JPH11273080A - Optical recording and reproducing device - Google Patents

Optical recording and reproducing device

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JPH11273080A
JPH11273080A JP10069724A JP6972498A JPH11273080A JP H11273080 A JPH11273080 A JP H11273080A JP 10069724 A JP10069724 A JP 10069724A JP 6972498 A JP6972498 A JP 6972498A JP H11273080 A JPH11273080 A JP H11273080A
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JP
Japan
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optical recording
laser
reproducing apparatus
semiconductor laser
recording
Prior art date
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Application number
JP10069724A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Nakatsuka
慎一 中塚
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To conduct a high speed and high density recording and reproducing without mechanical fine precision by converging laser beams at plural different positions on a recording surface corresponding to the driving current of a semiconductor laser and conducting the recording and the reproducing of information at the plural positions simultaneously. SOLUTION: The driving signals of the semiconductor laser are constituted of the pulse current in which two kinds of pulse trains are superimposed. The first pulse train emits the laser light beams having a peak output power of 100 mW, a duty ratio of 30%, a frequency of 70 MHz and an average output power of 30 mW and the beams are used for the writing on an optical disk. The second pulse train emits the laser light beams having a peak output power of 50 mW, a duty ratio of 10%, a frequency of 50 MHz and an average output power of 5 mW. The optical output powers as well as the beam emitting positions are varied by the operating current of the semiconductor laser and thus these beams converge at different points on the disk. Thus, converging points are arranged on a same track and a writing and a reading are simultaneously conducted.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は光記録再生装置に係
り、記録媒体に形成された複数のトラックを同時に走査
可能な光記録再生装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical recording / reproducing apparatus, and more particularly, to an optical recording / reproducing apparatus capable of simultaneously scanning a plurality of tracks formed on a recording medium.

【0002】[0002]

【従来の技術】光ディスクとして知られる光記録媒体に
形成された記録トラック(情報を保持するピットが一次
元的に配列して形成される領域、以下、トラックと呼
ぶ)を複数のレーザ・ビームで走査する技術は、例え
ば、特開平8−190728号公報に記載されている。
2. Description of the Related Art A recording track (an area in which pits holding information are formed one-dimensionally, hereinafter referred to as a track) formed on an optical recording medium known as an optical disk is formed by a plurality of laser beams. The scanning technique is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-190728.

【0003】この公報に記載された光記録再生装置は、
図14に示す如く、マルチビーム半導体レーザ501(図
は、2ビーム・レーザを開示)、これから放射された複
数のレーザ光を夫々平行な光束にするコリメータレンズ
503、複数の平行光束の夫々を円形ビームに成形するビ
ーム成形プリズム504、円形ビームに成形された複数の
平行光束を記録媒体(光ディスク)506上に複数のスポ
ットとして集光する対物レンズ505からなる光学系を有
する。光ディスク506は、その周縁部が上記光学系から
のレーザビームの照射を受けるように配置され、その中
心に設けられた回転装置(図示せず)により、あたかも
上記光学系からのレーザスポットがその周縁部を周回す
るように回転される(図14は、光ディスクを側方から
見た様子を示す)。レーザ光は円偏光の状態で記録媒体
506に照射され、この記録媒体で反射されたレーザ光は
偏光状態を保持して上記ビーム成形プリズム504に入射
し、ここで直線偏光に変換された後、この内部に設けら
れた部分偏光ビームスプリッタ507によって受光素子
(図示せず)のある側へ導かれる。
The optical recording / reproducing apparatus described in this publication is
As shown in FIG. 14, a multi-beam semiconductor laser 501 (the figure discloses a two-beam laser), a collimator lens for converting a plurality of laser beams emitted from the laser beam into parallel light beams
503, a beam forming prism 504 for shaping each of the plurality of parallel light beams into a circular beam, and an objective lens 505 for condensing the plurality of parallel light beams formed into the circular beam as a plurality of spots on a recording medium (optical disk) 506. It has an optical system. The optical disk 506 is arranged so that its periphery is irradiated with the laser beam from the optical system, and a rotating device (not shown) provided at the center of the optical disk 506 causes the laser spot from the optical system to appear as if the periphery of the laser beam is emitted from the optical system. The optical disk is rotated so as to go around the optical disk (FIG. 14 shows the optical disk viewed from the side). The laser beam is circularly polarized and the recording medium
The laser beam radiated to 506 and reflected by the recording medium enters the beam forming prism 504 while maintaining the polarization state, is converted into linearly polarized light here, and then is partially polarized beam splitter provided therein. The light is guided by 507 to a side having a light receiving element (not shown).

【0004】上記マルチビーム半導体レーザ501の端面
の黒丸部分と白丸部分から夫々放射されたレーザビーム
は、上記光学系を介し記録媒体506に形成されたトラッ
ク(図示せず)に別々に照射される。レーザ光の照射態
様は、黒丸部分からのレーザ光が照射された部分を所定
の時間後に白丸部分からのレーザ光が照射されるように
光学系と記録媒体506の回転装置とを配置し、前者の照
射で記録媒体506に情報を記録し、その記録情報を後者
の照射で再生するダイレクト・ベリファイ(先行ビーム
による書き込みと後行ビームによる書き込み内容の確認
を同時におこなう)方法や、複数のトラックに同時にレ
ーザ光を照射することで、情報を高速に記録し又は再生
する等、バリエーションがある。また、マルチビーム半
導体レーザ501に備え付けられたティルト(傾斜)・ス
ペーサ502は、複数のレーザビームのコリメータレンズ5
03に対する相対ピント位置を、マルチビーム半導体レー
ザ501の端面位置を微動させることで補正するものであ
る。
The laser beams emitted from the black circle portion and the white circle portion of the end face of the multi-beam semiconductor laser 501 are separately applied to tracks (not shown) formed on the recording medium 506 via the optical system. . The irradiation mode of the laser light is such that the optical system and the rotating device of the recording medium 506 are arranged such that the laser light from the black circle is irradiated with the laser light from the white circle after a predetermined time. The method of recording information on the recording medium 506 by irradiation of the data and reproducing the recorded information by the irradiation of the latter (simultaneous writing with the leading beam and confirmation of the writing content with the succeeding beam), At the same time, there is a variation in that information is recorded or reproduced at high speed by simultaneously irradiating the laser beam. In addition, the tilt (tilt) / spacer 502 provided on the multi-beam semiconductor laser 501 is used for a collimator lens 5 of a plurality of laser beams.
The relative focus position with respect to 03 is corrected by slightly moving the end face position of the multi-beam semiconductor laser 501.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術において
は、2本のレーザビームにより読み出された異なるトラ
ックの信号を分離する手段は検出素子の空間的な分離の
みであった。例えば、従来の光情報記録再生装置で採用
されている4分割受光素子(QPD,Quadrant Photodi
ode)を用いるにしても、そもそもの用途が一つの光源
からのフォーカス誤差を検出するものであるから、数μ
mオーダで平行して放出された光を分離して検出するこ
とは困難を極める。
In the above prior art, the only means for separating signals of different tracks read out by two laser beams is spatial separation of the detecting elements. For example, a quadrant light receiving element (QPD, Quadrant Photodiode) used in a conventional optical information recording / reproducing apparatus is used.
Even if ode) is used, the purpose is to detect a focus error from one light source in the first place.
It is extremely difficult to separate and detect light emitted in parallel on the order of m.

【0006】このため、検出用の光学素子に対するビー
ム集光位置の制御はマルチビーム半導体レーザのストラ
イプ間隔程度の制御が必要となり、レーザ光の検出に際
しては高度の調整が必要とされた。そして、光記録再生
装置の低価格化のためには、このような調整の要らな
い、より単純な方式が望まれた。
For this reason, control of the beam condensing position with respect to the optical element for detection requires control of about the stripe interval of the multi-beam semiconductor laser, and a high degree of adjustment is required when detecting the laser beam. In order to reduce the cost of the optical recording / reproducing apparatus, a simpler method that does not require such adjustment is desired.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を達成するた
め、本発明では、半導体レーザの駆動方法により記録面
上の異なる複数の位置にレーザ光が集光される機能を半
導体レーザに付加し、各レーザ光集光位置に照射される
レーザ光を記録媒体の追従速度に比べ十分に高い互いに
異なる周波数のパルス光とし、かつこのパルス光が時間
的に重複して照射されることがないように光記録再生装
置を駆動することを考案した。
According to the present invention, there is provided a semiconductor laser having a function of condensing laser light at a plurality of different positions on a recording surface by a method of driving a semiconductor laser. The laser light applied to each laser light condensing position should be pulsed light of different frequencies sufficiently higher than the following speed of the recording medium, and the pulsed light should not be irradiated in time overlap. It is devised to drive an optical recording / reproducing device.

【0008】発光位置を変化させる手段の一つとして発
光位置が注入電流量により変化する機能を有する半導体
レーザを用い、各記録位置に対応した波高値のパルス電
流を情報の記録及び再生に最適の平均エネルギー密度と
なるデューティ比で通電することにより記録及び再生を
行うことを考案した。
As one of means for changing the light emitting position, a semiconductor laser having a function of changing the light emitting position according to the amount of injected current is used, and a pulse current having a peak value corresponding to each recording position is optimized for recording and reproducing information. It has been devised that recording and reproduction are performed by energizing at a duty ratio that becomes an average energy density.

【0009】また、このような特殊な機能を有する半導
体レーザに限らず、通常のアレイ型半導体レーザであっ
てもパルス電流のデューティ比を10%以下とすれば発
光位置が十分近接したアレイであっても熱的相互干渉の
問題が起こらず高速で高記録密度の光記録再生装置を与
えられることも併せて考案した。半導体レーザの熱的干
渉は半導体レーザの通電による発熱による温度上昇によ
ってしきい値電流が増大することにより引き起こされ
る。半導体レーザを低デューティ高出力のパルスで駆動
すると半導体レーザのエネルギー変換効率が高出力にな
るほど良くなるため、同じ平均パワーを得るための発熱
量が減少する。また、温度による半導体レーザの光出力
ー電流特性の変化は主にしきい値電流の増大であり、微
分発光効率の変化が小さくなるという効果もあり、低デ
ューティパルス駆動はクロストーク防止に大きな効果を
有する。本光記録再生装置においては異なる集光点から
の再生信号は同一の受光素子により検出され、周波数フ
ィルタ回路により信号分離されて情報再生を行うので従
来技術のように信号を空間的に分離する必要はなく安価
な装置構成が可能であった。
[0009] Not only semiconductor lasers having such special functions but also ordinary array-type semiconductor lasers, if the duty ratio of the pulse current is set to 10% or less, are arrays whose emission positions are sufficiently close to each other. However, the present inventors have also devised that an optical recording / reproducing apparatus having a high speed and a high recording density can be provided without causing a problem of thermal mutual interference. Thermal interference of the semiconductor laser is caused by an increase in threshold current due to a temperature rise due to heat generated by energization of the semiconductor laser. When the semiconductor laser is driven by a low-duty, high-output pulse, the energy conversion efficiency of the semiconductor laser increases as the output increases, so that the amount of heat generated for obtaining the same average power decreases. In addition, the change in the optical output-current characteristics of the semiconductor laser due to temperature is mainly an increase in the threshold current, which also has the effect of reducing the change in the differential luminous efficiency. Low duty pulse driving has a great effect in preventing crosstalk. Have. In this optical recording / reproducing apparatus, reproduced signals from different light condensing points are detected by the same light receiving element and are separated by a frequency filter circuit to reproduce information. Therefore, signals need to be spatially separated as in the prior art. And an inexpensive device configuration was possible.

【0010】以上の議論に基づき、本発明は、複数のレ
ーザ光を発振する光源である半導体レーザと、この半導
体レーザに駆動電流を供給する手段と、光記録面を有す
る記録媒体と、この半導体レーザより出射した複数のレ
ーザ光を光記録面上に夫々集光する光学系と、上記記録
媒体を保持し且つ上記光学系に対するその位置を制御す
る記録媒体保持手段とを有する光記録再生装置であっ
て、上記駆動電流供給手段から半導体レーザに供給され
る駆動電流により上記記録面上の異なる複数の位置にレ
ーザ光が集光される機能を有し、上記複数の位置に対し
同時に情報の記録および再生を行うことを基本的な特徴
とする光記録再生装置(光情報処理装置とも呼ばれる)
を提供する。その望ましき態様としては、上記複数のレ
ーザ光集光位置に照射される各々のレーザ光は記録媒体
の追従速度に比べ十分に高い互いに異なる周波数のパル
ス光であり、該パルス光は時間的に重複して照射される
ことがないようにすることが推奨される。
Based on the above discussion, the present invention provides a semiconductor laser, which is a light source for oscillating a plurality of laser beams, means for supplying a drive current to the semiconductor laser, a recording medium having an optical recording surface, An optical recording / reproducing apparatus having an optical system for condensing a plurality of laser beams emitted from a laser on an optical recording surface, respectively, and recording medium holding means for holding the recording medium and controlling its position with respect to the optical system. And a function of condensing laser light on a plurality of different positions on the recording surface by a driving current supplied to the semiconductor laser from the driving current supply means, and simultaneously recording information on the plurality of positions. Optical recording / reproducing device (also referred to as optical information processing device) having a basic feature of performing and reproducing
I will provide a. As a desirable mode, each of the plurality of laser beams irradiated to the plurality of laser beam condensing positions is a pulse beam of a different frequency sufficiently higher than the following speed of the recording medium, and the pulse beams are temporally different. It is recommended to avoid overlapping irradiation.

【0011】望ましき実施形態の一例としては、上記半
導体レーザに発光位置(レーザ光の発振位置)が注入電
流量により変化する機能を有し、各記録位置に対応した
波高値のパルス電流を情報の記録及び再生に最適の平均
エネルギー密度となるデューティ比で通電することによ
り記録及び再生を行うことにある。この場合、半導体レ
ーザに駆動電流として供給されるパルス電流は、デュー
ティ比が10%以下とすることが推奨される。
As an example of a desirable embodiment, the semiconductor laser has a function of changing a light emission position (oscillation position of laser light) according to an injection current amount, and supplies a pulse current having a peak value corresponding to each recording position. Recording and reproduction are performed by energizing at a duty ratio that provides an optimum average energy density for recording and reproduction of information. In this case, it is recommended that the pulse current supplied as the drive current to the semiconductor laser has a duty ratio of 10% or less.

【0012】更に、上述の光記録再生装置を実現するに
望ましい構成要件の組合せは、以下のとおりである。
[0012] Further, combinations of the constituent elements desirable for realizing the above-mentioned optical recording / reproducing apparatus are as follows.

【0013】第1点としては、上記記録媒体状の異なる
集光点からの再生信号は同一の受光素子により検出さ
れ、周波数フィルタ回路により信号分離されて情報再生
を行うことである。
The first point is that the reproduced signals from the different condensing points on the recording medium are detected by the same light receiving element and separated by a frequency filter circuit to reproduce information.

【0014】第二点は、上記複数のレーザ光照射位置を
光ディスクの同一トラック上に相前後して設定し、ディ
スク回転に対し先行するレーザ光を情報の書き込みに、
後行するレーザビームを書き込まれた情報の確認に用い
るよう、前者のレーザ光出力を後者のそれより高く設定
することである。
The second point is that the plurality of laser light irradiation positions are set one after another on the same track of the optical disk, and the laser light preceding the disk rotation is used for writing information.
The laser light output of the former is set higher than that of the latter so that the succeeding laser beam is used to confirm the written information.

【0015】第3点としては、上記複数のレーザビーム
を3個の異なる周波数で変調されたレーザビームとして
発振し、これらを光ディスクの回転に伴い当該光ディス
クのトラックの軸方向にのびた3本の等間隔の線上を走
査するように配し、且つ個々のスポットの信号を周波数
別に検出することによって、等間隔の線のうち両端の2
本の信号を用いて中央の線がトラックの中心線に一致す
るように制御することである。
The third point is that the plurality of laser beams are oscillated as three laser beams modulated at three different frequencies, and the three laser beams extend in the axial direction of the tracks of the optical disk with the rotation of the optical disk. By arranging to scan on the line of the interval and detecting the signal of each spot by frequency, the two spots at both ends of the line of the equal interval are detected.
The control is performed so that the center line coincides with the center line of the track using the book signal.

【0016】以上に述べた本発明の光記録再生装置の全
容は、次の発明の実施の形態の欄にて明らかに説明され
る。
The entire contents of the optical recording / reproducing apparatus of the present invention described above will be clearly described in the following embodiments of the present invention.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】本発明による光記録再生装置の具
体的な実施形態を、以下の実施例1乃至3及び夫々の関
連図面を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A specific embodiment of an optical recording / reproducing apparatus according to the present invention will be described with reference to the following Examples 1 to 3 and respective related drawings.

【0018】<実施例1>図1から図6を参照して、本
発明の第1の実施例の光記録再生方法を示す。まず本実
施例で用いた半導体レーザの構造を図1および図2に示
す。101はGaAs基板を示しており、このGaAs
基板101は、(100)面ジャストまたは(100)
面から[011]方向に傾斜した面方位を有し、n型I
0.5 (Ga0.3 Al0.70.5 Pからなる厚さ1μm
程度のn型クラッド層102が堆積されている。このn
型クラッド層102上には、アンドープIn0.5 (Ga
0.3Al0.70.5 Pからなる光ガイド層103で挾持さ
れている活性層104が設けられている。なお、活性層
104は如何なる発光層でも良く、例えば、ダブルヘテ
ロ構造のように均一な構造のものでも、MQW構造のよ
うにエネルギ−的に変調を受けている構造のものでも用
いることが可能である。
<Embodiment 1> An optical recording / reproducing method according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. First, the structure of the semiconductor laser used in this embodiment is shown in FIGS. Reference numeral 101 denotes a GaAs substrate.
The substrate 101 may be (100) just or (100)
Having a plane orientation inclined in the [011] direction from the
1 μm thick made of n 0.5 (Ga 0.3 Al 0.7 ) 0.5 P
A degree of n-type cladding layer 102 is deposited. This n
The undoped In 0.5 (Ga
An active layer 104 sandwiched between light guide layers 103 made of 0.3 Al 0.7 ) 0.5 P is provided. The active layer 104 may be any light emitting layer, for example, a structure having a uniform structure such as a double hetero structure or a structure having energy modulation such as an MQW structure can be used. is there.

【0019】光ガイド層103上には、p型In0.5
(Ga1-XAlX0.5Pからなる厚さ1μm程度のp型
クラッド層105およびp型In0.5Ga0.5Pキャップ層1
06が設けられている。p型クラッド層105の中央部
は隆起(リッジ)状107に形成されている。このよう
なリッジ構造107のp型クラッド層105は通常のエ
ッチング技術を用いて形成でき、このリッジ構造により
水平方向に光を閉じ込める。また、リッジ構造107上
面にはリッジ構造と軸の位置が約2μmずれた通電領域
108が設けられており、この通電部分以外の領域はn
型電流ブロック層109でおおわれている。
On the light guide layer 103, p-type In0.5
A p-type cladding layer 105 made of (Ga 1-x Al x ) 0.5 P and having a thickness of about 1 μm and a p-type In 0.5 Ga 0.5 P cap layer 1
06 is provided. The central portion of the p-type cladding layer 105 is formed in a ridge (ridge) 107. The p-type cladding layer 105 of such a ridge structure 107 can be formed by using a normal etching technique, and confine light in a horizontal direction by the ridge structure. On the upper surface of the ridge structure 107, there is provided an energized region 108 whose axis is shifted from the ridge structure by about 2 μm.
Type current block layer 109.

【0020】n型電流ブロック層109およびp型キャ
ップ層106上には、p型GaAsからなるp型コンタ
クト層110を介してAu・Zn合金からなるp側電極
111が設けられている。そして、GaAs基板1の裏
面には、Au・Ge合金からなるn側電極112が設け
られている。上記各半導体層は、例えば、MOCVD法
等のCVD法を用いて成長形成する。また、図2のよう
にリッジ構造107と中心軸のずれた電流注入領域10
8はリッジ形成のためのホトレジストマスクと電流注入
領域形成のための酸化珪素マスクを酸化珪素のサイドエ
ッチングを利用して自己整合的に形成することにより容
易に作製可能である。このような構造のウエハを長さ約
600μmにへき開してレ−ザチップとした。通電領域
に流れる電流を変化するとこの部分での屈折率がリッジ
構造による導波路に対し非対称になるため電流注入量に
従ってビ−ムの曲がりが生じる。動作電流が50mA、
65mAおよび80mAの場合のレーザ光強度の分布は
図3のようになり、動作電流が増加するに伴い発光位置
が右側に移動するとともに光り出力も電流にほぼ比例し
て増大する特性がえられた。
On the n-type current block layer 109 and the p-type cap layer 106, a p-side electrode 111 made of an Au—Zn alloy is provided via a p-type contact layer 110 made of p-type GaAs. Further, on the back surface of the GaAs substrate 1, an n-side electrode 112 made of an Au.Ge alloy is provided. Each of the above semiconductor layers is grown and formed by using a CVD method such as the MOCVD method. Further, as shown in FIG. 2, the current injection region 10 whose center axis is shifted from the ridge structure 107 is formed.
8 can be easily manufactured by forming a photoresist mask for forming a ridge and a silicon oxide mask for forming a current injection region in a self-aligned manner by using side etching of silicon oxide. A wafer having such a structure was cleaved to a length of about 600 μm to form a laser chip. When the current flowing in the current-carrying region is changed, the refractive index at this portion becomes asymmetric with respect to the waveguide having the ridge structure, so that the beam is bent according to the current injection amount. Operating current is 50 mA,
The distribution of the laser beam intensity at 65 mA and 80 mA was as shown in FIG. 3. As the operating current increased, the light emitting position moved to the right and the light output increased almost in proportion to the current. .

【0021】次に、本半導体レーザを用いた光記録再生
装置の構成に関して図4および図6を用いて説明する。
図4に示されるように、本実施例の光記録再生装置で
は、半導体レ−ザ101より出射したレーザ光102
(波長630nm)はコリメータレンズ115で並行光
線となり楕円補正プリズム116、ビームスプリッタ1
17、1/4波長板118などの光学部品を通った後、
集光レンズ119により記録媒体上に集光される。光記
録媒体は、図5が示すようにランド部(凸部)121と
グルーブ部(凹部)122が0.6μm間隔で繰り返す構
造を有しており、ランド部とグルーブ部双方に情報の記
録を行う。光記録媒体120を1800rpmで回転さ
せ、集光レンズ119(開口比:0.55)で集光して光記
録層に照射した。
Next, the configuration of an optical recording / reproducing apparatus using the present semiconductor laser will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 4, in the optical recording / reproducing apparatus of this embodiment, a laser beam 102 emitted from a semiconductor laser 101 is used.
(Wavelength 630 nm) is converted into parallel rays by the collimator lens 115 and the elliptic correction prism 116 and the beam splitter 1
After passing through optical components such as 17, 1/4 wavelength plate 118,
The light is focused on the recording medium by the focusing lens 119. The optical recording medium has a structure in which land portions (convex portions) 121 and groove portions (concave portions) 122 repeat at intervals of 0.6 μm as shown in FIG. 5, and information is recorded on both the land portions and the groove portions. . The optical recording medium 120 was rotated at 1800 rpm, condensed by a condenser lens 119 (aperture ratio: 0.55), and irradiated onto the optical recording layer.

【0022】半導体レーザの駆動信号は図6に示すよう
な2種類のパルス列(パルス列1及び2)が重積したパ
ルス電流(パルス列1+2)により構成される。第1の
パルス列はピーク出力100mW、デューティ比30
%、周波数70MHz、平均出力30mWのレーザ光を
照射せしめ、光ディスクの書き込みに用いる。第2のパ
ルス列はピーク出力50mW、デューティ比10%、周
波数50MHz、平均出力5mWのレーザ光を照射し
た。これらのビームは前記の半導体レーザの動作電流に
より光出力のみではなくビーム出射位置も変化するため
ディスク上の異なった点に集光する。本実施例において
は、平均出力30mWのビームと平均出力5mWのビー
ムが同一トラック上に30mWのビームが先行するよう
に照射されるように半導体レーザを配置した。
The drive signal of the semiconductor laser is composed of a pulse current (pulse train 1 + 2) obtained by stacking two types of pulse trains (pulse trains 1 and 2) as shown in FIG. The first pulse train has a peak output of 100 mW and a duty ratio of 30.
%, A frequency of 70 MHz and an average output of 30 mW are used for writing on an optical disk. The second pulse train was irradiated with laser light having a peak output of 50 mW, a duty ratio of 10%, a frequency of 50 MHz, and an average output of 5 mW. These beams are condensed at different points on the disk because not only the light output but also the beam emission position changes depending on the operating current of the semiconductor laser. In this embodiment, the semiconductor lasers are arranged so that the beam with the average output of 30 mW and the beam with the average output of 5 mW are irradiated on the same track so that the beam of 30 mW precedes.

【0023】本装置による記録再生の信号処理は次のよ
うに行なった。記録情報123はまずコ−ド変換回路1
24に入力され、コ−ド変換されてデジタル情報に変換
される。このデジタル情報は変調回路125においてク
ロック生成回路126で生成された70MHzのクロッ
ク信号に同期したパルス状のレ−ザ駆動信号に変換され
る。一方、読み出し用パルス列はクロック生成回路12
6で生成された50MHzのクロック信号に同期したパ
ルス状のレ−ザ駆動信号として書き込み用信号に重積さ
れる。レ−ザ駆動回路127はこうして得られたレーザ
駆動信号に従ってレ−ザを駆動する。信号検出の際に読
み出し信号を書き込み信号と分離して読み出す必要があ
り、本実施例において両親号の変調周波数の差を利用し
て信号分離を行った。検出器128により検出された読
みだし信号は検出回路129により増幅され、この検出
信号を再生用パルスと同期したバンドパスフィルタ13
0により分離して再生信号とする。再生信号はそれぞれ
の再生回路131で2値化され、再生デジタル情報とな
りコ−ド変換回路132に送られてコ−ド変換され、両
再生回路系の出力を合成して最終的な再生情報133を
える。
The signal processing for recording and reproduction by this apparatus was performed as follows. The recording information 123 is first stored in the code conversion circuit 1.
24, code-converted and converted into digital information. The digital information is converted by the modulation circuit 125 into a pulsed laser drive signal synchronized with the 70 MHz clock signal generated by the clock generation circuit 126. On the other hand, the read pulse train is
The pulsed laser drive signal synchronized with the 50 MHz clock signal generated in step 6 is superimposed on the write signal. The laser drive circuit 127 drives the laser according to the laser drive signal thus obtained. At the time of signal detection, it is necessary to read the read signal separately from the write signal, and in the present embodiment, the signal separation was performed using the difference between the modulation frequencies of the parents. The read signal detected by the detector 128 is amplified by the detection circuit 129, and the detection signal is amplified by the band-pass filter 13 synchronized with the reproduction pulse.
The reproduced signal is separated by 0. The reproduction signal is binarized by each reproduction circuit 131, becomes reproduction digital information, is sent to a code conversion circuit 132, and is code-converted. The outputs of both reproduction circuit systems are combined to obtain final reproduction information 133. Get

【0024】<実施例2>本発明の第2の実施例として
本発明の半導体レーザを用いて光ディスクのトラッキン
グを行った例を図7乃至10を参照して説明する。
<Embodiment 2> As a second embodiment of the present invention, an example in which tracking of an optical disk is performed using the semiconductor laser of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0025】本実施例の光記録再生装置に用いた半導体
レーザ構造は、実施例1で用いたものとほぼ同様の構造
を有するものである。本半導体レーザを動作電流が50
mA、65mAおよび80mAで駆動した場合のレーザ
光強度の分布は図7のようになり、動作電流が増加する
に伴い発光位置が右側に移動するとともに光出力も電流
にほぼ比例して増大する特性がえられた。
The semiconductor laser structure used in the optical recording / reproducing apparatus of this embodiment has a structure substantially similar to that used in the first embodiment. Operating current of this semiconductor laser is 50
FIG. 7 shows the distribution of the laser beam intensity when driven at mA, 65 mA, and 80 mA. The light emitting position moves to the right and the light output increases almost in proportion to the current as the operating current increases. Was obtained.

【0026】このような半導体レーザを図8のように、
90MHz、ピーク出力50mW、デューティ比10%
のパルス(パルス列1)と、70MHz、ピーク出力6
5mW、デューティ比8%のパルス(パルス列2)と、
50MHz、ピーク出力80mW、デューティ比6%の
パルス(パルス列3)との3種類の周波数のパルスを実
施例1と同じ要領で重積したパルス電流により駆動した
(なお、図8には重複したパルス波形は図示せず)。こ
れによりレーザ光は図9のように光ディスク上の僅かに
ずれた3点に各周波数ごとに集光される。
As shown in FIG. 8, such a semiconductor laser is
90MHz, peak power 50mW, duty ratio 10%
(Pulse train 1), 70 MHz, peak output 6
A pulse (pulse train 2) with 5 mW and a duty ratio of 8%;
Pulses of three different frequencies, that is, a pulse (pulse train 3) having a frequency of 50 MHz, a peak output of 80 mW, and a duty ratio of 6% were driven by pulse currents accumulated in the same manner as in the first embodiment. The waveform is not shown). As a result, the laser light is condensed for each frequency at three slightly shifted points on the optical disk as shown in FIG.

【0027】本実施例の光記録再生装置の概要は、図1
0に示す如く、概ね実施例1(図4参照)のそれと類似
する(従って、実施例1と共通する構成要件の説明は割
愛する)。しかし、その使い方(機能)に実施例1との
主たる相違がある。
The outline of the optical recording / reproducing apparatus of this embodiment is shown in FIG.
As shown in FIG. 0, it is almost similar to that of the first embodiment (see FIG. 4) (therefore, the description of the components common to the first embodiment is omitted). However, there is a major difference in the usage (function) from the first embodiment.

【0028】図10の概要図に示すように、光ディスク
より反射したレーザ光は光検出器により電気信号に変換
され、この電気信号は実施例1の場合と同様にクロック
周波数に同期した周波数フィルタを用いて各周波数ごと
に分離される。分離された信号のうち90MHzおよび
50MHzの信号はトラッキングエラー検出信号として
用いられ、70MHzの信号が読み出し信号として用い
られる。
As shown in the schematic diagram of FIG. 10, the laser light reflected from the optical disk is converted into an electric signal by a photodetector, and this electric signal is subjected to a frequency filter synchronized with the clock frequency as in the first embodiment. And separated for each frequency. Of the separated signals, 90 MHz and 50 MHz signals are used as tracking error detection signals, and 70 MHz signals are used as read signals.

【0029】さらに、本実施例においては70MHzの
信号のピーク出力及びデューティ比を最適化することに
よりトラッキングの微調整を行う機能を付加した。光デ
ィスクの高記録密度化に伴い情報を記録するトラックの
間隔が狭くなってきた結果、従来の光ディスクにおいて
は荒い位置制御と精密な位置制御を行う2つの位置制御
機構が必要であったが、本実施例によれば機械的位置制
御機構は荒いもののみですむため低コスト化が図れる
上、位置制御の時間的応答性も従来に比べ高速となっ
た。さらに、本装置によればトラッキング信号を得るた
めの光ビームの位置はビームスプリッタなどの部品の特
性ではなく電気信号で制御できるため、トラック間隔が
様々な値に設定されている旧仕様の光ディスクに対して
もパルスのピーク出力とデューティ比を適切に設定する
れば最適のトラッキング用ビーム間隔を得ることができ
るという利点もあった。また、本方式によればトラック
上のビーム照射位置を振動させ、この振動をトラッキン
グ位置検出信号として用いることも可能であった。
Further, in this embodiment, a function of finely adjusting the tracking by optimizing the peak output and the duty ratio of the 70 MHz signal is added. As the recording density of optical discs has increased, the spacing between tracks on which information has been recorded has become narrower. As a result, conventional optical discs required two position control mechanisms for rough position control and precise position control. According to the embodiment, only a rough mechanical position control mechanism is required, so that the cost can be reduced, and the time response of position control is also faster than in the past. Furthermore, according to this device, the position of the light beam for obtaining the tracking signal can be controlled not by the characteristics of the components such as the beam splitter but by the electric signal, so that the optical disc of the old specification in which the track interval is set to various values is used. On the other hand, there is also an advantage that an optimum tracking beam interval can be obtained by appropriately setting the pulse peak output and the duty ratio. Further, according to this method, it is possible to vibrate the beam irradiation position on the track and use this vibration as a tracking position detection signal.

【0030】<実施例3>本発明の第3の実施例とし
て、実施例1と同様のパルス変調した半導体レ−ザを用
いる光記録再生装置において複数の半導体レ−ザ光源を
用い、パルス変調の周波数を変えることにより、より高
速の情報再生を可能とした例を示す。
<Embodiment 3> As a third embodiment of the present invention, a plurality of semiconductor laser light sources are used in an optical recording / reproducing apparatus using a pulse-modulated semiconductor laser as in the first embodiment. An example in which higher-speed information reproduction is made possible by changing the frequency of the data.

【0031】図11に本発明に用いた半導体レーザの構
造を示す。本構造はサファイア基板(C面)301上に
GaNバッファー層302を約200オングストローム
の膜厚で成長させ、さらにn型GaN層303、n型Ga
0.8Al0.2Nクラッド層304、n型GaN光ガイド層30
5、InGaN活性層306、p型GaN光ガイド層3
07、p型Ga0.8Al0.2Nクラッド層308、p型GaN
キャップ層309を順次成長した。次に、このp型のG
aN層309の表面に通常の気相化学堆積法及びフォト
リソグラフ技術を用いてストライプ状のSiO2マスク
を形成し、このSiO2 をマスクとしてリアクエティブ
イオンエッチング法によりp型Ga0.8Al0.2Nクラッド層
308まで除去する。次に、リッジ状に残ったp型Ga
0.8Al0.2Nクラッド層308から上の層をマグネトロン
スパッタ法により形成したAlN膜310およびポリイミ
ド樹脂311により埋め込み、ポリイミド樹脂のエッチ
バックによりリッジ先端を露出させて再びAlN膜310
をリアクエティブイオンエッチング法によりエッチング
して導波路の形成と電流通路の形成を自己整合的に行っ
た。次にアノード電極取り出しのために発光領域以外の
ウエハの一部でGaN層303に達するエッチングを行
いn−GaN層303及びp型のGaNキャップ層30
9の表面にタングステン電極312を形成、リアクティ
ブイオンビームエッチング法により垂直端面を形成して
半導体レーザ構造とした。さらに、この垂直端面にリア
クティブイオンビーム蒸着法によりAlNコーティング膜
313を形成すると端面部分において窒素系半導体同士
の混晶化により良好な窓構造が形成でき、従来の半導体
レーザにみられた端面破壊現象は全くみられなかった。
これにより本半導体レーザは光出力500mWまでパル
ス動作可能であった。本実施例の半導体レーザにおいて
はこのようなストライプ状の半導体レーザをストライプ
幅2μm、ストライプ間隔6μで形成した。本半導体レ
ーザの一方のストライプを50MHz、光出力300m
W、デューティ比2.0%のパルス光で駆動し、他の一方
を30MHz、光出力450mW、デューティ比1.7%
のパルス光で駆動して実施例1と同様の光記録を行っ
た。本実施例の場合、半導体レーザの出力が大きいので
書き込み時でもデューティ比は10%及び6.7%であ
り、読み出し時には2%及び1.3%であった。
FIG. 11 shows the structure of the semiconductor laser used in the present invention. In this structure, a GaN buffer layer 302 is grown on a sapphire substrate (C-plane) 301 to a thickness of about 200 Å, and an n-type GaN layer 303 and an n-type Ga
0.8 Al 0.2 N clad layer 304, n-type GaN optical guide layer 30
5, InGaN active layer 306, p-type GaN light guide layer 3
07, p-type Ga 0.8 Al 0.2 N cladding layer 308, p-type GaN
The cap layer 309 was sequentially grown. Next, this p-type G
A stripe-shaped SiO 2 mask is formed on the surface of the aN layer 309 by using ordinary gas phase chemical deposition and photolithography, and p-type Ga 0.8 Al 0.2 N is formed by reactive ion etching using the SiO 2 as a mask. The cladding layer 308 is removed. Next, the p-type Ga remaining in the ridge shape
The layer above the 0.8 Al 0.2 N cladding layer 308 is buried with an AlN film 310 formed by magnetron sputtering and a polyimide resin 311, and the ridge tip is exposed by etch-back of the polyimide resin to form an AlN film 310 again.
Was etched by reactive ion etching to form a waveguide and a current path in a self-aligned manner. Next, in order to take out the anode electrode, etching is performed to reach the GaN layer 303 in a part of the wafer other than the light emitting region, and the n-GaN layer 303 and the p-type GaN cap layer 30 are formed.
9, a tungsten electrode 312 was formed on the surface, and a vertical end face was formed by a reactive ion beam etching method to obtain a semiconductor laser structure. Further, when an AlN coating film 313 is formed on this vertical end face by reactive ion beam evaporation, a good window structure can be formed by the mixed crystal of nitrogen-based semiconductors at the end face part. No phenomena were seen.
Thus, the present semiconductor laser was able to perform a pulse operation up to an optical output of 500 mW. In the semiconductor laser of this example, such a semiconductor laser having a stripe shape was formed with a stripe width of 2 μm and a stripe interval of 6 μm. One of the stripes of the present semiconductor laser is set to 50 MHz and the light output is set to 300 m.
W, driven by pulse light of duty ratio 2.0%, the other one is 30MHz, light output 450mW, duty ratio 1.7%
And the same optical recording as in Example 1 was performed. In the case of the present embodiment, the duty ratio was 10% and 6.7% even during writing because the output of the semiconductor laser was large, and 2% and 1.3% during reading.

【0032】本実施例の光記録再生装置の概要は、図1
2に示す如く実施例1及び2と概ね共通するが、光ディ
スクに対する複数のレーザ光照射位置の配列を実施例1
より90°程変えてある点が相違する。即ち、半導体レ
ーザから出射したレーザ光を図12の概要図に示した構
成の光学系により光ディスク上に集光すると、半導体レ
ーザに於ける発光点の位置の相違が、図13に示す如く
光ディスクの半径方向に現れ、その結果、レーザ光は光
ディスク上の別々のトラック上に集光される。各トラッ
クからの反射光は図12に示す信号処理回路により実施
例1及び2と同様に周波数別に信号分離されて再生情報
を得る。
The outline of the optical recording / reproducing apparatus of this embodiment is shown in FIG.
As shown in FIG. 2, the arrangement of a plurality of laser beam irradiation positions on the optical disk is substantially the same as in the first and second embodiments,
The difference is that the angle is changed by about 90 °. That is, when the laser light emitted from the semiconductor laser is condensed on the optical disk by the optical system having the structure shown in the schematic diagram of FIG. 12, the difference in the position of the light emitting point in the semiconductor laser causes the difference in the position of the optical disk as shown in FIG. Appear radially, so that the laser light is focused on separate tracks on the optical disc. The reflected light from each track is separated into signals by frequency by the signal processing circuit shown in FIG. 12 in the same manner as in the first and second embodiments to obtain reproduction information.

【0033】半導体レーザのエネルギー変換効率が出力
が大きくなるほど高くなること、および温度変化による
半導体レーザの特性変化は主にしきい値電流に現れるの
で、大出力になるほど温度変化による出力の変動率が小
さくなることがストライプ間の熱的相互作用抑制に有利
に働き、ストライプ間隔がわずか6μmであっても読み
出し時および書き込み時のストライプ間の熱的相互作用
はほとんどなく良好な記録および再生特性が得られた。
Since the energy conversion efficiency of the semiconductor laser increases as the output increases, and the characteristic change of the semiconductor laser due to the temperature change mainly appears in the threshold current, the output fluctuation rate due to the temperature change decreases as the output increases. Works advantageously to suppress the thermal interaction between the stripes, and even if the interval between the stripes is only 6 μm, there is almost no thermal interaction between the stripes at the time of reading and writing, and good recording and reproducing characteristics can be obtained. Was.

【0034】[0034]

【発明の効果】本発明によれば高速高密度の光記録再生
装置が精密な機械精度を必要とせずに形成することが可
能となった。
According to the present invention, a high-speed and high-density optical recording / reproducing apparatus can be formed without requiring precise mechanical precision.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例の半導体レーザの断面構
造図。
FIG. 1 is a sectional structural view of a semiconductor laser according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施例の半導体レーザの上面構
造図。
FIG. 2 is a top structural view of the semiconductor laser according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1の実施例の半導体レーザにおける
注入電流と発光位置(横軸)のシフトを示すスペクトル
図。
FIG. 3 is a spectrum diagram showing a shift of an injection current and a light emission position (horizontal axis) in the semiconductor laser according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1の実施例の光記録再生装置の概略
図。
FIG. 4 is a schematic diagram of an optical recording / reproducing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第1の実施例におけるレーザ光の光デ
ィスク(記録媒体)への照射態様を示す模式図。
FIG. 5 is a schematic diagram showing a manner of irradiating an optical disc (recording medium) with laser light according to the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第1の実施例における半導体レーザに
供給される駆動電流パルスの説明図で、実際に供給され
る電流は、パルス列1と2を重畳したパルス列1+2で
ある。横軸は時間を示す。
FIG. 6 is an explanatory diagram of a drive current pulse supplied to the semiconductor laser according to the first embodiment of the present invention. The actually supplied current is a pulse train 1 + 2 in which pulse trains 1 and 2 are superimposed. The horizontal axis indicates time.

【図7】本発明の第2の実施例の半導体レーザにおける
注入電流と発光位置(横軸)のシフトを示すスペクトル
図。
FIG. 7 is a spectrum diagram showing a shift of an injection current and a light emission position (horizontal axis) in a semiconductor laser according to a second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第2の実施例における半導体レーザに
供給される駆動電流パルスの説明図で、図示されるパル
ス列1、2及び3を重畳した駆動電流が半導体レーザに
供給される。横軸は時間を示す。
FIG. 8 is an explanatory diagram of a drive current pulse supplied to a semiconductor laser according to a second embodiment of the present invention. A drive current obtained by superimposing the illustrated pulse trains 1, 2, and 3 is supplied to the semiconductor laser. The horizontal axis indicates time.

【図9】本発明の第2の実施例におけるレーザ光の光デ
ィスク(記録媒体)への照射態様を示す模式図。
FIG. 9 is a schematic diagram showing a manner of irradiating an optical disc (recording medium) with laser light according to a second embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第2の実施例の光記録再生装置の概
略図。
FIG. 10 is a schematic diagram of an optical recording / reproducing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第3の実施例の半導体レーザの断面
構造図。
FIG. 11 is a sectional structural view of a semiconductor laser according to a third embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第3の実施例の光記録再生装置の概
略図。
FIG. 12 is a schematic diagram of an optical recording / reproducing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第2の実施例におけるレーザ光の光
ディスク(記録媒体)への照射態様を示す模式図。
FIG. 13 is a schematic view showing a manner of irradiating an optical disc (recording medium) with laser light according to a second embodiment of the present invention.

【図14】従来の光記録再生装置の光学系の概略図。FIG. 14 is a schematic diagram of an optical system of a conventional optical recording / reproducing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101…マルチビーム半導体レ−ザ、102…レーザ
光、103…コリメータレンズ、104…楕円補正プリ
ズム、105…ビームスプリッタ、106…1/4波長
板、107…集光レンズ、108…ポリカーボネート基
板、109…記録媒体上、110…記録情報、111…
コ−ド変換回路、112…レ−ザ駆動回路、113…検
出器、114…検出回路、115…コ−ド変換回路、1
16…再生情報、117…GaAs基板、118…n型
In0.5 (Ga0.3 Al0.7 )0.5Pクラッド層、11
9…アンドープIn0.5 (Ga0.3 Al0.7)0.5 P光
ガイド層、120…活性層、121…p型In0.5 (G
a1-X AlX )0.5 Pクラッド層、122…p型GaA
sキャップ層、123…リッジ構造、124…通電領
域、125…n型電流ブロック層、126…p型コンタ
クト層、127…p側電極、128…n側電極、129
…クロック回路、130…変調回路、131…ロ−パス
フィルタ、132…再生回路、201…サファイア基板
(C面)、202…GaNバッファー層、203…n型
GaN層、204…n型Ga0.8Al0.2Nクラッド層、20
5…n型GaN光ガイド層、206…InGaN活性層、
207…p型GaN光ガイド層、208…p型Ga0.8Al
0.2Nクラッド層、209…p型GaNキャップ層、21
0…AlN膜、211…ポリイミド樹脂、212…タング
ステン電極。
101: Multi-beam semiconductor laser, 102: Laser beam, 103: Collimator lens, 104: Elliptical correction prism, 105: Beam splitter, 106: 1/4 wavelength plate, 107: Condensing lens, 108: Polycarbonate substrate, 109 ... on a recording medium, 110 ... recording information, 111 ...
Code conversion circuit, 112 laser driving circuit, 113 detector, 114 detection circuit, 115 code conversion circuit, 1
16 ... reproduction information 117 ... GaAs substrate 118 ... n-type In0.5 (Ga0.3 Al0.7) 0.5P cladding layer 11
9: Undoped In0.5 (Ga0.3 Al0.7) 0.5 P light guide layer, 120: active layer, 121: p-type In0.5 (G
a1-x Alx) 0.5 P cladding layer, 122 ... p-type GaAs
s cap layer, 123 ridge structure, 124 energized region, 125 n-type current block layer, 126 p-type contact layer, 127 p-side electrode, 128 n-side electrode, 129
... Clock circuit, 130 modulation circuit, 131 low-pass filter, 132 reproduction circuit, 201 sapphire substrate (C plane), 202 GaN buffer layer, 203 n-type GaN layer, 204 n-type Ga0.8Al0 .2N cladding layer, 20
5 ... n-type GaN light guide layer, 206 ... InGaN active layer,
207: p-type GaN optical guide layer, 208: p-type Ga0.8Al
0.2N clad layer, 209 ... p-type GaN cap layer, 21
0: AlN film, 211: polyimide resin, 212: tungsten electrode.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】光源である半導体レーザと、該半導体レー
ザに駆動電流を供給する手段と、該半導体レーザより出
射したレーザ光を光記録面上に集光する光学系を有する
光記録再生装置であって、該半導体レーザの駆動電流に
より該記録面上の異なる複数の位置にレーザ光が集光さ
れる機能を有し、上記複数の位置に対し同時に情報の記
録および再生を行うことを特徴とした光記録再生装置。
An optical recording / reproducing apparatus having a semiconductor laser as a light source, means for supplying a drive current to the semiconductor laser, and an optical system for condensing laser light emitted from the semiconductor laser on an optical recording surface. The semiconductor laser has a function of condensing laser light at a plurality of different positions on the recording surface by a driving current of the semiconductor laser, and simultaneously records and reproduces information on the plurality of positions. Optical recording and reproducing device.
【請求項2】上記複数のレーザ光集光位置に照射される
レーザ光は記録媒体の追従速度に比べ十分に高い互いに
異なる周波数のパルス光であり、該パルス光は時間的に
重複して照射されることがないことを特徴とする光記録
再生装置。
2. The laser light applied to the plurality of laser light condensing positions is pulsed light of different frequencies sufficiently higher than the following speed of a recording medium, and the pulsed light is irradiated overlapping in time. An optical recording / reproducing apparatus characterized by not being performed.
【請求項3】請求項1に記載の半導体レーザは発光位置
が注入電流量により変化する機能を有し、各記録位置に
対応した波高値のパルス電流を情報の記録及び再生に最
適の平均エネルギー密度となるデューティ比で通電する
ことにより記録及び再生を行うことを特徴とする光記録
再生装置。
3. The semiconductor laser according to claim 1, wherein a light emitting position has a function of changing according to an injection current amount, and a pulse current having a peak value corresponding to each recording position is converted into an average energy optimum for recording and reproducing information. An optical recording / reproducing apparatus which performs recording and reproduction by energizing at a duty ratio which becomes a density.
【請求項4】請求項2に記載のパルス電流はデューティ
比が10%以下のものであることを特徴とする光記録再
生装置。
4. An optical recording / reproducing apparatus according to claim 2, wherein the pulse current has a duty ratio of 10% or less.
【請求項5】請求項1乃至4のいずれかに記載の光記録
再生装置であって上記ことなる集光点からの再生信号は
同一の受光素子により検出され、周波数フィルタ回路に
より信号分離されて情報再生を行うことを特徴とする光
記録再生装置。
5. The optical recording / reproducing apparatus according to claim 1, wherein the reproduced signals from the converging points are detected by the same light receiving element and separated by a frequency filter circuit. An optical recording / reproducing apparatus for reproducing information.
【請求項6】請求項1乃至5のいずれかに記載の光記録
再生装置であって上記複数のレーザ光照射位置は光りデ
ィスクの同一トラック上に相前後して設定されており、
ディスク回転に対し先行するレーザ光を情報の書き込み
に、後行するレーザビームを書き込まれた情報の確認に
用いることを特徴とする光記録再生装置。
6. An optical recording / reproducing apparatus according to claim 1, wherein said plurality of laser beam irradiation positions are set successively on the same track of a light disk.
An optical recording / reproducing apparatus, wherein a laser beam preceding a disk rotation is used for writing information, and a subsequent laser beam is used for confirming the written information.
【請求項7】請求項1乃至6のいずれかに記載の光記録
再生装置であって3個の異なる周波数で変調されたレー
ザビームを光ディスクの回転に伴いトラックの軸方向に
のびた3本の等間隔の線上を走査するように配置されて
おり個々のスポットの信号を周波数別に検出することに
より該等間隔の線のうち両端の2本の信号を用いて中央
の線がトラックの中心線に一致するように制御すること
を特徴とする光記録再生装置。
7. An optical recording / reproducing apparatus according to claim 1, wherein three laser beams modulated at three different frequencies extend in the axial direction of the track as the optical disk rotates. It is arranged to scan on the line of the interval, and by detecting the signal of each spot by frequency, the center line coincides with the center line of the track using the two signals at both ends of the line of the equal interval An optical recording / reproducing apparatus characterized in that the optical recording / reproducing apparatus is controlled so as to perform
JP10069724A 1998-03-19 1998-03-19 Optical recording and reproducing device Pending JPH11273080A (en)

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