JPH11307796A - Solar cell and its manufacture - Google Patents
Solar cell and its manufactureInfo
- Publication number
- JPH11307796A JPH11307796A JP10115510A JP11551098A JPH11307796A JP H11307796 A JPH11307796 A JP H11307796A JP 10115510 A JP10115510 A JP 10115510A JP 11551098 A JP11551098 A JP 11551098A JP H11307796 A JPH11307796 A JP H11307796A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon semiconductor
- layer
- back surface
- conductivity type
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池及びその
製造方法に関する。更に詳しくは、本発明は、安価で良
好な光電変換効率を示す構造の太陽電池及びその製造方
法に関する。The present invention relates to a solar cell and a method for manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to a solar cell having a structure that is inexpensive and has good photoelectric conversion efficiency and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、太陽電池の光電変換効率を高める
ために、光入射側とは反対のシリコン半導体基板上に、
シリコン半導体基板と同一導電型で、かつ、シリコン半
導体基板より高濃度の不純物を含有したシリコン層から
構成された裏面電界層を設ける構造が知られている。な
お、以下の説明において、用語“表面”とは、シリコン
半導体基板の光入射側の面を意味し、“裏面”とはシリ
コン半導体基板の光入射側面と反対側の面を意味する。2. Description of the Related Art Conventionally, in order to increase the photoelectric conversion efficiency of a solar cell, a silicon semiconductor substrate opposite to a light incident side is provided on
2. Description of the Related Art There is known a structure in which a back surface electric field layer is formed of a silicon layer having the same conductivity type as a silicon semiconductor substrate and containing a higher concentration of impurities than the silicon semiconductor substrate. In the following description, the term “front surface” means the surface on the light incident side of the silicon semiconductor substrate, and “back surface” means the surface on the side opposite to the light incident side surface of the silicon semiconductor substrate.
【０００３】この裏面電界層の光電変換効率を高める作
用を、裏面電界層を有する太陽電池セルのバンドダイア
グラムである図３を用いて説明する。第１導電型として
Ｐ型の不純物を含有したシリコン半導体基板（以下、単
にＰ型のシリコン半導体基板と称する）１７とＰ+ 型の
不純物を含有した裏面電界層（以下、単にＰ+ 型の裏面
電界層と称する）１８の界面において、Ｐ型のシリコン
半導体基板１７中の少数キャリアである電子１４は、伝
導帯１１に形成された障壁と電界によってＰ型のシリコ
ン半導体基板１７内部へ押し戻されて再結合が抑制され
る。一方、多数キャリアである正孔１５は、価電子帯１
３に形成された電界によって裏面電極へ効果的に導き出
される。このように、裏面電界層は、電子の再結合の抑
制と正孔の裏面電極への効果的な導出により、光電変換
効率を高める働きをしている（以後この働きを裏面電界
効果という）。図３中、１２はフェルミレベル、１６は
第２導電型としてＮ型の不純物を含有したシリコン半導
体層（以下、単にＮ型のシリコン半導体層と称する）を
意味する。The effect of increasing the photoelectric conversion efficiency of the back surface field layer will be described with reference to FIG. 3, which is a band diagram of a solar cell having the back surface field layer. A silicon semiconductor substrate 17 containing a P-type impurity as a first conductivity type (hereinafter simply referred to as a P-type silicon semiconductor substrate) 17 and a back surface field layer containing a P + -type impurity (hereinafter simply referred to as a P + -type back surface) At the interface of the electric field layer 18, electrons 14, which are minority carriers in the P-type silicon semiconductor substrate 17, are pushed back into the P-type silicon semiconductor substrate 17 by the electric field and the barrier formed in the conduction band 11. Recombination is suppressed. On the other hand, the holes 15 which are majority carriers are in the valence band 1
3 effectively leads to the back electrode. As described above, the back surface field layer has a function of increasing the photoelectric conversion efficiency by suppressing the recombination of electrons and effectively leading out holes to the back surface electrode (hereinafter, this function is referred to as a back surface field effect). In FIG. 3, reference numeral 12 denotes a Fermi level, and 16 denotes a silicon semiconductor layer containing an N-type impurity as a second conductivity type (hereinafter, simply referred to as an N-type silicon semiconductor layer).
【０００４】ここで裏面電界層の形成方法としては、例
えば、特開平６−４５６２２号公報に記載されているよ
うに、シリコン半導体基板にＰ型のシリコン半導体基板
を使用した場合には、Ｐ型のシリコン半導体基板の裏面
にボロンやアルミニウムを拡散することによりＰ型のシ
リコン半導体基板内に形成する方法、又はＰ型のシリコ
ン半導体基板の裏面上に裏面電界層としてのＰ+ 型の不
純物を含有した微結晶シリコン層（以下、単にＰ+ 型の
微結晶シリコン層と称する）を新たに形成する方法が知
られている。なお、Ｐ型のシリコン半導体基板と裏面電
界層間の接合は、前者の方法で形成された場合ホモ接
合、後者の方法で形成された場合ヘテロ接合と一般に称
される。Here, as a method of forming the back surface electric field layer, for example, as described in JP-A-6-45622, when a P-type silicon semiconductor substrate is used as the silicon semiconductor substrate, a P-type silicon semiconductor substrate is used. Method of forming in the P-type silicon semiconductor substrate by diffusing boron or aluminum on the back surface of the silicon semiconductor substrate, or containing P + -type impurities as the back surface electric field layer on the back surface of the P-type silicon semiconductor substrate There is known a method of newly forming a microcrystalline silicon layer (hereinafter simply referred to as a P + type microcrystalline silicon layer). The junction between the P-type silicon semiconductor substrate and the back surface electric field layer is generally called a homojunction when formed by the former method, and a heterojunction when formed by the latter method.
【０００５】図４に、裏面電界層としてＰ+ 型の微結晶
シリコン層を使用した場合の従来の太陽電池の概略断面
図を示す。図４の太陽電池は、以下の構成を有してい
る。即ち、Ｐ型のシリコン半導体基板２１の表面側にＮ
型のシリコン半導体層２２が形成されている。Ｎ型のシ
リコン半導体層２２の表面は、入射光の反射を低減する
ために凹凸にされている。Ｎ型のシリコン半導体層２２
は、反射防止膜２３によって覆われている。光照射によ
り発生した電流は、反射防止膜２３を貫通してＮ型のシ
リコン半導体層２２に接続された表面電極２４を介して
取り出される。Ｐ型のシリコン半導体基板２１の裏面上
には、シリコン半導体基板に含まれる不純物の導電型と
同じＰ型で、シリコン半導体基板より高い不純物濃度を
有する裏面電界層としてのＰ+ 型の微結晶シリコン層２
５が形成されている。Ｐ+ 型の微結晶シリコン層２５上
に、開口部を有する絶縁層２６が設けられ、開口部を介
してＰ+ 型の微結晶シリコン層２５と接続された裏面電
極２７が設けられている。裏面からの電流は、この裏面
電極２７を介して取り出される。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a conventional solar cell in which a P + -type microcrystalline silicon layer is used as a back surface electric field layer. The solar cell of FIG. 4 has the following configuration. That is, N
A type silicon semiconductor layer 22 is formed. The surface of the N-type silicon semiconductor layer 22 is made uneven to reduce reflection of incident light. N-type silicon semiconductor layer 22
Is covered with the antireflection film 23. A current generated by the light irradiation is extracted through a surface electrode 24 connected to the N-type silicon semiconductor layer 22 through the antireflection film 23. On the back surface of the P-type silicon semiconductor substrate 21, P + -type microcrystalline silicon as a back surface electric field layer having the same P-type as the conductivity type of the impurities contained in the silicon semiconductor substrate and having a higher impurity concentration than the silicon semiconductor substrate Layer 2
5 are formed. On the P + -type microcrystalline silicon layer 25, insulating layer 26 having an opening is provided, the back surface electrode 27 connected to the P + -type microcrystalline silicon layer 25 through the opening is provided. The current from the back surface is extracted via the back surface electrode 27.
【０００６】ここで、Ｐ+ 型の微結晶シリコン層は、Ｐ
型のシリコン半導体基板よりも広い禁制帯幅をもつた
め、裏面電界効果の向上が期待できる。更に、光学的に
は長波長光に対する吸収係数が小さいので、裏面電極で
反射された長波長光を有効にＰ型のシリコン半導体基板
に戻し、光の利用効率を高めること（裏面反射効果の向
上）が期待できる。以上の裏面電界効果及び裏面反射効
果は、ヘテロ接合を用いた太陽電池の方がホモ接合を用
いた場合よりも改善されることが知られており、そのた
めヘテロ接合を用いた太陽電池の方が高い光電変換効率
が得られている。Here, the P + type microcrystalline silicon layer is
Since it has a wider bandgap than the silicon semiconductor substrate of the mold type, an improvement in the back surface field effect can be expected. Further, optically, since the absorption coefficient of the long-wavelength light is small, the long-wavelength light reflected by the back electrode is effectively returned to the P-type silicon semiconductor substrate to enhance the light use efficiency (improvement of the back reflection effect). ) Can be expected. It is known that the above-mentioned back surface field effect and back surface reflection effect are improved in a solar cell using a heterojunction as compared with a case using a homojunction. High photoelectric conversion efficiency is obtained.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ここで、ホモ接合を用
いた太陽電池は、簡単な工程で形成できるため製造コス
トは安いが、上記したように十分な裏面電界効果及び裏
面反射効果を得ることが困難である。一方、ヘテロ接合
を用いた太陽電池は、上記したように十分な裏面電界効
果及び裏面反射効果を得ることができる。しかし、Ｐ+
型の微結晶シリコン層は、プラズマＣＶＤ法により形成
されるため、高真空が必要であり、成膜速度も遅く（約
６Å／秒）、更に、２００〜３００℃での熱処理が必要
である。従って、工程が複雑でかつ製造時間が長いた
め、製造コストがかかるという欠点があった。Here, a solar cell using a homojunction can be formed by a simple process, so that the manufacturing cost is low. However, as described above, a sufficient back surface field effect and back surface reflection effect can be obtained. Is difficult. On the other hand, a solar cell using a heterojunction can obtain sufficient back surface field effect and back surface reflection effect as described above. However, P +
Since the microcrystalline silicon layer of the mold is formed by the plasma CVD method, a high vacuum is required, the film formation rate is slow (about 6 ° / sec), and a heat treatment at 200 to 300 ° C. is required. Therefore, there is a drawback that the manufacturing cost is increased because the process is complicated and the manufacturing time is long.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】そこで、本発明の発明者
等は検討の結果、十分な裏面電界効果及び裏面反射効果
をもちながら、簡単で安価な工程で形成できる構造の裏
面電界層を有する太陽電池及びその製造方法を見いだし
本発明に至った。かくして本発明によれば、第１導電型
の不純物を含有したシリコン半導体基板に、この基板の
光入射側である表面に第２導電型の不純物を含有したシ
リコン半導体層と、この基板の裏面に基板中の第１導電
型の不純物より高濃度の第１導電型の不純物を含有した
ポーラスなシリコン層から構成された裏面電界層とを設
けてなることを特徴とする太陽電池が提供される。The inventors of the present invention, as a result of study, have found that a back surface field layer having a structure that can be formed by a simple and inexpensive process while having a sufficient back surface field effect and back surface reflection effect. The present inventors have found a solar cell and a method for manufacturing the same, and have reached the present invention. Thus, according to the present invention, the silicon semiconductor substrate containing the impurity of the second conductivity type is provided on the surface of the silicon semiconductor substrate containing the impurity of the first conductivity type on the light incident side of the substrate. A solar cell is provided, comprising: a back surface electric field layer formed of a porous silicon layer containing a first conductivity type impurity at a higher concentration than a first conductivity type impurity in a substrate.
【０００９】更に本発明によれば、第１導電型の不純物
を含有するシリコン半導体基板に、 ｉ）この基板の光入射側である表面に第２導電型の不純
物を拡散させて、第２導電型の不純物を含有するシリコ
ン半導体層を形成する工程、 ii）この基板の裏面に第１導電型の不純物を拡散させ
て、基板中の第１導電型の不純物より高濃度の第１導電
型のシリコン半導体層を形成し、更にこのシリコン半導
体層を陽極化成法で処理して第１導電型の不純物を含有
したポーラスなシリコン層から構成された裏面電界層を
形成する工程とからなる上記太陽電池の製造方法が提供
される。Further, according to the present invention, i) a second conductive type impurity is diffused into a surface of the silicon semiconductor substrate containing a first conductive type impurity on a light incident side of the substrate to form a second conductive type impurity. Forming a silicon semiconductor layer containing an impurity of the first conductivity type; ii) diffusing an impurity of the first conductivity type into the back surface of the substrate so as to have a higher concentration of the first conductivity type than the impurity of the first conductivity type in the substrate. Forming a silicon semiconductor layer and further processing the silicon semiconductor layer by anodization to form a back surface electric field layer composed of a porous silicon layer containing impurities of the first conductivity type. Is provided.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】まず、本発明おいて、第１導電型
とは、Ｐ型又はＮ型を意味する。更に、第２導電型は、
第１導電型がＰ型の場合はＮ型を、Ｎ型の場合はＰ型を
意味する。本発明に使用することができるシリコン半導
体基板は、特に限定されず、当該分野で公知のシリコン
半導体基板を使用することができる。具体的には、結晶
構造が単結晶、多結晶又はアモルファスのシリコン半導
体基板が挙げられる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, in the present invention, the first conductivity type means P type or N type. Further, the second conductivity type is
If the first conductivity type is P-type, it means N-type, and if it is N-type, it means P-type. The silicon semiconductor substrate that can be used in the present invention is not particularly limited, and a silicon semiconductor substrate known in the art can be used. Specifically, a silicon semiconductor substrate having a single crystal, polycrystal, or amorphous crystal structure can be given.
【００１１】このシリコン半導体基板は、第１導電型の
不純物が含有されているが、この導電型を付与する不純
物としては、Ｐ型の場合ホウ素、アルミニウム、Ｎ型の
場合リン等が挙げられる。不純物濃度は、太陽電池の種
類により相違するが、１０16〜１０17ｃｍ-3であること
が好ましい。また、シリコン半導体基板の光入射側であ
る表面は、入射光の反射を低減するために、凹凸が形成
されていてもよい。凹凸の形成方法としては、例えば、
異方性エッチング法、レーザーや機械的手段による方
法、陽極化成による方法等が挙げられる。なお、多結晶
のシリコン半導体基板を使用した場合は、レーザーや機
械的手段による方法、陽極化成による方法により凹凸を
形成することが好ましい。This silicon semiconductor substrate contains impurities of the first conductivity type. Examples of impurities imparting this conductivity type include boron and aluminum for the P type and phosphorus and the like for the N type. The impurity concentration varies depending on the type of the solar cell, but is preferably 10 16 to 10 17 cm −3 . Further, the surface on the light incident side of the silicon semiconductor substrate may be formed with irregularities to reduce the reflection of incident light. As a method of forming the irregularities, for example,
Examples include anisotropic etching, a method using laser or mechanical means, and a method using anodization. In the case where a polycrystalline silicon semiconductor substrate is used, it is preferable to form irregularities by a method using laser, mechanical means, or a method using anodization.
【００１２】次に、シリコン半導体基板の光入射側であ
る表面には、第２導電型の不純物を含有したシリコン半
導体層（以下、単に第２導電型のシリコン半導体層と称
する）が形成される。第２導電型のシリコン半導体層に
導電型を付与する不純物としては、Ｐ型の場合ホウ素、
アルミニウム、Ｎ型の場合リン等が挙げられる。不純物
濃度は、太陽電池の種類により相違するが、１０16〜１
０18ｃｍ-3であることが好ましい。また、第２導電型の
シリコン半導体層の厚さは、０．２〜０．５μｍである
ことがこのましい。Next, a silicon semiconductor layer containing an impurity of the second conductivity type (hereinafter, simply referred to as a silicon semiconductor layer of the second conductivity type) is formed on the surface on the light incident side of the silicon semiconductor substrate. . As the impurity for imparting the conductivity type to the silicon semiconductor layer of the second conductivity type, boron is used in the case of the P-type,
In the case of aluminum or N-type, phosphorus is used. The impurity concentration varies depending on the type of the solar cell, but 10 16 to 1
It is preferably 0 18 cm -3 . The thickness of the second conductivity type silicon semiconductor layer is preferably 0.2 to 0.5 μm.
【００１３】第２導電型のシリコン半導体層の形成方法
は、特に限定されないが、例えば、所望に応じて加熱し
たシリコン半導体基板を設置した炉の中に、拡散源から
第２導電型の不純物を流すことにより、シリコン半導体
基板の表面に第２導電型の不純物を拡散させる方法が挙
げられる。この方法は、製造装置が簡単で、成膜速度も
早いため、製造コストを低減することができるため好ま
しい。なお、不純物の拡散源としては、ＰＯＣｌ3 、 Ｐ
Ｂｒ3 、 ＰＨ3 、Ｐ2 Ｏ5 、 ＢＢｒ3 、 Ｂ2 Ｈ 6 、 Ｂ2
Ｏ3 等が挙げられる。Method for forming second conductivity type silicon semiconductor layer
Is not particularly limited, for example, heating as desired
From a diffusion source in a furnace with a silicon semiconductor substrate
By flowing impurities of the second conductivity type, a silicon semiconductor
There is a method of diffusing a second conductivity type impurity into the surface of the substrate.
I can do it. This method has a simple manufacturing equipment and a high deposition rate.
Faster and therefore less expensive to manufacture
New The diffusion source of the impurities is POCl3,P
Br3,PH3,PTwoOFive ,BBr3,BTwoH 6,BTwo
OThreeAnd the like.
【００１４】また、シリコン半導体基板の表面に凹凸を
形成した場合は、第２導電型のシリコン半導体層の表面
にも、前記凹凸に対応する凹凸が形成されている。次い
で、シリコン半導体基板の裏面には、第１導電型の不純
物を含有したシリコン半導体層（以下、単に第１導電型
のシリコン半導体層と称する）が形成される。第１導電
型のシリコン半導体層に導電型を付与する不純物として
は、Ｐ型の場合ホウ素、アルミニウム、Ｎ型の場合リン
等が挙げられる。第１導電型のシリコン半導体層の不純
物濃度は、シリコン半導体基板の不純物濃度より高けれ
ば特に限定されないが、１０18ｃｍ-3以上であることが
好ましい。また、第１導電型のシリコン半導体層の厚さ
は、１〜３μｍであることがこのましい。When the surface of the silicon semiconductor substrate has irregularities, irregularities corresponding to the irregularities are also formed on the surface of the silicon semiconductor layer of the second conductivity type. Next, a silicon semiconductor layer containing a first conductivity type impurity (hereinafter, simply referred to as a first conductivity type silicon semiconductor layer) is formed on the back surface of the silicon semiconductor substrate. Examples of the impurity that imparts the conductivity type to the silicon semiconductor layer of the first conductivity type include boron and aluminum for the P-type and phosphorus for the N-type. The impurity concentration of the first conductivity type silicon semiconductor layer is not particularly limited as long as it is higher than the impurity concentration of the silicon semiconductor substrate, but is preferably 10 18 cm −3 or more. The thickness of the first conductivity type silicon semiconductor layer is preferably 1 to 3 μm.
【００１５】第１導電型のシリコン半導体層の形成方法
は、特に限定されないが、例えば、第２導電型のシリコ
ン半導体層の形成と同じ方法を使用することができる。
この第１導電型のシリコン半導体層は、陽極化成法で処
理されてポーラスなシリコン層から構成された裏面電界
層に変換される。ここで、陽極化成法は、シリコン半導
体基板に接続された陽極と、陰極とを溶液中に浸し、所
定の電圧を印加し、かつ所定の密度の電流を流すことに
より行われる。陽極化成法に使用される溶液は、特に限
定されないが、例えば、ＨＦ／Ｈ2 Ｏ／Ｃ2 Ｈ5 ＯＨが
挙げられる。また、印加される電圧は２〜３Ｖ、電流密
度は２０〜６０ｍＡ／ｃｍ2 程度が好適である。なお、
この陽極化成法は、単結晶、多結晶及びアモルファスの
いずれのシリコン半導体基板にも行うことができ、更
に、Ｐ型及びＮ型の導電型を有するシリコン半導体基板
のいずれにも行うことができる。The method of forming the first conductivity type silicon semiconductor layer is not particularly limited. For example, the same method as the formation of the second conductivity type silicon semiconductor layer can be used.
The silicon semiconductor layer of the first conductivity type is processed by an anodizing method to be converted into a back surface electric field layer composed of a porous silicon layer. Here, the anodization method is performed by immersing an anode and a cathode connected to a silicon semiconductor substrate in a solution, applying a predetermined voltage, and flowing a current having a predetermined density. The solution used in the anodization method is not particularly limited, and examples thereof include HF / H 2 O / C 2 H 5 OH. The applied voltage is preferably 2 to 3 V, and the current density is preferably about 20 to 60 mA / cm 2 . In addition,
This anodization method can be performed on any of single-crystal, polycrystalline, and amorphous silicon semiconductor substrates, and can be performed on any of P-type and N-type silicon semiconductor substrates.
【００１６】この陽極化成法により形成される裏面電界
層は、シリコン半導体基板に垂直な方向に数ｎｍ〜十数
ｎｍ径の孔が複数個形成され、それらの数密度が１０11
／ｃｍ2 のオーダーであるような多孔質構造となる。そ
のため、これらの孔により光を散乱させることができる
ので、太陽電池内の光路長が伸び、光の利用効率を高め
ることができる。In the back surface electric field layer formed by this anodization method, a plurality of holes having a diameter of several nm to several tens of nm are formed in a direction perpendicular to the silicon semiconductor substrate, and their number density is 10 11.
/ Cm 2 . Therefore, light can be scattered by these holes, so that the optical path length in the solar cell can be extended, and the light use efficiency can be increased.
【００１７】また、本発明の裏面電界層は、結晶シリコ
ンと比較すると約１／２の密度しか持たない。従って、
全ての波長に対する吸収係数が小さくなる。この原理
は、例えば、H.Koyama et al. Extended Abstracts of
the 1991 International Conference on Solid State D
evices and Materials. Yokohama, 1991, pp. 31に記載
されている。具体的には、５００ｎｍの波長の光で結晶
シリコンの約１／６、９００ｎｍの波長の光で結晶シリ
コンの約１／５の吸収係数となる。吸収係数が小さくな
ることにより、裏面電界層内における光の損失が減り、
光の利用効率を高めることができる。Further, the back surface electric field layer of the present invention has only about half the density as compared with crystalline silicon. Therefore,
The absorption coefficients for all wavelengths become smaller. This principle is described, for example, in H. Koyama et al. Extended Abstracts of
the 1991 International Conference on Solid State D
evices and Materials. Yokohama, 1991, pp. 31. Specifically, the light having a wavelength of 500 nm has an absorption coefficient of about 1/6 of crystalline silicon, and the light having a wavelength of 900 nm has an absorption coefficient of about 1/5 of crystalline silicon. By reducing the absorption coefficient, light loss in the back surface electric field layer is reduced,
Light use efficiency can be improved.
【００１８】更に、ポーラスな裏面電界層は、禁制帯幅
が約２．０ｅＶであり、結晶シリコン（１．２ｅＶ）や
微結晶シリコン（１．２〜１．４ｅＶ）に比べて広いの
で、裏面電界効果を向上させることができる。向上させ
ることができる理由を図３に示した太陽電池セルのバン
ドダイアグラムを用いて説明すると、裏面電界層１８の
禁制帯幅が広くなれば、伝導帯１１に形成された障壁と
電界が高くなり、少数キャリアの裏面再結合抑止効果を
向上さすことができるからである。Further, the porous back surface electric field layer has a forbidden band width of about 2.0 eV, which is wider than crystalline silicon (1.2 eV) or microcrystalline silicon (1.2 to 1.4 eV). The electric field effect can be improved. The reason for the improvement can be described with reference to the band diagram of the solar cell shown in FIG. 3. If the forbidden band width of the back surface electric field layer 18 is increased, the barrier formed in the conduction band 11 and the electric field are increased. This is because the effect of suppressing back surface recombination of minority carriers can be improved.
【００１９】また、禁制帯幅が広いことから、特に長波
長光に対する吸収係数が小さくなるので、裏面電界層内
における光の損失を減らすことができ、その結果、光の
利用効率を高めることができる。以上のように、裏面電
界層にポーラスなシリコンを用いると、微結晶シリコン
を用いた場合に比べて裏面電界効果が向上し、更に、裏
面反射効果を向上させることができる。その結果、太陽
電池の光電変換効率を高めることができる。In addition, since the band gap is wide, the absorption coefficient particularly for long-wavelength light is small, so that light loss in the back surface electric field layer can be reduced, and as a result, light use efficiency can be improved. it can. As described above, when porous silicon is used for the back surface field layer, the back surface field effect is improved as compared with the case where microcrystalline silicon is used, and the back surface reflection effect can be further improved. As a result, the photoelectric conversion efficiency of the solar cell can be increased.
【００２０】更に、プラズマＣＶＤによる微結晶シリコ
ンは数Å／秒程度の成膜速度で形成されるのに対し、陽
極化成法による裏面電界層は数百Å／秒以上の成膜速度
で形成することができる。また、陽極化成法では、成膜
後の熱処理を必要としない。そのため、微結晶シリコン
の製造方法と比べて、簡単かつ短時間で太陽電池を形成
することができる。Further, while microcrystalline silicon is formed at a film formation rate of about several Å / sec by plasma CVD, the back surface electric field layer is formed at a film formation rate of several hundred Å / sec or more by anodization. be able to. In the anodization method, heat treatment after film formation is not required. Therefore, a solar cell can be formed easily and in a short time as compared with the method for manufacturing microcrystalline silicon.
【００２１】なお、第１導電型のシリコン半導体層、第
２導電型のシリコン半導体層及び裏面電界層の形成は、
例えば、（１）第１導電型のシリコン半導体層、第２導
電型のシリコン半導体層、次いで裏面電界層、（２）第
２導電型のシリコン半導体層、第１導電型のシリコン半
導体層、次いで裏面電界層、（３）第１導電型のシリコ
ン半導体層、裏面電界層、次いで第２導電型のシリコン
半導体層の順序で行うことができる。The formation of the silicon semiconductor layer of the first conductivity type, the silicon semiconductor layer of the second conductivity type, and the back surface electric field layer is performed as follows.
For example, (1) a first conductivity type silicon semiconductor layer, a second conductivity type silicon semiconductor layer, and then a back surface electric field layer, (2) a second conductivity type silicon semiconductor layer, a first conductivity type silicon semiconductor layer, and then It can be performed in the order of the back surface electric field layer, (3) the first conductivity type silicon semiconductor layer, the back surface electric field layer, and then the second conductivity type silicon semiconductor layer.
【００２２】更に、太陽電池は、一般に第２導電型のシ
リコン半導体層上に表面電極が、裏面電界層上に裏面電
極が形成される。ここで、表面電極は、シリコン半導体
基板への光の入射を妨げないようにパターニングされて
いることが好ましい。また、表面電極をパターニングし
た結果、露出する第２導電型のシリコン半導体層上に
は、反射防止膜が形成されていることが好ましい。反射
防止膜は、入射する光の反射を低減する機能を有する。
なお、表面電極を構成する材料としては、Ｔｉ、Ｐｄ、
Ａｇ等の金属及びそれら金属の積層体が挙げられる。一
方、反射防止膜を構成する材料としては、常圧ＣＶＤ法
による酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、真空蒸着法によるアル
ミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等が挙げられる。Further, a solar cell generally has a front surface electrode formed on a silicon semiconductor layer of the second conductivity type and a back surface electrode formed on a back surface electric field layer. Here, it is preferable that the surface electrode is patterned so as not to prevent light from entering the silicon semiconductor substrate. Further, it is preferable that an antireflection film is formed on the silicon semiconductor layer of the second conductivity type that is exposed as a result of patterning the surface electrode. The antireflection film has a function of reducing reflection of incident light.
The materials constituting the surface electrode include Ti, Pd,
Examples include metals such as Ag and a laminate of these metals. On the other hand, as a material constituting the anti-reflection film, titanium oxide (TiO 2 ) by a normal pressure CVD method, alumina (Al 2 O 3 ) by a vacuum deposition method, and the like are given.
【００２３】一方、裏面電極を構成する材料としては、
特に限定されないが、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ａｇ
等の金属及びそれら金属の積層体が挙げられる。更に、
裏面電極と裏面電界層との間に、裏面電界層よりも屈折
率の低い絶縁層を設けることが好ましい。絶縁層を設け
ることにより、シリコン半導体基板内へ反射する光量を
増加させることができるので、裏面反射効果を向上させ
ることができる。絶縁層を構成する材料としては、例え
ばプラズマＣＶＤ法で形成された窒化シリコン、酸化シ
リコン又はそれらの積層体等が挙げられる。また、絶縁
層が酸化シリコンからなる場合、陽極化成後の自然酸化
膜を利用してもよい。なお、絶縁層は、裏面電界層から
の電流を裏面電極に流すために、裏面電界層と裏面電極
を接続するための開口を形成することが好ましい。On the other hand, as a material constituting the back electrode,
Although not particularly limited, for example, Al, Ti, Pd, Ag
And a laminate of such metals. Furthermore,
It is preferable to provide an insulating layer having a lower refractive index than the back surface field layer between the back surface electrode and the back surface field layer. By providing the insulating layer, the amount of light reflected into the silicon semiconductor substrate can be increased, so that the back surface reflection effect can be improved. As a material for forming the insulating layer, for example, silicon nitride, silicon oxide, a stacked body thereof, or the like formed by a plasma CVD method can be given. When the insulating layer is made of silicon oxide, a natural oxide film after anodization may be used. Note that the insulating layer preferably has an opening for connecting the back surface field layer and the back surface electrode so that a current from the back surface field layer flows to the back surface electrode.
【００２４】以上、本発明によれば、十分な裏面電界効
果及び裏面反射効果を保ちながら、簡単かつ安価に形成
できる太陽電池を提供することができる。As described above, according to the present invention, it is possible to provide a solar cell which can be formed easily and at low cost while maintaining a sufficient back surface field effect and back surface reflection effect.
【００２５】[0025]
【実施例】本発明に係る太陽電池及びその製造方法を実
施例に基づき以下に説明する。 実施例１ 図１に、本発明の実施例に係る太陽電池の概略断面図を
示す。図１では、Ｐ型のシリコン半導体基板１の光入射
面側にＮ型のシリコン半導体層２が形成されている。Ｎ
型のシリコン半導体層２の表面は、入射光の反射を低減
するために凹凸にされている。Ｎ型のシリコン半導体層
２は、反射防止膜３によって覆われている。光照射によ
り発生した表面からの電流は、反射防止膜３を貫通して
Ｎ型のシリコン半導体層２に接続された表面電極４を介
して取り出される。Ｐ型のシリコン半導体基板１の裏面
上には、シリコン半導体基板と同じＰ型で不純物がシリ
コン半導体基板より高濃度に添加された裏面電界層とし
てのＰ+型のポーラスシリコン層５が形成されている。
Ｐ+ 型のポーラスシリコン層５は、裏面電極６によって
覆われている。裏面からの電流は、この裏面電極６を介
して取り出される。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A solar cell and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described below with reference to embodiments. Example 1 FIG. 1 shows a schematic sectional view of a solar cell according to an example of the present invention. In FIG. 1, an N-type silicon semiconductor layer 2 is formed on a light incident surface side of a P-type silicon semiconductor substrate 1. N
The surface of the type silicon semiconductor layer 2 is made uneven to reduce the reflection of incident light. The N-type silicon semiconductor layer 2 is covered with an antireflection film 3. The current from the surface generated by the light irradiation is extracted through the surface electrode 4 connected to the N-type silicon semiconductor layer 2 through the antireflection film 3. On the back surface of the P-type silicon semiconductor substrate 1, a P + -type porous silicon layer 5 is formed as a back surface electric field layer having the same P-type as the silicon semiconductor substrate and doped with a higher concentration of impurities than the silicon semiconductor substrate. I have.
The P + type porous silicon layer 5 is covered with a back electrode 6. The current from the back surface is extracted through the back surface electrode 6.
【００２６】次に、上記太陽電池の製造方法について説
明する。まず、単結晶のＰ型のシリコン半導体基板１
（１００ｍｍφ、３００μｍ厚、比抵抗：０．０１Ω・
ｃｍ）を洗浄した後、光入射側の表面が凹凸になるよう
に異方性エッチングを行った。次に、ＰＯＣｌ3 を拡散
源として燐（Ｐ）の熱拡散を行って、Ｐ型のシリコン半
導体基板１の光入射側の表面に、Ｎ型のシリコン半導体
層２を設けることにより、ＰＮ接合を形成した。続い
て、ＢＣｌ3 を拡散源としてボロン（Ｂ）の熱拡散を行
って、Ｐ型のシリコン半導体基板１の裏面に、Ｐ+ 型の
シリコン半導体層を形成した。次いで、Ｐ+ 型のシリコ
ン半導体層を陽極化成法に付して、裏面電界層としての
Ｐ+ 型のポーラスシリコン層５を形成した。Next, a method for manufacturing the solar cell will be described. First, a single-crystal P-type silicon semiconductor substrate 1
(100mmφ, 300μm thickness, specific resistance: 0.01Ω ・
cm), anisotropic etching was performed so that the surface on the light incident side became uneven. Next, phosphorus (P) is thermally diffused using POCl 3 as a diffusion source, and an N-type silicon semiconductor layer 2 is provided on the light-incident side surface of the P-type silicon semiconductor substrate 1 to form a PN junction. Formed. Subsequently, thermal diffusion of boron (B) was performed using BCl 3 as a diffusion source to form a P + -type silicon semiconductor layer on the back surface of the P-type silicon semiconductor substrate 1. Next, the P + -type silicon semiconductor layer was subjected to anodization to form a P + -type porous silicon layer 5 as a back surface electric field layer.
【００２７】陽極化成法による処理は、具体的には次の
ようにして行った。ＨＦ：Ｈ2 Ｏ：Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ＝１：
１：１の比で混合されたＨＦ溶液中に、外部から給電可
能に配線された陽極と陰極を浸し、その陽極側にＰ型の
シリコン半導体基板１を接続しかつＨＦ溶液中に浸し
た。次いで、印加電圧２〜３Ｖ、電流密度２５ｍＡ／ｃ
ｍ2 で、１分間で処理すると、約２μｍの厚さのＰ+ 型
のポーラスシリコン層５を形成することができた。The treatment by the anodization method was specifically performed as follows. HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1:
An anode and a cathode wired so that power could be supplied from the outside were immersed in an HF solution mixed at a ratio of 1: 1. A P-type silicon semiconductor substrate 1 was connected to the anode side, and immersed in the HF solution. Next, an applied voltage of 2 to 3 V and a current density of 25 mA / c
When the treatment was performed at m 2 for 1 minute, a P + type porous silicon layer 5 having a thickness of about 2 μm could be formed.
【００２８】次に、Ｐ+ 型のポーラスシリコン層５の全
面に、Ａｌからなる裏面電極６を形成した。続いて、窒
化シリコン膜からなる反射防止膜３をプラズマＣＶＤ法
によりＮ型のシリコン半導体層２上に形成した。その
後、フォトエッチング法により反射防止膜３をパターニ
ングして所望の位置に開口を形成した。最後に、反射防
止膜３に形成した開口にＴｉ／Ｐｄ／Ａｇの積層体から
なる表面電極を形成することにより、太陽電池を得た。
このようにして得られた太陽電池のＡＭ１．５（１００
ｍＷ／ｃｍ2 ）光の下での光電変換効率を、表１に示
す。なお、表１には、従来のホモ接合及び裏面電界層に
微結晶シリコン層を使用することによるヘテロ接合を含
む太陽電池の光電変換効率も示す。また、ポーラスシリ
コン層と基板とは、実効的な禁制帯幅が異なることか
ら、それらの間の接合をヘテロ接合としている。Next, a back electrode 6 made of Al was formed on the entire surface of the P + type porous silicon layer 5. Subsequently, an antireflection film 3 made of a silicon nitride film was formed on the N-type silicon semiconductor layer 2 by a plasma CVD method. Thereafter, the antireflection film 3 was patterned by photoetching to form openings at desired positions. Finally, a solar cell was obtained by forming a surface electrode made of a laminate of Ti / Pd / Ag in the opening formed in the antireflection film 3.
AM1.5 (100
Table 1 shows the photoelectric conversion efficiency under light (mW / cm 2 ). Table 1 also shows the photoelectric conversion efficiency of a conventional solar cell including a homojunction and a heterojunction using a microcrystalline silicon layer as the back surface electric field layer. Further, since the porous silicon layer and the substrate have different effective band gaps, the junction between them is a hetero junction.
【００２９】[0029]
【表１】 [Table 1]
【００３０】表１に示したように、ポーラスシリコン層
を使用した太陽電池は、簡単な製造工程により得ること
ができると共に、裏面電極と裏面電界層との間に絶縁層
がない場合でも、微結晶シリコン層を使用した太陽電池
に匹敵する高い光電変換効率が得られた。As shown in Table 1, a solar cell using a porous silicon layer can be obtained by a simple manufacturing process, and even when there is no insulating layer between the back electrode and the back surface electric field layer, a solar cell can be obtained. High photoelectric conversion efficiency comparable to a solar cell using a crystalline silicon layer was obtained.
【００３１】実施例２ 図２に、本発明の他の実施例に係る太陽電池の概略断面
図を示す。図２は、Ｐ + 型のポーラスシリコン層５と裏
面電極６の間に、裏面反射効果の向上を期待して開口部
を有する絶縁層７を設けたこと以外は、図１に示した構
造と同一である。Embodiment 2 FIG. 2 shows a schematic cross section of a solar cell according to another embodiment of the present invention.
The figure is shown. FIG. +Mold porous silicon layer 5 and back
An opening is provided between the surface electrodes 6 in order to improve the back surface reflection effect.
1 except that an insulating layer 7 having
It is the same as the structure.
【００３２】次に、上記太陽電池の製造方法について説
明する。Ｐ型のシリコン半導体基板１上に、図１に示し
た太陽電池の製造方法と同様にして、Ｎ型のシリコン半
導体層２、反射防止膜３、Ｐ+ 型のポーラスシリコン層
５を形成した。次に、Ｐ+ 型のポーラスシリコン層５上
に熱酸化により酸化シリコンからなる絶縁層７を形成し
た。続いて、フォトエッチング法により絶縁層７をパタ
ーニングし、最後に、表面電極４及び裏面電極６を図１
に示した太陽電池の製造方法と同様にして形成すること
により、太陽電池を得た。Next, a method for manufacturing the solar cell will be described. An N-type silicon semiconductor layer 2, an antireflection film 3, and a P + -type porous silicon layer 5 were formed on a P-type silicon semiconductor substrate 1 in the same manner as in the method of manufacturing a solar cell shown in FIG. Next, an insulating layer 7 made of silicon oxide was formed on the P + type porous silicon layer 5 by thermal oxidation. Subsequently, the insulating layer 7 is patterned by a photo-etching method. Finally, the front surface electrode 4 and the back surface electrode 6 are formed as shown in FIG.
In this manner, a solar cell was obtained by forming the solar cell in the same manner as in the method for manufacturing the solar cell shown in FIG.
【００３３】裏面電極６とＰ+ 型のポーラスシリコン層
５の間に絶縁層７を有する太陽電池は、微結晶シリコン
層を使用した太陽電池を越える高い光電変換効率が得ら
れた。The solar cell having the insulating layer 7 between the back electrode 6 and the P + type porous silicon layer 5 has a higher photoelectric conversion efficiency than a solar cell using a microcrystalline silicon layer.
【００３４】[0034]
【発明の効果】本発明の太陽電池及びその製造方法によ
れば、十分な裏面電界効果及び裏面反射効果をもちなが
ら、簡単で安価な工程で裏面電界層を有する太陽電池を
形成することができる。According to the solar cell and the method of manufacturing the same of the present invention, a solar cell having a back surface electric field layer can be formed by a simple and inexpensive process while having a sufficient back surface electric field effect and back surface reflection effect. .
【図１】本発明の実施例１の太陽電池の概略断面図であ
る。FIG. 1 is a schematic sectional view of a solar cell according to Example 1 of the present invention.
【図２】本発明の実施例２の太陽電池の概略断面図であ
る。FIG. 2 is a schematic sectional view of a solar cell according to Example 2 of the present invention.
【図３】裏面電界層を有する太陽電池セルのバンドダイ
アグラムである。FIG. 3 is a band diagram of a solar cell having a back surface electric field layer.
【図４】従来の太陽電池の概略断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view of a conventional solar cell.
１、１７、２１ シリコン半導体基板 ２、１６、２２ シリコン半導体層 ３、２３ 反射防止膜 ４、２４ 表面電極 ５ ポーラスシリコン層 ６、２７ 裏面電極 ７、２６ 絶縁層 １１ 伝導帯 １２ フェルミレベル １３ 価電子帯 １４ 電子 １５ 正孔 １８ 裏面電界層 ２５ 微結晶シリコン層 1, 17, 21 Silicon semiconductor substrate 2, 16, 22 Silicon semiconductor layer 3, 23 Antireflection film 4, 24 Surface electrode 5 Porous silicon layer 6, 27 Back electrode 7, 26 Insulating layer 11 Conduction band 12 Fermi level 13 Valence electron Band 14 electron 15 hole 18 back surface electric field layer 25 microcrystalline silicon layer
Claims (4)
半導体基板に、この基板の光入射側である表面に第２導
電型の不純物を含有したシリコン半導体層と、この基板
の裏面に基板中の第１導電型の不純物より高濃度の第１
導電型の不純物を含有したポーラスなシリコン層から構
成された裏面電界層とを設けてなることを特徴とする太
陽電池。1. A silicon semiconductor substrate containing an impurity of a first conductivity type, a silicon semiconductor layer containing an impurity of a second conductivity type on a surface on a light incident side of the substrate, and a silicon semiconductor layer on a back surface of the substrate. Of a first concentration higher than that of the first conductivity type impurity.
A solar cell, comprising: a back surface electric field layer formed of a porous silicon layer containing a conductive type impurity.
有するように設けられた絶縁層、開口部と絶縁層を覆
い、かつ裏面電界層と導通するように設けられた裏面電
極、第２導電型の不純物を含有したシリコン半導体層上
に設けられた表面電極を備えてなる請求項１に記載の太
陽電池。2. An insulating layer provided on the back surface electric layer so as to have an opening at a desired position, a back electrode covering the opening and the insulating layer and provided so as to be electrically connected to the back surface electric layer; The solar cell according to claim 1, further comprising a surface electrode provided on the silicon semiconductor layer containing the second conductivity type impurity.
コン膜である請求項２に記載の太陽電池。3. The solar cell according to claim 2, wherein the insulating layer is a silicon nitride film or a silicon oxide film.
半導体基板に、 ｉ）この基板の光入射側である表面に第２導電型の不純
物を拡散させて、第２導電型の不純物を含有するシリコ
ン半導体層を形成する工程、 ii）この基板の裏面に第１導電型の不純物を拡散させ
て、基板中の第１導電型の不純物より高濃度の第１導電
型のシリコン半導体層を形成し、更にこのシリコン半導
体層を陽極化成法で処理して第１導電型の不純物を含有
したポーラスなシリコン層から構成された裏面電界層を
形成する工程とからなる請求項１〜３のいずれか１つに
記載の太陽電池の製造方法。4. A silicon semiconductor substrate containing an impurity of the first conductivity type: i) an impurity of the second conductivity type is diffused into the surface of the substrate on the light incident side to contain the impurity of the second conductivity type; Ii) diffusing impurities of the first conductivity type into the back surface of the substrate to form a silicon semiconductor layer of the first conductivity type having a higher concentration than the impurities of the first conductivity type in the substrate. And a step of treating the silicon semiconductor layer by anodization to form a back surface electric field layer composed of a porous silicon layer containing impurities of the first conductivity type. A method for manufacturing a solar cell according to one of the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10115510A JPH11307796A (en) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | Solar cell and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10115510A JPH11307796A (en) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | Solar cell and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307796A true JPH11307796A (en) | 1999-11-05 |
Family
ID=14664316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10115510A Pending JPH11307796A (en) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | Solar cell and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11307796A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009099071A1 (en) * | 2008-02-04 | 2009-08-13 | The University Of Tokyo | Silicon solar cell |
| JP2011108836A (en) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | Thin film solar cell, and method of manufacturing the same |
| JP2017163046A (en) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 株式会社東芝 | Photodetector and lidar apparatus using the same |
-
1998
- 1998-04-24 JP JP10115510A patent/JPH11307796A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009099071A1 (en) * | 2008-02-04 | 2009-08-13 | The University Of Tokyo | Silicon solar cell |
| JPWO2009099071A1 (en) * | 2008-02-04 | 2011-05-26 | 国立大学法人 東京大学 | Silicon solar cell |
| JP2011108836A (en) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | Thin film solar cell, and method of manufacturing the same |
| JP2017163046A (en) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 株式会社東芝 | Photodetector and lidar apparatus using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102100909B1 (en) | Solar cell having an emitter region with wide bandgap semiconductor material | |
| KR102045001B1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| KR100847741B1 (en) | Point-contacted heterojunction silicon solar cell having passivation layer between the interface of p-n junction and method for fabricating the same | |
| KR100974226B1 (en) | Backside surface passivation and reflection layer for Si solar cell by high-k dielectrics | |
| US9583653B2 (en) | Solar cell and fabrication method thereof | |
| US20100229928A1 (en) | Back-contact photovoltaic cell comprising a thin lamina having a superstrate receiver element | |
| JPH09172196A (en) | Structure of aluminum alloy junction self-alignment rear surface electrode type silicon solar cell and its manufacture | |
| JP2008543067A (en) | Method for manufacturing single-sided contact solar cell and single-sided contact solar cell | |
| KR20130052627A (en) | Back junction solar cell with selective front surface field | |
| CN115188837B (en) | Back contact solar cell, preparation method and cell assembly | |
| TW201318030A (en) | Semiconductor light detection device and method for fabricating the same | |
| JP6207414B2 (en) | Photovoltaic element and manufacturing method thereof | |
| CN117374169B (en) | Preparation method of back contact solar cell and back contact solar cell | |
| KR20090017812A (en) | Silicon solar cell and method thereof | |
| US20100224238A1 (en) | Photovoltaic cell comprising an mis-type tunnel diode | |
| JP2007019259A (en) | Solar cell and its manufacturing method | |
| JPH0969643A (en) | Solar battery and its manufacturing method | |
| KR20090078275A (en) | Solar cell having uneven insulating layer and method for manufacturing the same | |
| KR102674774B1 (en) | High photoelectric conversion efficiency solar cell and manufacturing method of high photoelectric conversion efficiency solar cell | |
| JP2661676B2 (en) | Solar cell | |
| JP2001257371A (en) | Method for manufacturing solar cell, solar cell and condensing type solar cell module | |
| JP5645734B2 (en) | Solar cell element | |
| JPH11307796A (en) | Solar cell and its manufacture | |
| KR20020059186A (en) | manufacturing method of silicon solar cell | |
| JP3346907B2 (en) | Solar cell and method of manufacturing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041015 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080111 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080122 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080527 |