JP4357943B2 - The substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

The substrate processing method and substrate processing apparatus

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JP4357943B2
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本発明は、半導体ウェーハ、液晶表示装置用基板、記録ディスク用基板、或いはマスク用基板等の各種基板の表面処理を行う基板処理法及び基板処理装置に係り、より詳細には、危険な乾燥流体の使用量を少なくして安全で、且つ高品質の表面乾燥処理を行う基板処理法及び基板処理装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor wafer, a liquid crystal display device substrate, relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for performing a substrate for a recording disc, or the surface treatment of various substrates such as a substrate for a mask, and more particularly, dangerous dry fluid usage is the least and safe, and the substrate processing method performs a high-quality surface drying treatment and a substrate processing apparatus.

半導体ウェーハ、液晶表示装置用基板、記録ディスク用基板、或いはマスク用基板等の各種基板(以下、ウェーハという)は、その表面を清浄にするために、ウェーハ表面を薬液によって処理したのち、純水によって洗浄し、更に有機溶剤、例えばイソプロピルアルコール(以下、IPAという)等の有機溶剤を用いた乾燥が行われている。 Semiconductor wafer, a liquid crystal display device substrate, a substrate for a recording disc, or various substrates such as a substrate for a mask (hereinafter, referred to as wafer) in order to make the surface clean, after processing by chemical solution to the wafer surface, pure water washed, further organic solvents, such as isopropyl alcohol (hereinafter referred to as IPA) is dried using an organic solvent such as being performed by.
これらの処理工程において、乾燥工程が終了した段階においても、ウェーハ表面に水滴が僅かでも残っていると、ウェーハ表面にパーティクル或いはウォータマーク等の発生の原因となってウェーハの品質低下を招来することになる。 In these processing steps, even at the stage where the drying process is finished, the water droplets on the wafer surface is left even slightly, to lead to reduced quality of the wafer causing the occurrence of particles or water marks on the wafer surface become. このため、これらの汚染物質がウェーハに付着しないようにした基板処理装置が開発され広く使用されている。 Therefore, these contaminants substrate processing apparatus that does not adhere to the wafer have been used widely developed.

この種の基板処理装置は、一般にバッチ式基板処理装置と枚葉式基板処理装置とに大別され、バッチ式基板処理装置は一回に多数枚のウェーハを処理でき処理能力が高いという特徴を有し、一方、枚葉式基板処理装置はウェーハを1枚ずつ扱うようになっているので高品質の処理ができるという特徴を有している。 This kind of substrate processing apparatus is generally classified into a batch type substrate processing apparatus and the single-wafer substrate processing apparatus, a batch substrate processing apparatus characterized large number of wafers can be processed to the processing capability at a time it is high It has, on the other hand, has a feature that the single wafer substrate processing device can high-quality processing so adapted handle wafer one by one. (例えば、特許文献1、2参照。)。 (E.g., see Patent Documents 1 and 2.).

図14は、下記の特許文献1に記載されている枚葉式基板処理装置を示す断面図である。 Figure 14 is a sectional view showing a are single wafer substrate processing device described in Patent Document 1 below.
この枚葉式基板処理装置100は、液体101で覆われたウェーハWが遠心機102内に設置され、遠心機102内で回転運動を受けることによりウェーハWの表面から液体を遠心分離により除去する装置である。 The single wafer substrate processing apparatus 100, the wafer W covered with the liquid 101 is placed in the centrifuge 102, are removed by centrifugation of the liquid from the surface of the wafer W by receiving the rotational motion centrifuge 102. it is a device. この装置は、液体101が遠心分離により前記ウェーハWの表面から除去されてしまう前、すなわちウェーハが遠心機102内で回転運動を受ける前に、可溶性で、液体に溶解すると液体の表面張力を小さくするような溶媒蒸気がパイプ103の開口から前記ウェーハW上の液体101に噴射されるようになっている。 This device, before the liquid 101 from being removed from the surface of the wafer W by centrifugal separation, i.e. before the wafer is subjected to rotational motion in centrifuge 102., soluble, reduced surface tension of the liquid when dissolved in a liquid solvent vapor such that is adapted to be ejected from the opening of the pipe 103 to the liquid 101 on the wafer W. そして、上記溶媒には、IPAが使用され、キャリアガスをパイプ104からIPAが貯留されている容器105内に通過させてIPAとキャリアガスとの混合ガス106を発生させ、この混合ガス106が遠心機102に導入されるようになっている。 Then, the above-mentioned solvent, IPA is used, the carrier gas is passed through a vessel 105 IPA from the pipe 104 are stored to generate a mixed gas 106 of IPA and the carrier gas, the mixed gas 106 centrifugal It is adapted to be introduced into the machine 102.

また、図15は、下記の特許文献2に記載された枚葉式基板処理装置を示す断面図である。 15 is a sectional view showing a been single wafer substrate processing device described in Patent Document 2 below.
この枚葉式基板処理装置110は、回転可能なチャック111の上にウェーハWがローディングされるチャンバと、チャンバの一側からウェーハに向けて純水を供給してウェーハ上に水膜112を形成する純水供給ライン113a、113bと、ウェーハW上に洗浄ガスを含んだ各種のガスを噴射しうるガス噴射手段114とから構成されている。 The single wafer substrate processing apparatus 110 includes a chamber wafer W is loaded on a rotatable chuck 111, the water film 112 on the wafer by supplying pure water toward the wafer from one side of the chamber forming pure water supply line 113a, is composed 113b and, from the gas injection means 114. which can inject various gases including wash gas onto the wafer W to be.
そして、ガス噴射手段114は、第1ノズルN1及び第2ノズルN2を含むガス注入チューブ115aと、ガス注入チューブ115aに取り付けられてウェーハW上に噴射された水膜102の表面に近づいて小さいチャンバ116を形成するガスガード115bとからなり、ガス注入チューブ115aには第1ガスG1及び第2ガスG2が注入されるようになっている。 The gas injection unit 114 is smaller approaching the gas injection tube 115a comprising a first nozzle N1 and the second nozzle N2, the surface of the water film 102 jetted onto the wafer W mounted on the gas inlet tube 115a chamber 116 consists of a gas guard 115b that form a, so that the first gas G1 and the second gas G2 is injected into the gas inlet tube 115a.

ところで、下記特許文献1、2に記載されているような枚葉式基板処理装置は、ウェーハの乾燥処理時に、ウェーハが高速回転、例えば1500〜2000rpmの高速回転され、この高速回転による遠心力を利用してウェーハ表面に付着した水滴を吹き飛ばす、いわゆる高速スピン乾燥で行われている。 However, the single wafer substrate processing device as described in the following Patent Documents 1 and 2, during the drying process of the wafer, the wafer is high-speed rotation, for example, the high-speed rotation of the 1500~2000Rpm, the centrifugal force by the high-speed rotation blow off water droplets adhering to the wafer surface by using, taking place in so-called high-speed spin drying.
しかし、このような高速スピン乾燥によっても、ウェーハ表面にパーティクルやウォータマーク等の汚染物質が残留してしまうことが判明した。 However, even by such a high-speed spin drying, contaminants such as particles and water marks on the wafer surface has been found to result in residual.
その原因は、主に、 The reason is, primarily,
(i)乾燥工程におけるウェーハの回転中に生じる微細な塵の付着、或いは (ii)洗浄不良、いわゆるリンス液による洗浄不良にある。 (I) deposition of fine dust occurring during the rotation of the wafer in the drying process, or (ii) insufficient washing, in bad cleaning with a so-called rinse solution. これらの原因のうち、上記(i)微細な塵付着は、高速回転により発生する風により、微細な塵が空中に舞い、それがウェーハに付着するものであり、これとは別に、高速回転により回転軸から大量に発生する塵がシールを潜り抜けてチャンバに入りこむことも考えられる Among these causes, the (i) fine dust deposition by the wind generated by the high speed rotation, dance fine dust in the air, it is intended to adhere to the wafer, Separately, the high-speed rotation dust mass generated from the rotation axis also conceivable that entering the chamber Passing through a seal. また、上記(ii)リンス液による洗浄不良は、元々ウェーハ上のリンス液が除去されないことに起因し、特に、この洗浄不良がパーティクル増加やウォータマークの発生の主たる原因になっている。 Moreover, defective washing with above (ii) rinsing liquid, due to the fact that not originally removed rinse solution on the wafer, in particular, the cleaning failure is in major cause of generation of particles increased and the watermark.

ウェーハ表面に付着する水滴の粒径は、約0.12μm程度であり、この大きさの水滴を上記の高速スピン乾燥による遠心力によって除去しようとすると、超高速回転、試算では、約7.2×10 rpmの超高速回転が必要になると考えられる。 The particle size of the water droplets adhering to the wafer surface is about 0.12 .mu.m, the water droplets of this size to be removed by the centrifugal force by the high-speed spin drying of the ultra high speed, to estimates, about 7.2 ultra high-speed rotation of × 10 7 rpm is considered to be required. また、この水滴は、その粒径が0.12μm程度のものばかりでなく、この粒径より更に小さい微小水滴も混在している。 Further, the water droplets, the particle size is not only of the order of 0.12 .mu.m, is also mixed even smaller water droplets than this particle size. したがって、これらの微小水滴をも除去しようとすると、更に回転数を上げなければならないが、現在、このような超高速回転を実現できる技術は未だ開発されていない。 Therefore, if also try to remove these water droplets, must be further increasing the rotation speed, current, techniques capable of realizing such an ultra high speed has not been developed yet.

更に、乾燥流体には通常、IPA蒸気が使用されている。 Further, usually, the IPA vapor is used for the drying fluid. このIPA蒸気は引火し易く、且つ爆発の危険性を有しているため、このようなIPA蒸気を高速回転しているウェーハに吹き付けると、極めて簡単に引火し、爆発事故をも誘発することになる。 The IPA vapor is easily flammable, because it and has a risk of explosion, when spraying such a IPA vapor onto the wafer which is rotating at a high speed, to ignite very easily, also induce an explosion Become.

また、上記特許文献1、2の基板処理装置で使用されている乾燥流体は、何れもIPA蒸気である。 The drying fluid used in the substrate processing apparatus of the above Patent Documents 1 and 2 are both IPA vapor.
このIPA蒸気は、不活性ガスでIPAをバブリングすることによって得たものであるため、飽和濃度未満のIPA気体以外にも微小なIPAの液体粒(以下、「ミスト」という。)が多量に含まれている。 The IPA vapor is because it was obtained by bubbling IPA with an inert gas, the liquid particles of very small other than IPA gas of less than the saturated concentration IPA (hereinafter referred to as "mist".) Is contained in a large amount It has been. そして、ミストの大きさ(サイズ)及び質量は、窒素ガスのそれに比べて大きくて重い。 The size of the mist (size) and mass is large and heavy compared to that of nitrogen gas. そのためIPAミストの供給量が制限されてしまい、IPAによる水滴の置換が効率よく、かつ十分にはされない。 Therefore would be the supply amount of the IPA mist is limited, substitution of water droplets by the IPA is not efficient, and is well.

また、不活性ガスを有機溶剤中にバブリングすることなく、有機溶剤を蒸発槽内で加熱蒸発させて有機溶剤蒸気と不活性ガスとの混合ガスを生成して、乾燥流体として利用した基板処理装置も知られている。 Further, without bubbling inert gas in an organic solvent, the organic solvent was heated and evaporated in the evaporation vessel to produce a mixture gas of organic solvent vapor and inert gas, a substrate processing apparatus using a dry fluid It is also known. (例えば、特許文献3参照。)。 (E.g., see Patent Document 3.).

下記特許文献3に記載されている基板処理装置は、有機溶剤中に不活性ガスをバブリングすることなく、有機溶剤を蒸発槽内で加熱蒸発させて、この有機溶剤蒸気と不活性ガスとの混合ガスを生成し、この混合ガスを配管内において別途不活性ガスで希釈すると共に加熱保温して噴射ノズルより噴射するようになしたものである。 Below in which the substrate processing apparatus described in Patent Document 3, without bubbling inert gas in an organic solvent, by heating evaporation of the organic solvent in the evaporation vessel, mixed with the organic solvent vapor and inert gas It generates a gas, in which heat insulation to the No to eject from the ejection nozzle with diluting the mixed gas at an additional inert gas in the pipe.
この基板処理装置では、配管内及びノズルから噴出されるガス中の有機溶剤蒸気は完全に気体となっており、このような完全に気体となっている有機溶剤蒸気を使用すれば、気体の有機溶剤分子の大きさはミストの大きさよりも遙かに小さいことから、上述のような有機溶剤ミストを使用した場合の問題点は生じないことになる。 In this substrate processing apparatus, an organic solvent vapor in the gas ejected from the pipe and nozzle are completely a gas, the use of organic solvent vapor which is such a fully gas, gas organic the size of the solvent molecule since much smaller than the size of the mist, will not occur a problem in the case of using an organic solvent mist as described above.

しかしながら、完全に気体となっている有機溶剤蒸気を使用してウェーハの乾燥処理を行っても、乾燥ガス中の有機溶剤蒸気濃度は飽和濃度以上にはならないので、乾燥ガス中の有機溶剤の絶対量は少ない。 However, completely even using organic solvent vapor has a gas subjected to a drying treatment of the wafer, the organic solvent vapor concentration in the drying gas does not become a more saturation concentration, the absolute of the organic solvent in the drying gas the amount is small. したがって、下記特許文献3に開示されている基板処理装置では、有機溶剤蒸気を大きなウェーハの隅々まで行き渡らせてウェーハ表面の水滴と置換させるためには非常に時間がかかるので、上述のウェーハ表面に形成されるウォータマークを少なくして殆ど零にすると共にパーティクルの発生をなくし、かつ乾燥処理速度の速い基板処理方法及び装置を提供するには至っていない。 Accordingly, in the substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 3, because it takes a very long time in order to replace the water droplets on the wafer surface by spread the organic solvent vapor throughout the large wafer, above the wafer surface by reducing the water marks formed without the generation of particles as well as almost zero, and to provide a drying processing speed fast substrate processing method and apparatus it does not reach the.

この点を更に詳述すると、乾燥ガス中に含まれる全IPA量が同じであれば、IPAミストのサイズが大きいとそのミストの数は減り、逆にIPAミストのサイズが小さいとそのミストの数は増える。 When this point further detail, if the total IPA content in the drying gas are the same, the size of the IPA mist is large when the number of the mist decreases, the size of the IPA mist is small in the reverse number of the mist It is increased. しかも、IPAミストのサイズが大きければ、その分だけ質量も重く、移動スピードが遅くなってしまう。 Moreover, if the size of the IPA mist is greater, mass by that amount also heavy, movement speed becomes slow. そのため乾燥工程において、乾燥ガスがウェーハに供給されても、ウェーハの表面に付着した洗浄液の水滴数とIPAミストの粒数が均衡せず、例えばIPAミストの粒数が水滴数より少なければ、一部の水滴がIPAによって置換されずに残り、ウォータマークの発生原因となってしまうことになる。 In Therefore drying process, the drying gas is supplied to the wafer, without equilibrium particle number of water droplet number and IPA mist of the cleaning liquid attached to the surface of the wafer, for example, the particle number of the IPA mist if less than the number of water droplets, one Department of water droplets remained without being replaced by the IPA, would become a cause of the watermark.

特許第3095438号公報(段落[0025]、図4) Japanese Patent No. 3095438 (paragraph [0025], FIG. 4) 特開2002−305175号公報(段落[0018]〜[0020]、図2) JP 2002-305175 JP (paragraphs [0018] to [0020], FIG. 2) 特開平11−191549号公報(特許請求の範囲、段落[0018]〜[0024]、図1) JP 11-191549 discloses (claims, paragraphs [0018] to [0024], FIG. 1)

近年、ウェーハの直径も200mmから300mm、更にそれ以上に大口径化してきている。 In recent years, there has been wafer diameter from 200mm 300mm, have further large diameter more than that. そのため、直径が200mm以下の比較的小さなウェーハでは、ウォータマーク及びパーティクルの発生を抑制できても、直径が300mmのような大口径のウェーハではウォータマーク及びパーティクルが発生してしまい、これまでの装置での処理には限界があることも判明した。 Therefore, in the following relatively small wafer 200mm in diameter, even if it is possible to suppress the generation of watermarks and particles, it would be the watermark and particles are generated in the wafer with a large diameter such as a diameter of 300 mm, the previous device It has also been found that there is a limit to the processing of in.

なお、一般に「蒸気」とは「気体」のことを示すが、ウェーハ処理の技術分野においては上述の乾燥ガスのように「気体」以外に「微小な液体粒(ミスト)」を含むものも慣用的に「蒸気」ないしは「ベーパ」と表現されているので、本願明細書及び特許請求の範囲においても「気体」以外に「微小な液体粒(ミスト)」を含むものも「蒸気」と表すこととする。 In general the term "vapor" shows that the "gas", in the technical field of wafer processing also intended to include "fine liquid particles (mist)" in addition to "gas" as described above of the dry gas customary since manner is represented as "vapor" or "vapor", as also in the present specification and claims, including the "gas" than to "fine liquid particles (mist)" also referred to as "vapor" to.

本発明者は、これらの従来技術が抱える前記課題に鑑み、ウェーハ表面にウォータマーク及びパーティクル等の汚染物質が残留する原因を探求し、その原因がこれまでの乾燥流体中の蒸気の粒状サイズにあることを突き止めて、本発明を完成するに至ったものである。 The present inventors, in view of the problems of these prior art facing, contaminants watermark and particles or the like on the wafer surface to explore the cause of the remaining granulated size of the vapor of the dry fluid of the causes ever and it found that there has been led to completion of the present invention.

そこで、本発明の第1の目的は、危険な乾燥流体の使用量を少なくすることで、安全で、且つ高品質の表面処理ができる基板処理法を提供することにある。 Accordingly, a first object of the present invention, by reducing the amount of hazardous dry fluid, a safe, is to provide a substrate processing method capable of high-quality surface treatment of and.

第2の目的は、第1の目的に加え、被処理基板の外周縁をも処理できる基板処理法を提供することにある。 Second object, in addition to the first object, is to provide a substrate processing method capable of processing even the peripheral edge of the substrate.

第3の目的は、危険な乾燥流体の使用量を少なくすることで、安全で、且つ高品質の表面処理ができる基板処理装置を提供することにある。 A third object, by reducing the amount of hazardous dry fluid, a safe, is to provide a substrate processing apparatus capable of high-quality surface treatment of and.

第4の目的は、第3の目的に加え、被処理基板の外周縁をも処理できる基板処理装置を提供することにある。 A fourth object of, in addition to the third object is to provide a substrate processing apparatus capable of processing even the peripheral edge of the substrate.

本願の請求項1に係る基板処理法の発明は、ほぼ水平に保持された状態で回転する被処理基板に処理流体を吹き付けて表面処理を行う基板処理法において、前記被処理基板の乾燥時に、前記処理流体としてサブミクロンサイズのミストを含む有機溶剤の蒸気を含有する乾燥流体を用い、前記乾燥流体を前記被処理基板の表面及び/又は裏面に吹き付けることを特徴とする。 Invention of the substrate treatment method according to claim 1 of the present application, in the substrate processing method for performing surface treatment by spraying the processing fluid to the substrate to be processed is rotated while being held substantially horizontally, during drying of the substrate to be processed, using a drying fluid containing the organic solvent vapor containing the sub-micron size mist, as the process fluid, characterized in that blowing the drying fluid to the surface and / or back surface of the substrate to be processed.

請求項2の発明は、請求項1に記載の基板処理法において、前記乾燥流体は、前記被処理基板中心部における回転軸の軸線上から、前記被処理基板の表面及び/又は裏面のほぼ中央部に吹き付けることを特徴とする。 According to a second aspect of the invention, the substrate processing method according to claim 1, wherein the drying fluid, the axis of the rotary shaft in the target substrate center, approximately in the middle of the surface and / or back surface of the target substrate and wherein the blown onto the part.

請求項3の発明は、請求項1又は2に記載の基板処理法において、前記乾燥流体は、少なくとも2種類の乾燥流体からなり、これらの乾燥流体を切り換えて供給することを特徴とする。 A third aspect of the present invention, the substrate processing method according to claim 1 or 2, wherein the drying fluid consists of at least two kinds of drying fluid and supplying switching these dry fluid.

請求項4の発明は、請求項3に記載の基板処理法において、前記乾燥流体の1種類は、前記有機溶剤の蒸気と不活性ガスとの混合ガスであり、他は不活性ガスであることを特徴とする。 It the invention of claim 4, in the substrate processing method according to claim 3, one of the drying fluid is a gas mixture of steam and inert gas in the organic solvent, the other is an inert gas the features.

請求項5の発明は、請求項4に記載の基板処理法において、前記有機溶剤は、イソプロピルアルコール、ジアセトンアルコール、1−メトキシ−2−プロパノール、エチル・グリコール、1−プロパノール、2−プロパノール、テトラヒドロフランからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする。 A fifth aspect of the present invention, the substrate processing method according to claim 4, wherein the organic solvent is isopropyl alcohol, diacetone alcohol, 1-methoxy-2-propanol, ethyl glycol, 1-propanol, 2-propanol, characterized in that at least one selected from the group consisting of tetrahydrofuran.

本願の請求項6に係る基板処理法の発明は、ほぼ水平に保持された状態で回転する被処理基板に処理流体を吹き付けて表面処理を行う基板処理法において、前記被処理基板の乾燥時に、前記処理流体としてサブミクロンサイズのミストを含む有機溶剤の蒸気を含有する乾燥流体を用い、前記乾燥流体を前記被処理基板の外周縁から前記被処理基板の表面及び/又は裏面へ吹き付けることを特徴とする。 Invention of the substrate treatment method according to claim 6 of the present application, in the substrate processing method for performing surface treatment by spraying the processing fluid to the substrate to be processed is rotated while being held substantially horizontally, during drying of the substrate to be processed, characterized by using a drying fluid containing the organic solvent vapor containing the sub-micron size mist, as the processing fluid, blowing the drying fluid from the outer periphery of the target substrate to a surface and / or back surface of the target substrate to.

請求項7の発明は、請求項6に記載の基板処理法において、前記乾燥流体は、少なくとも2種類の乾燥流体からなり、これらの乾燥流体を切り換えて供給することを特徴とする。 According to a seventh aspect of the invention, the substrate processing method according to claim 6, wherein the drying fluid consists of at least two kinds of drying fluid and supplying switching these dry fluid.

請求項8の発明は、請求項7に記載の基板処理法において、前記乾燥流体の1種類は、前記有機溶剤の蒸気と不活性ガスとの混合ガスであり、他は不活性ガスであることを特徴とする。 It eighth aspect of the present invention, the substrate processing method according to claim 7, one of the drying fluid is a gas mixture of steam and inert gas in the organic solvent, the other is an inert gas the features.

請求項9の発明は、請求項8に記載の基板処理法において、前記有機溶剤は、イソプロピルアルコール、ジアセトンアルコール、1−メトキシ−2−プロパノール、エチル・グリコール、1−プロパノール、2−プロパノール、テトラヒドロフランからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする。 The invention of claim 9, the substrate processing method according to claim 8, wherein the organic solvent is isopropyl alcohol, diacetone alcohol, 1-methoxy-2-propanol, ethyl glycol, 1-propanol, 2-propanol, characterized in that at least one selected from the group consisting of tetrahydrofuran.

本願の請求項10に係る基板処理法の発明は、ほぼ水平に保持された状態で回転する被処理基板に処理流体を吹き付けて表面処理を行う基板処理法において、前記被処理基板の乾燥時に、前記処理流体としてサブミクロンサイズのミストを含む有機溶剤の蒸気を含有する乾燥流体を用い、前記乾燥流体を前記被処理基板の表面及び/又は裏面に吹き付けると同時に、前記被処理基板の外周縁からも前記被処理基板の表面及び/又は裏面へ吹き付けることを特徴とする。 Invention of the substrate treatment method according to claim 10 of the present invention, in a substrate processing method for performing surface treatment by spraying the processing fluid to the substrate to be processed is rotated while being held substantially horizontally, during drying of the substrate to be processed, using a drying fluid containing the organic solvent vapor containing the sub-micron size mist, as the processing fluid, and at the same time blows the drying fluid to the surface and / or back surface of the substrate to be processed, from the outer peripheral edge of the target substrate characterized in that it also blown to the surface and / or back surface of the substrate to be processed.

請求項11の発明は、請求項10に記載の基板処理法において、前記乾燥流体は、前記被処理基板中心部における回転軸の軸線上から、前記被処理基板の表面及び/又は裏面のほぼ中央部に吹き付けることを特徴とする。 The invention of claim 11, the substrate processing method according to claim 10, wherein the drying fluid, the axis of the rotary shaft in the target substrate center, approximately in the middle of the surface and / or back surface of the target substrate and wherein the blown onto the part.

請求項12の発明は、請求項10又は11に記載の基板処理法において、前記乾燥流体は、少なくとも2種類の乾燥流体からなり、これらの乾燥流体を切り換えて供給することを特徴とする。 The invention of claim 12, the substrate processing method according to claim 10 or 11, wherein the drying fluid consists of at least two kinds of drying fluid and supplying switching these dry fluid.

請求項13の発明は、請求項12に記載の基板処理法において、前記乾燥流体の1種類は、前記有機溶剤の蒸気と不活性ガスとの混合ガスであり、他は不活性ガスであることを特徴とする。 It invention of claim 13, the substrate processing method according to claim 12, one of the drying fluid is a gas mixture of steam and inert gas in the organic solvent, the other is an inert gas the features.

請求項14の発明は、請求項13に記載の基板処理法において、前記有機溶剤は、イソプロピルアルコール、ジアセトンアルコール、1−メトキシ−2−プロパノール、エチル・グリコール、1−プロパノール、2−プロパノール、テトラヒドロフランからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする。 The invention of claim 14, the substrate processing method according to claim 13, wherein the organic solvent is isopropyl alcohol, diacetone alcohol, 1-methoxy-2-propanol, ethyl glycol, 1-propanol, 2-propanol, characterized in that at least one selected from the group consisting of tetrahydrofuran.

本願の請求項15に係る基板処理装置の発明は、被処理基板をほぼ水平に保持した状態で回転させる基板保持回転手段と、前記被処理基板に処理流体を噴射する噴射手段と、前記噴射手段に処理流体を供給する処理流体供給手段とを備えた基板処理装置において、前記噴射手段は、第1及び/又は第2の噴射ノズルを有し、前記第1の噴射ノズルは前記被処理基板表面の上方に、前記第2の噴射ノズルは下方にそれぞれ配設し、前記被処理基板の乾燥時に、前記処理流体供給手段からサブミクロンサイズのミストを含む有機溶剤の蒸気を含有する乾燥流体を前記噴射手段に供給し、前記乾燥流体を前記第1及び/又は前記第2の噴射ノズルから前記被処理基板の表面及び/又は裏面に吹き付けることを特徴とする。 Invention of the substrate processing apparatus according to the present claim 15, the substrate holding and rotating means for rotating while substantially horizontally holding a substrate to be processed, and injection means for injecting a treatment fluid to the substrate to be treated, the injection means in the substrate processing apparatus including a processing fluid supply means for supplying a treatment fluid to said injection means has a first and / or second injection nozzle, said first injection nozzle the surface of the substrate to be processed upwardly of said second injection nozzle is respectively arranged below said during the drying of the substrate, wherein the drying fluids containing organic solvent vapor containing submicron mist from the processing fluid supply means is supplied to the injection means, characterized in that blowing the drying fluid from said first and / or said second spray nozzle to the surface and / or back surface of the substrate to be processed.

請求項16の発明は、請求項15に記載の基板処理装置において、前記第1、第2の噴射ノズルは、前記被処理基板中心部の回転軸の軸線上にあって、前記第1の噴射ノズルは前記被処理基板表面の上方に、前記第2の噴射ノズルは下方にそれぞれ配設し、前記第1及び/又は前記第2の噴射ノズルから前記乾燥流体を前記被処理基板の表面及び/又は裏面の中央部に吹き付けることを特徴とする。 The invention of claim 16, in the substrate processing apparatus according to claim 15, wherein the first, second injection nozzle, the be on the axis of the rotating shaft of the substrate center, the first injection nozzle above the surface of the substrate to be processed, the second injection nozzle are disposed beneath the surface of the first and / or said second of said substrate to be processed and the drying fluid from the injection nozzle and / or wherein the spraying in the central portion of the rear surface.

請求項17の発明は、請求項15又は16に記載の基板処理法装置において、前記乾燥流体は、少なくとも2種類の乾燥流体からなり、これらの乾燥流体を切り換えて供給することを特徴とする。 The invention of claim 17, the substrate processing method according to claim 15 or 16, wherein the drying fluid consists of at least two kinds of drying fluid and supplying switching these dry fluid.

請求項18の発明は、請求項17に記載の基板処理装置において、前記乾燥流体の1種類は、有機溶剤の蒸気と不活性ガスとの混合ガスであり、他は不活性ガスであることを特徴とする。 The invention of claim 18, in the substrate processing apparatus according to claim 17, that one of the drying fluid is a gas mixture of steam and an inert gas of the organic solvent, the other is an inert gas and features.

請求項19の発明は、請求項18に記載の基板処理装置において、前記有機溶剤は、イソプロピルアルコール、ジアセトンアルコール、1−メトキシ2−プロパノール、エチル・グリコール、1−プロパノール、2−プロパノール、テトラヒドロフランからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする。 The invention of claim 19, the substrate processing apparatus according to claim 18, wherein the organic solvent is isopropyl alcohol, diacetone alcohol, 1-methoxy-2-propanol, ethyl glycol, 1-propanol, 2-propanol, tetrahydrofuran characterized in that at least one selected from the group consisting of.

本願の請求項20に係る基板処理装置の発明は、被処理基板をほぼ水平に保持した状態で回転させる基板保持回転手段と、前記被処理基板に処理流体を噴射する噴射手段と、前記噴射手段に処理流体を供給する処理流体供給手段とを備えた基板処理装置において、前記噴射手段は、第3の噴射ノズルを有し、前記第3の噴射ノズルは、前記被処理基板の外周縁に配設し、前記被処理基板の乾燥時に、前記処理流体供給手段からサブミクロンサイズのミストを含む有機溶剤の蒸気を含有する乾燥流体を前記噴射手段に供給し、前記乾燥流体を前記第3の噴射ノズルから前記被処理基板の表面及び/又は裏面に吹き付けることを特徴とする。 Invention of the substrate processing apparatus according to the present claims 20 includes a substrate holding and rotating means for rotating while substantially horizontally holding a substrate to be processed, and injection means for injecting a treatment fluid to the substrate to be treated, the injection means substrate in a processing apparatus, the ejection means comprising a processing fluid supply means for supplying a treatment fluid to have a third injection nozzle, the third injection nozzle, distribution to the outer peripheral edge of the target substrate was set, the during drying of the substrate, said process the drying fluid containing the organic solvent vapor containing the sub-micron size mist from the fluid supply means is supplied to said injection means, injecting the drying fluid the third and wherein the blown from the nozzle to the surface and / or back surface of the substrate to be processed.

請求項21の発明は、請求項20に記載の基板処理装置において、前記第3の噴射ノズルは、1個又は複数個の噴射ノズルからなり、これらの噴射ノズルは、前記被処理基板の外周縁に近接して所定の間隔を空けて配設されていることを特徴とする。 The invention of claim 21, in the substrate processing apparatus according to claim 20, wherein the third injection nozzle consists of one or a plurality of injection nozzles, these injection nozzle, an outer peripheral edge of the target substrate close to, characterized in that it is arranged at a predetermined interval.

請求項22の発明は、請求項21に記載の基板処理装置において、前記複数個の噴射ノズルは、その1個の噴射ノズルが前記被処理基板のほぼ中心部を通る水平線上にあって、前記被処理基板の外周縁に近接して設けられ、他の噴射ノズルは、前記1個の噴射ノズルから前記被処理基板の回転方向と逆方向側の外周縁に近接し、前記1個の噴射ノズルから所定の間隔を空けてそれぞれ隣接して配設されていることを特徴とする。 The invention of claim 22, in the substrate processing apparatus according to claim 21, wherein the plurality of injection nozzles, the one of the injection nozzle is in a on the horizontal line passing through approximately the center portion of the substrate to be processed, wherein provided close to the outer peripheral edge of the substrate, the other injection nozzle, adjacent from said one injection nozzle the outer peripheral edge of the rotation direction and the reverse direction side of the substrate to be processed, said one of the injection nozzle that it is disposed adjacent respectively at a predetermined distance from and wherein.

請求項23の発明は、請求項21又は22に記載の基板処理装置において、前記複数個の噴射ノズルは、それらの先端部が前記被処理基板の外周縁との間の距離がそれぞれほぼ等しくなるように隣接して配設されていることを特徴とする請求項23記載の基板処理装置。 The invention of claim 23, in the substrate processing apparatus according to claim 21 or 22, wherein the plurality of injection nozzles, the distance is substantially equal to each other between the outer edge of their tip the target substrate the substrate processing apparatus according to claim 23, wherein the adjacent are arranged such.

請求項24の発明は、請求項20〜23の何れか1項に記載の基板処理装置において、前記乾燥流体は、少なくとも2種類の乾燥流体からなり、これらの乾燥流体を切り換えて供給することを特徴とする。 The invention of claim 24 is, in the substrate processing apparatus according to any one of claims 20 to 23, wherein the drying fluid consists of at least two kinds of drying fluid, to supply by switching these dry fluid and features.

請求項25の発明は、請求項24に記載の基板処理装置において、前記乾燥流体の1種類は、有機溶剤の蒸気と不活性ガスとの混合ガスであり、他は不活性ガスであることを特徴とする。 The invention of claim 25, in the substrate processing apparatus according to claim 24, that one of the drying fluid is a gas mixture of steam and an inert gas of the organic solvent, the other is an inert gas and features.

請求項26の発明は、請求項25に記載の基板処理装置において、前記有機溶剤は、イソプロピルアルコール、ジアセトンアルコール、1−メトキシ2−プロパノール、エチル・グリコール、1−プロパノール、2−プロパノール、テトラヒドロフランからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする。 The invention of claim 26, in the substrate processing apparatus according to claim 25, wherein the organic solvent is isopropyl alcohol, diacetone alcohol, 1-methoxy-2-propanol, ethyl glycol, 1-propanol, 2-propanol, tetrahydrofuran characterized in that at least one selected from the group consisting of.

本願の請求項27に係る基板処理装置の発明は、被処理基板をほぼ水平に保持した状態で回転させる基板保持回転手段と、前記被処理基板に処理流体を噴射する噴射手段と、前記噴射手段に処理流体を供給する処理流体供給手段とを備えた基板処理装置において、前記噴射手段は、第1及び/又は第2の噴射ノズルと、第3の噴射ノズルを有し、前記第1の噴射ノズルは前記被処理基板表面の上方に、前記第2の噴射ノズルは下方に、更に前記第3の噴射ノズルは、前記被処理基板の外周縁にそれぞれ配設し、前記被処理基板の乾燥時に、前記処理流体供給手段からサブミクロンサイズのミストを含む有機溶剤の蒸気を含有する乾燥流体を前記噴射手段に供給し、前記乾燥流体を前記第1及び/又は前記第2の噴射ノズルから前記被処理基板 Invention of the substrate processing apparatus according to the present claims 27 includes a substrate holding and rotating means for rotating while substantially horizontally holding a substrate to be processed, and injection means for injecting a treatment fluid to the substrate to be treated, the injection means in the substrate processing apparatus including a processing fluid supply means for supplying a treatment fluid to said injection means includes a first and / or second injection nozzle, a third injection nozzle, said first injection above the nozzle the surface of the substrate to be processed, the second injection nozzle is downward, further said third injection nozzle, the disposed respectively on the outer peripheral edge of the substrate, wherein during the drying of the substrate the drying fluid containing the organic solvent vapor containing the sub-micron size mist from the processing fluid supply means is supplied to the injection means, the object of the drying fluid from said first and / or second injection nozzle processing board 表面及び/又は裏面に、前記第3の噴射ノズルから前記被処理基板の表面及び/又は裏面にそれぞれ吹き付けることを特徴とする。 Surface and / or back surface, and wherein the blown from each of the third injection nozzles to the surface and / or back surface of the substrate to be processed.

請求項28の発明は、請求項27に記載の基板処理装置において、前記第1、第2の噴射ノズルは、前記被処理基板中心部の回転軸の軸線上にあって、前記第1の噴射ノズルは前記被処理基板表面の上方に、前記第2の噴射ノズルは下方にそれぞれ配設し、前記第1及び/又は第2の噴射ノズルから前記乾燥ガスを前記被処理基板の表面及び/又は裏面の中央部に吹き付けることを特徴とする。 The invention of claim 28, in the substrate processing apparatus according to claim 27, wherein the first, second injection nozzle, the be on the axis of the rotating shaft of the substrate center, the first injection nozzle above the surface of the substrate to be processed, the second injection nozzle are disposed beneath the surface of the first and / or the target substrate with the dry gas from the second jet nozzles and / or and wherein the blown onto the central portion of the rear surface.

請求項29の発明は、請求項27に記載の基板処理装置において、前記第3の噴射ノズルは、1個又は複数個の噴射ノズルからなり、これらの噴射ノズルは、前記被処理基板の外周縁に近接して所定の間隔を空けて配設されていることを特徴とする。 The invention of claim 29, the substrate processing apparatus according to claim 27, wherein the third injection nozzle consists of one or a plurality of injection nozzles, these injection nozzle, an outer peripheral edge of the target substrate close to, characterized in that it is arranged at a predetermined interval.

請求項30の発明は、請求項29に記載の基板処理装置において、前記複数個の噴射ノズルは、その1個の噴射ノズルが前記被処理基板のほぼ中心部を通る水平線上にあって、前記被処理基板の外周縁に近接して設けられ、他の噴射ノズルは、前記1個の噴射ノズルから前記被処理基板の回転方向と逆方向側の外周縁に近接し、前記1個の噴射ノズルから所定の間隔を空けてそれぞれ隣接して配設されていることを特徴とする。 The invention of claim 30, in the substrate processing apparatus according to claim 29, wherein the plurality of injection nozzles, the one of the injection nozzle is in a on the horizontal line passing through approximately the center portion of the substrate to be processed, wherein provided close to the outer peripheral edge of the substrate, the other injection nozzle, adjacent from said one injection nozzle the outer peripheral edge of the rotation direction and the reverse direction side of the substrate to be processed, said one of the injection nozzle that it is disposed adjacent respectively at a predetermined distance from and wherein.

請求項31の発明は、請求項29又は30に記載の基板処理装置において、前記複数個の噴射ノズルは、それらの先端部が前記被処理基板の外周縁との間の距離がそれぞれほぼ等しくなるように隣接して配設されていることを特徴とする。 The invention of claim 31, in the substrate processing apparatus according to claim 29 or 30, wherein the plurality of injection nozzles, the distance is substantially equal to each other between the outer edge of their tip the target substrate characterized in that adjacent to and is disposed so as.

請求項32の発明は、請求項27〜31のいずれか1項に記載の基板処理装置において、前記乾燥流体は、少なくとも2種類の乾燥流体からなり、これらの乾燥流体を切り換えて供給することを特徴とする。 The invention of claim 32, the substrate processing apparatus according to any one of claims 27 to 31, wherein the drying fluid consists of at least two kinds of drying fluid, to supply by switching these dry fluid and features.

請求項33の発明は、請求項32に記載の基板処理装置において、前記乾燥流体の1種類は、有機溶剤の蒸気と不活性ガスとの混合ガスであり、他は不活性ガスであることを特徴とする。 The invention of claim 33, in the substrate processing apparatus according to claim 32, that one of the drying fluid is a gas mixture of steam and an inert gas of the organic solvent, the other is an inert gas and features.

請求項34の発明は、請求項33に記載の基板処理装置において、前記有機溶剤は、イソプロピルアルコール、ジアセトンアルコール、1−メトキシ2−プロパノール、エチル・グリコール、1−プロパノール、2−プロパノール、テトラヒドロフランからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする。 The invention of claim 34, the substrate processing apparatus according to claim 33, wherein the organic solvent is isopropyl alcohol, diacetone alcohol, 1-methoxy-2-propanol, ethyl glycol, 1-propanol, 2-propanol, tetrahydrofuran characterized in that at least one selected from the group consisting of.

請求項1記載の発明によれば、乾燥流体にサブミクロンサイズのミストを含む有機溶剤の蒸気を含有するものを用いているので、このサブミクロンサイズの有機溶剤が被処理基板に付着した水滴に均一に浸透し、その表面張力を低下させることで、被処理基板からの水滴除去が容易になる。 According to the first aspect of the invention, because of the use of those containing the vapor of an organic solvent containing a sub-micron sized mist dry fluid, the water droplets organic solvents of this sub-micron size is adhered to the target substrate uniformly penetrated, by lowering the surface tension facilitates water drop removal from the substrate to be processed.
その結果、乾燥流体の使用量を少なくでき、且つ被処理基板に汚染物質の残留をなくすることができる。 As a result, it is possible to reduce the amount of dry fluid, and can be eliminated residual contaminants on a substrate to be processed.
また、この方法は、被処理基板を高速回転させる必要がなく、少ない乾燥流体でウェーハの乾燥処理が可能となり、危険な有機溶剤を使用しても引火及び爆発等が起こる恐れを回避できる。 Also, this method does not need to be high speed rotation of the target substrate, less drying fluid allows the drying process of the wafer, the use of hazardous organic solvents can be avoided the risk of ignition and explosion may occur.

請求項2記載の発明によれば、請求項1記載の効果に加え、乾燥流体を被処理基板の表面及び/又は裏面のほぼ中央部に吹き付けることにより、吹き付けられた乾燥流体は、被処理基板の中央部から外周縁へ向ってほぼ均一に拡散しながら被処理基板の表面及び/又は裏面を移動する。 According to the second aspect of the present invention, in addition to the effect of claim 1, wherein, by blowing drying fluid substantially in the center of the surface and / or back surface of the substrate to be processed, the blown drying fluid, the substrate to be processed toward the central portion to the outer peripheral edge of the moving surface and / or back surface of the substrate while substantially uniformly diffused. したがって、乾燥流体の無駄がなくなり、且つ、効率よく乾燥処理を行うことができる。 Therefore, there is no waste of drying fluid, and can be performed efficiently drying process.

請求項3記載の発明によれば、少なくとも2種類の乾燥流体を切り換えて被処理基板に吹き付けることができるので、用途に応じて最適な乾燥流体を選択して切り換えることにより、高品質で効率のよい乾燥処理が可能となる。 According to the third aspect of the present invention, it is possible to blow in at least two dry fluid target substrate by switching, by switching to select the optimum drying fluid according to the application, high quality efficiency good drying can be performed.

請求項4記載の発明によれば、有機溶剤の蒸気はサブミクロンサイズのミストを含んだものであるので、このサブミクロンサイズのミストを含んだ有機溶剤蒸気と不活性ガスとの混合ガスからなる乾燥流体が被処理基板に噴射されることにより、有機溶剤蒸気が被処理基板の表面の水滴に浸透し、水滴を有機溶剤で置換させる。 According to the fourth aspect of the invention, since the vapor of the organic solvent are those containing submicron mist, a mixed gas of the organic solvent vapor and inert gas containing mist of sub-micron size by drying fluid is injected into the substrate to be processed, organic solvent vapor penetrates the water droplet of the surface of the substrate, thereby replacing the water droplets in the organic solvent. この有機溶剤蒸気の置換により、水滴の表面張力が低下し、水滴の除去が効率よく行われる。 By substitution of the organic solvent vapor, the surface tension of the water droplets is reduced, the removal of water droplets is efficiently. 更に、不活性ガスからなる乾燥流体が被処理基板に噴射させることにより、被処理基板上に残留した有機溶剤を効率よく除去することができる。 Further, by drying fluid consisting inert gas is injected into the target substrate can be removed efficiently organic solvent remaining on the substrate to be processed.

請求項5記載の発明によれば、有機溶剤に、イソプロピルアルコール、ジアセトンアルコール、1−メトキシ−2−プロパノール、エチル・グリコール、1−プロパノール、2−プロパノール、テトラヒドロフランからなる群から選択される少なくとも1種を使用することにより、それぞれの溶剤の特徴を生かして、良好な被処理基板の処理を行うことができる。 According to the invention of claim 5, wherein at least an organic solvent, isopropyl alcohol, diacetone alcohol, 1-methoxy-2-propanol, ethyl glycol, 1-propanol, 2-propanol, is selected from the group consisting of tetrahydrofuran by using one, by utilizing the characteristics of each solvent, it is possible to perform the processing of a good target substrate.

請求項6〜9に記載の発明によれば、前記請求項1〜5に記載の効果に加えて、被処理基板の外周縁、いわゆるエッジ部分の水滴をも有効に除去することができるようになる。 According to the invention described in claim 6 to 9, wherein in addition to the effects according to claims 1 to 5, so that it can be removed effectively even the water droplets of the outer peripheral edge, so the edge portion of the substrate Become.

請求項10〜14に記載の発明によれば、乾燥流体を被処理基板の表面及び/又は裏面、及び被処理基板の外周縁からも被処理基板の表面及び/又は裏面へ吹き付けることにより、被処理基板の表面及び/又は裏面、及び被処理基板の外周縁の処理、更に外周縁からの被処理基板の表面及び/又は裏面の処理が可能になる。 According to the invention described in claim 10 to 14, by spraying dry fluid to the surface and / or back surface of the substrate from the surface and / or rear surface and the outer peripheral edge of the substrate of the target substrate, the surface and / or back surface of the substrate, and processing of the outer peripheral edge of the substrate, allowing the surface and / or back surface of the processing of the substrate from further peripheral edge. これらの処理によって、前記請求項1〜9に記載の効果を奏することができる。 These processes can achieve the effects described in the claims 1-9.

請求項15〜19に記載の発明によれば、前記請求項1〜5の基板処理法を実施し得る基板処理装置が提供される。 According to the invention described in claim 15 to 19, the substrate processing apparatus is provided that may implement the substrate processing method of the claims 1-5.

請求項20〜26に記載の発明によれば、前記請求項6〜9の基板処理法を実施し得る基板処理装置が提供される。 According to the invention described in claim 20 to 26, the substrate processing apparatus is provided that may implement the substrate processing method of claim 6 to 9.

請求項21〜34に記載の発明によれば、前記請求項10〜14の基板処理法を実施し得る基板処理装置が提供される。 According to the invention described in claim 21 to 34, the substrate processing apparatus is provided that may implement the substrate processing method of claim 10 to 14.

以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の実施形態を説明する。 Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, illustrating the best mode for carrying out the present invention. 但し、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための基板処理法及び基板処理装置を例示するものであって、本発明をこれらに特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものも等しく適用し得るものである。 However, embodiments described below are intended to illustrate a substrate processing method and a substrate processing apparatus for embodying the technical idea of ​​the present invention, rather than the present invention is intended to identify these, it is capable of applying equally as other embodiments within the scope of the appended claims.

図1は本発明の実施例1の基板処理装置を配管図と共に示した概要図、図2は図1の処理室に設置される基板保持回転機構及び噴射ノズルを示す拡大正面図である。 Figure 1 is an example schematic diagram illustrating a substrate processing apparatus with the piping diagram of 1, 2 is an enlarged front view showing the substrate holding and rotating mechanism and the injection nozzle is installed in the processing chamber 1 of the present invention.

基板処理装置10は、図1に示すように、半導体ウェーハ、液晶表示装置用基板、記録ディスク用基板、或いはマスク用基板等の各種基板(以下、ウェーハという)Wの処理を行う処理室20と、この処理室20に乾燥流体を供給する乾燥流体供給部40とから構成されている。 The substrate processing apparatus 10, as shown in FIG. 1, a semiconductor wafer, a liquid crystal display device substrate, a substrate for a recording disc, or various substrates such as a substrate for a mask (hereinafter, the wafer hereinafter) and the processing chamber 20 for processing W , and a drying fluid supply unit 40 for supplying a dry fluid to the processing chamber 20. なお、この基板処理装置10には、上記の乾燥流体供給部の他に、処理室20に各種薬液及びリンス液を供給してウェーハWを処理及び洗浄を行う処理部及び洗浄部、並びに薬液及びリンス液供給処部が設けられているが、これらは既に公知のものを使用するので、これらは省略されている。 Note that this substrate processing apparatus 10, in addition to the above drying fluid supply unit, the processing unit and the cleaning unit performs processing and cleaning the wafer W by supplying the chemical liquids and a rinsing liquid into the processing chamber 20, as well as chemical and While rinsing liquid supply processing unit is provided, since they are already using a known, these have been omitted.

処理室20は、細長な密閉された小室、いわゆるチャンバからなり、このチャンバ20内には、ウェーハWをほぼ水平に保持し回転させるターンテーブル31と、ウェーハWに乾燥流体を吹き付ける噴射ノズル35が収容されている。 Processing chamber 20, chamber was elongated closed, made from a so-called chamber, this chamber 20, a turntable 31 for holding and rotating the wafer W substantially horizontally, the injection nozzle 35 to blow dry fluid to the wafer W is It is housed. チャンバ20は、複数本の支柱22 、22 に支えられ、所定の高さに設置されている。 Chamber 20, supported by struts 22 1, 22 2 of a plurality of, is installed at a predetermined height.
チャンバ20は、空調設備(図示省略)に連結され、吸気口23から清浄な空気が供給され、排気口24からチャンバ20内の空気を適宜排出することでチャンバ20内は空調されている。 Chamber 20 is connected to the air conditioning equipment (not shown), clean air is supplied, the chamber 20 in the air in the chamber 20 from the exhaust port 24 by appropriately discharging is conditioned from the air inlet 23. また、排気口24から排出される排気等は、排気処理設備に送られて処理される。 The exhaust or the like to be exhausted from the exhaust port 24 is processed is sent to the exhaust processing facility.
チャンバ20の底部には、複数個の排出口22 、22 が形成され、各排出口22 、22 は、排出管22 により廃液処理設備(図示省略)に接続され、使用済みの各種処理液等はこの廃液処理設備で処理される。 The bottom of the chamber 20, a plurality of discharge ports 22 1, 22 2 are formed, each of the discharge ports 22 1, 22 2 is connected to a waste treatment facility (not shown) by a discharge pipe 22 3, the used Each processing solution or the like is processed in the waste treatment facility.

ターンテーブル31には、その上面に複数本のチャックピン31 〜31 が立設され、各チャックピン31 〜31 には、その先端にウェーハWを保持する保持部31' 〜31' が形成されている。 The turntable 31, the chuck pins 31 1-31 n a plurality of is erected on the upper surface thereof, each chuck pins 31 1-31 n, holder 31 '1-31 for holding the wafer W at its front end 'n is formed.
また、ターンテーブル31の裏面の中心部は、回転軸32に固定され、この回転軸32には、例えばモータなどの回転駆動部34 が結合され、回転軸32は回転駆動部34 により回転される。 The rotation center of the back surface of the turntable 31 is fixed to the rotary shaft 32, the rotary shaft 32, for example, the rotary drive unit 34 1 such as a motor is coupled, the rotary shaft 32 by the rotational driving unit 34 1 It is. したがって、回転駆動部34 からの駆動力により回転軸32が回転すると、ターンテーブル31が所定方向へ回転し、複数本のピン31 〜31 で保持されたウェーハWが水平面内で回転する。 Therefore, when the rotation shaft 32 by the driving force from the rotary drive unit 34 1 is rotated, the turntable 31 is rotated in a predetermined direction, the wafer W held by a pin 31 1 to 31 n of the plurality of rotate in a horizontal plane .

噴射ノズル39は、昇降・回動機構35に付設されている。 The injection nozzle 39 is attached to the lifting-pivoting mechanism 35. 昇降・回動機構35は、ターンテーブル31の外側に鉛直方向に沿って設けられた支持軸36と、支持軸36を上下動させるための昇降駆動部34 と、支持軸36の上端から水平方向に延びた腕部37とからなる。 Lifting-pivoting mechanism 35 includes a support shaft 36 provided along the vertical direction on the outside of the turntable 31, the elevation drive unit 34 2 for vertically moving the support shaft 36, horizontally from the upper end of the support shaft 36 consisting arms 37. extending direction.

腕部37は、複数本の配管を収納できる容積を有するダクトで形成され、このダクト内に、乾燥流体を供給する配管38が収納され、この配管38の先端部に噴射ノズル39が結合されている。 Arms 37 are formed by a duct having a volume which can hold a plurality of pipes, in this duct, pipe 38 for supplying the drying fluid is accommodated, is coupled the injection nozzle 39 to the distal end portion of the pipe 38 there.
噴射ノズル39は、ウェーハの乾燥工程時にウェーハWのほぼ中心部の真上へ移動され、ウェーハWとの距離が調節されるが、この際の調節は、昇降・回動機構35により行われる。 The injection nozzle 39 is substantially moved to right above the center of the wafer W when the wafer drying process, the distance between the wafer W is adjusted, regulated in this case, is performed by lifting-pivoting mechanism 35. その調節は、支持軸36を回動させて、噴射ノズル39をウェーハWのほぼ中心位置の真上の位置に来るよう調節し、次いで、昇降駆動部34 により噴射ノズル39を上下動させて、ウェーハWとの距離を調節する。 Its regulation, the support shaft 36 is rotated, the injection nozzle 39 was adjusted so as to come into position substantially directly above the center position of the wafer W, then the injection nozzle 39 is moved up and down by the elevation drive unit 34 2 , to adjust the distance between the wafer W. ちなみに、噴射ノズル39は、ウェーハWの中心部の真上だけでなく、ウェーハW表面の何れの箇所へも移動できるようにし、ウェーハW表面の何れの箇所からも乾燥流体を吹き付けられるようにすることが好ましい。 Incidentally, the injection nozzle 39 is not only just above the center of the wafer W, even to be moved to any position of the wafer W surface, also to be blown dry fluid from any position of the wafer W surface it is preferable.

乾燥流体供給部40は、サブミクロンサイズのミストを含む乾燥流体を発生させる蒸気発生槽45と、蒸気発生槽45内の有機溶剤を加熱する加熱槽(ウォーターバス)46と、蒸気発生槽45に有機溶剤を供給する有機溶剤供給源43と、蒸気発生槽45に貯留された有機溶剤に気泡を発生(バブリング)させる不活性ガス供給源42と、噴射ノズル39へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給源41とから構成されている。 Dry fluid supply 40 includes a steam generating vessel 45 for generating a dry fluid containing sub-micron size mist, the heating bath (water bath) 46 for heating the organic solvent in the vapor generating bath 45, the vapor generating bath 45 the organic solvent supply source 43 for supplying an organic solvent, an inert gas supply source 42 for generating a bubble in an organic solvent that is stored in the vapor generating bath 45 (bubbling), supplying an inert gas to the injection nozzle 39 inactive and a gas supply source 41..

有機溶剤には、ウェーハWの表面に付着する水滴に容易に浸透し、水滴の表面張力を低下させる有機溶剤、例えばイソプロピルアルコール(IPA)が使用される。 The organic solvent to easily penetrate the water droplets adhering to the surface of the wafer W, the organic solvent to reduce the surface tension of the water droplet, for example, isopropyl alcohol (IPA) is used. また、有機溶剤は、このIPAの他に、ジアセトンアルコール、1−メトキシ−2−プロパノール、エチル・グリコール、1−プロパノール、2−プロパノール、テトラヒドロフラン等の有機化合物からなる群から適宜選択して使用される。 Further, organic solvents, in addition to the IPA, diacetone alcohol, 1-methoxy-2-propanol, ethyl glycol, 1-propanol, 2-propanol, appropriately selected from the group consisting of organic compounds such as tetrahydrofuran using It is.
不活性ガスには、安価な窒素ガスN が使用されるが、この窒素ガスN の他に、アルゴン、ヘリウム等を適宜選択して使用してもよい。 The inert gas, but inexpensive nitrogen gas N 2 is used, in addition to the nitrogen gas N 2, argon, helium or the like may be used appropriately selected and.

蒸気発生槽45及び不活性ガス供給源41は、処理室20に配管で接続される。 Vapor generating bath 45 and the inert gas supply source 41 is connected by a pipe to the processing chamber 20. 蒸気発生槽45と処理室20内の噴射ノズル39とは、途中にバルブV を挿入して配管41 、41 により接続され、また、不活性ガス供給源41と処理室20内の噴射ノズル39とは、途中にバルブV を挿入して配管41 、41 により接続される。 The vapor generating tank 45 and the injection nozzle 39 in the processing chamber 20, middle insert the valve V 2 are connected by a pipe 41 2, 41 3, also the injection of the processing chamber 20 and the inert gas supply source 41 the nozzle 39, is the way to connect the valve V 1 pipe 41 1 by inserting, 41 2. 各配管41 〜41 は、外周面にヒータ41 が付設され、各配管を通る乾燥流体を保温し、蒸気発生槽45及び不活性ガス供給源41から供給される乾燥流体等の温度が低下しないようにする。 Each pipe 41 1-41 3 is attached heater 41 H is an outer peripheral surface, and kept dry fluid through the pipes, the temperature of such drying fluid supplied from the vapor generating bath 45 and the inert gas supply source 41 so as not to decrease. また、各噴射ノズル39にもヒータ(図示省略)が付設されている。 The heater (not shown) is attached to each injection nozzle 39. また、不活性ガス供給源42から蒸気発生槽45へ供給される不活性ガスは、調節弁Pによって調節され、また、蒸気発生槽45内の温度制御は、制御装置T(レギュレータ、温度センサ)によって行われる。 Further, the inert gas supplied from the inert gas supply source 42 to the steam generating vessel 45 is regulated by control valve P, also, the temperature control of the steam generating vessel 45, the control unit T (regulator, temperature sensor) It is carried out by.

サブミクロンサイズのミストを含む乾燥流体の生成は、先ず、有機溶剤供給源43から蒸気発生槽45内へ有機溶剤、例えばIPAを供給し貯留する。 Generation of dry fluid containing sub-micron size mist, first, an organic solvent, for example, to supply IPA reservoir from the organic solvent supply source 43 into the steam generator vessel 45. 貯留されたIPAは、蒸気発生槽45内で、加熱槽46に貯えられた温水によって加熱される。 Pooled IPA is in the vapor generating bath 45 is heated by hot water stored in the heating tank 46. 次いで、蒸気発生槽45に不活性ガス供給源42から不活性ガス、例えば窒素ガスN を供給し、貯留され加熱されたIPA内に気泡を発生(バブリング)させる。 Then, the inert gas from the inert gas supply source 42 to the vapor generating bath 45, and supplies such as nitrogen gas N 2, causes a bubble in the reservoir is heated in IPA (bubbling). このとき、IPAは、約50℃に加熱される。 At this time, IPA is heated to about 50 ° C.. この温度の加熱により、蒸気発生槽45からサブミクロンサイズのミストを含むIPA蒸気が生成される。 The heating of the temperature, the IPA vapor containing submicron mist from the vapor generating bath 45 is generated. 生成されたIPA蒸気は、保温された配管を通り、処理室20へ供給される。 IPA vapor produced passes through the heat insulation by piping, it is supplied into the processing chamber 20. このとき、配管はサブミクロンサイズのミストが凝集しないように約80℃に保温されている。 In this case, the pipe is maintained at about 80 ° C. As submicron mist do not agglomerate.

以下、図1〜4を参照し、上記基板処理装置を用いウェーハWの乾燥工程を説明する。 Hereinafter, with reference to FIGS. 1-4, illustrating the drying step of the wafer W using the substrate processing apparatus.
図3は乾燥流体の供給時間を示したタイミングチャート、図4は乾燥プロセスを模式的に示した説明図であって、同図(a)はリンス液によって洗浄した直後のウェーハの表面状態を示した図、同図(b)は乾燥流体が吹き付けられたときのウェーハの表面状態を示した図、同図(c)は不活性ガスが吹き付けられたときのウェーハの表面状態を示した図である。 Figure 3 is a timing chart showing the supply time of the drying fluid, FIG. 4 is an explanatory view showing a drying process schematically, FIG. (A) shows the surface state of the wafer immediately after washing by rinsing liquid and FIGS, FIG (b) is a diagram showing the surface state of the wafer when the drying fluid is blown, FIG (c) is a diagram showing the surface state of the wafer when the inert gas is blown is there.

先ず、ウェーハWを図示しない搬送ロボットによって搬送し、チャックピン31 〜31 の保持部31' 〜31' で保持し、回転駆動部34 を作動させて、ターンテーブル31を回転させる。 First, transported by a transport robot (not shown) of the wafer W, held by the chuck pins 31 1 to 31 n of the holding unit 31 '2 to 31' n, by operating the rotational driving unit 34 1, the turntable is rotated 31 .

次いで、公知の処理装置(図示省略)を用い、回転しているウェーハW表面に各種薬液を供給して薬液処理し、その後、ウェーハWをリンス液で洗浄する。 Then, using a known processing unit (not shown), and supplies various chemical and chemical treatment on the wafer W surface of the rotating, then washing the wafer W with a rinsing liquid.

上記工程を所定回数行ったのちに、ウェーハWの乾燥工程へ移行する。 The process after performing a predetermined number of times, the process proceeds to the wafer W for drying.
この乾燥工程は、先ず昇降・回動駆動部35を作動させて、噴射ノズル39をウェーハWのほぼ中心部の真上に移動させ、ウェーハWとの距離を所定距離に調整する。 The drying step, first the lifting-rotation drive unit 35 is operated, the injection nozzle 39 is moved right above the approximate center portion of the wafer W, to adjust the distance between the wafer W to a predetermined distance. 次いで、回転駆動部34 を作動させて、回転軸32に連結されたターンテーブル31をウェーハWと共に回転させる。 Then, by operating the rotational driving unit 34 1, the turntable is rotated 31 connected to the rotary shaft 32 together with the wafer W. その後、噴射ノズル39から回転するウェーハWへ乾燥流体を噴射する。 Thereafter, injecting a dry fluid to the wafer W rotating from the injection nozzle 39.

このとき乾燥流体は、2種類の乾燥流体を用い、これらの乾燥流体を乾燥流体供給部40から噴射ノズル39へ供給し、この噴射ノズル39からウェーハWに噴射する。 In this case drying fluid using two types of dry fluid, these dry fluid is supplied from the drying fluid supply 40 to the injection nozzle 39 is injected from the injection nozzle 39 to the wafer W. この2種類の乾燥流体の切り換えは、図3(a)に示すタイミングにより行うときは、先ず各バルブV 、V を開き、蒸気発生槽45で生成されたサブミクロンサイズのミストを含むIPAミストと、不活性ガス供給源41からの窒素ガスとを混合した混合ガスを噴射ノズル39に供給し、この噴射ノズル39からウェーハWへ吹き付ける。 IPA switching of the two drying fluid, when performed by the timing shown in FIG. 3 (a), opens the valves V 1, V 2 first, including sub-micron sized mist generated by the vapor generating bath 45 and the mist and the combined gas mixture and nitrogen gas was supplied to the injection nozzle 39 from the inert gas supply source 41 is blown from the injection nozzle 39 to the wafer W.

このときの作用を詳しく説明すると、純水によって洗浄された直後のウェーハWの表面には、図4(a)に示すように、複数個の水滴w が付着しているが、混合ガスmの吹き付けによりこの混合ガスmに含まれているIPAミストがウェーハW表面の水滴w に浸透し、水滴w の表面張力を低下させる。 In more detail the effect of this time, the surface of the wafer W immediately after being washed with pure water, as shown in FIG. 4 (a), although a plurality of water droplets w 0 is attached, mixed gas m IPA mist contained in the gas mixture m penetrates the water droplets w 0 of the wafer W surface, reduce the surface tension of the water droplet w 0 by spraying. 従って、このIPAミストの浸透により、水滴w は偏平状態になると共に、この水滴にIPAミストが凝縮される。 Therefore, the penetration of the IPA mist, with water droplets w 0 becomes flat state, IPA mist is condensed to the water droplets. 更に、表面張力の低下した水滴w は、混合ガスの吹き付け、及びウェーハWの回転による遠心力によって、平型噴射ノズルの外部に吹飛ばされ除去される。 Moreover, water droplets w 0 of reduced surface tension, blowing a mixed gas, and by centrifugal force due to the rotation of the wafer W, blown off to the outside of the flat jet nozzle is removed. (図4(b)参照。)。 (See FIG. 4 (b).).

この混合ガスmの供給を所定時間T した後に、バルブV を閉じて混合ガスmの供給を止め、不活性ガス供給源41から噴射ノズル39へ加熱された窒素ガスnを供給し、ウェーハWに所定時間T 吹き付ける。 The supply of the mixed gas m after a predetermined time T 1, stopping the supply of the mixed gas m closes the valve V 2, supplying nitrogen gas n, which is heated from the inert gas supply source 41 to the injection nozzle 39, the wafer a predetermined period of time T 2 blown to the W. このとき、既にウェーハ表面には水滴w はほとんど吹飛ばされ、ウェーハ表面にはIPAミストが凝縮した薄いIPA液膜が残っているのみであるので、この工程によりウェーハ表面に残った薄いIPA液膜を吹飛ばす、あるいは気化させるようにし、ウェーハ表面の処理を終了する。 At this time, already on the wafer surface water droplets w 0 is almost blown off, since the wafer surface only remain thin IPA liquid film IPA mist condenses, thin IPA liquid remaining on the wafer surface by this process blow film, or to vaporize, and ends the processing of the wafer surface. (図4(c)参照。)。 (See FIG. 4 (c).).

また、2種類の乾燥流体の切り換えは、図3(b)に示すタイミングで行ってもよい。 Further, switching of the two drying fluid may be performed at the timing shown in FIG. 3 (b). すなわち、先ず、不活性ガス供給源41から不活性ガス(窒素ガス)の供給を所定時間t 継続したのちに、サブミクロンサイズのミストを含むIPAミストと窒素ガスとを配管内41 、41 で混合した混合ガスを噴射ノズル39に供給する。 That is, first, supplied to the after a predetermined time t 1 continues inert gas from the inert gas supply source 41 (nitrogen gas), IPA mist nitrogen gas and the pipe 41 2 containing submicron mist 41 the combined gas mixture with 3 to be supplied to the injection nozzle 39. 次に、この混合ガスの供給を所定時間t 継続したのちに、IPAミストの供給を中止し、再び不活性ガスのみを所定時間t 供給する。 Then, the supply of the mixed gas after the predetermined time t 2 continues, stops supply of the IPA mist, the predetermined time t 3 supplies only inert gas again. ちなみに不活性ガス及び混合ガスの切り換え供給は、各バルブV 、V の開閉によって行われる。 Incidentally switching supply of the inert gas and the mixed gas is performed by opening and closing the respective valves V 1, V 2.

図3(b)に示すタイミングにより乾燥工程を行った場合、基板上に付着した水滴w の内、比較的大きな水滴を混合ガスにより置換する前に吹飛ばすことができるため、より効率の良い乾燥を行うことができるようになる。 When performing the drying process by the timing shown in FIG. 3 (b), of the water droplets w 0 deposited on a substrate, it is possible to blow away before replacing the gas mixture relatively large water droplets, good more efficient it is possible to perform the drying.

<実験例> <Experimental Example>
前記乾燥工程におけるウェーハの品質を確認するために、以下の条件により実験を行った。 To ensure the quality of the wafer in the drying step, an experiment was performed under the following conditions.
ウェーハWに直径8インチ(約20cm)のものを使用し、IPAを50℃に加熱し、この加熱したIPAに窒素ガスを流量40L/minで供給してバブリングし、混合ガスを生成した。 Use a wafer W having a diameter of 8 inches (about 20 cm), heating the IPA to 50 ° C., the nitrogen gas in the heated IPA bubbled supplied at a flow rate 40L / min, to produce a mixed gas. 計測の結果、生成された混合ガスにはサブミクロンサイズのIPAミストが含まれていることを確認した。 Results of the measurement, the generated mixed gas was confirmed that contain IPA mist submicron size. また、配管の温度は、サブミクロンサイズのミストが凝集しないように、約80℃に設定した。 The temperature of the pipe, as sub-micron size mist do not agglomerate, was set at about 80 ° C..

先ず、ターンテーブルを200rpmで回転させて、ウェーハWの表面に純水を15sec間供給してウェーハWの洗浄を行った。 First, by rotating the turntable at 200 rpm, it was cleaned of wafer W by supplying between 15sec pure water on the surface of the wafer W. その後、ターンテーブルの回転数を500rpmに上げ、ウェーハWの表面に付着している水滴を除去するために、窒素ガスを5秒間吹き付けて、水滴を吹き飛ばした。 Thereafter, increasing the rotation speed of the turntable 500 rpm, in order to remove water droplets adhering to the surface of the wafer W, by blowing nitrogen gas for 5 seconds, it blew water droplets.
次いで、IPAミストを含む混合ガスを40L/secの流量でウェーハWの表面に30秒間吹き付けた。 Then sprayed for 30 seconds on the surface of the wafer W at a flow rate of mixed gas 40L / sec containing IPA mist. その後、混合ガスの吹き付けを止め、窒素ガスを20秒間吹き付け、ウェーハWの表面処理を終了した。 Then, stop the blowing of the mixed gas, a nitrogen gas blown for 20 seconds to complete the surface treatment of the wafer W.

そこで、ウェーハ表面の水滴付着状況を調べたところ、水滴の残留は発見できなかった。 Therefore, were examined water droplet adhesion state of the wafer surface, the residual water drops could not be found.
このIPAミストを用いた乾燥流体は、500rpmの低速回転でウェーハから水滴を除去できることが確認できた。 Dry fluid using the IPA mist were confirmed to be removing water droplets from the wafer at a low speed rotation of 500 rpm. この結果、この基板処理装置では、低速回転であってもウェーハの良好な乾燥処理ができるので、IPAが引火することもなくなり、つまり防爆設備も不要になり、安価な装置で高品質の乾燥処理を行うことができる。 As a result, in the substrate processing apparatus, since it is good drying treatment of the wafer even at a low speed rotation, also eliminates the IPA is flammable, i.e. an explosion-proof facility becomes unnecessary, high-quality drying at inexpensive apparatus It can be performed.

図5は本発明の実施例2の基板処理装置を配管図と共に示した概要図、図6は図5の処理室に設置される基板保持回転機構及び噴射ノズルを示す拡大正面図である。 Figure 5 is a second embodiment of a substrate processing apparatus schematic drawing showing with piping diagram, FIG. 6 is an enlarged front view showing the substrate holding and rotating mechanism and the injection nozzle is installed in the processing chamber of Figure 5 of the present invention. この基板処理装置10Aは、ウェーハWの裏面をも処理できるようにした点が上記の基板処理装置10と異なる。 The substrate processing apparatus 10A, points to be able to process also the backside of the wafer W differs from the substrate processing apparatus 10 described above. したがって、その他の構成は同じであるので、両者に共通する部分の構成の説明を省略し、異なる構成についてのみ説明する。 Thus, since the other configurations are the same, not described in the configuration of the parts common to both will be described only different configurations.

ウェーハWの裏面を処理するために、ウェーハWの裏面のほぼ中央部にも噴射ノズル39 を設ける。 To process the rear surface of the wafer W, even providing the injection nozzle 39 1 in a substantially central portion of the rear surface of the wafer W. この噴射ノズル39 は、回転軸32の頂部に設けられる。 The injection nozzle 39 1 is provided on top of the rotary shaft 32. 頂部に設けた噴射ノズル39 は、回転軸32の内部を通って、配管41 に接続される。 Injection nozzles 39 1 formed in the top portion, through the inside of the rotary shaft 32, is connected to the pipe 41 4. 噴射ノズル39 にはヒータ(図示省略)が付設され、さらに配管41 にもヒータ41 が付設され、配管41 及び噴射ノズル39 を通過する乾燥流体が保温される。 The injection nozzle 39 1 is attached a heater (not shown), is further attached a heater 41 H is also in the pipe 41 4, drying fluid passing through the pipe 41 H and the injection nozzle 39 1 is kept warm. なお、噴射ノズル39 とほぼ同じところに、薬液及びリンス液を噴射する噴射ノズルが設けられ、これらの噴射ノズルから薬液及びリンス液を噴射してウェーハW裏面の処理が行われるが、この裏面処理については、公知の方法で行うため、その説明は省略されている。 Incidentally, substantially the same place as the injection nozzle 39 1, the injection nozzle is provided for injecting the chemical solution and rinse solution, the processing of the wafer W back surface by injecting a chemical liquid and the rinse liquid from these spray nozzles is performed, the back surface for treatment, for performing a known method, description thereof is omitted.

薬液及びリンス液によってウェーハW裏面の洗浄を終了したのち、噴射ノズル39に乾燥流体が配管41 を通して供給されると同時に噴射ノズル39 に乾燥流体が配管41 を通して供給され、噴射ノズル39 からIPAミストを含む乾燥流体を噴射し、ウェーハW裏面の乾燥処理をウェーハ表面の処理と同時に行う。 After completing the cleaning of the wafer W back surface by chemical and the rinse liquid, dry fluid to the injection nozzle 39 is drying fluid at the same time the injection nozzle 39 1 when supplied is supplied through the pipe 41 4 through the pipe 41 2, the injection nozzle 39 1 from injecting dry fluid containing IPA mist, a drying process is performed for the wafer W back surface simultaneously with the processing of the wafer surface. なお、ウェーハWから水滴を除去する処理はウェーハW表面の処理と同じであり、重複するのでその説明は省略する。 The process of removing water droplets from the wafer W is the same as the processing of the wafer W surface, and a description thereof will be omitted overlap.

図7は本発明の実施例3の基板処理装置を配管図と共に示した概要図、図8は図7の処理室に設置される基板保持回転機構及び噴射ノズルを示す拡大正面図、図9は側部に設ける噴射ノズルを複数個設けた場合の平面図である。 Figure 7 is schematic view of the substrate processing apparatus shown together with piping diagram of a third embodiment of the present invention, FIG 8 is an enlarged front view showing a substrate holding and rotating mechanism and the injection nozzle is installed in the processing chamber of Figure 7, Figure 9 is it is a plan view of a case of providing a plurality of injection nozzles provided in the side.
上記基板処理装置10、10Aは、何れもウェーハWの表面及び/又は裏面の乾燥処理を行う装置であるが、ウェーハWの外周縁、いわゆるエッジ部分から乾燥流体を吹き付けることによっても、乾燥処理ができる。 The substrate processing apparatus 10,10A are invariably a device for performing a surface and / or back surface of the drying process of the wafers W, the outer peripheral edge of the wafer W, by blowing drying fluid from a so-called edge portions, drying process it can.
基板処理装置10Bは、ウェーハWの外エッジ部分から処理できるようにした装置である。 The substrate processing apparatus 10B is an apparatus that can be processed from the outside edge portion of the wafer W. なお、この基板処理装置10Bは、処理室20、乾燥流体供給部40等の構成は、基板処理装置10、10Aと同じであるので、共通する部分の説明を省略し、異なる構成についてのみ説明する。 Incidentally, the substrate processing apparatus 10B includes a processing chamber 20, the configuration of such dry fluid supply unit 40 are the same as the substrate processing apparatus 10, 10A, omitting the description of common portions will be described only different configurations .

この基板処理装置10Bは、ウェーハWの外周縁に近接した位置に噴射ノズル39 を配設することによって、エッジ部分からウェーハWのエッジ部分、並びにウェーハWの表面及び/又は裏面の処理を行うようにしたものである。 The substrate processing apparatus 10B is performed by arranging the injection nozzle 39 2 at a position near the outer peripheral edge of the wafer W, the edge portion of the wafer W from the edge portion, as well as the surface and / or back surface of the processing of the wafer W it is obtained by way.
この噴射ノズル39 は、ターンテーブル31の上にほぼ水平に保持されたウェーハWのほぼ中心部を通る水平線上にあって、ウェーハのエッジ部分に近接して設けられる。 The injection nozzle 39 2, be on a horizontal line passing through approximately the center portion of the wafer W, which is substantially horizontally held on a turntable 31 provided in close proximity to an edge portion of the wafer.

また噴射ノズル39 は、1個乃至複数個がエッジ部分に近接して設けられる。 The injection nozzle 39 2, one or a plurality are provided in proximity to the edge portion. その配置は、噴射ノズルが1個の場合は、ほぼ水平に保持されたウェーハWのほぼ中心部を通る水平線上にあって、エッジ部分に近接して設けられる。 The arrangement is, if the injection nozzle is one, be on a horizontal line passing through approximately the center portion of the wafer W, which is substantially horizontally held, provided in close proximity to the edge portion. 複数個の場合は、図9に示すように複数個の噴射ノズル39 21 、39 22 、39 23が、ウェーハWの外周縁にそれぞれ設けられる。 If a plurality, the plurality of injection nozzles 39 21, 39 22, 39 23 as shown in FIG. 9, respectively provided on the outer peripheral edge of the wafer W. 複数個の噴射ノズル39 21 、39 22 、39 23は、1箇所に纏めて配設することが好ましい。 A plurality of injection nozzles 39 21, 39 22, 39 23, it is preferable to arrange collectively in one place. この1箇所に纏めて配設する際に、第1の噴射ノズル39 21は、ウェーハWのほぼ中心部を通る水平線上に、第2、第3の噴射ノズル39 22 、39 23は、第1の噴射ノズル39 21を基準にして、ウェーハWの回転方向と逆方向に所定の間隔を空けて隣接して設けられる。 When arranged together in the one position, the first injection nozzle 39 21, on a horizontal line passing through approximately the center portion of the wafer W, the second, third injection nozzle 39 22, 39 23, first and the injection nozzle 39 21 as a reference, is provided adjacent at predetermined intervals in a direction opposite to the rotation direction of the wafer W.

また、複数個の噴射ノズル39 21 、39 22 、39 23は、それぞれの噴射口の長さを変えて、ウェーハWの外周縁との距離が等しくなるようにすることが好ましく、各噴射ノズル39 21 、39 22 、39 23には、扇形に噴射する扇形噴射ノズルが使用される。 Further, a plurality of injection nozzles 39 21, 39 22, 39 23, by changing the length of each injection port, it is preferable that as the distance between the outer peripheral edge of the wafer W are equal, each injection nozzle 39 21, the 39 22, 39 23, fan jet nozzle for ejecting a fan is used.

薬液及びリンス液によってウェーハWの表面及び/又は裏面の洗浄を終了したのち、噴射ノズル39 に乾燥流体が配管41 を通して供給され、噴射ノズル39 からIPAミストを含む乾燥流体を噴射し、ウェーハWの外周縁の乾燥処理を行う。 After completion of the surface and / or back surface of the cleaning of the wafer W by the chemical and the rinse liquid, 2 to dry fluid injection nozzle 39 is supplied through a pipe 41 3, and inject dry fluid containing IPA mist from the injection nozzle 39 2, performing a drying treatment of the outer peripheral edge of the wafer W. この際、噴射ノズル39 の取付け位置及び取り付け方向を動かすことによって、ウェーハWの表面及び/又は裏面の乾燥処理も行うことができる。 At this time, by moving the mounting position and mounting direction of the injection nozzle 39 2, drying of the surface and / or back surface of the wafer W can be performed. なお、ウェーハWから水滴を除去する処理は、ウェーハW表面の処理と同じであり、重複するのでその説明は省略する。 The process of removing water droplets from the wafer W is the same as the processing of the wafer W surface, and a description thereof will be omitted overlap.

図10は本発明の実施例4の基板処理装置を配管図と共に示した概要図、図11は図10の処理室に設置される基板保持回転機構及び噴射ノズルを示す拡大正面図である。 Figure 10 is schematic view of a substrate processing apparatus of the fourth embodiment of the present invention shown with piping diagram, FIG. 11 is an enlarged front view showing a substrate holding and rotating mechanism and the injection nozzle is installed in the processing chamber of Figure 10.
この基板処理装置10Cは、ウェーハWの表面及び外周縁、いわゆるエッジ部分を処理できるようにした点が特徴がある。 The substrate processing apparatus 10C, the surface and the outer peripheral edge of the wafer W, the point was to handle so-called edge portion is characterized. したがって、その他の構成は同じであるので、両者に共通する部分の説明を省略し、異なる構成についてのみ説明する。 Thus, since the other configurations are the same, is omitted description of parts common to both will be described only different configurations.
基板処理装置10cは、ウェーハWの上方部に、例えば実施例1で用いた噴射ノズル39が設けられ、更に外周縁に近接した位置に噴射ノズル39 が配設される。 The substrate processing apparatus 10c is in the upper part of the wafer W, for example, is provided an injection nozzle 39 used in Example 1, it is the injection nozzle 39 2 disposed further close to the outer periphery position.
噴射ノズル39、39 の設置は、実施例1、2の噴射ノズル39、39 の取付けと同じである。 Installation of the injection nozzle 39, 39 2 is the same as the attachment of the injection nozzle 39, 39 2 of Examples 1 and 2.

薬液及びリンス液によってウェーハWの表面及び/又は裏面の洗浄を終了したのち、各噴射ノズル39、39 に乾燥流体が配管41 を通して供給され、各噴射ノズル39、39 からIPAミストを含む乾燥流体を噴射し、ウェーハWの外周縁の乾燥処理を行う。 After completion of the surface and / or back surface of the cleaning of the wafer W by the chemical and the rinse liquid, the injection nozzle 39, 39 2 to the drying fluid is supplied through a pipe 41 3, including IPA mist from the injection nozzle 39, 39 2 the dry fluid injected, the drying process of the outer peripheral edge of the wafer W. この際、噴射ノズル39 の取付け位置及び取り付け方向を動かすことによって、ウェーハWの表面及び/又は裏面の乾燥処理も行うことができる。 At this time, by moving the mounting position and mounting direction of the injection nozzle 39 2, drying of the surface and / or back surface of the wafer W can be performed. なお、ウェーハWから水滴を除去する処理は、ウェーハW表面の処理と同じであり、重複するのでその説明は省略する。 The process of removing water droplets from the wafer W is the same as the processing of the wafer W surface, and a description thereof will be omitted overlap.

図12は、本発明の実施例5の基板処理装置を配管図と共に示した概要図、図13は図12の処理室に設置される基板保持回転機構及び噴射ノズルを示す拡大正面図である。 Figure 12 is a schematic drawing showing with piping diagram of the substrate processing apparatus of the fifth embodiment of the present invention, FIG 13 is an enlarged front view showing a substrate holding and rotating mechanism and the injection nozzle is installed in the processing chamber of Figure 12.
この基板処理装置10Dは、基板上方、下方、及び外周縁の3方向に噴射ノズルが設けられた点が上述の実施例1〜4と異なり、他の構成については同様であるので、両者に共通する部分は共通の符号を付し、その詳細な説明については省略する。 This substrate processing apparatus 10D is different from the substrate upper, lower, and that the injection nozzle in the three directions of the outer peripheral edge is provided with Examples 1-4 above, is the same for other configurations, common to both portions are denoted by the same reference numerals for, detailed description thereof is omitted.

基板処理装置10Dは、ウェーハWのほぼ中央部の真上に位置する噴射ノズル39と、ウェーハWの裏面のほぼ中央部に位置する噴射ノズル39 と、ターンテーブル31上にほぼ水平に保持されたウェーハWのほぼ中心部を通る水平線上に位置する噴射ノズル39 とによって、基板の乾燥を行うようになっている。 The substrate processing apparatus 10D includes a jet nozzle 39 located just above the substantially central portion of the wafer W, and the injection nozzle 39 1 positioned substantially at the center of the back surface of the wafer W, held substantially horizontally on the turntable 31 by the injection nozzle 39 2 located on the horizontal line passing through the substantially central portion of the wafer W was, so as to dry the substrate.

この各噴射ノズル39、39 、39 の乾燥工程については、既に上で説明したものと同様であるため省略するが、このように3方向から乾燥流体が供給されるようになせば、ウェーハの表面、裏面、及び外周縁の各所の乾燥が良好に行われるようになり、より高精度のウェーハ乾燥を行うことができるようになる。 This each injection nozzle 39 1, 39 2 of the drying process, is already omitted because it is similar to that described above, if That raise as thus drying fluid from three directions is supplied, the wafer surface, back surface, and it looks like drying of various parts of the outer peripheral edge is performed well, it is possible to perform the wafer drying more accurate.

ちなみに上記実施例1〜5の他にも、例えばウェーハWの裏面に位置する噴射ノズル39 のみが備えられた基板処理装置や、ウェーハWの裏面に位置する噴射ノズル39 と、ターンテーブル31上にほぼ水平に保持されたウェーハWのほぼ中心部を通る水平線上に位置する噴射ノズル39 の2つが設けられた基板処理装置も適宜使用することができるが、ここではその説明が重複するため省略している。 Incidentally addition to the above Examples 1 to 5, for example, only the injection nozzle 39 1 located on the back surface of the wafer W is or the substrate processing apparatus provided, the injection nozzle 39 1 located on the back surface of the wafer W, the turntable 31 Although two of the injection nozzle 39 2 located on the horizontal line passing through the substantially central portion of the wafer W, which is substantially horizontally held can be used suitably also a substrate processing device provided above, where the explanation is duplicated It is omitted for.

更に、上記実施例5に記載の基板処理装置において、複数の噴射ノズル39、39 、39 に乾燥流体を供給する配管41 、41 、41 の途中にそれぞれバルブを設けるようにすれば、ウェーハの種類及び洗浄位置に応じて、適宜使用する噴射ノズルを変更することのできる基板処理装置を得ることができ、上記実施例1〜5に示した多種の処理をバルブの制御によってすべて行うことが可能な基板処理装置を提供することができる。 Further, in the substrate processing apparatus described in Example 5, by a plurality of jet nozzles 39 1, 39 2 pipe 41 2 for supplying drying fluid, the 41 4, 41 5 of the middle so that each providing a valve if, depending on the type and the cleaning position of the wafer, as appropriate injection nozzles used can be obtained a substrate processing apparatus capable of changing, a variety of processing shown in the above examples 1-5 all under the control of the valve it can be to provide a substrate processing apparatus capable of performing.

本発明の実施例1の基板処理装置を配管図と共に示した概要図 Schematic view of the substrate processing apparatus of the first embodiment of the present invention shown with piping diagram 図1の処理室に設置される基板保持回転機構及び噴射ノズルを示す拡大正面図 Enlarged front view showing a substrate holding and rotating mechanism and a jet nozzle installed in the process chamber 1 乾燥流体の供給時間を示したタイミングチャート Timing chart showing the time for supplying drying fluid 乾燥プロセスを模式的に示した説明図であって、同図(a)はリンス液によって洗浄した直後のウェーハの表面状態を示した図、同図(b)は乾燥流体が吹き付けられたときのウェーハの表面状態を示した図、同図(c)は不活性ガスが吹き付けられたときのウェーハの表面状態を示した図 The drying process is an explanatory view schematically showing, FIG (a) showed a surface state of the wafer immediately after washing by rinsing liquid drawing, FIG. (B) is when the drying fluid is blown illustrates the surface state of the wafer, FIG. (c) is a diagram showing the surface state of the wafer when the inert gas is blown 本発明の実施例2の基板処理装置を配管図と共に示した概要図 Schematic view of the substrate processing apparatus of the second embodiment of the present invention shown with piping diagram 図5の処理室に設置される基板保持回転機構及び噴射ノズルを示す拡大正面図 Enlarged front view showing a substrate holding and rotating mechanism and the injection nozzle is installed in the processing chamber of Figure 5 本発明の実施例3の基板処理装置を配管図と共に示した概要図 Schematic view of a substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention shown with piping diagram 図7の処理室に設置される基板保持回転機構及び噴射ノズルを示す拡大正面図 Enlarged front view showing a substrate holding and rotating mechanism and the injection nozzle is installed in the processing chamber of Figure 7 側部に設ける噴射ノズルを複数個設けた場合の平面図 Plan view of a case of providing a plurality of jet nozzles provided on the side 本発明の実施例4の基板処理装置を配管図と共に示した概要図 Schematic view of the substrate processing apparatus of the fourth embodiment of the present invention shown with piping diagram 図10の処理室に設置される基板保持回転機構及び噴射ノズルを示す拡大正面図 Enlarged front view showing a substrate holding and rotating mechanism and a jet nozzle installed in the process chamber of FIG. 10 本発明の実施例5の基板処理装置を配管図と共に示した概要図 Schematic view of the substrate processing apparatus of the fifth embodiment of the present invention shown with piping diagram 図12の処理室に設置される基板保持回転機構及び噴射ノズルを示す拡大正面図 Enlarged front view showing a substrate holding and rotating mechanism and a jet nozzle installed in the process chamber of FIG. 12 特許文献1に記載されている枚葉式基板処理装置を示す断面図 Sectional view showing a are single wafer substrate processing device described in Patent Document 1 特許文献2に記載されている枚葉式基板処理装置を示す断面図 Sectional view showing a are single wafer substrate processing device described in Patent Document 2

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10、10A〜10D 基板処理装置20 処理室(チャンバ) 10,10A~10D substrate processing apparatus 20 processing chamber (chamber)
23 吸気口24 排気口31 ターンテーブル32 回転軸35 昇降・回転機構38 配管39、39 、39 噴射ノズル40 乾燥流体供給部41、42 不活性ガス供給源41 〜41 配管41 ヒータ43 有機溶剤供給部45 蒸気発生槽 23 air inlet 24 outlet 31 turntable 32 rotating shaft 35 elevating and rotating mechanism 38 the pipe 39 1, 39 2 injection nozzle 40 dry fluid supply unit 41 and the inert gas supply source 41 1-41 4 pipe 41 H heater 43 organic solvent supply unit 45 steam generating tank

Claims (34)

  1. ほぼ水平に保持された状態で回転する被処理基板に処理流体を吹き付けて表面処理を行う基板処理法において、 In the substrate processing method for performing surface treatment by spraying the processing fluid to the substrate to be processed is rotated while being held substantially horizontally,
    前記被処理基板の乾燥時に、前記処理流体としてサブミクロンサイズのミストを含む有機溶剤の蒸気を含有する乾燥流体を用い、前記乾燥流体を前記被処理基板の表面及び/又は裏面に吹き付けることを特徴とする基板処理法。 Characterized in that blowing the during the drying of the substrate, using a drying fluid containing the organic solvent vapor containing the sub-micron size mist, as the processing fluid, said drying fluid to the surface and / or back surface of the target substrate the substrate processing method with.
  2. 前記乾燥流体は、前記被処理基板中心部における回転軸の軸線上から、前記被処理基板の表面及び/又は裏面のほぼ中央部に吹き付けることを特徴とする請求項1記載の基板処理法。 The drying fluid is a substrate processing method according to claim 1, wherein from the axis, and wherein the blown onto the substantially central portion of the surface and / or back surface of the substrate to be processed in the rotation axis in the target substrate center.
  3. 前記乾燥流体は、少なくとも2種類の乾燥流体からなり、これらの乾燥流体を切り換えて供給することを特徴とする請求項1又は2記載の基板処理法。 The drying fluid consists of at least two kinds of dry fluid, a substrate processing method according to claim 1 or 2, wherein the supplying switching these dry fluid.
  4. 前記乾燥流体の1種類は、前記有機溶剤の蒸気と不活性ガスとの混合ガスであり、他は不活性ガスであることを特徴とする請求項3記載の基板処理法。 The one dry fluid is a gas mixture of steam and inert gas in the organic solvent, other substrate processing method according to claim 3, characterized in that the inert gas.
  5. 前記有機溶剤は、イソプロピルアルコール、ジアセトンアルコール、1−メトキシ−2−プロパノール、エチル・グリコール、1−プロパノール、2−プロパノール、テトラヒドロフランからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項4記載の基板処理法。 The organic solvent is characterized in that isopropyl alcohol, diacetone alcohol, 1-methoxy-2-propanol, ethyl glycol, 1-propanol is at least one selected 2-propanol, from the group consisting of tetrahydrofuran the substrate processing method according to claim 4, wherein.
  6. ほぼ水平に保持された状態で回転する被処理基板に処理流体を吹き付けて表面処理を行う基板処理法において、 In the substrate processing method for performing surface treatment by spraying the processing fluid to the substrate to be processed is rotated while being held substantially horizontally,
    前記被処理基板の乾燥時に、前記処理流体としてサブミクロンサイズのミストを含む有機溶剤の蒸気を含有する乾燥流体を用い、前記乾燥流体を前記被処理基板の外周縁から前記被処理基板の表面及び/又は裏面へ吹き付けることを特徴とする基板処理法。 Wherein during the drying of the substrate, using a drying fluid containing the organic solvent vapor containing the sub-micron size mist, as the processing fluid, the surface of the target substrate with the drying fluid from the outer periphery of the target substrate and / or substrate processing method characterized by spraying the back side.
  7. 前記乾燥流体は、少なくとも2種類の乾燥流体からなり、これらの乾燥流体を切り換えて供給することを特徴とする請求項6記載の基板処理法。 The drying fluid consists of at least two kinds of dry fluid, a substrate processing method according to claim 6, wherein the supply switching these dry fluid.
  8. 前記乾燥流体の1種類は、前記有機溶剤の蒸気と不活性ガスとの混合ガスであり、他は不活性ガスであることを特徴とする請求項7記載の基板処理法。 The one dry fluid, said a mixed gas of the organic solvent vapor and inert gas, the substrate processing method according to claim 7, wherein the other is an inert gas.
  9. 前記有機溶剤は、イソプロピルアルコール、ジアセトンアルコール、1−メトキシ−2−プロパノール、エチル・グリコール、1−プロパノール、2−プロパノール、テトラヒドロフランからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項8記載の基板処理法。 The organic solvent is characterized in that isopropyl alcohol, diacetone alcohol, 1-methoxy-2-propanol, ethyl glycol, 1-propanol is at least one selected 2-propanol, from the group consisting of tetrahydrofuran the substrate processing method of claim 8.
  10. ほぼ水平に保持された状態で回転する被処理基板に処理流体を吹き付けて表面処理を行う基板処理法において、 In the substrate processing method for performing surface treatment by spraying the processing fluid to the substrate to be processed is rotated while being held substantially horizontally,
    前記被処理基板の乾燥時に、前記処理流体としてサブミクロンサイズのミストを含む有機溶剤の蒸気を含有する乾燥流体を用い、前記乾燥流体を前記被処理基板の表面及び/又は裏面に吹き付けると同時に、前記被処理基板の外周縁からも前記被処理基板の表面及び/又は裏面へ吹き付けることを特徴とする基板処理法。 Wherein during the drying of the substrate, using a drying fluid containing the organic solvent vapor containing the sub-micron size mist, as the processing fluid, the blow the drying fluid to the surface and / or back surface of the substrate to be processed at the same time, the substrate processing method characterized by spraying the surface and / or back surface of the substrate to be processed from the outer peripheral edge of the substrate to be processed.
  11. 前記乾燥流体は、前記被処理基板中心部における回転軸の軸線上から、前記被処理基板の表面及び/又は裏面のほぼ中央部に吹き付けることを特徴とする請求項10記載の基板処理法。 The drying fluid is a substrate processing method according to claim 10, wherein from the axis, and wherein the blown onto the substantially central portion of the surface and / or back surface of the substrate to be processed in the rotation axis in the target substrate center.
  12. 前記乾燥流体は、少なくとも2種類の乾燥流体からなり、これらの乾燥流体を切り換えて供給することを特徴とする請求項10又は11記載の基板処理法。 The drying fluid consists of at least two kinds of dry fluid, a substrate processing method according to claim 10 or 11, wherein the supplying switching these dry fluid.
  13. 前記乾燥流体の1種類は、前記有機溶剤の蒸気と不活性ガスとの混合ガスであり、他は不活性ガスであることを特徴とする請求項12記載の基板処理法。 The one dry fluid is a gas mixture of steam and inert gas in the organic solvent, other substrate processing method according to claim 12, characterized in that an inert gas.
  14. 前記有機溶剤は、イソプロピルアルコール、ジアセトンアルコール、1−メトキシ−2−プロパノール、エチル・グリコール、1−プロパノール、2−プロパノール、テトラヒドロフランからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項13記載の基板処理法。 The organic solvent is characterized in that isopropyl alcohol, diacetone alcohol, 1-methoxy-2-propanol, ethyl glycol, 1-propanol is at least one selected 2-propanol, from the group consisting of tetrahydrofuran the substrate processing method according to claim 13, wherein.
  15. 被処理基板をほぼ水平に保持した状態で回転させる基板保持回転手段と、前記被処理基板に処理流体を噴射する噴射手段と、前記噴射手段に処理流体を供給する処理流体供給手段とを備えた基板処理装置において、前記噴射手段は、第1及び/又は第2の噴射ノズルを有し、前記第1の噴射ノズルは前記被処理基板表面の上方に、前記第2の噴射ノズルは下方にそれぞれ配設し、前記被処理基板の乾燥時に、前記処理流体供給手段からサブミクロンサイズのミストを含む有機溶剤の蒸気を含有する乾燥流体を前記噴射手段に供給し、前記乾燥流体を前記第1及び/又は前記第2の噴射ノズルから前記被処理基板の表面及び/又は裏面に吹き付けることを特徴とする基板処理装置。 A substrate holding and rotating means for rotating while holding a substrate to be processed substantially horizontally, and injection means for injecting a treatment fluid to the substrate to be treated, and a treatment fluid supply means for supplying a processing fluid to the injection means in the substrate processing apparatus, the ejection means comprises a first and / or second injection nozzle, said first injection nozzle above the surface of the substrate to be processed, the second injection nozzle respectively downward disposed, the during drying of the substrate, said process the drying fluid containing organic solvent vapor containing submicron mist from the fluid supply means is supplied to said injection means, said drying fluid first and / or substrate processing apparatus, characterized in that sprayed from the second injection nozzle to the surface and / or back surface of the substrate to be processed.
  16. 前記第1、第2の噴射ノズルは、前記被処理基板中心部の回転軸の軸線上にあって、前記第1の噴射ノズルは前記被処理基板表面の上方に、前記第2の噴射ノズルは下方にそれぞれ配設し、前記第1及び/又は前記第2の噴射ノズルから前記乾燥流体を前記被処理基板の表面及び/又は裏面の中央部に吹き付けることを特徴とする請求項15記載の基板処理装置。 Said first, second injection nozzle, the be on the axis of the rotating shaft of the substrate center, the first injection nozzle above the surface of the substrate to be processed, the second injection nozzle respectively disposed below the substrate according to claim 15, wherein the blowing said drying fluid from said first and / or said second spray nozzle to the surface and / or the central portion of the back surface of the target substrate processing apparatus.
  17. 前記乾燥流体は、少なくとも2種類の乾燥流体からなり、これらの乾燥流体を切り換えて供給することを特徴とする請求項15又は16記載の基板処理装置。 The drying fluid consists of at least two kinds of dry fluid, a substrate processing apparatus according to claim 15 or 16, wherein the supplying switching these dry fluid.
  18. 前記乾燥流体の1種類は、有機溶剤の蒸気と不活性ガスとの混合ガスであり、他は不活性ガスであることを特徴とする請求項17記載の基板処理装置。 The one dry fluid is a gas mixture of steam and an inert gas of the organic solvent, the other substrate processing apparatus according to claim 17, characterized in that the inert gas.
  19. 前記有機溶剤は、イソプロピルアルコール、ジアセトンアルコール、1−メトキシ2−プロパノール、エチル・グリコール、1−プロパノール、2−プロパノール、テトラヒドロフランからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項18記載の基板処理装置。 The organic solvent, isopropyl alcohol, diacetone alcohol, 1-methoxy-2-propanol, ethyl glycol, 1-propanol, 2-propanol, claims, characterized in that at least one member selected from the group consisting of tetrahydrofuran the substrate processing apparatus of claim 18, wherein.
  20. 被処理基板をほぼ水平に保持した状態で回転させる基板保持回転手段と、前記被処理基板に処理流体を噴射する噴射手段と、前記噴射手段に処理流体を供給する処理流体供給手段とを備えた基板処理装置において、前記噴射手段は、第3の噴射ノズルを有し、前記第3の噴射ノズルは、前記被処理基板の外周縁に配設し、前記被処理基板の乾燥時に、前記処理流体供給手段からサブミクロンサイズのミストを含む有機溶剤の蒸気を含有する乾燥流体を前記噴射手段に供給し、前記乾燥流体を前記第3の噴射ノズルから前記被処理基板の表面及び/又は裏面に吹き付けることを特徴とする基板処理装置。 A substrate holding and rotating means for rotating while holding a substrate to be processed substantially horizontally, and injection means for injecting a treatment fluid to the substrate to be treated, and a treatment fluid supply means for supplying a processing fluid to the injection means in the substrate processing apparatus, the ejection means comprises a third ejection nozzle, the third injection nozzle, disposed on the outer peripheral edge of the substrate to be processed, said during the drying of the substrate, the process fluid the drying fluid containing organic solvent vapor containing submicron mist from the supply means is supplied to said injection means, sprayed onto the surface and / or back surface of the target substrate with the drying fluid from the third injection nozzles a substrate processing apparatus, characterized in that.
  21. 前記第3の噴射ノズルは、1個又は複数個の噴射ノズルからなり、これらの噴射ノズルは、前記被処理基板の外周縁に近接して所定の間隔を空けて配設されていることを特徴とする請求項20記載の基板処理装置。 The third injection nozzle consists of one or a plurality of injection nozzles, these injection nozzles, characterized in that in proximity to the outer peripheral edge of the substrate to be processed are disposed at predetermined intervals the substrate processing apparatus according to claim 20, wherein the.
  22. 前記複数個の噴射ノズルは、その1個の噴射ノズルが前記被処理基板のほぼ中心部を通る水平線上にあって、前記被処理基板の外周縁に近接して設けられ、他の噴射ノズルは、前記1個の噴射ノズルから前記被処理基板の回転方向と逆方向側の外周縁に近接し、前記1個の噴射ノズルから所定の間隔を空けてそれぞれ隣接して配設されていることを特徴とする請求項21記載の基板処理装置。 The plurality of injection nozzles, be on a horizontal line that one injection nozzle passes through the substantially central portion of the substrate to be processed, the provided near the outer periphery of the substrate, the other injection nozzle , that it is disposed adjacent respectively at predetermined intervals from said from said one of the injection nozzle adjacent the outer peripheral edge of the rotation direction and the reverse direction side of the substrate, said one of the injection nozzle the substrate processing apparatus according to claim 21, wherein.
  23. 前記複数個の噴射ノズルは、それらの先端部が前記被処理基板の外周縁との間の距離がそれぞれほぼ等しくなるように隣接して配設されていることを特徴とする請求項21又は22記載の基板処理装置。 The plurality of injection nozzles, according to claim 21 or 22 thereof tip, characterized in that the distance between the outer peripheral edge of the substrate to be processed is disposed adjacent to be substantially equal to each other An apparatus as defined.
  24. 前記乾燥流体は、少なくとも2種類の乾燥流体からなり、これらの乾燥流体を切り換えて供給することを特徴とする請求項20〜23のいずれか1項に記載の基板処理装置。 The drying fluid consists of at least two kinds of dry fluid, a substrate processing apparatus according to any one of claims 20 to 23, characterized in that the supply by switching these dry fluid.
  25. 前記乾燥流体の1種類は、有機溶剤の蒸気と不活性ガスとの混合ガスであり、他は不活性ガスであることを特徴とする請求項24記載の基板処理装置。 The one dry fluid is a gas mixture of steam and an inert gas of the organic solvent, the other substrate processing apparatus according to claim 24, wherein the is an inert gas.
  26. 前記有機溶剤は、イソプロピルアルコール、ジアセトンアルコール、1−メトキシ2−プロパノール、エチル・グリコール、1−プロパノール、2−プロパノール、テトラヒドロフランからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項25記載の基板処理装置。 The organic solvent, isopropyl alcohol, diacetone alcohol, 1-methoxy-2-propanol, ethyl glycol, 1-propanol, 2-propanol, claims, characterized in that at least one member selected from the group consisting of tetrahydrofuran 25. An apparatus as defined.
  27. 被処理基板をほぼ水平に保持した状態で回転させる基板保持回転手段と、前記被処理基板に処理流体を噴射する噴射手段と、前記噴射手段に処理流体を供給する処理流体供給手段とを備えた基板処理装置において、前記噴射手段は、第1及び/又は第2の噴射ノズルと、第3の噴射ノズルを有し、前記第1の噴射ノズルは前記被処理基板表面の上方に、前記第2の噴射ノズルは下方に、更に前記第3の噴射ノズルは、前記被処理基板の外周縁にそれぞれ配設し、前記被処理基板の乾燥時に、前記処理流体供給手段からサブミクロンサイズのミストを含む有機溶剤の蒸気を含有する乾燥流体を前記噴射手段に供給し、前記乾燥流体を前記第1及び/又は前記第2の噴射ノズルから前記被処理基板の表面及び/又は裏面に、前記第3の噴射ノズル A substrate holding and rotating means for rotating while holding a substrate to be processed substantially horizontally, and injection means for injecting a treatment fluid to the substrate to be treated, and a treatment fluid supply means for supplying a processing fluid to the injection means in the substrate processing apparatus, the ejection means comprises a first and / or second injection nozzle, a third injection nozzle, said first injection nozzle above the surface of the substrate to be processed, the second the injection nozzle downward, further said third injection nozzle, the disposed respectively on the outer peripheral edge of the substrate, wherein during the drying of the substrate, including a sub-micron size mist from the processing fluid supply means the drying fluid containing the vapor of the organic solvent supplied to the injection means, the drying fluid to the surface and / or back surface of the substrate to be processed from the first and / or said second spray nozzle, the third injection nozzle ら前記被処理基板の表面及び/又は裏面にそれぞれ吹き付けることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus characterized by spraying each surface and / or back surface of al the target substrate.
  28. 前記第1、第2の噴射ノズルは、前記被処理基板中心部の回転軸の軸線上にあって、前記第1の噴射ノズルは前記被処理基板表面の上方に、前記第2の噴射ノズルは下方にそれぞれ配設し、前記第1及び/又は第2の噴射ノズルから前記乾燥ガスを前記被処理基板の表面及び/又は裏面の中央部に吹き付けることを特徴とする請求項27記載の基板処理装置。 Said first, second injection nozzle, the be on the axis of the rotating shaft of the substrate center, the first injection nozzle above the surface of the substrate to be processed, the second injection nozzle respectively disposed below said first and / or the substrate processing according to claim 27, wherein the drying gas from the second jet nozzle, characterized in that spraying in a central portion of the surface and / or back surface of the target substrate apparatus.
  29. 前記第3の噴射ノズルは、1個又は複数個の噴射ノズルからなり、これらの噴射ノズルは、前記被処理基板の外周縁に近接して所定の間隔を空けて配設されていることを特徴とする請求項27記載の基板処理装置。 The third injection nozzle consists of one or a plurality of injection nozzles, these injection nozzles, characterized in that in proximity to the outer peripheral edge of the substrate to be processed are disposed at predetermined intervals the substrate processing apparatus according to claim 27, wherein the.
  30. 前記複数個の噴射ノズルは、その1個の噴射ノズルが前記被処理基板のほぼ中心部を通る水平線上にあって、前記被処理基板の外周縁に近接して設けられ、他の噴射ノズルは、前記1個の噴射ノズルから前記被処理基板の回転方向と逆方向側の外周縁に近接し、前記1個の噴射ノズルから所定の間隔を空けてそれぞれ隣接して配設されていることを特徴とする請求項29記載の基板処理装置。 The plurality of injection nozzles, be on a horizontal line that one injection nozzle passes through the substantially central portion of the substrate to be processed, the provided near the outer periphery of the substrate, the other injection nozzle , that it is disposed adjacent respectively at predetermined intervals from said from said one of the injection nozzle adjacent the outer peripheral edge of the rotation direction and the reverse direction side of the substrate, said one of the injection nozzle the substrate processing apparatus according to claim 29, wherein.
  31. 前記複数個の噴射ノズルは、それらの先端部が前記被処理基板の外周縁との間の距離がそれぞれほぼ等しくなるように隣接して配設されていることを特徴とする請求項29又は30記載の基板処理装置。 The plurality of injection nozzles, according to claim 29 or 30 thereof tip, characterized in that the distance between the outer peripheral edge of the substrate to be processed is disposed adjacent to be substantially equal to each other An apparatus as defined.
  32. 前記乾燥流体は、少なくとも2種類の乾燥流体からなり、これらの乾燥流体を切り換えて供給することを特徴とする請求項27〜31のいずれか1項に記載の基板処理装置。 The drying fluid consists of at least two kinds of dry fluid, a substrate processing apparatus according to any one of claims 27 to 31, characterized in that the supply by switching these dry fluid.
  33. 前記乾燥流体の1種類は、有機溶剤の蒸気と不活性ガスとの混合ガスであり、他は不活性ガスであることを特徴とする請求項32記載の基板処理装置。 The one dry fluid is a gas mixture of steam and an inert gas of the organic solvent, the other substrate processing apparatus according to claim 32, wherein the is an inert gas.
  34. 前記有機溶剤は、イソプロピルアルコール、ジアセトンアルコール、1−メトキシ2−プロパノール、エチル・グリコール、1−プロパノール、2−プロパノール、テトラヒドロフランからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項33記載の基板処理装置。 The organic solvent, isopropyl alcohol, diacetone alcohol, 1-methoxy-2-propanol, ethyl glycol, 1-propanol, 2-propanol, claims, characterized in that at least one member selected from the group consisting of tetrahydrofuran the substrate processing apparatus of claim 33, wherein.
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