JPH11330874A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH11330874A
JPH11330874A JP10134752A JP13475298A JPH11330874A JP H11330874 A JPH11330874 A JP H11330874A JP 10134752 A JP10134752 A JP 10134752A JP 13475298 A JP13475298 A JP 13475298A JP H11330874 A JPH11330874 A JP H11330874A
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JP
Japan
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amplifier
operational amplifier
circuit
input terminal
inverting input
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Application number
JP10134752A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Yoshihara
和弘 吉原
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a CMOS operational amplifier, whose offset can be canceled by adding a relatively simple circuit, and to attain miniaturization and reduction in power of an amplifier using the CMOS operational amplifier as a basic constituent element and of radio communication equipment including the CMOS operational amplifier. SOLUTION: An amplifier, included in ratio communication equipment which uses a CMOS operational amplifier as a basic constituent element, is provided with a level holding means, constituted of a capacity C1 at an inversion input terminal IN-side of the CMOS operation amplifier, and a switch S1 for selectively transmitting an input signal VIN or the ground potential of the circuit to a non-inverted input terminal IN+ and a switch S2 for selectively connecting a non-inverted output terminal OUT with an output terminal VOUT of the circuit or with its inverted input terminal IN-. The CMOS operation amplifier is selectively turned into a voltage follower configuration, and a level equivalent to the offset cancellation amount of the CMOS operation amplifier is learned and written in the capacity C1 which constitutes the level holding means.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は半導体集積回路装
置に関し、例えば、CMOS(相補型MOS)オペアン
プ(演算増幅器)を基本構成素子とする増幅器ならびに
その効果的なオフセットキャンセルに利用して特に有効
な技術に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to an amplifier having a CMOS (complementary MOS) operational amplifier (operational amplifier) as a basic constituent element and an effective offset canceling method. It is about technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】差動MOSFET(金属酸化物半導体型
電界効果トランジスタ。この明細書では、MOSFET
をして絶縁ゲート型電界効果トランジスタの総称とす
る)を中心とするCMOSオペアンプがある。また、C
MOSオペアンプを基本構成素子とする増幅器があり、
複数段の増幅回路を含む無線通信装置がある。
2. Description of the Related Art A differential MOSFET (metal oxide semiconductor type field effect transistor; in this specification, a MOSFET)
(Hereinafter referred to as an insulated gate field effect transistor). Also, C
There is an amplifier using a MOS operational amplifier as a basic component,
There is a wireless communication device including a plurality of stages of amplifier circuits.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】近年における半導体集
積回路の高集積化・低電力化は著しく、特にCMOS回
路における高集積化・低電力化技術が無線通信装置の小
型化・低電力化に寄与するところは大きい。しかし、本
願発明者等は、この発明に先立って、ある無線通信装置
の初段増幅回路を含むすべての増幅回路にCMOSオペ
アンプを基本構成素子とする増幅器を採用しようとし
て、次の問題点に直面した。
In recent years, high integration and low power of semiconductor integrated circuits have been remarkable. In particular, high integration and low power technologies in CMOS circuits contribute to miniaturization and low power of wireless communication devices. The place to do is big. However, prior to the present invention, the present inventors have faced the following problems in attempting to employ an amplifier having a CMOS operational amplifier as a basic component element in all amplifier circuits including a first-stage amplifier circuit of a certain wireless communication device. .

【0004】すなわち、増幅器は、図4に例示されるよ
うに、Nチャンネル型の一対の差動MOSFETN1及
びN2を中心とするCMOSオペアンプを含む。周知の
ように、CMOSオペアンプは、図2に点線で例示され
るように、差動MOSFETN1及びN2のしきい値電
圧のバラツキ等に起因する入力オフセットを有し、その
非反転出力端子OUTには、入力オフセット−Vosを
直流利得Ga倍した出力オフセットが生じる。この出力
オフセットは、例えばCMOSオペアンプが微小な信号
を扱う無線通信装置の初段増幅回路等に採用された場合
において、後段増幅回路に大きなオフセットを生じさ
せ、場合によってはその動作領域が線形領域から外れて
クリップ状態となる。このため、無線通信装置の初段増
幅回路等にはオフセットの少ないバイポーラトランジス
タ型のオペアンプが多く用いられ、これによって無線通
信装置の小型化・低電力化が制約されている。
That is, the amplifier includes a CMOS operational amplifier centered on a pair of N-channel type differential MOSFETs N1 and N2 as illustrated in FIG. As is well known, the CMOS operational amplifier has an input offset due to variations in threshold voltages of the differential MOSFETs N1 and N2, as exemplified by a dotted line in FIG. , An output offset resulting from multiplying the input offset −Vos by the DC gain Ga is generated. This output offset causes a large offset in the latter-stage amplifier circuit when, for example, a CMOS operational amplifier is employed in a first-stage amplifier circuit of a wireless communication device that handles a small signal, and in some cases, its operation region deviates from the linear region. To the clip state. For this reason, a bipolar transistor type operational amplifier having a small offset is often used in a first-stage amplifier circuit or the like of a wireless communication device, which restricts miniaturization and low power of the wireless communication device.

【0005】一方、CMOSオペアンプのオフセットを
キャンセルするいくつかの方法が提案されているが、例
えばスイッチドキャパシタ等のように所定のクロック信
号に従って同期動作するいわゆる時間的に離散な系では
クロック信号が無効レベルとされる間にオフセットキャ
ンセル量を容易に学習し、オフセットをキャンセルする
ことが可能となる。しかし、クロック信号に従って同期
動作しないいわゆる時間的に連続な系では、オフセット
キャンセル量を学習する時間的な余裕がなく、また、例
えば無線通信装置の初段増幅回路のように小振幅の信号
を扱う装置においてこれを時間的に離散した系に置き換
えるためには、特に充分なS/Nを得ようとした場合
に、極めて次数の大きな系が必要となる。
On the other hand, some methods for canceling the offset of a CMOS operational amplifier have been proposed. In a so-called time-discrete system, such as a switched capacitor, which operates synchronously according to a predetermined clock signal, the clock signal is not used. It is possible to easily learn the offset canceling amount during the invalid level and cancel the offset. However, in a so-called temporally continuous system that does not perform a synchronous operation according to a clock signal, there is no time margin for learning the amount of offset cancellation, and for example, a device that handles a small-amplitude signal such as a first-stage amplifier circuit of a wireless communication device. In order to replace this with a system that is discrete in time, a system with an extremely large order is needed, especially when trying to obtain a sufficient S / N.

【0006】この発明の目的は、比較的簡単な回路の追
加で、そのオフセットをキャンセルしうるCMOSオペ
アンプを提供することにある。この発明の他の目的は、
CMOSオペアンプを基本構成素子とする増幅器ならび
に複数段の増幅回路を含む無線通信装置等の小型化・低
電力化を推進することにある。
An object of the present invention is to provide a CMOS operational amplifier which can cancel the offset by adding a relatively simple circuit. Another object of the present invention is
An object of the present invention is to promote miniaturization and low power of an amplifier having a CMOS operational amplifier as a basic constituent element and a wireless communication device including a plurality of stages of amplifier circuits.

【0007】この発明の前記ならびにその他の目的と新
規な特徴は、この明細書の記述及び添付図面から明らか
になるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次
の通りである。すなわち、無線通信装置等に含まれCM
OSオペアンプを基本構成素子とする増幅器において、
CMOSオペアンプの反転入力端子側に容量等からなる
レベル保持手段を設けるとともに、その非反転入力端子
に入力信号又は回路の接地電位を選択的に伝達する第1
のスイッチ手段と、その非反転出力端子を回路の出力端
子又はその反転入力端子に選択的に接続する第2のスイ
ッチ手段とを設け、CMOSオペアンプを選択的にボル
テージフォロア形態として、そのオフセットキャンセル
量に相当するレベルをレベル保持手段に書き込む。
The following is a brief description of an outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application. That is, the CM included in the wireless communication device or the like
In an amplifier having an OS operational amplifier as a basic constituent element,
A level holding means comprising a capacitor or the like is provided on the inverting input terminal side of the CMOS operational amplifier, and a first signal for selectively transmitting an input signal or the ground potential of the circuit to the non-inverting input terminal.
And a second switch means for selectively connecting the non-inverted output terminal thereof to the output terminal of the circuit or the inverted input terminal thereof. Is written to the level holding means.

【0009】上記した手段によれば、第1及び第2のス
イッチ手段を、時間的に離散な系では例えばクロック信
号に従って選択的に切り換え、時間的に連続する系では
例えば増幅器がパワーダウン状態とされる間に選択的に
切り換えて、必要なオフセットキャンセル量を学習し、
CMOSオペアンプのオフセットを相殺することができ
る。この結果、CMOSオペアンプを基本構成素子とす
る増幅器のオフセットを解消することができるととも
に、その初段増幅回路を含めて無線通信装置等のCMO
S化を促進し、その小型化・低電力化を図ることができ
る。
According to the above-mentioned means, the first and second switch means are selectively switched according to, for example, a clock signal in a time-discrete system, and the amplifier is in a power-down state in a time-continuous system. Switch to select the required amount of offset cancellation,
The offset of the CMOS operational amplifier can be offset. As a result, the offset of an amplifier having a CMOS operational amplifier as a basic constituent element can be eliminated, and the CMO of a wireless communication device or the like including its first-stage amplifier circuit can be eliminated.
S can be promoted, and the size and power consumption can be reduced.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】図1には、この発明が適用された
増幅器の第1の実施例の回路図が示され、図2には、そ
の一実施例の信号波形図が示されている。これらの図を
もとに、この実施例の増幅器の構成及び動作ならびにそ
の特徴について説明する。なお、この実施例の増幅器
は、特に制限されないが、複数段の増幅回路を含む無線
通信装置に搭載され、その初段増幅回路を含む各段の増
幅回路の基本回路となる。図1の各回路素子は、無線通
信装置を構成する他の回路素子とともに、公知のMOS
FET集積回路の製造技術によって単結晶シリコンのよ
うな1個の半導体基板上に形成される。また、以下の回
路図において、そのチャンネル(バックゲート)部に矢
印が付されるMOSFETはPチャンネル型であって、
矢印の付されないNチャンネルMOSFETと区別して
示される。
FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of an amplifier to which the present invention is applied, and FIG. 2 is a signal waveform diagram of the first embodiment. . With reference to these figures, the configuration and operation of the amplifier of this embodiment and the characteristics thereof will be described. Although not particularly limited, the amplifier of this embodiment is mounted on a wireless communication device including a plurality of stages of amplifier circuits, and becomes a basic circuit of each stage amplifier circuit including the first stage amplifier circuit. Each circuit element in FIG. 1 is a known MOS element together with other circuit elements constituting the wireless communication device.
It is formed on a single semiconductor substrate such as single crystal silicon by a manufacturing technology of the FET integrated circuit. In the following circuit diagrams, the MOSFETs whose channel (back gate) portions are indicated by arrows are P-channel type,
It is shown differently from an N-channel MOSFET without an arrow.

【0011】図1において、この実施例の増幅器は、N
チャンネル型の一対の差動MOSFETN1及びN2を
含む。これらの差動MOSFETのドレインは、ミラー
形態とされるPチャンネル型の一対の負荷MOSFET
P1及びP2を介して高電位側電源電圧つまり電源電圧
VDDに結合され、その共通結合されたソースは、Nチ
ャンネルMOSFETN3を介して低電位側電源電圧つ
まり電源電圧VSSに結合される。MOSFETN3の
ゲートには、所定の定電圧VGが供給される。これによ
り、MOSFETN3は、いわゆる電流源MOSFET
として作用し、差動MOSFETN1及びN2は、負荷
MOSFETP1及びP2ならびに電流源MOSFET
N3とともに、一つの差動増幅回路を構成する。なお、
電源電圧VDDは、特に制限されないが、+2.0V
(ボルト)のような正電位とされ、電源電圧VSSは、
−2.0Vのような負電位とされる。
In FIG. 1, the amplifier of this embodiment has N
It includes a pair of channel type differential MOSFETs N1 and N2. The drains of these differential MOSFETs are a pair of mirrored P-channel load MOSFETs.
It is coupled via P1 and P2 to the high-potential power supply voltage, that is, the power supply voltage VDD, and its commonly coupled source is coupled via the N-channel MOSFET N3 to the low-potential power supply voltage, that is, the power supply voltage VSS. A predetermined constant voltage VG is supplied to the gate of the MOSFET N3. Thereby, the MOSFET N3 is a so-called current source MOSFET.
And the differential MOSFETs N1 and N2 are the load MOSFETs P1 and P2 and the current source MOSFETs.
Together with N3, one differential amplifier circuit is formed. In addition,
The power supply voltage VDD is not particularly limited, but may be +2.0 V
(Volts) and the power supply voltage VSS is
A negative potential such as -2.0V is used.

【0012】差動増幅回路の非反転出力端子となる差動
MOSFETN2のドレインは、PチャンネルMOSF
ETP3のゲートに結合される。このMOSFETP3
のソースは電源電圧VDDに結合され、そのドレイン
は、NチャンネルMOSFETN4を介して電源電圧V
SSに結合されるとともに、スイッチS2(第2のスイ
ッチ手段)の第2端子に結合される。なお、スイッチS
2は、それがオフ状態にあるとき第2端子に選択的に接
続状態とされる第1端子と、それがオン状態にあるとき
第2端子に選択的に接続状態とされる第3端子とを備え
る。また、MOSFETN4のゲートには、上記定電圧
VGが供給される。
The drain of the differential MOSFET N2 serving as a non-inverting output terminal of the differential amplifier circuit is a P-channel MOSF
It is coupled to the gate of ETP3. This MOSFET P3
Is coupled to the power supply voltage VDD, and its drain is connected to the power supply voltage VN through an N-channel MOSFET N4.
It is coupled to SS and to a second terminal of a switch S2 (second switch means). The switch S
2 is a first terminal that is selectively connected to the second terminal when it is off, and a third terminal that is selectively connected to the second terminal when it is on. Is provided. The constant voltage VG is supplied to the gate of the MOSFET N4.

【0013】これにより、MOSFETN4は電流源M
OSFETとして作用し、MOSFETP3は、電流源
MOSFETN4とともに、一つのソースフォロア型出
力回路を構成する。また、このソースフォロア型出力回
路は、差動MOSFETN1及びN2を含む差動増幅回
路とともに、一つのCMOSオペアンプを構成する。さ
らに、差動増幅回路を構成する差動MOSFETN1及
びN2のゲートは、それぞれCMOSオペアンプの非反
転入力端子IN+又は反転入力端子IN−に結合され、
ソースフォロア型出力回路を構成するMOSFETP3
のドレインは、CMOSオペアンプの非反転出力端子O
UTに結合される。
As a result, the MOSFET N4 is connected to the current source M
Acting as an OSFET, the MOSFET P3 forms one source follower type output circuit together with the current source MOSFET N4. The source follower type output circuit constitutes one CMOS operational amplifier together with the differential amplifier circuit including the differential MOSFETs N1 and N2. Further, the gates of the differential MOSFETs N1 and N2 forming the differential amplifier circuit are respectively coupled to the non-inverting input terminal IN + or the inverting input terminal IN− of the CMOS operational amplifier,
MOSFET P3 constituting a source follower type output circuit
Is the non-inverting output terminal O of the CMOS operational amplifier.
Coupled to the UT.

【0014】増幅器は、さらに、その第2端子がCMO
Sオペアンプの非反転入力端子IN+に結合されるもう
1個のスイッチS1(第1のスイッチ手段)を含む。こ
のスイッチS1は、上記スイッチS2と同様に、それが
オフ状態にあるとき第2端子に選択的に接続状態とされ
る第1端子と、それがオン状態にあるとき第2端子に選
択的に接続状態とされる第3端子とを備える。スイッチ
S1の第1端子は、回路つまり増幅器の入力端子VIN
に結合され、その第3端子は、回路の接地電位つまり0
Vに結合される。また、スイッチS2の第1端子は、回
路つまり増幅器の出力端子VOUTに結合され、その第
3端子は、CMOSオペアンプの反転入力端子IN−に
結合される。CMOSオペアンプの反転入力端子IN−
と回路の接地電位との間には、レベル保持手段となる容
量C1が結合される。
The amplifier further has a second terminal CMO.
It includes another switch S1 (first switch means) coupled to the non-inverting input terminal IN + of the S operational amplifier. The switch S1 has a first terminal selectively connected to the second terminal when the switch S2 is off and a second terminal selectively when the switch S1 is on. A third terminal in a connected state. The first terminal of the switch S1 is connected to the input terminal VIN of the circuit or amplifier.
And its third terminal is connected to the circuit ground potential,
V. Also, a first terminal of the switch S2 is coupled to the output terminal VOUT of the circuit or amplifier, and a third terminal thereof is coupled to the inverting input terminal IN- of the CMOS operational amplifier. CMOS operational amplifier inverting input terminal IN-
A capacitor C1 serving as a level holding means is coupled between the capacitor C1 and the ground potential of the circuit.

【0015】この実施例において、スイッチS1及びS
2は、例えばPチャンネル及びNチャンネルMOSFE
Tが並列結合されてなるトランスファゲート等からな
り、例えば所定のクロック信号に従って周期的にオン状
態とされる。つまり、この実施例において、増幅器を含
む無線通信装置はいわゆる時間的に離散な系であって、
上記クロック信号が有効レベルとされる間、選択的に動
作状態とされる。スイッチS1及びS2は、クロック信
号が無効レベルとされる間、つまり無線通信装置が非動
作状態とされる間に選択的にオン状態とされる。言うま
でもなく、レベル保持手段となる容量C1のリーク経路
を含めた時定数は、クロック信号の周期より充分に大き
いことが望ましい。
In this embodiment, the switches S1 and S
2 is, for example, P-channel and N-channel MOSFE
T comprises a transfer gate or the like in which T is connected in parallel, and is periodically turned on according to, for example, a predetermined clock signal. That is, in this embodiment, the wireless communication device including the amplifier is a so-called time-discrete system,
While the clock signal is at a valid level, it is selectively activated. The switches S1 and S2 are selectively turned on while the clock signal is at an invalid level, that is, while the wireless communication device is in an inactive state. Needless to say, it is desirable that the time constant including the leakage path of the capacitor C1 serving as the level holding means is sufficiently larger than the cycle of the clock signal.

【0016】無線通信装置が動作状態とされ、スイッチ
S1及びS2がオフ状態とされるとき、増幅器の入力端
子VINには、無線通信装置の図示されない前段回路か
ら所定の入力信号が供給される。この入力信号は、スイ
ッチS1を介してCMOSオペアンプの非反転入力端子
IN+つまり差動MOSFETN2のゲートに伝達さ
れ、CMOSオペアンプの交流利得分だけ増幅される。
そして、MOSFETP3のドレインでCMOSオペア
ンプの非反転出力信号となり、スイッチS2から出力端
子VOUTを介して図示されない後段増幅回路に伝達さ
れる。
When the wireless communication device is activated and the switches S1 and S2 are turned off, a predetermined input signal is supplied to the input terminal VIN of the amplifier from a preceding circuit (not shown) of the wireless communication device. This input signal is transmitted to the non-inverting input terminal IN + of the CMOS operational amplifier via the switch S1, that is, to the gate of the differential MOSFET N2, and is amplified by the AC gain of the CMOS operational amplifier.
The non-inverted output signal of the CMOS operational amplifier is output from the drain of the MOSFET P3, and is transmitted from the switch S2 to a subsequent-stage amplifier circuit (not shown) via the output terminal VOUT.

【0017】一方、無線通信装置が非動作状態とされ、
スイッチS1及びS2がオン状態とされるとき、増幅器
では、CMOSオペアンプの非反転入力端子IN+がス
イッチS1を介して回路の接地電位に接続され、その非
反転出力端子OUTは、スイッチS2を介してその反転
入力端子IN−に接続される。これにより、CMOSオ
ペアンプは、いわゆるボルテージフォロア形態とされ、
その直流利得Gaは1となる。前述のように、CMOS
オペアンプの反転入力端子IN−と回路の接地電位との
間には、レベル保持手段となる容量C1が結合される。
On the other hand, the wireless communication device is brought into a non-operation state,
When the switches S1 and S2 are turned on, in the amplifier, the non-inverting input terminal IN + of the CMOS operational amplifier is connected to the circuit ground potential via the switch S1, and the non-inverting output terminal OUT is connected via the switch S2. It is connected to its inverting input terminal IN-. Thereby, the CMOS operational amplifier is in a so-called voltage follower form,
The DC gain Ga is 1. As mentioned above, CMOS
Between the inverting input terminal IN- of the operational amplifier and the ground potential of the circuit, a capacitor C1 serving as level holding means is coupled.

【0018】周知のように、差動MOSFETN1及び
N2は、そのしきい値電圧が例えば前工程の影響を受け
て微妙にバラツキを呈し、動作状態にあるCMOSオペ
アンプの非反転入力端子IN+及び反転入力端子IN−
間には、図2(a)に点線で例示されるような入力オフ
セット−Vosが存在する。この入力オフセット−Vo
sは、キャンセル処理が行われない場合、CMOSオペ
アンプの直流利得Ga倍だけ増幅された後、出力オフセ
ット+Vos×Gaとなって出力アナログ信号の直流レ
ベルを押し上げる。この結果、場合によっては無線通信
装置の後段増幅回路がクリップ状態となり、正常に動作
できないケースが生じる。
As is well known, the threshold voltages of the differential MOSFETs N1 and N2 slightly vary due to, for example, the influence of the previous process, and the non-inverting input terminal IN + and the inverting input terminal of the CMOS operational amplifier in the operating state. Terminal IN-
Between them, there is an input offset −Vos as exemplified by the dotted line in FIG. This input offset-Vo
When the cancel processing is not performed, s is amplified by the DC gain Ga times of the CMOS operational amplifier, and then becomes the output offset + Vos × Ga to increase the DC level of the output analog signal. As a result, in some cases, the latter-stage amplifier circuit of the wireless communication device may be in a clipping state and may not operate normally.

【0019】ところが、この実施例の増幅器は、上記の
ように、無線通信装置が非動作状態とされるとき選択的
にオン状態とされる二つのスイッチS1及びS2を含
み、CMOSオペアンプは、これらのスイッチがオン状
態とされることで選択的にボルテージフォロア形態とさ
れる。前記のように、ボルテージフォロア形態とされる
CMOSオペアンプの直流利得Gaは、1とされる。ま
た、CMOSオペアンプの非反転入力端子IN+には、
回路の接地電位つまり0Vが供給される。このため、C
MOSオペアンプの非反転出力端子OUTには、図2
(b)に示されるように、入力オフセット−Vosに相
当する出力オフセット+Vosが出力され、この出力オ
フセットはレベル保持手段となる容量C1の書き込ま
れ、保持されるとともに、CMOSオペアンプの反転入
力端子IN−に伝達される。
However, the amplifier of this embodiment includes the two switches S1 and S2 that are selectively turned on when the wireless communication device is deactivated, as described above. Are turned on to selectively set the voltage follower mode. As described above, the DC gain Ga of the CMOS operational amplifier of the voltage follower type is set to 1. The non-inverting input terminal IN + of the CMOS operational amplifier has
The ground potential of the circuit, that is, 0 V is supplied. Therefore, C
The non-inverting output terminal OUT of the MOS operational amplifier has the configuration shown in FIG.
As shown in (b), an output offset + Vos corresponding to the input offset -Vos is output, and this output offset is written and held in the capacitor C1 as the level holding means, and the inverted input terminal IN of the CMOS operational amplifier is written. Is transmitted to

【0020】言うまでもなく、容量C1に書き込まれた
電位は、その絶対値がCMOSオペアンプの入力オフセ
ット−Vosに相当し、これと逆の極性を持つ。この結
果、スイッチS1及びS2がオフ状態とされ、無線通信
装置が次の動作状態となった時点では、図2(a)に実
線で例示されるように、CMOSオペアンプの非反転出
力端子OUTにおける出力オフセットは解消され、無線
通信装置の後段増幅回路は、クリップ状態とならずに正
常に動作しうるものとなる。
Needless to say, the absolute value of the potential written to the capacitor C1 corresponds to the input offset -Vos of the CMOS operational amplifier, and has the opposite polarity. As a result, the switches S1 and S2 are turned off, and when the wireless communication device enters the next operation state, as shown by a solid line in FIG. 2A, the non-inverting output terminal OUT of the CMOS operational amplifier is turned off. The output offset is eliminated, and the post-amplifier circuit of the wireless communication device can operate normally without being clipped.

【0021】つまり、この実施例の増幅器では、無線通
信装置が非動作状態とされスイッチS1及びS2がオン
状態とされる間に、いわゆるオフセット学習が行われ、
オフセットキャンセル量に相当する電位が容量C1に書
き込まれる訳であって、これによってCMOSオペアン
プのオフセットが解消され、無線通信装置の後段増幅回
路の動作が正常化される。言い換えるならば、この実施
例の増幅器は、CMOSオペアンプを基本構成素子とす
るにもかかわらず、無線通信装置の微小信号を扱う初段
増幅回路にも採用できる訳であって、これによって無線
通信装置のCMOS化を促進し、その小型化・低電力化
を推進できるものである。
That is, in the amplifier according to this embodiment, so-called offset learning is performed while the wireless communication device is inactive and the switches S1 and S2 are on.
The potential corresponding to the offset cancellation amount is written to the capacitor C1, whereby the offset of the CMOS operational amplifier is eliminated, and the operation of the rear-stage amplifier circuit of the wireless communication device is normalized. In other words, the amplifier of this embodiment can be adopted also in the first-stage amplifier circuit for handling a small signal of the wireless communication device although the CMOS operational amplifier is used as a basic constituent element. It is possible to promote the use of CMOS and to reduce the size and power consumption.

【0022】図3には、この発明が適用された増幅器の
第2の実施例の回路図が示されている。なお、この実施
例は、前記図1及び図2の実施例を基本的に踏襲するも
のであるため、これと異なる部分についてのみ説明を追
加する。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the amplifier to which the present invention is applied. This embodiment basically follows the embodiment shown in FIGS. 1 and 2 and, therefore, a description will be added only for parts different from this.

【0023】図3において、この実施例の増幅器は、差
動MOSFETN1及びN2を中心とするCMOSオペ
アンプを基本構成とし、PチャンネルMOSFETP3
を含むソースフォロア型出力回路と、Nチャンネル型の
電流源MOSFETN3及びN4と、オフセット学習用
のスイッチS1及びS2とを備える。
In FIG. 3, the amplifier of this embodiment has a basic configuration of a CMOS operational amplifier centered on differential MOSFETs N1 and N2 and a P-channel MOSFET P3.
, An N-channel type current source MOSFET N3 and N4, and switches S1 and S2 for offset learning.

【0024】この実施例の増幅器は、さらに、所定の定
電圧VGを電流源MOSFETN3及びN4のゲートに
選択的に伝達するスイッチS3(第3のスイッチ手段)
と、これらの電流源MOSFETのゲートと回路の接地
電位との間に並列形態に設けられる抵抗R1(抵抗手
段)及び容量C2(容量手段)とを含む。
The amplifier of this embodiment further includes a switch S3 (third switch means) for selectively transmitting a predetermined constant voltage VG to the gates of the current source MOSFETs N3 and N4.
And a resistor R1 (resistor) and a capacitor C2 (capacitor) provided in parallel between the gates of these current source MOSFETs and the ground potential of the circuit.

【0025】この実施例において、増幅器を含む無線通
信装置は、非同期動作する言わば時間的に連続な系とさ
れるが、低消費電力化のためのパワーダウンモードを有
し、増幅器を含む受信部は、無線通信装置自体が動作状
態にない場合や送信状態にある場合においてその動作が
選択的に停止される。スイッチS3は、無線通信装置が
通常の動作状態にあるときオン状態つまり接続状態とさ
れ、パワーダウンモードとされるときオフ状態つまり切
断状態とされる。また、スイッチS1及びS2は、無線
通信装置が通常の動作状態とされるときオフ状態つまり
その第1端子及び第2端子間が接続状態とされ、パワー
ダウンモードとされる当初において一時的にオン状態つ
まりその第2端子及び第3端子間が接続状態とされる。
In this embodiment, the radio communication apparatus including the amplifier is a so-called temporally continuous system that operates asynchronously, but has a power down mode for reducing power consumption, and has a receiving section including the amplifier. The operation is selectively stopped when the wireless communication device itself is not in an operation state or in a transmission state. The switch S3 is turned on, ie, connected, when the wireless communication device is in a normal operation state, and is turned off, ie, disconnected, when put into a power-down mode. The switches S1 and S2 are turned off when the wireless communication device is in a normal operation state, that is, the first terminal and the second terminal are connected, and temporarily turned on at the beginning of the power down mode. The state, that is, the second terminal and the third terminal are connected.

【0026】無線通信装置が通常の動作状態とされると
き、電流源MOSFETN3及びN4のゲートには、オ
ン状態にあるスイッチS3を介して定電圧VGが供給さ
れるため、差動MOSFETN1及びN2を中心とする
CMOSオペアンプは、動作電流を受けて動作状態とな
る。また、CMOSオペアンプの非反転入力端子IN+
には、回路の入力端子VINからスイッチS1を介して
所定の入力信号が供給される。この入力信号は、オペア
ンプの交流利得分だけ増幅された後、CMOSオペアン
プの非反転出力端子OUTに伝達され、さらにスイッチ
S2及び回路の出力端子VOUTを介して図示されない
後段増幅回路に伝達される。
When the wireless communication apparatus is in a normal operation state, the gates of the current source MOSFETs N3 and N4 are supplied with the constant voltage VG via the switch S3 which is in the ON state. The central CMOS operational amplifier receives an operation current and enters an operation state. The non-inverting input terminal IN + of the CMOS operational amplifier
Is supplied with a predetermined input signal from the input terminal VIN of the circuit via the switch S1. This input signal is amplified by the AC gain of the operational amplifier, transmitted to the non-inverted output terminal OUT of the CMOS operational amplifier, and further transmitted to the subsequent amplifier circuit (not shown) via the switch S2 and the output terminal VOUT of the circuit.

【0027】次に、無線通信装置がパワーダウンモード
とされると、増幅器では、まずスイッチS1及びS2が
所定期間だけ一時的にオン状態とされ、スイッチS3は
無線通信装置がパワーダウンモードとされる間、定常的
にオフ状態とされる。このため、電流源MOSFETN
3及びN4は、抵抗R1の抵抗値と容量C2の静電容量
値の積つまり時定数に応じた期間だけ電流源としての動
作を継続するが、所定時間が経過した後はオフ状態とな
り、電流源として作用しない。また、CMOSオペアン
プは、スイッチS1及びS2がオン状態とされる間だけ
ボルテージフォロア形態とされ、オフセット学習状態と
なる。このオフセット学習結果は、前述のように、オフ
セットキャンセル量として容量C1の書き込まれ、保持
されるとともに、CMOSオペアンプの反転入力端子I
N−に伝達され、オフセットキャンセルに供される。こ
の結果、この実施例では、増幅器を含む無線通信装置が
時間的に連続な系とされるにもかかわらず、増幅器のオ
フセットを低減することができ、これによってその初段
増幅回路を含めて無線通信装置等のCMOS化を促進
し、その小型化・低電力化を図ることができるものとな
る。
Next, when the radio communication device is set to the power down mode, the amplifier first turns on the switches S1 and S2 temporarily for a predetermined period, and the switch S3 sets the radio communication device to the power down mode. During this time, it is constantly turned off. Therefore, the current source MOSFET N
3 and N4 continue to operate as a current source for a period corresponding to the product of the resistance value of the resistor R1 and the capacitance value of the capacitor C2, that is, a time period according to the time constant. Does not act as a source. Further, the CMOS operational amplifier is in a voltage follower form only while the switches S1 and S2 are turned on, and is in an offset learning state. As described above, this offset learning result is written and held in the capacitor C1 as an offset canceling amount, and the inversion input terminal I of the CMOS operational amplifier is used.
N- and transmitted to the offset cancel. As a result, in this embodiment, the offset of the amplifier can be reduced despite the fact that the wireless communication apparatus including the amplifier is a temporally continuous system. The use of a CMOS device can be promoted, and its size and power consumption can be reduced.

【0028】以上の実施例から得られる作用効果は、下
記の通りである。すなわち、 (1)無線通信装置等に含まれCMOSオペアンプを基
本構成素子とする増幅器等において、CMOSオペアン
プの反転入力端子側に容量等からなるレベル保持手段を
設けるとともに、その非反転入力端子に入力信号又は回
路の接地電位を選択的に伝達する第1のスイッチ手段
と、その非反転出力端子を回路の出力端子又はその反転
入力端子に選択的に接続する第2のスイッチ手段とを設
け、CMOSオペアンプを選択的にボルテージフォロア
形態として、そのオフセットキャンセル量に相当するレ
ベルをレベル保持手段に書き込むことで、第1及び第2
のスイッチ手段を、時間的に離散な系では例えばクロッ
ク信号に従って選択的に切り換え、時間的に連続する系
では例えば増幅器がパワーダウン状態とされる間に選択
的に切り換えて、必要なオフセットキャンセル量を学習
し、CMOSオペアンプのオフセットを相殺することが
できるという効果が得られる。
The functions and effects obtained from the above embodiment are as follows. That is, (1) In an amplifier or the like included in a wireless communication device or the like and having a CMOS operational amplifier as a basic constituent element, a level holding means including a capacitor or the like is provided on the inverting input terminal side of the CMOS operational amplifier, and an input is provided to a non-inverting input terminal thereof. A first switch means for selectively transmitting a signal or a ground potential of a circuit, and a second switch means for selectively connecting a non-inverted output terminal thereof to an output terminal of the circuit or an inverted input terminal thereof; By selectively setting the operational amplifier in a voltage follower form and writing a level corresponding to the offset cancellation amount to the level holding means, the first and second operational amplifiers can be used.
Is selectively switched according to, for example, a clock signal in a system that is discrete in time, and is selectively switched while the amplifier is in a power-down state in a system that is temporally continuous, for example, to obtain a necessary offset canceling amount. And the offset of the CMOS operational amplifier can be offset.

【0029】(2)上記(1)項により、CMOSオペ
アンプを基本構成素子とする増幅器のオフセットを解消
することができるという効果が得られる。 (3)上記(1)項及び(2)項により、その初段増幅
回路を含めて、複数段の増幅回路を備える無線通信装置
等のCMOS化を促進し、その小型化・低電力化を図る
ことができるという効果が得られる。
(2) According to the above item (1), an effect that an offset of an amplifier having a CMOS operational amplifier as a basic component can be eliminated can be obtained. (3) According to the above items (1) and (2), the use of CMOS in a wireless communication device or the like including a plurality of stages of amplifier circuits, including the first stage amplifier circuit, is promoted, and its size and power consumption are reduced. The effect that it can be obtained is obtained.

【0030】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、この発明は、上記実
施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例え
ば、図1及び図3において、CMOSオペアンプの反転
入力端子IN−側に設けられるレベル保持手段は、容量
以外の手段に置き換えることができる。また、スイッチ
S1及びS2は、クロック信号の無効レベルが終了する
直前あるいはパワーダウンモードが終了する直前に一時
的にオン状態としてもよい。さらに、これらの実施例で
は、CMOSオペアンプの反転入力端子IN−に容量C
1が結合されるため、入力信号をいわゆる相補信号とす
ることができないが、例えば、2対の差動MOSFET
を中心にCMOSオペアンプを構成することで、これに
対処できる。CMOSオペアンプならびに増幅器の具体
的回路構成や電源電圧の極性及び絶対値ならびにMOS
FETの導電型等は、種々の実施形態を採りうる。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment, the invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say, there is. For example, in FIG. 1 and FIG. 3, the level holding means provided on the inverting input terminal IN− side of the CMOS operational amplifier can be replaced with means other than the capacitance. Further, the switches S1 and S2 may be temporarily turned on immediately before the invalid level of the clock signal ends or immediately before the power down mode ends. Further, in these embodiments, the capacitance C is connected to the inverting input terminal IN- of the CMOS operational amplifier.
1 are coupled, so that the input signal cannot be a so-called complementary signal.
This can be dealt with by configuring a CMOS operational amplifier centering on. CMOS operational amplifier, specific circuit configuration of amplifier, polarity and absolute value of power supply voltage, and MOS
The conductivity type of the FET and the like can take various embodiments.

【0031】図2において、入力オフセット及び出力オ
フセットの具体的な極性及び絶対値ならびに入力信号及
び出力信号の信号波形等は、この発明の主旨を説明する
ためのほんの一例であって、本発明自体に制約を与えな
い。
In FIG. 2, the specific polarity and absolute value of the input offset and the output offset, and the signal waveforms of the input signal and the output signal are merely examples for explaining the gist of the present invention. Does not impose any restrictions.

【0032】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその背景となった利用分野である複数
段の増幅回路を備える無線通信装置あるいはその増幅器
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではなく、例えば、増幅器として単体で形成される
ものや、同様な増幅器を含む各種のアナログ集積回路又
はデジタル集積回路にも適用できる。この発明は、少な
くともCMOSオペアンプを基本構成素子とする増幅器
を含む半導体集積回路装置ならびにこのような半導体集
積回路装置を含む装置又はシステムに広く適用できる。
In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to a wireless communication apparatus having a plurality of stages of amplifying circuits or an amplifier thereof, which is a field of use, has been described. However, the present invention can be applied to, for example, a single amplifier formed as an amplifier or various analog integrated circuits or digital integrated circuits including similar amplifiers. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is widely applicable to at least a semiconductor integrated circuit device including an amplifier having a CMOS operational amplifier as a basic constituent element, and a device or system including such a semiconductor integrated circuit device.

【0033】[0033]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。すなわち、無線通信装置等に含まれC
MOSオペアンプを基本構成素子とする増幅器におい
て、CMOSオペアンプの反転入力端子側に容量等から
なるレベル保持手段を設けるとともに、その非反転入力
端子に入力信号又は回路の接地電位を選択的に伝達する
第1のスイッチ手段と、その非反転出力端子を回路の出
力端子又はその反転入力端子に選択的に接続する第2の
スイッチ手段とを設け、CMOSオペアンプを選択的に
ボルテージフォロア形態として、そのオフセットキャン
セル量に相当するレベルをレベル保持手段に書き込むこ
とで、第1及び第2のスイッチ手段を、時間的に離散な
系では例えばクロック信号に従って選択的に切り換え、
時間的に連続する系では例えば増幅器がパワーダウン状
態とされる間に選択的に切り換えて、必要なオフセット
キャンセル量を学習し、CMOSオペアンプのオフセッ
トをキャンセルすることができる。この結果、CMOS
オペアンプを基本構成素子とする増幅器のオフセットを
解消できるとともに、その初段増幅回路を含めて無線通
信装置等のCMOS化を促進し、その小型化・低電力化
を図ることができる。
The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is, C included in a wireless communication device or the like
In an amplifier having a MOS operational amplifier as a basic constituent element, a level maintaining means including a capacitor or the like is provided on an inverting input terminal side of a CMOS operational amplifier, and an input signal or a ground potential of a circuit is selectively transmitted to a non-inverting input terminal thereof. 1 switch means and second switch means for selectively connecting the non-inverting output terminal thereof to the output terminal of the circuit or the inverting input terminal thereof. By writing the level corresponding to the quantity into the level holding means, the first and second switch means are selectively switched according to, for example, a clock signal in a time discrete system.
In a system that is temporally continuous, for example, it is possible to selectively switch while the amplifier is in a power-down state, learn the necessary amount of offset cancellation, and cancel the offset of the CMOS operational amplifier. As a result, CMOS
It is possible to eliminate the offset of an amplifier having an operational amplifier as a basic constituent element, to promote the use of CMOS in a wireless communication device and the like including its first-stage amplifier circuit, and to reduce the size and power consumption thereof.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明が適用された増幅器の第1の実施例を
示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of an amplifier to which the present invention is applied.

【図2】図1の増幅器の一実施例を示す信号波形図であ
る。
FIG. 2 is a signal waveform diagram showing one embodiment of the amplifier of FIG. 1;

【図3】この発明が適用された増幅器の第2の実施例を
示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the amplifier to which the present invention is applied.

【図4】オペアンプを基本素子とする従来の増幅器の一
例を示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of a conventional amplifier using an operational amplifier as a basic element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

VIN……増幅器の入力信号又は入力端子、IN+……
CMOSオペアンプの非反転入力信号又は非反転入力端
子、IN−……CMOSオペアンプの反転入力信号又は
反転入力端子、OUT……CMOSオペアンプの非反転
出力信号又は非反転出力端子、VOUT……増幅器の出
力信号又は出力端子、VG……定電圧、VDD……高電
位側電源電圧、VSS……低電位側電源電圧。Vos…
…オフセット電圧、Ga……増幅器直流利得。P1〜P
3……PチャンネルMOSFET、N1〜N4……Nチ
ャンネルMOSFET、S1〜S3……スイッチ、C1
〜C2……容量、R1……抵抗。
VIN: Input signal or input terminal of amplifier, IN +:
Non-inverting input signal or non-inverting input terminal of CMOS operational amplifier, IN -... inverting input signal or inverting input terminal of CMOS operational amplifier, OUT ... non-inverting output signal or non-inverting output terminal of CMOS operational amplifier, VOUT ... output of amplifier Signal or output terminal, VG: constant voltage, VDD: high-potential power supply voltage, VSS: low-potential power supply voltage. Vos ...
… Offset voltage, Ga… Amplifier DC gain. P1 to P
3 P-channel MOSFET, N1 to N4 N-channel MOSFET, S1 to S3 Switch, C1
.About.C2... Capacity, R1.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 オペアンプと、上記オペアンプの反転入
力端子側に設けられるレベル保持手段とを含む増幅器を
具備するものであって、かつ、 上記オペアンプを選択的にボルテージフォロア形態と
し、その非反転入力端子に回路の接地電位を伝達するこ
とにより、上記オペアンプのオフセットキャンセル量に
相当するレベルを上記レベル保持手段に書き込むことを
特徴とする半導体集積回路装置。
An amplifier comprising an operational amplifier and a level holding means provided on an inverting input terminal side of the operational amplifier, wherein the operational amplifier is selectively in a voltage follower form, and a non-inverting input thereof is provided. A semiconductor integrated circuit device, wherein a level corresponding to the offset cancellation amount of the operational amplifier is written to the level holding means by transmitting a circuit ground potential to a terminal.
【請求項2】 請求項1において、 上記増幅器は、上記オペアンプの非反転入力端子に入力
信号又は回路の接地電位を選択的に伝達する第1のスイ
ッチ手段と、上記オペアンプの非反転出力端子を回路の
出力端子又はその反転入力端子に選択的に接続する第2
のスイッチ手段とを含むものであることを特徴とする半
導体集積回路装置。
2. The amplifier according to claim 1, wherein the amplifier includes a first switch for selectively transmitting an input signal or a ground potential of a circuit to a non-inverting input terminal of the operational amplifier, and a non-inverting output terminal of the operational amplifier. A second terminal selectively connected to the output terminal of the circuit or its inverting input terminal
And a switch means.
【請求項3】 請求項1又は請求項2において、 上記増幅器は、パワーダウンモードを有するものであっ
て、 上記第1及び第2のスイッチ手段は、上記パワーダウン
モードあるいはその当初又は終了時において、上記オペ
アンプの非反転入力端子に回路の接地電位を伝達し、あ
るいは上記オペアンプの非反転出力端子をその反転入力
端子に接続するものであることを特徴とする半導体集積
回路装置。
3. The amplifier according to claim 1, wherein the amplifier has a power-down mode, and wherein the first and second switch means operate in the power-down mode or at the beginning or end thereof. A semiconductor integrated circuit device for transmitting a ground potential of a circuit to a non-inverting input terminal of the operational amplifier, or connecting a non-inverting output terminal of the operational amplifier to the inverting input terminal.
【請求項4】 請求項3において、 上記オペアンプは、差動MOSFETと、上記差動MO
SFETの共通結合されたソースと低電位側電源電圧と
の間に設けられる電流源MOSFETとを含むものであ
って、 上記増幅器は、通常モードにおいて、所定の定電圧を上
記電流源MOSFETのゲートに選択的に伝達する第3
のスイッチ手段と、上記電流源MOSFETのゲートと
低電位側電源電圧との間に並列形態に設けられる抵抗手
段及び容量手段とを含むものであることを特徴とする半
導体集積回路装置。
4. The operational amplifier according to claim 3, wherein the operational amplifier comprises: a differential MOSFET;
A current source MOSFET provided between a common-coupled source of the SFET and a low potential side power supply voltage, wherein the amplifier applies a predetermined constant voltage to a gate of the current source MOSFET in a normal mode. Third to selectively communicate
And a resistance means and a capacitance means provided in parallel between the gate of the current source MOSFET and the low potential side power supply voltage.
【請求項5】 請求項1,請求項2,請求項3又は請求
項4において、 上記増幅器は、所定の無線通信装置の初段増幅回路を構
成するものであることを特徴とする半導体集積回路装
置。
5. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the amplifier constitutes a first-stage amplifier circuit of a predetermined wireless communication device. .
【請求項6】 オペアンプと、上記オペアンプの反転入
力端子側に設けられるレベル保持手段とを含み、しかも
パワーダウンモードを有する増幅器を具備するものであ
って、かつ、 上記増幅器がパワーダウンモードとされるとき、上記オ
ペアンプのオフセットキャンセル量を測定し、上記レベ
ル保持手段に書き込むことを特徴とする半導体集積回路
装置。
6. An amplifier comprising an operational amplifier and an amplifier having a power down mode, the amplifier including a level holding means provided on an inverting input terminal side of the operational amplifier, and the amplifier being in a power down mode. Wherein the offset canceling amount of the operational amplifier is measured and written to the level holding means.
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