JP2697640B2 - Optical clock generator - Google Patents

Optical clock generator

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JP2697640B2
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弘之 横山
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光通信、光計測に有用
な超高速繰り返しの超短光パルス列を発生する光クロッ
ク発生器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical clock generator for generating an ultrahigh-speed repetition ultrashort optical pulse train useful for optical communication and optical measurement.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、超高速の光通信、光情報処理の基
本技術として数十GHz以上の繰り返し周波数を有する
光パルス列の発生を可能にする技術の要求が高まってい
る。高速光パルスを発生させる光オシレータの1つとし
て、2セクションまたは3セクション構造によりモード
同期動作する半導体レーザが挙げられる。このデバイス
では、電極によって分離された1つのセクションに逆バ
イアスを印加して可飽和吸収領域として作用させること
により、受動モード同期とよばれる動作モードで周期的
なピコ秒光パルス列が生成される。
2. Description of the Related Art In recent years, there has been an increasing demand for a technology capable of generating an optical pulse train having a repetition frequency of several tens of GHz or more as a basic technology of ultrahigh-speed optical communication and optical information processing. As one of optical oscillators that generate high-speed optical pulses, there is a semiconductor laser that operates in a mode-locked manner with a two-section or three-section structure. In this device, a periodic picosecond optical pulse train is generated in an operation mode called passive mode locking by applying a reverse bias to one section separated by an electrode to act as a saturable absorption region.

【0003】通常、このような光パルス列ではパルスの
周期の揺らぎが大きいため、これを低減する目的で光パ
ルスの繰り返しと等しい周波数を有する安定化された電
気的高周波発生源からの出力を半導体レーザに加える方
法が取られる。この技術については、たとえばデリクソ
ン(D.J.Derickson)らによるジャーナル
オブカンタムエレクトロニクス(IEEE J.Qua
ntum Electron.)誌の第28巻10号の
p.2186からp.2202にわたって掲載された論
文の中に述べられている。図2は従来の光クロック発生
器であるハイブリッド型モード同期半導体レーザの構成
を示している。この構成ではモード同期半導体レーザ8
は、利得領域9への直流電源B10による直流電流の供
給と、可飽和吸収領域11へのバイアス電源12による
逆バイアスの印加で受動モード同期動作をし、さらに動
作の安定化のために、バイアスティー4を介し可飽和吸
収領域11に対して出力光パルス列14と繰り返し周波
数の等しい高周波信号を信号発生器3によって印加す
る。
Usually, in such an optical pulse train, the fluctuation of the pulse period is large, and in order to reduce the fluctuation, the output from a stabilized electric high-frequency generation source having the same frequency as the repetition of the optical pulse is applied to a semiconductor laser. Is taken. This technology is described, for example, by DJ Derrickson et al. In Journal of Quantum Electronics (IEEE J. Qua).
ntum Electron. Vol. 28, No. 10, p. 2186 to p. It is stated in a paper published over 2202. FIG. 2 shows a configuration of a hybrid mode-locked semiconductor laser which is a conventional optical clock generator. In this configuration, the mode-locked semiconductor laser 8
Performs a passive mode-locking operation by supplying a DC current to a gain region 9 by a DC power supply B10 and applying a reverse bias by a bias power supply 12 to a saturable absorption region 11; A high-frequency signal having the same repetition frequency as the output light pulse train 14 is applied to the saturable absorption region 11 via the tee 4 by the signal generator 3.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】光通信応用では、光パ
ルスの繰り返し周波数の精度や動作の安定性を極力安定
化することが必要である。上記のモード同期半導体レー
ザにおいては、受動モード同期という光学的な非線形現
象を高周波による変調によって安定化するのであるが、
この方法によっても光通信に要求される安定度を達成す
るのは容易でない。電気的変調による十分な安定化のた
めには30dBm程度の高周波を半導体レーザに入力し
なければならない。しかし、このような高出力の超高周
波を使用するにはきわめて特殊な機器や部品が必要とな
り、装置が大型かつ高価になるという問題が生じる。
In optical communication applications, it is necessary to stabilize the accuracy of the repetition frequency of optical pulses and the stability of operation as much as possible. In the above-described mode-locked semiconductor laser, the optical nonlinear phenomenon called passive mode-locking is stabilized by modulation at a high frequency.
Even with this method, it is not easy to achieve the stability required for optical communication. For sufficient stabilization by electric modulation, a high frequency of about 30 dBm must be input to the semiconductor laser. However, the use of such a high-output ultra-high frequency requires extremely special equipment and components, which causes a problem that the apparatus becomes large and expensive.

【0005】本発明の目的は、上述した従来の光クロッ
ク発生器の持つ欠点を除去した、小型かつ安価で周波数
の安定化がしやすい光クロック発生器を提供することに
ある。
An object of the present invention is to provide an optical clock generator which is small, inexpensive and easy to stabilize the frequency, eliminating the above-mentioned disadvantages of the conventional optical clock generator.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明による光クロック
発生器は、励起電流の直接変調により周期的な光パルス
列を発生する第1の半導体レーザと、この半導体レーザ
からの光出力の少なくとも一部を結合させる手段と、可
飽和吸収領域を有する第2の半導体レーザを備えたこと
を特徴とする。また、定常的な連続光を発生する第1の
半導体レーザと、この半導体レーザからの光出力を強度
変調して周期的な光パルス列を発生させる手段と、この
光パルス列出力の少なくとも一部を結合させる手段と、
可飽和吸収領域を有する第2の半導体レーザを備えたこ
とを特徴とする。そして、第2の半導体レーザは可飽和
吸収作用によりセルフパルセーション動作または受動モ
ード同期動作をすることを特徴としている。
An optical clock generator according to the present invention comprises a first semiconductor laser for generating a periodic optical pulse train by direct modulation of an excitation current, and at least a part of an optical output from the semiconductor laser. And a second semiconductor laser having a saturable absorption region. A first semiconductor laser for generating a continuous continuous light; a means for intensity-modulating an optical output from the semiconductor laser to generate a periodic optical pulse train; and at least a part of the output of the optical pulse train. Means to cause
A second semiconductor laser having a saturable absorption region is provided. The second semiconductor laser is characterized by performing a self-pulsation operation or a passive mode-locking operation by saturable absorption.

【0007】[0007]

【作用】本発明では、安定化された周期的光パルス列の
注入を行いセルフパルセーション半導体レーザや受動モ
ード同期半導体レーザを注入同期動作によって安定化さ
せる。安定化した光パルス列は半導体レーザの励起電流
の直接変調、または連続発振する半導体レーザの出力を
光強度変調器によって強度変調することによって得られ
る。しかし、これらの光パルスは通常10ps以上の時
間幅を有するので、光マルチプレクスによって分離のよ
い数十GHzの繰り返し周波数の光パルス列を得るのは
困難である。そこで、このような光パルス列を10GH
z程度の周波数で生成させ、その光を可飽和吸収領域を
有する半導体レーザに注入することで時間幅が圧縮され
た光パルス列を得る。このとき、可飽和吸収領域を有す
る半導体レーザの動作パルス周波数は、注入する光パル
ス列の繰り返し周波数に一致するような設定を行う。光
注入される半導体レーザのうち特に受動モード同期半導
体レーザでは光パルスの共振器内の周回現象によりパル
ス圧縮が有効に生じる。また、光注入される半導体レー
ザからの光パルス周波数が注入光パルス列と同様に安定
化されるのは、注入光の中心光周波数および位相同期し
たサイドバンドへの周波数引き込み現象による。すなわ
ち、可飽和吸収作用を有する半導体レーザ内の光学的非
線形現象を電気的な変調によってではなく、外部からの
光入力による光学的な方法で効率的に安定化を図ること
ができる。
According to the present invention, a stabilized periodic optical pulse train is injected to stabilize a self-pulsation semiconductor laser or a passive mode-locked semiconductor laser by injection locking operation. The stabilized optical pulse train can be obtained by directly modulating the excitation current of the semiconductor laser or by intensity-modulating the output of the continuously oscillating semiconductor laser with the light intensity modulator. However, since these optical pulses usually have a time width of 10 ps or more, it is difficult to obtain an optical pulse train with a repetition frequency of several tens of GHz that is well separated by optical multiplexing. Therefore, such an optical pulse train is set to 10 GHz.
The light pulse is generated at a frequency of about z, and the light is injected into a semiconductor laser having a saturable absorption region to obtain an optical pulse train with a reduced time width. At this time, the operation pulse frequency of the semiconductor laser having the saturable absorption region is set so as to match the repetition frequency of the optical pulse train to be injected. Among the semiconductor lasers to be light-injected, in particular, in a passive mode-locked semiconductor laser, pulse compression is effectively generated by a circulating phenomenon in a resonator of an optical pulse. Further, the reason why the light pulse frequency from the semiconductor laser to be light-injected is stabilized in the same manner as the light pulse train is due to the central light frequency of the injected light and the frequency pull-in phenomenon to the phase-locked side band. That is, the optical nonlinear phenomenon in the semiconductor laser having the saturable absorption function can be efficiently stabilized not by electric modulation but by an optical method using external light input.

【0008】[0008]

【実施例】次に、本発明について図面を参照して実施例
を示す。図1は、本発明を適用した光クロック発生器の
構成の一実施例を模式的に表している。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 schematically shows an embodiment of a configuration of an optical clock generator to which the present invention is applied.

【0009】半導体レーザ1は、直流電流A2による直
流電流と信号発生器3からの高周波または周期的パルス
信号とによりバイアスティー4を介して駆動されること
で、揺らぎの少ない入力光パルス列5を生成する。この
入力光パルス列5はコリメーションレンズ6およびフォ
ーカスレンズ7によってモード同期半導体レーザ8に結
合させられる。また図示していないがコリメーションレ
ンズ6とフォーカスレンズ7の間にはアイソレータが配
置される。モード同期半導体レーザ8は、利得領域9へ
の直流電源B10による直流電流の供給と可飽和吸収領
域11へのバイアス電源12による逆バイアスの印加で
受動モード同期動作をするが、繰り返し周波数の等しい
入力光パルス列5の入射によりこれへの同期作用により
モード同期動作の揺らぎが抑制される。このようにし
て、揺らぎが少なくかつ時間幅の狭い安定な光同期出力
光パルス列13が得られる。
The semiconductor laser 1 is driven through a bias tee 4 by a DC current generated by a DC current A2 and a high frequency or periodic pulse signal from a signal generator 3, thereby generating an input optical pulse train 5 with little fluctuation. I do. This input light pulse train 5 is coupled to a mode-locked semiconductor laser 8 by a collimation lens 6 and a focus lens 7. Although not shown, an isolator is arranged between the collimation lens 6 and the focus lens 7. The mode-locked semiconductor laser 8 performs a passive mode-locking operation by supplying a direct current to the gain region 9 by the direct-current power supply B10 and applying a reverse bias to the saturable absorption region 11 by the bias power supply 12; The incidence of the optical pulse train 5 suppresses the fluctuation of the mode-locking operation due to the synchronizing action thereon. In this way, a stable optical synchronous output optical pulse train 13 with little fluctuation and a narrow time width can be obtained.

【0010】本実施例では、半導体レーザ1として全長
が約0.5mmのInGaAs/InGaAsP多重量子
井戸構造を有する分布帰還型レーザを用いた。信号発生
器3からの高周波周波数は10GHzとした。また、モ
ード同期半導体レーザ8は、全長が約4mmのInGaA
s/InGaAsP多重量子井戸構造を有する2電極の
劈開面反射型レーザを用いた。適切な条件でこれらの半
導体レーザを動作させることにより、半導体レーザ1か
ら時間幅約20psの入力光パルス列5が得られ、また
それを100mW程度モード同期半導体レーザ8に結合
させることでタイミング揺らぎが入力光パルス列5と同
程度に抑制された時間幅約5psの光同期出力光パルス
列13が得られた。
In this embodiment, a distributed feedback laser having an InGaAs / InGaAsP multiple quantum well structure having a total length of about 0.5 mm is used as the semiconductor laser 1. The high frequency from the signal generator 3 was 10 GHz. The mode-locked semiconductor laser 8 has an InGaAs of about 4 mm in total length.
A two-electrode cleaved surface reflection laser having an s / InGaAsP multiple quantum well structure was used. By operating these semiconductor lasers under appropriate conditions, an input optical pulse train 5 having a time width of about 20 ps is obtained from the semiconductor laser 1, and the timing fluctuation is input by coupling it to the mode-locked semiconductor laser 8 of about 100 mW. An optically synchronized output optical pulse train 13 having a time width of about 5 ps and suppressed to the same degree as the optical pulse train 5 was obtained.

【0011】なお、実施例では、InGaAs系多重量
子井戸構造を有する半導体レーザを実施例に記載した
が、原理的な見地から特定の材料系に限定されず、また
モード同期半導体レーザの共振器の反射鏡は劈開面によ
る代わりに分布帰還構造によって構成してもよいことは
明らかである。また、レンズの代わりにファイバーを用
いてもよい。さらに、上記の実施例では、可飽和吸収領
域を有する半導体レーザとして受動モード同期半導体レ
ーザを用いた場合を示したが、光パルスの時間幅が約1
0psでよい場合にはセルフパルセーション動作をする
半導体レーザを使用することができる。また、上記の実
施例では、安定化された入力光パルスの発生源として電
流の直接変調による半導体レーザの場合について述べた
が、入力光パルスを生成するためには連続動作の半導体
レーザからの光出力を光強度変調器によって強度変調し
てもよい。
In the embodiment, a semiconductor laser having an InGaAs multiple quantum well structure has been described in the embodiment. However, the semiconductor laser is not limited to a specific material system from a theoretical point of view. Obviously, the reflecting mirror may be constituted by a distributed feedback structure instead of a cleavage plane. Further, a fiber may be used instead of the lens. Further, in the above-described embodiment, the case where the passive mode-locked semiconductor laser is used as the semiconductor laser having the saturable absorption region has been described.
If 0 ps is sufficient, a semiconductor laser that performs a self-pulsation operation can be used. Further, in the above embodiment, the case where the semiconductor laser by the direct modulation of the current is used as the source of the stabilized input light pulse is described. However, in order to generate the input light pulse, the light from the continuously operating semiconductor laser is required. The output may be intensity modulated by a light intensity modulator.

【0012】[0012]

【発明の効果】以上、本発明によれば、電気的な制御系
への負担が軽い構成によって、今後の超高速光通信応用
上重要な十分に安定化されたピコ秒領域の光パルスを得
ることができる。
As described above, according to the present invention, a light pulse having a sufficiently stabilized picosecond region, which is important for future ultrahigh-speed optical communication applications, can be obtained by a configuration in which the load on the electric control system is light. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明を適用した光クロック発生器の実施例の
模式図である。
FIG. 1 is a schematic diagram of an embodiment of an optical clock generator to which the present invention is applied.

【図2】従来の光クロック発生器の構成を示す図であ
る。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a conventional optical clock generator.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザ 2 直流電源A 3 信号発生器 4 バイアスティー 5 入力光パルス列 6 コリメーションレンズ 7 フォーカスレンズ 8 モード同期半導体レーザ 9 利得領域 10 直流電源B 11 可飽和吸収領域 12 バイアス電源B 13 光同期出力光パルス列 14 出力光パルス列 Reference Signs List 1 semiconductor laser 2 DC power supply A 3 signal generator 4 bias tee 5 input optical pulse train 6 collimation lens 7 focus lens 8 mode-locked semiconductor laser 9 gain area 10 DC power supply B 11 saturable absorption area 12 bias power supply B 13 optical synchronization output light Pulse train 14 Output optical pulse train

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 励起電流の直接変調により周期的な光パ
ルス列を発生する第1の半導体レーザと、可飽和吸収領
域を有しそれ自身で周期的な光パルス列を発生する第2
の半導体レーザと、前記第1の半導体レーザからの光出
力の少なくとも一部を前記第2の半導体レーザに結合さ
せて前記第2の半導体レーザの発生する光パルス列のタ
イミングの揺らぎを抑制する手段とを備えたことを特徴
とする光クロック発生器。
1. A first semiconductor laser for generating a periodic optical pulse train by direct modulation of the excitation current, the second for generating a periodic optical pulse train Yu was itself a saturable absorption region
Semiconductor laser and light output from the first semiconductor laser.
Coupling at least a portion of the force to the second semiconductor laser;
Of the optical pulse train generated by the second semiconductor laser.
An optical clock generator comprising: means for suppressing fluctuations of the imaging .
【請求項2】 定常的な連続光を発生する第1の半導体
レーザと、この半導体レーザからの光出力を強度変調し
て周期的な光パルス列を発生させる手段と、可飽和吸収
領域を有しそれ自身で周期的な光パルス列を発生する
2の半導体レーザと、前記発生させる手段からの光パル
ス列出力の少なくとも一部を前記第2の半導体レーザに
結合させて前記第2の半導体レーザの発生する光パルス
列のタイミングの揺らぎを抑制する手段とを備えたこと
を特徴とする光クロック発生器。
2. A first semiconductor laser for generating a steady continuous light, means for generating a periodic optical pulse train of light output intensity modulated and from the semiconductor laser, have a saturable absorption region A second semiconductor laser that generates a periodic optical pulse train by itself, and an optical pulse from the generating means.
At least a portion of the laser output to the second semiconductor laser
Optical pulses generated by the second semiconductor laser when combined
Means for suppressing fluctuations in column timing .
【請求項3】 前記第2の半導体レーザは可飽和吸収作
用によりセルフパルセーション動作をすることを特徴と
する請求項1または2記載の光クロック発生器。
Wherein optical clock generator of claim 1, wherein that the self-pulsation operation by the second semiconductor laser saturable absorption.
【請求項4】 前記第2の半導体レーザは可飽和吸収作
用により受動モード同期動作をすることを特徴とする請
求項1または2記載の光クロック発生器。
4. The optical clock generator according to claim 1 or 2, wherein said second semiconductor laser is characterized in that a passive mode-locking operation by the saturable absorber action.
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