JPH11297781A - エッチング深さ測定方法及びその装置 - Google Patents
エッチング深さ測定方法及びその装置Info
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- JPH11297781A JPH11297781A JP10283798A JP10283798A JPH11297781A JP H11297781 A JPH11297781 A JP H11297781A JP 10283798 A JP10283798 A JP 10283798A JP 10283798 A JP10283798 A JP 10283798A JP H11297781 A JPH11297781 A JP H11297781A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、表面に被膜された膜の厚さがばらつ
いていてもこの膜の厚さをエッチング深さにフィードバ
ックしてエッチング深さを正確に測定する。 【解決手段】プロセスチャンバ１０内のＳｉ基板１に対
するエッチング中に、測定ヘッド１１から紫外光をＳｉ
基板１に照射してその反射光を受光し、この反射光の強
度に応じた電気信号の振幅の強度又は極点の強度に基づ
いて被膜厚さ算出部１９により被膜２０の厚さを算出す
る。
いていてもこの膜の厚さをエッチング深さにフィードバ
ックしてエッチング深さを正確に測定する。 【解決手段】プロセスチャンバ１０内のＳｉ基板１に対
するエッチング中に、測定ヘッド１１から紫外光をＳｉ
基板１に照射してその反射光を受光し、この反射光の強
度に応じた電気信号の振幅の強度又は極点の強度に基づ
いて被膜厚さ算出部１９により被膜２０の厚さを算出す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エッチング中にあ
る例えば半導体基板などの被処理体に形成される穴のエ
ッチング深さをリアルタイムで測定するエッチング深さ
測定方法及びその装置に関する。
る例えば半導体基板などの被処理体に形成される穴のエ
ッチング深さをリアルタイムで測定するエッチング深さ
測定方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在の高集積化した半導体デバイスの製
造工程には、半導体基板をエッチングして穴を形成する
エッチングプロセスがある。このエッチングプロセス
は、例えば図１０に示すようにシリコンウエハ（以下、
Ｓｉ基板と称する）１に形成された穴２内にＰoly-Ｓi
３を埋め込み、この後にエッチングを行ってＰoly-Ｓi
３を所定の深さまでエッチングするプロセスである。
造工程には、半導体基板をエッチングして穴を形成する
エッチングプロセスがある。このエッチングプロセス
は、例えば図１０に示すようにシリコンウエハ（以下、
Ｓｉ基板と称する）１に形成された穴２内にＰoly-Ｓi
３を埋め込み、この後にエッチングを行ってＰoly-Ｓi
３を所定の深さまでエッチングするプロセスである。
【０００３】このようなプロセスでは、Ｓｉ基板１の表
面に例えばＳｉＮの被膜４が施されており、この状態で
図１１に示すようにＳｉ基板１の表面（膜下面）からの
エッチング深さＤをコントロールすることになる。
面に例えばＳｉＮの被膜４が施されており、この状態で
図１１に示すようにＳｉ基板１の表面（膜下面）からの
エッチング深さＤをコントロールすることになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上のようにＳｉ基板
１の表面からの絶対的なエッチング深さＤの測定が要求
されているが、Ｓｉ基板１表面の被膜４の厚さがばらつ
くと制御したエッチング深さＤもばらついてしまい、高
精度にエッチング深さＤをコントロールすることが不可
能である。
１の表面からの絶対的なエッチング深さＤの測定が要求
されているが、Ｓｉ基板１表面の被膜４の厚さがばらつ
くと制御したエッチング深さＤもばらついてしまい、高
精度にエッチング深さＤをコントロールすることが不可
能である。
【０００５】そこで本発明は、表面の被膜の厚さがばら
ついていてもこの被膜の厚さをエッチング深さにフィー
ドバックしてエッチング深さを正確に測定できるエッチ
ング深さ測定方法及びその装置を提供することを目的と
する。
ついていてもこの被膜の厚さをエッチング深さにフィー
ドバックしてエッチング深さを正確に測定できるエッチ
ング深さ測定方法及びその装置を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、エッ
チング中の被処理体に対して単色光を照射し、被処理体
に形成される穴のエッチング深さに応じて周期的に変化
する反射光の強度に基づいてエッチング深さを測定する
エッチング深さ測定方法において、反射光の振幅の大き
さに基づいて被処理体の表面に施された被膜の厚さを算
出するエッチング深さ測定方法である。
チング中の被処理体に対して単色光を照射し、被処理体
に形成される穴のエッチング深さに応じて周期的に変化
する反射光の強度に基づいてエッチング深さを測定する
エッチング深さ測定方法において、反射光の振幅の大き
さに基づいて被処理体の表面に施された被膜の厚さを算
出するエッチング深さ測定方法である。
【０００７】請求項２によれば、請求項１記載のエッチ
ング深さ測定方法において、反射光の振幅の強度又は反
射光の極点の強度に基づいて被膜の厚さを算出する。請
求項３によれば、エッチング中の被処理体に対して単色
光を照射し、被処理体に形成される穴のエッチング深さ
に応じて周期的に変化する反射光の強度に基づいてエッ
チング深さを測定するエッチング深さ測定装置におい
て、反射光を受光してこの反射光の強度に応じた電気信
号を出力する光検出器と、この光検出器から出力された
電気信号の振幅の大きさに基づいて被処理体の表面に施
された被膜の厚さを算出する被膜厚さ算出手段を備えた
エッチング深さ測定装置である。
ング深さ測定方法において、反射光の振幅の強度又は反
射光の極点の強度に基づいて被膜の厚さを算出する。請
求項３によれば、エッチング中の被処理体に対して単色
光を照射し、被処理体に形成される穴のエッチング深さ
に応じて周期的に変化する反射光の強度に基づいてエッ
チング深さを測定するエッチング深さ測定装置におい
て、反射光を受光してこの反射光の強度に応じた電気信
号を出力する光検出器と、この光検出器から出力された
電気信号の振幅の大きさに基づいて被処理体の表面に施
された被膜の厚さを算出する被膜厚さ算出手段を備えた
エッチング深さ測定装置である。
【０００８】請求項４によれば、請求項３記載のエッチ
ング深さ測定装置において、被膜厚さ算出手段は、光検
出器から出力された電気信号の振幅の強度又は電気信号
の極点の強度に基づいて被膜の厚さを算出する機能を有
する。
ング深さ測定装置において、被膜厚さ算出手段は、光検
出器から出力された電気信号の振幅の強度又は電気信号
の極点の強度に基づいて被膜の厚さを算出する機能を有
する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。なお、図１０及び図１１
と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略
する。図１はエッチング深さ測定装置の構成図である。
いて図面を参照して説明する。なお、図１０及び図１１
と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略
する。図１はエッチング深さ測定装置の構成図である。
【００１０】エッチングチャンバ１０には、その上部に
測定ヘッド１１が配置され、かつコンピュータ１２が接
続されてエッチング制御が行われるようになっている。
このエッチングチャンバ１０は、図２に示すように内部
に被処理体としてのＳｉ基板１が設置されるとともに、
エッチング用の反応ガスが供給されるようになってい
る。
測定ヘッド１１が配置され、かつコンピュータ１２が接
続されてエッチング制御が行われるようになっている。
このエッチングチャンバ１０は、図２に示すように内部
に被処理体としてのＳｉ基板１が設置されるとともに、
エッチング用の反応ガスが供給されるようになってい
る。
【００１１】又、エッチングチャンバ１０の上部には、
例えば石英ガラスにより形成された観察窓１３が形成さ
れている。測定ヘッド１１は、エッチングチャンバ１０
内に設置されているＳｉ基板１に対して単色光、例えば
を紫外光を照射し、このときのＳｉ基板１からの反射光
を受光してその強度に応じた電気信号を出力する機能を
備えたものである。
例えば石英ガラスにより形成された観察窓１３が形成さ
れている。測定ヘッド１１は、エッチングチャンバ１０
内に設置されているＳｉ基板１に対して単色光、例えば
を紫外光を照射し、このときのＳｉ基板１からの反射光
を受光してその強度に応じた電気信号を出力する機能を
備えたものである。
【００１２】図３は測定ヘッド１１の構成図であり、こ
の測定ヘッド１１内には例えば波長２５４ｎｍの紫外光
を放射する水銀ランプ１４が備えられている。この水銀
ランプ１４から放射される紫外光は、光ファイバー１５
によりコリメータレンズ１６に導かれるようになってい
る。
の測定ヘッド１１内には例えば波長２５４ｎｍの紫外光
を放射する水銀ランプ１４が備えられている。この水銀
ランプ１４から放射される紫外光は、光ファイバー１５
によりコリメータレンズ１６に導かれるようになってい
る。
【００１３】このコリメータレンズ１６は、水銀ランプ
１４からの紫外光を平行光にコリメートし、Ｓｉ基板１
へのウエハ照射光としてエッチングチャンバ１０内のＳ
ｉ基板１の表面に対して垂直方向に照射するものであ
る。
１４からの紫外光を平行光にコリメートし、Ｓｉ基板１
へのウエハ照射光としてエッチングチャンバ１０内のＳ
ｉ基板１の表面に対して垂直方向に照射するものであ
る。
【００１４】又、光ファイバー１５には、Ｓｉ基板１か
らの反射光を分岐するように光ファイバー１７が接続さ
れ、この光ファイバー１７によってＳｉ基板１からの反
射光が光検出器１８に導かれるようになっている。
らの反射光を分岐するように光ファイバー１７が接続さ
れ、この光ファイバー１７によってＳｉ基板１からの反
射光が光検出器１８に導かれるようになっている。
【００１５】この光検出器１８は、Ｓｉ基板１からの反
射光を受光してその強度に応じた電気信号を出力する機
能をしている。コンピュータ１２は、光検出器１８から
出力された電気信号を入力し、この電気信号に現れるエ
ッチング深さＤに応じて周期的に変化する強度に基づい
てエッチング深さを求め、これと共に電気信号の振幅の
大きさに基づいてＳｉ基板１の表面に施された被膜４の
厚さを算出する被膜厚さ算出部１９としての機能を有し
ている。
射光を受光してその強度に応じた電気信号を出力する機
能をしている。コンピュータ１２は、光検出器１８から
出力された電気信号を入力し、この電気信号に現れるエ
ッチング深さＤに応じて周期的に変化する強度に基づい
てエッチング深さを求め、これと共に電気信号の振幅の
大きさに基づいてＳｉ基板１の表面に施された被膜４の
厚さを算出する被膜厚さ算出部１９としての機能を有し
ている。
【００１６】この被膜厚さ算出部１９は、具体的に、光
検出器１８から出力された電気信号の振幅の強度又は電
気信号の極点の強度に基づいて被膜４の厚さを算出する
機能を有している。
検出器１８から出力された電気信号の振幅の強度又は電
気信号の極点の強度に基づいて被膜４の厚さを算出する
機能を有している。
【００１７】すなわち、Ｓｉ基板１に対して水銀ランプ
１４から放射された紫外光（例えば波長２５４ｎｍ）を
照射したときの反射光は、Ｓｉ基板１の表面の反射光と
穴２からの反射光との干渉となって現れる。
１４から放射された紫外光（例えば波長２５４ｎｍ）を
照射したときの反射光は、Ｓｉ基板１の表面の反射光と
穴２からの反射光との干渉となって現れる。
【００１８】図４はかかるＳｉ基板１からの反射光の強
度のシミュレーション結果であり、ここでは図５に示す
ようにＳｉ基板１上にＳｉＮの各被膜２０，２１が形成
され、このうちの被膜２０の厚さが変化したときの光検
出器１８からの電気信号の変化を現している。
度のシミュレーション結果であり、ここでは図５に示す
ようにＳｉ基板１上にＳｉＮの各被膜２０，２１が形成
され、このうちの被膜２０の厚さが変化したときの光検
出器１８からの電気信号の変化を現している。
【００１９】同図に示すように光検出器１８からの電気
信号の最初の変化しない部分は、被膜２０の表面にＰol
y-Ｓi ３が覆われている状態で、反射光の強度に応じた
電気信号の大きさはＰoly-Ｓi ３の反射率で決まる。
信号の最初の変化しない部分は、被膜２０の表面にＰol
y-Ｓi ３が覆われている状態で、反射光の強度に応じた
電気信号の大きさはＰoly-Ｓi ３の反射率で決まる。
【００２０】そして、エッチングが進行し、ＳｉＮ表面
が現われてくると、エッチング深さＤに応じて周期的に
変化する光検出器１８からの電気信号が現われる。しか
るに、この電気信号が１周期変化すると、波長の２分の
１すなわち（波長／２＝６４ｎｍ）だけエッチング深さ
Ｄが深くなることから、コンピュータ１２はかかる関係
に従ってエッチング深さＤを算出する機能を有してい
る。
が現われてくると、エッチング深さＤに応じて周期的に
変化する光検出器１８からの電気信号が現われる。しか
るに、この電気信号が１周期変化すると、波長の２分の
１すなわち（波長／２＝６４ｎｍ）だけエッチング深さ
Ｄが深くなることから、コンピュータ１２はかかる関係
に従ってエッチング深さＤを算出する機能を有してい
る。
【００２１】なお、図５にはＰoly-Ｓi ３や各被膜２
０，２１、Ｓｉ基板１からの各反射光の強度Ａ0 ｅｘｐ
（ｉΘ0 ），Ａ1 ｅｘｐ（ｉΘ1 ），Ａ2 ｅｘｐ（ｉΘ
2 ），Ａ3 ｅｘｐ（ｉΘ3 ），Ｂｅｘｐ（ｉΘ4 ）が示
されており、これらからＳｉ基板１からの反射光の強度
Ｉは、 Ｉ＝｜Ａ0 ｅｘｐ（ｉΘ0 ）＋Ａ1 ｅｘｐ（ｉΘ1 ）＋Ａ2 ｅｘｐ（ｉΘ2 ） ＋Ａ3 ｅｘｐ（ｉΘ3 ）＋Ｂｅｘｐ（ｉΘ4 ）｜2 …(19) により表される。
０，２１、Ｓｉ基板１からの各反射光の強度Ａ0 ｅｘｐ
（ｉΘ0 ），Ａ1 ｅｘｐ（ｉΘ1 ），Ａ2 ｅｘｐ（ｉΘ
2 ），Ａ3 ｅｘｐ（ｉΘ3 ），Ｂｅｘｐ（ｉΘ4 ）が示
されており、これらからＳｉ基板１からの反射光の強度
Ｉは、 Ｉ＝｜Ａ0 ｅｘｐ（ｉΘ0 ）＋Ａ1 ｅｘｐ（ｉΘ1 ）＋Ａ2 ｅｘｐ（ｉΘ2 ） ＋Ａ3 ｅｘｐ（ｉΘ3 ）＋Ｂｅｘｐ（ｉΘ4 ）｜2 …(19) により表される。
【００２２】又、図４から周期信号の振幅或いは極点
（大・小）の強度が図６に示すように被膜２０の膜厚Ｔ
によって変化することが分かる。図７は周期信号の振幅
とＳｉＮ膜厚との関係を示し、図８は周期信号の極点
（大・小）の強度とＳｉＮ膜厚との関係を示す。
（大・小）の強度が図６に示すように被膜２０の膜厚Ｔ
によって変化することが分かる。図７は周期信号の振幅
とＳｉＮ膜厚との関係を示し、図８は周期信号の極点
（大・小）の強度とＳｉＮ膜厚との関係を示す。
【００２３】従って、被膜厚さ算出部１９は、これら図
７及び図８に示す各関係を保持し、光検出器１８からの
電気信号の極点（大・小）の強度からＳｉＮの被膜２０
の膜厚を算出する機能を有している。
７及び図８に示す各関係を保持し、光検出器１８からの
電気信号の極点（大・小）の強度からＳｉＮの被膜２０
の膜厚を算出する機能を有している。
【００２４】しかるに、コンピュータ１２は、光検出器
１８から出力された電気信号を入力し、この電気信号に
現れるエッチング深さＤと被膜厚さ算出部１９により算
出したＳｉＮの被膜２０の膜厚ＴとからＳｉ基板１の表
面からの絶対的なエッチング深さＤを算出する機能を有
している。
１８から出力された電気信号を入力し、この電気信号に
現れるエッチング深さＤと被膜厚さ算出部１９により算
出したＳｉＮの被膜２０の膜厚ＴとからＳｉ基板１の表
面からの絶対的なエッチング深さＤを算出する機能を有
している。
【００２５】又、コンピュータ１２は、水銀ランプ１４
の出力変動及び観察窓１３の汚れの影響を無くすため
に、光検出器１８から出力された電気信号の振幅或いは
極点（大・小）の強度を膜２０の表面にＰoly-Ｓi ３が
覆われている状態の電気信号により正規化する機能を有
している。
の出力変動及び観察窓１３の汚れの影響を無くすため
に、光検出器１８から出力された電気信号の振幅或いは
極点（大・小）の強度を膜２０の表面にＰoly-Ｓi ３が
覆われている状態の電気信号により正規化する機能を有
している。
【００２６】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。プロセスチャンバ１０内にＳｉ基板１が
設置され、かつこのプロセスチャンバ１０内にエッチン
グ用のガスが供給されると、Ｓｉ基板１に対するエッチ
ングが行われる。
いて説明する。プロセスチャンバ１０内にＳｉ基板１が
設置され、かつこのプロセスチャンバ１０内にエッチン
グ用のガスが供給されると、Ｓｉ基板１に対するエッチ
ングが行われる。
【００２７】このエッチング中に、測定ヘッド１１の水
銀ランプ１４から紫外光が放射されると、この紫外光
は、光ファイバー１５によりコリメータレンズ１６に導
かれ、このコリメータレンズ１６により平行光にコリメ
ートされ、プロセスチャンバ１０の観察窓１３を通して
Ｓｉ基板１の表面に対して垂直方向に照射される。
銀ランプ１４から紫外光が放射されると、この紫外光
は、光ファイバー１５によりコリメータレンズ１６に導
かれ、このコリメータレンズ１６により平行光にコリメ
ートされ、プロセスチャンバ１０の観察窓１３を通して
Ｓｉ基板１の表面に対して垂直方向に照射される。
【００２８】このようにＳｉ基板１の表面に紫外光が照
射されると、このＳｉ基板１からの反射光は、紫外光を
Ｓｉ基板１に照射したときの光路と逆方向の光路を進行
し、コリメータレンズ１６を通り、光ファイバー１７に
より導かれて光検出器１８に入射する。
射されると、このＳｉ基板１からの反射光は、紫外光を
Ｓｉ基板１に照射したときの光路と逆方向の光路を進行
し、コリメータレンズ１６を通り、光ファイバー１７に
より導かれて光検出器１８に入射する。
【００２９】この光検出器１８は、Ｓｉ基板１からの反
射光を受光してその強度に応じた電気信号を出力する。
コンピュータ１２は、光検出器１８から出力された電気
信号を入力し、この電気信号に現れるエッチング深さＤ
に応じて周期的に変化する強度に基づいてエッチング深
さを求める。
射光を受光してその強度に応じた電気信号を出力する。
コンピュータ１２は、光検出器１８から出力された電気
信号を入力し、この電気信号に現れるエッチング深さＤ
に応じて周期的に変化する強度に基づいてエッチング深
さを求める。
【００３０】これと共に、コンピュータ１２の被膜厚さ
算出部１９は、光検出器１８から出力された電気信号の
振幅の強度又は電気信号の極点の強度に基づいて例えば
被膜２０の厚さＴを算出する。
算出部１９は、光検出器１８から出力された電気信号の
振幅の強度又は電気信号の極点の強度に基づいて例えば
被膜２０の厚さＴを算出する。
【００３１】図９(a) 〜(c) はそれぞれ膜厚の異なる場
合における実際のＳｉ基板１からの反射光の強度の測定
結果を示しており、上記図４に示すＳｉ基板１からの反
射光の強度のシミュレーション結果と同様な結果が現わ
れている。
合における実際のＳｉ基板１からの反射光の強度の測定
結果を示しており、上記図４に示すＳｉ基板１からの反
射光の強度のシミュレーション結果と同様な結果が現わ
れている。
【００３２】しかるに、コンピュータ１２は、光検出器
１８から出力された電気信号を入力し、この電気信号に
現れるエッチング深さＤと被膜厚さ算出部１９により算
出したＳｉＮの被膜２０の膜厚ＴとからＳｉ基板１の表
面からの絶対的なエッチング深さＤを算出する。
１８から出力された電気信号を入力し、この電気信号に
現れるエッチング深さＤと被膜厚さ算出部１９により算
出したＳｉＮの被膜２０の膜厚ＴとからＳｉ基板１の表
面からの絶対的なエッチング深さＤを算出する。
【００３３】このように上記一実施の形態においては、
プロセスチャンバ１０内のＳｉ基板１に対するエッチン
グ中に、測定ヘッド１１から紫外光をＳｉ基板１に照射
してその反射光を受光し、この反射光の強度に応じた電
気信号の振幅の強度又は極点の強度に基づいて被膜２０
の厚さを算出するようにしたので、Ｓｉ基板１の表面に
被膜された被膜２０の厚さがばらついていてもこの膜２
０の厚さをエッチング深さにフィードバックしてエッチ
ング深さＤを正確に測定できる。
プロセスチャンバ１０内のＳｉ基板１に対するエッチン
グ中に、測定ヘッド１１から紫外光をＳｉ基板１に照射
してその反射光を受光し、この反射光の強度に応じた電
気信号の振幅の強度又は極点の強度に基づいて被膜２０
の厚さを算出するようにしたので、Ｓｉ基板１の表面に
被膜された被膜２０の厚さがばらついていてもこの膜２
０の厚さをエッチング深さにフィードバックしてエッチ
ング深さＤを正確に測定できる。
【００３４】又、別な膜厚計で被膜２０の膜厚を測定し
てフィードバックする方法も考えられるが、上記装置で
は光検出器１８からの周期信号から直接膜厚を算出する
ことができ、装置をシンプルに構成できるとともに低コ
スト化が図れる。なお、本発明は、上記一実施の形態に
限定されるものでなく種々変形してもよい。
てフィードバックする方法も考えられるが、上記装置で
は光検出器１８からの周期信号から直接膜厚を算出する
ことができ、装置をシンプルに構成できるとともに低コ
スト化が図れる。なお、本発明は、上記一実施の形態に
限定されるものでなく種々変形してもよい。
【００３５】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、表
面に被膜された膜の厚さがばらついていてもこの膜の厚
さをエッチング深さにフィードバックしてエッチング深
さを正確に測定できるエッチング深さ測定方法及びその
装置を提供できる。
面に被膜された膜の厚さがばらついていてもこの膜の厚
さをエッチング深さにフィードバックしてエッチング深
さを正確に測定できるエッチング深さ測定方法及びその
装置を提供できる。
【図１】本発明に係わるエッチング深さ測定装置の一実
施の形態を示す構成図。
施の形態を示す構成図。
【図２】同装置におけるエッチングチャンバの構成図。
【図３】同装置における測定ヘッドの構成図。
【図４】Ｓｉ基板からの反射光の強度のシミュレーショ
ン結果を示す図。
ン結果を示す図。
【図５】Ｐoly-Ｓi や各膜、Ｓｉ基板からの各反射光の
強度を示す図。
強度を示す図。
【図６】膜厚によって変化する周期信号の振幅或いは極
点の強度を示す図。
点の強度を示す図。
【図７】光検出器からの周期信号の振幅とＳｉＮ膜厚と
の関係を示す図。
の関係を示す図。
【図８】光検出器からの周期信号の極点（大・小）の強
度とＳｉＮ膜厚との関係を示す図。
度とＳｉＮ膜厚との関係を示す図。
【図９】実際のＳｉ基板１からの反射光の強度の測定結
果を示す図。
果を示す図。
【図１０】エッチングプロセスの一例を示す図。
【図１１】コントロールするエッチング深さを示す図。
１：Ｓｉ基板、 ２：穴、 ３：Ｐoly-Ｓi 、 ４：膜、 １０：エッチングチャンバ、 １１：測定ヘッド、 １２：コンピュータ、 １３：観察窓、 １４：水銀ランプ、 １５，１７：光ファイバー、 １６：コリメータレンズ、 １８：光検出器、 １９：被膜厚さ算出部、 ２０，２１：被膜。
Claims (4)
- 【請求項１】 エッチング中の被処理体に対して単色光
を照射し、前記被処理体に形成される穴のエッチング深
さに応じて周期的に変化する反射光の強度に基づいて前
記エッチング深さを測定するエッチング深さ測定方法に
おいて、 前記反射光の振幅の大きさに基づいて前記被処理体の表
面に施された前記被膜の厚さを算出することを特徴とす
るエッチング深さ測定方法。 - 【請求項２】 前記反射光の振幅の強度又は前記反射光
の極点の強度に基づいて前記被膜の厚さを算出すること
を特徴とする請求項１記載のエッチング深さ測定方法。 - 【請求項３】 エッチング中の被処理体に対して単色光
を照射し、前記被処理体に形成される穴のエッチング深
さに応じて周期的に変化する反射光の強度に基づいて前
記エッチング深さを測定するエッチング深さ測定装置に
おいて、 前記反射光を受光してこの反射光の強度に応じた電気信
号を出力する光検出器と、 この光検出器から出力された電気信号の振幅の大きさに
基づいて前記被処理体の表面に施された前記被膜の厚さ
を算出する被膜厚さ算出手段を備えたことを特徴とする
エッチング深さ測定装置。 - 【請求項４】 前記被膜厚さ算出手段は、前記光検出器
から出力された電気信号の振幅の強度又は前記電気信号
の極点の強度に基づいて前記被膜の厚さを算出する機能
を有することを特徴とする請求項３記載のエッチング深
さ測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10283798A JPH11297781A (ja) | 1998-04-14 | 1998-04-14 | エッチング深さ測定方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10283798A JPH11297781A (ja) | 1998-04-14 | 1998-04-14 | エッチング深さ測定方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11297781A true JPH11297781A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14338110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10283798A Pending JPH11297781A (ja) | 1998-04-14 | 1998-04-14 | エッチング深さ測定方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11297781A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009281944A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Meidensha Corp | 基板温度測定方法とその装置及びプロセス制御方法とそのシステム |
| TWI452644B (zh) * | 2011-05-17 | 2014-09-11 | Univ Nat Yunlin Sci & Tech | 蝕刻深度量測方法及其裝置 |
-
1998
- 1998-04-14 JP JP10283798A patent/JPH11297781A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009281944A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Meidensha Corp | 基板温度測定方法とその装置及びプロセス制御方法とそのシステム |
| TWI452644B (zh) * | 2011-05-17 | 2014-09-11 | Univ Nat Yunlin Sci & Tech | 蝕刻深度量測方法及其裝置 |
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