JPH11307809A - Optical semiconductor device - Google Patents

Optical semiconductor device

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Publication number
JPH11307809A
JPH11307809A JP10817998A JP10817998A JPH11307809A JP H11307809 A JPH11307809 A JP H11307809A JP 10817998 A JP10817998 A JP 10817998A JP 10817998 A JP10817998 A JP 10817998A JP H11307809 A JPH11307809 A JP H11307809A
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JP
Japan
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light
semiconductor chip
light emitting
groove
optical
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Pending
Application number
JP10817998A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideo Kunii
秀雄 国井
Toshiyuki Take
俊之 武
Hiroshi Inoguchi
浩 井野口
Tsutomu Ishikawa
勉 石川
Satoshi Sekiguchi
智 関口
Hiroshi Kobori
浩 小堀
Hiroki Seyama
浩樹 瀬山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Optical Head (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate and downsize optical devices such as a prism by sealing semiconductor chips serving as a light emitting section and a light receiving section into an optical semiconductor device and by forming a groove having a reflecting and transmitting surface on a resin sealing body transparent to light of a predetermined wavelength. SOLUTION: A leadframe comprises islands 21 and leads 22. A semiconductor chip 23 serving as a light emitting section and a semiconductor chip 24 serving as a light receiving section are fixed onto the islands 21 and the leads 22 through solder or the like. Further, bonding pads are formed around the chips 23 and 24. The plurality of leads 22 extend outside from the peripheries of the chips so as to correspond to the bonding pads, and the leads 22 are connected to the chips 23 and 24 through fine metal wires. The ends of the leads 22 and the chips 23 and 24 are sealed with a sealing body 25 that is transparent to a predetermined wavelength. The body 25 is provided with a groove 27 having a surface 26 that reflects and transmits light.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光半導体装置に関
するもので、特にこれらの構造を薄くし、この薄い側面
から光を射出(または入射)させるものであり、これら
を用いた機器の小型化・薄型化を実現するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical semiconductor device, and more particularly to an optical semiconductor device having a thin structure and emitting (or entering) light from a thin side surface thereof.・ Thinning is realized.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近、サブノートパソコン、携帯情報端
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。
2. Description of the Related Art Recently, multimedia equipment such as a sub-notebook personal computer, a portable information terminal, and an electronic still camera has been remarkably developed.

【0003】しかも携帯機器は、年間700万台も販売
され、約8割がIrDA(InfraredData Association)規
格の赤外線方式を採用している。つまり外部機器と本体
との赤外線信号を介した送受信が必要で、そこには、赤
外線を発光する発光素子、赤外線を受光する受光素子が
必要となってくる。
[0003] Moreover, 7 million portable devices are sold annually, and about 80% adopt the infrared system of the IrDA (InfraredData Association) standard. That is, transmission / reception between the external device and the main body via an infrared signal is required, and a light emitting element that emits infrared light and a light receiving element that receives infrared light are required.

【0004】またMDやCD等の光学式記録再生装置で
用いられる光学ヘッドは、光学記録媒体をビームで照射
して光学記録媒体からの変調されたビームを検出するこ
とにより、情報の記録や再生を行う。やはりここでも発
光素子、受光素子が必要となってくる。
An optical head used in an optical recording / reproducing apparatus such as an MD or a CD irradiates an optical recording medium with a beam and detects a modulated beam from the optical recording medium, thereby recording and reproducing information. I do. Also here, a light emitting element and a light receiving element are required.

【0005】しかしこれら発光素子、受光素子は、小型
化が実現されていない。
However, these light emitting elements and light receiving elements have not been reduced in size.

【0006】例えば、図3は、特公平7−28085号
公報の技術を説明するもので、半導体レーザ1が半導体
基板2に直接接続され、断面形状が台形のプリズム3が
半導体基板2に固定されている。尚、4は、光学記録媒
体である。半導体レーザ1と対向しているプリズム3の
傾斜面5は半透過反射面で、半導体基板2と対接してい
るプリズム面6は、光検出器(受光素子)7以外の部分
が、また面6と対向しているプリズム面8は、共に反射
面となっている。
For example, FIG. 3 illustrates a technique disclosed in Japanese Patent Publication No. Hei 7-28085, in which a semiconductor laser 1 is directly connected to a semiconductor substrate 2 and a prism 3 having a trapezoidal cross section is fixed to the semiconductor substrate 2. ing. Reference numeral 4 denotes an optical recording medium. The inclined surface 5 of the prism 3 facing the semiconductor laser 1 is a semi-transmissive reflecting surface, and the prism surface 6 in contact with the semiconductor substrate 2 has a portion other than the photodetector (light receiving element) 7. The prism surfaces 8 facing each other are reflection surfaces.

【0007】半導体レーザ1から発光され、傾斜面5か
らプリズム3に入射したビーム9は、反射面6と8で反
射されてから、光検出器7で検出される。
[0007] A beam 9 emitted from the semiconductor laser 1 and incident on the prism 3 from the inclined surface 5 is reflected by the reflecting surfaces 6 and 8 and detected by the photodetector 7.

【0008】一方、図4は、赤外線データ通信モジュー
ルで、赤外線LED、LEDドライバ、PINフォトダ
イオード、アンプ等が内蔵されたモジュール11であ
る。例えば基板に前記LEDが実装され、ここから射出
される光は、レンズ12を介して外部へ放出され、前記
基板に実装されたフォトダイオードは、レンズ13を介
してモールド11内に入射される。
FIG. 4 shows an infrared data communication module 11, which includes an infrared LED, an LED driver, a PIN photodiode, an amplifier, and the like. For example, the LED is mounted on a substrate, and light emitted from the LED is emitted to the outside through a lens 12, and the photodiode mounted on the substrate enters the mold 11 through a lens 13.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】図3や図4のモジュー
ルに於いて、半導体基板上に光学機器が実装され、また
半導体基板がモールドされたモジュールの上に更にレン
ズが実装されたりするため、これらを組み込んだセット
には、小型化が実現できない問題があった。
In the modules shown in FIGS. 3 and 4, an optical device is mounted on a semiconductor substrate, and a lens is further mounted on a module on which a semiconductor substrate is molded. The set incorporating these has a problem that miniaturization cannot be realized.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、発光する発光
用半導体チップと、上面を受光面とする受光用半導体チ
ップと、前記発光用及び受光用半導体チップを封止する
光に対して透明な樹脂封止体と、前記発光用半導体チッ
プから発光された光の光路と所定の角度で交差する面を
有するとともに、前記受光用半導体チップの上部にかつ
前記樹脂封止体の表面に形成された第1の溝とを有し、
前記発光用半導体チップからの光が前記溝で反射される
ことにより射出され、外部から入射された光が前記溝を
透過して前記受光用半導体チップに受光されることを特
徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to a light emitting semiconductor chip for emitting light, a light receiving semiconductor chip having an upper surface as a light receiving surface, and a transparent light for sealing the light emitting and light receiving semiconductor chips. And a surface that intersects the optical path of the light emitted from the light emitting semiconductor chip at a predetermined angle, and is formed on the light receiving semiconductor chip and on the surface of the resin sealed body. A first groove,
The light from the light emitting semiconductor chip is emitted by being reflected by the groove, and the light incident from the outside is transmitted through the groove and received by the light receiving semiconductor chip.

【0011】特に、前記溝の面にハーフミラーを形成す
ることを特徴とする。
In particular, a half mirror is formed on the surface of the groove.

【0012】また、前記発光用半導体チップの側面を発
光面とすることを特徴とする。特にまた、前記発光用半
導体チップの高さを、発光した光が前記溝の面に照射さ
れるように成すことを特徴とする。
Further, the light emitting semiconductor chip is characterized in that a side surface thereof is a light emitting surface. In particular, the height of the light emitting semiconductor chip is set such that the emitted light is applied to the surface of the groove.

【0013】さらに、前記発光用半導体チップの上面を
発光面とする。さらにまた、前記発光用半導体チップか
ら発光された光の光路を前記第1の溝の方向に向けるよ
うに所定の角度で交差する面を有するとともに、前記発
光用半導体チップの上部にかつ前記樹脂封止体の表面に
形成された第2の溝とを有することを特徴とする。
Further, an upper surface of the light emitting semiconductor chip is a light emitting surface. Furthermore, the light emitting semiconductor chip has a surface which intersects at a predetermined angle so that an optical path of light emitted from the light emitting semiconductor chip is directed toward the first groove, and is provided on the light emitting semiconductor chip and the resin sealing. And a second groove formed on the surface of the stationary body.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図1を参照しながら説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

【0015】図は理解のために、二つの図を一体にした
もので、上が光半導体装置の平面図、下が前記平面図の
A−A線に於ける断面図である。
For the sake of understanding, the drawings are made by integrating the two drawings. The upper part is a plan view of the optical semiconductor device, and the lower part is a cross-sectional view taken along line AA in the above-mentioned plan view.

【0016】まずリードフレームがある。このリードフ
レームは、2点鎖線で示すアイランド21とリード22
により構成され、ここではCuより成り、この上に発光
部となる一点鎖線で示す半導体チップ23、受光部とな
る一点鎖線で示す半導体チップ24が半田等の固着手段
を介して固定されている。また半導体チップ23、24
の周囲には、ボンディングパッドが形成され、これに対
応して、チップの周囲から外部へ複数のリード22が延
在され、チップ23及び24とリード22との間を金属
細線で接続されている。
First, there is a lead frame. This lead frame includes an island 21 and a lead 22 indicated by a two-dot chain line.
Here, a semiconductor chip 23 indicated by an alternate long and short dash line serving as a light emitting portion and a semiconductor chip 24 indicated by an alternate long and short dash line serving as a light receiving portion are fixed via Cu or other fixing means. Also, the semiconductor chips 23 and 24
, A plurality of leads 22 are extended from the periphery of the chip to the outside, and the chips 23 and 24 and the leads 22 are connected by thin metal wires. .

【0017】そしてリードの先端及び半導体チップを所
定の波長の光に対して透明な封止体25で封止されてい
る。この封止体25には、光が反射及び透過される面2
6を持つ溝27が設けられている。
The tip of the lead and the semiconductor chip are sealed with a sealing body 25 transparent to light of a predetermined wavelength. The sealing body 25 has a surface 2 on which light is reflected and transmitted.
A groove 27 having 6 is provided.

【0018】本発明の特徴は、前記面26にあり、この
面26は封止体25に溝を形成することで構成され、点
線矢印で示すように、発光部23の側面から発光する光
を面26で反射させて封止体25の上面Xから光が射出
され、また、封止体25の上面Xに入射された光を面2
6で透過させて受光部24に受光させることができる。
The feature of the present invention resides in the surface 26. The surface 26 is formed by forming a groove in the sealing body 25, and emits light emitted from the side surface of the light emitting portion 23 as indicated by a dotted arrow. The light is reflected from the surface 26 and emitted from the upper surface X of the sealing body 25, and the light incident on the upper surface X of the sealing body 25 is
The light can be transmitted through the light receiving unit 6 and received by the light receiving unit 24.

【0019】また、図1の発光部23はその側面から光
を発光させる半導体チップである。発光部23と受光部
24とを同一の高さのフレームに搭載すると、溝の深さ
が封止体25の厚さの半分程度であるので、光を溝27
の面26に照射させることができず、その結果、樹脂封
止体25の上面Xから光を射出することができない。そ
こで、発光部23を搭載させるフレームの高さを発光し
た光が面26に照射されるように高くすることにより、
発光した光を面26で反射させ樹脂封止体25の上面X
から射出させることが可能になる。
The light emitting section 23 shown in FIG. 1 is a semiconductor chip that emits light from its side. When the light emitting section 23 and the light receiving section 24 are mounted on a frame having the same height, the light is transmitted to the groove 27 because the depth of the groove is about half the thickness of the sealing body 25.
Cannot be irradiated on the surface 26 of the resin sealing body 25, and as a result, light cannot be emitted from the upper surface X of the resin sealing body 25. Therefore, by increasing the height of the frame on which the light emitting unit 23 is mounted so that the emitted light is irradiated on the surface 26,
The emitted light is reflected by the surface 26 and the upper surface X of the resin sealing body 25 is reflected.
It is possible to eject from.

【0020】図1の発光部23は半導体チップの側面か
ら光を発光させるものであり、従って図1の実施の形態
はレーザー光を発光する半導体チップに用いて好適であ
る。
The light emitting section 23 shown in FIG. 1 emits light from the side of the semiconductor chip. Therefore, the embodiment shown in FIG. 1 is suitable for a semiconductor chip which emits laser light.

【0021】図2は他の実施の形態を示す図であり、図
は理解のために、図1と同様に二つの図を一体にしたも
ので、上が光半導体装置の平面図、下が前記平面図のA
−A線に於ける断面図である。リードフレームは図1の
如くアイランド21とリード22により構成され、アイ
ランド21の上には発光部となる半導体チップ23、受
光部となる半導体チップ24がそれぞれ搭載される。そ
して、半導体チップ23、24の周囲には、ボンディン
グパッドが形成され、これに対応して、チップの周囲か
ら外部へ複数のリード22が延在され、、チップ23及
び24とリード22との間を金属細線で接続されてい
る。
FIG. 2 is a view showing another embodiment. For the sake of understanding, the figure is one in which two figures are integrated as in FIG. 1, and the upper part is a plan view of the optical semiconductor device, and the lower part is. A in the plan view
It is sectional drawing in the -A line. The lead frame includes an island 21 and a lead 22 as shown in FIG. 1, and a semiconductor chip 23 serving as a light emitting unit and a semiconductor chip 24 serving as a light receiving unit are mounted on the island 21. A bonding pad is formed around the semiconductor chips 23 and 24, and a plurality of leads 22 are extended from the periphery of the chip to the outside corresponding to the bonding pads. Are connected by a thin metal wire.

【0022】そして、リードの先端及び半導体チップも
所定の波長の光に対して透明な封止体25で封止されて
いる。この封止体25には、光が反射及び透過される面
26を持つ第1の溝27、反射面28を有する第2の溝
29が設けられている。
The tips of the leads and the semiconductor chip are also sealed with a sealing body 25 transparent to light of a predetermined wavelength. The sealing body 25 is provided with a first groove 27 having a surface 26 through which light is reflected and transmitted, and a second groove 29 having a reflecting surface 28.

【0023】本発明の特徴は、前記面26及び前記反射
面27にあり、この面26は封止体25に溝27を形成
することで構成され、反射面28は封止体25に溝29
を形成することで構成される。図2において、点線矢印
で示すように、発光部23の上面から発光する光は初め
に反射面28で反射させ、発光部23からの光を面26
へ照射させるようにする。反射面28で反射された光を
面26でさらに反射させて、封止体25の上面Xから光
を射出させる。一方、封止体25の上面Xに入射された
光は面26を透過し、受光部24に受光させることがで
きる。
The feature of the present invention lies in the surface 26 and the reflection surface 27. The surface 26 is formed by forming a groove 27 in the sealing body 25, and the reflection surface 28 is formed by a groove 29 in the sealing body 25.
Is formed. In FIG. 2, light emitted from the upper surface of the light emitting unit 23 is first reflected by the reflecting surface 28, and light from the light emitting unit 23 is
To be irradiated. The light reflected on the reflection surface 28 is further reflected on the surface 26, and the light is emitted from the upper surface X of the sealing body 25. On the other hand, light incident on the upper surface X of the sealing body 25 passes through the surface 26 and can be received by the light receiving unit 24.

【0024】図2の発光部13は半導体チップの上面か
ら光を発光させるものであり、従って図2の実施の形態
は赤外線光を発光する半導体チップに用いて好適であ
る。
The light emitting section 13 in FIG. 2 emits light from the upper surface of the semiconductor chip. Therefore, the embodiment of FIG. 2 is suitable for use in a semiconductor chip that emits infrared light.

【0025】一般には、発光部や受光部を構成する半導
体チップの上に、プリズムやレンズを構成して半導体装
置となるため、これを使用したモジュールやセットは、
セット自身の厚みは厚くなり、しかもこの上や周辺に光
学機器が配置されるため、薄型で小型が難しかった。し
かしながら、溝の一部分である面26により、封止体の
上面Xで光の出し入れが可能となるため、プリズムは不
要である。従って装置自身の厚みを薄くすることができ
る。
In general, a prism or a lens is formed on a semiconductor chip forming a light emitting section or a light receiving section to form a semiconductor device.
Since the thickness of the set itself is increased, and optical devices are arranged on and around the set, it is difficult to make the set thin and small. However, since the surface 26 that is a part of the groove allows light to enter and exit from the upper surface X of the sealing body, no prism is required. Therefore, the thickness of the device itself can be reduced.

【0026】ここで、リードフレームの厚さは、約0.
125mmで、半導体チップの厚みは、例えば250〜
300μm程度である。また封止体25は、透明なエポ
キシ材料で、例えばトランスファーモールドされ、全体
の厚みは、約1mm〜1.5mmである。また金型にも
溝を形成する部分が設けられており、樹脂封止体で半導
体チップをトランスファーモールドした時に溝が同時に
形成される。
In this case, the thickness of the lead frame is about 0.
125 mm, the thickness of the semiconductor chip is, for example, 250 to
It is about 300 μm. The sealing body 25 is made of a transparent epoxy material, for example, by transfer molding, and has a total thickness of about 1 mm to 1.5 mm. The mold is also provided with a portion for forming a groove, and the groove is formed simultaneously when the semiconductor chip is transfer-molded with the resin sealing body.

【0027】ここで溝27及び29は、厚みの半分程
度、ここでは750μm程度であり、少なくとも反射面
26及び28を構成する部分は45°に成っている。こ
この反射面は、界面の両側の空気の屈折率とエポキシ材
料の屈折率との相違により、透過面となるとともに反射
面にもなる。そして、反射効率を上げたい場合には、反
射面に金属皮膜でハーフミラーを形成しても良い。この
被膜方法としては、半導体技術で使用される蒸着、スパ
ッタ成膜が考えられ、またその他にはメッキが考えられ
る。
Here, the grooves 27 and 29 have a thickness of about half, here about 750 μm, and at least the portions constituting the reflecting surfaces 26 and 28 are at 45 °. The reflecting surface here becomes both a transmitting surface and a reflecting surface due to the difference between the refractive index of the air on both sides of the interface and the refractive index of the epoxy material. If it is desired to increase the reflection efficiency, a half mirror may be formed on the reflection surface with a metal film. As the coating method, vapor deposition and sputter deposition used in semiconductor technology can be considered, and plating can also be considered.

【0028】また、溝27及び29の先端は鋭角に形成
されているが、丸みを帯びさせても良い。その場合に
は、樹脂封止体25に外部から力が加えられた場合の耐
久性が向上される。
The tips of the grooves 27 and 29 are formed at an acute angle, but may be rounded. In this case, the durability when a force is applied to the resin sealing body 25 from the outside is improved.

【0029】図5は図1及び図2の光半導体装置を光記
録媒体再生装置の光ピックアップに組み込んだ応用例で
ある。図1及び図2に係わる光半導体装置50の溝から
発光された光が射出される。射出された光はレンズ51
を光学式ディスク52上に照射される。レンズ51によ
り射出された光は光学式ディスク上で集光する。光学式
ディスク上では、照射された光は「1」または「0」に
対応するディスクの形状に合わせて反射されたり、反射
されなかったりする。光学式ディスク52はCD、M
D、LDやDVD等のディスクであり、例えばCDでは
光の反射はCD上の形成されたピットの有無に起因す
る。反射された光は、レンズ51で集光された後、光半
導体装置50の溝に戻る。反射光は光半導体装置50の
受光部で検出され、反射光の有無により受光部で2値信
号が検出される。
FIG. 5 shows an application example in which the optical semiconductor device of FIGS. 1 and 2 is incorporated in an optical pickup of an optical recording medium reproducing apparatus. Light emitted from the groove of the optical semiconductor device 50 according to FIGS. 1 and 2 is emitted. The emitted light is the lens 51
Is irradiated onto the optical disk 52. The light emitted by the lens 51 is collected on an optical disk. On the optical disc, the irradiated light is reflected or not reflected according to the shape of the disc corresponding to "1" or "0". Optical disc 52 is CD, M
D, LD, DVD and the like. For example, in a CD, light reflection is caused by the presence or absence of pits formed on the CD. The reflected light is collected by the lens 51 and then returns to the groove of the optical semiconductor device 50. The reflected light is detected by the light receiving unit of the optical semiconductor device 50, and a binary signal is detected by the light receiving unit depending on the presence or absence of the reflected light.

【0030】従来の光ピックアップでは、光を発光する
半導体装置と、発光した光の光路を変えるプリズムと、
光を受信する為の半導体装置が必要になる。それに対し
て、本発明の光半導体装置50には、発光部及び受光部
となる半導体チップを1つの封止体中に封止され、封止
体上に反射及び透過面を持つ溝が形成されている。その
為、プリズムが必要なくなり、半導体装置を削減でき、
その結果光ピックアップを小型化することが可能にな
る。
In a conventional optical pickup, a semiconductor device that emits light, a prism that changes the optical path of the emitted light,
A semiconductor device for receiving light is required. On the other hand, in the optical semiconductor device 50 of the present invention, the semiconductor chips to be the light emitting unit and the light receiving unit are sealed in one sealing body, and a groove having a reflection and transmission surface is formed on the sealing body. ing. Therefore, a prism is not required, and the number of semiconductor devices can be reduced.
As a result, the size of the optical pickup can be reduced.

【0031】[0031]

【発明の効果】本発明に依れば、光半導体装置の中に、
発光部及び受光部となる半導体チップを封止し、所定の
波長の光に対して透明な樹脂封止体上に反射及び透過面
を持つ溝を形成するので、光半導体装置の上面で光の入
射及び射出を行うことができる。その為、プリズム等の
光学機器を削減することができ、小型化することができ
る。
According to the present invention, in an optical semiconductor device,
Since a semiconductor chip serving as a light emitting unit and a light receiving unit is sealed and a groove having a reflection and transmission surface is formed on a resin sealing body transparent to light of a predetermined wavelength, light is transmitted from the upper surface of the optical semiconductor device. Incoming and outgoing can be performed. Therefore, the number of optical devices such as prisms can be reduced, and the size can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の他の実施の形態を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing another embodiment of the present invention.

【図3】従来の光半導体装置と光学機器とを組んだ該略
図である。
FIG. 3 is a schematic view showing a combination of a conventional optical semiconductor device and an optical device.

【図4】従来の光半導体装置と光学機器とを組んだ該略
図である。
FIG. 4 is a schematic view showing a combination of a conventional optical semiconductor device and an optical device.

【図5】本発明の光半導体を光ピックアップへの応用例
を示す概略図である。
FIG. 5 is a schematic view showing an application example of the optical semiconductor of the present invention to an optical pickup.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 勉 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 関口 智 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 小堀 浩 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 瀬山 浩樹 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Tsutomu Ishikawa 2-5-5 Keihanhondori, Moriguchi-shi, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Satoshi Sekiguchi 2-5-2 Keihanhondori, Moriguchi-shi, Osaka No. 5 Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Hiroshi Kobori 2-5-5 Keihan Hondori, Moriguchi-shi, Osaka Pref. Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Hiroki Seyama 2 Keihan-hondori, Moriguchi-shi, Osaka 5-5, Sanyo Electric Co., Ltd.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 発光する発光用半導体チップと、 上面を受光面とする受光用半導体チップと、 前記発光用及び受光用半導体チップを封止する光に対し
て透明な樹脂封止体と、 前記発光用半導体チップから発光された光の光路と所定
の角度で交差する面を有するとともに、前記受光用半導
体チップの上部にかつ前記樹脂封止体の表面に形成され
た第1の溝とを有し、 前記発光用半導体チップからの光が前記溝で反射される
ことにより射出され、外部から入射された光が前記溝を
透過して前記受光用半導体チップに受光されることを特
徴とする光半導体装置。
A light-emitting semiconductor chip that emits light; a light-receiving semiconductor chip having an upper surface as a light-receiving surface; a resin sealing body that is transparent to light that seals the light-emitting and light-receiving semiconductor chips; It has a surface that intersects the optical path of light emitted from the light emitting semiconductor chip at a predetermined angle and has a first groove formed on the light receiving semiconductor chip and on the surface of the resin sealing body. Light emitted from the light emitting semiconductor chip is reflected by the groove, and light incident from the outside is transmitted through the groove and received by the light receiving semiconductor chip. Semiconductor device.
【請求項2】 前記溝の面にハーフミラーを形成するこ
とを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
2. The optical semiconductor device according to claim 1, wherein a half mirror is formed on the surface of the groove.
【請求項3】 前記発光用半導体チップの側面を発光面
とすることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
3. The optical semiconductor device according to claim 1, wherein a side surface of the light emitting semiconductor chip is a light emitting surface.
【請求項4】 前記発光用半導体チップの高さを、発光
した光が前記溝の面に照射されるように成すことを特徴
とする請求項3記載の光半導体装置。
4. The optical semiconductor device according to claim 3, wherein the height of the light emitting semiconductor chip is set so that emitted light is irradiated to the surface of the groove.
【請求項5】 前記発光用半導体チップの上面を発光面
とする請求項1記載の光半導体装置。
5. The optical semiconductor device according to claim 1, wherein an upper surface of the light emitting semiconductor chip is a light emitting surface.
【請求項6】 前記発光用半導体チップから発光された
光の光路を前記第1の溝の方向に向けるように所定の角
度で交差する面を有するとともに、前記発光用半導体チ
ップの上部にかつ前記樹脂封止体の表面に形成された第
2の溝とを有することを特徴とする請求項5記載の光半
導体装置。
6. A light emitting device according to claim 1, further comprising: a surface that intersects a light path of light emitted from the light emitting semiconductor chip at a predetermined angle so as to face the direction of the first groove. The optical semiconductor device according to claim 5, further comprising a second groove formed on a surface of the resin sealing body.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100661019B1 (en) 2005-09-27 2006-12-22 김필중 Optical memory chip

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