JPH1139210A - フラッシュメモリのメモリ制御装置 - Google Patents
フラッシュメモリのメモリ制御装置Info
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- JPH1139210A JPH1139210A JP9197081A JP19708197A JPH1139210A JP H1139210 A JPH1139210 A JP H1139210A JP 9197081 A JP9197081 A JP 9197081A JP 19708197 A JP19708197 A JP 19708197A JP H1139210 A JPH1139210 A JP H1139210A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＮＯＲ型フラッシュメモリの使用不可能領域を
低減させることを可能にする。 【解決手段】ＮＯＲ型フラッシュメモリを複数のブロッ
クに分け、各ブロックを固定数、可変長のセクタで管理
し、データを書き込む場合には、各ブロックについて
（ステップＡ１０，Ａ１１）、データを書き込んだ際の
ブロック内のセクタの平均セクタ長（ステップＡ５）
と、ブロックサイズをブロック内の固定セクタ数で除算
して求まる標準平均値とを比較して（ステップＡ６）、
最も標準平均値に近くなるブロックを選択して（ステッ
プＡ８）、データを書き込む対象として決定する（ステ
ップＡ１２）。
低減させることを可能にする。 【解決手段】ＮＯＲ型フラッシュメモリを複数のブロッ
クに分け、各ブロックを固定数、可変長のセクタで管理
し、データを書き込む場合には、各ブロックについて
（ステップＡ１０，Ａ１１）、データを書き込んだ際の
ブロック内のセクタの平均セクタ長（ステップＡ５）
と、ブロックサイズをブロック内の固定セクタ数で除算
して求まる標準平均値とを比較して（ステップＡ６）、
最も標準平均値に近くなるブロックを選択して（ステッ
プＡ８）、データを書き込む対象として決定する（ステ
ップＡ１２）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＮＯＲ型フラッシ
ュメモリを管理するメモリ制御装置に関する。
ュメモリを管理するメモリ制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】フラッシュメモリは、全ビット、あるい
はブロック単位で消去できるＥＥＰＲＯＭであり、消去
／書き込みとも電気的に行なう。消去（全域ビット１
化）は、消去ブロック単位で行なうことができる（以
下、消去ブロックのことを「ブロック」と称する）。ま
た、書き込みは、ブロックに対して、１バイトごとに行
なうことが可能である。
はブロック単位で消去できるＥＥＰＲＯＭであり、消去
／書き込みとも電気的に行なう。消去（全域ビット１
化）は、消去ブロック単位で行なうことができる（以
下、消去ブロックのことを「ブロック」と称する）。ま
た、書き込みは、ブロックに対して、１バイトごとに行
なうことが可能である。
【０００３】ＮＯＲ型フラッシュメモリは、ＥＰＲＯＭ
並のランダムな読出し速度を持つ反面、消去ブロックサ
イズが６４ｋバイト程度と大きくなっている。ＮＯＲ型
フラッシュメモリを用いる情報処理装置（ファイルシス
テム）は、消去ブロック内を、１２８〜１０２４バイト
程度の固定長データ域で管理している（以下、このデー
タ域を「セクタ」と称する）。
並のランダムな読出し速度を持つ反面、消去ブロックサ
イズが６４ｋバイト程度と大きくなっている。ＮＯＲ型
フラッシュメモリを用いる情報処理装置（ファイルシス
テム）は、消去ブロック内を、１２８〜１０２４バイト
程度の固定長データ域で管理している（以下、このデー
タ域を「セクタ」と称する）。
【０００４】メモリに空きがなくなった場合には、ダー
ティなデータ（訂正や削除等が行なわれて必要なくなっ
た無効なデータ）を無くすことにより空きの領域を確保
する。この際、データの安全性を考慮して、全セクタが
未使用のブロック（以下、このブロックを「スペアブロ
ック」と称する）を用意して、ブロック消去前にクリー
ンなデータ（有効なデータ）をスペアブロックに書き写
す場合が多い（以下、この処理を「メモリの整理処理と
称する」）。
ティなデータ（訂正や削除等が行なわれて必要なくなっ
た無効なデータ）を無くすことにより空きの領域を確保
する。この際、データの安全性を考慮して、全セクタが
未使用のブロック（以下、このブロックを「スペアブロ
ック」と称する）を用意して、ブロック消去前にクリー
ンなデータ（有効なデータ）をスペアブロックに書き写
す場合が多い（以下、この処理を「メモリの整理処理と
称する」）。
【０００５】従来、メモリの整理処理には、以下の２つ
の方法が用いられている。 （１）ブロック内のセクタ位置が変更されないように、
クリーンデータをセクタ位置を同じにしてスペアブロッ
クに書き写す。この方法を用いた場合には、書き込める
領域が繁雑にならないように、セクタを固定長にしなけ
ればならないという状況が生じる。
の方法が用いられている。 （１）ブロック内のセクタ位置が変更されないように、
クリーンデータをセクタ位置を同じにしてスペアブロッ
クに書き写す。この方法を用いた場合には、書き込める
領域が繁雑にならないように、セクタを固定長にしなけ
ればならないという状況が生じる。
【０００６】（２）ブロックの固定位置に他ブロックの
セクタの位置をもとに相対的なセクタ位置指定が出来る
ように、書き込み先の位置を参照できる間接アドレステ
ーブルを設け、スペアブロックにクリーンデータを上位
アドレスから詰めて書き写す。この方法を用いた場合、
間接アドレステーブルのテーブル長を固定にするため
に、セクタを固定数にしなければならない状況が生じ
る。
セクタの位置をもとに相対的なセクタ位置指定が出来る
ように、書き込み先の位置を参照できる間接アドレステ
ーブルを設け、スペアブロックにクリーンデータを上位
アドレスから詰めて書き写す。この方法を用いた場合、
間接アドレステーブルのテーブル長を固定にするため
に、セクタを固定数にしなければならない状況が生じ
る。
【０００７】このように、ＮＯＲ型フラッシュメモリの
消去ブロックが大きいことから発生するメモリの整理処
理の影響を他のブロックが受けないために、また、従来
からの外部記憶デバイスの処理方法を適用するために、
セクタを固定長として管理するようになっている。
消去ブロックが大きいことから発生するメモリの整理処
理の影響を他のブロックが受けないために、また、従来
からの外部記憶デバイスの処理方法を適用するために、
セクタを固定長として管理するようになっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように従来ではＮ
ＯＲ型フラッシュメモリに対しては、セクタを固定長と
して管理していた。セクタを固定長とした場合、セクタ
長に満たないデータを保存する場合には、セクタ−デー
タ長分の領域が使用不可能領域となってしまい、メモリ
領域の使用効率が悪くなってしまう。
ＯＲ型フラッシュメモリに対しては、セクタを固定長と
して管理していた。セクタを固定長とした場合、セクタ
長に満たないデータを保存する場合には、セクタ−デー
タ長分の領域が使用不可能領域となってしまい、メモリ
領域の使用効率が悪くなってしまう。
【０００９】サイズが大きいデータをファイルとして保
存する場合（テキストファイル等）には、使用不可能領
域が占める率が少なくて済むが、１データを１セクタに
割り当てる（１セクタでは足りないデータの場合は、新
たにセクタを確保する）ような場合（データベースデー
タ等）では、特に実際のデータに対して必要となるセク
タ数が多くなり使用不可能領域が占める率が高くなって
しまう。
存する場合（テキストファイル等）には、使用不可能領
域が占める率が少なくて済むが、１データを１セクタに
割り当てる（１セクタでは足りないデータの場合は、新
たにセクタを確保する）ような場合（データベースデー
タ等）では、特に実際のデータに対して必要となるセク
タ数が多くなり使用不可能領域が占める率が高くなって
しまう。
【００１０】本発明は前記のような事情を考慮してなさ
れたもので、ＮＯＲ型フラッシュメモリの使用不可能領
域を低減させることが可能なフラッシュメモリのメモリ
制御装置を提供することを目的とする。
れたもので、ＮＯＲ型フラッシュメモリの使用不可能領
域を低減させることが可能なフラッシュメモリのメモリ
制御装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＮＯＲ型フラ
ッシュメモリを複数のブロックに分け、各ブロックを固
定数、可変長のセクタで管理する管理手段と、前記管理
手段によって管理されたＮＯＲ型フラッシュメモリに対
してデータを書き込む場合には、データを書き込んだ際
のブロック内のセクタの平均セクタ長が標準平均値に近
くなるブロックを選択して、データを書き込む手段とを
具備したことを特徴とする。
ッシュメモリを複数のブロックに分け、各ブロックを固
定数、可変長のセクタで管理する管理手段と、前記管理
手段によって管理されたＮＯＲ型フラッシュメモリに対
してデータを書き込む場合には、データを書き込んだ際
のブロック内のセクタの平均セクタ長が標準平均値に近
くなるブロックを選択して、データを書き込む手段とを
具備したことを特徴とする。
【００１２】これにより、ブロック内のセクタ数を固定
とすることで、メモリの整理処理等に伴うメモリの管理
を複雑化することを回避しつつ、可変長セクタとするこ
とができ、小さいデータを扱う場合であっても、使用不
可能な記憶領域の発生が低減される。
とすることで、メモリの整理処理等に伴うメモリの管理
を複雑化することを回避しつつ、可変長セクタとするこ
とができ、小さいデータを扱う場合であっても、使用不
可能な記憶領域の発生が低減される。
【００１３】また本発明は、ＮＯＲ型フラッシュメモリ
を複数のブロックに分け、各ブロックを、異なるセクタ
数、セクタ長で管理する管理手段と、前記管理手段によ
って管理されたＮＯＲ型フラッシュメモリに対してデー
タを書き込む場合には、データ長に基づいて分類された
データ種類に応じてブロックを選択して、データを書き
込む手段とを具備したことを特徴とする。
を複数のブロックに分け、各ブロックを、異なるセクタ
数、セクタ長で管理する管理手段と、前記管理手段によ
って管理されたＮＯＲ型フラッシュメモリに対してデー
タを書き込む場合には、データ長に基づいて分類された
データ種類に応じてブロックを選択して、データを書き
込む手段とを具備したことを特徴とする。
【００１４】これにより、複数の異なるセクタ数、セク
タ長で管理されたブロックから、書き込みの対象となっ
ているデータに応じた適当なブロックが選択され、書き
込みが実行されるので、使用不可能な記憶領域の発生が
低減される。
タ長で管理されたブロックから、書き込みの対象となっ
ているデータに応じた適当なブロックが選択され、書き
込みが実行されるので、使用不可能な記憶領域の発生が
低減される。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は本実施形態に係わる
ＮＯＲ型フラッシュメモリのメモリ制御方法を用いる情
報処理装置（制御装置）の基本構成を示すブロック図で
ある。情報処理装置は、例えば携帯可能なコンピュータ
によって構成される手帳型電子機器である。
施の形態について説明する。図１は本実施形態に係わる
ＮＯＲ型フラッシュメモリのメモリ制御方法を用いる情
報処理装置（制御装置）の基本構成を示すブロック図で
ある。情報処理装置は、例えば携帯可能なコンピュータ
によって構成される手帳型電子機器である。
【００１６】図１に示すように、情報処理装置は、ＣＰ
Ｕ１０、ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２、ＲＡＭ１４、
ＲＯＭ１６、記憶装置１８、及び入力装置２０を設けて
構成されている。
Ｕ１０、ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２、ＲＡＭ１４、
ＲＯＭ１６、記憶装置１８、及び入力装置２０を設けて
構成されている。
【００１７】ＣＰＵ１０は、ＲＯＭ１６に格納されたプ
ログラムを読み出し、各装置をそのプログラムに従い制
御する。例えば、ＣＰＵ１０は、ＲＯＭ１６に格納され
た特定の目的を持った処理を実行するためのアプリケー
ションプログラムや、データファイルをＮＯＲ型フラッ
シュメモリ１２等の記憶媒体に対して書き込み、読み出
しするファイルシステムのプログラムに従う処理を実行
することができる。
ログラムを読み出し、各装置をそのプログラムに従い制
御する。例えば、ＣＰＵ１０は、ＲＯＭ１６に格納され
た特定の目的を持った処理を実行するためのアプリケー
ションプログラムや、データファイルをＮＯＲ型フラッ
シュメモリ１２等の記憶媒体に対して書き込み、読み出
しするファイルシステムのプログラムに従う処理を実行
することができる。
【００１８】ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２は、各種の
処理において作成されたデータや各種の処理（制御手
段）を実行するためのプログラム等が、ＣＰＵ１０によ
って書き込み、読出し、消去される。
処理において作成されたデータや各種の処理（制御手
段）を実行するためのプログラム等が、ＣＰＵ１０によ
って書き込み、読出し、消去される。
【００１９】ＲＡＭ１４は、各状態を示すデータ、可変
データ等が、ＣＰＵ１０により書き込み、読出しされ
る。ＲＯＭ１６は、各種の処理（制御手段）を実行する
ためのプログラムや固定データが、ＣＰＵ１０により読
み出される。
データ等が、ＣＰＵ１０により書き込み、読出しされ
る。ＲＯＭ１６は、各種の処理（制御手段）を実行する
ためのプログラムや固定データが、ＣＰＵ１０により読
み出される。
【００２０】記憶装置１８は、各種の処理において作成
されたデータや各種の処理を実行するためのプログラム
を記憶するためのもので、必要に応じてＣＰＵ１０によ
って読出し、書き込み、消去される。
されたデータや各種の処理を実行するためのプログラム
を記憶するためのもので、必要に応じてＣＰＵ１０によ
って読出し、書き込み、消去される。
【００２１】入力装置２０は、キーボード等によって構
成されるもので、ＣＰＵ１０によって実行される各種の
処理に対する指示等を入力するためのもので、入力した
指示をＣＰＵ１０に通知する。
成されるもので、ＣＰＵ１０によって実行される各種の
処理に対する指示等を入力するためのもので、入力した
指示をＣＰＵ１０に通知する。
【００２２】次に、第１実施形態における情報処理装置
の動作について説明する。第１実施形態は、ＮＯＲ型フ
ラッシュメモリ１２の１ブロック内のセクタ数を固定と
し、セクタ長を可変として管理する方法を用いる。ま
た、メモリの整理処理は、ブロックの固定位置に他ブロ
ックから相対的のセクタ位置指定が出来るように、間接
アドレステーブルを設け、クリーンデータを上位アドレ
スから詰めて書き写す方法を用いるものとする。従っ
て、ブロックの固定位置に間接アドレステーブルが設け
られ、他ブロックのセクタの位置をもとに相対的なセク
タ位置指定が出来るようになっている。
の動作について説明する。第１実施形態は、ＮＯＲ型フ
ラッシュメモリ１２の１ブロック内のセクタ数を固定と
し、セクタ長を可変として管理する方法を用いる。ま
た、メモリの整理処理は、ブロックの固定位置に他ブロ
ックから相対的のセクタ位置指定が出来るように、間接
アドレステーブルを設け、クリーンデータを上位アドレ
スから詰めて書き写す方法を用いるものとする。従っ
て、ブロックの固定位置に間接アドレステーブルが設け
られ、他ブロックのセクタの位置をもとに相対的なセク
タ位置指定が出来るようになっている。
【００２３】セクタ数を固定とするのは、メモリの整理
処理において使用する間接アドレステーブルの大きさを
固定するためである。可変長であるセクタには、書き込
みの対象とするデータ長をもとにして適当なブロックが
選択され、書き込みが行われる。
処理において使用する間接アドレステーブルの大きさを
固定するためである。可変長であるセクタには、書き込
みの対象とするデータ長をもとにして適当なブロックが
選択され、書き込みが行われる。
【００２４】図２は情報処理装置のＮＯＲ型フラッシュ
メモリ１２に対するメモリ制御方法の動作を示すフロー
チャート、図３は第１実施形態におけるメモリの整理処
理を例にしたデータ構成を示す図である。
メモリ１２に対するメモリ制御方法の動作を示すフロー
チャート、図３は第１実施形態におけるメモリの整理処
理を例にしたデータ構成を示す図である。
【００２５】まず、第１実施形態におけるメモリの整理
処理について図３を用いて説明する。第１実施形態で
は、各ブロックでのセクタ長を可変としているため、図
３に示すように、各物理ブロック毎でセクタの開始位置
が異なっている。また、各物理ブロックの所定の位置に
間接アドレステーブルが設けられている。
処理について図３を用いて説明する。第１実施形態で
は、各ブロックでのセクタ長を可変としているため、図
３に示すように、各物理ブロック毎でセクタの開始位置
が異なっている。また、各物理ブロックの所定の位置に
間接アドレステーブルが設けられている。
【００２６】例えば、仮想ブロック２である物理ブロッ
ク２に空き領域を確保するため、スペアブロックとし
て、物理ブロック３にクリーンデータを上位アドレスか
ら詰めて書き写す。１ブロックのセクタ数は固定である
ので、各セクタの書き込み先は間接アドレステーブルに
よって管理することができる。こうして、仮想ブロック
２には、空き領域が確保され、データの書き込みが可能
となる。
ク２に空き領域を確保するため、スペアブロックとし
て、物理ブロック３にクリーンデータを上位アドレスか
ら詰めて書き写す。１ブロックのセクタ数は固定である
ので、各セクタの書き込み先は間接アドレステーブルに
よって管理することができる。こうして、仮想ブロック
２には、空き領域が確保され、データの書き込みが可能
となる。
【００２７】ＣＰＵ１０は、アプリケーションを実行し
た結果、データをＮＯＲ型フラッシュメモリ１２に書き
込む際、可変長セクタで管理されるブロックの使用効率
を良くするために以下の手順により書き込みブロックを
決定する。
た結果、データをＮＯＲ型フラッシュメモリ１２に書き
込む際、可変長セクタで管理されるブロックの使用効率
を良くするために以下の手順により書き込みブロックを
決定する。
【００２８】第１実施形態では、ブロック中の全クリー
ンデータのデータ長の平均値が、ブロック内の固定のセ
クタ数によって決まる１セクタ当たりのデータ長（標準
平均値）に近くなるようにしてデータの書き込みを行な
う。
ンデータのデータ長の平均値が、ブロック内の固定のセ
クタ数によって決まる１セクタ当たりのデータ長（標準
平均値）に近くなるようにしてデータの書き込みを行な
う。
【００２９】まず、ＣＰＵ１０は、ＮＯＲ型フラッシュ
メモリ１２のあるブロックについて、データの書き込み
対象とするか否かを判別する処理を行なうために、クリ
ーンセクタ数を求めるためのカウンタの値を“０”、デ
ータ長の合計の値を“０”に初期化して、ＲＡＭ１４に
おいて保持する（ステップＡ１）。
メモリ１２のあるブロックについて、データの書き込み
対象とするか否かを判別する処理を行なうために、クリ
ーンセクタ数を求めるためのカウンタの値を“０”、デ
ータ長の合計の値を“０”に初期化して、ＲＡＭ１４に
おいて保持する（ステップＡ１）。
【００３０】ＣＰＵ１０は、対象とするブロック内の各
セクタについてクリーンセクタであるか否かを判別し
（ステップＡ２）、クリーンセクタであった場合にはカ
ウンタの値に１を加算し、またそのセクタのデータ長を
合計値に加算する（ステップＡ３）。
セクタについてクリーンセクタであるか否かを判別し
（ステップＡ２）、クリーンセクタであった場合にはカ
ウンタの値に１を加算し、またそのセクタのデータ長を
合計値に加算する（ステップＡ３）。
【００３１】全てのセクタについて、以上の処理を繰り
返して行ない、対象とするブロックのクリーンセクタ数
と、クリーンセクタのデータ長の合計値を算出する（ス
テップＡ４）。
返して行ない、対象とするブロックのクリーンセクタ数
と、クリーンセクタのデータ長の合計値を算出する（ス
テップＡ４）。
【００３２】ここで、ＣＰＵ１０は、対象とするブロッ
ク内の全クリーンセクタのデータ長の合計値に、今回、
ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２に対して書き込むデータ
のデータ長を加算した値を、ブロック内のクリーンセク
タ数（カウンタの値）に１加算した値によって除算する
（ステップＡ５）。すなわち、データを書き込んだと仮
定した際の、書き込み後の１セクタ当たりのデータ長
（ここではＡ値とする）を求める。
ク内の全クリーンセクタのデータ長の合計値に、今回、
ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２に対して書き込むデータ
のデータ長を加算した値を、ブロック内のクリーンセク
タ数（カウンタの値）に１加算した値によって除算する
（ステップＡ５）。すなわち、データを書き込んだと仮
定した際の、書き込み後の１セクタ当たりのデータ長
（ここではＡ値とする）を求める。
【００３３】次に、ＣＰＵ１０は、ブロックサイズをブ
ロック内の固定セクタ数で除算して求まる標準平均値
（１セクタ当たりのデータ長）と、ステップＡ５におい
て求めたＡ値との差の絶対値（ここでは差分絶対値とす
る）を求める（ステップＡ６）。
ロック内の固定セクタ数で除算して求まる標準平均値
（１セクタ当たりのデータ長）と、ステップＡ５におい
て求めたＡ値との差の絶対値（ここでは差分絶対値とす
る）を求める（ステップＡ６）。
【００３４】ＣＰＵ１０は、差分絶対値をＲＡＭ１４に
保持されている他のブロックの差分絶対値と比較して小
さいかを判別し（ステップＡ７）、小さい場合にはＡ値
が標準平均値に最も近いものとして、ＲＡＭ１４に差分
絶対値と共にブロック番号を記憶する（ステップＡ
８）。なお、最初のブロックに対する処理の際には、比
較対象とするデータがＲＡＭ１４に記憶されていないの
で、ＣＰＵ１０は、ステップＡ７における判別を行なわ
ず、無条件に差分絶対値と共にブロック番号を記憶する
ものとする。
保持されている他のブロックの差分絶対値と比較して小
さいかを判別し（ステップＡ７）、小さい場合にはＡ値
が標準平均値に最も近いものとして、ＲＡＭ１４に差分
絶対値と共にブロック番号を記憶する（ステップＡ
８）。なお、最初のブロックに対する処理の際には、比
較対象とするデータがＲＡＭ１４に記憶されていないの
で、ＣＰＵ１０は、ステップＡ７における判別を行なわ
ず、無条件に差分絶対値と共にブロック番号を記憶する
ものとする。
【００３５】ここで、全てのブロックに対する処理が終
了していなければ（ステップＡ９）、ＣＰＵ１０は、次
のブロックを指定し（ステップＡ１０）、ステップＡ１
より前述と同様の処理を実行する。
了していなければ（ステップＡ９）、ＣＰＵ１０は、次
のブロックを指定し（ステップＡ１０）、ステップＡ１
より前述と同様の処理を実行する。
【００３６】従って、ステップＡ７における比較によっ
て、Ａ値が標準平均値に最も近いものとして判別された
ブロックのブロック番号がＲＡＭ１４に記憶されること
になる。全ブロックについての処理の後、ＣＰＵ１０
は、ＲＡＭ１４に記憶されているブロック番号が示すブ
ロックをデータの書き込み対象とするブロックに決定す
る（ステップＡ１１）。
て、Ａ値が標準平均値に最も近いものとして判別された
ブロックのブロック番号がＲＡＭ１４に記憶されること
になる。全ブロックについての処理の後、ＣＰＵ１０
は、ＲＡＭ１４に記憶されているブロック番号が示すブ
ロックをデータの書き込み対象とするブロックに決定す
る（ステップＡ１１）。
【００３７】このようにして、ＮＯＲ型フラッシュメモ
リ１２に対してデータを書き込む際に、固定数可変長の
セクタで管理されている複数のブロックから、データを
書き込んだ際にクリーンセクタのデータ長の平均がブロ
ックの標準平均値に近くなるブロックを優先して選択
し、実際にデータの書き込みが行われる。
リ１２に対してデータを書き込む際に、固定数可変長の
セクタで管理されている複数のブロックから、データを
書き込んだ際にクリーンセクタのデータ長の平均がブロ
ックの標準平均値に近くなるブロックを優先して選択
し、実際にデータの書き込みが行われる。
【００３８】すなわち、クリーンセクタのデータ長の平
均がブロックの標準平均値となった状態が、無駄となっ
ている領域を含まないブロックの理想的な利用状態であ
るので、データの書き込みを行なう毎に、この状態に近
付くようなブロックが選択されてデータの書き込みが行
われることで、ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２の記憶容
量の利用効率を向上させることができる。
均がブロックの標準平均値となった状態が、無駄となっ
ている領域を含まないブロックの理想的な利用状態であ
るので、データの書き込みを行なう毎に、この状態に近
付くようなブロックが選択されてデータの書き込みが行
われることで、ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２の記憶容
量の利用効率を向上させることができる。
【００３９】従って、１データを１セクタに割り当てる
ようなデータベース等に用いる記憶領域として、ＮＯＲ
型フラッシュメモリ１２を使用した場合であっても、効
率良くデータの書き込みを行なうことができる。
ようなデータベース等に用いる記憶領域として、ＮＯＲ
型フラッシュメモリ１２を使用した場合であっても、効
率良くデータの書き込みを行なうことができる。
【００４０】なお、前述した第１実施形態では、ブロッ
ク間で記憶領域の使用効率が平均化するように、データ
を書き込むブロックを選択しているが、ＮＯＲ型フラッ
シュメモリ１２がブロック消去回数に制限があることか
ら、単純に使用効率の平均化だけでなくブロック消去回
数も考慮して、データを書き込むブロックを選択するよ
うにしても良い。
ク間で記憶領域の使用効率が平均化するように、データ
を書き込むブロックを選択しているが、ＮＯＲ型フラッ
シュメモリ１２がブロック消去回数に制限があることか
ら、単純に使用効率の平均化だけでなくブロック消去回
数も考慮して、データを書き込むブロックを選択するよ
うにしても良い。
【００４１】例えば、全ブロックの消去回数の平均値を
求め、その平均値から規定の割合を越えている回数のブ
ロック消去が実行されているブロックについては、デー
タの書き込み対象とする候補から外すようにするといっ
た方法を用いることができる。
求め、その平均値から規定の割合を越えている回数のブ
ロック消去が実行されているブロックについては、デー
タの書き込み対象とする候補から外すようにするといっ
た方法を用いることができる。
【００４２】次に、第２実施形態における情報処理装置
の動作について説明する。第２実施形態は、ＮＯＲ型フ
ラッシュメモリ１２の１ブロック内のセクタ長、セクタ
数をブロック毎にそれぞれ異なるようにして管理する方
法を用いる。また、メモリの整理処理は、ブロックの固
定位置に他ブロックから相対的のセクタ位置指定が出来
るように、間接アドレステーブルを設け、クリーンデー
タを上位アドレスから詰めて書き写す方法を用いるもの
とする。
の動作について説明する。第２実施形態は、ＮＯＲ型フ
ラッシュメモリ１２の１ブロック内のセクタ長、セクタ
数をブロック毎にそれぞれ異なるようにして管理する方
法を用いる。また、メモリの整理処理は、ブロックの固
定位置に他ブロックから相対的のセクタ位置指定が出来
るように、間接アドレステーブルを設け、クリーンデー
タを上位アドレスから詰めて書き写す方法を用いるもの
とする。
【００４３】図４は情報処理装置のＮＯＲ型フラッシュ
メモリ１２に対するメモリ制御方法の動作を示すフロー
チャート、図５は第２実施形態におけるメモリの整理処
理を例にしたデータ構成を示す図である。
メモリ１２に対するメモリ制御方法の動作を示すフロー
チャート、図５は第２実施形態におけるメモリの整理処
理を例にしたデータ構成を示す図である。
【００４４】まず、第２実施形態におけるデータ構成に
ついて図５を参照しながら説明する。第２実施形態で
は、ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２の１ブロック内のセ
クタ長、セクタ数を、ブロック毎に異なるように設定
し、データを書き込む際に、データに応じたブロックを
選択してデータの書き込みを行なう。
ついて図５を参照しながら説明する。第２実施形態で
は、ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２の１ブロック内のセ
クタ長、セクタ数を、ブロック毎に異なるように設定
し、データを書き込む際に、データに応じたブロックを
選択してデータの書き込みを行なう。
【００４５】例えば、ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２の
複数のブロックの中で、仮想ブロック番号１，４のブロ
ックは、５１２バイト固定長、１２８個セクタとし、仮
想ブロック番号２，５のブロックは、２５６バイト固定
長、２５６個セクタとし、仮想ブロック番号３，６のブ
ロックは、１２８バイト固定長、５１２個セクタとする
ように、複数のパターンを予め決定しておく。図５では
前述のようにして決定されたセクタ長、セクタ数の仮想
ブロック１，２，３を示している。
複数のブロックの中で、仮想ブロック番号１，４のブロ
ックは、５１２バイト固定長、１２８個セクタとし、仮
想ブロック番号２，５のブロックは、２５６バイト固定
長、２５６個セクタとし、仮想ブロック番号３，６のブ
ロックは、１２８バイト固定長、５１２個セクタとする
ように、複数のパターンを予め決定しておく。図５では
前述のようにして決定されたセクタ長、セクタ数の仮想
ブロック１，２，３を示している。
【００４６】まず、第２実施形態におけるメモリの整理
処理について図５を用いて説明する。例えば、仮想ブロ
ック２である物理ブロック２に空き領域を確保するた
め、スペアブロックとして、物理ブロック３にクリーン
データを上位アドレスから詰めて書き写す。１ブロック
のセクタ数が旧仮想ブロック２と新仮想ブロック２とが
同じなので、各セクタの書き込み先は間接アドレステー
ブルによって管理することができる。こうして、仮想ブ
ロック２には、空き領域が確保され、データの書き込み
が可能となる。
処理について図５を用いて説明する。例えば、仮想ブロ
ック２である物理ブロック２に空き領域を確保するた
め、スペアブロックとして、物理ブロック３にクリーン
データを上位アドレスから詰めて書き写す。１ブロック
のセクタ数が旧仮想ブロック２と新仮想ブロック２とが
同じなので、各セクタの書き込み先は間接アドレステー
ブルによって管理することができる。こうして、仮想ブ
ロック２には、空き領域が確保され、データの書き込み
が可能となる。
【００４７】ＣＰＵ１０は、アプリケーションを実行し
た結果、データをＮＯＲ型フラッシュメモリ１２に書き
込む際、ブロック毎で異なるセクタ長、セクタ数で管理
されるブロックの使用効率を良くするために以下の手順
により書き込みブロックを決定する。
た結果、データをＮＯＲ型フラッシュメモリ１２に書き
込む際、ブロック毎で異なるセクタ長、セクタ数で管理
されるブロックの使用効率を良くするために以下の手順
により書き込みブロックを決定する。
【００４８】第２実施形態では、書き込みの対象とする
データのデータ長、データ種別（アプリケーション別の
ファイル種別）に合わせて、書き込み対象とするブロッ
クを決定してデータの書き込みを行なう。
データのデータ長、データ種別（アプリケーション別の
ファイル種別）に合わせて、書き込み対象とするブロッ
クを決定してデータの書き込みを行なう。
【００４９】ＣＰＵ１０は、アプリケーションプログラ
ムに基づいて実行されるアプリケーションがデータ書き
込みを要求した場合、ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２に
対するデータの書き込みを実行するファイルシステムを
起動して、データ書き込み命令を与える。この際、アプ
リケーションは、アプリケーション毎のデータ種別をフ
ァイルシステムに対して与える。
ムに基づいて実行されるアプリケーションがデータ書き
込みを要求した場合、ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２に
対するデータの書き込みを実行するファイルシステムを
起動して、データ書き込み命令を与える。この際、アプ
リケーションは、アプリケーション毎のデータ種別をフ
ァイルシステムに対して与える。
【００５０】ＣＰＵ１０は、ファイルシステムによっ
て、アプリケーションからのデータ種別により、セクタ
長に合ったブロックを決定する（ステップＢ１）。例え
ば、手帳型電子機器に当てはめた場合、手帳型電子機器
に設けられた各種アプリケーションとＮＯＲ型フラッシ
ュメモリ１２のブロックの関係は、次のようにして設定
できる。なお、手帳型電子機器には、情報サービス、手
書きメモ、電子メール、メモ、電話、スケジュール等の
各種のアプリケーションが設けられているものとする。
て、アプリケーションからのデータ種別により、セクタ
長に合ったブロックを決定する（ステップＢ１）。例え
ば、手帳型電子機器に当てはめた場合、手帳型電子機器
に設けられた各種アプリケーションとＮＯＲ型フラッシ
ュメモリ１２のブロックの関係は、次のようにして設定
できる。なお、手帳型電子機器には、情報サービス、手
書きメモ、電子メール、メモ、電話、スケジュール等の
各種のアプリケーションが設けられているものとする。
【００５１】例えば、情報サービス、手書きメモのアプ
リケーションは、比較的に扱うデータのデータサイズが
大きいため、５１２バイト固定長セクタブロックに設定
し、電子メール、メモのアプリケーションは、２５６バ
イト固定長セクタブロック、電話、スケジュールのアプ
リケーションは、１２８バイト固定長セクタブロックの
ように、アプリケーション別のデータ長、データ種別に
応じて設定する。
リケーションは、比較的に扱うデータのデータサイズが
大きいため、５１２バイト固定長セクタブロックに設定
し、電子メール、メモのアプリケーションは、２５６バ
イト固定長セクタブロック、電話、スケジュールのアプ
リケーションは、１２８バイト固定長セクタブロックの
ように、アプリケーション別のデータ長、データ種別に
応じて設定する。
【００５２】ＣＰＵ１０は、データ種別に応じて、デー
タの書き込み対象とするブロックを決定すると、該当ブ
ロックにデータを書き込むだけの空き領域があるかを判
別する（ステップＢ２，Ｂ３，Ｂ４）。
タの書き込み対象とするブロックを決定すると、該当ブ
ロックにデータを書き込むだけの空き領域があるかを判
別する（ステップＢ２，Ｂ３，Ｂ４）。
【００５３】ここで、決定したブロックに十分な空き領
域がある場合には、ＣＰＵ１０は、該当するブロックの
ブロック番号を取得して、実際にデータの書き込み対象
となるブロックを決定する（ステップＢ１０）。
域がある場合には、ＣＰＵ１０は、該当するブロックの
ブロック番号を取得して、実際にデータの書き込み対象
となるブロックを決定する（ステップＢ１０）。
【００５４】一方、データ種別に応じたブロックに十分
な空き領域がない場合には、ＣＰＵ１０は、決定したブ
ロックのセクタ長に近い他のブロックを対象として、空
き領域があるか否かを判別し、このブロックに空き領域
があれば、ブロック番号を取得して、実際にデータの書
き込み対象となるブロックを決定する。
な空き領域がない場合には、ＣＰＵ１０は、決定したブ
ロックのセクタ長に近い他のブロックを対象として、空
き領域があるか否かを判別し、このブロックに空き領域
があれば、ブロック番号を取得して、実際にデータの書
き込み対象となるブロックを決定する。
【００５５】例えば、データ種別に応じて５１２セクタ
長のブロックがデータの書き込み対象として決定された
ものの、空き領域が十分になかった場合には（ステップ
Ｂ１，Ｂ２，Ｂ５）、ＣＰＵ１０は、２５６セクタ長の
ブロックについて空き領域のチェックを行ない（ステッ
プＢ６）、さらに２５６セクタ長のブロックに空き領域
がなかった場合には（ステップＢ７）、１２８セクタ長
のブロックの空き領域をチェックして（ステップＢ
８）、十分な空き領域があれば１２８セクタ長のブロッ
クをデータ書き込みの対象とする（ステップＢ９，Ｂ１
０）。
長のブロックがデータの書き込み対象として決定された
ものの、空き領域が十分になかった場合には（ステップ
Ｂ１，Ｂ２，Ｂ５）、ＣＰＵ１０は、２５６セクタ長の
ブロックについて空き領域のチェックを行ない（ステッ
プＢ６）、さらに２５６セクタ長のブロックに空き領域
がなかった場合には（ステップＢ７）、１２８セクタ長
のブロックの空き領域をチェックして（ステップＢ
８）、十分な空き領域があれば１２８セクタ長のブロッ
クをデータ書き込みの対象とする（ステップＢ９，Ｂ１
０）。
【００５６】同様にして、データ種別に応じて、２５６
セクタ長のブロックが選択された場合、あるいは１２８
セクタ長のブロックが選択された場合も、十分な空き領
域がなかった場合には、他のブロックから空き領域を探
して、データの書き込み対象とする。
セクタ長のブロックが選択された場合、あるいは１２８
セクタ長のブロックが選択された場合も、十分な空き領
域がなかった場合には、他のブロックから空き領域を探
して、データの書き込み対象とする。
【００５７】このようにして、ＮＯＲ型フラッシュメモ
リ１２にデータ種別に合わせた異なるセクタ長のブロッ
クを設けることにより、ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２
に対してデータを書き込む際に、データ種別に応じたブ
ロックを選択することで、例えば１データを１セクタに
割り当てるようなデータベース等に用いる記憶領域とし
て、ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２を使用した場合であ
っても、効率良くデータの書き込みを行なうことができ
る。特に手帳型電子機器のような複数のアプリケーショ
ンが実行され、複数のデータ種別が存在する場合に、Ｎ
ＯＲ型フラッシュメモリ１２を記憶媒体として用いた場
合に有効である。また、前述した第１実施形態による方
法と比較して、データの書き込み対象とするブロックを
決定するまでの手順が簡単であり、高速な処理が可能で
ある。
リ１２にデータ種別に合わせた異なるセクタ長のブロッ
クを設けることにより、ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２
に対してデータを書き込む際に、データ種別に応じたブ
ロックを選択することで、例えば１データを１セクタに
割り当てるようなデータベース等に用いる記憶領域とし
て、ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２を使用した場合であ
っても、効率良くデータの書き込みを行なうことができ
る。特に手帳型電子機器のような複数のアプリケーショ
ンが実行され、複数のデータ種別が存在する場合に、Ｎ
ＯＲ型フラッシュメモリ１２を記憶媒体として用いた場
合に有効である。また、前述した第１実施形態による方
法と比較して、データの書き込み対象とするブロックを
決定するまでの手順が簡単であり、高速な処理が可能で
ある。
【００５８】なお、前述した第２実施形態の説明では、
データ種別のみによってデータの書き込み対象とするブ
ロックを決定しているが、データ種別を無視し、単に書
き込み対象とするデータ長に合わせて、対応するセクタ
長が設定されたブロックを選択するようにしても良い。
データ種別のみによってデータの書き込み対象とするブ
ロックを決定しているが、データ種別を無視し、単に書
き込み対象とするデータ長に合わせて、対応するセクタ
長が設定されたブロックを選択するようにしても良い。
【００５９】また、前述した第２実施形態においては、
ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２の１ブロック内のセクタ
長、セクタ数をブロック毎にそれぞれ異なるものとして
説明しているが同じセクタ長、セクタ数のブロックが数
分含まれていても良い。例えば、特定のデータ種別のデ
ータを多く扱う場合などには、このデータ種別にあった
セクタ長、セクタ数のブロックを他のブロックよりも多
く設けることも可能である。
ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２の１ブロック内のセクタ
長、セクタ数をブロック毎にそれぞれ異なるものとして
説明しているが同じセクタ長、セクタ数のブロックが数
分含まれていても良い。例えば、特定のデータ種別のデ
ータを多く扱う場合などには、このデータ種別にあった
セクタ長、セクタ数のブロックを他のブロックよりも多
く設けることも可能である。
【００６０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、Ｎ
ＯＲ型フラッシュメモリを複数のブロックに分け、各ブ
ロックを固定数、可変長のセクタで管理し、データを書
き込む場合には、データを書き込んだ際のブロック内の
セクタの平均セクタ長が標準平均値に近くなるブロック
を選択して、データを書き込むことにより、ブロック内
のセクタ数を固定とすることで、メモリの整理処理等に
伴うメモリの管理を複雑化することを回避しつつ、可変
長セクタとすることができ、小さいデータを扱う場合で
あっても、ＮＯＲ型フラッシュメモリの使用不可能領域
を低減させることが可能となるものである。
ＯＲ型フラッシュメモリを複数のブロックに分け、各ブ
ロックを固定数、可変長のセクタで管理し、データを書
き込む場合には、データを書き込んだ際のブロック内の
セクタの平均セクタ長が標準平均値に近くなるブロック
を選択して、データを書き込むことにより、ブロック内
のセクタ数を固定とすることで、メモリの整理処理等に
伴うメモリの管理を複雑化することを回避しつつ、可変
長セクタとすることができ、小さいデータを扱う場合で
あっても、ＮＯＲ型フラッシュメモリの使用不可能領域
を低減させることが可能となるものである。
【図１】本発明の実施形態に係わるＮＯＲ型フラッシュ
メモリのメモリ制御方法を用いる情報処理装置の基本構
成を示すブロック図。
メモリのメモリ制御方法を用いる情報処理装置の基本構
成を示すブロック図。
【図２】第１実施形態における情報処理装置のＮＯＲ型
フラッシュメモリ１２に対するメモリ制御方法の動作を
示すフローチャート。
フラッシュメモリ１２に対するメモリ制御方法の動作を
示すフローチャート。
【図３】第１実施形態におけるメモリの整理処理を例に
したデータ構成を示す図。
したデータ構成を示す図。
【図４】第２実施形態における情報処理装置のＮＯＲ型
フラッシュメモリ１２に対するメモリ制御方法の動作を
示すフローチャート。
フラッシュメモリ１２に対するメモリ制御方法の動作を
示すフローチャート。
【図５】第２実施形態におけるメモリの整理処理を例に
したデータ構成を示す図。
したデータ構成を示す図。
１０…ＣＰＵ １２…ＮＯＲ型フラッシュメモリ １４…ＲＡＭ １６…ＲＯＭ １８…記憶装置 ２０…入力装置
Claims (2)
- 【請求項１】 ＮＯＲ型フラッシュメモリを複数のブロ
ックに分け、各ブロックを固定数、可変長のセクタで管
理する管理手段と、 前記管理手段によって管理されたＮＯＲ型フラッシュメ
モリに対してデータを書き込む場合には、データを書き
込んだ際のブロック内のセクタの平均セクタ長が標準平
均値に近くなるブロックを選択して、データを書き込む
手段とを具備したことを特徴とするＮＯＲ型フラッシュ
メモリのメモリ制御装置。 - 【請求項２】 ＮＯＲ型フラッシュメモリを複数のブロ
ックに分け、各ブロックを、異なるセクタ数、セクタ長
で管理する管理手段と、 前記管理手段によって管理されたＮＯＲ型フラッシュメ
モリに対してデータを書き込む場合には、データ長に基
づいて分類されたデータ種類に応じてブロックを選択し
て、データを書き込む手段とを具備したことを特徴とす
るＮＯＲ型フラッシュメモリのメモリ制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9197081A JPH1139210A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | フラッシュメモリのメモリ制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9197081A JPH1139210A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | フラッシュメモリのメモリ制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1139210A true JPH1139210A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16368411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9197081A Pending JPH1139210A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | フラッシュメモリのメモリ制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1139210A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005043394A1 (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記録媒体、情報記録媒体に対するアクセス装置及びアクセス方法 |
| JP2005338897A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性記憶装置および不揮発性メモリの消去方法と書込み方法 |
| US7177975B2 (en) * | 1998-11-04 | 2007-02-13 | Sandisk Corporation | Card system with erase tagging hierarchy and group based write protection |
| WO2013042880A2 (ko) * | 2011-09-23 | 2013-03-28 | 한양대학교 산학협력단 | 다양한 블록 크기를 지원하는 주소 사상을 사용하여 플래시 메모리 내에 데이터를 저장하는 방법 및 장치 |
-
1997
- 1997-07-23 JP JP9197081A patent/JPH1139210A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7177975B2 (en) * | 1998-11-04 | 2007-02-13 | Sandisk Corporation | Card system with erase tagging hierarchy and group based write protection |
| US7374108B2 (en) | 1998-11-04 | 2008-05-20 | Sandisk Corporation | Write protection and use of erase tags in a single host multiple cards system |
| WO2005043394A1 (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記録媒体、情報記録媒体に対するアクセス装置及びアクセス方法 |
| JPWO2005043394A1 (ja) * | 2003-10-31 | 2007-11-29 | 松下電器産業株式会社 | 情報記録媒体、情報記録媒体に対するアクセス装置及びアクセス方法 |
| JP4722704B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2011-07-13 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体、情報記録媒体に対するアクセス装置及びアクセス方法 |
| US8185705B2 (en) | 2003-10-31 | 2012-05-22 | Panasonic Corporation | Information recording medium, information recording medium accessing apparatus and accessing method |
| JP2005338897A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性記憶装置および不揮発性メモリの消去方法と書込み方法 |
| JP4661086B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2011-03-30 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶装置および不揮発性メモリの消去方法と書込み方法 |
| WO2013042880A2 (ko) * | 2011-09-23 | 2013-03-28 | 한양대학교 산학협력단 | 다양한 블록 크기를 지원하는 주소 사상을 사용하여 플래시 메모리 내에 데이터를 저장하는 방법 및 장치 |
| WO2013042880A3 (ko) * | 2011-09-23 | 2013-05-23 | 한양대학교 산학협력단 | 다양한 블록 크기를 지원하는 주소 사상을 사용하여 플래시 메모리 내에 데이터를 저장하는 방법 및 장치 |
| US9298384B2 (en) | 2011-09-23 | 2016-03-29 | Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University | Method and device for storing data in a flash memory using address mapping for supporting various block sizes |
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