JPH1131654A - Treatment apparatus for end edge of substrate - Google Patents

Treatment apparatus for end edge of substrate

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JPH1131654A
JPH1131654A JP20526197A JP20526197A JPH1131654A JP H1131654 A JPH1131654 A JP H1131654A JP 20526197 A JP20526197 A JP 20526197A JP 20526197 A JP20526197 A JP 20526197A JP H1131654 A JPH1131654 A JP H1131654A
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JP
Japan
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substrate
glass substrate
edge
processing liquid
liquid supply
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JP20526197A
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Japanese (ja)
Inventor
Koji Kizaki
幸治 木▲崎▼
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a treatment apparatus, for the end edge of a substrate by which the end edge of the substrate can be treated properly, even when substrates in different thicknesses are treated. SOLUTION: A treatment apparatus for the end edge of a substrate is provided with a vacuum chuck 51, by which a glass substrate 5 whose surface is coated with a resist is supported from its rear surface, with four resist- removal heads 61 which comprise respective treatment-liquid supply hozzles at their inside and with a resist-removal-head movement mechanism 81, by which the respective resist-removal heads 61 are moved back and forth along the respective sides of the glass substrate 5. The vacuum chuck 51 is coupled to a raising and lowering mechanism 12 and is raised and lowered for a very small distance, in a state such that the glass substrate 5 is held, according to the thickness of the glass substrate 5 which is input by an input device.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウエハや液
晶表示パネル用ガラス基板等のFPD(FlatPan
el Display)用基板あるいは半導体製造装置
用マスク基板等の基板の端縁に処理液を供給することに
より基板の端縁を処理する基板の端縁処理装置に関す
る。
The present invention relates to a flat panel display (FPD) such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display panel.
The present invention relates to an edge processing apparatus for processing an edge of a substrate by supplying a processing liquid to an edge of the substrate such as an el display substrate or a mask substrate for a semiconductor manufacturing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば液晶表示パネル用ガラス基板の製
造工程においては、スピンコータやロールコータ等の塗
布装置によりその表面にフォトレジストを供給して薄膜
を形成した基板を端縁処理装置に搬送し、この端縁処理
装置においてその端縁処理を行っている。このような端
縁処理としては、基板の端縁にリンス液を供給して基板
端縁に形成された不要な薄膜を除去する端縁洗浄処理
や、基板の端縁に現像液を供給してその端縁付近の現像
を促進する現像促進処理等の処理がある(例えば、特開
平7−142380号公報)。
2. Description of the Related Art For example, in a manufacturing process of a glass substrate for a liquid crystal display panel, a substrate on which a thin film is formed by supplying a photoresist to the surface by a coating device such as a spin coater or a roll coater is conveyed to an edge processing device. The edge processing apparatus performs the edge processing. As such edge processing, an edge cleaning process for supplying a rinse liquid to the edge of the substrate to remove unnecessary thin film formed on the edge of the substrate, or a developing solution for supplying edge liquid to the edge of the substrate is provided. There is a process such as a development accelerating process for accelerating the development near the edge (for example, JP-A-7-142380).

【0003】このような端縁処理を行う基板の端縁処理
装置は、基板をその下面から支持する支持手段と、前記
支持手段に支持された基板の端縁に処理液を供給する複
数の処理液供給ノズルと、基板の端縁に供給された処理
液を吸引除去するための排気部とを備える。そして、基
板の端縁処理を行う場合においては、処理液供給ノズル
を支持手段によって支持された基板の端縁に近接させ、
処理液供給ノズルから処理液を吐出することにより基板
端縁を処理するとともに、排気部から排気を行うことに
より処理に供された処理液を吸引除去するようにしてい
る。
A substrate edge processing apparatus for performing such edge processing includes a support means for supporting the substrate from its lower surface, and a plurality of processing means for supplying a processing liquid to the edge of the substrate supported by the support means. The apparatus includes a liquid supply nozzle and an exhaust unit for sucking and removing the processing liquid supplied to the edge of the substrate. And when performing the edge processing of the substrate, the processing liquid supply nozzle is brought close to the edge of the substrate supported by the support means,
The edge of the substrate is processed by discharging the processing liquid from the processing liquid supply nozzle, and the processing liquid used for the processing is sucked and removed by exhausting the gas from the exhaust unit.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このような基板の端縁
処理装置において処理すべき基板の厚みには、いくつか
の種類がある。例えば液晶表示パネル用の角形ガラス基
板においては、その厚みが0.7mmのものと1.1m
mのものとが常用されている。このような厚みの異なる
基板を同一の端縁処理装置で処理することは困難であ
る。
There are several types of substrate thicknesses to be processed in such a substrate edge processing apparatus. For example, a rectangular glass substrate for a liquid crystal display panel has a thickness of 0.7 mm and a thickness of 1.1 m.
m are commonly used. It is difficult to process such substrates having different thicknesses with the same edge processing apparatus.

【0005】すなわち、その厚みが1.1mmの基板用
に設計された端縁処理装置で0.7mmの厚さの基板を
処理した場合においては、基板の表面と処理液供給ノズ
ルとの距離が大きくなることから、処理液供給ノズルか
ら吐出された後基板表面に到達する前の、排気部による
吸引作用によって生じる処理液の軌跡の変化により、処
理液が基板の表面に十分に供給されなかったり、処理液
の基板表面に対する到達位置が不安定となって洗浄領域
と非洗浄領域の境界線の形状が悪化したりする現象が発
生する。
That is, when a substrate having a thickness of 0.7 mm is processed by an edge processing apparatus designed for a substrate having a thickness of 1.1 mm, the distance between the surface of the substrate and the processing liquid supply nozzle is reduced. Due to the increase in size, the processing liquid may not be sufficiently supplied to the surface of the substrate due to a change in the trajectory of the processing liquid caused by the suction action by the exhaust unit before reaching the substrate surface after being discharged from the processing liquid supply nozzle. In addition, a phenomenon occurs in which the position at which the processing liquid reaches the substrate surface becomes unstable, and the shape of the boundary between the cleaning region and the non-cleaning region deteriorates.

【0006】一方、その厚みが0.7mmの基板用に設
計された端縁処理装置で1.1mmの厚さの基板を処理
した場合においては、基板の表面が処理液供給ノズルに
当接したり、基板の表面と処理液供給ノズルが過度に近
接することにより適切な洗浄が不可能となったりする現
象が発生する。
On the other hand, when a substrate having a thickness of 1.1 mm is processed by an edge processing apparatus designed for a substrate having a thickness of 0.7 mm, the surface of the substrate may come into contact with a processing liquid supply nozzle. If the processing liquid supply nozzle is too close to the surface of the substrate, a proper cleaning cannot be performed.

【0007】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、その厚みの異なる基板を処理する場合
であっても、上述した基板端縁の処理不良の発生を防止
し、基板の端縁を適切に処理することができる基板の端
縁処理装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problem. Even when processing substrates having different thicknesses, it is possible to prevent the occurrence of the above-described processing defect at the substrate edge and to prevent the substrate edge from being processed. An object of the present invention is to provide a substrate edge processing apparatus capable of appropriately processing an edge.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、基板をその下面から支持する支持手段と、支持手段
に支持された基板の端縁に処理液を供給する処理液供給
ノズルとを有する基板の端縁処理装置において、被処理
基板の厚みに応じて、支持手段または処理液供給ノズル
を上下方向に移動させる移動手段を備えたことを特徴と
する。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a supporting means for supporting a substrate from a lower surface thereof, a processing liquid supply nozzle for supplying a processing liquid to an edge of the substrate supported by the supporting means. In the substrate edge processing apparatus having the above, a moving means for moving the supporting means or the processing liquid supply nozzle in the vertical direction according to the thickness of the substrate to be processed is provided.

【0009】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の発明において、被処理基板の厚みを入力するための入
力手段をさらに有し、移動手段は、入力手段による入力
値に基づいて支持手段または処理液供給ノズルを上下方
向に移動させている。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, there is further provided an input means for inputting a thickness of the substrate to be processed, and the moving means is provided based on an input value by the input means. The support means or the processing liquid supply nozzle is moved up and down.

【0010】請求項3に記載の発明は、請求項1に記載
の発明において、被処理基板の厚みを測定するための測
定手段をさらに有し、移動手段は、測定手段による測定
値に基づいて支持手段または処理液供給ノズルを上下方
向に移動させている。
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, there is further provided a measuring means for measuring the thickness of the substrate to be processed, and the moving means is provided based on a value measured by the measuring means. The support means or the processing liquid supply nozzle is moved up and down.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図1はこの発明の第1実施形態
に係る基板の端縁処理装置の側面図であり、図2はその
平面図である。なお、図2においては、一部のカバー等
を省略して図示している。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a side view of a substrate edge processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view thereof. In FIG. 2, some covers and the like are omitted.

【0012】この基板の端縁処理装置は、液晶表示パネ
ルを製造する際に、その素材である角形板状のガラス基
板5における端縁付近に塗布されたレジストを除去する
ためのものであり、回転塗布によりその表面にレジスト
が塗布されたガラス基板5をその下面より支持する真空
チャック51と、矩形状のガラス基板5における各辺に
対応して配設された4個のレジスト除去ヘッド61と、
各レジスト除去ヘッド61をガラス基板5の各辺に沿っ
て往復移動させるためのレジスト除去ヘッド移動機構8
1とを備える。
This substrate edge processing apparatus is for removing a resist applied near an edge of a rectangular plate-shaped glass substrate 5 which is a raw material of the substrate when manufacturing a liquid crystal display panel. A vacuum chuck 51 that supports the glass substrate 5 having a surface coated with a resist by spin coating from a lower surface thereof, and four resist removal heads 61 arranged corresponding to each side of the rectangular glass substrate 5. ,
A resist removing head moving mechanism 8 for reciprocating each resist removing head 61 along each side of the glass substrate 5.
1 is provided.

【0013】前記真空チャック51は、その内部にエア
シリンダ等の駆動源を内蔵する昇降機構12と連結され
ている。このため、この真空チャック51は、ガラス基
板5を保持した状態で微少距離だけ昇降可能となってい
る。
The vacuum chuck 51 is connected to an elevating mechanism 12 having a driving source such as an air cylinder built therein. Therefore, the vacuum chuck 51 can be moved up and down by a very small distance while holding the glass substrate 5.

【0014】前記レジスト除去ヘッド61は、前記真空
チャック51に支持されたガラス基板5の端縁に処理液
を供給してレジストを除去するためのものである。図3
はこのレジスト除去ヘッド61を真空チャック51の一
部とともに示す断面図であり、図4はレジスト除去ヘッ
ド61のカバー13を破断して示す正面図である。
The resist removing head 61 is for supplying a processing liquid to the edge of the glass substrate 5 supported by the vacuum chuck 51 to remove the resist. FIG.
FIG. 4 is a sectional view showing the resist removing head 61 together with a part of the vacuum chuck 51, and FIG. 4 is a front view showing the resist removing head 61 with the cover 13 cut away.

【0015】これらの図に示すように、このレジスト除
去ヘッド61は、ガラス基板5の端縁表面に溶剤等の処
理液を供給するための8本の処理液供給ノズル14と、
ガラス基板5の端縁表面に窒素ガスや空気等の気体を供
給するための8本の気体供給ノズル15と、ガラス基板
5の端縁裏面に溶剤等の処理液を供給するための8本の
裏面用処理液供給ノズル16と、ガラス基板5の端縁裏
面に窒素ガスや空気等の気体を供給するための2本の裏
面用気体供給ノズル17と、ガラス基板の端縁に供給さ
れた処理液を吸引除去するための排気部18とを有す
る。
As shown in these figures, the resist removing head 61 includes eight processing liquid supply nozzles 14 for supplying a processing liquid such as a solvent to the edge surface of the glass substrate 5, and
Eight gas supply nozzles 15 for supplying a gas such as nitrogen gas or air to the edge surface of the glass substrate 5 and eight gas supply nozzles 15 for supplying a processing liquid such as a solvent to the edge back surface of the glass substrate 5. A processing liquid supply nozzle 16 for the back surface, two gas supply nozzles 17 for the back surface for supplying a gas such as nitrogen gas or air to the back surface of the edge of the glass substrate 5, and a process supplied to the edge of the glass substrate And an exhaust unit 18 for sucking and removing the liquid.

【0016】8本の処理液供給ノズル14は、各々処理
液供給管24と接続されている。また、この処理液供給
管24は、図示しない加圧タンクを介して処理液の供給
源と接続されている。一方、8本の気体供給ノズル15
は、各々気体供給管25と接続されている。また、この
気体供給管25は、図示しない電磁弁等を介して気体の
供給源と接続されている。
Each of the eight processing liquid supply nozzles 14 is connected to a processing liquid supply pipe 24. The processing liquid supply pipe 24 is connected to a processing liquid supply source via a pressurized tank (not shown). On the other hand, eight gas supply nozzles 15
Are connected to the gas supply pipe 25, respectively. Further, the gas supply pipe 25 is connected to a gas supply source via an electromagnetic valve (not shown) or the like.

【0017】同様に、8本の裏面用処理液供給ノズル1
6は、各々処理液供給管26と接続されている。また、
この処理液供給管26は、図示しない加圧タンクを介し
て処理液の供給源と接続されている。一方、2本の気体
供給ノズル17は、各々気体供給管27と接続されてい
る。また、この気体供給管27は、図示しない電磁弁等
を介して気体の供給源と接続されている。
Similarly, eight processing liquid supply nozzles 1 for the back surface
Numerals 6 are connected to the processing liquid supply pipes 26, respectively. Also,
The processing liquid supply pipe 26 is connected to a processing liquid supply source via a pressure tank (not shown). On the other hand, the two gas supply nozzles 17 are each connected to a gas supply pipe 27. The gas supply pipe 27 is connected to a gas supply source via an electromagnetic valve (not shown) or the like.

【0018】また、排気部18は、図1および図2に示
す排気管64と接続されている。この排気管64は、図
示しない電磁弁等により作動するダンパーを介して真空
ポンプや排気ファン等の排気手段と接続されている。
The exhaust section 18 is connected to an exhaust pipe 64 shown in FIGS. The exhaust pipe 64 is connected to exhaust means such as a vacuum pump and an exhaust fan via a damper operated by a solenoid valve (not shown).

【0019】このレジスト除去ヘッド61によりガラス
基板5の端縁付近に塗布れたレジストを除去する際に
は、処理液供給ノズル14および裏面用処理液供給ノズ
ル16からガラス基板5の端縁両面に処理液を供給する
とともに、気体供給ノズル15および裏面用気体供給ノ
ズル17からガラス基板5の端縁両面に向けて気体を噴
出することにより、処理液により溶解されたレジストを
含む処理液をガラス基板5の端縁から外方に吹き飛ば
す。そして、ガラス基板5の端縁から外方に吹き飛ばさ
れた処理液を排気部18により吸引除去するように構成
されている。
When the resist applied near the edge of the glass substrate 5 is removed by the resist removal head 61, the processing liquid supply nozzle 14 and the processing liquid supply nozzle 16 for the back surface are used to remove the resist from both sides of the glass substrate 5. The processing liquid containing the resist dissolved by the processing liquid is supplied to the glass substrate by supplying the processing liquid and ejecting the gas from the gas supply nozzle 15 and the back side gas supply nozzle 17 toward both the edges of the glass substrate 5. Blow away from the edge of 5. The processing liquid blown outward from the edge of the glass substrate 5 is suction-removed by the exhaust unit 18.

【0020】再度図1および図2を参照して、前記レジ
スト除去ヘッド移動機構81は、支持具82を介して各
レジスト除去ヘッド61を支持するとともに、固定フレ
ーム84に付設された上下一対のガイド部材85に案内
され、矩形状をなすガラス基板5の端縁に沿って移動可
能な4個の支持アーム83を有する。そして、各支持ア
ーム83は、駆動モータ86に連動連結された駆動プー
リ87と複数の従動プーリ88とに亘って巻回されたワ
イヤー89に連結されている。このため、駆動モータ8
6を正逆転させることにより、各レジスト除去ヘッド6
1は、ガラス基板5の端縁に沿って往復移動する。
Referring to FIGS. 1 and 2 again, the resist removing head moving mechanism 81 supports each resist removing head 61 via a support 82 and a pair of upper and lower guides attached to a fixed frame 84. It has four support arms 83 guided by the member 85 and movable along the edge of the rectangular glass substrate 5. Each support arm 83 is connected to a wire 89 wound around a drive pulley 87 linked to a drive motor 86 and a plurality of driven pulleys 88. Therefore, the drive motor 8
By rotating the resist removal head 6 forward and backward, each resist removal head 6
1 reciprocates along the edge of the glass substrate 5.

【0021】図5は上述した基板の端縁処理装置の主要
な電気的構成を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing the main electrical configuration of the above-described substrate edge processing apparatus.

【0022】この基板の端縁処理装置は、装置の制御に
必要な動作プログラムが格納されたROM31と、制御
時にデータ等が一時的にストアされるRAM32と、論
理演算を実行するCPU33とから成る制御部34を有
する。この制御部34は、インターフェース35を介し
て、真空チャック51を昇降駆動する昇降機構12と、
キーボード等の入力装置36とに接続されている。
The substrate edge processing apparatus includes a ROM 31 storing an operation program necessary for controlling the apparatus, a RAM 32 for temporarily storing data and the like during control, and a CPU 33 for executing a logical operation. It has a control unit 34. The control unit 34 includes a lifting mechanism 12 that drives the vacuum chuck 51 up and down via the interface 35,
It is connected to an input device 36 such as a keyboard.

【0023】次に、上述した基板の端縁処理装置におけ
るガラス基板5のレジスト除去動作について説明する。
Next, the operation of removing the resist from the glass substrate 5 in the above-described substrate edge processing apparatus will be described.

【0024】処理を開始するに先立って、図5に示す入
力装置36から、レジスト除去を行うべきガラス基板5
の厚みを入力する。この入力値は、インターフェース3
5を介して制御部34のRAM32に記憶される。そし
て、制御部34は、この入力値に基づいて昇降機構12
を制御し、真空チャック51を昇降することにより、処
理液供給ノズル14の下端部と真空チャック51に支持
されたガラス基板5の表面との間隔がレジスト除去に適
した値となるように調整する。
Prior to starting the processing, the glass substrate 5 from which the resist is to be removed is input from the input device 36 shown in FIG.
Enter the thickness of This input value is
5, and is stored in the RAM 32 of the control unit 34. Then, the control unit 34 controls the lifting mechanism 12 based on the input value.
Is controlled so that the distance between the lower end of the processing liquid supply nozzle 14 and the surface of the glass substrate 5 supported by the vacuum chuck 51 is adjusted to a value suitable for removing the resist. .

【0025】図6は、このような状態におけるガラス基
板5の端縁付近と処理液供給ノズル14および裏面用処
理液供給ノズル16との位置関係を拡大して示す模式図
である。
FIG. 6 is an enlarged schematic diagram showing the positional relationship between the vicinity of the edge of the glass substrate 5 and the processing liquid supply nozzle 14 and the processing liquid supply nozzle 16 for the back surface in such a state.

【0026】この図に示すように、その厚みがT1のガ
ラス基板5に対してレジスト除去を行う場合において
は、処理液供給ノズル14の下端部と真空チャック51
に支持されたガラス基板5の表面との間隔がL1、ま
た、裏面用処理液供給ノズル16の下端部と真空チャッ
ク51に支持されたガラス基板5の裏面との間隔がL2
となるように、各ノズル14、16や真空チャック51
等の高さ位置が設定されている。なお、これらの距離L
1、L2は、通常、数百ミクロン程度である。
As shown in this figure, when the resist is removed from the glass substrate 5 having a thickness of T1, the lower end of the processing liquid supply nozzle 14 and the vacuum chuck 51 are removed.
The distance between the lower surface of the processing liquid supply nozzle 16 for the back surface and the rear surface of the glass substrate 5 supported by the vacuum chuck 51 is L2.
So that each of the nozzles 14, 16 and the vacuum chuck 51
Height position is set. Note that these distances L
1, L2 is usually on the order of several hundred microns.

【0027】この状態において、レジスト除去ヘッド6
1における処理液供給ノズル14および裏面用処理液供
給ノズル16からガラス基板5の端縁両面に処理液を供
給するとともに、気体供給ノズル15および裏面用気体
供給ノズル17からガラス基板5の端縁両面に向けて気
体を噴出する。
In this state, the resist removing head 6
1, the processing liquid is supplied to both sides of the edge of the glass substrate 5 from the processing liquid supply nozzle 14 and the processing liquid supply nozzle 16 for the back side, and both ends of the glass substrate 5 are supplied from the gas supply nozzle 15 and the gas supply nozzle 17 for the back side. Spouts gas toward.

【0028】そして、レジスト除去ヘッド移動機構81
により、各レジスト除去ヘッド61をガラス基板5の端
縁に沿って移動させる。これにより、ガラス基板5の端
縁両面に処理液が供給され、ガラス基板5の端縁付近に
塗布されたレジストが溶解除去される。レジストの除去
に供された処理液と溶解除去されたレジストは、気体供
給ノズル15および裏面用気体供給ノズル17からガラ
ス基板5の端縁両面に向けて噴出される気体により、ガ
ラス基板5の端縁から外方に吹き飛ばされた後、排気部
18により吸引除去される。この状態において、各吸引
ヘッド61がガラス基板5の端縁全域に沿って移動する
ことにより、ガラス基板5の端縁全域に亘ってレジスト
を吸引除去することができる。
Then, the resist removing head moving mechanism 81
Thereby, each resist removal head 61 is moved along the edge of the glass substrate 5. Thus, the processing liquid is supplied to both sides of the edge of the glass substrate 5, and the resist applied near the edge of the glass substrate 5 is dissolved and removed. The processing solution used to remove the resist and the resist dissolved and removed are applied to the edge of the glass substrate 5 by gas ejected from the gas supply nozzle 15 and the gas supply nozzle 17 for the back surface toward both sides of the edge of the glass substrate 5. After being blown outward from the edge, it is sucked and removed by the exhaust unit 18. In this state, by moving each suction head 61 along the entire edge of the glass substrate 5, the resist can be removed by suction over the entire edge of the glass substrate 5.

【0029】このような基板の端縁処理装置において、
端縁処理としてのレジスト除去を行うべき基板の厚みが
T1からT2に変更された場合においては、図5に示す
入力装置36から、再度レジスト除去を行うべきガラス
基板5の厚みを入力する。この入力値は、インターフェ
ース35を介して制御部34のRAM32に再度記憶さ
れる。そして、制御部34は、この入力値に基づいて昇
降機構12を制御し、真空チャック51を昇降すること
により、処理液供給ノズル14の下端部と真空チャック
51に支持されたガラス基板5の表面との間隔がレジス
ト除去に適した値となるように調整する。
In such a substrate edge processing apparatus,
When the thickness of the substrate from which the resist is to be removed as the edge processing is changed from T1 to T2, the thickness of the glass substrate 5 from which the resist is to be removed is input again from the input device 36 shown in FIG. This input value is stored again in the RAM 32 of the control unit 34 via the interface 35. Then, the control unit 34 controls the elevating mechanism 12 based on the input value to elevate and lower the vacuum chuck 51, thereby lowering the lower end of the processing liquid supply nozzle 14 and the surface of the glass substrate 5 supported by the vacuum chuck 51. Is adjusted so as to have a value suitable for resist removal.

【0030】図7は、このような状態におけるガラス基
板5の端縁付近と処理液供給ノズル14および裏面用処
理液供給ノズル16との位置関係を拡大して示す模式図
である。
FIG. 7 is an enlarged schematic view showing the positional relationship between the vicinity of the edge of the glass substrate 5 and the processing liquid supply nozzle 14 and the processing liquid supply nozzle 16 for the back surface in such a state.

【0031】この図に示すように、その厚みがT2のガ
ラス基板5のレジスト除去を行う場合においても、真空
チャック51が基板の厚みの差に相当する距離[T1−
T2]だけ上昇することにより、処理液供給ノズル14
の下端部と真空チャック51に支持されたガラス基板5
の表面との間隔はL1となっている。このため、ガラス
基板5の厚みがT1からT2に変化した場合であって
も、処理液供給ノズル14の下端部と真空チャック51
に支持されたガラス基板5の表面との間隔をレジスト除
去に適した値L1に維持することが可能となり、端縁処
理としてのレジスト除去を精度よく実行することが可能
となる。
As shown in this figure, even when the resist is removed from the glass substrate 5 whose thickness is T2, the vacuum chuck 51 moves the distance [T1-
T2], the processing liquid supply nozzle 14
Glass substrate 5 supported by the lower end of the substrate and the vacuum chuck 51
Is L1. Therefore, even when the thickness of the glass substrate 5 changes from T1 to T2, the lower end of the processing liquid supply nozzle 14 and the vacuum chuck 51
The distance from the surface of the glass substrate 5 supported on the substrate can be maintained at a value L1 suitable for resist removal, and the resist removal as edge processing can be performed with high accuracy.

【0032】一方、上記のように処理液供給ノズル14
の下端部と真空チャック51に支持されたガラス基板5
の表面との間隔を一定にするために真空チャック51を
上昇させた場合においては、裏面用処理液供給ノズル1
6の上端部と真空チャック51に支持されたガラス基板
5の裏面との間隔がL2からL3に変化する。このL3
の値は、[L2+(T1−T2)]であり、L2より
[T1−T2]だけ大きい。しかしながら、ガラス基板
5の裏面においては、レジストはガラス基板5の端縁に
線状に付着しているに過ぎないことから、裏面用処理液
供給ノズル16の下端部とガラス基板5の裏面との間隔
がこのように変化した場合においても、ガラス基板5の
裏面におけるレジスト除去に実質的な影響はない。
On the other hand, as described above, the processing liquid supply nozzle 14
Glass substrate 5 supported by the lower end of the substrate and the vacuum chuck 51
When the vacuum chuck 51 is raised in order to make the interval with the front surface constant, the processing liquid supply nozzle 1 for the back surface
The distance between the upper end of the glass substrate 6 and the back surface of the glass substrate 5 supported by the vacuum chuck 51 changes from L2 to L3. This L3
Is [L2 + (T1-T2)], which is larger than L2 by [T1-T2]. However, on the back surface of the glass substrate 5, the resist is only attached linearly to the edge of the glass substrate 5, so that the lower end of the processing liquid supply nozzle 16 for the back surface and the back surface of the glass substrate 5 Even when the interval changes in this way, there is substantially no effect on the removal of the resist on the back surface of the glass substrate 5.

【0033】なお、上記のように、図5に示す入力装置
36からガラス基板5の厚みを入力する場合において
は、予め設定した複数のガラス基板5の厚みのうちから
処理すべきガラス基板5の厚みを選択するようにしても
よく、また、実際のガラス基板5の厚みを数値として入
力してもよい。同様に、昇降機構12は、真空チャック
51を予め設定した複数の位置のうちのいずれかの位置
まで昇降させてもよく、また、入力装置36により入力
された数値から計算された位置まで昇降させてもよい。
As described above, when inputting the thickness of the glass substrate 5 from the input device 36 shown in FIG. 5, the thickness of the glass substrate 5 to be processed is selected from among a plurality of predetermined thicknesses of the glass substrate 5. The thickness may be selected, or the actual thickness of the glass substrate 5 may be input as a numerical value. Similarly, the lifting mechanism 12 may move the vacuum chuck 51 up and down to any one of a plurality of preset positions, or move the vacuum chuck 51 up and down to a position calculated from a numerical value input by the input device 36. You may.

【0034】次に、この発明の他の実施の形態を図面に
基づいて説明する。図8はこの発明の第2実施形態に係
る基板の端縁処理装置の側面図であり、図9はそのレジ
スト除去ヘッド61を真空チャック51の一部とともに
示す断面図である。なお、上述した第1実施形態と同一
の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省
略する。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 8 is a side view of a substrate edge processing apparatus according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view showing the resist removal head 61 together with a part of a vacuum chuck 51. The same members as those in the above-described first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.

【0035】上述した第1実施形態に係る基板の端縁処
理装置においては、ガラス基板5の厚みに合わせて、ガ
ラス基板5を支持する真空チャック51を昇降させてい
るが、この第2実施形態に係る基板の端縁処理装置にお
いては、ガラス基板5の厚みに合わせて処理液供給ノズ
ル14を昇降させるようにしている。より具体的には、
この第2実施形態に係る基板の端縁処理装置においては
第1実施形態に係る基板の端縁処理装置における昇降機
構12を省略するとともに、処理液供給ノズル14等を
各レジスト除去ヘッド61にそれぞれ内蔵されたエアシ
リンダ41からなる昇降機構42により昇降させてい
る。
In the substrate edge processing apparatus according to the above-described first embodiment, the vacuum chuck 51 supporting the glass substrate 5 is moved up and down in accordance with the thickness of the glass substrate 5. In the substrate edge processing apparatus according to (1), the processing liquid supply nozzle 14 is moved up and down in accordance with the thickness of the glass substrate 5. More specifically,
In the substrate edge processing apparatus according to the second embodiment, the elevating mechanism 12 in the substrate edge processing apparatus according to the first embodiment is omitted, and the processing liquid supply nozzles 14 and the like are attached to the respective resist removal heads 61. It is raised and lowered by a lifting mechanism 42 including a built-in air cylinder 41.

【0036】すなわち、図9に示すように、図示しない
加圧タンクを介して処理液の供給源と接続された8本の
処理液供給ノズル14と図示しない電磁弁等を介して気
体の供給源と接続された8本の気体供給ノズル15とを
支持する支持部材43は、エアシリンダ41を介してレ
ジスト除去ヘッド61本体に固定されている。このた
め、各処理液供給ノズル14と各気体供給ノズル15と
は、エアシリンダ41の駆動により支持部材43ととも
に昇降する。
That is, as shown in FIG. 9, eight processing solution supply nozzles 14 connected to a processing solution supply source via a pressure tank (not shown) and a gas supply source via a solenoid valve (not shown) and the like. The support member 43 supporting the eight gas supply nozzles 15 connected to the main body is fixed to the main body of the resist removal head 61 via an air cylinder 41. Therefore, each of the processing liquid supply nozzles 14 and each of the gas supply nozzles 15 move up and down together with the support member 43 by driving the air cylinder 41.

【0037】このように構成された基板の端縁処理装置
によりガラス基板5の端縁付近のレジストを除去する場
合においては、第1実施形態に係る基板の端縁処理装置
の場合と同様、処理を開始するに先立って、図5に示す
入力装置36から、レジスト除去を行うべきガラス基板
5の厚みを入力する。この入力値は、インターフェース
35を介して制御部34のRAM32に記憶される。そ
して、制御部34は、この入力値に基づいて昇降機構4
2を制御し、エアシリンダ41の駆動で各処理液供給ノ
ズル14と各気体供給ノズル15を支持部材43ととも
に昇降させることにより、処理液供給ノズル14の下端
部と真空チャック51に支持されたガラス基板5の表面
との間隔がレジスト除去に適した値となるように調整す
る。
In the case where the resist near the edge of the glass substrate 5 is removed by the substrate edge processing apparatus configured as described above, the processing is performed similarly to the case of the substrate edge processing apparatus according to the first embodiment. Prior to the start, the thickness of the glass substrate 5 to be subjected to the resist removal is input from the input device 36 shown in FIG. This input value is stored in the RAM 32 of the control unit 34 via the interface 35. Then, the control unit 34 controls the lifting mechanism 4 based on the input value.
2 is controlled to raise and lower each processing liquid supply nozzle 14 and each gas supply nozzle 15 together with the support member 43 by driving the air cylinder 41, so that the glass supported by the lower end portion of the processing liquid supply nozzle 14 and the vacuum chuck 51. The distance from the surface of the substrate 5 is adjusted to a value suitable for removing the resist.

【0038】図10は、このような状態におけるガラス
基板5の端縁付近と処理液供給ノズル14および裏面用
処理液供給ノズル16との位置関係を拡大して示す模式
図である。
FIG. 10 is an enlarged schematic diagram showing the positional relationship between the vicinity of the edge of the glass substrate 5 and the processing liquid supply nozzle 14 and the processing liquid supply nozzle 16 for the back surface in such a state.

【0039】この図に示すように、その厚みがT1のガ
ラス基板5に対してレジスト除去を行う場合において
は、第1実施形態に係る基板の端縁処理装置の場合と同
様、処理液供給ノズル14の下端部と真空チャック51
に支持されたガラス基板5の表面との間隔がL1、ま
た、裏面用処理液供給ノズル16の下端部と真空チャッ
ク51に支持されたガラス基板5の裏面との間隔がL2
となるように、各ノズル14、16や真空チャック51
等の高さ位置が設定されている。
As shown in this figure, when the resist is removed from the glass substrate 5 having a thickness of T1, the processing liquid supply nozzle is used as in the case of the substrate edge processing apparatus according to the first embodiment. 14 and vacuum chuck 51
The distance between the lower surface of the processing liquid supply nozzle 16 for the back surface and the rear surface of the glass substrate 5 supported by the vacuum chuck 51 is L2.
So that each of the nozzles 14, 16 and the vacuum chuck 51
Height position is set.

【0040】この状態において、レジスト除去ヘッド6
1における処理液供給ノズル14および裏面用処理液供
給ノズル16からガラス基板5の端縁両面に処理液を供
給するとともに、気体供給ノズル15および裏面用気体
供給ノズル17からガラス基板5の端縁両面に向けて気
体を噴出する。そして、レジスト除去ヘッド移動機構8
1により、各レジスト除去ヘッド61をガラス基板5の
端縁全域に沿って移動させることにより、ガラス基板5
の端縁全域に亘ってレジストを吸引除去する。
In this state, the resist removing head 6
1, the processing liquid is supplied to both sides of the edge of the glass substrate 5 from the processing liquid supply nozzle 14 and the processing liquid supply nozzle 16 for the back side, and both ends of the glass substrate 5 are supplied from the gas supply nozzle 15 and the gas supply nozzle 17 for the back side. Spouts gas toward. Then, the resist removing head moving mechanism 8
By moving each resist removing head 61 along the entire edge of the glass substrate 5,
The resist is sucked and removed over the entire edge of.

【0041】また、このような基板の端縁処理装置にお
いて、端縁処理としてのレジスト除去を行うべき基板の
厚みがT1からT2に変更された場合においては、図5
に示す入力装置36から、再度レジスト除去を行うべき
ガラス基板5の厚みを入力する。この入力値は、インタ
ーフェース35を介して制御部34のRAM32に再度
記憶される。そして、制御部34は、この入力値に基づ
いて昇降機構42を制御し、エアシリンダ41の駆動で
処理液供給ノズル14等を昇降することにより、処理液
供給ノズル14の下端部と真空チャック51に支持され
たガラス基板5の表面との間隔がレジスト除去に適した
値となるように調整する。
In such a substrate edge processing apparatus, when the thickness of the substrate to be subjected to the resist removal as the edge processing is changed from T1 to T2, FIG.
Is input from the input device 36 shown in FIG. This input value is stored again in the RAM 32 of the control unit 34 via the interface 35. The control unit 34 controls the elevating mechanism 42 based on the input value, and raises and lowers the processing liquid supply nozzle 14 and the like by driving the air cylinder 41, thereby lowering the lower end of the processing liquid supply nozzle 14 and the vacuum chuck 51. Is adjusted so that the distance from the surface of the glass substrate 5 supported on the substrate becomes a value suitable for resist removal.

【0042】図11は、このような状態におけるガラス
基板5の端縁付近と処理液供給ノズル14および裏面用
処理液供給ノズル16との位置関係を拡大して示す模式
図である。
FIG. 11 is an enlarged schematic diagram showing the positional relationship between the vicinity of the edge of the glass substrate 5 and the processing liquid supply nozzle 14 and the processing liquid supply nozzle 16 for the back surface in such a state.

【0043】この図に示すように、その厚みがT2のガ
ラス基板5のレジスト除去を行う場合においても、処理
液供給ノズル14が基板の厚みの差に相当する距離[T
1−T2]だけ下降することにより、処理液供給ノズル
14の下端部と真空チャック51に支持されたガラス基
板5の表面との間隔はL1となっている。このため、ガ
ラス基板5の厚みがT1からT2に変化した場合であっ
ても、処理液供給ノズル14の下端部と真空チャック5
1に支持されたガラス基板5の表面との間隔をレジスト
除去に適した値L1に維持することが可能となり、端縁
処理としてのレジスト除去を精度よく実行することが可
能となる。
As shown in this figure, even when the resist is removed from the glass substrate 5 having a thickness of T2, the processing liquid supply nozzle 14 moves the distance [T] corresponding to the difference in the thickness of the substrate.
1-T2], the distance between the lower end of the processing liquid supply nozzle 14 and the surface of the glass substrate 5 supported by the vacuum chuck 51 is L1. For this reason, even when the thickness of the glass substrate 5 changes from T1 to T2, the lower end of the processing liquid supply nozzle 14 and the vacuum chuck 5
The distance from the surface of the glass substrate 5 supported by the substrate 1 can be maintained at a value L1 suitable for resist removal, and the resist removal as edge processing can be performed with high accuracy.

【0044】一方、上記のように処理液供給ノズル14
の下端部と真空チャック51に支持されたガラス基板5
の表面との間隔を一定にするために処理液供給ノズル1
4を下降させた場合においては、上述した第1実施例の
場合とは異なり、裏面用処理液供給ノズル16の上端部
と真空チャック51に支持されたガラス基板5の裏面と
の間隔はL2のまま維持される。このため、ガラス基板
5の裏面におけるレジスト除去作業への影響はない。
On the other hand, as described above, the processing liquid supply nozzle 14
Glass substrate 5 supported by the lower end of the substrate and the vacuum chuck 51
Processing liquid supply nozzle 1 to make the distance from the surface of
4 is lowered, unlike the first embodiment described above, the distance between the upper end of the processing liquid supply nozzle 16 for the back surface and the back surface of the glass substrate 5 supported by the vacuum chuck 51 is L2. Will be maintained. For this reason, there is no influence on the resist removal operation on the back surface of the glass substrate 5.

【0045】上述した実施の形態においては、いずれ
も、ガラス基板5の厚みを入力装置36から入力するこ
とにより、真空チャック51または処理液供給ノズル1
4を上下方向に移動させる場合について説明したが、ガ
ラス基板5の厚みを測定装置により測定し、この測定結
果に基づいて真空チャック51または処理液供給ノズル
14を自動的に上下方向に移動させるようにしてもよ
い。
In any of the above-described embodiments, the thickness of the glass substrate 5 is input from the input device 36, and thus the vacuum chuck 51 or the processing liquid supply nozzle 1 is provided.
Although the case where the substrate 4 is moved in the vertical direction has been described, the thickness of the glass substrate 5 is measured by a measuring device, and the vacuum chuck 51 or the processing liquid supply nozzle 14 is automatically moved in the vertical direction based on the measurement result. It may be.

【0046】図12は、このような実施形態に係る基板
の端縁処理装置に使用される測定装置としてのCCDカ
メラ43を真空チャック51の一部とともに示す側面概
要図である。
FIG. 12 is a schematic side view showing a CCD camera 43 as a measuring device used in the substrate edge processing apparatus according to this embodiment together with a part of the vacuum chuck 51.

【0047】この図に示すように、ガラス基板5の厚み
を測定するための測定装置としてのCCDカメラ43
は、真空チャック51に支持されたガラス基板5の端縁
を撮像し得るように配置されている。そして、このCC
Dカメラ43は、画像処理装置を介して図5に示すイン
ターフェース35に接続されている。
As shown in this figure, a CCD camera 43 as a measuring device for measuring the thickness of the glass substrate 5
Are arranged so that the edge of the glass substrate 5 supported by the vacuum chuck 51 can be imaged. And this CC
The D camera 43 is connected to the interface 35 shown in FIG. 5 via the image processing device.

【0048】この実施の形態に係る基板の端縁処理装置
によりガラス基板5のレジスト除去を行う際には、真空
チャック51により支持されたガラス基板5の端縁を撮
像して得た画像を画像処理することにより、ガラス基板
5の厚みを測定する。この測定値は、図5に示すインタ
ーフェース35を介して制御部34のRAM32に再度
記憶される。そして、制御部34は、この入力値に基づ
いて昇降機構12または42を制御し、真空チャック5
1または処理液供給ノズル14を昇降することにより、
処理液供給ノズル14の下端部と真空チャック51に支
持されたガラス基板5の表面との間隔がレジスト除去に
適した値となるように調整する。そして、上述した第
1、第2実施形態の場合と同様の動作により、レジスト
除去を行う。
When the resist is removed from the glass substrate 5 by the substrate edge processing apparatus according to this embodiment, an image obtained by imaging the edge of the glass substrate 5 supported by the vacuum chuck 51 is used as an image. By performing the treatment, the thickness of the glass substrate 5 is measured. This measured value is stored again in the RAM 32 of the control unit 34 via the interface 35 shown in FIG. Then, the control unit 34 controls the elevating mechanism 12 or 42 based on the input value, and
1 or by raising and lowering the processing liquid supply nozzle 14,
The distance between the lower end of the processing liquid supply nozzle 14 and the surface of the glass substrate 5 supported by the vacuum chuck 51 is adjusted to a value suitable for resist removal. Then, the resist is removed by the same operation as in the above-described first and second embodiments.

【0049】なお、CCDカメラ43を、上述した4個
のレジスト除去ヘッド61のうち、最初に真空チャック
51に支持されたガラス基板5と対向するガラス基板5
の長辺側に配置された2個のレジスト除去ヘッド61の
いずれか一方に内蔵し、レジスト除去ヘッド61が走行
を開始したときに、このCCDカメラ43によりガラス
基板5の厚みを測定して、処理液供給ノズル14の下端
部とガラス基板5の表面との間隔を調整するようにして
もよい。
It should be noted that the CCD camera 43 is moved to the glass substrate 5 facing the glass substrate 5 first supported by the vacuum chuck 51 among the four resist removal heads 61 described above.
Is built in one of the two resist removal heads 61 arranged on the long side, and when the resist removal head 61 starts running, the thickness of the glass substrate 5 is measured by the CCD camera 43, The distance between the lower end of the processing liquid supply nozzle 14 and the surface of the glass substrate 5 may be adjusted.

【0050】さらに、ガラス基板5の厚みを測定するた
めの測定手段として、上記CCDカメラ43に換えて、
図13に示すような接触子45を有する接触式変位セン
サ44を使用することも可能である。この接触式変位セ
ンサ44を使用する場合においては、真空チャック51
に支持されたガラス基板5と接触子45とを接触させる
ことにより、ガラス基板5の厚みを測定する。
Further, as a measuring means for measuring the thickness of the glass substrate 5, instead of the CCD camera 43,
It is also possible to use a contact type displacement sensor 44 having a contact 45 as shown in FIG. When this contact type displacement sensor 44 is used, the vacuum chuck 51
The thickness of the glass substrate 5 is measured by bringing the contact 45 into contact with the glass substrate 5 supported by the glass substrate 5.

【0051】なお、図13に示すように、ガラス基板5
の表面から接触子45をガラス基板5と当接させるかわ
りに、一対の接触子45によりガラス基板5を挟持する
ことにより、このガラス基板5の厚みを測定するように
してもよい。
Note that, as shown in FIG.
The thickness of the glass substrate 5 may be measured by sandwiching the glass substrate 5 between a pair of contacts 45 instead of bringing the contact 45 into contact with the glass substrate 5 from the surface.

【0052】上述した実施の形態においては、いずれ
も、基板として液晶表示パネル用のガラス基板5を使用
した場合について説明したが、他のFPD用基板や半導
体ウエハあるいは半導体製造装置用マスク基板等の各種
の基板の端縁処理を行う装置にこの発明を適用すること
も可能である。
In each of the above embodiments, the case where the glass substrate 5 for a liquid crystal display panel is used as a substrate has been described. However, other substrates such as an FPD substrate, a semiconductor wafer, or a mask substrate for a semiconductor manufacturing apparatus are used. The present invention can be applied to an apparatus for performing edge processing of various substrates.

【0053】また、上述した実施の形態においては、い
ずれも、ガラス基板5の端縁付近に塗布されたレジスト
を除去するレジスト除去にこの発明を適用した場合につ
いて説明したが、基板の端縁に現像液を供給してその端
縁付近の現像を促進する現像促進処理等のその他の端縁
処理にこの発明を適用することも可能である。
In each of the above-described embodiments, the case where the present invention is applied to the resist removal for removing the resist applied near the edge of the glass substrate 5 has been described. The present invention can be applied to other edge processing such as a development acceleration processing for supplying a developing solution to accelerate development near the edge.

【0054】[0054]

【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、被処理
基板の厚みに応じて支持手段または処理液供給ノズルを
上下方向に移動させる移動手段を備えたことから、厚み
の異なる基板を処理する場合であっても、その基板の端
縁を適切に処理することが可能となる。
According to the first aspect of the present invention, since the supporting means or the moving means for moving the processing liquid supply nozzle in the vertical direction according to the thickness of the substrate to be processed is provided, substrates having different thicknesses can be used. Even in the case of processing, the edge of the substrate can be appropriately processed.

【0055】請求項2に記載の発明によれば、入力手段
による入力値に基づいて、移動手段により、支持手段ま
たは処理液供給ノズルを上下方向に移動させることがで
きる。
According to the second aspect of the present invention, the support means or the processing liquid supply nozzle can be moved in the vertical direction by the moving means based on the input value by the input means.

【0056】請求項3に記載の発明によれば、測定手段
による測定値に基づいて、移動手段により、支持手段ま
たは処理液供給ノズルを上下方向に移動させることがで
きる。
According to the third aspect of the present invention, the supporting means or the processing liquid supply nozzle can be moved in the vertical direction by the moving means based on the measured value by the measuring means.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の第1実施形態に係る基板の端縁処理
装置の側面図である。
FIG. 1 is a side view of a substrate edge processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】この発明の第1実施形態に係る基板の端縁処理
装置の平面図である。
FIG. 2 is a plan view of the substrate edge processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図3】レジスト除去ヘッド61を真空チャック51の
一部とともに示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a resist removal head 61 together with a part of a vacuum chuck 51.

【図4】レジスト除去ヘッド61のカバー13を破断し
て示す正面図である。
FIG. 4 is a front view showing the cover 13 of the resist removing head 61 in a cutaway manner.

【図5】基板の端縁処理装置の主要な電気的構成を示す
ブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing a main electrical configuration of the substrate edge processing apparatus.

【図6】ガラス基板5の端縁付近と処理液供給ノズル1
4および裏面用処理液供給ノズル16との位置関係を拡
大して示す模式図である。
FIG. 6 shows the vicinity of the edge of the glass substrate 5 and the processing liquid supply nozzle 1
FIG. 4 is an enlarged schematic view showing a positional relationship between the fourth processing liquid supply nozzle 4 and a processing liquid supply nozzle 16 for a back surface.

【図7】ガラス基板5の端縁付近と処理液供給ノズル1
4および裏面用処理液供給ノズル16との位置関係を拡
大して示す模式図である。
FIG. 7 shows the vicinity of the edge of the glass substrate 5 and the processing liquid supply nozzle 1
FIG. 4 is an enlarged schematic view showing a positional relationship between the fourth processing liquid supply nozzle 4 and a processing liquid supply nozzle 16 for a back surface.

【図8】この発明の第2実施形態に係る基板の端縁処理
装置の側面図である。
FIG. 8 is a side view of a substrate edge processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図9】レジスト除去ヘッド61を真空チャック51の
一部とともに示す断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing the resist removal head 61 together with a part of the vacuum chuck 51.

【図10】ガラス基板5の端縁付近と処理液供給ノズル
14および裏面用処理液供給ノズル16との位置関係を
拡大して示す模式図である。
FIG. 10 is an enlarged schematic view showing the positional relationship between the vicinity of the edge of the glass substrate 5 and the processing liquid supply nozzle 14 and the processing liquid supply nozzle 16 for the back surface.

【図11】ガラス基板5の端縁付近と処理液供給ノズル
14および裏面用処理液供給ノズル16との位置関係を
拡大して示す模式図である。
FIG. 11 is an enlarged schematic view showing the positional relationship between the vicinity of the edge of the glass substrate 5, the processing liquid supply nozzle 14, and the processing liquid supply nozzle 16 for the back surface.

【図12】CCDカメラ43を真空チャック51の一部
とともに示す側面概要図である。
12 is a schematic side view showing the CCD camera 43 together with a part of the vacuum chuck 51. FIG.

【図13】接触式変位センサ44を真空チャック51の
一部とともに示す側面概要図である。
13 is a schematic side view showing the contact type displacement sensor 44 together with a part of the vacuum chuck 51. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

5 ガラス基板 12 昇降機構 14 処理液供給ノズル 15 気体供給ノズル 18 排気部 24 処理液供給管 34 制御部 36 入力装置 41 エアシリンダ 42 昇降機構 43 CCDカメラ 44 接触式変位センサ 51 真空チャック 61 レジスト除去ヘッド 81 レジスト除去ヘッド移動機構 5 Glass Substrate 12 Elevating Mechanism 14 Processing Liquid Supply Nozzle 15 Gas Supply Nozzle 18 Exhaust Port 24 Processing Liquid Supply Pipe 34 Control Unit 36 Input Device 41 Air Cylinder 42 Elevating Mechanism 43 CCD Camera 44 Contact Displacement Sensor 51 Vacuum Chuck 61 Resist Removal Head 81 Resist Removal Head Moving Mechanism

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板をその下面から支持する支持手段
と、前記支持手段に支持された基板の端縁に処理液を供
給する処理液供給ノズルとを有する基板の端縁処理装置
において、 被処理基板の厚みに応じて、前記支持手段または前記処
理液供給ノズルを上下方向に移動させる移動手段を備え
たことを特徴とする基板の端縁処理装置。
An apparatus for processing an edge of a substrate, comprising: support means for supporting a substrate from a lower surface thereof; and a processing liquid supply nozzle for supplying a processing liquid to an edge of the substrate supported by the support means. An apparatus for processing an edge of a substrate, comprising: moving means for moving the supporting means or the processing liquid supply nozzle in the vertical direction according to the thickness of the substrate.
【請求項2】 請求項1に記載の基板の端縁処理装置に
おいて、 被処理基板の厚みを入力するための入力手段をさらに有
し、 前記移動手段は、前記入力手段による入力値に基づいて
前記支持手段または前記処理液供給ノズルを上下方向に
移動させる基板の端縁処理装置。
2. The substrate edge processing apparatus according to claim 1, further comprising an input unit for inputting a thickness of the substrate to be processed, wherein the moving unit is configured to input the thickness of the substrate based on an input value of the input unit. An edge processing apparatus for a substrate, wherein the support means or the processing liquid supply nozzle is moved in a vertical direction.
【請求項3】 請求項1に記載の基板の端縁処理装置に
おいて、 被処理基板の厚みを測定するための測定手段をさらに有
し、 前記移動手段は、前記測定手段による測定値に基づいて
前記支持手段または前記処理液供給ノズルを上下方向に
移動させる基板の端縁処理装置。
3. The substrate edge processing apparatus according to claim 1, further comprising a measuring unit for measuring a thickness of the substrate to be processed, wherein the moving unit is configured to perform measurement based on a value measured by the measuring unit. An edge processing apparatus for a substrate, wherein the support means or the processing liquid supply nozzle is moved in a vertical direction.
JP20526197A 1997-07-14 1997-07-14 Treatment apparatus for end edge of substrate Pending JPH1131654A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004045491A (en) * 2002-07-09 2004-02-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd Method for forming film of positive type photosensitive resin
JP2020092252A (en) * 2018-09-25 2020-06-11 ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングSuss MicroTec Lithography GmbH Edge bead removal system and substrate processing method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004045491A (en) * 2002-07-09 2004-02-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd Method for forming film of positive type photosensitive resin
JP2020092252A (en) * 2018-09-25 2020-06-11 ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングSuss MicroTec Lithography GmbH Edge bead removal system and substrate processing method

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