JPH11289047A - Multi-chip module its and manufacture - Google Patents

Multi-chip module its and manufacture

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JPH11289047A
JPH11289047A JP10089788A JP8978898A JPH11289047A JP H11289047 A JPH11289047 A JP H11289047A JP 10089788 A JP10089788 A JP 10089788A JP 8978898 A JP8978898 A JP 8978898A JP H11289047 A JPH11289047 A JP H11289047A
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JP
Japan
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substrate
semiconductor chip
chip
semiconductor chips
chip module
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JP10089788A
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Japanese (ja)
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Yoichiro Aihara
陽一郎 相原
Keiichi Higeta
恵一 日下田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/17Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/17Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors

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  • Computer Hardware Design (AREA)
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  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To shorten a signal propagation delay time between chips, and to improve chip mounting density. SOLUTION: A multi-chip module on which plural processor are mounted is constituted of plural semiconductor chips 1 laminated in a two layer structure and a substrate 2 on which the semiconductor chip 1 in the laminated structure is mounted, and the electric connection of the semiconductor chip 1 with the substrate 2 is withdrawn from a semiconductor chip 1a in the upper layer. The semiconductor chip 1 is formed so that the positions of the overlapped semiconductor chip 1a in the upper layer and semiconductor chip 1b in the lower layer can be shifted, and the overlapped pads can be directly connected through solder balls 3. Also, the substrate 2 is formed so that the surface can be shaped like projection and recession, and the semiconductor chip 1b in the lower layer is mounted at the recessed part 2a upside down, and the wiring of a signal and a power source is connected through the solder balls 3 with the pad of the semiconductor chip 1a in the upper layer at the projecting part 2b.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の半導体チッ
プを実装したモジュール技術に関し、特にチップ間の信
号伝搬遅延時間の短縮とチップ実装密度の向上に好適な
マルチチップモジュールおよびその製造方法に適用して
有効な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a module technology in which a plurality of semiconductor chips are mounted, and more particularly to a multi-chip module suitable for reducing a signal propagation delay time between chips and improving a chip mounting density and a method of manufacturing the same. And effective technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえば、本発明者が検討した技術とし
て、複数の半導体チップを実装したモジュールとして
は、ベアチップを積層し、メモリモジュールを構成する
技術などが考えられる。このメモリモジュールは、ベア
チップにポリイミドを塗り、接続パッド位置が端部にく
るように配線を形成し、複数のチップを接着材で積層し
た後、側端部に配線を形成し、端部にでた個々のチップ
と配線とをつなぎ、最下部にはんだバンプを形成し、基
板と接続して大容量のメモリモジュールを実現するもの
である。
2. Description of the Related Art For example, as a technique studied by the present inventor, as a module on which a plurality of semiconductor chips are mounted, a technique of stacking bare chips to constitute a memory module is considered. In this memory module, a bare chip is coated with polyimide, wiring is formed so that the connection pad position is located at the end, a plurality of chips are laminated with an adhesive, wiring is formed at the side end, and the end is formed at the end. Each chip is connected to a wiring, a solder bump is formed at the lowermost portion, and connected to a substrate to realize a large-capacity memory module.

【0003】なお、このようなメモリモジュールなどの
マルチチップモジュールに関する技術としては、たとえ
ば1993年5月31日、日経BP社発行の「実践講座
VLSIパッケージング技術(下)」P179〜P18
5などに記載される3次元実装技術などが挙げられる。
[0003] As a technique relating to such a multi-chip module such as a memory module, for example, on May 31, 1993, "Practical Course VLSI Packaging Technology (Lower)" P179 to P18 issued by Nikkei BP Company.
5 and the like.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のよう
なマルチチップモジュールにおいては、半導体チップの
動作が高速化するに従い、半導体チップをモジュール上
に実装したときのチップ間配線による信号の遅延やノイ
ズが顕著になることが考えられる。これにより、システ
ムの特性がチップ間配線によって決まってしまうという
課題が生じる。
In the multichip module as described above, as the operation of the semiconductor chip becomes faster, signal delay and noise due to wiring between chips when the semiconductor chip is mounted on the module are increased. Is considered to be remarkable. This causes a problem that the characteristics of the system are determined by the wiring between chips.

【0005】そこで、本発明の目的は、半導体チップの
積層構造を工夫して、チップ間の信号伝搬遅延時間を短
縮するとともに、チップ実装密度を向上させることがで
きるマルチチップモジュールおよびその製造方法を提供
することにある。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a multi-chip module and a method of manufacturing the same that can improve the chip mounting density while shortening the signal propagation delay time between the chips by devising the stacked structure of the semiconductor chips. To provide.

【0006】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.

【0008】すなわち、本発明によるマルチチップモジ
ュールは、重なり合う半導体チップを互いに位置をずら
して、パッドとパッドとを配線基板などを介さずに直接
はんだボールなどによって接続し、半導体チップを2層
構造に積層した実装方式とするものである。
That is, in the multi-chip module according to the present invention, the overlapping semiconductor chips are displaced from each other, and the pads are connected directly to each other by solder balls or the like without using a wiring board or the like, so that the semiconductor chips have a two-layer structure. This is a stacked mounting method.

【0009】この実装方式において、下層の半導体チッ
プは裏返しに実装し、信号・電源ともに上層の半導体チ
ップと受け渡しを行い、基板への信号・電源の配線は上
層の半導体チップのパッドから引き出す配線方式とする
ものである。
In this mounting method, the lower semiconductor chip is mounted upside down, the signal and the power supply are transferred to and from the upper semiconductor chip, and the wiring of the signal and the power supply to the substrate is drawn out from the pad of the upper semiconductor chip. It is assumed that.

【0010】この基板には、下層の半導体チップを裏返
しに実装する凹状部分を形成し、この基板の凸状部分で
基板の信号・電源の配線と上層の半導体チップのパッド
とをはんだボールを介して接続するようにしたものであ
る。
[0010] A concave portion for mounting the lower semiconductor chip upside down is formed on the substrate, and the signal / power supply wiring of the substrate and the pad of the upper semiconductor chip are interposed at the convex portion of the substrate via solder balls. Connected.

【0011】さらに、上層の半導体チップの裏面には基
板と同じ形状の上面基板を付加して裏返しに実装し、基
板の信号・電源の配線と上層の半導体チップのパッド、
上面基板の信号・電源の配線と下層の半導体チップのパ
ッドとをそれぞれはんだボールを介して接続するように
したものである。
Further, an upper surface substrate having the same shape as the substrate is added to the back surface of the upper semiconductor chip and mounted upside down, so that signal / power supply wiring of the substrate and pads of the upper semiconductor chip,
The wiring of the signal / power supply on the upper substrate and the pads of the lower semiconductor chip are connected via solder balls.

【0012】また、本発明によるマルチチップモジュー
ルの製造方法は、基板上の凹状部分に下層の半導体チッ
プを裏返しに実装し、上層の半導体チップのパッドには
んだボールを形成し、下層の半導体チップのパッドと上
層の半導体チップのパッド上のはんだボールとを接続す
るとともに、上層の半導体チップのパッド上のはんだボ
ールと基板の凸状部分の信号・電源の配線とを接続す
る、各工程を含むものである。
In the method of manufacturing a multi-chip module according to the present invention, a lower semiconductor chip is mounted upside down in a concave portion on a substrate, a solder ball is formed on a pad of the upper semiconductor chip, and the lower semiconductor chip is formed. Connecting the pads to the solder balls on the pads of the upper semiconductor chip, and connecting the solder balls on the pads of the upper semiconductor chip to the signal / power wiring of the convex portion of the substrate. .

【0013】よって、前記マルチチップモジュールおよ
びその製造方法によれば、半導体チップ間の信号伝搬遅
延時間の短縮が可能である。製品的には、チップ間距離
が縮小されることから、チップ実装密度が向上し、小形
で高性能のシステムを構成することができる。
Therefore, according to the multichip module and the method of manufacturing the same, it is possible to reduce the signal propagation delay time between the semiconductor chips. In terms of products, since the distance between the chips is reduced, the chip mounting density is improved, and a small, high-performance system can be configured.

【0014】すなわち、半導体チップを2層構造にする
ことで、半導体チップを近接して配置することができ、
パッドからパッドへの距離が短くなるので、信号の遅延
時間を縮小することが可能となる。また、半導体チップ
同士が重なり合う配置になるので、基板の大きさが小さ
くできるので、半導体チップの実装率を上げることがで
きる。
That is, by forming the semiconductor chip in a two-layer structure, the semiconductor chips can be arranged close to each other.
Since the distance from pad to pad is shortened, it is possible to reduce the signal delay time. Further, since the semiconductor chips are arranged so as to overlap with each other, the size of the substrate can be reduced, so that the mounting rate of the semiconductor chips can be increased.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一の部材には同一の符号を付
し、その繰り返しの説明は省略する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In all the drawings for describing the embodiments, the same members are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.

【0016】(実施の形態1)図1は本発明の実施の形
態1であるマルチチップモジュールを示す概略平面図、
図2は図1のII−II’切断線における概略断面図、図3
はマルチチップモジュールの製造方法を示すフロー図で
ある。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a schematic plan view showing a multi-chip module according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 2 is a schematic sectional view taken along the line II-II ′ of FIG.
FIG. 4 is a flowchart showing a method for manufacturing a multichip module.

【0017】まず、図1および図2により本実施の形態
のマルチチップモジュールの概略構成を説明する。
First, a schematic configuration of the multichip module of the present embodiment will be described with reference to FIGS.

【0018】本実施の形態のマルチチップモジュール
は、たとえば複数のプロセッサが実装されたモジュール
とされ、2層構造に積層された複数の半導体チップ1
と、これらの積層構造の半導体チップ1を実装する基板
2とからなり、基板2との電気的な接続は上層の半導体
チップ1aから引き出される構成となっている。
The multi-chip module according to the present embodiment is, for example, a module on which a plurality of processors are mounted, and includes a plurality of semiconductor chips 1 stacked in a two-layer structure.
And a substrate 2 on which the semiconductor chip 1 having the stacked structure is mounted, and the electrical connection with the substrate 2 is drawn out from the upper semiconductor chip 1a.

【0019】半導体チップ1は、たとえばプロセッサな
どのベアチップからなり、重なり合う上層の半導体チッ
プ1aと下層の半導体チップ1bとは互いに位置がずら
されて、重なり合う部分のパッド同士が直接はんだボー
ル3により接続されている。このプロセッサは、それぞ
れが独立に演算可能であり、メモリや周辺装置をプロセ
ッサ間で共有可能な構成となっている。
The semiconductor chip 1 is composed of, for example, a bare chip such as a processor. The upper semiconductor chip 1a and the lower semiconductor chip 1b which overlap each other are displaced from each other. ing. Each of the processors can operate independently, and the memory and the peripheral device can be shared between the processors.

【0020】基板2は、たとえば多層構造の配線基板か
らなり、各層に信号、電源などの配線が形成され、特に
表面が凹凸状に形成され、凹状部分2aに下層の半導体
チップ1bが裏返しに実装され、凸状部分2bで信号・
電源の配線と上層の半導体チップ1aのパッドとがはん
だボール3を介して接続されるようになっている。
The substrate 2 is formed of, for example, a wiring substrate having a multilayer structure. Wirings such as signals and power supplies are formed on each layer. The surface is formed in an irregular shape, and the lower semiconductor chip 1b is mounted on the concave portion 2a upside down. Signal at the convex portion 2b.
The power supply wiring and the pads of the upper semiconductor chip 1 a are connected via the solder balls 3.

【0021】次に、本実施の形態の作用について、マル
チチップモジュールの製造方法を図3のフローに基づい
て説明する。図3において、右側の図は各フローに対応
するマルチチップモジュールの断面図である。
Next, the operation of the present embodiment will be described with reference to the flow chart of FIG. In FIG. 3, the figure on the right side is a cross-sectional view of the multi-chip module corresponding to each flow.

【0022】まず、半導体チップ1a,1bのうちの下
層の半導体チップ1bのマウント工程において、基板2
上の凹状部分2aに接着材4などにより接着して下層の
半導体チップ1bを裏返しに実装する(ステップ30
1)。この基板2は、たとえば配線層が形成された複数
の基板基材を接着し、この積層された基板基板の表面上
に座ぐりなどにより凹状の開孔部を形成したり、あるい
は積層された基板基板の表面上に凸状部分2bを接着す
る方法などにより作成することができる。
First, in the step of mounting the lower semiconductor chip 1b of the semiconductor chips 1a and 1b, the substrate 2
The lower semiconductor chip 1b is mounted upside down by bonding to the upper concave portion 2a with an adhesive 4 or the like (step 30).
1). The substrate 2 is formed, for example, by bonding a plurality of substrate base materials having a wiring layer formed thereon, forming a concave opening by spot facing on the surface of the laminated substrate substrate, or forming a laminated substrate substrate. It can be formed by a method of bonding the convex portion 2b on the surface of the substrate.

【0023】また、はんだボール3の形成工程におい
て、上層の半導体チップ1aのパッド上にはんだボール
3を形成する(ステップ302)。そして、半導体チッ
プ1a,1b間、半導体チップ1a,1bと基板2との
接続工程において、下層の半導体チップ1bのパッドと
上層の半導体チップ1aのパッド上のはんだボール3と
を接続するとともに、上層の半導体チップ1aのパッド
上のはんだボール3と基板2の凸状部分2bの信号・電
源の配線とを接続する(ステップ303)。
In the step of forming the solder balls 3, the solder balls 3 are formed on the pads of the upper semiconductor chip 1a (step 302). In the connection step between the semiconductor chips 1a and 1b and between the semiconductor chips 1a and 1b and the substrate 2, the pads of the lower semiconductor chip 1b and the solder balls 3 on the pads of the upper semiconductor chip 1a are connected and the upper layer is connected. Then, the solder balls 3 on the pads of the semiconductor chip 1a are connected to the signal / power supply wiring of the convex portion 2b of the substrate 2 (step 303).

【0024】これにより、基板2上に、はんだボール3
によりパッド同士が接続された2層構造の半導体チップ
1a,1bが実装されたマルチチップモジュールを完成
させることができる。
As a result, the solder balls 3
Thereby, a multi-chip module in which the semiconductor chips 1a and 1b having a two-layer structure in which the pads are connected to each other can be completed.

【0025】従って、本実施の形態のマルチチップモジ
ュールによれば、半導体チップ1が2層構造に積層さ
れ、この半導体チップ1のパッド同士が直接はんだボー
ル3によって接続されることにより、半導体チップ1を
近接して配置することができ、パッドからパッドへの距
離が短くなるので、信号の遅延時間を縮小することがで
きる。また、半導体チップ1同士が重なり合う配置にな
るので、基板2の大きさが小さくできるので、半導体チ
ップ1の実装率を上げることができる。
Therefore, according to the multi-chip module of the present embodiment, the semiconductor chip 1 is stacked in a two-layer structure, and the pads of the semiconductor chip 1 are directly connected to each other by the solder balls 3, so that the semiconductor chip 1 Can be arranged close to each other, and the distance from pad to pad can be shortened, so that the signal delay time can be reduced. Further, since the semiconductor chips 1 are arranged so as to overlap with each other, the size of the substrate 2 can be reduced, so that the mounting rate of the semiconductor chips 1 can be increased.

【0026】(実施の形態2)図4は本発明の実施の形
態2であるマルチチップモジュールを示す概略切断断面
図である。
(Embodiment 2) FIG. 4 is a schematic sectional view showing a multichip module according to Embodiment 2 of the present invention.

【0027】本実施の形態のマルチチップモジュール
は、前記実施の形態1と同様に複数のプロセッサが実装
されたモジュールとされ、前記実施の形態1との相違点
は、2層構造に積層された上層の半導体チップの裏面に
上面基板が実装されて構成される点である。
The multi-chip module according to the present embodiment is a module in which a plurality of processors are mounted as in the first embodiment. The difference from the first embodiment is that the multi-chip module is stacked in a two-layer structure. The point is that an upper substrate is mounted on the back surface of the upper semiconductor chip.

【0028】すなわち、本実施の形態においては、たと
えば図4に示すように、2層構造に積層された複数の半
導体チップ1と、これらの積層構造の半導体チップ1を
実装する基板2とに加えて、上層の半導体チップ1aの
裏面に実装され、前記基板2と同じ形状の上面基板5と
から構成されている。
That is, in the present embodiment, as shown in FIG. 4, for example, in addition to a plurality of semiconductor chips 1 stacked in a two-layer structure and a substrate 2 on which the semiconductor chips 1 having these stacked structures are mounted. And is mounted on the back surface of the upper semiconductor chip 1a, and comprises an upper substrate 5 having the same shape as the substrate 2.

【0029】この構成において、基板2の信号・電源の
配線と上層の半導体チップ1aのパッドとがはんだボー
ル3を介して接続され、かつ付加された上面基板5の信
号・電源の配線と下層の半導体チップ1bのパッドとが
はんだボール3を介して接続され、下層の半導体チップ
1bからも信号・電源が引き出せるようになっている。
In this configuration, the signal / power supply wiring of the substrate 2 and the pad of the upper semiconductor chip 1a are connected via the solder ball 3, and the added signal / power supply wiring of the upper substrate 5 is connected to the lower layer. The pads of the semiconductor chip 1b are connected via the solder balls 3, so that signals and power can be drawn from the lower semiconductor chip 1b.

【0030】従って、本実施の形態のマルチチップモジ
ュールによれば、前記実施の形態1と同様に、半導体チ
ップ1を近接して配置することができ、パッドからパッ
ドへの距離が短くなるので、信号の遅延時間を縮小する
ことができ、また半導体チップ1同士が重なり合う配置
になるので、基板2の大きさが小さくできるので、半導
体チップ1の実装率を上げることができ、さらに前記実
施の形態1に比べて、下層の半導体チップ1bからも信
号・電源が引き出せるので、基板2および上面基板5と
の入出力端子数を多くとることができる。
Therefore, according to the multi-chip module of the present embodiment, the semiconductor chips 1 can be arranged close to each other and the distance from pad to pad becomes short, as in the first embodiment. Since the delay time of the signal can be reduced and the semiconductor chips 1 are arranged so as to overlap each other, the size of the substrate 2 can be reduced, so that the mounting rate of the semiconductor chips 1 can be increased. 1, signals and power can be drawn from the lower semiconductor chip 1b, so that the number of input / output terminals with the substrate 2 and the upper substrate 5 can be increased.

【0031】以上、本発明者によってなされた発明をそ
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment, the invention is not limited to the embodiment, and various modifications may be made without departing from the gist of the invention. It goes without saying that it is possible.

【0032】たとえば、前記実施の形態においては、プ
ロセッサからなる複数の半導体チップが実装されたマル
チチップモジュールについて説明したが、これに限定さ
れるものではなく、メモリなどの半導体チップや、さら
にプロセッサとメモリとの組み合わせからなる複数の半
導体チップが実装されたマルチチップモジュールなどに
ついても広く適用可能である。
For example, in the above-described embodiment, a multi-chip module in which a plurality of semiconductor chips including a processor are mounted has been described. However, the present invention is not limited to this. The present invention can be widely applied to a multi-chip module in which a plurality of semiconductor chips composed of a combination with a memory are mounted.

【0033】[0033]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
Advantageous effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described.
It is as follows.

【0034】(1).重なり合う半導体チップのパッド同士
を直接はんだボールなどによって接続し、半導体チップ
を2層構造に積層した実装方式とすることで、半導体チ
ップを近接して配置することができるので、パッドから
パッドへの距離が短くなって信号の遅延時間を縮小する
ことが可能となる。
(1) The semiconductor chips can be arranged close to each other by using a mounting method in which the pads of the overlapping semiconductor chips are directly connected to each other by solder balls and the semiconductor chips are stacked in a two-layer structure. Thus, the distance from pad to pad is shortened, so that the signal delay time can be reduced.

【0035】(2).半導体チップ同士が重なり合う配置に
なるので、基板の大きさが小さくでき、かつチップ間距
離が縮小されることから、半導体チップの実装率を向上
させることが可能となる。
(2) Since the semiconductor chips are arranged so as to overlap each other, the size of the substrate can be reduced and the distance between the chips can be reduced, so that the mounting rate of the semiconductor chips can be improved.

【0036】(3).上面基板を付加して裏返しに実装し、
基板、上面基板の信号・電源の配線とそれぞれ上層、下
層の半導体チップのパッドとを接続する実装方式とする
ことで、基板との入出力端子数を増加させることが可能
となる。
(3) Add the top substrate and mount it upside down,
By adopting a mounting method of connecting the signal / power supply wiring of the substrate and the upper substrate to the pads of the upper and lower semiconductor chips, respectively, the number of input / output terminals with the substrate can be increased.

【0037】(4).前記(1) 〜(3) により、チップ間の信
号伝搬遅延時間を短縮するとともに、チップ実装密度を
向上させることができるマルチチップモジュールを実現
し、小形で高性能のシステムを構成することが可能とな
る。
(4) According to the above (1) to (3), a multi-chip module capable of shortening the signal propagation delay time between chips and improving the chip mounting density is realized. A system can be configured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態1であるマルチチップモジ
ュールを示す概略平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view showing a multichip module according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態1のマルチチップモジュー
ルにおいて、図1のII−II’切断線における概略断面図
である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II ′ of FIG. 1 in the multichip module according to the first embodiment of the present invention;

【図3】本発明の実施の形態1のマルチチップモジュー
ルの製造方法を示すフロー図である。
FIG. 3 is a flowchart showing a method for manufacturing the multi-chip module according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施の形態2であるマルチチップモジ
ュールを示す概略切断断面図である。
FIG. 4 is a schematic sectional view showing a multichip module according to a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体チップ 1a 上層の半導体チップ 1b 下層の半導体チップ 2 基板 2a 凹状部分 2b 凸状部分 3 はんだボール 4 接着材 5 上面基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor chip 1a Upper semiconductor chip 1b Lower semiconductor chip 2 Substrate 2a Concave part 2b Convex part 3 Solder ball 4 Adhesive material 5 Top substrate

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に複数の半導体チップが実装され
たマルチチップモジュールであって、前記複数の半導体
チップのうち、重なり合う半導体チップが互いに位置を
ずらして接続端子同士が直接はんだボールにより接続さ
れ、前記基板上に前記半導体チップが2層構造に積層さ
れてなることを特徴とするマルチチップモジュール。
1. A multi-chip module in which a plurality of semiconductor chips are mounted on a substrate, wherein, among the plurality of semiconductor chips, overlapping semiconductor chips are shifted from each other and connection terminals are directly connected by solder balls. A multi-chip module, wherein the semiconductor chips are stacked in a two-layer structure on the substrate.
【請求項2】 請求項1記載のマルチチップモジュール
であって、前記重なり合う半導体チップのうち、下層の
半導体チップは前記基板上に裏返しに実装され、かつ上
層の半導体チップは表向きに実装されて信号・電源の受
け渡しが行われ、前記基板への信号・電源の配線は前記
上層の半導体チップの接続端子から引き出されてなるこ
とを特徴とするマルチチップモジュール。
2. The multi-chip module according to claim 1, wherein, of the overlapping semiconductor chips, a lower semiconductor chip is mounted on the substrate upside down, and an upper semiconductor chip is mounted face-up. -A multi-chip module, wherein power is transferred, and wiring of signals and power to the substrate is drawn out from connection terminals of the upper semiconductor chip.
【請求項3】 請求項2記載のマルチチップモジュール
であって、前記基板には前記下層の半導体チップが裏返
しに実装される凹状部分が形成され、かつこの基板の凸
状部分で前記基板の信号・電源の配線と前記上層の半導
体チップの接続端子とが前記はんだボールを介して接続
されてなることを特徴とするマルチチップモジュール。
3. The multi-chip module according to claim 2, wherein the substrate has a concave portion on which the lower semiconductor chip is mounted upside down, and a signal of the substrate is formed by a convex portion of the substrate. A multi-chip module, wherein a power supply wiring and connection terminals of the upper semiconductor chip are connected via the solder balls;
【請求項4】 請求項3記載のマルチチップモジュール
であって、前記上層の半導体チップの裏面には前記基板
と同じ形状の上面基板が裏返しに実装され、前記基板の
信号・電源の配線と前記上層の半導体チップの接続端子
とが前記はんだボールを介して接続され、かつ前記上面
基板の信号・電源の配線と前記下層の半導体チップの接
続端子とが前記はんだボールを介して接続されてなるこ
とを特徴とするマルチチップモジュール。
4. The multi-chip module according to claim 3, wherein an upper substrate having the same shape as the substrate is mounted upside down on the back surface of the upper semiconductor chip, and the signal / power supply wiring of the substrate is connected to the upper surface. The connection terminals of the upper semiconductor chip are connected via the solder balls, and the signal / power wiring of the upper substrate and the connection terminals of the lower semiconductor chip are connected via the solder balls. A multi-chip module characterized by the following.
【請求項5】 請求項1、2、3または4記載のマルチ
チップモジュールであって、前記複数の半導体チップ
は、プロセッサ、メモリ、またはその組み合わせからな
ることを特徴とするマルチチップモジュール。
5. The multi-chip module according to claim 1, wherein said plurality of semiconductor chips comprise a processor, a memory, or a combination thereof.
【請求項6】 基板上に複数の半導体チップが実装され
たマルチチップモジュールの製造方法であって、前記基
板上の凹状部分に前記複数の半導体チップのうちの下層
の半導体チップを裏返しに実装する工程と、前記複数の
半導体チップのうちの上層の半導体チップの接続端子に
はんだボールを形成する工程と、前記下層の半導体チッ
プの接続端子と前記上層の半導体チップの接続端子上の
はんだボールとを接続するとともに、前記上層の半導体
チップの接続端子上のはんだボールと前記基板の凸状部
分の信号・電源の配線とを接続する工程とを含むことを
特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
6. A method of manufacturing a multi-chip module in which a plurality of semiconductor chips are mounted on a substrate, wherein a lower semiconductor chip of the plurality of semiconductor chips is mounted in a concave portion on the substrate. Forming a solder ball on a connection terminal of an upper semiconductor chip of the plurality of semiconductor chips; and forming a solder ball on the connection terminal of the lower semiconductor chip and the connection terminal of the upper semiconductor chip. Connecting the solder balls on the connection terminals of the semiconductor chip in the upper layer and the signal / power supply wiring on the convex portion of the substrate.
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