JPH11329724A - Organic el display element and production of the same - Google Patents

Organic el display element and production of the same

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JPH11329724A
JPH11329724A JP10126078A JP12607898A JPH11329724A JP H11329724 A JPH11329724 A JP H11329724A JP 10126078 A JP10126078 A JP 10126078A JP 12607898 A JP12607898 A JP 12607898A JP H11329724 A JPH11329724 A JP H11329724A
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JP
Japan
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insulating film
insulating
organic
display electrode
forming
Prior art date
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Application number
JP10126078A
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Japanese (ja)
Inventor
Tatsuo Fukuda
辰男 福田
Yukio Ogawa
行雄 小川
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Futaba Corp
Original Assignee
Futaba Corp
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Publication date
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Publication of JPH11329724A publication Critical patent/JPH11329724A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide production of an organic EL display element comprising a simple procedure, yet capable of forming diaphragms uniformly wherewith isolation between negative electrodes can be secured. SOLUTION: A striped translucent electrodes 3 exist on an upper side of a translucent substrate 1. Insulating films 5 exist between positive electrodes 3, and insulating films 6 exist on the positive electrodes 3, orthogonal to the insulating films 5. Insulating ribs 7 exist on the insulating films 6, and organic thin film layers 8 and striped negative electrodes 9 exist between the insulating films 6. A negative-type photosensitive polyimide is spread on a glass substrate 2 having the positive electrodes on it. The negative-type photosensitive polyimide is exposed with underdose light using an exposure mask having a pattern corresponding to that of the insulating films 5. Next, the negative-type photoresist polyimide is exposed with overdose light using an exposure mask corresponding to that of the insulating film 6 and developed. The underdose part suffers significant decrease in its film thickness, whereas the overdosed part suffers no decrease in its film thickness. A structure consisting of two- staged insulating layers can be formed in a single process. Insulating ribs 7 are provided on this structure. Further, organic thin film layers 8 and negative electrodes 9 are deposited. Adjacent negative electrodes 9 are electrically isolated mutually and the negative electrodes are also isolated from the positive electrodes with the insulating film 4.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、互いに交差する陽
極と陰極がマトリクスを構成している有機EL表示素子
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic EL display device in which an anode and a cathode which intersect each other form a matrix.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4は、特開平8−315981号公報
に開示された有機EL表示素子の拡大断面図である。こ
の有機EL表示素子は、ストライプ状のX−Yマトリク
ス電極を有する有機ELディスプレイであり、陰極をス
トライプ状に分離・パターニングするために、絶縁膜の
隔壁を備えている。この絶縁隔壁は、逆テーパー形状
(図4では断面逆台形状)であり、基板に平行な方向に
突出するオーバーハング部を有しており、膜厚(高さ)
は1μm以上10μm以下の範囲で形成されている。
2. Description of the Related Art FIG. 4 is an enlarged sectional view of an organic EL display device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-315981. This organic EL display element is an organic EL display having XY matrix electrodes in the form of stripes, and has partitions of an insulating film in order to separate and pattern the cathode in the form of stripes. This insulating partition has an inverted tapered shape (an inverted trapezoidal cross section in FIG. 4), has an overhang portion projecting in a direction parallel to the substrate, and has a film thickness (height).
Is formed in a range of 1 μm or more and 10 μm or less.

【0003】前記オーバーハング部を有する絶縁隔壁を
形成するために以下の方法を取っている。 基板100の上に、帯状の複数の第1表示電極101
(陽極)を所定間隔をおいて形成する。 非感光性のポリイミド膜102を第1表示電極101
上に形成する。 フォトレジストの単層をクロルベンゼン処理し、逆テ
ーパー断面を有する上部オーバーハング部を有する隔壁
103を形成する。
The following method is used to form the insulating partition having the overhang portion. A plurality of strip-shaped first display electrodes 101 are provided on a substrate 100.
(Anodes) are formed at predetermined intervals. A non-photosensitive polyimide film 102 is formed on the first display electrode 101.
Form on top. A single layer of photoresist is subjected to chlorobenzene treatment to form a partition 103 having an upper overhang having an inversely tapered cross section.

【0004】上記隔壁103を形成した基板100に対
し、有機層105と第2表示電極106(陰極)を、と
もに蒸着等の方法で形成する。
An organic layer 105 and a second display electrode 106 (cathode) are both formed on the substrate 100 on which the partition walls 103 are formed by a method such as vapor deposition.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】逆テーパー形状の隔壁
102による第2表示電極106のセルフアライメント
パターニングは、隔壁形状に若干のバラツキが発生した
場合でも、第2表示電極のライン間の絶縁不良を引き起
こしてしまうという問題があった。
The self-alignment patterning of the second display electrode 106 by the inversely tapered partition wall 102 can prevent insulation failure between the lines of the second display electrode even when a slight variation occurs in the partition wall shape. There was a problem of causing it.

【0006】隔壁断面形状によって第2表示電極(陰
極)間の絶縁を取る方法では、基板の面積が大きくなれ
ばなるほど隔壁形状にばらつきが生じ、これが第2表示
電極のライン間の絶縁状態に影響を与える。その結果と
して、第2電極ライン間の絶縁不良が発生してしまうと
いう問題があった。
In the method of obtaining insulation between the second display electrodes (cathodes) according to the cross-sectional shape of the partition wall, the larger the area of the substrate, the more the partition wall shape varies, which affects the state of insulation between the lines of the second display electrode. give. As a result, there is a problem that insulation failure between the second electrode lines occurs.

【0007】また、逆テーパー形状の形成は工程が長く
かつ煩雑である。また、単層に於いても、クロルベンゼ
ン処理する工程は、処理材が有害物であるため、好まし
くない。また、フォトレジストの単層隔壁は、耐RIE
特性が必ずしも良好ではなく、第1電極(ITO等)表
面のプラズマドライ洗浄はできない。
Further, the formation of the inverted tapered shape requires a long and complicated process. Further, even in the case of a single layer, the process of chlorobenzene treatment is not preferable because the treatment material is a harmful substance. In addition, a single-layer partition wall of photoresist is RIE resistant.
The characteristics are not always good, and plasma dry cleaning of the surface of the first electrode (such as ITO) cannot be performed.

【0008】本発明は、工程が簡単で有害物質の使用も
なく、均一に隔壁が形成できて第2表示電極(陰極)間
の絶縁が確実である有機EL表示素子とその製造方法を
提供することを目的としている。
The present invention provides an organic EL display element in which the steps are simple, no harmful substances are used, the partition walls can be formed uniformly, and the insulation between the second display electrodes (cathodes) is ensured, and a method of manufacturing the same. It is intended to be.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載された有
機EL表示素子(1)は、透光性と絶縁性を有する基板
(2)と、前記基板の上面に所定間隔をおいて形成され
た透光性を有する帯状の第1表示電極(3)と、隣接す
る前記第1表示電極の間の前記基板上に設けられた第1
の絶縁膜(5)と、前記第1表示電極の長手方向と直交
する方向に沿って前記第1表示電極及び前記第1の絶縁
膜の上に所定間隔をおいて形成された第2の絶縁膜
(6)と、隣接する前記第2の絶縁膜の間において前記
第1表示電極の上に形成された少なくとも一層の帯状の
有機薄膜(8)と、隣接する前記第2の絶縁膜の間にお
いて前記有機薄膜の上に形成された帯状の第2表示電極
(9)とを有している。
An organic EL display device (1) according to claim 1 is formed on a substrate (2) having a light transmitting and insulating property at a predetermined interval on the upper surface of the substrate. A first transmissive strip-shaped first display electrode (3) and a first transmissive first display electrode provided on the substrate between the first display electrodes.
And a second insulating film formed at a predetermined interval on the first display electrode and the first insulating film along a direction orthogonal to the longitudinal direction of the first display electrode. Between a film (6), at least one band-like organic thin film (8) formed on the first display electrode between the adjacent second insulating films, and the adjacent second insulating film; And a band-shaped second display electrode (9) formed on the organic thin film.

【0010】請求項2に記載された有機EL表示素子
は、請求項1記載の有機EL表示素子(1)において、
前記第1の絶縁膜(5)と前記第2の絶縁膜(6)が、
前記第1表示電極(3)が形成された前記基板(2)の
上に設けた共通の感光性樹脂層に対し、パターンの異な
る2種類のマスクを介して露出時間の異なる2回の露光
を行って形成したものであることを特徴としている。
[0010] The organic EL display element according to the second aspect is the organic EL display element according to the first aspect,
The first insulating film (5) and the second insulating film (6)
A common photosensitive resin layer provided on the substrate (2) on which the first display electrode (3) is formed is subjected to two exposures with different exposure times through two types of masks having different patterns. It is characterized by being formed by performing.

【0011】請求項3に記載された有機EL表示素子
は、請求項1又は2記載の有機EL表示素子(1)にお
いて、前記第2の絶縁膜(6)の上面に絶縁性のリブ
(7)を形成したことを特徴としている。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the organic EL display element according to the first or second aspect, wherein an insulating rib (7) is provided on an upper surface of the second insulating film (6). ) Is formed.

【0012】請求項4に記載された有機EL表示素子の
製造方法は、透光性と絶縁性を有する基板(2)の上面
に所定間隔をおいて透光性を有する帯状の第1表示電極
(3)を形成する工程と、隣接する前記第1表示電極の
間の前記基板上に第1の絶縁膜(5)を形成するととも
に、前記第1表示電極の長手方向と直交する方向に沿っ
て前記第1表示電極の上に所定間隔をおいて第2の絶縁
膜(6)を形成する工程と、隣接する前記第2の絶縁膜
の間において前記第1表示電極の上に少なくとも一層の
帯状の有機薄膜(8)を形成する工程と、隣接する前記
第2の絶縁膜の間において前記有機薄膜の上に帯状の第
2表示電極(9)を形成する工程とを有している。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an organic EL display element, wherein a first transparent display electrode having a light-transmitting property is provided at a predetermined interval on an upper surface of a substrate having a light-transmitting and insulating property. Forming (3), forming a first insulating film (5) on the substrate between the adjacent first display electrodes, and along a direction orthogonal to a longitudinal direction of the first display electrodes. Forming a second insulating film (6) at a predetermined interval on the first display electrode, and forming at least one layer on the first display electrode between adjacent second insulating films. A step of forming a strip-shaped organic thin film (8); and a step of forming a strip-shaped second display electrode (9) on the organic thin film between the adjacent second insulating films.

【0013】請求項5に記載された有機EL表示素子の
製造方法は、請求項4記載の有機EL表示素子の製造方
法において、前記第1の絶縁膜(5)と前記第2の絶縁
膜(6)を形成する工程が、前記基板の上に前記第1表
示電極を覆って感光性樹脂層を設ける工程と、前記第1
の絶縁膜の形状に対応する開口を備えた第1の露光マス
クを用いて相対的にアンダードーズの条件で露光する工
程と、前記第2の絶縁膜の形状に対応する開口を備えた
第2の露光マスクを用いて相対的にオーバードーズの条
件で露光する工程と、露光された前記感光性樹脂層を現
像する工程とを含んでいることを特徴としている。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic EL display device according to the fourth aspect, wherein the first insulating film (5) and the second insulating film ( 6) forming a photosensitive resin layer on the substrate to cover the first display electrode;
Using a first exposure mask having an opening corresponding to the shape of the insulating film to perform exposure under relatively underdose conditions; and forming a second exposure mask having an opening corresponding to the shape of the second insulating film. And a step of developing the exposed photosensitive resin layer under relatively overdose conditions using the exposure mask described above.

【0014】請求項6に記載された有機EL表示素子の
製造方法は、請求項4又は5記載の有機EL表示素子の
製造方法において、前記第1の絶縁膜(5)と前記第2
の絶縁膜(6)を形成する工程が終了した後に、前記基
板の上に前記第2の絶縁膜を覆って感光性樹脂層を設
け、所定形状の開口を備えた露光マスクを用いて露光
し、前記感光性樹脂層を現像して前記第2の絶縁膜の上
面に絶縁性のリブ(7)を形成する工程を行うことを特
徴としている。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic EL display element according to the fourth or fifth aspect, wherein the first insulating film (5) and the second
After the step of forming the insulating film (6) is completed, a photosensitive resin layer is provided on the substrate so as to cover the second insulating film, and is exposed using an exposure mask having an opening of a predetermined shape. A step of developing the photosensitive resin layer to form an insulating rib (7) on the upper surface of the second insulating film.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】図1及び図2を参照して本例の有
機EL表示素子1の構造を説明する。透光性及び絶縁性
の基板であるガラス基板1の上面に、第1表示電極(陽
極)としてストライプ状のITO電極3が設けられてい
る。ITO電極3は透光性であり、発光はここから外部
に取り出される。ITO電極3は、複数本あり、所定の
間隔で互いに平行に設けられている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The structure of an organic EL display element 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. A stripe-shaped ITO electrode 3 is provided as a first display electrode (anode) on the upper surface of a glass substrate 1 which is a translucent and insulating substrate. The ITO electrode 3 is translucent, and light emission is extracted from the outside. There are a plurality of ITO electrodes 3 which are provided at predetermined intervals in parallel with each other.

【0016】前記ストライプ状のITO電極3を覆うよ
うにポリイミドの絶縁膜4がある。絶縁膜4は複数段で
構成されている。まず、隣接するITO電極3,3の間
において、前記ガラス基板2の上に第1の絶縁膜5を有
している。この第1の絶縁膜5は、ITO電極3の厚さ
と略等しいか、これよりもやや大きい1μm前後の膜厚
である。即ち、第1の絶縁膜5はITO電極3の間の隙
間を埋めて平滑にしており、後述する層構造を断線させ
ることなくITO電極3の上に形成させるためのもので
ある。次に、絶縁膜4は、前記ITO電極3の長手方向
と直交する方向に沿ってITO電極3及び第1の絶縁膜
5の上に所定間隔をおいて形成された第2の絶縁膜6を
有している。第2の絶縁膜6は5μm前後の膜厚であ
る。絶縁膜4は、ストライプ状ITO電極3のエッジを
すべて覆うように形成されている。
A polyimide insulating film 4 is provided so as to cover the stripe-shaped ITO electrode 3. The insulating film 4 has a plurality of stages. First, a first insulating film 5 is provided on the glass substrate 2 between the adjacent ITO electrodes 3 and 3. The first insulating film 5 has a thickness of about 1 μm which is substantially equal to or slightly larger than the thickness of the ITO electrode 3. That is, the first insulating film 5 fills the gaps between the ITO electrodes 3 and is smooth, and is formed on the ITO electrodes 3 without breaking a layer structure described later. Next, the insulating film 4 is formed by forming a second insulating film 6 formed at predetermined intervals on the ITO electrode 3 and the first insulating film 5 along a direction orthogonal to the longitudinal direction of the ITO electrode 3. Have. The second insulating film 6 has a thickness of about 5 μm. The insulating film 4 is formed so as to cover all edges of the striped ITO electrode 3.

【0017】ITO電極3と直交する方向に形成されて
いる第2の絶縁膜6の上面には、絶縁リブ7が形成され
ている。絶縁リブ7はポリイミドからなる。絶縁リブ7
のパターンは、台座となる第2の絶縁膜6に対し、スト
ライプ幅が大きくても小さくても同じでもかまわない。
An insulating rib 7 is formed on the upper surface of the second insulating film 6 formed in a direction orthogonal to the ITO electrode 3. The insulating rib 7 is made of polyimide. Insulating rib 7
This pattern may be larger, smaller, or the same as the stripe width of the second insulating film 6 serving as the base.

【0018】絶縁膜4と絶縁リブ7の総膜厚は、10μ
mより厚く、50μm以下が好ましい。
The total thickness of the insulating film 4 and the insulating rib 7 is 10 μm.
m, and preferably 50 μm or less.

【0019】隣接する第2の絶縁膜6の間において、前
記ITO電極3の露出部上には、所望の有機薄膜層8が
単層ないし多層で形成されている。例えば、有機薄膜層
8は、有機発光層の単一層でもよいし、又は有機正孔輸
送層・有機発光層・有機電子輸送層の3層構造でもよ
い。又は図示のように、有機正孔輸送層8aと、電子輸
送層を兼ねた有機発光層8bとの2層構造でもよい。有
機薄膜層8のパターンは、特にストライプ状である必要
はない。
A desired organic thin film layer 8 is formed as a single layer or a multilayer on the exposed portion of the ITO electrode 3 between the adjacent second insulating films 6. For example, the organic thin film layer 8 may be a single layer of an organic light emitting layer, or may have a three-layer structure of an organic hole transport layer, an organic light emitting layer, and an organic electron transport layer. Alternatively, as shown, a two-layer structure of an organic hole transport layer 8a and an organic light emitting layer 8b also serving as an electron transport layer may be used. The pattern of the organic thin film layer 8 does not need to be particularly stripe-shaped.

【0020】隣接する第2の絶縁膜6,6の間におい
て、有機薄膜層8の上には帯状の陰極9(第2表示電
極)が形成されている。陰極9は、有機薄膜層8の上に
ITO電極3と直交するようにストライプ状に形成され
ている。
A strip-shaped cathode 9 (second display electrode) is formed on the organic thin film layer 8 between the adjacent second insulating films 6 and 6. The cathode 9 is formed on the organic thin film layer 8 in a stripe shape so as to be orthogonal to the ITO electrode 3.

【0021】第1表示電極(ITO電極3)と第2表示
電極(陰極9)の電気的なアイソレートは、第1及び第
2の絶縁膜5,6を介して達成されている。ストライプ
状の陰極9,9間の電気的な絶縁は、絶縁リブ7により
達成されている。
Electrical isolation between the first display electrode (ITO electrode 3) and the second display electrode (cathode 9) is achieved through the first and second insulating films 5, 6. Electrical insulation between the striped cathodes 9, 9 is achieved by insulating ribs 7.

【0022】また、有機薄膜層8から陰極9の各パター
ンはセルフアライメントで一義的に規定されている。
Each pattern from the organic thin film layer 8 to the cathode 9 is uniquely defined by self-alignment.

【0023】本例の有機EL表示素子1の製造方法を説
明する。ガラス基板2上にITO膜をスパッタ法、EB
蒸着法等の方法により成膜する。ITO膜は、所定のフ
ォトリソ法により、第1表示電極としてのストライプ状
にパターニングし、ITO電極3とする。例えば、0.
30mmピッチ、線幅0.25mm、線間ギャップ0.
05mmの幾何寸法のパターンとする。
A method for manufacturing the organic EL display element 1 of this embodiment will be described. Sputtering ITO film on glass substrate 2, EB
The film is formed by a method such as an evaporation method. The ITO film is patterned into a stripe shape as a first display electrode by a predetermined photolithography method to form an ITO electrode 3. For example, 0.
30 mm pitch, line width 0.25 mm, gap between lines 0.
A pattern having a geometrical dimension of 05 mm is used.

【0024】次に絶縁膜4を形成する。ネガ型感光性ポ
リイミドを、ガラス基板2上にITO電極3を覆うよう
にスピンコート法で広げ、塗膜厚15μmになるように
形成し、所定のプリベーク処理をする。
Next, an insulating film 4 is formed. The negative photosensitive polyimide is spread on the glass substrate 2 by spin coating so as to cover the ITO electrode 3, is formed to a coating thickness of 15 μm, and is subjected to a predetermined pre-bake treatment.

【0025】まず、第1の絶縁膜5の形状に一致するパ
ターンの開口部を備えた第1の露光マスクを用い、IT
O電極3と平行な方向の第1の絶縁膜5の露光処理を行
う。この露光マスクは、ITO電極3のエッジ部を覆う
ように作製されている。露光量は、アンダードーズの条
件で行う。
First, using a first exposure mask provided with an opening having a pattern corresponding to the shape of the first insulating film 5,
An exposure process is performed on the first insulating film 5 in a direction parallel to the O electrode 3. This exposure mask is manufactured so as to cover the edge of the ITO electrode 3. The exposure is performed under an underdose condition.

【0026】次に、第2の絶縁膜6の形状に一致するパ
ターンの開口部を備えた第2の露光マスクを用い、IT
O電極3と直交する方向の第2の絶縁膜6の露光処理を
行う。この時の露光量は、オーバードーズの条件で行
う。
Next, using a second exposure mask provided with an opening having a pattern corresponding to the shape of the second insulating film 6,
An exposure process is performed on the second insulating film 6 in a direction orthogonal to the O electrode 3. The exposure at this time is performed under the condition of overdose.

【0027】露光時間と露光パターンを変えて同一面に
対して行った2段階のフォトリソ法の後、所定の現像液
を用いた現像工程を行う。アンダードーズ部は膜減りが
激しく発生し、オーバードーズ部は、膜減りが発生せず
に現像される。これにより、自動的に膜厚の異なる2つ
の領域のポリイミド膜パターンを形成できる。即ち、高
さと形状の異なる2段形状の第1及び第2の絶縁膜5,
6が形成される。現像処理完了後、所定のポストベーク
を行う。
After a two-stage photolithographic process performed on the same surface while changing the exposure time and the exposure pattern, a development process using a predetermined developing solution is performed. The underdose portion is severely reduced in film thickness, and the overdose portion is developed without any thinning. This makes it possible to automatically form a polyimide film pattern in two regions having different film thicknesses. That is, the first and second insulating films 5 each having a two-stage shape having different heights and shapes.
6 are formed. After the completion of the development processing, a predetermined post-bake is performed.

【0028】次に、絶縁膜4の上に、絶縁膜4の製造工
程と同様のネガ型の感光性ポリイミドをスピンコート
し、塗膜厚20μmに形成し、プリベークを行う。しか
る後、絶縁リブ用の露光マスクを用いて、感光性ポリイ
ミドの膜を適正な露光量で処理する。露光後、所定の条
件で現像・リンス処理を行い、絶縁リブ7のパターンを
形成した。この時、絶縁リブ7の総膜厚は、33μmと
なり、他方の絶縁膜4は、3μmとなった。
Next, on the insulating film 4, the same negative photosensitive polyimide as in the manufacturing process of the insulating film 4 is spin-coated to form a coating film thickness of 20 μm and prebaked. Thereafter, the photosensitive polyimide film is processed with an appropriate exposure using an exposure mask for insulating ribs. After the exposure, development and rinsing were performed under predetermined conditions to form a pattern of insulating ribs 7. At this time, the total thickness of the insulating ribs 7 was 33 μm, and the thickness of the other insulating film 4 was 3 μm.

【0029】この後、N2 雰囲気中の400℃ピークで
ホールド30分間の熱処理(イミド化)を施す。この熱
処理により、最終的に絶縁リブ7の総膜厚は、16μm
となり、他方の絶縁膜4は1.5μmとなった。絶縁膜
4と絶縁リブ7を形成したガラス基板2に所定の有機薄
膜層8を蒸着法で形成し、さらに第2表示電極となるA
l薄膜の陰極9を蒸着法で形成した。有機薄膜層8及び
陰極9の蒸着は、通常の正蒸着であり、特に斜め方向か
ら蒸着する必要はなかった。
Thereafter, a heat treatment (imidization) is performed at a peak of 400 ° C. in an N 2 atmosphere for 30 minutes. By this heat treatment, the total thickness of the insulating ribs 7 finally becomes 16 μm
The thickness of the other insulating film 4 was 1.5 μm. A predetermined organic thin film layer 8 is formed on the glass substrate 2 on which the insulating film 4 and the insulating ribs 7 are formed by a vapor deposition method.
A thin film cathode 9 was formed by a vapor deposition method. The deposition of the organic thin film layer 8 and the cathode 9 is a normal forward deposition, and it is not particularly necessary to perform the deposition from an oblique direction.

【0030】陰極9は、絶縁リブ7(高さ16μm)に
より完全に電気的にアイソレートされており、ITO電
極3との絶縁も絶縁膜4により、問題なかった。
The cathode 9 is completely electrically isolated by the insulating ribs 7 (height: 16 μm), and the insulation from the ITO electrode 3 is not problematic due to the insulating film 4.

【0031】[0031]

【発明の効果】本発明によれば、マトリクスを構成する
第1表示電極と第2表示電極との電気的絶縁を、第1及
び第2の絶縁膜で行っている。この第1及び第2の絶縁
膜は、高さと形状は異なっているが、同一の感光性樹脂
層に対して異なるマスクと露光時間で2回の操作で製造
することができる。即ち、絶縁性に優れ、後工程での膜
形成に支障のない寸法・形状の絶縁膜を、簡単な操作で
つくり出すことができる。
According to the present invention, the first display electrode and the second display electrode constituting the matrix are electrically insulated by the first and second insulating films. The first and second insulating films have different heights and shapes, but can be manufactured by performing the same photosensitive resin layer twice with different masks and exposure times. That is, an insulating film having excellent insulation properties and dimensions and shapes that do not hinder film formation in a later step can be formed by a simple operation.

【0032】また、絶縁膜の上に絶縁リブを形成すれ
ば、隔壁としの高さをさらに高くすることができる。こ
の高さは従来より飛躍的に大きいため、処理する基板の
サイズが大型化しても何ら工程の変動によるばらつきの
影響を受けることなく、電気的にアイソレートされたX
−Yマトリクス電極を形成することができた。
In addition, if insulating ribs are formed on the insulating film, the height of the partition can be further increased. Since this height is much larger than before, even if the size of the substrate to be processed is increased, the electrically isolated X is not affected by the variation due to any process variation.
A -Y matrix electrode could be formed.

【0033】さらに、絶縁膜及び絶縁リブは、耐熱性及
び耐RIE性に優れたポリイミド膜を使用しているた
め、有機薄膜層の蒸着前にプラズマドライ洗浄処理が可
能であり、ITO電極の露出部の局部的なゴミ、異物等
も容易に除去でき、ダークスポットあるいは第1表示電
極と第2表示電極間の絶縁不良の発生を完全になくすこ
とができた。
Further, since the insulating film and the insulating rib are made of a polyimide film having excellent heat resistance and RIE resistance, a plasma dry cleaning process can be performed before the deposition of the organic thin film layer, and the exposure of the ITO electrode can be prevented. It was also possible to easily remove local dust, foreign matter, and the like, and to completely eliminate dark spots or insulation failure between the first display electrode and the second display electrode.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態の一例である有機EL表示
素子の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of an organic EL display element as an example of an embodiment of the present invention.

【図2】図1のA−A切断線における断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG. 1;

【図3】図1のB−B切断線における断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 1;

【図4】従来の有機EL表示素子の断面図である。FIG. 4 is a sectional view of a conventional organic EL display element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 有機EL表示素子 2 ガラス基板 3 第1表示電極としてのITO電極 4 絶縁膜 5 第1の絶縁膜 6 第2の絶縁膜 7 絶縁リブ 8 有機薄膜層 8a 有機薄膜層としての有機正孔輸送層 8b 有機薄膜層としての有機発光層 9 第2表示電極としての陰極 Reference Signs List 1 organic EL display element 2 glass substrate 3 ITO electrode as first display electrode 4 insulating film 5 first insulating film 6 second insulating film 7 insulating rib 8 organic thin film layer 8a organic hole transport layer as organic thin film layer 8b Organic light emitting layer as organic thin film layer 9 Cathode as second display electrode

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透光性と絶縁性を有する基板と、前記基
板の上面に所定間隔をおいて形成された透光性を有する
帯状の第1表示電極と、隣接する前記第1表示電極の間
の前記基板上に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1表
示電極の長手方向と直交する方向に沿って前記第1表示
電極及び前記第1の絶縁膜の上に所定間隔をおいて形成
された第2の絶縁膜と、隣接する前記第2の絶縁膜の間
において前記第1表示電極の上に形成された少なくとも
一層の帯状の有機薄膜と、隣接する前記第2の絶縁膜の
間において前記有機薄膜の上に形成された帯状の第2表
示電極と、を有する有機EL表示素子。
1. A substrate having a light-transmitting property and an insulating property; a first light-transmitting strip-shaped display electrode formed on a top surface of the substrate at a predetermined interval; A first insulating film provided on the substrate between the first display electrode and the first insulating film at a predetermined interval along a direction orthogonal to a longitudinal direction of the first display electrode. A second insulating film formed on the first display electrode between the adjacent second insulating films, at least one band-shaped organic thin film formed on the first display electrode, and the adjacent second insulating film And a band-shaped second display electrode formed on the organic thin film.
【請求項2】 前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜
が、前記第1表示電極が形成された前記基板の上に設け
た共通の感光性樹脂層に対し、パターンの異なる2種類
のマスクを介して露出時間の異なる2回の露光を行って
形成したものであることを特徴とする請求項1記載の有
機EL表示素子。
2. The method according to claim 1, wherein the first insulating film and the second insulating film are provided in two different patterns with respect to a common photosensitive resin layer provided on the substrate on which the first display electrode is formed. 2. The organic EL display element according to claim 1, wherein the organic EL display element is formed by performing two exposures with different exposure times through the mask.
【請求項3】 前記第2の絶縁膜の上面に絶縁性のリブ
を形成したことを特徴とする請求項1又は2記載の有機
EL表示素子。
3. The organic EL display device according to claim 1, wherein an insulating rib is formed on an upper surface of the second insulating film.
【請求項4】 透光性と絶縁性を有する基板の上面に所
定間隔をおいて透光性を有する帯状の第1表示電極を形
成する工程と、隣接する前記第1表示電極の間の前記基
板上に第1の絶縁膜を形成するとともに、前記第1表示
電極の長手方向と直交する方向に沿って前記第1表示電
極の上に所定間隔をおいて第2の絶縁膜を形成する工程
と、隣接する前記第2の絶縁膜の間において前記第1表
示電極の上に少なくとも一層の帯状の有機薄膜を形成す
る工程と、隣接する前記第2の絶縁膜の間において前記
有機薄膜の上に帯状の第2表示電極を形成する工程と、
を有する有機EL表示素子の製造方法。
4. A step of forming a translucent band-shaped first display electrode at a predetermined interval on an upper surface of a substrate having translucency and insulation, and forming the first display electrode between the adjacent first display electrodes. Forming a first insulating film on a substrate and forming a second insulating film at a predetermined interval on the first display electrode along a direction orthogonal to a longitudinal direction of the first display electrode; Forming at least one band-like organic thin film on the first display electrode between the adjacent second insulating films; and forming an organic thin film on the organic thin film between the adjacent second insulating films. Forming a strip-shaped second display electrode in
A method for producing an organic EL display element having:
【請求項5】 前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜を
形成する工程が、前記基板の上に前記第1表示電極を覆
って感光性樹脂層を設ける工程と、前記第1の絶縁膜の
形状に対応する開口を備えた第1の露光マスクを用いて
相対的にアンダードーズの条件で露光する工程と、前記
第2の絶縁膜の形状に対応する開口を備えた第2の露光
マスクを用いて相対的にオーバードーズの条件で露光す
る工程と、露光された前記感光性樹脂層を現像する工程
とを含んでいる請求項4記載の有機EL表示素子の製造
方法。
5. The step of forming the first insulating film and the second insulating film includes: providing a photosensitive resin layer on the substrate so as to cover the first display electrode; Using a first exposure mask having an opening corresponding to the shape of the insulating film to perform exposure under relatively underdose conditions, and a second step having an opening corresponding to the shape of the second insulating film. 5. The method for manufacturing an organic EL display element according to claim 4, comprising a step of exposing the photosensitive resin layer to a relatively overdose condition using an exposure mask, and a step of developing the exposed photosensitive resin layer.
【請求項6】 前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜を
形成する工程が終了した後に、前記基板の上に前記第2
の絶縁膜を覆って感光性樹脂層を設け、所定形状の開口
を備えた露光マスクを用いて露光し、前記感光性樹脂層
を現像して前記第2の絶縁膜の上面に絶縁性のリブを形
成する工程を行うことを特徴とする請求項4又は5記載
の有機EL表示素子の製造方法。
6. After the step of forming the first insulating film and the second insulating film is completed, the second insulating film is formed on the substrate.
A photosensitive resin layer is provided to cover the insulating film, and is exposed using an exposure mask having an opening of a predetermined shape, and the photosensitive resin layer is developed to form an insulating rib on the upper surface of the second insulating film. 6. The method for manufacturing an organic EL display element according to claim 4, wherein a step of forming is performed.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1296186A1 (en) * 2001-09-07 2003-03-26 JSR Corporation Radiation sensitive resin composition, rib, rib forming method and display element
JP2006164973A (en) * 2004-12-03 2006-06-22 Lg Electron Inc Organic electroluminescent element and its manufacturing method
CN100377292C (en) * 2002-07-25 2008-03-26 株式会社半导体能源研究所 Lighting device mfg. method

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