JPH11284266A - Optical pulse generating device - Google Patents

Optical pulse generating device

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JPH11284266A
JPH11284266A JP8474298A JP8474298A JPH11284266A JP H11284266 A JPH11284266 A JP H11284266A JP 8474298 A JP8474298 A JP 8474298A JP 8474298 A JP8474298 A JP 8474298A JP H11284266 A JPH11284266 A JP H11284266A
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JP
Japan
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semiconductor laser
short
optical
output
optical pulse
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JP8474298A
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Japanese (ja)
Inventor
Makoto Nogiwa
誠 野極
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TERA TEC KK
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TERA TEC KK
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce timing jitter without degrading output pulse intensity. SOLUTION: A driving circuit 2 wherein a semiconductor laser 3 is made to perform gain switch operation at the repetition frequency of the repetition signal outputted from a signal generating means 1 for generating short beam pulse, and a phase changing means 4 wherein the phase of the repetition signal outputted from the signal generating means 1 is changed by a specified amount, are provided. A short beam pulse generating means 6 generates the short beam pulse synchronous with the output signal of the phase changing means 4, and an optical wave-synthesizing means 5 inputs the output of the short beam pulse generating means 6 into the semiconductor laser 3, with the output of the semiconductor laser 3 taken outside.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、超高速光通信
や、光サンプリング等の計測技術において利用される短
光パルスを発生させる半導体レーザを有する光パルス発
生装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical pulse generator having a semiconductor laser for generating short optical pulses used in measurement techniques such as ultrahigh-speed optical communication and optical sampling.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体レーザを用いた短光パルスの発生
方法に利得スイッチング法がある。この利得スイッチン
グ法は、半導体レーザに短電流パルスを注入するだけで
数ピコ秒のパルス幅を持った光パルスが容易に発生でき
る方法である。しかし、発生させる光パルスの繰り返し
周波数を低くするとタイミングジッタが大きくなるとい
う問題がある。これは、半導体レーザ内部において、雑
音のようにランダムに発生する自然放出光により、半導
体レーザ内部の光子密度が揺らぐことが原因とされてい
る。
2. Description of the Related Art There is a gain switching method as a method for generating a short light pulse using a semiconductor laser. The gain switching method is a method that can easily generate an optical pulse having a pulse width of several picoseconds simply by injecting a short current pulse into a semiconductor laser. However, there is a problem that when the repetition frequency of the generated optical pulse is reduced, the timing jitter increases. This is because the photon density in the semiconductor laser fluctuates due to spontaneous emission light randomly generated like noise in the semiconductor laser.

【0003】一方、これに対し、利得スイッチングさせ
る半導体レーザに、別の光源の連続光を注入する方法
(以下、連続光注入法という)や、利得スイッチングさ
せる半導体レーザの出力光の一部を、一定時間遅らせた
後に、自身のレーザに戻す方法(以下、自己注入法とい
う)によって、前記のタイミングジッタを抑圧するもの
が提供されている。これらのタイミングジッタ抑圧方法
の原理は、利得スイッチングさせる半導体レーザに、外
部からほぼ等しい波長の誘導放出光を入力することで、
半導体レーザ内部に発生する自然放出光を抑圧し、これ
によって半導体レーザ内部の光子密度の揺らぎを押さ
え、結果としてタイミングジッタを抑圧するというもの
である。
On the other hand, a method of injecting continuous light from another light source into a semiconductor laser to be gain-switched (hereinafter referred to as a continuous light injection method) or a part of output light of the semiconductor laser to be gain-switched is used. There is provided a method of suppressing the timing jitter by a method of returning the laser to its own laser after a certain time delay (hereinafter referred to as a self-injection method). The principle of these timing jitter suppression methods is that by inputting stimulated emission light of approximately the same wavelength from the outside to the semiconductor laser for gain switching,
The spontaneous emission light generated inside the semiconductor laser is suppressed, whereby fluctuations in photon density inside the semiconductor laser are suppressed, and as a result, timing jitter is suppressed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな二つのタイミングジッタの抑圧方法のうち、連続光
注入法にあっては、注入する連続光の光強度を上げてい
くと、タイミングジッタの抑圧効果が向上する反面、注
入した連続光によって、注入した電流がパルス光になら
ない誘導放出光となって消費され、光パルスの強度が小
さくなってしまうという課題があった。また、前記自己
注入法は、戻す光パルスのタイミングを、半導体レーザ
の光パルス発生のタイミングと合わせる必要がある。さ
らに、光パルスの繰り返し周波数を変化させた場合は、
戻す光パルスのタイミングも合わせて変化させなくては
ならず、光の遅延量が可変できる光遅延回路等が必要と
なり、タイミング制御が複雑になるという課題があっ
た。
However, in the continuous light injection method among the two methods for suppressing the timing jitter, when the light intensity of the continuous light to be injected is increased, the timing jitter is suppressed. On the other hand, while the effect is improved, the injected continuous light consumes the injected current as stimulated emission light that does not become pulsed light, and the intensity of the light pulse is reduced. In the self-injection method, it is necessary to match the timing of the returning optical pulse with the timing of generating the optical pulse of the semiconductor laser. Furthermore, when the repetition frequency of the light pulse is changed,
The timing of the returning optical pulse must also be changed, and an optical delay circuit or the like that can change the amount of delay of light is required, and there has been a problem that timing control becomes complicated.

【0005】本発明は、このような課題を解決するもの
であり、半導体レーザの外部から自身と異なった光源の
パルス光を注入することによって、光パルスの強度を高
く保ちつつ、タイミングジッタを抑圧でき、複雑なタイ
ミング制御を必要としない光パルス発生装置を提供する
ことを目的とする。
The present invention solves such a problem, and suppresses timing jitter while maintaining the intensity of an optical pulse high by injecting pulse light from a light source different from itself from outside the semiconductor laser. It is an object of the present invention to provide an optical pulse generator which can be performed and does not require complicated timing control.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】前記目的達成のため、請
求項1の発明にかかる光パルス発生装置は、一定周期の
繰り返し信号を発生する信号発生手段と、該信号発生手
段が出力する繰り返し信号の繰り返し周波数で半導体レ
ーザを利得スイッチ動作させ、短光パルスを発生させる
駆動回路と、前記信号発生手段が出力する繰り返し信号
の位相を一定量変化させる位相変化手段とを設け、短光
パルス発生手段に、前記位相変化手段の出力信号に同期
した短光パルスを発生させ、光合波手段に、前記短光パ
ルス発生手段の出力を前記半導体レーザに入力させ、該
半導体レーザの出力を外部に取り出させるようにしたも
のである。
To achieve the above object, an optical pulse generator according to the first aspect of the present invention comprises a signal generator for generating a repetitive signal having a constant period, and a repetitive signal output by the signal generator. A drive circuit for causing a semiconductor laser to perform a gain switch operation at a repetition frequency of, and generating a short light pulse; and a phase change means for changing a phase of a repetition signal output by the signal generation means by a fixed amount. Generating a short light pulse synchronized with the output signal of the phase changing means, inputting the output of the short light pulse generating means to the semiconductor laser to the optical multiplexing means, and extracting the output of the semiconductor laser to the outside. It is like that.

【0007】また、請求項2の発明にかかる光パルス発
生装置は、前記短光パルス発生手段が前記半導体レーザ
に入力する短光パルスのタイミングを、その半導体レー
ザ内部のキャリア密度がしきい値に達する時間としたも
のである。
According to a second aspect of the present invention, in the optical pulse generator, the timing of the short optical pulse input to the semiconductor laser by the short optical pulse generating means is such that the carrier density inside the semiconductor laser is set to a threshold value. It is time to reach.

【0008】また、請求項3の発明にかかる光パルス発
生装置は、前記短光パルス発生手段が前記半導体レーザ
に入力する短光パルスのピークを、その半導体レーザ内
部のキャリア密度がしきい値に達する時間にくるように
したものである。
According to a third aspect of the present invention, in the optical pulse generating apparatus, the short optical pulse generating means sets the peak of the short optical pulse input to the semiconductor laser to the carrier density inside the semiconductor laser as a threshold value. It is time to reach.

【0009】また、請求項4の発明にかかる光パルス発
生装置は、前記短光パルス発生手段に、これが出力する
短光パルスの光強度を強める光増幅器を接続するように
したものである。
Further, in the optical pulse generating apparatus according to the present invention, an optical amplifier for increasing the light intensity of the short optical pulse outputted from the short optical pulse generating means is connected to the short optical pulse generating means.

【0010】また、請求項5の発明にかかる光パルス発
生装置は、前記光増幅器の出力側に、自然放出雑音を抑
圧するための光バンドパスフィルタを接続するようにし
たものである。
In the optical pulse generator according to the invention, an optical band-pass filter for suppressing spontaneous emission noise is connected to the output side of the optical amplifier.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態に
ついて説明する。図1はこの発明の実施の一形態による
光パルス発生装置を示すブロック図であり、同図におい
て、1は一定周期の繰り返し信号を発生する信号発生手
段としての信号発生器、2は該信号発生器1が出力する
繰り返し信号の繰り返し周波数で、半導体レーザ3を利
得スイッチ動作させることにより、短光パルスを発生さ
せる駆動回路、4は前記信号発生器1が出力する繰り返
し信号の位相を一定量変化させる位相変化手段としての
位相シフタ、6はこの位相シフタ4の出力信号に同期し
た短光パルスを発生する短光パルス発生手段としての短
光パルス発生回路、5はこの短光パルス発生回路6の出
力を前記半導体レーザ3に入力し、この半導体レーザ3
の出力を外部に取り出すための光合波手段としての光合
波器である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below. FIG. 1 is a block diagram showing an optical pulse generating apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a signal generator as a signal generating means for generating a repetitive signal having a constant period; A drive circuit that generates a short optical pulse by causing the semiconductor laser 3 to perform a gain switch operation at the repetition frequency of the repetition signal output from the signal generator 1 changes the phase of the repetition signal output from the signal generator 1 by a fixed amount. A phase shifter 6 as a phase changing means for causing a short light pulse generating circuit as a short light pulse generating means for generating a short light pulse synchronized with an output signal of the phase shifter 4, and 5 is a short light pulse generating circuit 6 The output is input to the semiconductor laser 3 and the semiconductor laser 3
Is an optical multiplexer as an optical multiplexing means for taking out the output of the above.

【0012】次に動作を説明する。まず、ある一定周期
の繰り返し信号を発生する信号発生器1の出力を、駆動
回路2と位相シフタ4に入力する。このうち、駆動回路
2は、バイアスのための直流電流成分に、信号発生器1
の出力の繰り返し周波数に同期した短電流パルスを重畳
して、半導体レーザ3へ出力する。一方、位相シフタ4
は信号発生器1の出力の位相を一定量シフトさせて、短
光パルス発生回路6へ出力する。短光パルス発生回路6
は位相シフタ4の出力信号に同期して短光パルスを発生
し、この短光パルスを光合波器5を介して半導体レーザ
3へ出力する。半導体レーザ3は利得スイッチング法に
もとづき、駆動回路2からの信号発生器1の出力の繰り
返し周波数に同期した繰り返し周波数の短光パルスを、
光合波器5へ出力する。光合波器5は短光パルス発生回
路6の出力を半導体レーザ3へ出力するとともに、半導
体レーザ3の出力をこの発明の光パルス発生装置の出力
信号として出力する。
Next, the operation will be described. First, an output of the signal generator 1 that generates a repetitive signal having a certain period is input to the drive circuit 2 and the phase shifter 4. The drive circuit 2 converts the DC current component for bias into a signal generator 1
And a short current pulse synchronized with the repetition frequency of the output is superimposed and output to the semiconductor laser 3. On the other hand, the phase shifter 4
Shifts the phase of the output of the signal generator 1 by a fixed amount, and outputs it to the short optical pulse generation circuit 6. Short light pulse generation circuit 6
Generates a short optical pulse in synchronization with the output signal of the phase shifter 4, and outputs the short optical pulse to the semiconductor laser 3 via the optical multiplexer 5. The semiconductor laser 3 generates a short optical pulse having a repetition frequency synchronized with the repetition frequency of the output of the signal generator 1 from the drive circuit 2 based on a gain switching method.
Output to the optical multiplexer 5. The optical multiplexer 5 outputs the output of the short optical pulse generation circuit 6 to the semiconductor laser 3, and outputs the output of the semiconductor laser 3 as an output signal of the optical pulse generation device of the present invention.

【0013】ここで、短光パルス発生回路6が出力する
光パルスの波長は、半導体レーザ3が出力する短光パル
スの波長とほぼ等しいか、やや短い波長に設定する。図
2(b)は、短光パルス発生回路6が出力し、半導体レ
ーザ3へ入力する光パルスの強度の時間変化を示す入力
光強度特性図であり、図2(a)は半導体レーザ3内部
のキャリア密度の時間変化を示すキャリア密度特性図で
ある。短光パルス発生回路6が出力し、半導体レーザ3
へ入力する光パルスのタイミングは、半導体レーザ3内
部のキャリア密度がしきい値に達する時間に光パルス
(光入力強度)のピーク値が来るように、位相シフタ4
のシフト量を調節する。このような位相調整によって、
連続光注入法と異なり、半導体レーザ3に注入した電流
が、パルス光にならない誘導放出光となって消費される
ことが少なくなり、注入する光パルスの強度を上げて
も、半導体レーザ3が出力する光パルス強度は減少しな
い。また、短光パルス発生回路6で発生させる短光パル
スの繰り返し周波数を変化させても、半導体レーザ3に
注入する光パルスのタイミングは、位相シフタによって
相対的に一定となるため、自己注入法のような複雑なタ
イミング制御を必要としない。さらに、タイミングジッ
タが低減できる。
Here, the wavelength of the light pulse output from the short light pulse generation circuit 6 is set to be substantially equal to or slightly shorter than the wavelength of the short light pulse output from the semiconductor laser 3. FIG. 2B is an input light intensity characteristic diagram showing a temporal change in the intensity of the light pulse output from the short light pulse generation circuit 6 and input to the semiconductor laser 3, and FIG. FIG. 4 is a carrier density characteristic diagram showing a change in carrier density over time. The short light pulse generation circuit 6 outputs the semiconductor laser 3
The timing of the optical pulse input to the phase shifter 4 is such that the peak value of the optical pulse (optical input intensity) comes at the time when the carrier density inside the semiconductor laser 3 reaches the threshold value.
Adjust the shift amount of. By such a phase adjustment,
Unlike the continuous light injection method, the current injected into the semiconductor laser 3 is less consumed as stimulated emission light that does not become pulsed light, and the semiconductor laser 3 can output even if the intensity of the injected light pulse is increased. The light pulse intensity does not decrease. Further, even if the repetition frequency of the short light pulse generated by the short light pulse generation circuit 6 is changed, the timing of the light pulse to be injected into the semiconductor laser 3 is relatively constant by the phase shifter. There is no need for such complicated timing control. Further, timing jitter can be reduced.

【0014】ここで、短光パルス発生回路6としては、
図3に示すように、連続発振する単一波長光源としての
半導体レーザ10と光変調器11を組み合わせた回路
や、図4に示すように、短電流パルス発生回路12と半
導体レーザ13を組み合わせた、半導体レーザ13の利
得スイッチング法による回路や、図5に示すような高繰
り返し短電流パルス発生回路14と半導体レーザ15と
光変調器16を組み合わせた回路等を用いることができ
る。また、光合波器5としては光ファイバカップラ,偏
光ビームスプリッタ,無偏光ビームスプリッタ,光サー
キュレータ,ハーフミラー等を用いることができる。
Here, as the short light pulse generation circuit 6,
As shown in FIG. 3, a circuit in which a semiconductor laser 10 as a continuous wave single wavelength light source and an optical modulator 11 are combined, and as shown in FIG. 4, a short current pulse generating circuit 12 and a semiconductor laser 13 are combined. Alternatively, a circuit based on the gain switching method of the semiconductor laser 13 or a circuit in which the high repetition short current pulse generation circuit 14, the semiconductor laser 15, and the optical modulator 16 are combined as shown in FIG. 5 can be used. Further, as the optical multiplexer 5, an optical fiber coupler, a polarizing beam splitter, a non-polarizing beam splitter, an optical circulator, a half mirror, or the like can be used.

【0015】図6は、この発明の実施の他の形態による
光パルス発生装置を示すブロック図である。同図におい
て、図1の各部に対応する部分には同一の符号を付して
あり、その重複する説明を省略する。図6に示す実施の
形態が図1に示す実施の形態と異なる点は、短光パルス
発生回路6の出力を光増幅器7で増幅していることであ
る。この光増幅器7によって半導体レーザ3へ入力する
光パルスの光強度を大きくすることができ、タイミング
ジッタの低減効果が高まる。なお、この光増幅器7の出
力側には、この光増幅器7が発生する自然放出光雑音
(ASE)を抑圧させるために、光バンドパスフィルタ
8が接続されている。なお、このような自然放出雑音の
レベルが十分低く、タイミングジッタの低減をする必要
がなければ、必ずしも、この光バンドパスフィルタ8を
用いる必要はない。
FIG. 6 is a block diagram showing an optical pulse generator according to another embodiment of the present invention. In the figure, parts corresponding to the respective parts in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. The embodiment shown in FIG. 6 differs from the embodiment shown in FIG. 1 in that the output of the short optical pulse generation circuit 6 is amplified by an optical amplifier 7. The optical amplifier 7 can increase the light intensity of the light pulse input to the semiconductor laser 3 and increase the effect of reducing timing jitter. An optical bandpass filter 8 is connected to the output side of the optical amplifier 7 in order to suppress spontaneous emission noise (ASE) generated by the optical amplifier 7. If the level of the spontaneous emission noise is sufficiently low and it is not necessary to reduce the timing jitter, it is not necessary to use the optical bandpass filter 8.

【0016】[0016]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、利得
スイッチング法によって短光パルスを発生及び出力する
半導体レーザに、半導体レーザ内部のキャリア密度がし
きい値に達する時間に外部からパルス光を注入すること
によって、半導体レーザ内部に発生する自然放出光を抑
圧でき、これにより半導体レーザ内部の光子密度の揺ら
ぎを押さえられ、結果としてタイミングジッタが抑圧さ
れるという効果が得られる。また、外部から注入するパ
ルス光は半導体レーザのキャリア密度が高い時間だけ注
入されることで、連続光注入法と異なり、半導体レーザ
に注入した電流がパルス光にならない誘導放出光となっ
て消費されることが少なくなり、注入する光パルスの強
度を上げても、半導体レーザが出力する光パルス強度は
減少しないという利点が得られる。また、発生させる短
光パルスの繰り返し周波数を変化させても、半導体レー
ザに注入する光パルスのタイミングは位相シフタによっ
て相対的に一定となるため、自己注入法の様に複雑なタ
イミング制御を必要としないという効果が得られる。
As described above, according to the present invention, a semiconductor laser which generates and outputs a short optical pulse by the gain switching method is supplied with a pulse light from the outside during the time when the carrier density inside the semiconductor laser reaches the threshold value. Injection of the semiconductor laser can suppress spontaneous emission light generated inside the semiconductor laser, thereby suppressing fluctuation of the photon density inside the semiconductor laser, and as a result, obtaining an effect of suppressing timing jitter. Also, unlike the continuous light injection method, the pulsed light injected from the outside is injected only during the period when the carrier density of the semiconductor laser is high, so that the current injected into the semiconductor laser is consumed as stimulated emission light that does not become pulsed light. This is advantageous in that even if the intensity of the optical pulse to be injected is increased, the intensity of the optical pulse output from the semiconductor laser does not decrease. Also, even if the repetition frequency of the short light pulse to be generated is changed, the timing of the light pulse to be injected into the semiconductor laser is relatively constant by the phase shifter. The effect of not being obtained is obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の一形態による光パルス発生
装置を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an optical pulse generator according to an embodiment of the present invention.

【図2】 この発明における半導体レーザ内部のキャリ
ア密度の時間変化を示すキャリア密度特性図およびこの
発明における半導体レーザへ入力する光パルス強度の時
間変化を示す入力光強度特性図である。
FIG. 2 is a carrier density characteristic diagram showing a temporal change of a carrier density inside a semiconductor laser according to the present invention, and an input light intensity characteristic diagram showing a temporal change of a light pulse intensity input to the semiconductor laser according to the present invention.

【図3】 図1における短光パルス発生回路の具体例を
示すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing a specific example of a short light pulse generation circuit in FIG. 1;

【図4】 図1における短光パルス発生回路の他の具体
例を示すブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing another specific example of the short light pulse generation circuit in FIG. 1;

【図5】 図1における短光パルス発生回路の他の具体
例を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing another specific example of the short light pulse generation circuit in FIG. 1;

【図6】 この発明の実施の他の形態による光パルス発
生装置を示すブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram showing an optical pulse generator according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 信号発生器(信号発生手段) 2 駆動回路 3 半導体レーザ 4 位相シフタ(位相変化手段) 5 光合波器(光合波手段) 6 短光パルス発生回路(短光パルス発生手段) 7 光増幅器 8 光バンドパスフィルタ REFERENCE SIGNS LIST 1 signal generator (signal generating means) 2 drive circuit 3 semiconductor laser 4 phase shifter (phase changing means) 5 optical multiplexer (optical combining means) 6 short optical pulse generating circuit (short optical pulse generating means) 7 optical amplifier 8 light Bandpass filter

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一定周期の繰り返し信号を発生する信号
発生手段と、 該信号発生手段が出力する繰り返し信号の繰り返し周波
数で半導体レーザを利得スイッチ動作させ、短光パルス
を発生させる駆動回路と、 前記信号発生手段が出力する繰り返し信号の位相を一定
量変化させる位相変化手段と、 該位相変化手段の出力信号に同期した短光パルスを発生
する短光パルス発生手段と、 該短光パルス発生手段の出力を前記半導体レーザに入力
し、該半導体レーザの出力を外部に取り出すための光合
波手段とを備えたことを特徴とする光パルス発生装置。
1. A signal generating means for generating a repetitive signal having a constant period, a drive circuit for performing a gain switch operation of a semiconductor laser at a repetition frequency of the repetitive signal output by the signal generating means, and generating a short optical pulse; Phase change means for changing the phase of the repetitive signal output by the signal generation means by a fixed amount; short light pulse generation means for generating a short light pulse synchronized with the output signal of the phase change means; An optical pulse generator comprising: an optical multiplexing means for inputting an output to the semiconductor laser and extracting an output of the semiconductor laser to the outside.
【請求項2】 前記短光パルス発生手段が前記半導体レ
ーザに入力する短光パルスのタイミングを、その半導体
レーザ内部のキャリア密度がしきい値に達する時間とす
ることを特徴とする請求項1に記載の光パルス発生装
置。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the timing of the short light pulse input to the semiconductor laser by the short light pulse generating means is a time at which a carrier density inside the semiconductor laser reaches a threshold value. An optical pulse generator according to any of the preceding claims.
【請求項3】 前記短光パルス発生手段が前記半導体レ
ーザに入力する短光パルスのピークが、その半導体レー
ザ内部のキャリア密度がしきい値に達する時間にくるよ
うにしたことを特徴とする請求項1に記載の光パルス発
生装置。
3. The method according to claim 1, wherein the short light pulse input to the semiconductor laser by the short light pulse generating means has a peak at a time when a carrier density inside the semiconductor laser reaches a threshold value. Item 2. An optical pulse generator according to Item 1.
【請求項4】 前記短光パルス発生手段に、これが出力
する短光パルスの光強度を強める光増幅器が接続されて
いることを特徴とする請求項1から請求項3までのいず
れかに記載の光パルス発生装置。
4. The short optical pulse generator according to claim 1, wherein an optical amplifier for increasing the light intensity of the short optical pulse output from the short optical pulse generator is connected to the short optical pulse generator. Optical pulse generator.
【請求項5】 前記光増幅器の出力側に、自然放出雑音
を抑圧するための光バンドパスフィルタが接続されてい
ることを特徴とする請求項4に記載の光パルス発生装
置。
5. The optical pulse generator according to claim 4, wherein an optical bandpass filter for suppressing spontaneous emission noise is connected to an output side of the optical amplifier.
JP8474298A 1998-03-30 1998-03-30 Optical pulse generating device Pending JPH11284266A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006053343A (en) * 2004-08-11 2006-02-23 Furukawa Electric Co Ltd:The Pulse generator, pulse amplifier, pulse compressor, and pulse generating device equipped with them
JP2007180452A (en) * 2005-12-28 2007-07-12 Furukawa Electric Co Ltd:The Driving control apparatus of semiconductor laser and driving control method thereof

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