JPH11330335A - Method and device for manufacturing semiconductor element - Google Patents

Method and device for manufacturing semiconductor element

Info

Publication number
JPH11330335A
JPH11330335A JP13809498A JP13809498A JPH11330335A JP H11330335 A JPH11330335 A JP H11330335A JP 13809498 A JP13809498 A JP 13809498A JP 13809498 A JP13809498 A JP 13809498A JP H11330335 A JPH11330335 A JP H11330335A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
package
semiconductor device
side wall
elastic deformation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP13809498A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3422929B2 (en
Inventor
Susumu Hayashida
享 林田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP13809498A priority Critical patent/JP3422929B2/en
Publication of JPH11330335A publication Critical patent/JPH11330335A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3422929B2 publication Critical patent/JP3422929B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and device for manufacturing a semiconductor element wherein chipping and cracking, etc., of a package at release from a lead frame are reduced, eliminating fear of poor insulation or degraded characteristics of a formed one for improved reliability. SOLUTION: After a resin package 2 is molded so that an engagement projection 17 formed at a lead frame 11 of long copper thin-plate is inserted in a side wall part 24, holding by the engagement projection 17 is so released that a plurality of semiconductor elements 23 formed continuously from the lead frame 11 come to independent element, and, related to an elastic deformation part 16 provided at the lead frame 11, a tapered guide 31 of an engagement releasing mechanism 25 is made to rise in the direction orthogonal to the lead frame 11, elastic deformation is allowed using a tapered part 30 so that the engagement projection 17 recedes in the direction reverse to insert direction for releasing engagement with a resin package 22, and holding of the resin package 22 by the engagement projection 17 is released.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば樹脂成形に
より形成したパッケージを有する半導体素子をリードフ
レームから離脱させるためのに用いる半導体素子の製造
方法及び製造装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor element used for detaching a semiconductor element having a package formed by, for example, resin molding from a lead frame.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、長尺のリードフレームに複数のト
ランジスタチップやダイオードチップ等の半導体チップ
を連続的に繰り返して固着し、さらに半導体チップを樹
脂成形により形成したパッケージ内に封止した後、所定
のリード加工を行い、リードフレームによるパッケージ
の保持を解除し、個々のものに切り離すようにして半導
体素子は製造される。
2. Description of the Related Art Conventionally, a plurality of semiconductor chips such as a transistor chip and a diode chip are continuously and repeatedly fixed to a long lead frame, and the semiconductor chip is sealed in a package formed by resin molding. The semiconductor element is manufactured by performing predetermined lead processing, releasing the holding of the package by the lead frame, and separating the package into individual components.

【0003】以下、従来の半導体素子の製造方法及び製
造装置を図9乃至図12を参照して説明する。図9はリ
ードフレームの要部を拡大して示す平面図であり、図1
0はパッケージを樹脂成形したリードフレームの平面図
であり、図11はパッケージを樹脂成形したリードフレ
ームの要部を拡大して示す平面図であり、図12はリー
ドフレームから樹脂成形したパッケージを離脱させる工
程を示す図で、図12(a)は第1の工程を示す側面
図、図12(b)は第2の工程を示す側面図、図12
(c)は第3の工程を示す側面図である。
Hereinafter, a conventional method and apparatus for manufacturing a semiconductor device will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is an enlarged plan view showing a main part of the lead frame, and FIG.
0 is a plan view of a lead frame in which the package is molded with resin, FIG. 11 is an enlarged plan view showing a main part of the lead frame in which the package is molded with resin, and FIG. 12 (a) is a side view showing a first step, FIG. 12 (b) is a side view showing a second step, FIG.
(C) is a side view showing the third step.

【0004】図9乃至図12において、1は長尺状の導
電性金属薄板でなるリードフレームで、2はリードフレ
ーム1の長尺方向に複数繰り返し形成された素子形成
部、3は素子形成部2の主部であるチップマウント部、
4a,4bはリード部である。また、5は素子形成部2
の両側部分に対し所定寸法の間隙を設けて対向するよう
リードフレーム1に形成された係止突起である。さら
に、チップマウント部3には図示しないがダイオード構
成の半導体チップが搭載され、半導体チップ上面と一方
のリード部4bの先端部分とがワイヤボンディングされ
る。その後、ワイヤボンディングされた半導体チップを
封止するよう合成樹脂材料によってパッケージ6が成形
され、リードフレーム1に接続されたままの半導体素子
7が形成される。このようにパッケージ6が成形された
状態では、パッケージ6の両方の側壁部8に係止突起5
が嵌入状態となっている。
In FIGS. 9 to 12, reference numeral 1 denotes a lead frame made of a long conductive metal thin plate, 2 denotes an element forming portion which is repeatedly formed in the longitudinal direction of the lead frame 1, and 3 denotes an element forming portion. Chip mount part, which is the main part of 2,
4a and 4b are lead portions. 5 is an element forming part 2
Are locking projections formed on the lead frame 1 so as to be opposed to both side portions with a predetermined gap. Further, a semiconductor chip having a diode configuration (not shown) is mounted on the chip mount portion 3, and the upper surface of the semiconductor chip and the tip of one of the lead portions 4b are wire-bonded. Thereafter, the package 6 is formed of a synthetic resin material so as to seal the semiconductor chip having been subjected to the wire bonding, and the semiconductor element 7 connected to the lead frame 1 is formed. In the state where the package 6 is molded in this manner, the locking projections 5 are provided on both side wall portions 8 of the package 6.
Is in the fitted state.

【0005】そして、リードフレーム1から個々の半導
体素子7の切り離しを行う工程は、下記のように行われ
る。すなわち、半導体素子7を接続したままの長尺状の
リードフレーム1を半導体素子の製造装置にかけ、長尺
方向に順送りしながら先行する工程でリード部4a,4
bをパッケージ6から所定長さ延出した状態になる位置
で切断する。
[0005] The step of separating the individual semiconductor elements 7 from the lead frame 1 is performed as follows. That is, the elongate lead frame 1 with the semiconductor element 7 connected is mounted on a semiconductor element manufacturing apparatus, and the lead portions 4a, 4
b is cut at a position where it extends from the package 6 by a predetermined length.

【0006】次に、図12(a)に示す第1の工程にお
いて、パッケージ6の両方の側壁部8に嵌入した状態の
係止突起5が設けられているリードフレーム1部分を、
製造装置の上クランパ9a、下クランパ9bの間に位置
させる。続いてリードフレーム1を下面側から持ち上げ
るよう下クランパ9bを上方向に駆動し、上クランパ9
aとの間に半導体素子7の両側部分のリードフレーム1
を挟み、上下方向から押さえるようにして支持固定す
る。
Next, in a first step shown in FIG. 12A, a part of the lead frame 1 provided with the locking projections 5 fitted into both side walls 8 of the package 6 is removed.
The manufacturing apparatus is located between the upper clamper 9a and the lower clamper 9b. Subsequently, the lower clamper 9b is driven upward so as to lift the lead frame 1 from the lower surface side, and the upper clamper 9 is driven.
a of the lead frame 1 on both sides of the semiconductor element 7
, And fix it by supporting it from above and below.

【0007】次に、図12(b)に示す第2の工程にお
いて、上クランパ9a、下クランパ9bでリードフレー
ム1を挟持した状態で半導体素子7の下方に設けられた
プッシャ10を、これによって半導体素子7を突き上げ
るよう作動させる。
Next, in a second step shown in FIG. 12B, the pusher 10 provided below the semiconductor element 7 with the lead frame 1 sandwiched between the upper clamper 9a and the lower clamper 9b is thereby removed. The semiconductor device 7 is operated so as to be pushed up.

【0008】次に、図12(c)に示す第3の工程にお
いて、さらにプッシャ10を上端がリードフレーム1の
上方に突出するまで突き上げるよう作動させる。このプ
ッシャ10による突き上げ動作によりパッケージ6の側
壁部8に嵌入していた係止突起5がパッケージ6を一部
砕くようにして外れ、これによりリードフレーム1から
半導体素子7が切り離される。そして、上記の工程を繰
り返すことによりリードフレーム1の長尺方向に連続し
て形成された半導体素子7が個々のものに切り離され
る。
Next, in a third step shown in FIG. 12C, the pusher 10 is further operated so as to be pushed up until the upper end projects above the lead frame 1. Due to the push-up operation by the pusher 10, the locking projection 5 fitted into the side wall portion 8 of the package 6 is detached so as to partially break the package 6, whereby the semiconductor element 7 is separated from the lead frame 1. Then, by repeating the above steps, the semiconductor elements 7 continuously formed in the longitudinal direction of the lead frame 1 are cut into individual elements.

【0009】しかしながら上記の従来技術においては、
リードフレーム1から半導体素子7が切り離す際、プッ
シャ10の突き上げ動作によりパッケージ6の側壁部8
に嵌入していた係止突起5を、その嵌入方向に直行する
方向の力を加えて外すことになるので、パッケージ6の
側壁部8の嵌入部分を一部砕くことになる。そして、こ
の時、場合によってはパッケージ6の側壁部8に無理な
力が加わり、パッケージ6に必要以上の欠けAやクラッ
クB等を形成してしまったりする虞があり、大きな欠け
Aや深く内部にまでいたるクラックBが形成されてしま
うと、パッケージ6の内部に水分が入り込んだりして半
導体素子7の絶縁不良や特性の劣化を招き、また信頼性
が低くなってしまったり、パッケージ6の外観が悪くな
ってしまう等していた。
However, in the above prior art,
When the semiconductor element 7 is separated from the lead frame 1, the pusher 10 pushes up the side wall 8 of the package 6.
Since the locking projection 5 fitted into the package 6 is removed by applying a force in a direction perpendicular to the fitting direction, the fitting portion of the side wall 8 of the package 6 is partially broken. At this time, in some cases, an excessive force is applied to the side wall portion 8 of the package 6, and there is a possibility that an unnecessary chip A or a crack B may be formed in the package 6 more than necessary. If the cracks B are formed, moisture may enter the inside of the package 6, causing insulation failure or deterioration of characteristics of the semiconductor element 7, lowering reliability, and reducing the appearance of the package 6. Was getting worse.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上記のような状況に鑑
みて本発明はなされたもので、リードフレームから半導
体素子を離脱させる際に、パッケージに欠けやクラック
等を生じさせることなく離脱を行わせ、形成される半導
体素子の絶縁不良や特性の劣化の虞をなくし、信頼性を
向上させるようにした半導体素子の製造方法及び製造装
置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and when a semiconductor element is detached from a lead frame, the detachment is performed without causing chipping or cracking of the package. In addition, it is an object of the present invention to provide a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device, which eliminates the risk of insulation failure and deterioration of characteristics of a semiconductor device to be formed and improves reliability.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子の製
造方法及び製造装置は、樹脂成形によるパッケージの側
壁部にリードフレームに形成された係止突起が嵌入状態
となるよう該パッケージの成形を行った後、係止突起に
よるパッケージの保持を解除してリードフレームから半
導体素子を離脱させる工程を有する半導体素子の製造方
法において、パッケージの保持解除が、リードフレーム
に設けられた弾性変形部の弾性変形によって係止突起を
側壁への嵌入方向と逆方向に後退させ、パッケージとの
係合を解除させることにより行うことを特徴とする方法
であり、さらに、リードフレームが長尺状の薄板でなる
と共に、該リードフレームの長尺方向に複数のパッケー
ジが連続して形成されており、かつ長尺方向に隣接する
パッケージ間に係止突起を備える弾性変形部が設けられ
ていることを特徴とする方法であり、さらに、隣接する
パッケージを両者間の弾性変形部を弾性変形させること
により同時に保持解除することを特徴とする方法であ
り、また、樹脂成形されたパッケージの側壁部に嵌入状
態となっているリードフレームに設けられた該リードフ
レームの主面方向に突出する係止突起を、リードフレー
ムの主面の直交方向に進退動作する係合解除機構によっ
てパッケージの側壁部から外し該リードフレームから半
導体素子を離脱させるようにした半導体素子の製造装置
において、係合解除機構が、リードフレームに設けられ
た弾性変形部を直行方向に該リードフレームの裏面側か
ら近付くように進出して弾性変形させ係止突起を嵌入方
向と逆方向に後退させるテーパーガイドと、リードフレ
ームの表面上方に所定の微小間隙を設けて配置されたル
ーズクランパとを具備していることを特徴とするもので
あり、さらに、テーパーガイド及びルーズクランパが、
長尺状のリードフレームの長尺方向に配列された複数の
パッケージを所定数ずつ同時に保持解除するよう備えら
れていることを特徴とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION A method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention include molding a package such that a locking projection formed on a lead frame is fitted into a side wall of the package by resin molding. In the method for manufacturing a semiconductor device having a step of releasing the semiconductor element from the lead frame by releasing the package from the lead frame after performing the holding, the release of the package is released by the elastic deformation portion provided on the lead frame. The method is characterized in that the locking projection is retracted in the direction opposite to the direction of fitting into the side wall by deformation to release the engagement with the package, and the lead frame is formed of a long thin plate. In addition, a plurality of packages are continuously formed in the longitudinal direction of the lead frame, and a plurality of packages are formed between adjacent packages in the longitudinal direction. The method is characterized in that an elastically deformable portion having a projection is provided, and furthermore, the adjacent packages are simultaneously released by elastically deforming the elastically deformable portion between them. Further, a locking projection provided on a lead frame fitted in a side wall portion of a resin molded package and protruding in a main surface direction of the lead frame is moved forward and backward in a direction orthogonal to the main surface of the lead frame. In a semiconductor device manufacturing apparatus in which the semiconductor device is detached from the lead frame by disengaging from the side wall of the package by the disengagement mechanism, the engagement disengagement mechanism causes the elastically deformable portion provided on the lead frame to move in the orthogonal direction. A taper guide that advances from the back side of the lead frame so as to be elastically deformed and retracts the locking projection in a direction opposite to the fitting direction. If, which is characterized in that it comprises a Ruzukuranpa disposed with a predetermined small gap above the surface of the lead frame, further, the tapered guide and Ruzukuranpa is,
A plurality of packages arranged in a longitudinal direction of a long lead frame are provided so as to be simultaneously released by a predetermined number of packages.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図1
乃至図8を参照して説明する。図1はリードフレームの
平面図であり、図2はリードフレームの要部を拡大して
示す平面図であり、図3はパッケージを樹脂成形したリ
ードフレームを示す平面図であり、図4はパッケージを
樹脂成形したリードフレームの要部を拡大して示す平面
図であり、図5はパッケージを樹脂成形したリードフレ
ームの部分拡大断面図であり、図6は半導体素子が接続
されているリードフレームに係合解除機構を対応させた
状態を示す平面図であり、図7はリードフレームから樹
脂成形したパッケージを離脱させる工程を示す図で、図
7(a)は第1の工程を示す側面図、図7(b)は第2
の工程を示す側面図、図7(c)は第3の工程を示す側
面図であり、図8は半導体素子の斜視図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
This will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view of a lead frame, FIG. 2 is an enlarged plan view showing a main part of the lead frame, FIG. 3 is a plan view showing a lead frame obtained by resin-molding a package, and FIG. 5 is an enlarged plan view showing a main part of a lead frame formed by resin molding, FIG. 5 is a partially enlarged sectional view of a lead frame formed by resin molding of a package, and FIG. FIG. 7 is a plan view showing a state in which the engagement release mechanism is made to correspond, FIG. 7 is a view showing a step of detaching the resin molded package from the lead frame, FIG. 7A is a side view showing a first step, FIG. 7 (b) shows the second
7C is a side view showing the third step, and FIG. 8 is a perspective view of the semiconductor element.

【0013】図1乃至図8において、11は、例え幅が
約70mm、板厚が0.12mm程度の長尺状の銅(C
u)薄板の表面に半田メッキを施す等して形成された導
電性金属薄板のリードフレームで、このリードフレーム
11にはプレス加工等によって所定のパターンが幅方向
に2つ並べるようにして長尺方向Xに複数繰り返し形成
されており、そのパターンの素子形成部12には、主部
となる矩形状のチップマウント部13が形成されてい
る。また、14a,14bはリード部で、一方のリード
部14aはチップマウント部13とリードフレーム11
の縁部分とをつなぐように形成されており、他方のリー
ド部14bは先端部分がチップマウント部13に対向す
るように一方のリード部14aとは逆側のリードフレー
ム11の縁部分から延び出るように形成されている。
1 to 8, reference numeral 11 denotes a long copper (C) having a width of about 70 mm and a plate thickness of about 0.12 mm.
u) A lead frame made of a conductive metal thin plate formed by subjecting the surface of a thin plate to solder plating or the like, and the lead frame 11 is elongated by pressing and forming two predetermined patterns in the width direction. A plurality of chips are repeatedly formed in the direction X, and a rectangular chip mount portion 13 serving as a main portion is formed in the element forming portion 12 of the pattern. 14a and 14b are lead portions, and one lead portion 14a is a chip mount portion 13 and a lead frame 11;
The other lead portion 14b extends from the edge portion of the lead frame 11 opposite to the one lead portion 14a so that the tip portion faces the chip mount portion 13. It is formed as follows.

【0014】さらに、リードフレーム11には、隣接す
る素子形成部12の間に所定形状寸法の幅方向に長い切
り欠き部分15が設けられるようにして弾性変形部16
が形成されている。また弾性変形部16の素子形成部1
2に対向する位置には、素子形成部12の両側部分に対
し所定寸法の間隙を設けて対向しリードフレーム11の
主面方向に突出するように係止突起17が形成されてい
る、なお、18,19は共にリードフレーム11を順送
りする送りピッチ孔で、異なる送り機構を有する半導体
素子の製造装置での加工が行えるようになっている。
Further, the lead frame 11 is provided with a notch portion 15 having a predetermined shape and length in the width direction between adjacent element forming portions 12 so that the elastic deformation portion 16 is formed.
Are formed. The element forming part 1 of the elastic deformation part 16
2, a locking projection 17 is formed so as to face the both sides of the element forming portion 12 with a predetermined gap therebetween and to project in the main surface direction of the lead frame 11. Reference numerals 18 and 19 denote feed pitch holes for feeding the lead frame 11 in order, so that processing can be performed by a semiconductor device manufacturing apparatus having different feed mechanisms.

【0015】そして、チップマウント部13にはダイオ
ード構成の半導体チップ20が導電性の接着材料により
固着されることにより搭載されており、搭載された半導
体チップ20の上面の電極部位と他方のリード部14b
の先端部分にはボンディングワイヤ21の両端がそれぞ
れボンディングされている。その後、ワイヤボンディン
グされた半導体チップ20を封止するようエポキシ系樹
脂等の合成樹脂材料によって樹脂パッケージ22が成形
され、リードフレーム11に接続され保持されたままの
半導体素子23が形成される。このように樹脂パッケー
ジ22が成形された状態では、樹脂パッケージ22の両
方の側壁部24に係止突起17がリードフレーム11の
面に平行な方向に嵌入した状態となっている。なお、半
導体素子23はリードフレーム11に接続されたままの
状態で、例えば樹脂パッケージ22の形状が長さ1.6
mm、幅が0.8mm、高さが0.6〜0.7mm程度
の寸法の略直方体状で、長さ方向の両端面からリード部
14a,14bが延出しており、また長尺方向Xに隣接
する樹脂パッケージ22の間の間隔寸法が1.75mm
程度となっている。
A semiconductor chip 20 having a diode structure is mounted on the chip mount portion 13 by being fixed with a conductive adhesive material. The electrode portion on the upper surface of the mounted semiconductor chip 20 and the other lead portion are mounted. 14b
Both ends of the bonding wire 21 are respectively bonded to the tip portions of the bonding wires 21. Thereafter, a resin package 22 is molded with a synthetic resin material such as an epoxy resin so as to seal the semiconductor chip 20 to which the wire bonding is performed, and a semiconductor element 23 connected to and held by the lead frame 11 is formed. In a state where the resin package 22 is molded in this manner, the locking projections 17 are fitted into both side wall portions 24 of the resin package 22 in a direction parallel to the surface of the lead frame 11. In the state where the semiconductor element 23 is still connected to the lead frame 11, for example, the shape of the resin package 22 has a length of 1.6.
mm, a width of 0.8 mm, and a height of about 0.6 to 0.7 mm in a substantially rectangular parallelepiped shape, and lead portions 14a and 14b extend from both end surfaces in the longitudinal direction. Is 1.75 mm between adjacent resin packages 22
It has become about.

【0016】そして、リードフレーム11からの個々の
半導体素子23の切り離しを行う工程は、下記の通り半
導体素子の製造装置の係合解除機構25によって行わ
れ、係合解除機構25は、リードフレーム11の幅方
向、長尺方向Xにそれぞれ隣接するように並べられた4
つの半導体素子23が一度に切り離されるように構成さ
れたものとなっている。なお、以下に説明する係合解除
機構25については、特記するものを除き長尺方向Xに
隣接する2つの半導体素子23を切り離す構成を代表さ
せて説明をする。
The step of separating the individual semiconductor elements 23 from the lead frame 11 is performed by the engagement release mechanism 25 of the semiconductor device manufacturing apparatus as described below. 4 arranged adjacent to each other in the width direction and the long direction X of
One semiconductor element 23 is configured to be separated at a time. The disengagement mechanism 25 described below will be described by exemplifying a configuration in which two semiconductor elements 23 adjacent to each other in the longitudinal direction X are separated, unless otherwise specified.

【0017】係合解除機構25は、リードフレーム11
が長尺方向Xに順送りされる加工空間26を挟んで対を
なして対向する第1の上クランパ27a、第1の下クラ
ンパ27bと、同様に加工空間26を挟んで対をなして
対向する第2の上クランパ28a、第2の下クランパ2
8bとを、両者の間に長尺方向Xに隣接する2つの半導
体素子23が配置可能な間隔をおいて設けられている。
第1の上クランパ27aと第2の上クランパ28aは静
止側となっているのに対し、第1の下クランパ27bと
第2の下クランパ28bはリードフレーム11の主面に
直交する方向に進退動作するようになっている。
The engagement release mechanism 25 is connected to the lead frame 11.
Are opposed to each other in a pair across the processing space 26 which is sequentially fed in the longitudinal direction X. The first upper clamper 27a and the first lower clamper 27b are also opposed in a pair across the processing space 26. Second upper clamper 28a, second lower clamper 2
8b are provided at an interval between the two so that two semiconductor elements 23 adjacent in the longitudinal direction X can be arranged.
While the first upper clamper 27a and the second upper clamper 28a are stationary, the first lower clamper 27b and the second lower clamper 28b advance and retreat in a direction orthogonal to the main surface of the lead frame 11. It is supposed to work.

【0018】そして、長尺方向Xに間隔をおいて設けら
れた第1の上下クランパ27a,27bと第2の上下ク
ランパ28a,28bの間には、4つのルーズクランパ
29が加工空間26の上方側で弾性変形部16の係止突
起17が形成されている部位の直上となる位置にそれぞ
れ設けられている。さらに、上端が先細となるテーパー
部30が形成された8つのテーパーガイド31が、加工
空間26の下方側の半導体素子23の下面4隅角近傍
に、リードフレーム11の主面の直交方向に進退動作す
るよう設けられている。
Between the first upper and lower clampers 27a and 27b and the second upper and lower clampers 28a and 28b provided at intervals in the longitudinal direction X, four loose clampers 29 are provided above the machining space 26. The elastic deformation portion 16 is provided at a position immediately above a portion where the locking projection 17 is formed on the side. Further, eight taper guides 31 each having a tapered portion 30 having a tapered upper end advance and retreat in the direction orthogonal to the main surface of the lead frame 11 near four corners of the lower surface of the semiconductor element 23 below the processing space 26. It is provided to operate.

【0019】すなわち、1つのルーズクランパ29は長
尺方向Xに隣接する2つのうちの一方の半導体素子23
と第1の上下クランパ27aとの間に、また残りのうち
の2つのルーズクランパ29は隣接する半導体素子23
の間に、残り1つのルーズクランパ29は他方の半導体
素子23と第2の上クランパ28aとの間にそれぞれ配
置されている。また、テーパーガイド31は、リードフ
レーム11の裏面方向に進出動作した際に、各弾性変形
部16の半導体素子23に対向する側の縁部位を面方向
に弾性変形させるよう配列されている。
That is, one loose clamper 29 is connected to one of the two semiconductor elements 23 adjacent in the longitudinal direction X.
And the first upper and lower clampers 27a, and the remaining two loose clampers 29 are connected to the adjacent semiconductor elements 23.
The other one loose clamper 29 is arranged between the other semiconductor element 23 and the second upper clamper 28a. The taper guides 31 are arranged so as to elastically deform the edge portions of the respective elastic deformation portions 16 on the side facing the semiconductor element 23 in the surface direction when the taper guides 31 move forward in the back surface direction of the lead frame 11.

【0020】そして、上記のように構成された半導体素
子の製造装置の係合解除機構25によって、リードフレ
ーム11からの半導体素子23の切り離しが、以下に説
明する工程により行われる。先ず、半導体素子23を接
続、保持したままの長尺状のリードフレーム11を半導
体素子の製造装置にかけ、長尺方向Xに順送りしながら
先行する工程においてリード部14a,14bを樹脂パ
ッケージ22から所定長さ延出した状態になる位置で切
断する。これにより半導体素子23が、樹脂パッケージ
22の側壁部24に係合された係止突起17のみによっ
てリードフレーム11に保持された状態になる。
Then, the semiconductor device 23 is separated from the lead frame 11 by the engagement release mechanism 25 of the semiconductor device manufacturing apparatus having the above-described structure by the steps described below. First, the long lead frame 11 with the semiconductor element 23 connected and held is mounted on a semiconductor device manufacturing apparatus, and the lead portions 14a and 14b are separated from the resin package 22 in the preceding step while being sequentially fed in the long direction X. Cut at the position where the length is extended. As a result, the semiconductor element 23 is held on the lead frame 11 only by the locking projection 17 engaged with the side wall 24 of the resin package 22.

【0021】次に、図7(a)に示す第1の工程におい
て、加工空間26の所定位置に長尺方向Xに隣接する2
つ半導体素子23を静止させる。続いて第1の下クラン
パ27bと第2の下クランパ28bを、実線矢印で示す
ようにリードフレーム11の裏面方向に下方側から進出
動作させ、リードフレーム11に当接させる。そして、
当接した後も、さらに第1の下クランパ27bと第2の
下クランパ28bを上昇させてリードフレーム11を突
き上げ、第1の上クランパ27a、第2の上クランパ2
8aとの間に挟み込むようにしてリードフレーム11が
動かないようしっかりと支持固定する。
Next, in a first step shown in FIG.
And the semiconductor element 23 is stopped. Subsequently, the first lower clamper 27b and the second lower clamper 28b are advanced from the lower side in the direction of the back surface of the lead frame 11 as shown by solid arrows, and are brought into contact with the lead frame 11. And
After the contact, the first lower clamper 27b and the second lower clamper 28b are further raised to push up the lead frame 11, and the first upper clamper 27a and the second upper clamper 2
The lead frame 11 is firmly supported and fixed so that the lead frame 11 does not move.

【0022】このように支持固定された状態で、リード
フレーム11の上面と弾性変形部16の直上に設けられ
たルーズクランパ29の下端面との間に、例えば約10
μm程度の微小間隙Gが設けられている。この微小間隙
Gは、次工程で弾性変形部16を弾性変形させた際、こ
れによって生じる捩じれを制限しながらも円滑に弾性変
形部16が変位する寸法となっている。
In the state of being supported and fixed in this manner, for example, about 10 mm is provided between the upper surface of the lead frame 11 and the lower end surface of the loose clamper 29 provided immediately above the elastic deformation portion 16.
A minute gap G of about μm is provided. The small gap G has such a dimension that when the elastic deformation portion 16 is elastically deformed in the next step, the elastic deformation portion 16 is smoothly displaced while restricting the torsion caused thereby.

【0023】次に、図7(b)に示す第2の工程におい
て、テーパーガイド31を、実線矢印で示すようにリー
ドフレーム11の裏面方向に下方側から進出動作させ、
テーパーガイド31のテーパー部30の先細となってい
るテーパー面上部を、弾性変形部16の半導体素子23
に対向する側の縁部位に当接させる。さらにテーパーガ
イド31を上昇させテーパー部30によって弾性変形部
16の縁部位を、リードフレーム11の面に平行な方向
に切り欠き部分15が狭まるよう弾性変形させる。
Next, in a second step shown in FIG. 7 (b), the taper guide 31 is advanced from below toward the back side of the lead frame 11 as shown by the solid arrow,
The upper portion of the tapered surface of the tapered portion 30 of the tapered guide 31 is connected to the semiconductor element 23 of the elastically deforming portion 16.
To the edge portion on the side opposite to. Further, the taper guide 31 is raised, and the edge portion of the elastic deformation portion 16 is elastically deformed by the taper portion 30 so that the cutout portion 15 is narrowed in a direction parallel to the surface of the lead frame 11.

【0024】この弾性変形の際に弾性変形部16は、半
導体素子23に対向する側の縁部位のみが上方に持ち上
げられるようにして捩じれるように変形するが、微小間
隙Gを間にして設けられたルーズクランパ29によって
規制され、捩じれが最小限に止められる。そして、弾性
変形部16はルーズクランパ29によって規制されなが
ら円滑に切り欠き部分15が狭まるよう変形する。
During this elastic deformation, the elastic deformation portion 16 is deformed so that only the edge portion on the side facing the semiconductor element 23 is twisted so as to be lifted upward, but is provided with a minute gap G therebetween. The torsion clamper 29 restricts the twist and minimizes the twist. Then, the elastic deformation portion 16 is deformed so that the cutout portion 15 is smoothly narrowed while being regulated by the loose clamper 29.

【0025】次に、図7(c)に示す第3の工程におい
て、さらにテーパーガイド31を上昇させて弾性変形部
16を弾性変形させ、樹脂パッケージ22の側壁部24
に嵌入状態となっている係止突起17を、嵌入方向と逆
方向に後退させる。そして樹脂パッケージ22の側壁部
24と係止突起17との係合が解除され、これによりリ
ードフレーム11に保持された半導体素子23を離脱、
分離させる。また上記の工程を繰り返すことにより、リ
ードフレーム11の長尺方向に連続して形成された半導
体素子23が同時に4つずつ個々のものに切り離され、
図示しない以降の工程に投入され、半導体素子23が完
成する。
Next, in a third step shown in FIG. 7 (c), the taper guide 31 is further raised to elastically deform the elastically deformable portion 16, and the side wall portion 24 of the resin package 22 is formed.
The locking projection 17 that has been fitted into the fitting portion is retracted in the direction opposite to the fitting direction. Then, the engagement between the side wall portion 24 of the resin package 22 and the locking projection 17 is released, whereby the semiconductor element 23 held by the lead frame 11 is detached.
Let it separate. Further, by repeating the above steps, the semiconductor elements 23 continuously formed in the longitudinal direction of the lead frame 11 are simultaneously cut into four by four pieces,
The semiconductor device 23 is completed by being subjected to subsequent steps not shown.

【0026】また、上記のように構成されていることに
より、完成された半導体素子23の樹脂パッケージ22
には、その側壁部24に係止突起17が嵌入していた痕
跡である凹部24aが残されているのみで、リードフレ
ーム11から半導体素子23を離脱させる際に生じてい
た樹脂パッケージ22の欠けやクラック等が大幅に減
じ、また欠けやクラック等が素子内部にまで達する虞が
なくなって、絶縁不良や特性不良が大幅に少なくなり製
造歩留まりが向上し、さらにまた経時的な特性の劣化が
なくなって信頼性が非常に向上する。さらに樹脂パッケ
ージ22の外観が悪くなるようなこと等もなくなる。
The resin package 22 of the completed semiconductor element 23 is constructed as described above.
Only the recess 24 a, which is a trace of the engagement of the locking projection 17 in the side wall 24, is left out. The chipping of the resin package 22 that occurs when the semiconductor element 23 is detached from the lead frame 11 is removed. And cracks, etc. are greatly reduced, and there is no possibility that chips, cracks, etc. will reach the inside of the element, and insulation defects and characteristic defects will be greatly reduced, manufacturing yield will be improved, and characteristics will not deteriorate over time. And reliability is greatly improved. Further, the appearance of the resin package 22 is not deteriorated.

【0027】また、係合解除機構25のルーズクランパ
29を、リードフレーム11の弾性変形部16の直上に
所定寸法の微小間隙Gを間に設けるようにして配置した
ので、係止突起17による係合を解除させる時に弾性変
形部16に生じる捩じれが最小限のものとなって、円滑
な係合解除動作を行わせられる。さらに係合解除機構2
5の構成を、リードフレーム11の幅方向に隣接し、さ
らに長尺方向Xに隣接する4つの半導体素子23を同時
に分離、離脱させるものとしたので製造能率が向上した
ものとなる。
Further, since the loose clamper 29 of the engagement release mechanism 25 is disposed immediately above the elastically deforming portion 16 of the lead frame 11 with a small gap G having a predetermined dimension therebetween, the engagement by the locking projection 17 is provided. The twist generated in the elastically deforming portion 16 at the time of releasing the engagement is minimized, and a smooth engagement releasing operation is performed. Further, the disengagement mechanism 2
In the configuration No. 5, four semiconductor elements 23 adjacent in the width direction of the lead frame 11 and further adjacent in the longitudinal direction X are simultaneously separated and separated, so that the manufacturing efficiency is improved.

【0028】なお、上記の実施形態では樹脂パッケージ
22内に封止される半導体チップ20をダイオード構造
のものとしたが、これに限られるものではなく、トラン
ジスタ構造でも、また他の複合構造のチップであっても
リード部14a,14bの構成が異なるのみで、樹脂パ
ッケージの保持構成が同じであれば上記実施形態と同様
の作用、効果を得ることができる。
In the above embodiment, the semiconductor chip 20 sealed in the resin package 22 has a diode structure. However, the present invention is not limited to this. For example, a transistor structure or another composite structure chip may be used. Even in this case, only the configuration of the lead portions 14a and 14b is different, and the same operation and effect as in the above embodiment can be obtained as long as the resin package holding configuration is the same.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば半導体素子をリードフレームから離脱させる
際、樹脂パッケージを破損させてしまうことがなくなっ
て絶縁不良や素子特性不良などが大幅に少なくなり、素
子の信頼性が非常に向上する等の効果が得られる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, when the semiconductor element is detached from the lead frame, the resin package is not damaged, and the insulation failure and the element characteristic failure are greatly reduced. The effect is that the reliability of the element is greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係るリードフレームの平
面図である。
FIG. 1 is a plan view of a lead frame according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施形態に係るリードフレームの要
部を拡大して示す平面図である。
FIG. 2 is an enlarged plan view showing a main part of a lead frame according to one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施形態に係るパッケージを樹脂成
形したリードフレームを示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a lead frame obtained by resin-molding a package according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施形態に係るパッケージを樹脂成
形したリードフレームの要部を拡大して示す平面図であ
る。
FIG. 4 is an enlarged plan view showing a main part of a lead frame obtained by resin-molding a package according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施形態に係るパッケージを樹脂成
形したリードフレームの部分拡大断面図である。
FIG. 5 is a partially enlarged sectional view of a lead frame obtained by resin-molding a package according to an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施形態における半導体素子が接続
されているリードフレームに係合解除機構を対応させた
状態を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing a state in which a disengagement mechanism is associated with a lead frame to which a semiconductor element is connected according to an embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施形態におけるリードフレームか
ら樹脂成形したパッケージを離脱させる工程を示す図
で、図7(a)は第1の工程を示す側面図、図7(b)
は第2の工程を示す側面図、図7(c)は第3の工程を
示す側面図である。
7A and 7B are diagrams showing a step of detaching a resin-molded package from a lead frame according to an embodiment of the present invention. FIG. 7A is a side view showing a first step, and FIG.
Is a side view showing a second step, and FIG. 7C is a side view showing a third step.

【図8】本発明の一実施形態に係る半導体素子の斜視図
である。
FIG. 8 is a perspective view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図9】従来技術に係るリードフレームの要部を拡大し
て示す平面図である。
FIG. 9 is an enlarged plan view showing a main part of a lead frame according to the related art.

【図10】従来技術に係るパッケージを樹脂成形したリ
ードフレームの平面図である。
FIG. 10 is a plan view of a lead frame obtained by resin-molding a package according to the related art.

【図11】従来技術に係るパッケージを樹脂成形したリ
ードフレームの要部を拡大して示す平面図である。
FIG. 11 is an enlarged plan view showing a main part of a lead frame obtained by resin-molding a package according to the related art.

【図12】従来技術におけるリードフレームから樹脂成
形したパッケージを離脱させる工程を示す図で、図12
(a)は第1の工程を示す側面図、図12(b)は第2
の工程を示す側面図、図12(c)は第3の工程を示す
側面図である。
FIG. 12 is a view showing a step of detaching a resin-molded package from a lead frame according to a conventional technique;
FIG. 12A is a side view showing a first step, and FIG.
FIG. 12C is a side view showing a third step.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…リードフレーム 15…切り欠き部分 16…弾性変形部 17…係止突起 22…樹脂パッケージ 24…側壁部 25…係合解除機構 29…ルーズクランパ 30…テーパー部 31…テーパーガイド G…微小間隙 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Lead frame 15 ... Notch part 16 ... Elastic deformation part 17 ... Locking projection 22 ... Resin package 24 ... Side wall part 25 ... Disengagement mechanism 29 ... Loose clamper 30 ... Taper part 31 ... Taper guide G ... Minute gap

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 樹脂成形によるパッケージの側壁部にリ
ードフレームに形成された係止突起が嵌入状態となるよ
う該パッケージの成形を行った後、前記係止突起による
前記パッケージの保持を解除して前記リードフレームか
ら半導体素子を離脱させる工程を有する半導体素子の製
造方法において、前記パッケージの保持解除が、前記リ
ードフレームに設けられた弾性変形部の弾性変形によっ
て前記係止突起を前記側壁への嵌入方向と逆方向に後退
させ、前記パッケージとの係合を解除させることにより
行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。
After the package is molded so that the locking projection formed on the lead frame is fitted into the side wall of the package by resin molding, the holding of the package by the locking projection is released. In the method for manufacturing a semiconductor device having a step of detaching the semiconductor device from the lead frame, the release of the package is performed by fitting the locking protrusion into the side wall by elastic deformation of an elastic deformation portion provided on the lead frame. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising retreating in a direction opposite to a direction to release engagement with the package.
【請求項2】 リードフレームが長尺状の薄板でなると
共に、該リードフレームの長尺方向に複数のパッケージ
が連続して形成されており、かつ長尺方向に隣接する前
記パッケージ間に係止突起を備える弾性変形部が設けら
れていることを特徴とする請求項1記載の半導体素子の
製造方法。
2. A lead frame comprising a long thin plate, a plurality of packages formed continuously in a longitudinal direction of the lead frame, and locking between the packages adjacent in the longitudinal direction. The method according to claim 1, further comprising an elastic deformation portion having a protrusion.
【請求項3】 隣接するパッケージを両者間の弾性変形
部を弾性変形させることにより同時に保持解除すること
を特徴とする請求項2記載の半導体素子の製造方法。
3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the adjacent packages are simultaneously released by elastically deforming an elastically deformable portion between them.
【請求項4】 樹脂成形されたパッケージの側壁部に嵌
入状態となっているリードフレームに設けられた該リー
ドフレームの主面方向に突出する係止突起を、前記リー
ドフレームの主面の直交方向に進退動作する係合解除機
構によって前記パッケージの側壁部から外し該リードフ
レームから半導体素子を離脱させるようにした半導体素
子の製造装置において、前記係合解除機構が、前記リー
ドフレームに設けられた弾性変形部を前記直行方向に該
リードフレームの裏面側から近付くように進出して弾性
変形させ前記係止突起を前記嵌入方向と逆方向に後退さ
せるテーパーガイドと、前記リードフレームの表面上方
に所定の微小間隙を設けて配置されたルーズクランパと
を具備していることを特徴とする半導体素子の製造装
置。
4. A locking projection, which is provided on a lead frame fitted into a side wall portion of a resin molded package and protrudes in a main surface direction of the lead frame, is provided in a direction orthogonal to the main surface of the lead frame. In a semiconductor device manufacturing apparatus in which the semiconductor device is detached from the lead frame by being detached from the side wall of the package by an engagement release mechanism that moves forward and backward, the engagement release mechanism is provided on an elastic member provided on the lead frame. A taper guide which advances the deformed portion in the direction perpendicular to the back side of the lead frame and elastically deforms it to retract the locking projection in a direction opposite to the fitting direction, and a predetermined guide above the surface of the lead frame. An apparatus for manufacturing a semiconductor device, comprising: a loose clamper provided with a minute gap.
【請求項5】 テーパーガイド及びルーズクランパが、
長尺状のリードフレームの長尺方向に配列された複数の
パッケージを所定数ずつ同時に保持解除するよう備えら
れていることを特徴とする請求項4記載の半導体素子の
製造装置。
5. A taper guide and a loose clamper,
5. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 4, wherein a predetermined number of packages arranged in the longitudinal direction of the long lead frame are simultaneously released.
JP13809498A 1998-05-20 1998-05-20 Semiconductor device manufacturing equipment Expired - Fee Related JP3422929B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13809498A JP3422929B2 (en) 1998-05-20 1998-05-20 Semiconductor device manufacturing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13809498A JP3422929B2 (en) 1998-05-20 1998-05-20 Semiconductor device manufacturing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11330335A true JPH11330335A (en) 1999-11-30
JP3422929B2 JP3422929B2 (en) 2003-07-07

Family

ID=15213816

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13809498A Expired - Fee Related JP3422929B2 (en) 1998-05-20 1998-05-20 Semiconductor device manufacturing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3422929B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010049835A1 (en) * 2008-10-27 2010-05-06 Nxp B.V. Microelectronic package assembly, method for disconnecting a microelectronic package

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010049835A1 (en) * 2008-10-27 2010-05-06 Nxp B.V. Microelectronic package assembly, method for disconnecting a microelectronic package
US8659132B2 (en) 2008-10-27 2014-02-25 Nxp B.V. Microelectronic package assembly, method for disconnecting a microelectronic package

Also Published As

Publication number Publication date
JP3422929B2 (en) 2003-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7019388B2 (en) Semiconductor device
TW550776B (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6838315B2 (en) Semiconductor device manufacturing method wherein electrode members are exposed from a mounting surface of a resin encapsulator
CN105810594B (en) Method for manufacturing semiconductor device
US6454153B2 (en) Apparatuses for forming wire bonds from circuitry on a substrate to a semiconductor chip, and methods of forming semiconductor chip assemblies
JP5851897B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
US6686652B1 (en) Locking lead tips and die attach pad for a leadless package apparatus and method
JP2001237258A (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP3422929B2 (en) Semiconductor device manufacturing equipment
US20240105537A1 (en) Mold, lead frame, method, and electronic device with exposed die pad packaging
JP2001185671A (en) Method of manufacturing for semiconductor device and method of manufacturing for lead frame used for the same
JP3226035B2 (en) Electronic component positioning lead bending device and bending method
JP2503652B2 (en) Semiconductor integrated circuit device and its inspection method
US11817374B2 (en) Electronic device with exposed tie bar
KR101333001B1 (en) Lead frame and method for manufacturing semiconductor package using the same
JP2630686B2 (en) Electronic component manufacturing frame, electronic component manufacturing method using the same, and electronic component manufactured by the manufacturing method
JP2636778B2 (en) Mold for manufacturing semiconductor devices
JPH01120856A (en) Lead frame
JPH0539630Y2 (en)
KR100902096B1 (en) Carrier for holding unit type board
JPH09312373A (en) Inner lead top end structure of lead frame and forming thereof
KR20240123762A (en) Semiconductor packages with wettable flanks and related methods
JP2904185B2 (en) Lead molding equipment for electronic parts
JPH09181109A (en) Manufacture of chip semiconductor device
JP2000114446A (en) Manufacture of lead frame with radiating plate

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 5

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080425

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 6

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090425

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 7

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100425

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees