JPH11281665A - Semiconductor acceleration sensor - Google Patents

Semiconductor acceleration sensor

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Publication number
JPH11281665A
JPH11281665A JP7986298A JP7986298A JPH11281665A JP H11281665 A JPH11281665 A JP H11281665A JP 7986298 A JP7986298 A JP 7986298A JP 7986298 A JP7986298 A JP 7986298A JP H11281665 A JPH11281665 A JP H11281665A
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JP
Japan
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sensor element
opening
rod
acceleration sensor
acceleration
Prior art date
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Application number
JP7986298A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Muramatsu
博之 村松
Kenji Shiraki
健二 白木
Masataka Araogi
正隆 新荻
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SII R&D Center Inc
Original Assignee
SII R&D Center Inc
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Publication date
Application filed by SII R&D Center Inc filed Critical SII R&D Center Inc
Priority to JP7986298A priority Critical patent/JPH11281665A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor acceleration sensor which can be protected against damage due to dropping impact and can be assembled easily. SOLUTION: A rectangular prism weight 20 having a conical opening 30 is fixed at the free end of a rectangular prism cantilever sensor element 10 of silicon having a strain-sensitive part 60 for detecting acceleration in the vicinity of fixed end, and a conical rod 40 for regulating movement of the sensor element 10 is fixed to a supporting part 50 and inserted into the opening 30 of the weight 20. The gap (t) between the opening 30 and the rod 40 can be set easily at a specified value by controlling the inter-vertex distance (a) thereof accurately. When an undue acceleration is applied due to dropping impact, or the like, the sensor element 10 flexes to abut the opening 30 and the rod 40 thus protecting the sensor element 10 against damage.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、自動車やロボット
等に搭載され、梁に設けたピエゾ抵抗値の変化で衝撃、
傾斜等の加速度を測定する加速度センサに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is applied to an automobile, a robot, and the like.
The present invention relates to an acceleration sensor that measures acceleration such as inclination.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の半導体加速度センサにおいては、
たとえば特開平1-10665に記載されているものがある。
図6は従来の加速度センサの平面図である。図6におい
て、感歪部60を有するシリコンのセンサ素子10の一端
に、重り20を取り付け、規制部材21及び22によってセン
サ素子の動きを規制する。図6において紙面上下方向の
加速度を検出するが、落下衝撃時等においてセンサ素子
10に過大な加速度が加わった場合に、シリコンのセンサ
素子10がたわみ、その変位がセンサ素子10の破壊変位に
達しないように、この規制部材21及び22の傾斜面21a及
び22aと重り20の当接によってセンサ素子10の紙面上下
方向の動きを規制し、たわみ部に大きな応力が発生しな
いような構造となっており、落下衝撃時等におけるセン
サ素子1の破損を防止している。
2. Description of the Related Art In a conventional semiconductor acceleration sensor,
For example, there is one described in JP-A-1-10665.
FIG. 6 is a plan view of a conventional acceleration sensor. 6, a weight 20 is attached to one end of a silicon sensor element 10 having a strain-sensitive portion 60, and the movement of the sensor element is regulated by regulating members 21 and 22. In FIG. 6, the acceleration in the vertical direction of the paper is detected.
When an excessive acceleration is applied to the sensor element 10, the silicon sensor element 10 bends, and the slopes 21a and 22a of the regulating members 21 and 22 and the weight 20 are adjusted so that the displacement does not reach the breaking displacement of the sensor element 10. The contact restricts the movement of the sensor element 10 in the vertical direction on the paper surface, and has a structure in which a large stress is not generated in the bending portion, thereby preventing the sensor element 1 from being damaged at the time of a drop impact or the like.

【0003】また、図7は特開平4-106766に記載されて
いる従来の半導体加速度センサの平面図である。紙面で
上下方向の加速度を受けてセンサ素子10がたわむことで
センサ素子10に取り付けた感歪部60の拡散抵抗の値が変
化し、加速度を検出する。図7において、感歪部60を有
するシリコンのセンサ素子10に対し、パッケージ300お
よび、台座200にはセンサ素子10の動きを規制する規制
部材310および210が取り付けてあり、この規制部材によ
ってセンサ素子10の動きを規制することで落下衝撃時等
においてセンサ素子10が大きな変位とならないような構
造としている。
FIG. 7 is a plan view of a conventional semiconductor acceleration sensor described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-106766. When the sensor element 10 bends in response to vertical acceleration on the paper, the value of the diffusion resistance of the strain-sensitive section 60 attached to the sensor element 10 changes, and the acceleration is detected. 7, the package 300 and the pedestal 200 are provided with regulating members 310 and 210 for regulating the movement of the sensor element 10 with respect to the silicon sensor element 10 having the strain-sensitive portion 60. By restricting the movement of the sensor 10, the sensor element 10 does not have a large displacement at the time of a drop impact or the like.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体加速度セ
ンサにあっては以上のように構成されており、たとえば
図6では、センサ素子10の動きを規制するために、21
a、22aのような面を作らねばならず、複雑な構造になっ
ている。さらに重り部20と規制部材21および22の当接面
21a及び22aの距離はセンサ素子10の破壊変位以内に制限
する必要がある。
The conventional semiconductor acceleration sensor is configured as described above. For example, in FIG.
A surface like a, 22a must be made, and it has a complicated structure. Further, the contact surface between the weight portion 20 and the regulating members 21 and 22
The distance between 21a and 22a must be limited to within the breaking displacement of the sensor element 10.

【0005】例えば図6の例でシリコンのセンサ素子10
の長さが1mm、重り部20の重さが40mg、センサ素子10の
断面が300μm×300μm程度の場合、センサ重り20に落下
衝撃時等において破壊限界応力が加わると、センサ素子
10は紙面上下方向で200〜300μmたわむため、図6にお
いてセンサ素子1とストッパ21a、22aとの距離もこの値
以下に抑える必要があり、重り部20と規制部材21及び22
の当節面21a及び22aの隙間を制御して製造しなければな
らないという問題点があった。
[0005] For example, in the example of FIG.
If the sensor element 10 has a length of 1 mm, the weight of the weight 20 is 40 mg, and the cross-section of the sensor element 10 is about 300 μm × 300 μm, the sensor element 20
6, the distance between the sensor element 1 and the stoppers 21a and 22a needs to be suppressed to this value or less in FIG.
In this case, there is a problem that the gap between the joint surfaces 21a and 22a must be controlled and manufactured.

【0006】さらに、図7の例では、パッケージの上蓋
300に規制部材310を取り付け、さらに土台200にも規制
部材210を取り付け、落下衝撃時等においてセンサ素子1
0に過大な加速度が加わり、センサ素子10が破壊変位以
上に変形するのを、これらの部品をくみ上げることで、
センサ素子10と規制部材210及び310との隙間をセンサ素
子10の破壊限界以内に制限し、センサ素子10の動きを破
壊変位以内に規制することで、センサ素子10が破壊しな
い構造にしている。図7のように部品を組み立てること
で製造する場合、パッケージ300および、台座200、さら
にセンサ素子10の位置決めと以上の部品加工を正確に行
う必要があり、部品点数が多く、さらに製造が困難であ
るという問題点があった。
Further, in the example of FIG.
A regulating member 310 is attached to 300, and a regulating member 210 is further attached to the base 200.
Excessive acceleration is applied to 0, and the deformation of the sensor element 10 beyond the breaking displacement, by pumping up these parts,
The gap between the sensor element 10 and the regulating members 210 and 310 is limited to within the breaking limit of the sensor element 10 and the movement of the sensor element 10 is regulated within the breaking displacement, so that the sensor element 10 does not break. In the case of manufacturing by assembling parts as shown in FIG. 7, it is necessary to accurately perform positioning of the package 300, the pedestal 200, and the sensor element 10 and the above-described processing of the parts. There was a problem.

【0007】また、図6、図7の場合の両方で落下衝撃
時等における、センサ素子10への過大な加速度による紙
面上下方向の曲げによる破損の防止はなされているが、
紙面に垂直な方向についても同様の構造を設けないと紙
面垂直方向の破損の防止を行えず、紙面上下、垂直方向
に対し、隙間を300μm以下に抑えて組み立てねばなら
ず製造が困難であった。
[0007] In both cases of FIGS. 6 and 7, it is possible to prevent the sensor element 10 from being damaged by bending in the vertical direction on the paper due to excessive acceleration to the sensor element 10 at the time of a drop impact or the like.
Unless a similar structure is provided in the direction perpendicular to the paper surface, it is impossible to prevent damage in the vertical direction on the paper surface, and it is necessary to assemble with the gap kept below 300 μm in the vertical and vertical directions on the paper surface, which is difficult to manufacture. .

【0008】また、センサ素子が単純な曲げによって破
壊するときのみ有効であって、センサ素子がセンサ素子
まわりのねじれによって破壊する場合の対策はなされて
いなかった。
Further, this method is effective only when the sensor element is broken by simple bending, and no measures have been taken when the sensor element is broken by twisting around the sensor element.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体加速度セ
ンサは、落下衝撃時等においてセンサ素子に大きな応力
が作用しないようにセンサ素子に取り付けた重り部の開
口部に棒を一定の隙間を設けて挿入するという単純な構
造で、センサ素子の動きを開口部と棒との当接によって
規制し、センサ素子の耐久性を向上させる。
According to the semiconductor acceleration sensor of the present invention, a rod is provided with a fixed gap in the opening of the weight attached to the sensor element so that a large stress does not act on the sensor element at the time of a drop impact or the like. With a simple structure of inserting the sensor element, the movement of the sensor element is restricted by the contact between the opening and the rod, and the durability of the sensor element is improved.

【0010】さらに、棒が前記開口部に嵌合する部位を
有することで、開口部と棒の当接面の距離を正確に制御
できる構造とした。また、上記のような開口部と棒の構
造を二つ以上配置することで、落下衝撃時等でのセンサ
素子まわりのねじれによる破壊を防止する。
[0010] Further, the structure in which the distance between the opening and the contact surface between the rod and the rod can be accurately controlled by providing the rod with a portion fitted into the opening. In addition, by arranging two or more structures of the opening and the rod as described above, it is possible to prevent the sensor element from being broken by twisting around the sensor element at the time of a drop impact or the like.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下にこの発明の実施例を図面に
基づいて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0012】[0012]

【実施例】(実施例1)図1はこの発明の1実施例に係
る半導体加速度センサの構造を示す斜視図である。図2
は図1の加速度センサの断面図である。この実施例の構
造を図1、図2を用いて説明する。シリコンの直方体の
センサ素子10は、加速度を検出するための感歪部60を固
定端付近に有し、素子支持部70により一端を固定されて
いる。感歪部60は拡散抵抗をホイートストンブリッジ回
路に組んで形成される。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a perspective view showing a structure of a semiconductor acceleration sensor according to one embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 2 is a sectional view of the acceleration sensor of FIG. The structure of this embodiment will be described with reference to FIGS. The silicon rectangular sensor element 10 has a strain-sensitive portion 60 for detecting acceleration near a fixed end, and one end is fixed by an element supporting portion 70. The strain sensing part 60 is formed by assembling a diffusion resistor into a Wheatstone bridge circuit.

【0013】前記センサ素子10の自由端部に円錐形状の
開口部30を有する直方体の重り20を取り付ける。開口部
30は重り20の開口面31の中央付近に位置し、センサ素子
10の長手方向に対し、重り20の中心部分まで開口面31に
対し、垂直に開口している。さらにセンサ素子10の動き
を規制するために、開口部30の円錐の頂角と等しい頂角
を有する円錐形状の棒40を棒支持部50に取り付け、開口
部30に挿入する。
At the free end of the sensor element 10, a rectangular parallelepiped weight 20 having a conical opening 30 is attached. Aperture
30 is located near the center of the opening surface 31 of the weight 20, and the sensor element
In the longitudinal direction of 10, the weight 20 is opened perpendicularly to the opening surface 31 up to the center of the weight 20. In order to further restrict the movement of the sensor element 10, a conical rod 40 having a vertex angle equal to the vertex angle of the cone of the opening 30 is attached to the rod support 50, and inserted into the opening 30.

【0014】重り20が加速度を受けて、それによってセ
ンサ素子10がたわみ、感歪部60に曲げ応力が生じる。曲
げによる拡散抵抗の抵抗値変化ΔRは以下のように、曲
げ応力σに比例する。 ΔR∝σ σ:曲げ応力 またセンサ素子10上で拡散抵抗を取り付ける位置によっ
て、生じる曲げ応力は異なるため、前記式によると拡散
抵抗を取り付けた位置によって抵抗値変化が異なり、セ
ンサ素子10がたわむことでブリッジ回路が崩れ、これに
よって加速度を検出する。
The weight 20 is subjected to acceleration, whereby the sensor element 10 bends and a bending stress is generated in the strain-sensitive portion 60. The change in resistance value ΔR of the diffusion resistance due to bending is proportional to the bending stress σ as follows. ΔR∝σ σ: bending stress Also, the bending stress that occurs differs depending on the position where the diffusion resistance is mounted on the sensor element 10, so that according to the above equation, the resistance value changes depending on the position where the diffusion resistance is mounted, and the sensor element 10 bends. As a result, the bridge circuit breaks down, thereby detecting acceleration.

【0015】次に、本発明の加速度センサの製造方法に
ついて説明する。シリコンのセンサ素子10は、通常の半
導体プロセスにおいて不純物を注入することで拡散抵抗
を形成して感歪部60を設け、ダイシングなどで所定の形
状に加工する。重り20は、直方体の金属から開口部30を
くり貫いて生成することもできるし、プラスチックの射
出成型で製造することもできる。棒40は金属を削り出し
て製造することも可能であるし、また重り20との当接時
の衝撃を低減するためにプラスチック等を用いることも
できる。支持部50と棒40とは一体で加工してもよいし、
別々に加工して接着あるいは溶接してもよい。
Next, a method of manufacturing the acceleration sensor according to the present invention will be described. The silicon sensor element 10 is provided with a strain-sensitive portion 60 by forming a diffusion resistor by injecting impurities in a normal semiconductor process, and is processed into a predetermined shape by dicing or the like. The weight 20 can be formed by piercing the opening 30 from a rectangular parallelepiped metal, or can be manufactured by injection molding of plastic. The rod 40 can be manufactured by shaving a metal, or a plastic or the like can be used to reduce an impact at the time of contact with the weight 20. The support part 50 and the rod 40 may be processed integrally,
It may be processed separately and bonded or welded.

【0016】次にこの加速度センサの機能について説明
する。重り20には例えば真鍮を用いると、形状が2.8mm
×3.0mm×1.0mmの場合、重量は60mgで、センサ素子10の
長さが1mm、断面がw:150μm×h:525μmの場合、曲げ
による破壊応力はシリコンの降伏応力の3.0×108[N/m2]
程度で、これはセンサ素子にh方向で200G程度、w方向
で700G程度の衝撃加速度が加わった場合にセンサ素子が
受ける応力の値であり、この値のときセンサ素子10はh
方向で300μm、w方向で500μm程度たわむ。そのため、
開口部30と棒40との距離tはこの値以下に押さえる必要
がある。
Next, the function of the acceleration sensor will be described. For example, if brass is used for the weight 20, the shape is 2.8 mm
In the case of × 3.0 mm × 1.0 mm, the weight is 60 mg, the length of the sensor element 10 is 1 mm, and the cross section is w: 150 μm × h: 525 μm, the breaking stress due to bending is 3.0 × 108 [N / m2]
This is the value of the stress applied to the sensor element when an impact acceleration of about 200 G in the h direction and about 700 G in the w direction is applied to the sensor element, and at this value, the sensor element 10 is h
Deflection is about 300 μm in the direction and about 500 μm in the direction w. for that reason,
It is necessary to keep the distance t between the opening 30 and the bar 40 below this value.

【0017】また、棒40が真鍮の場合、上記のような加
速度センサにおいて、頂角が30度、円錐の底面がφ0.5m
m長さは1.5mm程度で十分にセンサ素子10の動きを規制で
きる。次に前記隙間tの調整方法について図2を用いて
詳細に説明する。図2において、tは開口部30と棒40の
内面および外面の距離を表し、aは開口部30の谷底部と
棒40の頂点の距離を表す。また、θは開口部30、棒40の
円錐の頂角を表す。
When the rod 40 is made of brass, in the acceleration sensor as described above, the apex angle is 30 degrees and the bottom of the cone is φ0.5 m.
The length of m is about 1.5 mm, so that the movement of the sensor element 10 can be sufficiently regulated. Next, a method of adjusting the gap t will be described in detail with reference to FIG. 2, t represents the distance between the opening 30 and the inner and outer surfaces of the rod 40, and a represents the distance between the bottom of the opening 30 and the top of the rod 40. Θ represents the apex angle of the cone of the opening 30 and the rod 40.

【0018】この図2で隙間tは、頂角θ及び頂点の距
離aを用いると、t=a×sin(θ/2)とあらわされる。その
ため、開口部30の谷底部と棒40の頂点を接触させた状態
から、マイクロメータ等のネジの付いた送り機構や平行
のガイドの送り機構で棒支持部50を動かし、aを正確に
制御するなどして、tを所定の値に容易にすることが可
能である。さらに開口部30及び棒40は円錐形状であるた
め、以上のように設定されたtは図2における紙面上下
方向のみでなく、棒40まわりのすべての方向に対し一定
に設定されるため、aの値を正確に制御することだけで
センサ素子10周りのすべての方向に対する過大な加速度
による破壊を防止することが可能である。
In FIG. 2, the gap t is expressed as t = a × sin (θ / 2) using the apex angle θ and the distance a between the vertices. Therefore, from the state where the valley bottom of the opening 30 and the apex of the rod 40 are in contact with each other, the rod support 50 is moved by a feed mechanism with a screw such as a micrometer or a parallel guide feed mechanism to accurately control a. For example, it is possible to easily set t to a predetermined value. Further, since the opening 30 and the rod 40 have a conical shape, t set as described above is set not only in the vertical direction on the paper surface of FIG. It is possible to prevent destruction due to excessive acceleration in all directions around the sensor element 10 only by accurately controlling the value of.

【0019】例えば、θが30度、aが1mmなら、t=0.259m
mとなり、aを正確に調整することが可能である。これに
よって、隙間tをセンサ素子10の破壊変位以内に調整す
ることができる。上記のような構造では、ブリッジ回路
に5V程度の電圧を印可すると、1Gの加速度に対し、2.5m
V程度の感度が得られる。さらに、落下衝撃試験を行っ
た結果、1mの落下試験に耐えうることが確認された。
For example, if θ is 30 degrees and a is 1 mm, t = 0.259 m
m, and a can be adjusted accurately. Thereby, the gap t can be adjusted within the breaking displacement of the sensor element 10. In the above structure, if a voltage of about 5 V is applied to the bridge circuit, 2.5 m
A sensitivity of about V can be obtained. Further, as a result of a drop impact test, it was confirmed that the device could withstand a drop test of 1 m.

【0020】(実施例2)図3は実施例2の斜視図であ
る。実施例2は、図3のように実施例1の加速度センサ
を、開口部30を四角錐に、棒40も四角錐にしたものであ
る。その他の構成及び、製造方法は実施例1と同じであ
る。このように、四角錐にすることにより、円錐形上の
実施例1よりもセンサ素子10まわりにおいてねじれにく
くなるため、センサ素子10まわりのねじれによる破壊が
起こりにくくなる。
(Embodiment 2) FIG. 3 is a perspective view of Embodiment 2. In the second embodiment, as shown in FIG. 3, the acceleration sensor of the first embodiment has the opening 30 formed into a quadrangular pyramid and the rod 40 formed into a quadrangular pyramid. Other configurations and a manufacturing method are the same as those in the first embodiment. In this manner, by forming the pyramid into a quadrangular pyramid, the twist around the sensor element 10 is less likely to occur than in the case of the first embodiment on the conical shape.

【0021】(実施例3)図4は開口部30と棒40を二つ
配置した実施例3を示す斜視図である。このように開口
部30と棒40を二つ以上配置すると、図中の矢印Aのよう
なセンサ素子10を中心としたねじれの動きを規制するこ
とができ、センサ素子10のねじれによる破損を防ぐこと
ができる。
(Embodiment 3) FIG. 4 is a perspective view showing Embodiment 3 in which two openings 30 and two rods 40 are arranged. By arranging two or more openings 30 and rods 40 in this way, it is possible to regulate the torsional movement around the sensor element 10 as shown by the arrow A in the figure, and prevent damage due to the torsion of the sensor element 10 be able to.

【0022】(実施例4)図5は実施例4の斜視図であ
る。実施例4は、実施例1の加速度センサを、開口部30
を半球に、棒40も半球にしたものである。その他の構成
及び、製造方法は実施例1と同じである。このように、
半球にすることにより、より製造が容易になる。
(Embodiment 4) FIG. 5 is a perspective view of Embodiment 4. In the fourth embodiment, the acceleration sensor of the first embodiment is replaced with the opening 30.
Is a hemisphere, and the rod 40 is also a hemisphere. Other configurations and a manufacturing method are the same as those in the first embodiment. in this way,
By making it hemispherical, manufacturing becomes easier.

【0023】[0023]

【発明の効果】この発明は以上説明したように、半導体
加速度センサ素子に開口部を設けた重りを取り付け、そ
の開口部に棒を挿入し、センサ素子の動きを規制するこ
とで製造が容易であり、さらに落下等によるセンサ素子
の破損を防ぐ効果がある。また、開口部、そしてそれに
挿入する棒の形状を円錐状などにすることにより、従来
の技術では困難であったセンサ素子とセンサ素子の規制
部材との距離を正確に制御することができ、容易に加速
度センサの耐衝撃性を向上させる効果がある。
As described above, according to the present invention, the semiconductor acceleration sensor element is provided with a weight having an opening, a rod is inserted into the opening, and the movement of the sensor element is regulated to facilitate manufacture. In addition, there is an effect of preventing damage to the sensor element due to dropping or the like. In addition, by making the shape of the opening and the rod inserted therein conical, etc., the distance between the sensor element and the regulating member of the sensor element, which was difficult with the conventional technology, can be accurately controlled, and it is easy. This has the effect of improving the shock resistance of the acceleration sensor.

【0024】また、以上のような開口部、棒を複数個配
置することで、センサ素子がねじれによって破損するこ
とを防止する効果がある。
The arrangement of a plurality of openings and bars as described above has an effect of preventing the sensor element from being damaged by twisting.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の半導体加速度センサの一実施例を示す
斜視図。
FIG. 1 is a perspective view showing one embodiment of a semiconductor acceleration sensor of the present invention.

【図2】本発明の半導体加速度センサの一実施例の平面
FIG. 2 is a plan view of one embodiment of the semiconductor acceleration sensor of the present invention.

【図3】本発明の半導体加速度センサの一実施例を示す
斜視図。
FIG. 3 is a perspective view showing one embodiment of the semiconductor acceleration sensor of the present invention.

【図4】本発明の半導体加速度センサの一実施例を示す
斜視図。
FIG. 4 is a perspective view showing one embodiment of the semiconductor acceleration sensor of the present invention.

【図5】本発明の半導体加速度センサの一実施例を示す
斜視図。
FIG. 5 is a perspective view showing one embodiment of the semiconductor acceleration sensor of the present invention.

【図6】従来の半導体加速度センサの一例を示す平面図FIG. 6 is a plan view showing an example of a conventional semiconductor acceleration sensor.

【図7】従来の半導体加速度センサの一例を示す平面図FIG. 7 is a plan view showing an example of a conventional semiconductor acceleration sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 : センサ素子 20 : 重り 30 : 開口部 31 : 開口面 40 : 棒 50 : 棒支持部 60 : 感歪部 70 : 素子支持部 200 : 台座 210 : 規制部材 300 : パッケージ 310 : 規制部材 a : 開口部30、棒40の頂点間距離 t : 開口部30と棒40の隙間 θ : 円錐の頂角 Reference Signs List 10: Sensor element 20: Weight 30: Opening 31: Opening surface 40: Bar 50: Bar support 60: Strain-sensitive part 70: Element support 200: Pedestal 210: Regulator 300: Package 310: Regulator a: Opening Distance between the vertices of the part 30 and the rod 40 t: Clearance between the opening 30 and the rod 40 θ: Apex angle of the cone

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新荻 正隆 千葉県千葉市美浜区中瀬1丁目8番地 株 式会社エスアイアイ・アールディセンター 内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Masataka Shinoggi 1-8-1 Nakase, Mihama-ku, Chiba-shi, Chiba SIIR Corporation

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 感歪部を有し、加速度を検出する機能を
有する片持ち梁の素子と、前記素子の一端を固定し支持
する支持体と前記素子の他端に重りを有する半導体加速
度センサにおいて、 前記重りに開口部を設け、前記開口部に嵌合する部位を
有する棒を、互いに嵌合する前記開口部表面と前記棒表
面間の距離が均一となるように配置したことを特徴とす
る半導体加速度センサ。
A cantilever element having a strain-sensitive portion and having a function of detecting acceleration, a support for fixing and supporting one end of the element, and a semiconductor acceleration sensor having a weight at the other end of the element In the above, an opening is provided in the weight, and a rod having a portion that fits in the opening is arranged such that a distance between the surface of the opening and the surface of the rod that fits each other is uniform. Semiconductor acceleration sensor.
【請求項2】 請求項1記載の半導体加速度センサにお
いて、前記開口部と前記棒が円錐であることを特徴とす
る半導体加速度センサ。
2. The semiconductor acceleration sensor according to claim 1, wherein said opening and said rod are conical.
【請求項3】 請求項1記載の半導体加速度センサにお
いて、前記開口部が四角錐、かつ前記棒も四角錐である
ことを特徴とする半導体加速度センサ。
3. The semiconductor acceleration sensor according to claim 1, wherein said opening is a quadrangular pyramid, and said rod is also a quadrangular pyramid.
【請求項4】 請求項1記載の半導体加速度センサにお
いて、前記開口部が半球、かつ前記棒が半球であること
を特徴とする半導体加速度センサ。
4. The semiconductor acceleration sensor according to claim 1, wherein the opening is a hemisphere, and the rod is a hemisphere.
【請求項5】 請求項1から4のいずれか1項に記載の
半導体加速度センサにおいて、前記開口部および前記棒
をそれぞれ二つ以上有することを特徴とする半導体加速
度センサ。
5. The semiconductor acceleration sensor according to claim 1, further comprising at least two of said opening and said rod.
JP7986298A 1998-03-26 1998-03-26 Semiconductor acceleration sensor Pending JPH11281665A (en)

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