ラインＬｐからの高周波電流の回り込
みを抑えるとともに、フィルタ回路６によって信号線Ｌ
ｓに流れる高周波ノイズを阻止することにより、バスト
ランシーバ３への電源に対する高周波的な絶縁がより確
実になり、電磁放射妨害をさらに低減させることができ
る。なお、本発明者らの実験によれば、実施形態１の回
路構成よりもさらに約５ｄＢの電磁放射妨害の低減が可
能となった。The filter circuit 6 is inserted in series with the signal line Ls.
A pair of inductors LTwo, L ThreeSeries circuit and
Nacta LTwo, LThreeBetween the connection point and the ground line Le
Capacitor C inserted betweenTwoRopa composed of
Filter. Thus, according to the present embodiment,
As in the case of the state 1, the high frequency current flows from the power supply line Lp.
Of the signal line L by the filter circuit 6.
s by blocking high-frequency noise flowing through
High frequency insulation for power supply to transceiver 3 is more secure
In fact, electromagnetic interference can be further reduced
You. In addition, according to the experiment of the present inventors, the time of
Approximately 5 dB less electromagnetic radiation interference than road configuration
Noh.
【００２７】（実施形態４）図６は本発明の実施形態４
の要部を示す平面図である。本実施形態では、２つの半
導体デバイス１，３がプリント配線板７に実装されてお
り、両者を接続する信号線Ｌｓの配線パターンの間にシ
ールドアース８を形成し、各信号線Ｌｓがこれらのシー
ルドアース８によって囲まれるようにしてある。(Embodiment 4) FIG. 6 shows Embodiment 4 of the present invention.
It is a top view which shows the principal part of. In the present embodiment, two semiconductor devices 1 and 3 are mounted on the printed wiring board 7, and a shield ground 8 is formed between the wiring patterns of the signal lines Ls connecting the two, and each signal line Ls is connected to these. It is designed to be surrounded by a shield ground 8.
【００２８】シールドアース８はプリント配線板７上に
形成されるパターンであって、両端がグランドラインに
接続されている。而して、半導体デバイス１からの高周
波電流が信号線Ｌｓに流れて電磁放射妨害波が放射され
ても、信号線Ｌｓを囲むように形成されたシールドアー
ス８に電磁放射妨害波が吸収されるため、複数の信号線
Ｌｓが隣接して配設される場合にあっても信号線Ｌｓ間
でのノイズの影響を低減して電磁放射妨害を減少させる
ことができる。The shield ground 8 is a pattern formed on the printed wiring board 7, and both ends are connected to a ground line. Thus, even if a high-frequency current from the semiconductor device 1 flows through the signal line Ls and radiates an electromagnetic radiation, the electromagnetic radiation is absorbed by the shield ground 8 formed so as to surround the signal line Ls. Therefore, even when a plurality of signal lines Ls are arranged adjacent to each other, it is possible to reduce the influence of noise between the signal lines Ls and reduce electromagnetic interference.
【００２９】（実施形態５）図７は本発明の実施形態５
における要部の回路図であり、半導体デバイス１，３を
接続する信号線Ｌｓをプルアップ抵抗Ｒ1 とプルダウン
抵抗Ｒ2 とを用いて所謂テブナン終端した点に特徴があ
る。一方、図８（ａ）はテブナン終端をしない場合の信
号線Ｌｓを伝送される信号の波形、同図（ｂ）がテブナ
ン終端をした本実施形態の場合の信号の波形を各々示し
ている。同図から明らかなように、信号線Ｌｓをテブナ
ン終端することで信号電圧を低下させて高周波電流を減
少させることができ、結果的に電磁放射妨害を低減する
ことができる。また、テブナン終端する抵抗Ｒ1 ，Ｒ2
によって急峻な電流変化を緩和することによっても、半
導体デバイス１，３間を接続する信号線Ｌｓからの電磁
放射妨害が低減できる。さらに、信号線Ｌｓをテブナン
終端することで信号線Ｌｓを流れる信号の反射も防ぐこ
とができる。なお、図８に示すようにテブナン終端によ
って信号レベルが低下するが、信号判別のしきい値ＶIH
を上回るように抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 の抵抗値（本実施形態で
はＲ1 ＝６８０Ω、Ｒ2＝１ｋΩ）を設定することで何
ら問題は生じない。(Embodiment 5) FIG. 7 shows Embodiment 5 of the present invention.
In a circuit diagram of an essential part, it is characterized in that the so-called Thevenin termination by using the pull-up resistor R 1 and a pull-down resistor R 2 a signal line Ls to connect the semiconductor devices 1 and 3. On the other hand, FIG. 8A shows a waveform of a signal transmitted on the signal line Ls when the Thevenin termination is not performed, and FIG. 8B shows a waveform of a signal in the present embodiment terminated with Thevenin, respectively. As is clear from the figure, by terminating the signal line Ls in Thevenin, the signal voltage can be reduced to reduce the high-frequency current, and as a result, the electromagnetic interference can be reduced. In addition, the resistors R 1 and R 2 that terminate Thevenin are used.
By alleviating the steep current change, the electromagnetic interference from the signal line Ls connecting the semiconductor devices 1 and 3 can be reduced. Further, by terminating the signal line Ls in Thevenin, reflection of a signal flowing through the signal line Ls can be prevented. As shown in FIG. 8, the signal level decreases due to the termination of Thevenin, but the signal determination threshold value VIH
By setting the resistance values of the resistors R 1 and R 2 (R 1 = 680Ω and R 2 = 1 kΩ in the present embodiment) so as to exceed the above, no problem occurs.
【００３０】本実施形態によれば、信号線Ｌｓをテブナ
ン終端することで信号線Ｌｓの信号電圧を低減して高周
波電流を減らし、且つ急峻な電流変化を緩和することで
信号線Ｌｓからの電磁放射妨害を低減することができる
ものである。According to this embodiment, the signal voltage of the signal line Ls is reduced by thevenin termination of the signal line Ls to reduce the high-frequency current, and the sharp current change is reduced, so that the electromagnetic wave from the signal line Ls is reduced. Radiation disturbance can be reduced.
【００３１】[0031]
【発明の効果】請求項１の発明は、電磁放射妨害源であ
る半導体デバイスを備えた電子機器に対する電磁放射妨
害の低減方法であって、電磁放射妨害源である半導体デ
バイスと周辺の半導体デバイスとを接続する信号線に、
電磁放射妨害源である半導体デバイスの電源と高周波的
に絶縁された電源が供給される半導体デバイスを挿入す
るので、半導体デバイスを電源と接続する電源ラインか
らの高周波電流の回り込みを抑えて電磁放射妨害を確実
に低減させることができるという効果がある。According to the first aspect of the present invention, there is provided a method for reducing electromagnetic interference in an electronic apparatus having a semiconductor device which is an electromagnetic interference source. To the signal line connecting
Inserts a semiconductor device that is supplied with power that is insulated from the power of the semiconductor device that is the source of electromagnetic radiation interference. Can be reliably reduced.
【００３２】請求項２の発明は、電磁放射妨害源である
ＡＳＩＣを備えた電子機器に対する電磁放射妨害の低減
方法であって、電磁放射妨害源であるＡＳＩＣと周辺の
ＩＣとを接続する信号線に、インダクタンス要素を用い
て電磁放射妨害源であるＡＳＩＣの電源と高周波的に絶
縁された電源が供給されるＩＣを挿入するので、ＡＳＩ
Ｃを電源と接続する電源ラインからの高周波電流の回り
込みをインダクタンス要素によって抑えて電磁放射妨害
を確実に低減させることができるという効果がある。According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of reducing electromagnetic radiation interference to an electronic device having an ASIC as an electromagnetic radiation disturbance source, wherein the signal line connects the ASIC as the electromagnetic radiation disturbance source to a peripheral IC. Since an IC supplied with a power supply insulated from a power supply of an ASIC which is a source of electromagnetic radiation interference with a high frequency using an inductance element is inserted into the
There is an effect that the sneak of high frequency current from the power supply line connecting C to the power supply is suppressed by the inductance element, so that the electromagnetic radiation interference can be surely reduced.
【００３３】請求項３の発明は、電磁放射妨害源である
ＡＳＩＣを備えた電子機器に対する電磁放射妨害の低減
方法であって、電磁放射妨害源であるＡＳＩＣと周辺の
ＩＣとを接続する信号線に、コンデンサを用いて電磁放
射妨害源であるＡＳＩＣの電源と高周波的に絶縁された
電源が供給されるＩＣを挿入するので、ＡＳＩＣを電源
と接続する電源ラインからの高周波電流の回り込みをコ
ンデンサによって抑えて電磁放射妨害を確実に低減させ
ることができるという効果がある。According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of reducing electromagnetic radiation interference to an electronic device having an ASIC as an electromagnetic radiation disturbance source, wherein the signal line connects the ASIC as the electromagnetic radiation disturbance source to a peripheral IC. In addition, a capacitor is used to insert an IC that is supplied with a power supply that is insulated from the power supply of the ASIC, which is the source of electromagnetic radiation interference, and that is insulated from the power supply. There is an effect that electromagnetic radiation interference can be suppressed and suppressed.
【００３４】請求項４の発明は、電磁放射妨害源である
半導体デバイスを備えた電子機器に対する電磁放射妨害
の低減方法であって、電磁放射妨害源である半導体デバ
イスと周辺の半導体デバイスとを接続する信号線に、電
磁放射妨害源である半導体デバイスの電源と高周波的に
絶縁された電源が供給される半導体デバイスと、高周波
ノイズを阻止するフィルタとを挿入するので、半導体デ
バイスを電源と接続する電源ラインからの高周波電流の
回り込みを抑えるとともにフィルタによって信号線に流
れる高周波ノイズを阻止することで電磁放射妨害を確実
に低減させることができるという効果がある。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for reducing electromagnetic radiation interference in an electronic apparatus having a semiconductor device as an electromagnetic radiation disturbance source, wherein the semiconductor device as the electromagnetic radiation disturbance source is connected to a peripheral semiconductor device. The semiconductor device, which is supplied with power that is insulated from the power of the semiconductor device as the source of electromagnetic radiation and a filter that blocks high-frequency noise, is inserted into the signal line to be connected, so that the semiconductor device is connected to the power source. There is an effect that electromagnetic radiation interference can be surely reduced by suppressing the high frequency current from flowing from the power supply line and preventing high frequency noise flowing through the signal line by the filter.
【００３５】請求項５の発明は、プリント基板の配線パ
ターンとして形成される信号線の周囲をシールドアース
で囲むので、信号線から放射される電磁放射妨害波をシ
ールドアースによって吸収することができ、複数の信号
線が隣接して配設される場合にあっても信号線間でのノ
イズの影響を低減することができるという効果がある。According to the fifth aspect of the present invention, since the signal line formed as the wiring pattern of the printed circuit board is surrounded by the shield ground, the electromagnetic radiation interference wave radiated from the signal line can be absorbed by the shield ground. Even when a plurality of signal lines are arranged adjacent to each other, the effect of noise between signal lines can be reduced.
【００３６】請求項６の発明は、信号線をテブナン終端
するので、信号線の信号電圧を低減して高周波電流を減
らし、且つ急峻な電流変化を緩和することで信号線から
の電磁放射妨害を低減することができるという効果があ
る。請求項７の発明は、電磁放射妨害源である半導体デ
バイスを備えた電子機器に対する電磁放射妨害の低減回
路であって、電磁放射妨害源である半導体デバイスと周
辺の半導体デバイスとを接続する信号線に、電磁放射妨
害源である半導体デバイスの電源と高周波的に絶縁され
た電源が供給される半導体デバイスを挿入して成るの
で、半導体デバイスを電源と接続する電源ラインからの
高周波電流の回り込みを抑えて電磁放射妨害を確実に低
減させることができるという効果がある。According to the sixth aspect of the present invention, since the signal line is terminated with Thevenin, the signal voltage of the signal line is reduced to reduce the high-frequency current, and the steep current change is reduced, so that the electromagnetic radiation interference from the signal line is reduced. There is an effect that it can be reduced. According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a circuit for reducing electromagnetic interference with respect to an electronic apparatus including a semiconductor device which is a source of electromagnetic radiation, wherein the signal line connects the semiconductor device which is the source of electromagnetic radiation with a peripheral semiconductor device. In addition, a semiconductor device that is supplied with power that is insulated from the power of the semiconductor device, which is a source of electromagnetic radiation interference, is supplied, so that high-frequency current from the power supply line that connects the semiconductor device to the power supply is suppressed. Therefore, there is an effect that electromagnetic interference can be reliably reduced.
【００３７】請求項８の発明は、電磁放射妨害源である
ＡＳＩＣを備えた電子機器に対する電磁放射妨害の低減
回路であって、電磁放射妨害源であるＡＳＩＣと周辺の
ＩＣとを接続する信号線に、インダクタンス要素を用い
て電磁放射妨害源であるＡＳＩＣの電源と高周波的に絶
縁された電源が供給されるＩＣを挿入して成るので、Ａ
ＳＩＣを電源と接続する電源ラインからの高周波電流の
回り込みをインダクタンス要素によって抑えて電磁放射
妨害を確実に低減させることができるという効果があ
る。An eighth aspect of the present invention is a circuit for reducing electromagnetic interference with respect to an electronic device having an ASIC as an electromagnetic radiation source, wherein the signal line connects the ASIC as an electromagnetic radiation source with a peripheral IC. Since an IC supplied with a power supply insulated from a power supply of an ASIC which is an electromagnetic radiation source using an inductance element and having a high frequency insulation is inserted into the
There is an effect that the sneak of high frequency current from the power supply line connecting the SIC to the power supply is suppressed by the inductance element, so that the electromagnetic radiation interference can be surely reduced.
【００３８】請求項９の発明は、電磁放射妨害源である
ＡＳＩＣを備えた電子機器に対する電磁放射妨害の低減
回路であって、電磁放射妨害源であるＡＳＩＣと周辺の
ＩＣとを接続する信号線に、コンデンサを用いて電磁放
射妨害源であるＡＳＩＣの電源と高周波的に絶縁された
電源が供給されるＩＣを挿入して成るので、ＡＳＩＣを
電源と接続する電源ラインからの高周波電流の回り込み
をコンデンサによって抑えて電磁放射妨害を確実に低減
させることができるという効果がある。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a circuit for reducing electromagnetic interference with respect to an electronic device having an ASIC which is an electromagnetic interference source, wherein the signal line connects the ASIC which is the electromagnetic interference source and a peripheral IC. In addition, the power supply of the ASIC, which is a source of electromagnetic radiation interference, is inserted using a capacitor, and an IC supplied with a power supply that is insulated with high frequency is inserted. There is an effect that electromagnetic radiation interference can be surely reduced by suppressing with a capacitor.
【００３９】請求項１０の発明は、電磁放射妨害源であ
る半導体デバイスを備えた電子機器に対する電磁放射妨
害の低減回路であって、電磁放射妨害源である半導体デ
バイスと周辺の半導体デバイスとを接続する信号線に、
電磁放射妨害源である半導体デバイスの電源と高周波的
に絶縁された電源が供給される半導体デバイスと、高周
波ノイズを阻止するフィルタとを挿入して成るので、半
導体デバイスを電源と接続する電源ラインからの高周波
電流の回り込みを抑えるとともにフィルタによって信号
線に流れる高周波ノイズを阻止することで電磁放射妨害
を確実に低減させることができるという効果がある。According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a circuit for reducing electromagnetic interference in an electronic apparatus having a semiconductor device as an electromagnetic interference source, wherein the semiconductor device as the electromagnetic interference source is connected to a peripheral semiconductor device. Signal line
Since the power supply is insulated from the power supply of the semiconductor device that is the source of electromagnetic radiation interference and the power supply that is insulated in high frequency, and a filter that blocks high-frequency noise is inserted, the power supply line that connects the semiconductor device to the power supply This has the effect of suppressing sneak of high-frequency current and preventing high-frequency noise flowing through the signal line by a filter, whereby electromagnetic interference can be reliably reduced.
【００４０】請求項１１の発明は、プリント基板の配線
パターンとして形成される信号線の周囲を囲むシールド
アースを設けて成るので、信号線から放射される電磁放
射妨害波をシールドアースによって吸収することがで
き、複数の信号線が隣接して配設される場合にあっても
信号線間でのノイズの影響を低減することができるとい
う効果がある。According to the eleventh aspect of the present invention, since the shield ground surrounding the signal line formed as the wiring pattern of the printed circuit board is provided, the electromagnetic interference wave radiated from the signal line is absorbed by the shield ground. Therefore, even when a plurality of signal lines are arranged adjacent to each other, the effect of noise between signal lines can be reduced.
【００４１】請求項１２の発明は、信号線をテブナン終
端する回路を備えたので、信号線の信号電圧を低減して
高周波電流を減らし、且つ急峻な電流変化を緩和するこ
とで信号線からの電磁放射妨害を低減することができる
という効果がある。According to the twelfth aspect of the present invention, since the circuit for terminating the signal line is provided, the signal voltage of the signal line is reduced to reduce the high-frequency current, and the sharp current change is reduced to reduce the signal current from the signal line. There is an effect that electromagnetic radiation interference can be reduced.
【図１】実施形態１を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment.
【図２】同上における電子機器がプログラマブルコント
ローラである場合の回路ブロック図である。FIG. 2 is a circuit block diagram when the electronic device in the above is a programmable controller.
【図３】実施形態２を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment.
【図４】同上における電子機器が画像処理装置である場
合の回路ブロック図である。FIG. 4 is a circuit block diagram when the electronic device is an image processing device.
【図５】実施形態３を示す回路ブロック図である。FIG. 5 is a circuit block diagram showing a third embodiment.
【図６】実施形態４の要部を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a main part of a fourth embodiment.
【図７】実施形態５の要部を示す回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram showing a main part of a fifth embodiment.
【図８】（ａ）及び（ｂ）は同上における信号の波形を
示す波形図である。8 (a) and 8 (b) are waveform charts showing signal waveforms in the above.
【図９】従来例を示す回路図である。FIG. 9 is a circuit diagram showing a conventional example.
【図１０】同上における電子機器がプログラマブルコン
トローラである場合の回路ブロック図である。FIG. 10 is a circuit block diagram when the electronic device in the above is a programmable controller.
１ 電磁放射妨害源である半導体デバイス ２ 周辺の半導体デバイス ３ 半導体デバイス Ｌｓ 信号線 Ｌｐ 電源ライン Ｌｅ グランドライン Ｌ1 インダクタDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor device which is an electromagnetic radiation disturbance source 2 Peripheral semiconductor device 3 Semiconductor device Ls Signal line Lp Power line Le Ground line L 1 Inductor
Claims (12)
備えた電子機器に対する電磁放射妨害の低減方法であっ
て、電磁放射妨害源である半導体デバイスと周辺の半導
体デバイスとを接続する信号線に、電磁放射妨害源であ
る半導体デバイスの電源と高周波的に絶縁された電源が
供給される半導体デバイスを挿入することを特徴とする
電磁放射妨害の低減方法。1. A method for reducing electromagnetic radiation interference in an electronic apparatus having a semiconductor device that is an electromagnetic radiation disturbance source, comprising: a signal line connecting a semiconductor device that is an electromagnetic radiation disturbance source and a peripheral semiconductor device; A method for reducing electromagnetic radiation interference, comprising inserting a semiconductor device to which a power supply insulated from a power source of a semiconductor device as an electromagnetic radiation disturbance source at a high frequency is supplied.
電子機器に対する電磁放射妨害の低減方法であって、電
磁放射妨害源であるＡＳＩＣと周辺のＩＣとを接続する
信号線に、インダクタンス要素を用いて電磁放射妨害源
であるＡＳＩＣの電源と高周波的に絶縁された電源が供
給されるＩＣを挿入することを特徴とする電磁放射妨害
の低減方法。2. A method for reducing electromagnetic radiation interference in an electronic device having an ASIC as an electromagnetic radiation disturbance source, wherein an inductance element is provided in a signal line connecting the ASIC as the electromagnetic radiation disturbance source and a peripheral IC. A method for reducing electromagnetic interference, comprising: inserting an IC supplied with a power supply that is insulated from a power source of an ASIC that is an electromagnetic interference source using a high frequency.
電子機器に対する電磁放射妨害の低減方法であって、電
磁放射妨害源であるＡＳＩＣと周辺のＩＣとを接続する
信号線に、コンデンサを用いて電磁放射妨害源であるＡ
ＳＩＣの電源と高周波的に絶縁された電源が供給される
ＩＣを挿入することを特徴とする電磁放射妨害の低減方
法。3. A method for reducing electromagnetic radiation interference in an electronic device having an ASIC as an electromagnetic radiation disturbance source, wherein a capacitor is used for a signal line connecting the ASIC as an electromagnetic radiation disturbance source and a peripheral IC. A which is a source of electromagnetic radiation interference
A method for reducing electromagnetic radiation interference, comprising: inserting an IC supplied with a power supply that is insulated from a power supply of a SIC in high frequency.
備えた電子機器に対する電磁放射妨害の低減方法であっ
て、電磁放射妨害源である半導体デバイスと周辺の半導
体デバイスとを接続する信号線に、電磁放射妨害源であ
る半導体デバイスの電源と高周波的に絶縁された電源が
供給される半導体デバイスと、高周波ノイズを阻止する
フィルタとを挿入することを特徴とする電磁放射妨害の
低減方法。4. A method for reducing electromagnetic radiation interference on an electronic device having a semiconductor device that is an electromagnetic radiation disturbance source, comprising: a signal line connecting the semiconductor device that is the electromagnetic radiation disturbance source and a peripheral semiconductor device; A method for reducing electromagnetic radiation interference, comprising: inserting a semiconductor device that is supplied with power that is insulated from the power of a semiconductor device that is an electromagnetic radiation interference source at a high frequency, and a filter that blocks high-frequency noise.
される信号線の周囲をシールドアースで囲むことを特徴
とする請求項１〜４の何れかに記載の電磁放射妨害の低
減方法。5. The method according to claim 1, wherein a signal line formed as a wiring pattern on a printed circuit board is surrounded by a shield ground.
する請求項１〜５の何れかに記載の電磁放射妨害の低減
方法。6. The method according to claim 1, wherein the signal line is terminated with a Thevenin.
備えた電子機器に対する電磁放射妨害の低減回路であっ
て、電磁放射妨害源である半導体デバイスと周辺の半導
体デバイスとを接続する信号線に、電磁放射妨害源であ
る半導体デバイスの電源と高周波的に絶縁された電源が
供給される半導体デバイスを挿入して成ることを特徴と
する電磁放射妨害の低減回路。7. A circuit for reducing electromagnetic radiation interference to an electronic device having a semiconductor device as an electromagnetic radiation disturbance source, the signal line connecting the semiconductor device as an electromagnetic radiation disturbance source and a peripheral semiconductor device, 1. A circuit for reducing electromagnetic interference, comprising a semiconductor device that is supplied with a power supply that is insulated at a high frequency from a power supply of a semiconductor device that is an electromagnetic radiation interference source.
電子機器に対する電磁放射妨害の低減回路であって、電
磁放射妨害源であるＡＳＩＣと周辺のＩＣとを接続する
信号線に、インダクタンス要素を用いて電磁放射妨害源
であるＡＳＩＣの電源と高周波的に絶縁された電源が供
給されるＩＣを挿入して成ることを特徴とする電磁放射
妨害の低減回路。8. A circuit for reducing electromagnetic radiation interference to an electronic device having an ASIC as an electromagnetic radiation disturbance source, wherein an inductance element is provided in a signal line connecting the ASIC as the electromagnetic radiation disturbance source and a peripheral IC. A circuit for reducing electromagnetic interference, comprising: an IC that is supplied with a power supply that is insulated from a power supply of an ASIC that is an electromagnetic interference source.
電子機器に対する電磁放射妨害の低減回路であって、電
磁放射妨害源であるＡＳＩＣと周辺のＩＣとを接続する
信号線に、コンデンサを用いて電磁放射妨害源であるＡ
ＳＩＣの電源と高周波的に絶縁された電源が供給される
ＩＣを挿入して成ることを特徴とする電磁放射妨害の低
減回路。9. A circuit for reducing electromagnetic radiation interference to an electronic device having an ASIC as an electromagnetic radiation disturbance source, wherein a capacitor is used for a signal line connecting the ASIC as an electromagnetic radiation disturbance source and a peripheral IC. A which is a source of electromagnetic radiation interference
A circuit for reducing electromagnetic radiation interference, comprising an IC to which a power supply insulated from a SIC power supply is supplied.
を備えた電子機器に対する電磁放射妨害の低減回路であ
って、電磁放射妨害源である半導体デバイスと周辺の半
導体デバイスとを接続する信号線に、電磁放射妨害源で
ある半導体デバイスの電源と高周波的に絶縁された電源
が供給される半導体デバイスと、高周波ノイズを阻止す
るフィルタとを挿入して成ることを特徴とする電磁放射
妨害の低減回路。10. A circuit for reducing electromagnetic radiation interference to an electronic device having a semiconductor device as an electromagnetic radiation disturbance source, comprising: a signal line connecting the semiconductor device as an electromagnetic radiation disturbance source to a peripheral semiconductor device; A circuit for reducing electromagnetic interference, comprising a semiconductor device to which a power supply insulated from a power supply of a semiconductor device as an electromagnetic interference source is supplied and a filter for blocking high-frequency noise is inserted.
成される信号線の周囲を囲むシールドアースを設けて成
ることを特徴とする請求項７〜１０の何れかに記載の電
磁放射妨害の低減回路。11. The circuit for reducing electromagnetic interference according to claim 7, wherein a shield ground surrounding a signal line formed as a wiring pattern on a printed circuit board is provided.
たことを特徴とする請求項７〜１１の何れかに記載の電
磁放射妨害の低減回路。12. The circuit for reducing electromagnetic radiation interference according to claim 7, further comprising a circuit for terminating a signal line in Thevenin.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20113297A JPH1146125A (en) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | Method and circuit for reducing electromagnetic radiation disturbance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20113297A JPH1146125A (en) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | Method and circuit for reducing electromagnetic radiation disturbance |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1146125A true JPH1146125A (en) | 1999-02-16 |
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ID=16435946
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|---|---|---|---|
| JP20113297A Pending JPH1146125A (en) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | Method and circuit for reducing electromagnetic radiation disturbance |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPH1146125A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2016103811A (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 古河電気工業株式会社 | Communication system and communication method |
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1997
- 1997-07-28 JP JP20113297A patent/JPH1146125A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016103811A (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 古河電気工業株式会社 | Communication system and communication method |
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