JPH1136066A - スパッタリング用ターゲット - Google Patents
スパッタリング用ターゲットInfo
- Publication number
- JPH1136066A JPH1136066A JP20716097A JP20716097A JPH1136066A JP H1136066 A JPH1136066 A JP H1136066A JP 20716097 A JP20716097 A JP 20716097A JP 20716097 A JP20716097 A JP 20716097A JP H1136066 A JPH1136066 A JP H1136066A
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- Japan
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- target
- thin film
- compound
- compd
- granular
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ストイキオメトリな化合物薄膜を高堆積速度
で安定して形成でき、かつ扱い易く安価に化合物薄膜が
得られるスパッタリング用ターゲットを提供する。 【解決手段】 金属の化合物を堆積するためのスパッタ
リング用のターゲットにおいて、所定の粒径の粒状、も
しくは線径の線状の金属材、またはそれら両者と粉末状
の化合物材にてターゲットを構成した。
で安定して形成でき、かつ扱い易く安価に化合物薄膜が
得られるスパッタリング用ターゲットを提供する。 【解決手段】 金属の化合物を堆積するためのスパッタ
リング用のターゲットにおいて、所定の粒径の粒状、も
しくは線径の線状の金属材、またはそれら両者と粉末状
の化合物材にてターゲットを構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体を製造する場
合に用いられるスパッタリング法により化合物薄膜を形
成する際の母材となるターゲットに関する。
合に用いられるスパッタリング法により化合物薄膜を形
成する際の母材となるターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近特に、半導体の基板の表面に新たな
光学的特性や電気的特性を付与したり、基板表面を機械
的に保護する目的で、ＳｉＯ2 膜、ＳｉＮ膜、Ａｌ2 Ｏ
3 膜やＩＴＯ膜（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 膜）などの化合
物薄膜を形成することが広く行われている。これらの化
合物薄膜の形成には、種々の方法が用いられているが、
その中でも、スパッタリング法は薄膜の堆積が低温で可
能なことや、膜の組成の制御が容易なことの特徴を有す
るため、これらの化合物薄膜の形成法として広く用いら
れている。
光学的特性や電気的特性を付与したり、基板表面を機械
的に保護する目的で、ＳｉＯ2 膜、ＳｉＮ膜、Ａｌ2 Ｏ
3 膜やＩＴＯ膜（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 膜）などの化合
物薄膜を形成することが広く行われている。これらの化
合物薄膜の形成には、種々の方法が用いられているが、
その中でも、スパッタリング法は薄膜の堆積が低温で可
能なことや、膜の組成の制御が容易なことの特徴を有す
るため、これらの化合物薄膜の形成法として広く用いら
れている。
【０００３】すなわち、このスパッタリング法は、薄膜
の母材となるターゲットと基板とを備えた真空槽内にグ
ロー放電を起こすための不活性ガス、通常はアルゴンガ
スを所定の圧力導入し、ターゲットを搭載した電極に負
の直流電圧、あるいは高周波電圧を印加することによ
り、プラズマを発生させ、そこで生成されたイオンを加
速し、ターゲット表面に高速度で衝突させ、ターゲット
構成原子を叩き出し、この原子を基板表面に堆積させ、
薄膜を形成するようにしている。
の母材となるターゲットと基板とを備えた真空槽内にグ
ロー放電を起こすための不活性ガス、通常はアルゴンガ
スを所定の圧力導入し、ターゲットを搭載した電極に負
の直流電圧、あるいは高周波電圧を印加することによ
り、プラズマを発生させ、そこで生成されたイオンを加
速し、ターゲット表面に高速度で衝突させ、ターゲット
構成原子を叩き出し、この原子を基板表面に堆積させ、
薄膜を形成するようにしている。
【０００４】この場合、ターゲットに化合物材から成る
ものを用いれば化合物膜が形成される。一方、ターゲッ
トに金属材を用いる場合でも、不活性ガスと共に窒素や
酸素などの反応性ガスを導入することにより、化学反応
により同様に化合物膜が形成される。
ものを用いれば化合物膜が形成される。一方、ターゲッ
トに金属材を用いる場合でも、不活性ガスと共に窒素や
酸素などの反応性ガスを導入することにより、化学反応
により同様に化合物膜が形成される。
【０００５】これらのことから、スパッタリング法で
は、ターゲット材とスパッタリングガス種との組み合わ
せにより、非常に多種の化合物膜が得られる。ただ、こ
のスパッタリング法により化合物薄膜を形成する場合で
も以下に述べる問題点が指摘されている。
は、ターゲット材とスパッタリングガス種との組み合わ
せにより、非常に多種の化合物膜が得られる。ただ、こ
のスパッタリング法により化合物薄膜を形成する場合で
も以下に述べる問題点が指摘されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図５には、ターゲット
に金属材からなるものを用い、放電ガス中に反応性ガス
を混合する反応性スパッタリング法で化合物膜を形成し
た場合の、薄膜の堆積速度と膜組成の、反応性ガス混合
率による変化が示してある。ここに示した例では、ター
ゲットにはＳｉを用い、放電ガスには窒素とアルゴンと
の混合ガスを使用し、ＳｉＮ膜を形成した時のデータを
示した。窒素を混合すると、特定の混合率ｆｃで、膜の
堆積速度が急激に小さくなる。一方、ＳｉＮx の窒素の
組成比ｘは、窒素の混合率ｆｃまでの範囲では、混合率
の増大と共に大きくなる。
に金属材からなるものを用い、放電ガス中に反応性ガス
を混合する反応性スパッタリング法で化合物膜を形成し
た場合の、薄膜の堆積速度と膜組成の、反応性ガス混合
率による変化が示してある。ここに示した例では、ター
ゲットにはＳｉを用い、放電ガスには窒素とアルゴンと
の混合ガスを使用し、ＳｉＮ膜を形成した時のデータを
示した。窒素を混合すると、特定の混合率ｆｃで、膜の
堆積速度が急激に小さくなる。一方、ＳｉＮx の窒素の
組成比ｘは、窒素の混合率ｆｃまでの範囲では、混合率
の増大と共に大きくなる。
【０００７】しかし、混合率ｆｃ以上で、ｘはほぼ１と
なり、ストイキオメトリな膜が得られる。これらのこと
から、ストイキオメトリなＳｉＮ膜を高堆積速度で形成
するには、窒素ガスの混合率を正確に制御し、常に臨界
混合率ｆｃに保っておくことが必要である。同様な現象
は、ここで示したＳｉＮ膜に限らず、非常に多くの化合
物薄膜形成において観察されている。ストイキオメトリ
な化合物薄膜を形成するに必要な反応性ガスの臨界混合
率ｆｃは、ターゲットへの投入電力、放電ガスの圧力や
流量、さらにスパッタリング装置の排気特性等の諸特性
に敏感に影響されることも明らかにされている。このた
め、従来のターゲット材ではストイキオメトリな化合物
薄膜を高堆積速度で形成することは非常に困難である、
という課題がある。
なり、ストイキオメトリな膜が得られる。これらのこと
から、ストイキオメトリなＳｉＮ膜を高堆積速度で形成
するには、窒素ガスの混合率を正確に制御し、常に臨界
混合率ｆｃに保っておくことが必要である。同様な現象
は、ここで示したＳｉＮ膜に限らず、非常に多くの化合
物薄膜形成において観察されている。ストイキオメトリ
な化合物薄膜を形成するに必要な反応性ガスの臨界混合
率ｆｃは、ターゲットへの投入電力、放電ガスの圧力や
流量、さらにスパッタリング装置の排気特性等の諸特性
に敏感に影響されることも明らかにされている。このた
め、従来のターゲット材ではストイキオメトリな化合物
薄膜を高堆積速度で形成することは非常に困難である、
という課題がある。
【０００８】また、ストイキオメトリな化合物薄膜を形
成する他の方法としては、ターゲットに化合物材を用い
る方法がある。しかし、この場合にも、化合物材のスパ
ッタ率（ターゲット表面に入射する一個のイオンにより
ターゲットから叩き出されるターゲット構成原子の数）
が金属材のターゲットの場合よりも小さいため、堆積速
度が低くおさえられる問題が残っている。
成する他の方法としては、ターゲットに化合物材を用い
る方法がある。しかし、この場合にも、化合物材のスパ
ッタ率（ターゲット表面に入射する一個のイオンにより
ターゲットから叩き出されるターゲット構成原子の数）
が金属材のターゲットの場合よりも小さいため、堆積速
度が低くおさえられる問題が残っている。
【０００９】堆積速度を高めるため、ターゲットに投入
する電力を増大する方法もあるが、化合物材の熱伝導率
は金属材に比べて小さく、このため高電力投入によりタ
ーゲットにひび割れが生じ、ターゲットが破損する問題
も新たに生じてくる、という課題がある。
する電力を増大する方法もあるが、化合物材の熱伝導率
は金属材に比べて小さく、このため高電力投入によりタ
ーゲットにひび割れが生じ、ターゲットが破損する問題
も新たに生じてくる、という課題がある。
【００１０】この発明は上記のことに鑑み提案されたも
ので、その目的とするところは、ストイキオメトリな化
合物薄膜を高堆積速度で安定して形成でき、かつ扱い易
く安価に化合物薄膜が得られるスパッタリング用ターゲ
ットを提供することにある。
ので、その目的とするところは、ストイキオメトリな化
合物薄膜を高堆積速度で安定して形成でき、かつ扱い易
く安価に化合物薄膜が得られるスパッタリング用ターゲ
ットを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、金属の化合
物を堆積するためのスパッタリング用のターゲットにお
いて、粒径が０．５ｍｍ乃至１０ｍｍの粒状の金属材と
粉末状の化合物材とを含むことを要旨とし、上記目的を
達成している。
物を堆積するためのスパッタリング用のターゲットにお
いて、粒径が０．５ｍｍ乃至１０ｍｍの粒状の金属材と
粉末状の化合物材とを含むことを要旨とし、上記目的を
達成している。
【００１２】また、同様のスパッタリング用ターゲット
において、線径が０．５ｍｍ乃至１０ｍｍの線状の金属
材と粉末状の化合物材とを含むことを要旨とし、上記目
的を達成している。
において、線径が０．５ｍｍ乃至１０ｍｍの線状の金属
材と粉末状の化合物材とを含むことを要旨とし、上記目
的を達成している。
【００１３】また、同様のスパッタリング用ターゲット
において、粒径が０．５ｍｍ乃至１０ｍｍの粒状の金属
材と線径が０．５ｍｍ乃至１０ｍｍの線状の金属材と粉
末状の化合物材とを含むことを要旨とし、上記目的を達
成している。
において、粒径が０．５ｍｍ乃至１０ｍｍの粒状の金属
材と線径が０．５ｍｍ乃至１０ｍｍの線状の金属材と粉
末状の化合物材とを含むことを要旨とし、上記目的を達
成している。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明におけるターゲットは、従
来からの金属材や化合物材から単独に作られているので
はなく、粒状あるいは線状の金属材と化合物材とを所定
の割合いで混合して製作されている。図１は本発明の一
実施例であり、粒状の金属材１１と粉末状の化合物材１
２とを混合して製作したターゲットＴ１の断面図であ
る。このターゲットＴ１は、焼結あるいはプレスといっ
た方法で作製可能である。
来からの金属材や化合物材から単独に作られているので
はなく、粒状あるいは線状の金属材と化合物材とを所定
の割合いで混合して製作されている。図１は本発明の一
実施例であり、粒状の金属材１１と粉末状の化合物材１
２とを混合して製作したターゲットＴ１の断面図であ
る。このターゲットＴ１は、焼結あるいはプレスといっ
た方法で作製可能である。
【００１５】図２は、上記ターゲットＴ１を用い、放電
ガス中に反応性ガスを混合した場合の膜の堆積速度と膜
組成の、反応性ガス混合率による変化が示してある。こ
こに示した例では、金属材としては粒状のＳｉを、化合
物材としては粉末状のＳｉＮを用いて作製したターゲッ
トＴ１を使用し、反応性ガスとして窒素をアルゴンガス
に混合した場合である。混合ガスを使用し、ＳｉＮ膜を
形成した時のデータを示した。
ガス中に反応性ガスを混合した場合の膜の堆積速度と膜
組成の、反応性ガス混合率による変化が示してある。こ
こに示した例では、金属材としては粒状のＳｉを、化合
物材としては粉末状のＳｉＮを用いて作製したターゲッ
トＴ１を使用し、反応性ガスとして窒素をアルゴンガス
に混合した場合である。混合ガスを使用し、ＳｉＮ膜を
形成した時のデータを示した。
【００１６】窒素を混合すると臨界混合率ｆｃ1 におい
て、膜の堆積速度が急激に小さくなる。一方、ＳｉＮx
の窒素の組成比ｘは、窒素の臨界混合率ｆｃ2 までの範
囲では、混合率の増大と共に大きくなり、臨界混合率ｆ
ｃ2 以上で、ｘは１となりストイキオメトリなＳｉＮ膜
が得られる。図１に示したターゲットＴ１を用いると、
臨界混合率ｆｃ1 とｆｃ2 とが一致せず、前者ｆｃ1 の
方が後者のｆｃ2 の値よりも大きい。このため、反応性
ガスの混合率を両者の間に設定することができ、高堆積
速度でストイキオメトリな化合物薄膜を形成できる。
て、膜の堆積速度が急激に小さくなる。一方、ＳｉＮx
の窒素の組成比ｘは、窒素の臨界混合率ｆｃ2 までの範
囲では、混合率の増大と共に大きくなり、臨界混合率ｆ
ｃ2 以上で、ｘは１となりストイキオメトリなＳｉＮ膜
が得られる。図１に示したターゲットＴ１を用いると、
臨界混合率ｆｃ1 とｆｃ2 とが一致せず、前者ｆｃ1 の
方が後者のｆｃ2 の値よりも大きい。このため、反応性
ガスの混合率を両者の間に設定することができ、高堆積
速度でストイキオメトリな化合物薄膜を形成できる。
【００１７】上述の臨界混合率ｆｃ1 とｆｃ2 は、ター
ゲットＴ１における金属材と化合物材の混合比に依存す
る。このため、不活性ガスと反応性ガスの混合率は、タ
ーゲットＴ１における金属材と化合物材の混合比を考慮
して設定することができ、ストイキオメトリな化合物薄
膜の高堆積速度がより容易となる。
ゲットＴ１における金属材と化合物材の混合比に依存す
る。このため、不活性ガスと反応性ガスの混合率は、タ
ーゲットＴ１における金属材と化合物材の混合比を考慮
して設定することができ、ストイキオメトリな化合物薄
膜の高堆積速度がより容易となる。
【００１８】図３は線状の金属材を用いた場合の本発明
の他の実施例のターゲットＴ２の断面図を示す。図中２
１は線状の金属材、２２は粉末状の化合物材を示す。
の他の実施例のターゲットＴ２の断面図を示す。図中２
１は線状の金属材、２２は粉末状の化合物材を示す。
【００１９】図４は粒状と線状の金属材とを用いた場合
の本発明の更に他の実施例のターゲットＴ３の断面図で
ある。図中３１は粒状の金属材、３２は線状の金属材、
３３は粉末状の化合物材を示す。
の本発明の更に他の実施例のターゲットＴ３の断面図で
ある。図中３１は粒状の金属材、３２は線状の金属材、
３３は粉末状の化合物材を示す。
【００２０】いずれのターゲットＴ１〜Ｔ３を用いて
も、反応性ガスを混合したガス中でのスパッタリング法
により、図２を用いて説明したのと同様に、ストイキオ
メトリな化合物薄膜が高堆積速度で得られる。
も、反応性ガスを混合したガス中でのスパッタリング法
により、図２を用いて説明したのと同様に、ストイキオ
メトリな化合物薄膜が高堆積速度で得られる。
【００２１】なお、本発明のターゲットＴ１〜Ｔ３によ
れば、ストイキオメトリな化合物薄膜が高堆積速度で形
成できる利点だけでなく、化合物だけから成るターゲッ
トにはない他の利点がある。すなわち、粒状や線状の金
属材がターゲット内に混合されているため、熱伝導が大
きくなり、このため、化合物ターゲットに比べて、大き
な電力を投入してもひび割れなどのターゲットの破損を
防げる。また、大きな電力が印加できるため、化合物薄
膜の堆積速度をさらに高められる。さらに、本発明のタ
ーゲットでは、金属材が混合されているため、金属材だ
けから成るターゲットと同様に、種々の形状の、例えば
円筒状のターゲットも容易に形成できる。
れば、ストイキオメトリな化合物薄膜が高堆積速度で形
成できる利点だけでなく、化合物だけから成るターゲッ
トにはない他の利点がある。すなわち、粒状や線状の金
属材がターゲット内に混合されているため、熱伝導が大
きくなり、このため、化合物ターゲットに比べて、大き
な電力を投入してもひび割れなどのターゲットの破損を
防げる。また、大きな電力が印加できるため、化合物薄
膜の堆積速度をさらに高められる。さらに、本発明のタ
ーゲットでは、金属材が混合されているため、金属材だ
けから成るターゲットと同様に、種々の形状の、例えば
円筒状のターゲットも容易に形成できる。
【００２２】本発明のターゲットにおける金属材の粒径
や金属材の線径は、各々、０．５ｍｍ乃至１０ｍｍ、お
よび０．５ｍｍ乃至１０ｍｍが適している。粒径や線径
を０．５ｍｍよりも小さくすると、ターゲットの熱伝導
が悪くなり、ひび割れによるターゲットの損傷が生じ易
くなる。一方、粒径や線径が１０ｍｍよりも大きくする
と、ターゲット表面でのスパッタエッチングが不均一に
なり、基板上での薄膜の組成や厚さに不均一が生じてく
る問題があるためである。
や金属材の線径は、各々、０．５ｍｍ乃至１０ｍｍ、お
よび０．５ｍｍ乃至１０ｍｍが適している。粒径や線径
を０．５ｍｍよりも小さくすると、ターゲットの熱伝導
が悪くなり、ひび割れによるターゲットの損傷が生じ易
くなる。一方、粒径や線径が１０ｍｍよりも大きくする
と、ターゲット表面でのスパッタエッチングが不均一に
なり、基板上での薄膜の組成や厚さに不均一が生じてく
る問題があるためである。
【００２３】なお、図１，図３や図４に示した本発明に
かかるターゲットＴ１〜Ｔ３における粒状や線状の金属
材としては、単一種のものに限る必要はなく、所望の複
数種の金属材であっても良い。複数種の金属材を含むタ
ーゲットを用いると、さらに複雑な組成の化合物薄膜が
高堆積速度で得られる。例えば、金属材にＳｉとＴｉ
を、化合物材にＳｉＯ2 を含むターゲットを使用し、反
応性ガスとして酸素を用いると、ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 混
合化合物薄膜が高堆積速度で得られ、ターゲットにおけ
る金属材ＳｉとＴｉ、さらに化合物材ＳｉＯ2 の混合比
を変えることにより化合物薄膜のＳｉＯ2 とＴｉＯ2 と
の組成比を変化でき、屈折率等の特性を制御できる。
かかるターゲットＴ１〜Ｔ３における粒状や線状の金属
材としては、単一種のものに限る必要はなく、所望の複
数種の金属材であっても良い。複数種の金属材を含むタ
ーゲットを用いると、さらに複雑な組成の化合物薄膜が
高堆積速度で得られる。例えば、金属材にＳｉとＴｉ
を、化合物材にＳｉＯ2 を含むターゲットを使用し、反
応性ガスとして酸素を用いると、ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 混
合化合物薄膜が高堆積速度で得られ、ターゲットにおけ
る金属材ＳｉとＴｉ、さらに化合物材ＳｉＯ2 の混合比
を変えることにより化合物薄膜のＳｉＯ2 とＴｉＯ2 と
の組成比を変化でき、屈折率等の特性を制御できる。
【００２４】また、本発明のターゲットにおける化合物
材としては、単一種のものに限る必要はなく、所望の複
数種の化合物材であってもよい。例えば、金属材にＳｉ
を、化合物材にＳｉＯ2 とＴｉＯ2 を含むターゲットを
使用し、反応性ガスとして酸素を用いると、ＳｉＯ2 −
ＴｉＯ2 混合化合物薄膜が高堆積速度で得られる。
材としては、単一種のものに限る必要はなく、所望の複
数種の化合物材であってもよい。例えば、金属材にＳｉ
を、化合物材にＳｉＯ2 とＴｉＯ2 を含むターゲットを
使用し、反応性ガスとして酸素を用いると、ＳｉＯ2 −
ＴｉＯ2 混合化合物薄膜が高堆積速度で得られる。
【００２５】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明のターゲッ
トは、粒状もしくは線状の金属材と粉末状の化合物材、
あるいは粒状および線状の金属材と粉末状の化合物材と
からなり、このターゲットによれば、化合物ターゲット
に比しひび割れなどの破損を防ぐことができ、扱い易
く、かつストイキオメトリな化合物薄膜が高堆積速度で
安定して形成でき、化合物薄膜が安価に得られる。
トは、粒状もしくは線状の金属材と粉末状の化合物材、
あるいは粒状および線状の金属材と粉末状の化合物材と
からなり、このターゲットによれば、化合物ターゲット
に比しひび割れなどの破損を防ぐことができ、扱い易
く、かつストイキオメトリな化合物薄膜が高堆積速度で
安定して形成でき、化合物薄膜が安価に得られる。
【図１】本発明の一実施例のターゲットの断面図を示
す。
す。
【図２】本発明のターゲットを用いて化合物薄膜を堆積
したときの薄膜形成特性を示す。
したときの薄膜形成特性を示す。
【図３】本発明の他の実施例のターゲットの断面図を示
す。
す。
【図４】本発明の更に他の実施例のターゲットの断面図
を示す。
を示す。
【図５】従来からのターゲットを用いて化合物薄膜を堆
積したときの薄膜形成特性を示す。
積したときの薄膜形成特性を示す。
１１，３１ 粒状の金属材 ２１，３２ 線状の金属材 １２，２２，３３ 粉末状の化合物材 Ｔ１〜Ｔ３ ターゲット
Claims (3)
- 【請求項１】 金属の化合物を堆積するためのスパッタ
リング用のターゲットにおいて、粒径が０．５ｍｍ乃至
１０ｍｍの粒状の金属材と粉末状の化合物材とを含むこ
とを特徴としたスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項２】 金属の化合物を堆積するためのスパッタ
リング用のターゲットにおいて、線径が０．５ｍｍ乃至
１０ｍｍの線状の金属材と粉末状の化合物材とを含むこ
とを特徴としたスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項３】 金属の化合物を堆積するためのスパッタ
リング用のターゲットにおいて、粒径が０．５ｍｍ乃至
１０ｍｍの粒状の金属材と線径が０．５ｍｍ乃至１０ｍ
ｍの線状の金属材と粉末状の化合物材とを含むことを特
徴としたスパッタリング用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20716097A JPH1136066A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | スパッタリング用ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20716097A JPH1136066A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | スパッタリング用ターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1136066A true JPH1136066A (ja) | 1999-02-09 |
Family
ID=16535227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20716097A Pending JPH1136066A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | スパッタリング用ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1136066A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007031786A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スパッタリングターゲット、その製造方法及び透明導電膜 |
-
1997
- 1997-07-15 JP JP20716097A patent/JPH1136066A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007031786A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スパッタリングターゲット、その製造方法及び透明導電膜 |
| JP4761868B2 (ja) * | 2005-07-27 | 2011-08-31 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット、その製造方法及び透明導電膜 |
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