JPH11339228A - Manufacture of magnetoresistance effect type head - Google Patents
Manufacture of magnetoresistance effect type headInfo
- Publication number
- JPH11339228A JPH11339228A JP14867098A JP14867098A JPH11339228A JP H11339228 A JPH11339228 A JP H11339228A JP 14867098 A JP14867098 A JP 14867098A JP 14867098 A JP14867098 A JP 14867098A JP H11339228 A JPH11339228 A JP H11339228A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetoresistive
- electrode
- magnetic
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、記憶媒体からの情
報を磁気的に再生する磁気抵抗効果型ヘッドに関し、特
に、巨大磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型ヘッド
に関する。The present invention relates to a magnetoresistive head for magnetically reproducing information from a storage medium, and more particularly to a magnetoresistive head utilizing a giant magnetoresistive effect.
【０００２】[0002]
【従来の技術】磁気ディスク装置の小型化に伴い、ディ
スクとヘッドの相対速度に依存せずに、高い再生出力電
圧が得られる磁気抵抗効果型ヘッドが用いられている。2. Description of the Related Art Along with miniaturization of a magnetic disk drive, a magnetoresistive head capable of obtaining a high reproduction output voltage without depending on a relative speed between a disk and a head has been used.
【０００３】磁気抵抗効果型ヘッドは、感受する磁束に
よって抵抗が変化することを利用した磁気センサであ
り、磁気媒体から情報を再生することはできるが、媒体
に情報を記録することはできない。そのため、記録ヘッ
ドには、従来の磁気誘導型ヘッド、再生ヘッドには、磁
気抵抗効果型ヘッドを用いた記録再生分離型磁気ヘッド
として通常は使用する。[0003] A magnetoresistive head is a magnetic sensor that utilizes the fact that the resistance is changed by the magnetic flux sensed, and can reproduce information from a magnetic medium, but cannot record information on the medium. Therefore, the recording head is usually used as a conventional magnetic induction type head, and the reproducing head is usually used as a recording / reproducing separation type magnetic head using a magnetoresistive head.
【０００４】磁気抵抗効果型ヘッドとしては、異方性磁
気抵抗効果（ＡＭＲ：ＡnisotropicＭagneto Ｒesisti
ve）を利用したＡＭＲヘッドが使用されたが、高記録密
度化に伴いＡＭＲヘッドよりもさらに高感度のものが必
要となったため、特開平４−３５８３１０号公報に示す
ような巨大磁気抵抗効果を利用したスピンバルブヘッド
が提案されている。A magnetoresistive head employs an anisotropic magnetoresistive effect (AMR).
Although an AMR head utilizing ve) was used, a higher sensitivity than the AMR head was required in accordance with the increase in recording density. Therefore, a giant magnetoresistance effect as disclosed in JP-A-4-358310 was used. A spin valve head using the same has been proposed.
【０００５】また、高記録密度化には、高感度化と共に
トラック密度の向上も重要である。磁気抵抗効果型ヘッ
ドのトラック密度は、電極間隔である再生トラック幅で
決まる。[0005] To increase the recording density, it is important to improve the track density as well as the sensitivity. The track density of a magnetoresistive head is determined by the reproduction track width, which is the electrode spacing.
【０００６】この再生トラック形成法の一例として、特
開平３−１２５３１１号公報に記載されているようなハ
ードバイアスと呼ばれる方法がある。この方法はリフト
オフパターンをマスクとして用い、磁気抵抗効果膜の両
端部分をイオンミリング等で切り落として感磁部のみに
磁気抵抗効果膜を残し、切り落とした両端部分に電極膜
を配置するものである。As an example of the reproduction track forming method, there is a method called a hard bias as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 3-125311. This method uses a lift-off pattern as a mask, cuts off both end portions of the magnetoresistive film by ion milling or the like, leaves the magnetoresistive film only on the magneto-sensitive portion, and arranges electrode films on both cut ends.
【０００７】他の例として、特開平６−３３３２１５号
公報に記載されているように、磁気抵抗効果膜上に金属
膜を形成し、ＣＦ4ガスを用いて該金属膜を電極形状に
エッチングするものである。As another example, as described in JP-A-6-333215, a metal film is formed on a magnetoresistive film and the metal film is etched into an electrode shape using CF 4 gas. Things.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】スピンバルブヘッドに
ハードバイアス方法を用いるような前記従来技術におい
て、電極形成にはリフトオフプロセスを用いているが、
良好にリフトオフさせるためにパターンプロファイルは
逆台形、もしくは、アンダーカットを形成したひさし状
とするのが一般的である。高記録密度化に伴って電極間
隔は一段と狭くなり、リフトオフパターンはさらに微細
化が要求される。In the above prior art in which a hard bias method is used for a spin valve head, a lift-off process is used for forming an electrode.
In general, the pattern profile is generally an inverted trapezoid or an eave with an undercut formed in order to lift off well. As the recording density increases, the electrode interval becomes narrower, and the lift-off pattern requires further miniaturization.
【０００９】しかし、上記のような逆台形、もしくは、
ひさし状の微細なリフトオフパターンを形成することは
非常に困難である。その結果、高記録密度化に伴って電
極間隔を狭くすることが困難となるため、高記録密度化
に対応できなくなる。However, an inverted trapezoid as described above, or
It is very difficult to form a fine eaves-like lift-off pattern. As a result, it becomes difficult to narrow the electrode interval with the increase in the recording density, so that it is impossible to cope with the increase in the recording density.
【００１０】また、磁気抵抗効果膜の幅よりも狭く電極
を形成する場合、磁気抵抗効果膜は数１０ｎｍと薄いた
め、電極膜の加工法としてＡｒイオンミリングのみ用い
ると、磁気抵抗効果膜へのダメージがかなり大きくな
り、再生波形不良および出力低下が発生する。When the electrode is formed narrower than the width of the magnetoresistive film, the magnetoresistive film is as thin as several tens of nanometers. Damage is considerably increased, resulting in defective reproduction waveform and reduced output.
【００１１】前記従来例のようにＣＦ4ガスを用いて電
極形状にエッチングする場合、イオンミリングよりも磁
気抵抗効果膜へのダメージはかなり低減されるが、磁気
抵抗効果膜の薄膜化に伴い、その僅かなエッチングダメ
ージですら特性に大きな影響を及ぼす可能性がある。こ
うしたダメージを低減するためにはエッチングパワーの
低減等が有効であるが、エッチング速度の低下を招き、
生産性の低下につながる。When the electrode is etched by using CF 4 gas as in the conventional example, damage to the magnetoresistive film is considerably reduced as compared with ion milling. Even the slight etching damage can greatly affect the characteristics. In order to reduce such damage, it is effective to reduce the etching power or the like.
This leads to a drop in productivity.
【００１２】本発明の目的は、生産性が良く、電極間隔
を狭く、かつ、高精度の再生波形および出力が良好な磁
気抵抗効果型ヘッド並びにその製法を提供することにあ
る。An object of the present invention is to provide a magnetoresistive head having a high productivity, a narrow electrode interval, a high-precision reproduced waveform and a good output, and a method of manufacturing the same.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の要旨は下記のとおりである。The gist of the present invention to achieve the above object is as follows.
【００１４】〔１〕 磁気抵抗効果を用いて磁気的信号
を電気的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵
抗膜に磁界を印加する磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果
膜に信号検出電流を流すための電極と、前記磁気抵抗効
果膜を磁気的にシールドする上部シールド膜および下部
シールド膜を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前
記磁気抵抗効果膜が多層膜で構成され、該多層膜の前記
上部シールド膜側にＣｒ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒまた
はＰｔ、あるいは、これらの少なくとも一種を含む合金
からなる層が形成されており、前記電極がＴａ，Ｗ，Ｍ
ｏまたはＮｂ、あるいは、これらの少なくとも一種を含
む合金からなる単層膜、または、該電極の下部シールド
膜側にＴａ，Ｗ，ＭｏまたはＮｂ、あるいは、これらの
少なくとも一種を含む合金からなる層を有する多層膜で
構成されることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドにあ
る。[1] A magnetoresistive film for converting a magnetic signal into an electric signal using the magnetoresistive effect, a magnetic domain control film for applying a magnetic field to the magnetoresistive film, and a signal detection for the magnetoresistive film. In a magnetoresistive head having an electrode for flowing a current and an upper shield film and a lower shield film for magnetically shielding the magnetoresistive film, the magnetoresistive film is composed of a multilayer film. A layer made of Cr, Ru, Rh, Pd, Ir, or Pt, or an alloy containing at least one of them is formed on the upper shield film side of the above, and the electrodes are made of Ta, W, M
a single-layer film made of o or Nb or an alloy containing at least one of them, or a layer made of Ta, W, Mo or Nb, or an alloy containing at least one of these, on the lower shield film side of the electrode. A magnetoresistive head comprising a multilayer film having the same.
【００１５】〔２〕 磁気抵抗効果を用いて磁気的信号
を電気的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵
抗膜に磁界を印加する磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果
膜に信号検出電流を流すための電極と、前記磁気抵抗効
果膜を磁気的にシールドする上部シールド膜および下部
シールド膜を有する磁気抵抗効果型ヘッドの製法におい
て、前記磁気抵抗効果膜が多層膜で構成され、該多層膜
の前記上部シールド膜側にＣｒ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉ
ｒまたはＰｔ、あるいは、これらの少なくとも一種を含
む合金からなる層を形成し、前記電極がＴａ，Ｗ，Ｍｏ
またはＮｂ、あるいは、これらの少なくとも一種を含む
合金からなる単層膜、または、該電極の下部シールド膜
側にＴａ，Ｗ，ＭｏまたはＮｂ、あるいは、これらの少
なくとも一種を含む合金からなる層を有する多層膜を形
成し、該電極のこれらの金属または合金をＳＦ6ガスに
よるリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）により形
成することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製法に
ある。[2] A magnetoresistive film for converting a magnetic signal into an electric signal using the magnetoresistive effect, a magnetic domain control film for applying a magnetic field to the magnetoresistive film, and a signal detection for the magnetoresistive film. In a method of manufacturing a magnetoresistive head having an electrode for flowing a current, and an upper shield film and a lower shield film for magnetically shielding the magnetoresistive film, the magnetoresistive film is formed of a multilayer film. Cr, Ru, Rh, Pd, I are provided on the upper shield film side of the multilayer film.
r or Pt, or a layer made of an alloy containing at least one of these, and the electrode is made of Ta, W, Mo.
Or a single-layer film made of Nb or an alloy containing at least one of these, or a layer made of Ta, W, Mo or Nb, or an alloy containing at least one of these, on the lower shield film side of the electrode. A method of manufacturing a magnetoresistive head is characterized in that a multilayer film is formed and these metals or alloys of the electrodes are formed by reactive ion etching (RIE) using SF 6 gas.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】〔実施例 １〕以下、本発明の一
実施例を図面に基づき説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１７】図１は、本発明を用いた一実施形態である
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの先端部を、媒体からの磁界
導入方向から見た模式側断面図である。下部シールド膜
１、下部ギャップ膜２、磁気抵抗効果膜３、磁区制御膜
４、電極５、上部ギャップ膜７、上部シールド膜８で構
成されている。FIG. 1 is a schematic cross-sectional side view of the tip of a magnetoresistive head according to an embodiment of the present invention, as viewed from a direction in which a magnetic field is introduced from a medium. It comprises a lower shield film 1, a lower gap film 2, a magnetoresistive film 3, a magnetic domain control film 4, an electrode 5, an upper gap film 7, and an upper shield film 8.
【００１８】図２は、図１に示した磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの作製工程を示す模式断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a manufacturing process of the magneto-resistance effect type magnetic head shown in FIG.
【００１９】工程(ａ)：下部シールド膜１としてＮｉＦ
ｅ、下部ギャップ膜２としてアルミナ等の絶縁膜、磁気
抵抗効果膜３として、ここではＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦ
ｅ／ＦｅＭｎ／Ｃｒからなる多層膜と、磁区制御膜４と
してＣｏＣｒＰｔを形成する。Step (a): NiF as lower shield film 1
e, an insulating film of alumina or the like as the lower gap film 2, and NiFe / Cu / NiF as the magnetoresistive film 3 here.
A multilayer film composed of e / FeMn / Cr and CoCrPt as the magnetic domain control film 4 are formed.
【００２０】工程(ｂ)：電極５としてＴａを成膜し、そ
の後フォトリソグラフィ法でレジストパターン６を形成
する。Step (b): A Ta film is formed as the electrode 5, and then a resist pattern 6 is formed by photolithography.
【００２１】工程(ｃ)：レジストパターン６をマスクと
して、ＳＦ6ガスを用いたリアクティブイオンエッチン
グ（ＲＩＥ）により、前記電極５をエッチングして所望
の形状に形成する。なお、ＲＩＥ装置としては、ヘリコ
ン型プラズマエッチング装置を用いた。Step (c): Using the resist pattern 6 as a mask, the electrode 5 is etched into a desired shape by reactive ion etching (RIE) using SF 6 gas. Note that a helicon type plasma etching apparatus was used as the RIE apparatus.
【００２２】上記の電極５としてＴａをエッチングした
際、磁気抵抗効果膜３の最上層のＣｒ層がエッチングス
トッパとして機能するので、Ｃｒ層以下のＮｉＦｅ／Ｃ
ｕ／ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ層にダメージを与えない。ま
た、ＲＩＥはドライエッチングなのでウエットエッチン
グよりも高精度の加工ができる。When Ta is etched as the electrode 5, the uppermost Cr layer of the magnetoresistive film 3 functions as an etching stopper.
It does not damage the u / NiFe / FeMn layer. Further, since RIE is dry etching, processing with higher precision than wet etching can be performed.
【００２３】工程(ｄ)：レジストパターン６を剥離後、
上部ギャップ膜７としてアルミナ等の絶縁膜を形成し、
上部シールド膜８としてＮｉＦｅを形成する。Step (d): After removing the resist pattern 6,
Forming an insulating film such as alumina as the upper gap film 7;
NiFe is formed as the upper shield film 8.
【００２４】複数の多層膜からで構成される磁気抵抗効
果膜３においては、該多層膜の上部シールド膜８側の層
はＣｒであるが、Ｃｒ以外にＲｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，
Ｐｔから選ばれる単体、または、これらの少なくとも一
種を含む合金が用いられる。In the magnetoresistive film 3 composed of a plurality of multilayer films, the layer on the upper shield film 8 side of the multilayer film is Cr, but other than Cr, Ru, Rh, Pd, Ir,
A simple substance selected from Pt or an alloy containing at least one of them is used.
【００２５】また、上記ＦｅＭｎ反強磁性層としては、
Ｃｒ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔの少なくとも一種
を含む合金でもよい。The FeMn antiferromagnetic layer includes:
An alloy containing at least one of Cr, Ru, Rh, Pd, Ir, and Pt may be used.
【００２６】前記電極５はＴａ単層膜であるが、単層膜
もしくは多層膜で構成してもよい。多層膜の場合は、該
電極の少なくとも下部シールド膜１側は、Ｔａ，Ｗ，Ｍ
ｏ，Ｎｂから少なくとも一種またはそれを含む合金で形
成する。The electrode 5 is a single-layer Ta film, but may be a single-layer film or a multi-layer film. In the case of a multilayer film, at least the lower shield film 1 side of the electrode is Ta, W, M
At least one of o and Nb or an alloy containing the same is formed.
【００２７】前記ＲＩＥ装置としては、ヘリコン型プラ
ズマエッチング装置を用いたが、ＥＣＲ型プラズマエッ
チング装置、ＩＣＰ型プラズマエッチング装置、平行平
板型エッチング装置等を用いることも可能である。As the RIE device, a helicon type plasma etching device is used, but an ECR type plasma etching device, an ICP type plasma etching device, a parallel plate type etching device or the like can be used.
【００２８】また、電極５のエッチングの際、少なくと
も下部シールド膜１側の電極層をＲＩＥにてエッチング
すれば、ＲＩＥとイオンミリングを併用して形成するこ
とも可能である。例えば、下部シールド膜１側からＴａ
／Ａｕ／Ｔａと多層膜を形成し、Ａｕ／Ｔａをイオンミ
リングでエッチングし、下部シールド膜１側のＴａ、即
ち、磁気抵抗効果膜３に接する側のＴａをＲＩＥでエッ
チングすることも可能である。When etching the electrode 5 at least by etching the electrode layer on the lower shield film 1 side by RIE, the electrode 5 can be formed by using RIE and ion milling in combination. For example, from the lower shield film 1 side, Ta
It is also possible to form a multilayer film of / Au / Ta, etch Au / Ta by ion milling, and etch Ta on the lower shield film 1 side, that is, Ta on the side in contact with the magnetoresistive film 3 by RIE. is there.
【００２９】図３は、ヘリコン型プラズマエッチング装
置を用いた場合のエッチング速度および選択比と、使用
ガスおよびヘリコンＲＦパワーとの関係を示すグラフで
ある。FIG. 3 is a graph showing the relationship between the etching rate and the selectivity when using a helicon type plasma etching apparatus, the gas used, and the helicon RF power.
【００３０】ここでは、エッチング材料としてＣｒおよ
びＴａを用いた例を示す。また、使用ガスはＣＨＦ3ガ
スとＳＦ6ガスで、ガス圧１.２ｍＴｏｒｒ、基板バイア
スを示す陰極降下電圧は−１００Ｖ、ヘリコンＲＦパワ
ーは１００〜７００Ｗである。 ＣＨＦ3ガスの場合を
図３(ａ)に、また、ＳＦ6ガスの場合を図３(ｂ)に示し
た。どちらのガスもヘリコンＲＦパワーを上げて行くと
選択比（Ｔａエッチング速度／Ｃｒエッチング速度）は
低下するが、ＳＦ6ガスの場合が高選択比である。さら
に、Ｔａエッチング速度（ｎｍ／ｍｉｎ）は、ＳＦ6ガ
スがＣＨＦ3ガスを用いた場合よりも２〜１０倍程度大
きい。つまり、エッチング材料としてＴａ、エッチング
ストッパ膜としてＣｒを用い、ＳＦ6ガスを用いてＲＩ
Ｅを行うことにより高速エッチングと高選択比が得られ
る。Here, an example using Cr and Ta as an etching material will be described. Further, the gas used in the CHF 3 gas and SF 6 gas, the cathode fall voltage indicating gas pressure 1.2 mTorr, a substrate bias -100 V, helicon RF power is 100～700W. FIG. 3A shows the case of the CHF 3 gas, and FIG. 3B shows the case of the SF 6 gas. The selectivity (Ta etching rate / Cr etching rate) of both gases decreases as the helicon RF power is increased, but the SF 6 gas has a high selectivity. Further, Ta etching rate (nm / min) is about 2 to 10 times greater than when SF 6 gas using a CHF 3 gas. That is, Ta is used as an etching material, Cr is used as an etching stopper film, and RI is formed using SF 6 gas.
By performing E, high-speed etching and a high selectivity can be obtained.
【００３１】なお、図２の工程(ｃ)におけるＴａエッチ
ングは、ＳＦ6ガス圧力１.２ｍＴｏｒｒ、陰極降下電圧
−１００Ｖ、ヘリコンＲＦパワーは１００Ｗで行った。
この時のＴａ膜厚は１００ｎｍでオーバーエッチングを
５０％行い、エッチング時間は約３分と短時間で完了し
た。ストッパ膜として作用するＣｒのエッチングダメー
ジ量は約２ｎｍであり、この程度のエッチングダメージ
は磁気抵抗効果膜３の特性に影響を与えることはない。The Ta etching in the step (c) of FIG. 2 was performed at a SF 6 gas pressure of 1.2 mTorr, a cathode drop voltage of −100 V, and a helicon RF power of 100 W.
At this time, the Ta film thickness was 100 nm, the overetching was performed 50%, and the etching time was completed in a short time of about 3 minutes. The amount of etching damage of Cr acting as a stopper film is about 2 nm, and such an amount of etching damage does not affect the characteristics of the magnetoresistive film 3.
【００３２】本実施例では、前記電極５にはＴａ単層膜
を用いたが多層膜でもよく、下部シールド膜１側がＴ
ａ，Ｗ，ＭｏまたはＮｂ、あるいはこれを含む合金でも
よいことは既述のとおりである。In this embodiment, a single-layer Ta film is used for the electrode 5, but a multi-layer film may be used.
As described above, a, W, Mo or Nb, or an alloy containing the same may be used.
【００３３】また、前記磁気抵抗効果膜の上部シールド
膜８側の層はＣｒであるが、Ｃｒ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，
ＩｒまたはＰｔ、あるいはこれを含む合金から成る層で
もよいことは既述のとおりである。The layer on the upper shield film 8 side of the magnetoresistive effect film is made of Cr, but Cr, Ru, Rh, Pd,
As described above, a layer made of Ir or Pt or an alloy containing the same may be used.
【００３４】上記の金属を用い、ＳＦ6ガスを用いてＲ
ＩＥを行うことにより高速エッチングと高選択比を得る
ことが可能である。Using the above metals, SF 6 gas is used for R
By performing IE, high-speed etching and a high selectivity can be obtained.
【００３５】また、反強磁性膜としてＦｅＭｎを用いた
が、Ｃｒ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，ＩｒまたはＰｔを含む合
金を用いることができ、反強磁性膜上のエッチングスト
ッパ膜の形成を省略することが可能である。Although FeMn is used as the antiferromagnetic film, an alloy containing Cr, Ru, Rh, Pd, Ir or Pt can be used, and the formation of the etching stopper film on the antiferromagnetic film is omitted. It is possible.
【００３６】〔実施例 ２〕磁気抵抗効果型ヘッドは再
生専用であるため、記録用の誘導型磁気ヘッドと一体型
の複合型磁気ヘッドとして用いられる。その複合型磁気
ヘッドの構成の一例を図４に示す。[Embodiment 2] Since a magnetoresistive head is exclusively for reproduction, it is used as a composite magnetic head integrated with an inductive magnetic head for recording. FIG. 4 shows an example of the configuration of the composite magnetic head.
【００３７】誘導型磁気ヘッド５１は、電気信号を流す
導体コイル４２と、電気的絶縁を得るための絶縁膜４３
と、導体コイル４２に与えられた電気信号により誘導さ
れた磁束を集束するための上部磁気コア４４、および、
上部シールド膜兼用下部磁気コア４０と、集束された磁
束を外部に漏洩させるための磁気ギャップとして記録ギ
ャップ膜４１を有する。The inductive magnetic head 51 includes a conductor coil 42 for passing an electric signal and an insulating film 43 for obtaining electric insulation.
An upper magnetic core 44 for converging a magnetic flux induced by an electric signal applied to the conductor coil 42, and
A lower magnetic core 40 also serves as an upper shield film, and a recording gap film 41 as a magnetic gap for leaking the focused magnetic flux to the outside.
【００３８】前記の本発明により作製された磁気抵抗効
果型ヘッドは、下部シールド膜１、磁気抵抗効果膜３、
磁区制御膜４および電極５と、上部シールド膜兼用下部
磁気コア４０を有する。The magnetoresistive head manufactured according to the present invention has a lower shield film 1, a magnetoresistive film 3,
It has a magnetic domain control film 4 and electrodes 5, and a lower magnetic core 40 also serving as an upper shield film.
【００３９】この場合でも、本発明の磁気抵抗効果型ヘ
ッドの特徴は活かされるため、良好な再生出力が得られ
る複合型磁気ヘッドを提供することができる。Even in this case, since the characteristics of the magnetoresistive head of the present invention are utilized, it is possible to provide a composite magnetic head capable of obtaining a good reproduction output.
【００４０】また、本実施例の複合型磁気ヘッドを磁気
記録再生装置に用いることも可能である。図５に磁気記
録再生装置の概略を示す。Further, the composite magnetic head of this embodiment can be used for a magnetic recording / reproducing apparatus. FIG. 5 schematically shows a magnetic recording / reproducing apparatus.
【００４１】磁気記録再生装置は、情報を磁気的に記録
するための磁気記録媒体６０と、これを回転させるため
のスピンドル６１と、磁気記録媒体６０に信号を記録お
よび再生するための複合型ヘッド１００と、これを支持
するためのサスペンション６３と、複合型ヘッド６２の
位置制御を行うアクチュエータ６４と、記録再生信号を
処理する回路６５と、これと複合型ヘッド１００とを接
続するリード線６６を有する。The magnetic recording / reproducing apparatus includes a magnetic recording medium 60 for magnetically recording information, a spindle 61 for rotating the magnetic recording medium 60, and a composite head for recording and reproducing signals on and from the magnetic recording medium 60. 100, a suspension 63 for supporting the same, an actuator 64 for controlling the position of the composite head 62, a circuit 65 for processing a recording / reproducing signal, and a lead wire 66 for connecting the same to the composite head 100. Have.
【００４２】狭トラック幅においても、良好な再生出力
が得られる複合型磁気ヘッドを用いることにより、従来
よりも高記録密度化が可能な磁気記録再生装置を提供す
ることができる。By using a composite magnetic head capable of obtaining a good reproduction output even with a narrow track width, it is possible to provide a magnetic recording / reproducing apparatus capable of achieving a higher recording density than before.
【００４３】[0043]
【発明の効果】本発明によれば、生産性が良く、電極間
隔を狭くし、高精度化することができるので、再生波形
および出力が良好な磁気抵抗効果型ヘッドを提供するこ
とができる。According to the present invention, it is possible to provide a magnetoresistive head having good reproduction waveform and output because the productivity is good, the electrode interval can be narrowed, and the precision can be improved.
【図１】本発明の第１実施例である磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの構成を示す模式断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a configuration of a magnetoresistive head according to a first embodiment of the invention.
【図２】図１の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの作製工程の
一例を示す模式断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of the magnetoresistive head of FIG.
【図３】ＣＨＦ3ガスとＳＦ6ガスを用いた場合のエッチ
ング速度および選択比の関係の一例を示すグラフであ
る。FIG. 3 is a graph showing an example of a relationship between an etching rate and a selectivity when a CHF 3 gas and an SF 6 gas are used.
【図４】本発明の第２実施例である複合型磁気ヘッドの
構成を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a configuration of a composite magnetic head according to a second embodiment of the present invention.
【図５】磁気記録再生装置の概略側断面図である。FIG. 5 is a schematic side sectional view of a magnetic recording / reproducing apparatus.
１…下部シールド膜、２…下部ギャップ膜、３…磁気抵
抗効果膜、４…磁区制御膜、５…電極、６…レジストパ
ターン、７…上部ギャップ膜、８…上部シールド膜、４
０…上部シールド膜兼用下部磁気コア、４１…記録ギャ
ップ膜、４２…導体コイル、４３…絶縁膜、４４…上部
磁気コア、５０…磁気抵抗効果型ヘッド（再生ヘッ
ド）、５１…誘導型磁気ヘッド（記録ヘッド）、６０…
磁気記録媒体、６１…スピンドル、６３…サスペンショ
ン、６４…アクチュエータ、６５…信号処理回路、６６
…リード線、１００…複合型ヘッド、Ａ…ＮｉＦｅ層、
Ｂ…Ｃｕ層、Ｃ…ＮｉＦｅ層、Ｄ…ＦｅＭｎ層、Ｅ…Ｃ
ｒ層。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Lower shield film, 2 ... Lower gap film, 3 ... Magnetoresistance effect film, 4 ... Magnetic domain control film, 5 ... Electrode, 6 ... Resist pattern, 7 ... Upper gap film, 8 ... Upper shield film, 4
0: lower magnetic core also serving as upper shield film, 41: recording gap film, 42: conductor coil, 43: insulating film, 44: upper magnetic core, 50: magnetoresistive head (reproducing head), 51: induction magnetic head (Recording head), 60 ...
Magnetic recording medium, 61 spindle, 63 suspension, 64 actuator, 65 signal processing circuit, 66
... lead wire, 100 ... composite type head, A ... NiFe layer,
B: Cu layer, C: NiFe layer, D: FeMn layer, E: C
r layer.
─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１１年４月１２日[Submission date] April 12, 1999
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】発明の名称[Correction target item name] Name of invention
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【発明の名称】 磁気抵抗効果型ヘッドの製法[Title of the Invention of the magneto-resistance effect type heads recipe
【手続補正２】[Procedure amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【特許請求の範囲】[Claims]
【請求項１】 磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を電気
的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果
膜に磁界を印加する磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜
に信号検出電流を流すための電極と、前記磁気抵抗効果
膜を磁気的にシールドする上部シールド膜および下部シ
ールド膜を有する磁気抵抗効果型ヘッドの製法におい
て、 前記磁気抵抗効果膜が多層膜で構成され、該多層膜の前
記上部シールド膜側にＣｒ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒま
たはＰｔ、あるいは、これらの少なくとも一種を含む合
金からなる層を形成し、 前記電極がＴａ，Ｗ，ＭｏまたはＮｂ、あるいは、これ
らの少なくとも一種を含む合金からなる単層膜、また
は、該電極の下部シールド膜側にＴａ，Ｗ，Ｍｏまたは
Ｎｂ、あるいは、これらの少なくとも一種を含む合金か
らなる層を有する多層膜を形成し、該電極のこれらの金
属または合金をＳＦ6ガスによるリアクティブイオンエ
ッチング（ＲＩＥ）により形成することを特徴とする磁
気抵抗効果型ヘッドの製法。 1. A magnetoresistance effect film for converting a magnetic signal into an electrical signal using a magneto-resistance effect, a magnetic domain control film for applying a magnetic field to said magnetoresistive <br/> film, said magnetoresistive In a method of manufacturing a magnetoresistive head having an electrode for flowing a signal detection current through the film and an upper shield film and a lower shield film for magnetically shielding the magnetoresistive film, the magnetoresistive film is a multilayer film. A layer made of Cr, Ru, Rh, Pd, Ir or Pt, or an alloy containing at least one of them, is formed on the upper shield film side of the multilayer film, and the electrode is made of Ta, W, Mo or Nb, or a single layer film made of an alloy containing at least one of these, or Ta, W, Mo or Nb, or at least one of these, on the lower shield film side of the electrode. Forming a multilayer film having a layer made of non-alloy, method of magnetoresistive head, characterized by forming by reactive ion etching (RIE) of these metals or alloys by SF 6 gas in the electrode.
【手続補正３】[Procedure amendment 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１２[Correction target item name] 0012
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１２】本発明の目的は、生産性が良く、電極間隔
を狭く、かつ、高精度の再生波形および出力が良好な磁
気抵抗効果型ヘッドの製法を提供することにある。An object of the present invention has good productivity, narrowing the electrode spacing, and, in the reproduction waveform and the output of the high precision to provide a process for the preparation of good magnetoresistive heads.
【手続補正４】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１４[Correction target item name] 0014
【補正方法】削除[Correction method] Deleted
フロントページの続き (72)発明者 福井 宏 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内Continued on the front page (72) Inventor Hiroshi Fukui 1-280 Higashi Koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo Inside Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
Claims (2)
的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗膜に
磁界を印加する磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜に信
号検出電流を流すための電極と、前記磁気抵抗効果膜を
磁気的にシールドする上部シールド膜および下部シール
ド膜を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 前記磁気抵抗効果膜が多層膜で構成され、該多層膜の前
記上部シールド膜側にＣｒ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒま
たはＰｔ、あるいは、これらの少なくとも一種を含む合
金からなる層が形成されており、 前記電極がＴａ，Ｗ，ＭｏまたはＮｂ、あるいは、これ
らの少なくとも一種を含む合金からなる単層膜、また
は、該電極の下部シールド膜側にＴａ，Ｗ，Ｍｏまたは
Ｎｂ、あるいは、これらの少なくとも一種を含む合金か
らなる層を有する多層膜で構成されることを特徴とする
磁気抵抗効果型ヘッド。A magnetoresistive film for converting a magnetic signal into an electric signal by using a magnetoresistive effect; a magnetic domain control film for applying a magnetic field to the magnetoresistive film; And an upper shield film and a lower shield film for magnetically shielding the magnetoresistive film, wherein the magnetoresistive film is formed of a multilayer film, and A layer made of Cr, Ru, Rh, Pd, Ir, or Pt, or an alloy containing at least one of them is formed on the upper shield film side, and the electrode is made of Ta, W, Mo, Nb, or any of these. A single-layer film made of an alloy containing at least one of the following, or Ta, W, Mo, or Nb on the lower shield film side of the electrode, or a combination containing at least one of these. Magnetoresistive head, characterized in that it is composed of a multilayer film having a layer made of.
的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗膜に
磁界を印加する磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜に信
号検出電流を流すための電極と、前記磁気抵抗効果膜を
磁気的にシールドする上部シールド膜および下部シール
ド膜を有する磁気抵抗効果型ヘッドの製法において、 前記磁気抵抗効果膜が多層膜で構成され、該多層膜の前
記上部シールド膜側にＣｒ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒま
たはＰｔ、あるいは、これらの少なくとも一種を含む合
金からなる層を形成し、 前記電極がＴａ，Ｗ，ＭｏまたはＮｂ、あるいは、これ
らの少なくとも一種を含む合金からなる単層膜、また
は、該電極の下部シールド膜側にＴａ，Ｗ，Ｍｏまたは
Ｎｂ、あるいは、これらの少なくとも一種を含む合金か
らなる層を有する多層膜を形成し、該電極のこれらの金
属または合金をＳＦ6ガスによるリアクティブイオンエ
ッチング（ＲＩＥ）により形成することを特徴とする磁
気抵抗効果型ヘッドの製法。2. A magnetoresistive film for converting a magnetic signal into an electric signal using a magnetoresistive effect, a magnetic domain control film for applying a magnetic field to the magnetoresistive film, and a signal detection current applied to the magnetoresistive film. And a method for manufacturing a magnetoresistive head having an upper shield film and a lower shield film for magnetically shielding the magnetoresistive film, wherein the magnetoresistive film is formed of a multilayer film, A layer made of Cr, Ru, Rh, Pd, Ir or Pt, or an alloy containing at least one of them is formed on the upper shield film side of the film, and the electrode is made of Ta, W, Mo or Nb, or A single-layer film made of an alloy containing at least one of the following, or Ta, W, Mo or Nb on the lower shield film side of the electrode, or an alloy containing at least one of these Forming a multilayer film having a Ranaru layer, preparation of magnetoresistive head, characterized by forming by reactive ion etching (RIE) of these metals or alloys by SF 6 gas in the electrode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14867098A JP2933916B1 (en) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | Manufacturing method of magnetoresistive head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14867098A JP2933916B1 (en) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | Manufacturing method of magnetoresistive head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2933916B1 JP2933916B1 (en) | 1999-08-16 |
| JPH11339228A true JPH11339228A (en) | 1999-12-10 |
Family
ID=15458003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14867098A Expired - Fee Related JP2933916B1 (en) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | Manufacturing method of magnetoresistive head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2933916B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7123456B2 (en) | 2000-09-12 | 2006-10-17 | Fujitsu Limited | Method of making magnetoresistive head element |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP14867098A patent/JP2933916B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7123456B2 (en) | 2000-09-12 | 2006-10-17 | Fujitsu Limited | Method of making magnetoresistive head element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2933916B1 (en) | 1999-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100243822B1 (en) | Magnetoresistive sensor and the method of preparing a magnetoresistive sensor | |
| JP2000331315A (en) | Magneto-resistance effect head | |
| US6563682B1 (en) | Magneto resistive element | |
| JP2001283412A (en) | Magneto-resistive element and method of manufacture | |
| JP3635504B2 (en) | Magnetoresistive head, manufacturing method thereof, and magnetic recording apparatus | |
| US7433160B2 (en) | Magnetoresistive element and method of manufacturing the same | |
| US7158352B2 (en) | Magnetoresistive device and method of manufacturing same, and thin-film magnetic head and method of manufacturing same | |
| US20040257711A1 (en) | Composite magnetic thin film head | |
| US7333301B2 (en) | Magnetic recording head and method for manufacturing | |
| JP2000113421A (en) | Magnetic tunnel junction magneto-resistive head | |
| JP2933916B1 (en) | Manufacturing method of magnetoresistive head | |
| JP2002358610A (en) | Magneto-resistive head and its manufacturing method | |
| JP3131575B2 (en) | Magnetoresistive head, manufacturing method, and magnetic recording / reproducing apparatus using the same | |
| JPH11224411A (en) | Reproducing head, its production and magnetic disk device | |
| US6842314B2 (en) | Magnetoresistive device and method of manufacturing same, and thin-film magnetic head and method of manufacturing same | |
| JP4130875B2 (en) | Manufacturing method of spin valve reproducing head | |
| JP3833850B2 (en) | Magnetic sensor, method for manufacturing the same, and magnetic recording apparatus | |
| US6433969B1 (en) | Compound magnetoresistive head and method for manufacturing same | |
| US20030146186A1 (en) | Magnetoresistive effect thin-film magnetic head and manufacturing method of magnetoresistive effect thin-film magnetic head | |
| JPH0878757A (en) | Magnetoresistance effect element and its manufacturing method | |
| JP4000219B2 (en) | Magnetoresistive element, thin film magnetic head, and manufacturing method thereof | |
| JP3593214B2 (en) | Marker for detecting processing amount of magnetoresistive thin film magnetic head and method of manufacturing the same | |
| JPH06333215A (en) | Production of magnetoresistance effect head | |
| JPH11213342A (en) | Magneto-resistance effect type magnetic head and its production | |
| EP1098203A2 (en) | Magnetic tunnel junction element, tunneling magnetoresistive head, and production methods |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080528 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090528 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100528 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110528 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |