JPH11354396A - Method and device for controlling semiconductor process - Google Patents

Method and device for controlling semiconductor process

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JPH11354396A
JPH11354396A JP15651698A JP15651698A JPH11354396A JP H11354396 A JPH11354396 A JP H11354396A JP 15651698 A JP15651698 A JP 15651698A JP 15651698 A JP15651698 A JP 15651698A JP H11354396 A JPH11354396 A JP H11354396A
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JP
Japan
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correlation
integrated circuit
semiconductor
data
product data
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Application number
JP15651698A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideki Ishida
秀樹 石田
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • Y02P90/30Computing systems specially adapted for manufacturing

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To allow easy analysis of troubles causing defects by, even for a parameter wherein the relation between an integrated circuit device and characteristics is not technically clear, clearing the relations statistically for comparison between a product data and a device condition data when a defective occurs. SOLUTION: In a diffusion process 1 of a management device, manufacturing processes such as CVD, an electric furnace, washing, stepper, dry etching, and ion implantation are included, and the condition data of these semiconductor manufacturing devices is sent to a device condition data 2 along with a measurement time. The electric characteristics of a product 3 of the lot processed in the diffusion process 1 is measured with a PCM measuring device. The results measured with the PCM measuring device and a wafer inspection device are sent to a product data 4 along with the measurement time. A control system 5 extracts, along with the device condition data 2 where the unit identity of a processed manufacturing device, the process time, and the information indicating the device condition are stored, the data stored in the product data 4 for an integrated circuit device, and a process is made to obtain relations with the product data.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、一工程に対して複
数の半導体製造装置が存在する集積回路装置の製造工程
における半導体プロセスの管理方法およびその装置に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for managing a semiconductor process in a manufacturing process of an integrated circuit device in which a plurality of semiconductor manufacturing devices exist for one process.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、集積回路装置の製造工程にお
いては、一工程に対して複数の半導体製造装置が存在
し、これらの半導体製造装置により、集積回路装置は、
数百工程以上もの半導体プロセスを経て製造されてい
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a manufacturing process of an integrated circuit device, a plurality of semiconductor manufacturing devices exist for one process.
It is manufactured through several hundred semiconductor processes.

【0003】このように、半導体プロセスにおける1つ
の工程には、複数の半導体製造装置が存在し、例えば、
拡散工程が100あり、その1つの工程にn個の半導体
製造装置が存在すると仮定すると、集積回路装置を製造
する際に実際に使用された半導体製造装置の経路はn
100通りとなる。
As described above, in one step in a semiconductor process, a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses exist.
Assuming that there are 100 diffusion steps and that there are n semiconductor manufacturing apparatuses in one step, the path of the semiconductor manufacturing apparatus actually used when manufacturing the integrated circuit device is n.
100 ways.

【0004】この半導体プロセスにおいては、各半導体
製造装置の状態を示すパラメータと各半導体製造装置を
用いて製造された集積回路装置の特性との関係は明確に
は求められていないものが多数あるが、集積回路装置の
歩留まりが良くなるように、常に各工程を厳密に管理し
なければならない。
In this semiconductor process, there are many cases where the relationship between parameters indicating the state of each semiconductor manufacturing apparatus and the characteristics of an integrated circuit device manufactured using each semiconductor manufacturing apparatus is not clearly determined. Each process must always be strictly controlled so that the yield of integrated circuit devices is improved.

【0005】以下、従来の半導体プロセスの管理方法に
ついて、図面を参照しながら説明する。図3は従来の半
導体プロセスの管理装置及び管理データの流れを示す概
略図である。図3において、31は半導体製造装置、3
2は半導体製造装置31の状態を示す装置状態データ、
33は装置状態データ32を格納する装置状態データベ
ース、34は半導体製造装置31を用いて処理された集
積回路装置内のPCMを測定するPCM測定装置、35
はPCM測定装置34により得られたPCMの電気特性
データ、36はPCMの電気特性データ35を格納する
PCMの電気特性データベース、37は前記の集積回路
装置を測定するウエハー検査装置、38はウエハー検査
装置37により得られたウエハー検査データ、39はウ
エハー検査データ38を格納するウエハー検査データベ
ースである。
Hereinafter, a conventional method of managing a semiconductor process will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a schematic diagram showing a conventional semiconductor process management device and a flow of management data. In FIG. 3, reference numeral 31 denotes a semiconductor manufacturing apparatus;
2 is apparatus state data indicating the state of the semiconductor manufacturing apparatus 31;
33 is a device state database storing device state data 32, 34 is a PCM measuring device for measuring PCM in an integrated circuit device processed using the semiconductor manufacturing device 31, 35
Is a PCM electrical characteristic data obtained by the PCM measuring device 34, 36 is a PCM electrical characteristic database storing the PCM electrical characteristic data 35, 37 is a wafer inspection device for measuring the integrated circuit device, 38 is a wafer inspection device A wafer inspection data 39 obtained by the device 37 is a wafer inspection database storing wafer inspection data 38.

【0006】ここで、PCMとは、Process Control
Moduleの略で、製造された集積回路装置の基本的な電気
特性を測定するための素子である。以上のような従来の
半導体プロセスの管理装置を用いた管理方法において
は、装置状態データ32とPCMの電気特性データ35
とウエハー検査データ38とを、データベース33、3
6、39のうちそれぞれに対応するデータベースに格納
しており、個々のデータ単独での変動を抽出していた。
Here, PCM stands for Process Control.
An abbreviation for Module, an element for measuring basic electrical characteristics of a manufactured integrated circuit device. In the management method using the conventional semiconductor process management apparatus as described above, the apparatus state data 32 and the PCM electrical characteristic data 35 are used.
And wafer inspection data 38 into databases 33, 3
The data is stored in the database corresponding to each of Nos. 6 and 39, and the fluctuation of each data alone is extracted.

【0007】例えば、装置状態データ32に関しては、
ある半導体製造装置のパラメータが時間的にどのように
変化するかを調べ、異常が発見された場合に該半導体製
造装置の調整および修理を行なうという管理方法を用い
ていた。
For example, regarding the device status data 32,
A management method of examining how a parameter of a certain semiconductor manufacturing apparatus changes with time and adjusting and repairing the semiconductor manufacturing apparatus when an abnormality is found has been used.

【0008】また、PCMの電気特性データ35に関し
ては、電気特性ごとに規格が設定されており、その規格
をはずれた場合に異常が発生したものとみなして、調査
又は対策を行なうという管理方法を用いてきた。
The PCM electrical characteristic data 35 has a standard set for each electrical characteristic. If the standard is not met, it is assumed that an abnormality has occurred, and an investigation or countermeasure is taken. I have used it.

【0009】また、ウエハー検査データ38に関して
は、歩留りや不良カテゴリの割合が過去の値と比べて大
きな変化がないかを日々管理していた。また、ウエハー
検査データの歩留りや不良カテゴリの割合には基準が設
定されており、その基準をはずれた場合に異常が発生し
たものとみなし、調査又は対策を行なうという管理方法
を用いてきた。
The wafer inspection data 38 is managed on a daily basis to determine whether the yield or the percentage of defective categories is significantly different from past values. In addition, a standard is set for the yield of the wafer inspection data and the ratio of the defective category, and a management method has been used in which if the standard is not met, it is considered that an abnormality has occurred, and an investigation or a countermeasure is taken.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来の半導体プロセスの管理方法では、半導体製造
装置の各パラメータが、その半導体製造装置により製造
された集積回路装置のそれぞれの特性に対して、及ぼす
影響が明確になっている場合には問題はないが、実際に
は大部分のパラメータ同士の相関が明確ではなく、管理
すべき範囲が最適であるか否かは不明である。従って、
ある管理基準に基づいて各パラメータを管理していて
も、集積回路装置の特性に劣化が生じるという問題点を
有していた。
However, in the conventional method of managing a semiconductor process as described above, each parameter of the semiconductor manufacturing apparatus is set to be different from each characteristic of the integrated circuit device manufactured by the semiconductor manufacturing apparatus. There is no problem if the effect is clear, but in practice the correlation between most parameters is not clear and it is unclear whether the range to be managed is optimal. Therefore,
Even if each parameter is managed based on a certain management standard, there is a problem that the characteristics of the integrated circuit device deteriorate.

【0011】集積回路装置は、数百工程以上もの半導体
プロセスを経て製造され、さらに、1工程に対して複数
の半導体製造装置が存在するため、製造される集積回路
装置が辿る装置の経路は、非常に多くの経路が存在する
ことになる。
An integrated circuit device is manufactured through a semiconductor process of several hundred steps or more, and a plurality of semiconductor manufacturing devices exist for one process. There will be numerous routes.

【0012】また、集積回路装置の特性の変動が生じて
規格外の特性値が発生した場合に、その原因を調べるに
は、上記のように集積回路装置を製造する際に使用され
る半導体製造装置の経路が非常に多く存在するため、膨
大な時間と高度な技術とが必要になるという問題点をも
有していた。
In order to investigate the cause when a characteristic value of the integrated circuit device fluctuates and an out-of-specification characteristic value is generated, as described above, a semiconductor manufacturing device used for manufacturing the integrated circuit device is used. There is also a problem that an enormous amount of time and advanced technology are required because there are so many routes of the apparatus.

【0013】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、半導体製造装置の状態を示す各パラメータの管理
基準を最適な値に設定することができるとともに、集積
回路装置の特性に不良箇所が発生した場合にも、その不
良要因となった工程を数百工程以上もの中から容易に抽
出して不良原因を容易に究明することができ、また、数
百以上もの工程に対応する複数の装置の中から不良要因
となった装置を容易に抽出し、さらに、不良要因となっ
た装置の各パラメータの中から不良の要因となったパラ
メータを容易に抽出して、不良原因を容易に解析するこ
とができる半導体プロセスの管理方法およびその装置を
提供する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned conventional problems. It is possible to set a management standard of each parameter indicating a state of a semiconductor manufacturing apparatus to an optimum value and to determine a defective point in the characteristics of an integrated circuit device. In the case where a failure occurs, the cause of the failure can be easily extracted from several hundred processes or more, and the cause of the failure can be easily investigated. Easily extract the equipment that caused the failure from the equipment, and easily extract the parameter that caused the failure from the parameters of the equipment that caused the failure and easily analyze the cause of the failure The present invention provides a method and an apparatus for managing a semiconductor process, which can be performed.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明の半導体プロセスの管理方法およびその装置
は、各半導体製造装置の状態を示す各パラメータのうち
集積回路装置の特性との因果関係が技術的に明確になっ
ていないパラメータであっても、統計的に相関を明確に
して、各半導体製造装置に対する管理すべき範囲の把握
を可能とするとともに、もし集積回路装置の特性に不良
箇所が発生した場合においても、記録されている製品デ
ータと不良発生時点での装置状態データとを比較するこ
とを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, a method and apparatus for managing a semiconductor process according to the present invention provide a method of controlling the characteristics of an integrated circuit device among parameters indicating the state of each semiconductor manufacturing apparatus. Even for parameters whose relationship is not technically clear, the correlation is statistically clarified so that the range to be managed for each semiconductor manufacturing device can be grasped, and if the characteristics of the integrated circuit device are poor. Even when a location occurs, the recorded product data is compared with the device state data at the time of occurrence of the failure.

【0015】以上の方法または構成により、半導体製造
装置の状態を示す各パラメータの管理基準を最適な値に
設定することができるとともに、集積回路装置の特性に
不良箇所が発生した場合にも、その不良要因となった工
程を数百工程以上もの中から容易に抽出して不良原因を
容易に究明することができ、また、数百以上もの工程に
対応する複数の装置の中から不良要因となった装置を容
易に抽出し、さらに、不良要因となった装置の各パラメ
ータの中から不良の要因となったパラメータを容易に抽
出して、不良原因を容易に解析することができる。
According to the above-described method or configuration, it is possible to set the management standard of each parameter indicating the state of the semiconductor manufacturing apparatus to an optimum value, and even if a defective portion occurs in the characteristics of the integrated circuit device, The process that caused the failure can be easily extracted from hundreds of processes or more, and the cause of the failure can be easily determined. The failed device can be easily extracted, and the parameter that caused the failure can be easily extracted from the parameters of the device that caused the failure, and the cause of the failure can be easily analyzed.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の半導体
プロセスの管理方法は、半導体からなる集積回路装置の
製造工程において、その一工程に対して複数存在する半
導体製造装置を用いて前記集積回路装置を製造する際の
プロセスである半導体プロセスの管理方法であって、前
記半導体製造装置の作動状態を示す装置状態データを前
記半導体製造装置に対応させて記憶する工程と、前記集
積回路装置を製造する際に用いた半導体製造装置の装置
識別情報を記憶する工程と、その半導体製造装置により
製造された集積回路装置の製品データを記憶する工程
と、その集積回路装置の製品データの相関関係を求める
工程とからなる方法とする。
A method of managing a semiconductor process according to a first aspect of the present invention uses a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses for one step in a manufacturing process of an integrated circuit device made of a semiconductor. A method for managing a semiconductor process, which is a process when manufacturing an integrated circuit device, comprising: storing device state data indicating an operation state of the semiconductor manufacturing device in association with the semiconductor manufacturing device; For storing device identification information of a semiconductor manufacturing device used for manufacturing a semiconductor device, storing product data of an integrated circuit device manufactured by the semiconductor manufacturing device, and correlation between product data of the integrated circuit device And a step of obtaining

【0017】請求項10に記載の半導体プロセスの管理
装置は、半導体からなる集積回路装置の製造工程におい
て、その一工程に対して複数存在する半導体製造装置を
用いて前記集積回路装置を製造する際のプロセスである
半導体プロセスの管理装置であって、前記半導体製造装
置の作動状態を示す装置状態データを前記半導体製造装
置に対応させて記憶する手段と、前記集積回路装置を製
造する際に用いた半導体製造装置の装置識別情報を記憶
する手段と、その半導体製造装置により製造された集積
回路装置の製品データを記憶する手段と、その集積回路
装置の製品データの相関関係を求める手段とを備えた構
成とする。
According to a tenth aspect of the present invention, in the manufacturing process of an integrated circuit device made of a semiconductor, a plurality of semiconductor manufacturing devices are used for manufacturing the integrated circuit device. A semiconductor process management device, wherein the device status data indicating the operation state of the semiconductor manufacturing device is stored in association with the semiconductor manufacturing device, and the device is used when manufacturing the integrated circuit device. Means for storing device identification information of a semiconductor manufacturing device; means for storing product data of an integrated circuit device manufactured by the semiconductor manufacturing device; and means for determining a correlation between product data of the integrated circuit device. Configuration.

【0018】以上の方法または構成によると、各半導体
製造装置の状態を示す各パラメータのうち集積回路装置
の特性との因果関係が技術的に明確になっていないパラ
メータであっても、統計的に相関を明確にして、各半導
体製造装置に対する管理すべき範囲の把握を可能とする
とともに、もし集積回路装置の特性に不良箇所が発生し
た場合においても、記録されている製品データと不良発
生時点での装置状態データとを比較することを可能とす
る。
According to the above method or configuration, even if the causal relationship between the parameters indicating the state of each semiconductor manufacturing apparatus and the characteristics of the integrated circuit device is not technically clear, even if the parameters are statistically unclear, It clarifies the correlation and enables the grasp of the range to be managed for each semiconductor manufacturing device, and if a defect occurs in the characteristics of the integrated circuit device, the recorded product data and the defect occurrence point With the device status data of the other device.

【0019】請求項2に記載の半導体プロセスの管理方
法は、請求項1記載の集積回路装置の製品データは、製
造工程内に設けた検査工程における歩留まり情報や消費
電力や動作特性や抵抗値やPCMの電気特性の少なくと
も一つ以上のデータである方法とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of managing a semiconductor process, wherein the product data of the integrated circuit device according to the first aspect includes yield information, power consumption, operation characteristics, resistance value, and the like in an inspection process provided in a manufacturing process. It is assumed that the data is at least one data of the electrical characteristics of the PCM.

【0020】請求項11に記載の半導体プロセスの管理
装置は、請求項10記載の集積回路装置の製品データ
は、製造工程内に設けた検査工程における歩留まり情報
や消費電力や動作特性や抵抗値やPCMの電気特性の少
なくとも一つ以上のデータである構成とする。
According to an eleventh aspect of the present invention, there is provided a semiconductor process management device, wherein the product data of the integrated circuit device according to the tenth aspect includes yield information, power consumption, operation characteristics, resistance value, and the like in an inspection process provided in a manufacturing process. It is configured to be data of at least one or more electrical characteristics of PCM.

【0021】以上の方法または構成によると、検査工程
における歩留まり情報や消費電力や動作特性や抵抗値や
PCMの電気特性の少なくとも一つ以上の製品データと
の相関関係を求める。
According to the above method or configuration, the correlation between yield information, power consumption, operating characteristics, resistance values, and electrical characteristics of PCM in the inspection process is obtained with at least one or more product data.

【0022】請求項3に記載の半導体プロセスの管理方
法は、請求項1記載の相関関係を求める工程は、製品デ
ータ間の相関関係を求める工程である方法とする。請求
項12に記載の半導体プロセスの管理装置は、請求項1
0記載の相関関係を求める手段は、製品データ間の相関
関係を求める手段である構成とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of managing a semiconductor process, wherein the step of determining a correlation according to the first aspect is a step of determining a correlation between product data. According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor process management device.
The means for obtaining a correlation described in 0 is a means for obtaining a correlation between product data.

【0023】以上の方法または構成によると、製品デー
タ間の相関関係を求める。請求項4に記載の半導体プロ
セスの管理方法は、請求項1記載の相関関係を求める工
程は、製造工程内に設けた検査工程における歩留まり情
報とその歩留まり情報以外の製品データとの相関関係を
求める工程である方法とする。
According to the above method or configuration, a correlation between product data is obtained. According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor process management method according to the first aspect, the step of determining the correlation includes determining a correlation between yield information in an inspection process provided in the manufacturing process and product data other than the yield information. It is a method that is a process.

【0024】請求項13に記載の半導体プロセスの管理
装置は、請求項10記載の相関関係を求める手段は、製
造工程内に設けた検査工程における歩留まり情報とその
歩留まり情報以外の製品データとの相関関係を求める手
段である構成とする。
According to a thirteenth aspect of the present invention, in the semiconductor process management apparatus, the means for determining a correlation according to the tenth aspect is configured such that the correlation between yield information in an inspection step provided in a manufacturing process and product data other than the yield information is provided. It is configured to be a means for obtaining a relationship.

【0025】以上の方法または構成によると、歩留まり
情報と歩留まり情報以外の製品データとの相関関係を求
める。請求項5に記載の半導体プロセスの管理方法は、
請求項1記載の相関関係を求める工程は、装置状態デー
タと製品データとの相関関係を求める工程である方法と
する。
According to the above method or configuration, the correlation between the yield information and the product data other than the yield information is obtained. The method for managing a semiconductor process according to claim 5,
The step of determining a correlation according to claim 1 is a method of determining a correlation between device state data and product data.

【0026】請求項14に記載の半導体プロセスの管理
装置は、請求項10記載の相関関係を求める手段は、装
置状態データと製品データとの相関関係を求める手段で
ある構成とする。
A semiconductor process management device according to a fourteenth aspect is configured such that the means for determining a correlation according to the tenth aspect is means for determining a correlation between device state data and product data.

【0027】以上の方法または構成によると、装置状態
データと製品データとの相関関係を求める。請求項6に
記載の半導体プロセスの管理方法は、請求項1記載の求
めた相関関係の情報を記憶する工程をさらに有する方法
とする。
According to the above method or configuration, the correlation between the apparatus status data and the product data is obtained. According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method of managing a semiconductor process, the method further comprising the step of storing the obtained correlation information.

【0028】請求項15に記載の半導体プロセスの管理
装置は、請求項10記載の求めた相関関係の情報を記憶
する手段をさらに備えた構成とする。以上の方法または
構成によると、相関情報を記憶することにより、確実な
相関関係の比較を可能とする。
According to a fifteenth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor process management device further comprising means for storing the obtained correlation information. According to the above method or configuration, by storing the correlation information, it is possible to perform a reliable comparison.

【0029】請求項7に記載の半導体プロセスの管理方
法は、請求項1記載の装置状態データから製品データの
相関に影響を与えるパラメータを求める工程をさらに有
する方法とする。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method of managing a semiconductor process, further comprising a step of obtaining a parameter affecting the correlation of product data from the apparatus state data according to the first aspect.

【0030】請求項16に記載の半導体プロセスの管理
装置は、請求項10記載の装置状態データから製品デー
タの相関に影響を与えるパラメータを求める手段をさら
に備えた構成とする。
A semiconductor process management apparatus according to a sixteenth aspect of the present invention has a configuration further comprising means for obtaining a parameter affecting the correlation of product data from the apparatus state data according to the tenth aspect.

【0031】以上の方法または構成によると、記憶され
た相関項目の中からさらに相関に影響を与える装置状態
データのパラメータを求める。請求項8に記載の半導体
プロセスの管理方法は、請求項1記載の求めた相関関係
の情報に基づいて半導体製造装置の作動状態を制御する
工程をさらに有する方法とする。
According to the above method or configuration, the parameters of the apparatus status data which further affect the correlation are obtained from the stored correlation items. An eighth aspect of the present invention is a method for managing a semiconductor process, the method further comprising the step of controlling an operation state of a semiconductor manufacturing apparatus based on the obtained correlation information.

【0032】請求項17に記載の半導体プロセスの管理
装置は、請求項10記載の求めた相関関係の情報に基づ
いて半導体製造装置の作動状態を制御する手段をさらに
備えた構成とする。
A semiconductor process management apparatus according to a seventeenth aspect has a configuration further comprising means for controlling an operation state of a semiconductor manufacturing apparatus based on the information on the correlation obtained in the tenth aspect.

【0033】以上の方法または構成によると、相関関係
に基づいて半導体製造装置の状態を制御する。請求項9
に記載の半導体プロセスの管理方法は、請求項1記載の
求めた相関関係の情報に基づいて、集積回路装置に不良
個所が発生した際に、その不良原因を解析する工程をさ
らに有する方法とする。
According to the above method or configuration, the state of the semiconductor manufacturing apparatus is controlled based on the correlation. Claim 9
The method of managing a semiconductor process according to the present invention further includes a step of analyzing the cause of the failure when a failure occurs in the integrated circuit device based on the information on the correlation obtained in the claim 1. .

【0034】請求項18に記載の半導体プロセスの管理
装置は、請求項10記載の求めた相関関係の情報に基づ
いて、集積回路装置に不良個所が発生した際に、その不
良原因を解析する手段をさらに備えた構成とする。
In the semiconductor device management apparatus according to the present invention, when a defective portion occurs in the integrated circuit device, the cause of the failure is analyzed based on the obtained correlation information. Is further provided.

【0035】以上の方法または構成によると、集積回路
装置に不良箇所が発生した際に、相関関係に基づいて不
良原因を解析する。以下、本発明の実施の形態を示す半
導体プロセスの管理方法およびその装置について、図面
を参照しながら具体的に説明する。
According to the above method or configuration, when a defective portion occurs in the integrated circuit device, the cause of the failure is analyzed based on the correlation. Hereinafter, a method and apparatus for managing a semiconductor process according to an embodiment of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

【0036】図1は本実施の形態に係る半導体プロセス
の管理装置の概略構成図である。図1において、1は一
工程に対して複数の半導体製造装置が存在する集積回路
装置を製造する工程である拡散工程、2は、拡散工程1
における各半導体製造装置の作動状態を示す装置の状態
データを半導体製造装置に対応させて記憶するととも
に、集積回路装置を製造するのに用いた半導体製造装置
の装置識別情報を記憶する装置状態データ、3は拡散工
程1における半導体製造装置により製造された集積回路
装置である製品、4は、製造工程内に設けられた検査工
程における歩留まり情報または消費電力や動作特性や抵
抗値等の測定値などのウエハー検査データと、PCM
(Process Control Module)の電気特性とを示す製品
データ、5は、装置状態データ2と製品データ4に記憶
された各データを抽出して、製品データとの相関関係を
求める制御システム、6は、制御システム5の相関関係
をもとに、相関データを解析して、その解析結果により
拡散工程1における半導体製造装置を制御する手段であ
る。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a management apparatus for a semiconductor process according to the present embodiment. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a diffusion step for manufacturing an integrated circuit device in which a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses exist for one step;
Device state data for storing the state data of the apparatus indicating the operating state of each semiconductor manufacturing apparatus in association with the semiconductor manufacturing apparatus, and storing the apparatus identification information of the semiconductor manufacturing apparatus used to manufacture the integrated circuit device; Reference numeral 3 denotes a product which is an integrated circuit device manufactured by the semiconductor manufacturing apparatus in the diffusion step 1. Reference numeral 4 denotes yield information or power consumption, measured values such as operating characteristics and resistance values in an inspection step provided in the manufacturing step. Wafer inspection data and PCM
5 is a control system for extracting the data stored in the device state data 2 and the product data 4 and obtaining a correlation with the product data. This is means for analyzing the correlation data based on the correlation of the control system 5 and controlling the semiconductor manufacturing apparatus in the diffusion step 1 based on the analysis result.

【0037】以上のように構成された半導体プロセスの
管理装置の動作を以下に説明する。拡散工程1には、C
VD工程、電気炉工程、洗浄工程、ステッパ工程、ドラ
イエッチング工程及びイオン注入工程などの製造工程が
ある。各拡散工程には、複数の半導体製造装置がある。
製品3である集積回路装置は、拡散工程1において数百
工程以上の処理が行われロットと呼ばれる単位ごとに製
造される。例えば、CVD工程の半導体製造装置は反応
室の真空度、ステージの温度、温度を制御するヒーター
の電力、ガスの流量及び真空度をコントロールするため
のバルブの開閉角度等の装置状態を常に管理し、それぞ
れ制御している。これらの半導体製造装置から得られた
装置の状態データは、測定時刻と共に装置状態データ2
に送られる。
The operation of the semiconductor process management apparatus configured as described above will be described below. In the diffusion step 1, C
There are manufacturing processes such as a VD process, an electric furnace process, a cleaning process, a stepper process, a dry etching process, and an ion implantation process. Each diffusion step includes a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses.
The integrated circuit device as the product 3 is manufactured in units called lots by performing several hundred or more processes in the diffusion process 1. For example, a semiconductor manufacturing apparatus in a CVD process constantly manages the state of the apparatus such as the degree of vacuum in a reaction chamber, the temperature of a stage, the power of a heater for controlling the temperature, the flow rate of gas, and the opening and closing angle of a valve for controlling the degree of vacuum. , Respectively. The device status data obtained from these semiconductor manufacturing devices is stored in the device status data 2 together with the measurement time.
Sent to

【0038】拡散工程1の処理が終了したロットの製品
3は、PCM測定装置でPCMの電気特性データが測定
される。さらにウエハー検査装置で集積回路装置の消費
電力や動作特性及び抵抗等の測定が行われ、測定項目別
に良・不良の判定が行われていき、不良判定時に測定項
目に則してカテゴリ分類される。製品データ4には、P
CM測定装置とウエハー検査装置とで測定された結果
が、測定された時刻と共に送られる。
The electrical properties data of the PCM of the product 3 of the lot that has been subjected to the diffusion process 1 is measured by a PCM measuring device. Furthermore, the power consumption, operating characteristics, resistance, and the like of the integrated circuit device are measured by the wafer inspection device, and good or bad is determined for each measurement item, and when the failure is determined, the category is classified according to the measurement item. . Product data 4 contains P
The result measured by the CM measuring device and the wafer inspection device is sent together with the measured time.

【0039】制御システム5は、集積回路装置を処理し
た半導体製造装置の号機と半導体製造装置で処理をおこ
なった時刻とその装置状態を示す情報とを記憶した装置
状態データ2、及び集積回路装置の製品データ4に記憶
されたデータを抽出して、製品データとの相関関係を求
める処理を行う。制御システム5で求めた製品データと
の相関関係をモニター画面やプリンタ等に出力すること
により、装置状態データ2と製品データ4との相関を明
確に知ることができるようになる。
The control system 5 includes a device status data 2 storing the number of the semiconductor manufacturing device that has processed the integrated circuit device, the time when the semiconductor manufacturing device has performed the processing, and information indicating the device status, and the integrated circuit device. A process of extracting data stored in the product data 4 and obtaining a correlation with the product data is performed. By outputting the correlation with the product data obtained by the control system 5 to a monitor screen, a printer, or the like, the correlation between the device state data 2 and the product data 4 can be clearly known.

【0040】従って、装置管理のための規格の決定及び
集積回路装置の特性の変動時の迅速な解析を可能とし
た。以下、上記のように構成された半導体プロセスの管
理装置及びその装置を用いた管理方法において、相関関
係を求める制御システム5の動作について、そのフロー
チャートを図2に示し、図2を参照しながら説明する。
Accordingly, it has become possible to determine a standard for device management and to quickly analyze the characteristics of the integrated circuit device when it changes. Hereinafter, the operation of the control system 5 for obtaining the correlation in the semiconductor process management apparatus and the management method using the apparatus configured as described above will be described with reference to FIG. I do.

【0041】相関関係を求める制御システム5では、ま
ずSTEP20において、調査する対象の製造工程・半導体製
造装置の設定を行う。次にSTEP30において、前記の調査
設定を行った製造工程・半導体製造装置の装置状態デー
タ(パラメータ:P1,P2,・・・,Pn)と製品データ(項
目:K1,K2,・・・,Km,Kb(歩留まり))を各データベー
スから抽出する。例えば、CVD工程においては、処理
を行った時刻と反応室の真空度、ステージの温度、温度
を制御するヒーターの電力、ガスの流量及び真空度をコ
ントロールするためのバルブの開閉角度等の装置状態が
装置状態データ2のパラメータPnとして抽出される。製
品データ4としては、PCM測定装置でのPCMの電気
特性、ウエハー検査装置での測定結果の歩留まりや不良
カテゴリ別の歩留まり等の製品データが抽出される。
In the control system 5 for obtaining the correlation, first, in STEP 20, a manufacturing process / semiconductor manufacturing apparatus to be investigated is set. Next, in STEP 30, the apparatus status data (parameters: P1, P2,..., Pn) and the product data (items: K1, K2,. , Kb (yield)) from each database. For example, in the CVD process, the state of the apparatus such as the time at which the treatment was performed, the degree of vacuum in the reaction chamber, the temperature of the stage, the power of the heater for controlling the temperature, the flow rate of the gas, and the opening / closing angle of the valve for controlling the degree of vacuum. Is extracted as the parameter Pn of the device status data 2. As the product data 4, product data such as the electrical characteristics of the PCM in the PCM measurement device, the yield of the measurement result in the wafer inspection device, and the yield for each failure category are extracted.

【0042】次にSTEP40において、装置状態データ2の
パラメータPnの変数部を示すnに対して、その初期値と
してi=0を設定する。ここで、i=0とは、装置状態
データを設定しないことを意味している。i≧1の場合
は、装置状態データが設定されていることを意味する。
次にSTEP50において、調査する製品データ4の項目の設
定を行う。ここで設定する製品データの項目は、KmやKb
などのように単独の項目とは限らず、複数の製品データ
を組み合わせた項目も調査する製品データとして設定す
る。製品データには、項目がm個と歩留まりの情報がKb
あった場合、組み合わせ数はm+1q(q=1,2,3,・・・,m
+1)通り存在する。例えば、q=1の場合、抽出する製
品データは、(K1),(K2),・・・,(Km),(Kb)と単独の項目
になる。q=2の場合、抽出する製品データは、(k1,k
2),(k1,k3),・・・,(Km,kb)となる。ここで製品データ
を組み合わせた項目とは、PCMの電気特性の一つであ
る、Nチャンネルトランジスタのスイッチング電圧を示
すVtnとPチャンネルトランジスタのスイッチング電
圧を示すVtpとを加算して得らる電圧のごとく、製品
データを組み合わせた項目である。
Next, in STEP 40, i = 0 is set as an initial value for n indicating the variable part of the parameter Pn of the apparatus status data 2. Here, i = 0 means that the device status data is not set. If i ≧ 1, it means that the device status data has been set.
Next, in STEP 50, the items of the product data 4 to be investigated are set. The product data items set here are Km and Kb
Not only a single item such as, but also an item obtained by combining a plurality of product data is set as product data to be investigated. Product data contains m items and yield information in Kb
If there are, the number of combinations is m + 1 C q (q = 1,2,3, ..., m
+1) For example, when q = 1, the extracted product data is a single item (K1), (K2),..., (Km), (Kb). When q = 2, the product data to be extracted is (k1, k
2), (k1, k3), ..., (Km, kb). Here, the item obtained by combining the product data is a voltage obtained by adding Vtn indicating the switching voltage of the N-channel transistor and Vtp indicating the switching voltage of the P-channel transistor, which is one of the electrical characteristics of the PCM. As described above, it is an item combining product data.

【0043】次にSTEP60においては、上記のSTEP50で抽
出した項目群のうち、1回目は、歩留まりと歩留まり以
外の製品データについて抽出する。ここで、2回目はST
EP120からの処理経路となるが、その際は、装置状態デ
ータと歩留まりを含む製品データについて抽出する。
Next, in STEP 60, of the item group extracted in STEP 50, the first time, the yield and the product data other than the yield are extracted. Here, the second time is ST
The processing path is from the EP 120. In this case, the apparatus data is extracted from the apparatus state data and the product data including the yield.

【0044】次にSTEP70において、STEP60で抽出した項
目について、製品データとの相関を抽出する。装置状態
データのパラメータの設定がない場合(Piのi=0)は、
歩留まり(Kb)と歩留まり以外の製品データ(K1,K2,・
・・,Km)の組み合わせを含む項目について相関を抽出
する。装置状態データのパラメータ設定がある場合(Pi
のi≧1)は、装置状態データ(P1,P2,・・・,Pn)と
製品データ(K1,K2,・・・,Km,Kb)の組み合わせを含む
項目について相関を抽出する。
Next, in STEP 70, the correlation between the items extracted in STEP 60 and the product data is extracted. If there is no parameter setting for the device status data (i = 0 for Pi),
Yield (Kb) and non-yield product data (K1, K2,
・ ・, Km) The correlation is extracted for the item including the combination. When there is a parameter setting for device status data (Pi
I ≧ 1) extracts correlations for items including a combination of device state data (P1, P2,..., Pn) and product data (K1, K2,..., Km, Kb).

【0045】次にSTEP80において、STEP70で抽出した相
関の有無を判定し、相関がある場合は、STEP90において
相関情報の保存を行う。さらにSTEP100において、相関
情報を、相関強度により順位付け(重み付け)してい
く。
Next, in step 80, the presence or absence of the correlation extracted in step 70 is determined. If there is a correlation, the correlation information is stored in step 90. Further, in STEP 100, the correlation information is ranked (weighted) by the correlation strength.

【0046】次にSTEP110において、STEP60で抽出した
相関調査項目が他にあるかどうか判定する。相関調査項
目がある場合は、相関調査項目を変更してSTEP70〜STEP
110の工程を繰り返す。
Next, in STEP 110, it is determined whether or not there is another correlation investigation item extracted in STEP 60. If there is a correlation survey item, change the correlation survey item and change from STEP 70 to STEP 70.
Repeat step 110.

【0047】次にSTEP120において、STEP90で保存され
た相関項目のについて、これらに影響する装置状態デー
タ(パラメータ::P1,P2,・・・,Pn)が特に存在しない
かどうか判定する。影響するパラメータが存在する場合
には、STEP130でi++として装置状態データのパラメータ
Piの設定を行う。
Next, in STEP 120, it is determined whether or not there is any device status data (parameters: P1, P2,..., Pn) affecting the correlation items stored in STEP 90. If there are parameters to be affected, the parameters of the device status data are set as i ++ in STEP130.
Configure Pi settings.

【0048】次に、STEP50にもどり、装置状態データと
歩留まりを含む製品データについて、上記のSTEP50から
STEP120の処理を繰り返し、相関の抽出を行っていく。
次にSTEP140において、STEP100に保存されている情報を
出力していき、不良要因の候補をパラメータや項目の組
み合わせも含め決定する。STEP150において、次工程に
ついて、上記のSTEP20からSTEP140の内容で、同様に相
関調査を繰り返していく。この処理は、全行程調査を終
了した時点で終了する。
Next, returning to STEP 50, the device data including the device state data and the yield are calculated from the above STEP 50.
Step 120 is repeated to extract correlations.
Next, in step 140, the information stored in step 100 is output, and the candidate for the cause of failure is determined including a combination of parameters and items. In STEP 150, the correlation investigation is similarly repeated for the next step with the contents of STEP 20 to STEP 140 described above. This process ends when the entire process is completed.

【0049】[0049]

【発明の効果】以上のように請求項1または請求項10
に記載の発明によれば、各半導体製造装置の状態を示す
各パラメータのうち集積回路装置の特性との因果関係が
技術的に明確になっていないパラメータであっても、統
計的に相関を明確にすることができるため、各半導体製
造装置に対して管理すべき範囲を把握することができ
る。
As described above, claim 1 or claim 10 is as described above.
According to the invention described in the above, among the parameters indicating the state of each semiconductor manufacturing apparatus, even if the causal relationship with the characteristics of the integrated circuit device is not technically clear, the correlation is statistically clear. Therefore, the range to be managed for each semiconductor manufacturing apparatus can be grasped.

【0050】そのため、半導体製造装置の状態を示す各
パラメータの管理基準を最適な値に設定することができ
る。また、集積回路装置の特性に不良箇所が発生した場
合においても、記録されている製品データと不良発生時
点での装置状態データとを比較することができる。
Therefore, it is possible to set the management standard of each parameter indicating the state of the semiconductor manufacturing apparatus to an optimum value. Further, even when a defective portion occurs in the characteristics of the integrated circuit device, the recorded product data can be compared with the device state data at the time of occurrence of the defect.

【0051】そのため、集積回路装置の特性に不良箇所
が発生した場合にも、その不良要因となった工程を数百
工程以上もの中から容易に抽出して不良原因を容易に究
明することができ、また、数百以上もの工程に対応する
複数の装置の中から不良要因となった装置を容易に抽出
し、さらに、不良要因となった装置の各パラメータの中
から不良の要因となったパラメータを容易に抽出して、
不良原因を容易に解析することができる。
Therefore, even when a defective portion occurs in the characteristics of the integrated circuit device, the cause of the defect can be easily extracted from hundreds of processes or more, and the cause of the defect can be easily investigated. In addition, a device that caused a failure can be easily extracted from a plurality of devices corresponding to hundreds or more processes, and a parameter that caused a failure can be extracted from each parameter of the device that caused the failure. Easily extract
The cause of the failure can be easily analyzed.

【0052】また、請求項2または請求項11に記載の
発明によれば、検査工程における歩留まり情報や消費電
力や動作特性や抵抗値やPCMの電気特性の少なくとも
一つ以上の製品データとの相関関係を求めることができ
るため、1項目では発見できない相関関係を発見するこ
とができる。
According to the invention as set forth in claim 2 or claim 11, correlation of the yield information, power consumption, operating characteristics, resistance value, and electrical characteristics of PCM with at least one or more product data in the inspection process. Since a relationship can be obtained, a correlation that cannot be found with one item can be found.

【0053】また、請求項3または請求項12に記載の
発明によれば、製品データ間の相関関係を求めることが
できるため、製品データ間の相関関係を明確にすること
ができる。
According to the third or twelfth aspect of the present invention, the correlation between product data can be obtained, so that the correlation between product data can be clarified.

【0054】また、請求項4または請求項13に記載の
発明によれば、歩留まり情報と歩留まり情報以外の製品
データとの相関関係を求めることができるため、歩留ま
り情報と歩留まり情報以外の製品データとの相関関係を
明確にすることができる。
According to the invention described in claim 4 or claim 13, since the correlation between the yield information and the product data other than the yield information can be obtained, the yield information and the product data other than the yield information can be obtained. Can be clarified.

【0055】また、請求項5または請求項14に記載の
発明によれば、装置状態データと製品データとの相関関
係を求めることができるため、装置状態データと製品デ
ータとの相関関係を明確にすることができる。
According to the invention described in claim 5 or claim 14, since the correlation between the device status data and the product data can be obtained, the correlation between the device status data and the product data can be clearly defined. can do.

【0056】また、請求項6または請求項15に記載の
発明によれば、相関情報を記憶することができるため、
相関関係の比較が確実にできるようになり、相関強度の
順位を明確化することができる。
According to the invention of claim 6 or claim 15, since the correlation information can be stored,
Correlation can be reliably compared, and the order of correlation strength can be clarified.

【0057】また、請求項7または請求項16に記載の
発明によれば、記憶された相関項目の中からさらに相関
に影響を与える装置状態データのパラメータを求めるこ
とができるため、確実に且つ迅速に相関を与えるパラメ
ータを抽出することができる。
According to the present invention, the parameters of the apparatus status data which further affect the correlation can be obtained from the stored correlation items. Can be extracted.

【0058】また、請求項8または請求項17に記載の
発明によれば、相関関係に基づいて半導体製造装置の状
態を制御することができるため、各製造装置に対して各
パラメータの管理基準を確実に最適値に設定することが
できる。
According to the invention described in claim 8 or claim 17, since the state of the semiconductor manufacturing apparatus can be controlled based on the correlation, the management criterion of each parameter is set for each manufacturing apparatus. It can be reliably set to the optimum value.

【0059】また、請求項9または請求項18に記載の
発明によれば、集積回路装置に不良箇所が発生した際
に、相関関係に基づいて不良原因を解析することができ
るため、確実に且つ迅速に故障原因を究明することがで
きる。
According to the ninth or eighteenth aspect of the present invention, when a defective portion occurs in the integrated circuit device, the cause of the defect can be analyzed based on the correlation. The cause of the failure can be quickly determined.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態に係る半導体プロセスの
管理装置の概略構成図
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an apparatus for managing a semiconductor process according to an embodiment of the present invention;

【図2】同実施の形態における制御システムの動作を示
すフローチャート
FIG. 2 is a flowchart showing the operation of the control system according to the embodiment;

【図3】従来の半導体プロセスの管理装置及び管理デー
タの流れを示す概略図
FIG. 3 is a schematic diagram showing a conventional semiconductor process management device and a flow of management data.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 拡散工程 2 装置状態データ 3 製品 4 製品データ 5 制御システム 6 相関データ 31 半導体製造装置 32 装置状態データ 33 装置状態データベース 34 PCM測定装置 35 PCMの電気特性データ 36 PCMの電気特性データベース 37 ウエハー検査装置 38 ウエハー検査データ 39 ウエハー検査データベース DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Diffusion process 2 Device status data 3 Product 4 Product data 5 Control system 6 Correlation data 31 Semiconductor manufacturing device 32 Device status data 33 Device status database 34 PCM measurement device 35 PCM electrical characteristic data 36 PCM electrical characteristic database 37 Wafer inspection device 38 Wafer inspection data 39 Wafer inspection database

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体からなる集積回路装置の製造工程
において、その一工程に対して複数存在する半導体製造
装置を用いて前記集積回路装置を製造する際の半導体プ
ロセスの管理方法であって、前記半導体製造装置の作動
状態を示す装置状態データを前記半導体製造装置に対応
させて記憶する工程と、前記集積回路装置を製造する際
に用いた半導体製造装置の装置識別情報を記憶する工程
と、その半導体製造装置により製造された集積回路装置
の製品データを記憶する工程と、その集積回路装置の製
品データの相関関係を求める工程とからなる半導体プロ
セスの管理方法。
In a method of manufacturing an integrated circuit device comprising a semiconductor, a method of managing a semiconductor process when manufacturing the integrated circuit device using a plurality of semiconductor manufacturing devices for one step, A step of storing device state data indicating an operation state of the semiconductor manufacturing apparatus in association with the semiconductor manufacturing apparatus; a step of storing device identification information of the semiconductor manufacturing apparatus used in manufacturing the integrated circuit device; A method for managing a semiconductor process, comprising: a step of storing product data of an integrated circuit device manufactured by a semiconductor manufacturing device; and a process of obtaining a correlation between product data of the integrated circuit device.
【請求項2】 集積回路装置の製品データは、製造工程
内に設けた検査工程における歩留まり情報や消費電力や
動作特性や抵抗値やPCMの電気特性の少なくとも一つ
以上のデータである請求項1記載の半導体プロセスの管
理方法。
2. The integrated circuit device product data is at least one of yield information, power consumption, operating characteristics, resistance values, and electrical characteristics of PCM in an inspection process provided in a manufacturing process. The method for managing a semiconductor process described in the above.
【請求項3】 相関関係を求める工程は、製品データ間
の相関関係を求める工程である請求項1記載の半導体プ
ロセスの管理方法。
3. The method according to claim 1, wherein the step of obtaining the correlation is a step of obtaining a correlation between product data.
【請求項4】 相関関係を求める工程は、製造工程内に
設けた検査工程における歩留まり情報とその歩留まり情
報以外の製品データとの相関関係を求める工程である請
求項1記載の半導体プロセスの管理方法。
4. The method according to claim 1, wherein the step of obtaining the correlation is a step of obtaining a correlation between yield information in an inspection step provided in the manufacturing process and product data other than the yield information. .
【請求項5】 相関関係を求める工程は、装置状態デー
タと製品データとの相関関係を求める工程である請求項
1記載の半導体プロセスの管理方法。
5. The semiconductor process management method according to claim 1, wherein the step of obtaining the correlation is a step of obtaining a correlation between the device state data and the product data.
【請求項6】 求めた相関関係の情報を記憶する工程を
さらに有する請求項1記載の半導体プロセスの管理方
法。
6. The method according to claim 1, further comprising the step of storing the obtained correlation information.
【請求項7】 装置状態データから製品データの相関に
影響を与えるパラメータを求める工程をさらに有する請
求項1記載の半導体プロセスの管理方法。
7. The semiconductor process management method according to claim 1, further comprising a step of obtaining a parameter affecting the correlation of the product data from the apparatus state data.
【請求項8】 求めた相関関係の情報に基づいて半導体
製造装置の作動状態を制御する工程をさらに有する請求
項1記載の半導体プロセスの管理方法。
8. The method according to claim 1, further comprising the step of controlling an operation state of the semiconductor manufacturing apparatus based on the obtained correlation information.
【請求項9】 求めた相関関係の情報に基づいて、集積
回路装置に不良個所が発生した際に、その不良原因を解
析する工程をさらに有する請求項1記載の半導体プロセ
スの管理方法。
9. The method according to claim 1, further comprising the step of analyzing the cause of the failure when a failure occurs in the integrated circuit device based on the obtained correlation information.
【請求項10】 半導体からなる集積回路装置の製造工
程において、その一工程に対して複数存在する半導体製
造装置を用いて前記集積回路装置を製造する際の半導体
プロセスの管理装置であって、前記半導体製造装置の作
動状態を示す装置状態データを前記半導体製造装置に対
応させて記憶する手段と、前記集積回路装置を製造する
際に用いた半導体製造装置の装置識別情報を記憶する手
段と、その半導体製造装置により製造された集積回路装
置の製品データを記憶する手段と、その集積回路装置の
製品データの相関関係を求める手段とを備えた半導体プ
ロセスの管理装置。
10. An apparatus for managing a semiconductor process when manufacturing an integrated circuit device using a plurality of semiconductor manufacturing devices for one step in a manufacturing process of an integrated circuit device made of a semiconductor, Means for storing device state data indicating an operation state of the semiconductor manufacturing apparatus in association with the semiconductor manufacturing apparatus; means for storing device identification information of the semiconductor manufacturing apparatus used when manufacturing the integrated circuit device; An apparatus for managing a semiconductor process, comprising: means for storing product data of an integrated circuit device manufactured by a semiconductor manufacturing device; and means for determining a correlation between product data of the integrated circuit device.
【請求項11】 集積回路装置の製品データは、製造工
程内に設けた検査工程における歩留まり情報や消費電力
や動作特性や抵抗値やPCMの電気特性の少なくとも一
つ以上のデータである請求項10記載の半導体プロセス
の管理装置。
11. The product data of the integrated circuit device is at least one of yield information, power consumption, operation characteristics, resistance values, and electrical characteristics of PCM in an inspection process provided in a manufacturing process. An apparatus for managing a semiconductor process according to claim 1.
【請求項12】 相関関係を求める手段は、製品データ
間の相関関係を求める手段である請求項10記載の半導
体プロセスの管理装置。
12. The apparatus according to claim 10, wherein the means for obtaining the correlation is means for obtaining a correlation between product data.
【請求項13】 相関関係を求める手段は、製造工程内
に設けた検査工程における歩留まり情報とその歩留まり
情報以外の製品データとの相関関係を求める手段である
請求項10記載の半導体プロセスの管理装置。
13. The semiconductor process management apparatus according to claim 10, wherein the means for obtaining the correlation is means for obtaining a correlation between yield information in an inspection step provided in the manufacturing process and product data other than the yield information. .
【請求項14】 相関関係を求める手段は、装置状態デ
ータと製品データとの相関関係を求める手段である請求
項10記載の半導体プロセスの管理装置。
14. The apparatus according to claim 10, wherein the means for obtaining the correlation is means for obtaining a correlation between the apparatus state data and the product data.
【請求項15】 求めた相関関係の情報を記憶する手段
をさらに備えた請求項10記載の半導体プロセスの管理
装置。
15. An apparatus according to claim 10, further comprising means for storing the obtained correlation information.
【請求項16】 装置状態データから製品データの相関
に影響を与えるパラメータを求める手段をさらに備えた
請求項10記載の半導体プロセスの管理装置。
16. The management apparatus for a semiconductor process according to claim 10, further comprising means for obtaining a parameter affecting the correlation of the product data from the apparatus state data.
【請求項17】 求めた相関関係の情報に基づいて半導
体製造装置の作動状態を制御する手段をさらに備えた請
求項10記載の半導体プロセスの管理装置。
17. The management apparatus for a semiconductor process according to claim 10, further comprising means for controlling an operation state of the semiconductor manufacturing apparatus based on the obtained correlation information.
【請求項18】 求めた相関関係の情報に基づいて、集
積回路装置に不良個所が発生した際に、その不良原因を
解析する手段をさらに備えた請求項10記載の半導体プ
ロセスの管理装置。
18. The management apparatus according to claim 10, further comprising means for analyzing a cause of the failure when a failure occurs in the integrated circuit device based on the obtained correlation information.
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Cited By (5)

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