JPH11340187A - Device and method for cleaning and drying - Google Patents

Device and method for cleaning and drying

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Publication number
JPH11340187A
JPH11340187A JP14720098A JP14720098A JPH11340187A JP H11340187 A JPH11340187 A JP H11340187A JP 14720098 A JP14720098 A JP 14720098A JP 14720098 A JP14720098 A JP 14720098A JP H11340187 A JPH11340187 A JP H11340187A
Authority
JP
Japan
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drying
cleaned
cleaning
steam
holder
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP14720098A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihisa Harada
佳尚 原田
Masaaki Niwa
正昭 丹羽
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP14720098A priority Critical patent/JPH11340187A/en
Publication of JPH11340187A publication Critical patent/JPH11340187A/en
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  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To uniformly achieve steam dry within much shorter time while using an organic medium or the like. SOLUTION: Just after an object to be cleaned such as a semiconductor substrate 13 is cleaned inside a cleaning and drying chamber 12, medium steam for dry such as isopropyl alcohol is sprayed to the rotating semiconductor substrate 13. Thus, liquid in the form of drop of water on the object to be cleaned is removed from the object to be cleaned and speedy drying is realized.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄乾燥装置およ
び洗浄乾燥方法ならびに蒸気乾燥装置および蒸気乾燥方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a washing and drying apparatus and a washing and drying method, as well as a steam drying apparatus and a steam drying method.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体ウエハ表面の水分を遠心力
を利用し乾燥を行うスピン乾燥装置に取って変わり、有
機溶媒を利用し静的に乾燥を行う蒸気乾燥装置が使用さ
れつつある。以下、図5を参照しながら、蒸気乾燥装置
の従来例(特開平6−97149号に記載)を説明す
る。
2. Description of the Related Art In recent years, a spin dryer for drying moisture on the surface of a semiconductor wafer using centrifugal force has been replaced by a steam dryer for static drying using an organic solvent. Hereinafter, a conventional example of the steam drying apparatus (described in JP-A-6-97149) will be described with reference to FIG.

【0003】この蒸気乾燥装置は、石英チャンバー1の
底部に配置した抵抗加熱器3を備え、石英チャンバー1
の底部には抵抗加熱器3を浸すようにして液化乾燥用媒
体2が貯蔵されている。チャンバー1の上部には蒸気吹
き付け板5が設けられており、この蒸気吹き付け板5に
は外部蒸気源6が接続されている。蒸気吹き付け板5の
上には、乾燥用媒体冷却用の冷却パイプ7が設置されて
いる。
This steam drying apparatus includes a resistance heater 3 disposed at the bottom of a quartz chamber 1.
The liquefied drying medium 2 is stored at the bottom of the tank 2 so that the resistance heater 3 is immersed therein. A steam spray plate 5 is provided at an upper portion of the chamber 1, and an external steam source 6 is connected to the steam spray plate 5. On the steam spray plate 5, a cooling pipe 7 for cooling the drying medium is provided.

【0004】次に、従来の蒸気乾燥方法を説明する。Next, a conventional steam drying method will be described.

【0005】まず、別の洗浄装置によって洗浄された被
洗浄物である濡れた半導体基板4を石英チャンバー1内
に搬送する。石英チャンバー1の底部の液化乾燥用媒体
2は、前もって抵抗加熱器3によって加熱され、沸騰
し、乾燥用媒体蒸気8を発生させている。半導体基板4
を石英チャンバー1内に挿入し、蒸気吹き付け板5でタ
ンク内外を隔離した後、外部蒸気源6から乾燥用媒体蒸
気10を発生させ、乾燥用媒体蒸気10を蒸気吹き付け
板5からタンク1内に噴射する。乾燥用媒体蒸気8およ
び乾燥用媒体蒸気10は、半導体基板4上の残存する水
滴状の液体中に溶解する。その結果、水滴状の液体と半
導体基板4との間の接触角(コンタクトアングル)が大
きくなるため、水滴状液体と半導体基板4との間の付着
力が弱まる。こうして、水滴状の液体は重力によって半
導体基板4から下方向に流れ落ち、半導体基板13の蒸
気乾燥が達成される。蒸気乾燥が達成された後、半導体
基板4をチャナバ1から取り出す。
[0005] First, a wet semiconductor substrate 4 as an object to be cleaned, which has been cleaned by another cleaning apparatus, is transferred into the quartz chamber 1. The liquefied drying medium 2 at the bottom of the quartz chamber 1 is heated in advance by the resistance heater 3 and boils to generate the drying medium vapor 8. Semiconductor substrate 4
Is inserted into the quartz chamber 1, and the inside and outside of the tank are isolated by the steam spray plate 5, the drying medium steam 10 is generated from the external steam source 6, and the drying medium steam 10 is transferred from the steam spray plate 5 into the tank 1. Inject. The drying medium vapor 8 and the drying medium vapor 10 dissolve in the remaining liquid in the form of droplets on the semiconductor substrate 4. As a result, the contact angle (contact angle) between the droplet-shaped liquid and the semiconductor substrate 4 is increased, so that the adhesive force between the droplet-shaped liquid and the semiconductor substrate 4 is reduced. Thus, the liquid in the form of water drops flows downward from the semiconductor substrate 4 due to gravity, and the semiconductor substrate 13 is vapor-dried. After the steam drying is achieved, the semiconductor substrate 4 is taken out of the chanava 1.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術によれば、被洗浄物である半導体基板13の洗浄
工程終了後に、濡れた状態の半導体基板13を洗浄装置
から蒸気乾燥装置へ搬送しなければならないため、搬送
に要する時間がスループットを低下させるという問題が
ある。また、半導体基板13の搬送中に被洗浄物にパー
ティクルが付着してしまうおそれもある。更に、搬送中
に半導体基板13が大気に触れるため、半導体基板13
の自然乾燥が部分的に生じ、ウォーターマークが形成さ
れるおそれもある。また、上記従来技術によれば、半導
体基板13の上部と下部とで不均一に乾燥が進行する可
能性がある。
However, according to the above-mentioned prior art, after the step of cleaning the semiconductor substrate 13 to be cleaned is completed, the wet semiconductor substrate 13 must be transferred from the cleaning device to the steam drying device. Therefore, there is a problem that the time required for transport decreases the throughput. Further, particles may adhere to the object to be cleaned while the semiconductor substrate 13 is being transported. Further, since the semiconductor substrate 13 is exposed to the air during transportation, the semiconductor substrate 13
There is a possibility that natural drying occurs partially and a watermark is formed. In addition, according to the above-described related art, there is a possibility that drying proceeds unevenly between the upper portion and the lower portion of the semiconductor substrate 13.

【0007】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、高いスループットで洗浄乾燥工程
を実行できる洗浄乾燥装置および洗浄乾燥方法を提供す
ることにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a cleaning / drying apparatus and a cleaning / drying method capable of executing a cleaning / drying step with high throughput.

【0008】本発明の他の目的は、均一な乾燥を実現す
る蒸気乾燥装置および蒸気乾燥方法を提供することにあ
る。
Another object of the present invention is to provide a steam drying apparatus and a steam drying method for achieving uniform drying.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明による洗浄乾燥装
置は、洗浄チャンバーと、前記洗浄チャンバー内で被洗
浄物を回転可能に保持するホルダーと、前記ホルダーを
前記被洗浄物とともに回転させる駆動部と、前記ホルダ
ー上の前記被洗浄物に洗浄液を供給する洗浄液供給器
と、前記ホルダー上の前記被洗浄物上の液体を乾燥させ
るための乾燥用蒸気を前記洗浄チャンバー内に供給する
乾燥用媒体供給器とを備えている。
A cleaning and drying apparatus according to the present invention comprises a cleaning chamber, a holder for rotatably holding an object to be cleaned in the cleaning chamber, and a driving unit for rotating the holder together with the object to be cleaned. A cleaning liquid supply device that supplies a cleaning liquid to the object to be cleaned on the holder; and a drying medium that supplies drying steam for drying the liquid on the object to be cleaned on the holder into the cleaning chamber. And a supply device.

【0010】加熱によって揮発性薬液を気化し、前記乾
燥用蒸気を生成し、前記乾燥用蒸気を前記乾燥用媒体供
給器に供給する蒸気発生器を備えていてもよい。
[0010] A steam generator may be provided which vaporizes the volatile chemical liquid by heating to generate the drying steam and supplies the drying steam to the drying medium supply device.

【0011】前記蒸気発生器は、前記揮発性薬液を貯蔵
するタンクと、前記タンクと前記乾燥用媒体供給器とを
連結する通路と、前記通路の少なくとも一部を加熱する
加熱器とを備えていることが好ましい。
The steam generator includes a tank for storing the volatile chemical liquid, a passage connecting the tank and the drying medium supply device, and a heater for heating at least a part of the passage. Is preferred.

【0012】前記乾燥用媒体供給器は、前記乾燥用蒸気
を前記被洗浄物に対して噴射する少なくともひとつのノ
ズルを有していていることが好ましい。
It is preferable that the drying medium supply device has at least one nozzle for injecting the drying steam to the object to be cleaned.

【0013】前記洗浄終了後に前記ホルダー上の前記被
洗浄物上に残存している液体を乾燥させるための不活性
ガスを前記ホルダー上の前記被洗浄物に噴射する不活性
ガス供給器を備えていてもよい。
An inert gas supply unit for injecting an inert gas for drying a liquid remaining on the object to be cleaned on the holder after the cleaning is completed, onto the object to be cleaned on the holder; You may.

【0014】前記不活性ガスを加熱する他の加熱器を備
えていることが好ましい。
It is preferable that another heater for heating the inert gas be provided.

【0015】前記ホルダーは、水平方向に実質的に平行
な面内で回転できるように配置されていても、鉛直方向
に実質的に平行な面内で回転できるように配置されてい
てもよい。
The holder may be arranged so as to be rotatable in a plane substantially parallel to the horizontal direction, or may be arranged so as to be rotatable in a plane substantially parallel to the vertical direction.

【0016】前記駆動部によって前記ホルダーを前記被
洗浄物とともに回転させながら、前記乾燥用媒体供給器
によって前記乾燥用蒸気を前記チャンバー内に供給させ
る制御装置を備えていることが好ましい。
It is preferable that a controller is provided for supplying the drying steam into the chamber by the drying medium supply device while rotating the holder together with the object to be cleaned by the driving section.

【0017】本発明による他の洗浄乾燥装置は、洗浄チ
ャンバーと、前記洗浄チャンバー内で被洗浄物を保持す
るホルダーと、前記ホルダー上の前記被洗浄物に洗浄液
を供給する洗浄液供給器と、洗浄終了後に前記ホルダー
上の前記被洗浄物上に残存している液体を乾燥させるた
めの乾燥用蒸気を前記洗浄チャンバー内に供給する乾燥
用媒体供給器とを備えている。
Another cleaning / drying apparatus according to the present invention includes a cleaning chamber, a holder for holding the object to be cleaned in the cleaning chamber, a cleaning liquid supply device for supplying a cleaning liquid to the object to be cleaned on the holder, A drying medium supply device for supplying drying steam for drying the liquid remaining on the object to be cleaned on the holder after completion of the drying into the cleaning chamber.

【0018】被洗浄物を洗浄する工程と、前記被洗浄物
を回転させながら、前記被洗浄物上の液体を乾燥させる
ための乾燥用蒸気を前記被洗浄物に供給する工程とを包
含することが好ましい。
A step of cleaning the object to be cleaned; and a step of supplying a drying vapor for drying the liquid on the object to be cleaned to the object to be cleaned while rotating the object to be cleaned. Is preferred.

【0019】被洗浄物を回転させながら前記被洗浄物に
洗浄液を供給する工程と、前記被洗浄物を回転させなが
ら、前記被洗浄物に前記洗浄液および前記洗浄液を乾燥
させるための乾燥用蒸気の両方を前記被洗浄物に供給す
る工程と、前記被洗浄物を回転させながら、前記被洗浄
物の供給は停止するが、前記乾燥用蒸気を前記被洗浄物
に供給する工程とを包含してもよい。
A step of supplying a cleaning liquid to the object to be cleaned while rotating the object to be cleaned; and a step of supplying the cleaning liquid to the object to be cleaned while drying the object to be cleaned while rotating the object to be cleaned. A step of supplying both to the object to be cleaned and a step of supplying the drying steam to the object to be cleaned while the supply of the object to be cleaned is stopped while rotating the object to be cleaned. Is also good.

【0020】前記乾燥用蒸気を前記被洗浄物に供給する
工程において、不活性ガスを前記被洗浄物に噴射するこ
とが好ましい。
In the step of supplying the drying steam to the object to be cleaned, it is preferable that an inert gas is injected to the object to be cleaned.

【0021】前記乾燥用蒸気はアルコール蒸気であるこ
とが好ましい。
It is preferable that the drying steam is alcohol vapor.

【0022】本発明による蒸気乾燥装置は、乾燥チャン
バーと、前記乾燥チャンバー内で被洗浄物を回転可能に
保持するホルダーと、前記ホルダーを前記被洗浄物とと
もに回転させる駆動部と、前記ホルダー上の前記被洗浄
物上の液体を乾燥させるための乾燥用蒸気を前記洗浄チ
ャンバー内に供給する乾燥用媒体供給器とを備えてい
る。
The steam drying apparatus according to the present invention comprises: a drying chamber; a holder for rotatably holding the object to be cleaned in the drying chamber; a driving unit for rotating the holder together with the object to be cleaned; A drying medium supply unit that supplies drying steam for drying the liquid on the object to be cleaned into the cleaning chamber.

【0023】本発明による蒸気乾燥方法は、被洗浄物を
回転させながら、前記被洗浄物上の液体を乾燥させるた
めの乾燥用蒸気を前記被洗浄物に供給する。
In the steam drying method according to the present invention, while rotating the object to be cleaned, drying steam for drying the liquid on the object to be cleaned is supplied to the object to be cleaned.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。 (実施形態1)図1を参照しながら、本発明による洗浄
乾燥装置の第1の実施形態を説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (Embodiment 1) A first embodiment of a cleaning and drying apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG.

【0025】本実施形態の洗浄乾燥装置は、石英または
耐薬品性を有するテフロンなどを材料として作製された
洗浄チャンバー12と、洗浄チャンバー12内で被洗浄
物(半導体基板)13を回転可能に保持するホルダー1
4と、ホルダー14上の半導体基板13に洗浄液を供給
する洗浄液供給器17および18とを備えている。洗浄
チャンバー12は、洗浄のためだけに使用されるのでは
なく、後述するように乾燥のためにも使用される。ホル
ダー14は、たとえば真空チャックなどの機構によって
被洗浄物を保持する。本実施形態では、被洗浄物とし
て、8インチのシリコンウェハを用いるので、このよう
なシリコンウェハをしっかり固定できる大きさのホルダ
ー14が採用される。ここで使用する洗浄液供給器17
および18は2本のノズル(先端部の内径:0.1〜5
mm)である。洗浄液供給器17および18は、ノズル
形状を持つものに限定されないし、また、その数も2個
に限定されない。ノズルに代えて、複数の微細な開口部
を持つ器具を使用し、そこから洗浄液をシャワー状に噴
出させてもよい。ホルダー14は、チャンバー12の外
に配置された駆動モータ15によって回転させられる。
本実施形態では、ホルダー14が水平方向に実質的に平
行な面内で回転する配置構成を採用している。
The cleaning and drying apparatus of this embodiment holds a cleaning chamber 12 made of quartz or Teflon having chemical resistance and a rotatable object (semiconductor substrate) 13 in the cleaning chamber 12. Holder 1
And cleaning liquid supply devices 17 and 18 for supplying a cleaning liquid to the semiconductor substrate 13 on the holder 14. The cleaning chamber 12 is used not only for cleaning but also for drying as described later. The holder 14 holds an object to be cleaned by a mechanism such as a vacuum chuck. In the present embodiment, since an 8-inch silicon wafer is used as an object to be cleaned, a holder 14 having a size capable of firmly fixing such a silicon wafer is employed. Cleaning liquid supply unit 17 used here
And 18 are two nozzles (inner diameter at the tip: 0.1 to 5)
mm). The cleaning liquid supply devices 17 and 18 are not limited to those having a nozzle shape, and the number thereof is not limited to two. Instead of the nozzle, an instrument having a plurality of fine openings may be used, and the cleaning liquid may be ejected from the instrument in a shower shape. The holder 14 is rotated by a drive motor 15 arranged outside the chamber 12.
In the present embodiment, an arrangement is adopted in which the holder 14 rotates in a plane substantially parallel to the horizontal direction.

【0026】洗浄工程中においては、洗浄液供給器17
および18から半導体基板13に供給された洗浄液によ
って半導体基板13の洗浄が実行される。その後、洗浄
工程に引き続いて、同一の洗浄チャンバー12内で乾燥
工程が実行される。このため、洗浄チャンバー12は、
洗浄乾燥チャンバーとして機能する。
During the cleaning process, the cleaning liquid supply 17
The cleaning of the semiconductor substrate 13 is performed by the cleaning liquid supplied to the semiconductor substrate 13 from and 18. Thereafter, following the cleaning step, a drying step is performed in the same cleaning chamber 12. For this reason, the cleaning chamber 12
Functions as a washing and drying chamber.

【0027】洗浄液供給器17および18は、それぞ
れ、導入管21および22を介してポンプ20につなが
れ、最終的には洗浄液タンク19に接続されている。導
入管21および22は、例えば石英から形成されてお
り、その内径は、例えば1〜30mmである。ポンプ2
0としては、パーティクル除去フィルターを有するもの
が好適に使用され得る。
The cleaning liquid supply devices 17 and 18 are connected to a pump 20 via introduction pipes 21 and 22, respectively, and are finally connected to a cleaning liquid tank 19. The introduction tubes 21 and 22 are formed of, for example, quartz, and have an inner diameter of, for example, 1 to 30 mm. Pump 2
As 0, those having a particle removal filter can be suitably used.

【0028】洗浄チャンバー12内には、ノズル状の乾
燥用媒体供給器23および24も配置されている。乾燥
用媒体供給器23および24は、乾燥用媒体蒸気を生成
する蒸気発生器に接続されている。蒸気発生器は、揮発
性薬液を加熱して気化し、それよって乾燥用蒸気を生成
し、乾燥用媒体供給器23および24に供給する。この
蒸気発生器は、イソプロピルアルコールなどの揮発性薬
液を貯蔵するタンク25と、このタンク25と乾燥用媒
体供給器23および24とを連結する通路(導入管)2
7および28と、通路27および28を加熱する一組の
加熱器29とから構成されている。乾燥用媒体は、イソ
プロピルアルコールに限らず、水と置換し得る溶媒、例
えば、エチルアルコール、メチルアルコール、2プロパ
ノール等の有機溶媒が好適に用いられる。各過熱器29
内にはヒータ30が配置され、通路27または28の一
部を加熱し、これらの乾燥用媒体を液体から気体に変化
させる。通路27および28の加熱部分の温度は、乾燥
用蒸気の沸点にできるだけ近づける方が良い。イソプロ
ピルアルコールを用いる場合、通路27および28の加
熱部分の温度は、例えば82〜100℃に上昇させるこ
とが好ましい。加熱部分から乾燥用媒体供給器23およ
び24の先端部までの距離は、例えば、10から100
mm程度に設定されうる。加熱装置としては、ヒータ加
熱を用いる代わりに、ランプ加熱や高周波加熱等も用い
てもよい。なお、この装置は、好適には、洗浄終了後に
半導体基板13上に不活性ガスを噴射する不活性ガス供
給器31を備えている。また、不活性ガスを加熱する他
の加熱器(29、30)を備えていてもよい。
In the cleaning chamber 12, nozzle-shaped drying medium feeders 23 and 24 are also arranged. The drying medium supply devices 23 and 24 are connected to a steam generator that generates drying medium vapor. The steam generator heats and vaporizes the volatile chemical liquid, thereby generating drying steam and supplying it to the drying medium supply units 23 and 24. The steam generator includes a tank 25 for storing a volatile chemical such as isopropyl alcohol, and a passage (introduction pipe) 2 connecting the tank 25 and the drying medium supply devices 23 and 24.
7 and 28, and a set of heaters 29 for heating the passages 27 and 28. The drying medium is not limited to isopropyl alcohol, and a solvent that can be replaced with water, for example, an organic solvent such as ethyl alcohol, methyl alcohol, or 2-propanol is suitably used. Each superheater 29
A heater 30 is disposed therein to heat a part of the passage 27 or 28 to change these drying media from liquid to gas. It is preferable that the temperature of the heating portions of the passages 27 and 28 be as close as possible to the boiling point of the drying steam. When isopropyl alcohol is used, it is preferable to raise the temperature of the heated portion of the passages 27 and 28 to, for example, 82 to 100 ° C. The distance from the heated portion to the tip of the drying medium supply devices 23 and 24 is, for example, 10 to 100.
mm. As the heating device, instead of using heater heating, lamp heating, high-frequency heating, or the like may be used. This apparatus preferably includes an inert gas supply unit 31 that injects an inert gas onto the semiconductor substrate 13 after the cleaning is completed. Further, another heater (29, 30) for heating the inert gas may be provided.

【0029】次に、図1の洗浄乾燥装置を用いた本発明
の洗浄乾燥方法の実施形態を説明する。
Next, an embodiment of the washing and drying method of the present invention using the washing and drying apparatus of FIG. 1 will be described.

【0030】まず、チャンバー12に設けられた開閉扉
(不図示)から半導体基板13をチャンバー12内に挿
入し、半導体基板13をホルダー14に固定する。その
後、回転軸16を通してモーター15の動力をホルダー
14に伝え、半導体基板13をホルダー14とともに回
転させる。洗浄液タンク19に貯蔵されている洗浄液
は、ポンプ20によって導入管21および22内を輸送
され、洗浄液供給器17および18から回転する半導体
基板13に噴出される。このときの半導体基板13の回
転数は、例えば、10〜60r.p.m.に設定され
る。洗浄液としては、例えば、NH4OH/H22/H2
OやH2SO4/H22/H2OやHF/H2Oなどが用途
に応じて適宜選択される。
First, the semiconductor substrate 13 is inserted into the chamber 12 from an opening / closing door (not shown) provided in the chamber 12, and the semiconductor substrate 13 is fixed to the holder 14. After that, the power of the motor 15 is transmitted to the holder 14 through the rotation shaft 16, and the semiconductor substrate 13 is rotated together with the holder 14. The cleaning liquid stored in the cleaning liquid tank 19 is transported in the introduction pipes 21 and 22 by the pump 20 and is jetted from the cleaning liquid supply devices 17 and 18 to the rotating semiconductor substrate 13. At this time, the rotation speed of the semiconductor substrate 13 is, for example, 10 to 60 r. p. m. Is set to As the cleaning liquid, for example, NH 4 OH / H 2 O 2 / H 2
O, H 2 SO 4 / H 2 O 2 / H 2 O, HF / H 2 O, etc. are appropriately selected according to the application.

【0031】洗浄が充分に実行された段階で、洗浄液の
噴出を止める。その後、乾燥用媒体の蒸気を乾燥用媒体
供給器23および24から半導体基板13に噴出させ
る。乾燥用媒体の蒸気は、乾燥用媒体タンク25に貯蔵
されていた乾燥用媒体がポンプ26によって導入管27
および28内を輸送され、輸送途中に加熱装置29のヒ
ーター線30によって加熱されることによって、蒸気へ
変化したものである。
When the cleaning has been sufficiently performed, the jetting of the cleaning liquid is stopped. After that, the vapor of the drying medium is jetted from the drying medium supply devices 23 and 24 to the semiconductor substrate 13. The vapor of the drying medium is supplied from the drying medium stored in the drying medium tank 25 to the inlet pipe 27 by the pump 26.
And 28, which are converted into steam by being heated by the heater wire 30 of the heating device 29 during the transportation.

【0032】乾燥用媒体蒸気は、半導体基板13が回転
しているため、半導体基板13に対して均一に噴出され
ることになる。乾燥用媒体蒸気は半導体基板13に付着
していた液体に溶けこみ、その液体は半導体基板13の
中心から円周方向に向く遠心力によって半導体基板13
から除去される。こうして、半導体基板13の乾燥が達
成される。乾燥用媒体蒸気の噴出を停止した後、半導体
基板13の回転を停止する。その後、半導体基板13を
洗浄チャンバー12から取り出す。
The drying medium vapor is uniformly jetted onto the semiconductor substrate 13 because the semiconductor substrate 13 is rotating. The drying medium vapor dissolves into the liquid adhering to the semiconductor substrate 13, and the liquid is centrifugally directed from the center of the semiconductor substrate 13 in the circumferential direction to the semiconductor substrate 13.
Removed from Thus, drying of the semiconductor substrate 13 is achieved. After stopping the ejection of the drying medium vapor, the rotation of the semiconductor substrate 13 is stopped. After that, the semiconductor substrate 13 is taken out of the cleaning chamber 12.

【0033】図示されていないが、チャンバー12には
チャンバー12内の液体および気体を外部に排出するた
めの排気/排液装置が設けられている。排気装置の動作
を調整することによって、チャンバー12内の圧力を大
気圧に比べて正圧化または負圧化してもよい。
Although not shown, the chamber 12 is provided with an exhaust / drainage device for exhausting the liquid and gas in the chamber 12 to the outside. By adjusting the operation of the exhaust device, the pressure in the chamber 12 may be made positive or negative compared to the atmospheric pressure.

【0034】本実施形態によれば、半導体基板13を回
転させながら乾燥用媒体蒸気を吹き付けることにより、
半導体基板13の全体が短時間のうちに乾燥用媒体蒸気
に暴露され、半導体基板表面が均一に乾燥される。ま
た、洗浄と乾燥を同一容器内で処理し、半導体基板13
の搬送に要する時間を省略できるため、高いスループッ
トを実現できる。更に、半導体基板13を回転させるた
め、遠心力を利用した乾燥と蒸気乾燥とを同時に行うた
め、高速乾燥が可能になる。半導体基板を回転しない場
合に比較して、所要時間を約20〜50%に短縮するこ
とが可能にある。
According to the present embodiment, by spraying the drying medium vapor while rotating the semiconductor substrate 13,
The entire semiconductor substrate 13 is exposed to the drying medium vapor in a short time, and the semiconductor substrate surface is uniformly dried. Further, cleaning and drying are performed in the same container, and the semiconductor substrate 13 is dried.
Since the time required for transporting the paper can be omitted, a high throughput can be realized. Further, since the semiconductor substrate 13 is rotated, drying using centrifugal force and steam drying are performed at the same time, so that high-speed drying becomes possible. The required time can be reduced to about 20 to 50% as compared with a case where the semiconductor substrate is not rotated.

【0035】本実施形態では、被洗浄物として半導体基
板を例にとったが、半導体基板以外のもの、例えばガラ
ス基板を洗浄乾燥することも可能である。このことは、
以下に説明する他の実施形態についても同様にあてはま
る。
In the present embodiment, a semiconductor substrate is taken as an example of an object to be cleaned, but it is also possible to clean and dry a substrate other than the semiconductor substrate, for example, a glass substrate. This means
The same applies to the other embodiments described below.

【0036】なお、本実施形態では、洗浄液ノズル17
および18と乾燥用媒体ノズル23および24は、半導
体基板13の上下にそれぞれ1対づづ配置しているが、
ノズルの配置及び数はこれに限定されない。
In this embodiment, the cleaning liquid nozzle 17
And 18 and the drying medium nozzles 23 and 24 are arranged one by one above and below the semiconductor substrate 13, respectively.
The arrangement and number of the nozzles are not limited to this.

【0037】(実施形態2)次に、本発明の他の洗浄乾
燥方法の実施形態を説明する。使用する洗浄乾燥装置
は、図1の装置である。
(Embodiment 2) Next, another embodiment of the washing and drying method of the present invention will be described. The washing / drying apparatus used is the apparatus shown in FIG.

【0038】チャンバー12に設けられた開閉扉(不図
示)から半導体基板13をチャンバー12内に挿入し、
半導体基板13をホルダー14に固定する。その後、回
転軸16を通してモーター15の動力をホルダー14に
与え、半導体基板13をホルダー14とともに回転させ
る。洗浄液タンク19に貯蔵されている洗浄液は、ポン
プ20によって導入管21および22内を輸送され、洗
浄液供給器17および18から回転する半導体基板13
に噴出される。このときの回転数は、例えば、10〜1
00r.p.m.である。
A semiconductor substrate 13 is inserted into the chamber 12 from an opening / closing door (not shown) provided in the chamber 12,
The semiconductor substrate 13 is fixed to the holder 14. After that, the power of the motor 15 is given to the holder 14 through the rotating shaft 16, and the semiconductor substrate 13 is rotated together with the holder 14. The cleaning liquid stored in the cleaning liquid tank 19 is transported through the introduction pipes 21 and 22 by the pump 20 and is rotated from the cleaning liquid supply devices 17 and 18 by the semiconductor substrate 13.
It is gushing. The rotation speed at this time is, for example, 10 to 1
00r. p. m. It is.

【0039】洗浄が十分に実行された後、洗浄液の噴出
を停止することなく、乾燥用媒体を乾燥用媒体供給器2
3および24から蒸気の状態で半導体基板13に噴出す
る。ある時間、例えば1〜10秒間、洗浄液の噴出およ
び乾燥用媒体蒸気の噴出が同時に行われる。
After the cleaning is sufficiently performed, the drying medium is supplied to the drying medium supply device 2 without stopping the ejection of the cleaning liquid.
3 and 24 are ejected to the semiconductor substrate 13 in a vapor state. For a certain period of time, for example, 1 to 10 seconds, the ejection of the cleaning liquid and the ejection of the drying medium vapor are simultaneously performed.

【0040】その後、乾燥用媒体蒸気の噴出は停止しな
いで、洗浄液の噴出を停止する。乾燥用媒体蒸気は回転
する半導体基板13に均一に噴射され、半導体基板13
に付着していた液体に溶けこむ。そして、遠心力により
半導体基板から除去され、半導体基板13の乾燥が達成
される。その後、乾燥用媒体蒸気の噴出を停止し、半導
体基板13の回転も停止した後、チャンバー12内から
半導体基板13を外部へ取り出す。
Thereafter, the ejection of the cleaning liquid is stopped without stopping the ejection of the drying medium vapor. The drying medium vapor is uniformly sprayed onto the rotating semiconductor substrate 13,
Dissolves in liquid adhering to. Then, the semiconductor substrate 13 is removed from the semiconductor substrate by centrifugal force, and drying of the semiconductor substrate 13 is achieved. Thereafter, the ejection of the drying medium vapor is stopped, and the rotation of the semiconductor substrate 13 is also stopped. Then, the semiconductor substrate 13 is taken out of the chamber 12 to the outside.

【0041】本実施形態によれば、洗浄液を噴出する工
程と乾燥用媒体蒸気を噴出する工程とが時間的に重複し
て行われるため、半導体基板の表面が大気に曝されるこ
となく、乾燥用媒体蒸気に暴露される。このため、大気
中の酸素によって半導体基板表面に酸化物が形成された
り、半導体基板表面にパーティクルが付着することを防
止でき、ウォーターマーク等の形成を抑制する。
According to the present embodiment, since the step of ejecting the cleaning liquid and the step of ejecting the vapor of the drying medium are performed in time, the drying is performed without exposing the surface of the semiconductor substrate to the atmosphere. Exposure to vapour media. For this reason, it is possible to prevent oxides from being formed on the surface of the semiconductor substrate due to oxygen in the atmosphere and particles from adhering to the surface of the semiconductor substrate, thereby suppressing formation of watermarks and the like.

【0042】(実施形態3)次に、本発明の他の洗浄乾
燥方法の実施形態を説明する。使用する洗浄乾燥装置
は、図1の装置である。
(Embodiment 3) Next, an embodiment of another washing and drying method of the present invention will be described. The washing / drying apparatus used is the apparatus shown in FIG.

【0043】チャンバー12に設けられた開閉扉(不図
示)から半導体基板13をチャンバー12内に挿入し、
半導体基板13をホルダー14に固定する。その後、回
転軸16を通してモーター15の動力をホルダー14に
与え、半導体基板13をホルダー14とともに回転させ
る。洗浄液タンク19に貯蔵されている洗浄液は、ポン
プ20によって導入管21および22内を輸送され、洗
浄液供給器17および18から回転する半導体基板13
に噴出される。このときの回転数は、例えば、10〜6
00r.p.m.である。
A semiconductor substrate 13 is inserted into the chamber 12 from an opening / closing door (not shown) provided in the chamber 12,
The semiconductor substrate 13 is fixed to the holder 14. After that, the power of the motor 15 is given to the holder 14 through the rotating shaft 16, and the semiconductor substrate 13 is rotated together with the holder 14. The cleaning liquid stored in the cleaning liquid tank 19 is transported through the introduction pipes 21 and 22 by the pump 20 and is rotated from the cleaning liquid supply devices 17 and 18 by the semiconductor substrate 13.
It is gushing. The rotation speed at this time is, for example, 10 to 6
00r. p. m. It is.

【0044】洗浄が十分に実行された後、洗浄液の噴出
を停止することなく、乾燥用媒体を乾燥用媒体供給器2
3および24から蒸気の状態で半導体基板13に噴出す
る。ある時間、例えば1〜10秒間、洗浄液の噴出およ
び乾燥用媒体蒸気の噴出が同時に行われる。また、この
とき、加熱装置29内のヒーター30により乾燥用蒸気
の沸点温度に近い温度に加熱した窒素を窒素吹き付けノ
ズル31から半導体基板13の表面に吹き付ける。
After the cleaning is sufficiently performed, the drying medium is supplied to the drying medium supply device 2 without stopping the ejection of the cleaning liquid.
3 and 24 are ejected to the semiconductor substrate 13 in a vapor state. For a certain period of time, for example, 1 to 10 seconds, the ejection of the cleaning liquid and the ejection of the drying medium vapor are simultaneously performed. At this time, nitrogen heated to a temperature close to the boiling point of the drying steam by the heater 30 in the heating device 29 is blown from the nitrogen blowing nozzle 31 onto the surface of the semiconductor substrate 13.

【0045】その後、乾燥用媒体蒸気および加熱窒素の
噴出は停止しないで、洗浄液の噴出を停止する。乾燥用
媒体蒸気は回転する半導体基板13に均一に噴射され、
半導体基板13に付着していた液体に溶けこむ。同時
に、窒素の吹き付けによって、高い効率で半導体基板上
の液体は半導体基板からすみやかに除去され、半導体基
板13の乾燥が達成される。その後、乾燥用媒体蒸気の
噴出を停止する。次に、加熱窒素の吹き付けを停止し、
半導体基板13の回転も停止した後、チャンバー12内
から半導体基板13を外部へ取り出す。
Thereafter, the ejection of the cleaning liquid is stopped without stopping the ejection of the drying medium vapor and the heated nitrogen. The drying medium vapor is uniformly sprayed on the rotating semiconductor substrate 13,
It dissolves in the liquid adhering to the semiconductor substrate 13. At the same time, the liquid on the semiconductor substrate is quickly removed from the semiconductor substrate with high efficiency by spraying nitrogen, and the semiconductor substrate 13 is dried. Thereafter, the ejection of the drying medium vapor is stopped. Next, stop blowing the heated nitrogen,
After the rotation of the semiconductor substrate 13 is also stopped, the semiconductor substrate 13 is taken out of the chamber 12 to the outside.

【0046】本実施形態によれば、洗浄液を噴出する工
程と乾燥用媒体蒸気を噴出する工程とが時間的に重複し
て行われるため、半導体基板の表面が大気に曝されるこ
となく、乾燥用媒体蒸気に暴露される。
According to the present embodiment, since the step of ejecting the cleaning liquid and the step of ejecting the drying medium vapor are performed in a timely manner, the surface of the semiconductor substrate is dried without being exposed to the atmosphere. Exposure to vapour media.

【0047】また、加熱窒素を吹き付けるため、乾燥用
蒸気の蒸発により半導体基板表面温度が低下すること防
止し、半導体基板温度を高温に保持できる。そのため、
半導体基板乾燥に要する時間を短縮できる。また、窒素
の吹き付けが液体を飛散するため、第2の実施形態の場
合よりも短い時間で乾燥を完了することが可能になる。
Further, since the heated nitrogen is blown, the semiconductor substrate surface temperature is prevented from lowering due to the evaporation of the drying steam, and the semiconductor substrate temperature can be maintained at a high temperature. for that reason,
The time required for drying the semiconductor substrate can be reduced. In addition, since the spray of nitrogen scatters the liquid, the drying can be completed in a shorter time than in the case of the second embodiment.

【0048】なお、半導体基板温度上昇の為に吹き付け
るガスとしては、乾燥窒素の代わりに、他の不活性ガス
を用いても良い。
As the gas to be blown to increase the temperature of the semiconductor substrate, another inert gas may be used instead of dry nitrogen.

【0049】(実施形態4)図2を参照しながら、本発
明による洗浄乾燥装置の他の実施形態を説明する。図1
の洗浄乾燥装置と異なる部分について説明し、共通する
部分についての説明は繰り返さない。
(Embodiment 4) Another embodiment of the washing and drying apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG.
Of the washing and drying apparatus will be described, and the description of the common parts will not be repeated.

【0050】この洗浄乾燥装置では、ホルダー14が図
2の垂直方向(鉛直方向)に実質的に平行な面内で回転
される配置構成を採用している。そのため、半導体基板
13の素子形成領域に立てた法線はほぼ水平方向を向い
ている。本実施形態によれば、半導体基板13上の液体
が鉛直方向に重力を受ける。このため、回転による遠心
力と重力とによって液体の除去効率が向上する。
This cleaning / drying apparatus employs an arrangement in which the holder 14 is rotated in a plane substantially parallel to the vertical direction (vertical direction) in FIG. Therefore, the normal line set in the element formation region of the semiconductor substrate 13 is substantially horizontal. According to the present embodiment, the liquid on the semiconductor substrate 13 receives gravity in the vertical direction. For this reason, the removal efficiency of the liquid is improved by the centrifugal force and the gravity caused by the rotation.

【0051】(実施形態5)図3を参照しながら、本発
明による洗浄乾燥装置の他の実施形態を説明する。図1
の洗浄乾燥装置と異なる部分について説明し、共通する
部分についての説明は繰り返さない。
(Embodiment 5) Another embodiment of the washing and drying apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG.
Of the washing and drying apparatus will be described, and the description of the common parts will not be repeated.

【0052】この洗浄乾燥装置では、ホルダー14の支
持面が実質的に鉛直方向(地球の中心に向いた方向)を
向いている。このため、半導体基板13を被洗浄物とし
てホルダー14に支持させると、半導体基板13の素子
形成領域は延長方向を向く。半導体基板13の素子形成
領域に立てた法線の先には地球が存在するため、チャン
バー12内で発生したパーティクルが重力にしたがって
落下したとしても、そのパーティクルは半導体基板13
の素子形成領域に付着しない。本実施形態によれば、洗
浄工程から乾燥工程を経て半導体基板13をチャンバー
12の外に取り出す一連の過程で、パーティクル付着の
問題を避けることができ、製造歩留まり低下を防止でき
る。
In this cleaning / drying apparatus, the support surface of the holder 14 is oriented substantially vertically (the direction toward the center of the earth). Therefore, when the semiconductor substrate 13 is supported by the holder 14 as an object to be cleaned, the element formation region of the semiconductor substrate 13 extends in the extension direction. Since the earth exists ahead of the normal line formed in the element formation region of the semiconductor substrate 13, even if particles generated in the chamber 12 fall due to gravity, the particles will not fall on the semiconductor substrate 13.
Does not adhere to the element formation region. According to the present embodiment, in a series of steps of taking the semiconductor substrate 13 out of the chamber 12 through the cleaning step and the drying step, the problem of particle adhesion can be avoided, and a reduction in manufacturing yield can be prevented.

【0053】(実施形態5)図5を参照しながら、本発
明による乾燥装置の実施形態を説明する。
(Embodiment 5) An embodiment of a drying apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG.

【0054】本実施形態の蒸気乾燥装置は、石英チャン
バー51と、石英チャンバー51の底部に配置した抵抗
加熱器53とを備えてり、石英チャンバー51の底部に
は常温では液化状態にある乾燥用媒体2が貯蔵されてい
る。抵抗加熱器53は液化乾燥用媒体52に浸されてい
る。石英チャンバ51内には、半導体基板13等の被洗
浄物を保持するホルダー14が回転可能に支持されてお
り、回転軸16を介して石英チャンバ51外の回転モー
タ15に接続されている。石英チャンバー51の上部に
は蒸気吹き付け板55が設けられており、この蒸気吹き
付け板55には外部蒸気源56が接続されている。蒸気
吹き付け板55の上には、乾燥用媒体冷却用の冷却パイ
プ57が設置されている。
The steam drying apparatus of this embodiment includes a quartz chamber 51 and a resistance heater 53 arranged at the bottom of the quartz chamber 51. The drying section which is in a liquefied state at room temperature is provided at the bottom of the quartz chamber 51. Medium 2 is stored. The resistance heater 53 is immersed in the liquefied drying medium 52. A holder 14 for holding an object to be cleaned such as the semiconductor substrate 13 is rotatably supported in the quartz chamber 51, and is connected to a rotation motor 15 outside the quartz chamber 51 via a rotation shaft 16. A steam spray plate 55 is provided above the quartz chamber 51, and an external steam source 56 is connected to the steam spray plate 55. On the steam spray plate 55, a cooling pipe 57 for cooling the drying medium is provided.

【0055】次に、本実施形態による蒸気乾燥方法を説
明する。
Next, the steam drying method according to the present embodiment will be described.

【0056】まず、別の洗浄装置によって洗浄された被
洗浄物である濡れた半導体基板13を石英チャンバー5
1内に搬送し、ホルダー14によって保持する。次に、
モータ15によってホルダー14および半導体基板13
を回転させる。石英チャンバー51の底部の液化乾燥用
媒体52は、前もって抵抗加熱器53によって加熱さ
れ、沸騰し、乾燥用媒体蒸気58を発生させている。半
導体基板13を石英チャンバー51内に挿入し、蒸気吹
き付け板55でタンク内外を隔離した後、外部蒸気源5
6から乾燥用媒体蒸気60を発生させ、乾燥用媒体蒸気
10を蒸気吹き付け板5からタンク51内に噴射する。
乾燥用媒体蒸気58および乾燥用媒体蒸気60は、半導
体基板13上の残存する水滴状の液体中に溶解する。そ
の結果、水滴状の液体と半導体基板13との間の接触角
が大きくなるため、水滴状液体と半導体基板13との間
の付着力が弱まる。こうして、液体は重力および遠心力
によって速やかに半導体基板13から排除され、半導体
基板13の蒸気乾燥が達成される。蒸気乾燥が達成され
た後、モータ15によるホルダー14の回転を停止し、
半導体基板13をタンク51から取り出す。
First, a wet semiconductor substrate 13 as an object to be cleaned, which has been cleaned by another cleaning apparatus, is placed in a quartz chamber 5.
1 and held by the holder 14. next,
The holder 14 and the semiconductor substrate 13 are driven by the motor 15.
To rotate. The liquefied drying medium 52 at the bottom of the quartz chamber 51 is heated in advance by a resistance heater 53 and boils to generate a drying medium vapor 58. After inserting the semiconductor substrate 13 into the quartz chamber 51 and isolating the inside and outside of the tank with the steam spray plate 55, the external steam source 5
A drying medium vapor 60 is generated from 6, and the drying medium vapor 10 is injected from the vapor spray plate 5 into the tank 51.
The drying medium vapor 58 and the drying medium vapor 60 dissolve in the remaining liquid in the form of droplets on the semiconductor substrate 13. As a result, the contact angle between the droplet-shaped liquid and the semiconductor substrate 13 increases, so that the adhesive force between the droplet-shaped liquid and the semiconductor substrate 13 decreases. In this manner, the liquid is quickly removed from the semiconductor substrate 13 by gravity and centrifugal force, and the semiconductor substrate 13 is vapor-dried. After the steam drying is achieved, the rotation of the holder 14 by the motor 15 is stopped,
The semiconductor substrate 13 is taken out of the tank 51.

【0057】本実施形態によれば、半導体基板13を回
転させながら乾燥用蒸気に曝露するため、半導体基板の
下部や上部の乾燥状態及び乾燥終了時間の不均一を解消
でき、半導体基板13の全面で均一な乾燥を達成でき
る。
According to the present embodiment, since the semiconductor substrate 13 is exposed to the drying vapor while rotating, it is possible to eliminate unevenness in the drying state and the drying end time of the lower and upper portions of the semiconductor substrate, and the entire surface of the semiconductor substrate 13 And uniform drying can be achieved.

【0058】[0058]

【発明の効果】本発明の洗浄乾燥装置および洗浄乾燥方
法によれば、被洗浄物の洗浄工程終了後に、濡れた状態
の被洗浄物を洗浄装置から蒸気乾燥装置へ搬送する必要
がない。そのため、搬送に要する時間だけスループット
を向上できる。また、被洗浄物の搬送中に被洗浄物にパ
ーティクルが付着してしまうおそれもない。更に、被洗
浄物が大気に触れないため、ウォーターマークの形成を
防止できる。また、被洗浄物を回転させるため、均一な
乾燥がより短時間で達成される。
According to the cleaning / drying apparatus and the cleaning / drying method of the present invention, it is not necessary to transport a wet cleaning target from the cleaning apparatus to the steam drying apparatus after the cleaning step of the cleaning target. Therefore, the throughput can be improved by the time required for transport. Further, there is no possibility that particles adhere to the object to be cleaned while the object to be cleaned is being conveyed. Further, since the object to be cleaned does not come into contact with the atmosphere, formation of a watermark can be prevented. In addition, since the object to be cleaned is rotated, uniform drying can be achieved in a shorter time.

【0059】本発明の蒸気乾燥装置および蒸気乾燥方法
によれば、被洗浄物を回転させるため、均一な乾燥が短
時間で達成される。
According to the steam drying apparatus and the steam drying method of the present invention, since the object to be cleaned is rotated, uniform drying can be achieved in a short time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による洗浄乾燥装置の実施形態の概略図
である。
FIG. 1 is a schematic view of an embodiment of a cleaning / drying apparatus according to the present invention.

【図2】本発明による洗浄乾燥装置の他の実施形態の概
略図である。
FIG. 2 is a schematic view of another embodiment of the cleaning / drying apparatus according to the present invention.

【図3】本発明による洗浄乾燥装置の更に他の実施形態
の概略図である。
FIG. 3 is a schematic view of still another embodiment of the cleaning / drying apparatus according to the present invention.

【図4】本発明による洗浄乾燥装置の更に他の実施形態
の概略図である。
FIG. 4 is a schematic view of still another embodiment of the cleaning / drying apparatus according to the present invention.

【図5】従来の蒸気乾燥装置の概略図である。FIG. 5 is a schematic view of a conventional steam drying device.

【符号の説明】 1、12 チャンバー 2 液化乾燥用媒体 3 抵抗加熱装置 4 、13 被洗浄物(半導体基板) 5 蒸気吹き付け板 6 外部蒸気源 7 冷却パイプ 8、10 乾燥用媒体蒸気 21、22、27、28 導入管 29 加熱装置 30 ヒーター線 20、26 ポンプ 12 容器 14 ホルダー 15 回転モーター 16 回転軸 17、18 洗浄液供給器 19 洗浄液タンク 23、24 乾燥用媒体供給器 25 乾燥用媒体タンクDESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 12 chamber 2 liquefied drying medium 3 resistance heating device 4, 13 object to be cleaned (semiconductor substrate) 5 steam spray plate 6 external steam source 7 cooling pipe 8, 10 drying medium steam 21, 22, 27, 28 Introducing pipe 29 Heating device 30 Heater wire 20, 26 Pump 12 Container 14 Holder 15 Rotary motor 16 Rotary shaft 17, 18 Cleaning liquid supply unit 19 Cleaning liquid tank 23, 24 Medium supply unit for drying 25 Medium drying unit tank

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 洗浄チャンバーと、 前記洗浄チャンバー内で被洗浄物を回転可能に保持する
ホルダーと、 前記ホルダーを前記被洗浄物とともに回転させる駆動部
と、 前記ホルダー上の前記被洗浄物に洗浄液を供給する洗浄
液供給器と、 前記ホルダー上の前記被洗浄物上の液体を乾燥させるた
めの乾燥用蒸気を前記洗浄チャンバー内に供給する乾燥
用媒体供給器と、を備えた洗浄乾燥装置。
A cleaning chamber; a holder for rotatably holding the object to be cleaned in the cleaning chamber; a driving unit for rotating the holder together with the object to be cleaned; and a cleaning liquid for the object to be cleaned on the holder. And a drying medium supply unit for supplying drying steam for drying the liquid on the object to be cleaned on the holder into the cleaning chamber.
【請求項2】 加熱によって揮発性薬液を気化し、前記
乾燥用蒸気を生成し、前記乾燥用蒸気を前記乾燥用媒体
供給器に供給する蒸気発生器を備えている、請求項1に
記載の洗浄乾燥装置。
2. The steam generator according to claim 1, further comprising a steam generator that evaporates the volatile chemical solution by heating, generates the drying steam, and supplies the drying steam to the drying medium supply device. Washing and drying equipment.
【請求項3】 前記蒸気発生器は、 前記揮発性薬液を貯蔵するタンクと、 前記タンクと前記乾燥用媒体供給器とを連結する通路
と、 前記通路の少なくとも一部を加熱する加熱器と、を備え
ている請求項2に記載の洗浄乾燥装置。
3. The steam generator, comprising: a tank for storing the volatile chemical liquid; a passage connecting the tank and the drying medium supply device; and a heater for heating at least a part of the passage. The washing and drying apparatus according to claim 2, comprising:
【請求項4】 前記乾燥用媒体供給器は、 前記乾燥用蒸気を前記被洗浄物に対して噴射する少なく
ともひとつのノズルを有している請求項3に記載の洗浄
乾燥装置。
4. The cleaning / drying apparatus according to claim 3, wherein the drying medium supply device has at least one nozzle for injecting the drying steam to the object to be cleaned.
【請求項5】 前記洗浄終了後に前記ホルダー上の前記
被洗浄物上に残存している液体を乾燥させるための不活
性ガスを前記ホルダー上の前記被洗浄物に噴射する不活
性ガス供給器を備えている請求項1に記載の洗浄乾燥装
置。
5. An inert gas supply device for injecting an inert gas for drying a liquid remaining on the object to be cleaned on the holder after completion of the cleaning onto the object to be cleaned on the holder. The washing / drying apparatus according to claim 1, further comprising:
【請求項6】 前記不活性ガスを加熱する他の加熱器を
備えている請求項5に記載の洗浄乾燥装置。
6. The cleaning and drying apparatus according to claim 5, further comprising another heater for heating the inert gas.
【請求項7】 前記ホルダーは、水平方向に実質的に平
行な面内で回転できるように配置されている請求項1か
ら6の何れかに記載の洗浄乾燥装置。
7. The cleaning and drying apparatus according to claim 1, wherein the holder is rotatable in a plane substantially parallel to a horizontal direction.
【請求項8】 前記ホルダーは、鉛直方向に実質的に平
行な面内で回転できるように配置されている請求項1か
ら6の何れかに記載の洗浄乾燥装置。
8. The cleaning and drying apparatus according to claim 1, wherein the holder is rotatable in a plane substantially parallel to a vertical direction.
【請求項9】 前記駆動部によって前記ホルダーを前記
被洗浄物とともに回転させながら、前記乾燥用媒体供給
器によって前記乾燥用蒸気を前記チャンバー内に供給さ
せる制御装置を備えている請求項1から8の何れかに記
載の洗浄乾燥装置。
9. A control device for supplying the drying vapor into the chamber by the drying medium supply device while rotating the holder together with the object to be cleaned by the driving unit. The washing and drying apparatus according to any one of the above.
【請求項10】 洗浄チャンバーと、 前記洗浄チャンバー内で被洗浄物を保持するホルダー
と、 前記ホルダー上の前記被洗浄物に洗浄液を供給する洗浄
液供給器と、 洗浄終了後に前記ホルダー上の前記被洗浄物上に残存し
ている液体を乾燥させるための乾燥用蒸気を前記洗浄チ
ャンバー内に供給する乾燥用媒体供給器と、を備えた洗
浄乾燥装置。
10. A cleaning chamber; a holder for holding an object to be cleaned in the cleaning chamber; a cleaning liquid supply device for supplying a cleaning liquid to the object to be cleaned on the holder; A cleaning / drying apparatus comprising: a drying medium supply device that supplies drying steam for drying a liquid remaining on a cleaning object into the cleaning chamber.
【請求項11】 被洗浄物を洗浄する工程と、 前記被洗浄物を回転させながら、前記被洗浄物上の液体
を乾燥させるための乾燥用蒸気を前記被洗浄物に供給す
る工程と、を包含する洗浄乾燥方法。
11. A step of cleaning the object to be cleaned, and a step of supplying a drying vapor for drying a liquid on the object to be cleaned to the object to be cleaned while rotating the object to be cleaned. Washing and drying methods including.
【請求項12】 被洗浄物を回転させながら前記被洗浄
物に洗浄液を供給する工程と、 前記被洗浄物を回転させながら、前記被洗浄物に前記洗
浄液および前記洗浄液を乾燥させるための乾燥用蒸気の
両方を前記被洗浄物に供給する工程と、 前記被洗浄物を回転させながら、前記被洗浄物の供給は
停止するが、前記乾燥用蒸気を前記被洗浄物に供給する
工程と、を包含する洗浄乾燥方法。
12. A step of supplying a cleaning liquid to the object to be cleaned while rotating the object to be cleaned, and a step of drying the cleaning liquid and the cleaning liquid to the object to be cleaned while rotating the object to be cleaned. A step of supplying both of the steam to the object to be cleaned; and a step of supplying the drying steam to the object to be cleaned while the supply of the object to be cleaned is stopped while rotating the object to be cleaned. Washing and drying methods including.
【請求項13】 前記乾燥用蒸気を前記被洗浄物に供給
する工程において、不活性ガスを前記被洗浄物に噴射す
る請求項12に記載の洗浄乾燥方法。
13. The cleaning and drying method according to claim 12, wherein, in the step of supplying the drying steam to the object to be cleaned, an inert gas is injected to the object to be cleaned.
【請求項14】 前記乾燥用蒸気はアルコール蒸気であ
る請求項11から13の何れかに記載の洗浄乾燥方法。
14. The cleaning and drying method according to claim 11, wherein the drying steam is alcohol vapor.
【請求項15】 乾燥チャンバーと、 前記乾燥チャンバー内で被洗浄物を回転可能に保持する
ホルダーと、 前記ホルダーを前記被洗浄物とともに回転させる駆動部
と、 前記ホルダー上の前記被洗浄物上の液体を乾燥させるた
めの乾燥用蒸気を前記洗浄チャンバー内に供給する乾燥
用媒体供給器と、を備えた蒸気乾燥装置。
15. A drying chamber; a holder for rotatably holding the object to be cleaned in the drying chamber; a driving unit for rotating the holder together with the object to be cleaned; A drying medium supply device that supplies drying steam for drying the liquid into the cleaning chamber.
【請求項16】 被洗浄物を回転させながら、前記被洗
浄物上の液体を乾燥させるための乾燥用蒸気を前記被洗
浄物に供給する蒸気乾燥方法。
16. A steam drying method for supplying drying steam for drying a liquid on the object to be cleaned to the object to be cleaned while rotating the object to be cleaned.
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