JPH11297248A - Electron beam accelerator - Google Patents

Electron beam accelerator

Info

Publication number
JPH11297248A
JPH11297248A JP10081798A JP10081798A JPH11297248A JP H11297248 A JPH11297248 A JP H11297248A JP 10081798 A JP10081798 A JP 10081798A JP 10081798 A JP10081798 A JP 10081798A JP H11297248 A JPH11297248 A JP H11297248A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
magnetic field
ion pump
ion
electron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10081798A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshiro Kubo
俊郎 久保
Hideo Todokoro
秀男 戸所
Sadao Terakado
貞夫 寺門
Shunichi Watanabe
俊一 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP10081798A priority Critical patent/JPH11297248A/en
Publication of JPH11297248A publication Critical patent/JPH11297248A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron beam accelerator causing no axial dislocation without bending an electron beam up to low accelerating voltage from high accelerating voltage by axially symmetrically installing an odd number of ion pumps in an electron beam passage so as to cancel a component vertical to the electron beam advancing direction. SOLUTION: The inside of a vessel 3 of an electron beam accelerator is filled with inert insulating gas, and the inside of an accelerating tube 4 is exhausted to a prescribed degree of vacuum by a first ion pump 1 and a second ion pump 2 symmetrically placed in an electron beam passage as the center. Permanent magnets 11a, 11b for the first ion pump and the second ion pump are symmetrically placed relative to the Z axis, and when intensity of the respective permanent magnets is entirely the same, they cancel each other. Therefore, a leakage magnetic field of the ion pumps is only a Z directional component on the electron beam passage, so that an electron beam is not bent by the leakage magnetic field of the ion pumps even in any accelerating voltage.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、内部を超高真空に
排気する必要がある電界放出型の陰極を使用した、電子
顕微鏡に使用する電子銃に係り、特に100kV以上の
高加速電圧と10kV以下の低加速電圧を取り扱えるこ
とを特徴とした電子銃に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron gun used for an electron microscope using a field emission type cathode whose inside needs to be evacuated to an ultra-high vacuum, and particularly to a high acceleration voltage of 100 kV or more and a 10 kV or higher. The present invention relates to an electron gun characterized in that the following low acceleration voltage can be handled.

【0002】[0002]

【従来の技術】特開平7−296759 号公報に記載されてい
るように、電子線で絶縁物試料を照射する場合、それに
よって試料から発生する二次電子および反射電子量が試
料照射電子線量とバランスする程度の低エネルギー電子
線を用いると帯電なしに、その表面を観察することがで
き、一方、高エネルギー電子線を用いれば、半導体装置
の深穴のような凹部の底面を観察することができる。こ
のように、高エネルギー電子線から低エネルギー電子線
まで、連続して使用できる装置は、産業上非常に有用で
ある。
2. Description of the Related Art As described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-296759, when an insulator sample is irradiated with an electron beam, the amount of secondary electrons and reflected electrons generated from the sample is reduced by the amount of electron irradiation applied to the sample. Using a low-energy electron beam that balances allows observation of the surface without charging, while using a high-energy electron beam allows observation of the bottom surface of a concave portion such as a deep hole in a semiconductor device. it can. As described above, a device that can be used continuously from a high energy electron beam to a low energy electron beam is very useful in industry.

【0003】ところで、近年の電子顕微鏡は、高分解能
像・微小部分析能力などの要求から、電子源には冷陰極
型あるいはショットキーエミッション型の電界放出型電
子源が多用されている。これらの陰極を用いた電子銃は
トンネル効果によって電子を引き出しているため、陰極
周囲のガスによる陰極のイオン衝撃を減らすために、陰
極の周辺あるいは電子銃全体を1×10-7Pa以上の超
高真空にする必要がある。
Meanwhile, in recent electron microscopes, cold cathode or Schottky emission field emission electron sources are frequently used as electron sources due to demands for high resolution images and minute part analysis capabilities. Since electron guns using these cathodes extract electrons by the tunnel effect, in order to reduce the ion bombardment of the cathode due to gas around the cathode, the area around the cathode or the entire electron gun is over 1 × 10 −7 Pa or more. High vacuum is required.

【0004】超高真空にするためには、真空ポンプが使
用されるわけであるが、ポンプから放出されるガスが少
ないこと、超高真空に排気できることから、通常イオン
ポンプやノーブルポンプなどの真空ポンプが使用され
る。これらのポンプは、ガスを5kV程度の高電圧で電
離させてイオン化し、永久磁石によって作られた磁界に
よって電極に吸いつけることで真空排気を行う。このよ
うな原理のポンプは、様々あるが、本明細書ではこのよ
うな原理のポンプを総称してイオンポンプと呼ぶ。
A vacuum pump is used to achieve an ultra-high vacuum. However, since the amount of gas discharged from the pump is small and the pump can be evacuated to an ultra-high vacuum, vacuum pumps such as ion pumps and noble pumps are usually used. A pump is used. These pumps evacuate the gas by ionizing and ionizing the gas at a high voltage of about 5 kV and attracting it to the electrodes by a magnetic field created by a permanent magnet. There are various types of pumps having such a principle. In this specification, pumps having such a principle are collectively referred to as an ion pump.

【0005】上記のようなイオンポンプは、たとえば日
電アネルバの20リットル/Sイオンポンプの場合、日
電アネルバ真空機器総合カタログによれば、ポンプ排気
口から200mmの位置で約1ガウスの磁界が漏洩してい
ることがカタログに記されている。このイオンポンプを
電子銃に使用した場合、通常この漏洩磁界は、シールド
板をイオンポンプ吸い込み口と電子線通路の間に設置し
たり、イオンポンプを電子線通路から遠ざけることで容
易にシールドすることができる。また、加速電圧が十分
に高ければ、電子の持つエネルギーが大きいため、イオ
ンポンプの漏洩磁界は問題にならない。
[0005] In the case of the above-described ion pump, for example, a 20 liter / S ion pump of Nidec Anelva, according to the Nikkei Anelva Vacuum Equipment General Catalog, a magnetic field of about 1 Gauss leaks at a position 200 mm from the pump exhaust port. Is described in the catalog. When this ion pump is used in an electron gun, this leakage magnetic field is usually easily shielded by installing a shield plate between the ion pump inlet and the electron beam passage, or by moving the ion pump away from the electron beam passage. Can be. Further, if the acceleration voltage is sufficiently high, the energy of electrons is large, so that the leakage magnetic field of the ion pump does not matter.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
技術に記したように、イオンポンプには通常漏洩磁界が
ある。高加速電圧で加速した電子線であれば、漏洩磁界
は特に問題にならないが、しかし、そのままの構造で低
加速電圧にすると、イオンポンプの漏洩磁場で電子線が
曲がってしまう。ここで漏洩磁界によって、加速された
電子線がどの程度曲がるか、共立出版株式会社発行の
「電子顕微鏡の基礎」(安達公一他共著)から引用して、
試算してみることにする。
However, as described in the above prior art, an ion pump usually has a leakage magnetic field. If the electron beam is accelerated at a high accelerating voltage, the leakage magnetic field is not particularly a problem. However, if the accelerating voltage is kept low and the electron beam is bent by the ion pump, the leakage magnetic field is bent. Here, the extent to which the accelerated electron beam bends due to the stray magnetic field is quoted from "Basics of Electron Microscopy" published by Kyoritsu Shuppan Co., Ltd.
I will make a trial calculation.

【0007】磁束密度Bの一様な磁界に電子線を入射さ
せたとき、磁界の方向をy軸とし、それに直交するよう
にx軸とz軸をとると、電子はx−z平面内で円軌道を
描く。その半径Rは、電子の遠心力mv2/Rとローレ
ンツ力eVBとのつりあいから
When an electron beam is incident on a uniform magnetic field having a magnetic flux density B, if the direction of the magnetic field is the y-axis and the x-axis and the z-axis are orthogonal to the y-axis, the electrons are in the xz plane. Draw a circular orbit. The radius R is determined by the balance between the centrifugal force mv 2 / R of the electron and the Lorentz force eVB.

【0008】[0008]

【数1】 (Equation 1)

【0009】であたえられる。ここでvは電子の入射速
度、eは電子の電荷(1.6×10-19[C])、mは電
子の質量(9.1×10-31[kg])である。また、この
軌道を一周する角速度ω(サイクロトロン周波数)は、
[0009] Here, v is the electron incident velocity, e is the charge of the electron (1.6 × 10 −19 [C]), and m is the mass of the electron (9.1 × 10 −31 [kg]). Also, the angular velocity ω (cyclotron frequency) that goes around this orbit is

【0010】[0010]

【数2】 (Equation 2)

【0011】であたえられる。[0011] is given.

【0012】図2に示すように、dの範囲だけ磁界によ
って曲げられ、その後Lだけ直進するとすると偏向量a
は、
As shown in FIG. 2, if it is bent by a magnetic field in the range of d and then goes straight by L, the deflection amount a
Is

【0013】[0013]

【数3】 a=R−Rcosθ+Ltanθ …(数3) で求められる。ここでθは、A = R−R cos θ + L tan θ (Equation 3) Where θ is

【0014】[0014]

【数4】 (Equation 4)

【0015】によって求められる。[0015]

【0016】いま、図2に示したように、 d=0.1[m],L=0.5[m],B=1×10
-6[T] としたとき、入射する電子が1[kV]で加速されてい
れば、電子の速度vは1.88×107 [m/s]であ
るから偏向量aは5.1[mm]となる。
Now, as shown in FIG. 2, d = 0.1 [m], L = 0.5 [m], B = 1 × 10
-6 [T], if the incident electrons are accelerated at 1 [kV], the electron velocity v is 1.88 × 10 7 [m / s], and the deflection amount a is 5.1. [Mm].

【0017】一方、加速電圧を100[kV]とする
と、電子の速度は1.64×108[m/s]になり、偏
向量aは0.6[mm]になる。
On the other hand, assuming that the acceleration voltage is 100 [kV], the electron velocity becomes 1.64 × 10 8 [m / s], and the deflection amount a becomes 0.6 [mm].

【0018】以上のように、電子の加速電圧が低いと電
子線通路上に電子線の進行方向に対して垂直にわずか1
00[mG]の磁界があっただけで電子は大きく曲げら
れてしまう。
As described above, when the acceleration voltage of the electrons is low, only one electron beam is perpendicular to the traveling direction of the electron beam on the electron beam path.
Electrons are greatly bent only by the magnetic field of 00 [mG].

【0019】さらに、加速電圧を変えることで、電子の
曲げられ方が変わってしまうと、加速電圧を変えるたび
に電子線の軸調整をやり直さなくてはならないため、非
常に使いにくい装置となってしまう。
Furthermore, if the bending of the electrons is changed by changing the accelerating voltage, the axis of the electron beam must be re-adjusted every time the accelerating voltage is changed, making the device extremely difficult to use. I will.

【0020】イオンポンプの漏洩磁界は、強磁性体から
作られた磁気シールドで電子線通路を囲んでしまえば軽
減させることができるが、真空中に磁気シールドといっ
た余計な部材をいれることで真空容器の表面積が増えて
しまう。超高真空装置においては、真空容器表面の吸着
ガスをなるべくへらす努力をするが、磁気シールドの挿
入はこの努力に逆行するものである。
The leakage magnetic field of the ion pump can be reduced by enclosing the electron beam path with a magnetic shield made of a ferromagnetic material. However, by inserting an extra member such as a magnetic shield in a vacuum, the vacuum container can be reduced. Surface area increases. In an ultra-high vacuum apparatus, efforts are made to minimize the adsorbed gas on the surface of the vacuum vessel, but the insertion of a magnetic shield goes against this effort.

【0021】本発明は以上に鑑みてなされたもので、本
発明の目的は高エネルギー電子線から低エネルギー電子
線まで、連続して使用できる装置の操作性を著しく悪く
するイオンポンプからの漏洩磁界を、強磁性体による磁
気シールドを使用することなく減少させた電子線加速装
置およびそれを用いた電子顕微鏡を提供することにあ
る。
The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a leakage magnetic field from an ion pump, which significantly deteriorates the operability of a continuously usable device from high energy electron beams to low energy electron beams. Of the present invention is to provide an electron beam accelerator and an electron microscope using the same, wherein the electron beam is reduced without using a magnetic shield made of a ferromagnetic material.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】本発明にもとづく電子線
加速装置およびそれを用いた電子顕微鏡は電子線発生陰
極,引出電極,多段の加速電極,前記電子線発生陰極か
ら電子線を引き出すように前記引出電極に引出電圧を印
加する電源,前記電子線を加速するように陰極に加速電
圧を印加する電源,前記引出電極に印加される加速電圧
を分割して残りの加速電極に印加する分割抵抗,電子銃
内部を所定の真空度に排気する能力のある偶数個のイオ
ンポンプを備えていることを特徴とする。
An electron beam accelerator according to the present invention and an electron microscope using the same are provided with an electron beam generating cathode, an extraction electrode, a multi-stage accelerating electrode, and an electron beam generating device for extracting an electron beam from the electron beam generating cathode. A power supply for applying an extraction voltage to the extraction electrode, a power supply for applying an acceleration voltage to the cathode so as to accelerate the electron beam, and a division resistor for dividing the acceleration voltage applied to the extraction electrode and applying the divided acceleration voltage to the remaining acceleration electrodes And an even number of ion pumps capable of evacuating the inside of the electron gun to a predetermined degree of vacuum.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】図1は本発明による電子顕微鏡の
電子銃部分の一実施例の概念図である。この実施例は冷
陰極電界放出多段加速形の電子銃である。
FIG. 1 is a conceptual diagram of an embodiment of an electron gun portion of an electron microscope according to the present invention. This embodiment is a cold cathode field emission multi-stage acceleration type electron gun.

【0024】電界放出型陰極7には任意の電圧が出力で
きる加速電圧発生電源8からの出力電圧が印加され、ま
た引出電極14には、加速電圧の安定化のために加速電
圧発生電源8の出力からぶら下がる形で結線された電界
放出引出電圧発生電源10からの出力電圧が印加され
る。更に、電界放出型陰極7にはこれを加熱またはフラ
ッシングするための加熱電源9が接続されている。引出
電極14に印加された電圧は、分割抵抗6によって電圧
を分割されて順次加速電極5に印加される。容器3の内
部は不活性絶縁ガスで満たされており、また加速管5の
内部は電子線通路に対して対象に置かれた第一イオンポ
ンプ1および第二イオンポンプ2によって所定の真空度
に排気されている。
An output voltage from an accelerating voltage generating power source 8 capable of outputting an arbitrary voltage is applied to the field emission type cathode 7, and the accelerating voltage generating power source 8 for stabilizing the accelerating voltage is applied to the extraction electrode 14. An output voltage from a field emission extraction voltage generating power supply 10 connected in a form hanging from the output is applied. Further, a heating power supply 9 for heating or flashing the field emission cathode 7 is connected to the field emission cathode 7. The voltage applied to the extraction electrode 14 is divided by the division resistor 6 and is sequentially applied to the acceleration electrode 5. The inside of the container 3 is filled with an inert insulating gas, and the inside of the accelerating tube 5 is brought to a predetermined vacuum degree by the first ion pump 1 and the second ion pump 2 placed on the electron beam path. Exhausted.

【0025】また、第一イオンポンプから漏洩する磁界
が12a,第二イオンポンプから漏洩する磁界を12b
とする。磁束の方向はそれぞれ図1中のBIP1,BIP2
方向である。
The magnetic field leaking from the first ion pump is 12a, and the magnetic field leaking from the second ion pump is 12b.
And The directions of the magnetic flux are the directions of B IP1 and B IP2 in FIG. 1, respectively.

【0026】磁界の合成は、図3に示すように、それぞ
れの磁束の方向のベクトル合成となる。図3において、
電子線通路をZとしZ方向に電子がすすむ。第一イオン
ポンプ用永久磁石および第二イオンポンプ用永久磁石は
それぞれ簡単のため11a,11bのように表示した。
第一イオンポンプ用永久磁石から漏洩する磁界は12aの
ような磁力線を描き、イオンポンプ2から漏洩する磁界
は12bのような磁力線を描く。第一イオンポンプから
漏洩する磁界の磁力線12aがZ軸と交わる点では、磁
界強度のベクトルは図3中のBIP1 となる。従って、磁
界の電子線の進行方向に対して垂直な成分はBIP1Yであ
る。
As shown in FIG. 3, the synthesis of the magnetic field is a vector synthesis in the direction of each magnetic flux. In FIG.
Letting the electron beam path be Z, electrons proceed in the Z direction. The permanent magnet for the first ion pump and the permanent magnet for the second ion pump are indicated as 11a and 11b for simplicity, respectively.
The magnetic field leaking from the permanent magnet for the first ion pump draws lines of magnetic force like 12a, and the magnetic field leaking from the ion pump 2 draws lines of magnetic force like 12b. In terms of the magnetic field lines 12a of the magnetic field leaking from the first ion pump intersects with Z-axis, the vector of the magnetic field strength is the B IP1 in Fig. Therefore, the component of the magnetic field perpendicular to the traveling direction of the electron beam is B IP1Y .

【0027】同様にして、第二イオンポンプから漏洩す
る磁界の磁力線12bの電子線の進行方向に対して垂直
な成分はBIP2Yである。ここで、それぞれの永久磁石1
1a,11bがZ軸に対して対象に置かれ、またそれぞ
れの永久磁石の強度がまったく同じであれば、BIP1Y
IP2Yは方向が互いに反対で大きさが同じであるので、
互いにキャンセルし合う。従って電子線の通路上ではイ
オンポンプの漏洩磁界はZ方向成分だけとなり、いかな
る加速電圧においてもイオンポンプの漏洩磁界によって
電子線が曲げられることはない。
Similarly, the component of the magnetic field line 12b of the magnetic field leaking from the second ion pump and perpendicular to the traveling direction of the electron beam is B IP2Y . Here, each permanent magnet 1
If 1a and 11b are placed symmetrically with respect to the Z axis and the strengths of the respective permanent magnets are exactly the same, B IP1Y and B IP2Y have opposite directions and the same size.
Cancel each other out. Therefore, on the path of the electron beam, the leakage magnetic field of the ion pump has only a Z-direction component, and the electron beam is not bent by the leakage magnetic field of the ion pump at any accelerating voltage.

【0028】本実施例では、イオンポンプをZ軸に対し
て対象に2個取り付けた例を上げたが、Z軸に対して軸
対象に偶数個取り付けてあれば、イオンポンプの漏洩磁
界のうち、Z軸に対して水平な方向成分は同様にキャン
セルされることは言うまでもない。
In this embodiment, an example in which two ion pumps are attached to the object with respect to the Z-axis has been described. , The components in the direction horizontal to the Z-axis are similarly canceled.

【0029】[0029]

【発明の効果】本発明によれば、電子線通路上の電子線
が進む方向に対して垂直な磁界の成分が減少するため、
高加速電圧から低加速電圧まで電子線が曲げられること
がないので、高加速電圧から低加速電圧まで軸ずれの起
きない電子線加速装置が提供される。
According to the present invention, the component of the magnetic field perpendicular to the direction in which the electron beam travels on the electron beam path is reduced.
Since the electron beam is not bent from a high acceleration voltage to a low acceleration voltage, an electron beam accelerator that does not cause an axis shift from a high acceleration voltage to a low acceleration voltage is provided.

【0030】さらに、排気抵抗になったり、表面積が増
えてしまう磁気シールドが電子線通路の近傍に設置する
必要がなくなるので、内部を理想に近い真空度にした電
子線加速装置が提供される。
Further, since it is not necessary to provide a magnetic shield which increases the exhaust resistance or increases the surface area in the vicinity of the electron beam path, an electron beam accelerating device having an interior having an almost ideal vacuum degree is provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による電子線加速装置の一実施例の概略
図。
FIG. 1 is a schematic view of an embodiment of an electron beam accelerator according to the present invention.

【図2】従来の電子線の進む方向に対して垂直な方向に
磁界がある時の電子の軌道を説明するモデル図。
FIG. 2 is a model diagram illustrating a conventional electron trajectory when a magnetic field is present in a direction perpendicular to a traveling direction of an electron beam.

【図3】本発明の動作原理を説明するモデル図。FIG. 3 is a model diagram illustrating the operation principle of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…第一イオンポンプ、2…第二イオンポンプ、3…容
器、4…加速管、5…加速電極、6…電圧分割抵抗、7
…電界放出型陰極、8…加速電圧発生電源、9…陰極加
熱電源、10…電界放出引出電圧発生電源、11a…第
一イオンポンプ用永久磁石、11b…第二イオンポンプ
用永久磁石、12a…第一イオンポンプから漏洩する磁
界の磁力線、12b…第二イオンポンプから漏洩する磁
界の磁力線、13…電子線、14…引出電極。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... First ion pump, 2 ... Second ion pump, 3 ... Container, 4 ... Acceleration tube, 5 ... Acceleration electrode, 6 ... Voltage division resistance, 7
... field emission type cathode, 8 ... acceleration voltage generation power supply, 9 ... cathode heating power supply, 10 ... field emission extraction voltage generation power supply, 11a ... permanent magnet for first ion pump, 11b ... permanent magnet for second ion pump, 12a ... Magnetic field lines of the magnetic field leaking from the first ion pump, 12b: Magnetic field lines of the magnetic field leaking from the second ion pump, 13: electron beam, 14: extraction electrode.

フロントページの続き (72)発明者 渡辺 俊一 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株 式会社日立製作所計測器事業部内Continued on the front page (72) Inventor Shunichi Watanabe 882 Mage, Oaza-shi, Hitachinaka-shi, Ibaraki Pref.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】電子線発生源と、前記電子線発生源から電
子を引き出す引出電極と、加速電圧を印加する加速管
と、前記電子線発生源から電子線を引き出すように前記
引出電極に引出電圧を印加する電源と、前記電子線を加
速するように加速管に加速電圧を印加する電源と、電子
線通路および加速管内部を真空排気するイオンポンプあ
るいは類似のポンプを備えた電子線加速装置において、
電子線加速装置の電子線通路の部分を超高真空排気する
ために取付けられた遇数個のイオンポンプ、あるいは類
似のポンプを該ポンプから電子線通路まで漏れ出す磁界
のうち電子線進行方向に対して、垂直な成分をキャンセ
ルするように電子線通路に軸対象に取付けたことを特徴
とする電子線加速装置。
An electron beam source, an extraction electrode for extracting electrons from the electron beam source, an acceleration tube for applying an acceleration voltage, and an extraction electrode for extracting an electron beam from the electron beam source. An electron beam accelerator including a power supply for applying a voltage, a power supply for applying an acceleration voltage to the accelerator tube so as to accelerate the electron beam, and an ion pump or a similar pump for evacuating the electron beam passage and the inside of the accelerator tube. At
An even number of ion pumps or similar pumps installed to evacuate the electron beam path of the electron beam accelerator to ultra-high vacuum include the magnetic field leaking from the pump to the electron beam path in the direction of electron beam travel. On the other hand, an electron beam accelerator is mounted on an electron beam path so as to be axially symmetric so as to cancel a vertical component.
JP10081798A 1998-04-13 1998-04-13 Electron beam accelerator Pending JPH11297248A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10081798A JPH11297248A (en) 1998-04-13 1998-04-13 Electron beam accelerator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10081798A JPH11297248A (en) 1998-04-13 1998-04-13 Electron beam accelerator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11297248A true JPH11297248A (en) 1999-10-29

Family

ID=14283908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10081798A Pending JPH11297248A (en) 1998-04-13 1998-04-13 Electron beam accelerator

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11297248A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005243389A (en) * 2004-02-26 2005-09-08 Daiken Kagaku Kogyo Kk Electron source and its manufacturing method
WO2017155856A1 (en) * 2016-03-09 2017-09-14 Viewray Technologies, Inc. Magnetic field compensation in a linear accelerator

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005243389A (en) * 2004-02-26 2005-09-08 Daiken Kagaku Kogyo Kk Electron source and its manufacturing method
WO2017155856A1 (en) * 2016-03-09 2017-09-14 Viewray Technologies, Inc. Magnetic field compensation in a linear accelerator
US10021774B2 (en) * 2016-03-09 2018-07-10 Viewray Technologies, Inc. Magnetic field compensation in a linear accelerator

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI273625B (en) Ion beam mass separation filter and its mass separation method, and ion source using the same
US4862032A (en) End-Hall ion source
KR890013968A (en) Particle Sources for Reactive Ion Beam Etching or Plasma Attachments
JPH11283552A (en) Device and method for ion implantation, ion-beam source and variable slit mechanism
EP3427554B1 (en) Magnetic field compensation in a linear accelerator
JP6637055B2 (en) Ion milling equipment
EP0094473B1 (en) Apparatus and method for producing a stream of ions
JP3246800B2 (en) Plasma equipment
JPH11297248A (en) Electron beam accelerator
JPH03194841A (en) Electron shower
JP3098360B2 (en) Single / tandem acceleration dual-purpose ion accelerator
US3418465A (en) Radiation source for reducing specimen contamination in electron microscopes
JP4336780B2 (en) Ion source
JP5254872B2 (en) Ion beam irradiation equipment
JPH089778B2 (en) Ion source
JPH0636734A (en) Manufacture of substrate by ion implanting method
JPS60240039A (en) Ion gun
JP7237877B2 (en) Ion source device
JP3045619B2 (en) Plasma generator
JPH0636735A (en) Substrate manufacturing device by polyvalent ion implanting method and manufacture of substrate
JPH0750637B2 (en) Fast atom beam source
Dudnikov et al. Direct current surface plasma source with high emission current density
US6937698B2 (en) X-ray generating apparatus having an emitter formed on a semiconductor structure
JPH0668961B2 (en) Fast atom beam source
JPH067464B2 (en) Fast atom beam source