JPH11266546A - Electronic device - Google Patents

Electronic device

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JPH11266546A
JPH11266546A JP10065919A JP6591998A JPH11266546A JP H11266546 A JPH11266546 A JP H11266546A JP 10065919 A JP10065919 A JP 10065919A JP 6591998 A JP6591998 A JP 6591998A JP H11266546 A JPH11266546 A JP H11266546A
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JP
Japan
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circuit
power
voltage
electronic device
signal processing
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JP10065919A
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Japanese (ja)
Inventor
Tsuneaki Fuse
施 常 明 布
Makoto Yoshimi
見 信 吉
Sadayuki Yoshitomi
富 貞 幸 吉
Kazumi Inou
納 和 美 井
Yasuhiro Katsumata
又 康 弘 勝
Shigeyoshi Watanabe
辺 重 佳 渡
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
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  • Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic device, which is capable of reducing the power consumption of a system as a whole and improving the performance and function of the system by integrating the functions required for the system into integrated circuits which are made to match with each characteristic and providing a power supply system adaptive to each integrated circuit. SOLUTION: A transmission and reception circuit 2 which is principally a high-frequency circuit is constituted of a transmission/reception change-over switch 10, and a power amplifier 11 is integrated into a single integrated circuit. Then an RF signal processing circuit 3, which is principally an analog circuit constituted of a low-noise amplifier 12, a reception mixer 13, a transmission mixer 14, a voltage-controlled transmitter 16, a frequency synthesizer 15, etc., is integrated into another integrated circuit. In addition, a base-band signal processing circuit 4, which is principally a digital circuit composed of a demodulator 17, a modulator 18, a sound signal processing circuit 19, a CPU 21 for control, a memory 22, an image signal processing circuit 20, etc., is integrated into a third integrated circuit, so as to optimize the voltage supplied from a voltage control circuit 5 in accordance with the characteristics of each circuit.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子装置に係り、
特に、高周波回路、アナログ回路、ディジタル回路を混
載し、併せて電池などの電力供給手段から電力供給を受
ける携帯型の装置のシステムの構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic device,
In particular, the present invention relates to a system structure of a portable device in which a high-frequency circuit, an analog circuit, and a digital circuit are mixed and supplied with power from power supply means such as a battery.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、携帯電話や簡易型携帯電話(PH
S)のような移動体通信を目的とした電子装置が急速に
普及してきている。
2. Description of the Related Art In recent years, portable telephones and simplified portable telephones (PH
Electronic devices for mobile communication such as S) are rapidly becoming popular.

【0003】図15は、かかる従来の電子装置の回路ブ
ロック図であり、特に、簡易型携帯電話のシステム構成
を示すものである。
FIG. 15 is a circuit block diagram of such a conventional electronic device, and particularly shows a system configuration of a simplified portable telephone.

【0004】図において示すように、通話のためのスピ
ーカ7と、マイクロフォン9はベースバンド信号処理回
路4の音声信号処理回路19に接続される。この音声信
号処理回路19は、復調器17を通じて受信ミキサ13
に、変調器18を通じて送信ミキサ14に接続される。
ベースバンド信号処理回路4には、制御用CPU21と
メモリ22が備えられており、システム全体の制御を行
っている。
As shown in the figure, a speaker 7 for talking and a microphone 9 are connected to an audio signal processing circuit 19 of the baseband signal processing circuit 4. The audio signal processing circuit 19 is connected to the reception mixer 13 through the demodulator 17.
Is connected to the transmission mixer 14 through the modulator 18.
The baseband signal processing circuit 4 includes a control CPU 21 and a memory 22, and controls the entire system.

【0005】一方、アンテナ1には、送受信切替スイッ
チ10を介して、受信用の低雑音増幅器12および送信
用の電力増幅器11が接続される。そして、低雑音増幅
器12は、受信ミキサ13に接続され、電力増幅器11
は、送信ミキサ14が接続される。
On the other hand, a low-noise amplifier 12 for reception and a power amplifier 11 for transmission are connected to the antenna 1 via a transmission / reception switch 10. Then, the low noise amplifier 12 is connected to the reception mixer 13 and the power amplifier 11
Is connected to the transmission mixer 14.

【0006】なお、ベースバンド信号処理回路4の制御
用CPU21には、電圧制御発信器16が接続され、周
波数シンセサイザ15を制御している。この周波数シン
セサイザ15からの信号は、受信ミキサ13および送信
ミキサ14に与えらえる。
[0006] A voltage control oscillator 16 is connected to the control CPU 21 of the baseband signal processing circuit 4 to control the frequency synthesizer 15. The signal from the frequency synthesizer 15 is provided to the reception mixer 13 and the transmission mixer 14.

【0007】システム全体に対する電力の供給は、電池
6によって行われる。
Power is supplied to the entire system by a battery 6.

【0008】以上述べたような構成において、次にその
動作を説明する。
Next, the operation of the above configuration will be described.

【0009】まず、通話時の、受信動作であるが、アン
テナ1から入力した1.9GHz帯の受信信号は、送受
信切替スイッチ10を介して、低雑音増幅器12で増幅
され、受信ミキサ13により、数10Hzから数100
kHzのバースバンド信号に周波数変換される。このベ
ースバンド信号は、ベースバンド信号処理回路4の復調
器17において復調検波され、音声信号処理回路19に
より音声信号処理されてスピーカ7から音声として出力
される。
First, in a receiving operation during a call, a 1.9 GHz band received signal input from the antenna 1 is amplified by the low noise amplifier 12 through the transmission / reception switch 10 and is received by the reception mixer 13. Several tens of Hz to several hundred
The frequency is converted to a kHz band signal. The baseband signal is demodulated and detected by the demodulator 17 of the baseband signal processing circuit 4, subjected to audio signal processing by the audio signal processing circuit 19, and output from the speaker 7 as audio.

【0010】一方、通話時の、送信動作であるが、マイ
クロフォン9からの入力音声は、音声信号処理回路19
で音声信号処理されて、変調器18でベースバンド信号
に直交変調される。このベースバンド信号は、送信ミキ
サ14により1.9GHz帯の送信周波数に変換され、
電力増幅器11により平均10mWの送信信号に増幅さ
れ、送受信切替スイッチ10を介してアンテナ1から発
信される。
On the other hand, in a transmission operation during a call, an input voice from the microphone 9 is transmitted to a voice signal processing circuit 19.
, And is orthogonally modulated into a baseband signal by the modulator 18. This baseband signal is converted into a 1.9 GHz band transmission frequency by the transmission mixer 14,
The transmission signal is amplified to an average of 10 mW by the power amplifier 11 and transmitted from the antenna 1 via the transmission / reception switch 10.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】従来の電子装置は、以
上述べたように、送受信切替スイッチ10や電力増幅器
11のように約2GHz近い高周波電力信号を扱うブロ
ック、低雑音増幅器12、受信ミキサ13、送信ミキサ
14、周波数シンセサイザ15のように比較的低電力の
高周波信号を扱うブロック、電圧制御発信器16のよう
なアナログブロック、ベースバンド信号処理回路4のよ
うな、ディジタル信号や、音声のように比較的低い周波
数の信号を扱うブロックなどで構成される。それぞれの
ブロックの機能を満足するために、送受信切替スイッチ
10と、電力増幅器11には、それぞれガリウム砒素集
積回路を適用する。一方、低雑音増幅器12、受信ミキ
サ13、送信ミキサ14、周波数シンセサイザ15に
は、それぞれバイポーラ素子とMOS素子の混合回路で
あるBiCMOS集積回路が用いられる。更に、電圧制
御発信器16には、バイポーラ集積回路が用いられ、ベ
ースバンド信号処理回路4には、CMOS集積回路が用
いられる。
As described above, the conventional electronic device includes a block for handling a high-frequency power signal close to about 2 GHz, such as a transmission / reception switch 10 and a power amplifier 11, a low-noise amplifier 12, and a reception mixer 13. , A block that handles relatively low-power high-frequency signals such as a transmission mixer 14 and a frequency synthesizer 15, an analog block such as a voltage-controlled oscillator 16, a digital signal such as a baseband signal processing circuit 4, and a voice such as a voice. And a block that handles signals of a relatively low frequency. In order to satisfy the function of each block, gallium arsenide integrated circuits are applied to the transmission / reception changeover switch 10 and the power amplifier 11, respectively. On the other hand, a BiCMOS integrated circuit which is a mixed circuit of a bipolar element and a MOS element is used for each of the low noise amplifier 12, the reception mixer 13, the transmission mixer 14, and the frequency synthesizer 15. Further, a bipolar integrated circuit is used for the voltage control transmitter 16, and a CMOS integrated circuit is used for the baseband signal processing circuit 4.

【0012】つまり、ひとつの通信システムを構成する
ために、少なくとも8つの集積回路チップを用いる必要
がある。
That is, in order to configure one communication system, it is necessary to use at least eight integrated circuit chips.

【0013】このため、通信システムを構成するための
回路基板においては、コストや実装面積は必然的に増大
してしまう。このことは、携帯機器を構成する場合の大
きな障害であり、コスト低減や小型軽量化の妨げとなっ
ている。
Therefore, the cost and the mounting area of the circuit board for configuring the communication system are inevitably increased. This is a major obstacle in configuring a portable device, and hinders cost reduction and reduction in size and weight.

【0014】また、移動体通信には、音声による通信機
能だけではなく、インターネットへの接続機能、ファク
シミリ通信機能、電子メイル送受信機能、静止画像処理
機能、動画像処理機能、音声認識機能など、さまざまな
付加機能が求められており、これらの複雑な機能を実現
するためには、最低40MIPSから100MIPS程
度の処理能力を有する高速なプロセッサが必要となって
くる。しかし、高速プロセッサは、高速動作を実現する
ために、一般的に消費電力が大きく、電力を供給する電
池6の消耗を促す結果となってしまう。つまり、機器の
電池駆動による動作時間が短くなり、使い勝手が悪くな
ってしまう。
In addition to the voice communication function, the mobile communication includes various functions such as an Internet connection function, a facsimile communication function, an electronic mail transmission / reception function, a still image processing function, a moving image processing function, and a voice recognition function. In order to realize these complicated functions, a high-speed processor having a processing capability of at least about 40 MIPS to about 100 MIPS is required. However, a high-speed processor generally consumes a large amount of power in order to realize a high-speed operation, which results in consuming the battery 6 that supplies power. That is, the operation time of the device driven by the battery is shortened, and the usability is deteriorated.

【0015】一般的には、プロセッサのようなディジタ
ル集積回路の消費電力は、電源電圧の2乗に比例するた
め、消費電力低減のためには、電源電圧を下げるのが非
常に有効とされている。したがって、さまざまな機能を
実現するためのディジタル回路を搭載した電子装置の電
池寿命を延ばすためには、電源電圧の低減が必須という
ことになる。
Generally, the power consumption of a digital integrated circuit such as a processor is proportional to the square of the power supply voltage. Therefore, it is very effective to lower the power supply voltage in order to reduce the power consumption. I have. Therefore, in order to extend the battery life of an electronic device equipped with a digital circuit for realizing various functions, it is necessary to reduce the power supply voltage.

【0016】ところが、一方で、低雑音増幅器12のよ
うなアナログ集積回路においては、ダイナミックレンジ
を確保するために、電源電圧をむやみと下げられないと
いう事情がある。また、電力増幅器11においては、出
力電力が決まっているため、電源電圧を低下させると、
電流が増大し、抵抗損失の増加が懸念される。更に、電
源電圧を低下させると、信号の振幅も低下するため、S
/Nが劣化してしまうという問題もある。
However, on the other hand, in an analog integrated circuit such as the low noise amplifier 12, there is a situation that the power supply voltage cannot be lowered unnecessarily in order to secure a dynamic range. In the power amplifier 11, since the output power is determined, when the power supply voltage is reduced,
The current increases, and there is a concern that the resistance loss increases. Further, when the power supply voltage is reduced, the signal amplitude is also reduced.
There is also a problem that / N deteriorates.

【0017】つまり、従来の電子装置では、消費電力低
減のために、システム全体の電源電圧を低下させると、
ディジタル集積回路の消費電力低減は実現できても、ア
ナログ回路の特性が大幅に劣化してしまい、装置の要求
性能を満たすことができないという問題点がある。
That is, in the conventional electronic device, when the power supply voltage of the entire system is reduced in order to reduce power consumption,
Even if the power consumption of the digital integrated circuit can be reduced, the characteristics of the analog circuit are greatly deteriorated, and there is a problem that the required performance of the device cannot be satisfied.

【0018】以上述べたように、従来の電子装置は、さ
まざまな機能を有する機能ブロックを、それぞれ異なる
集積回路で構成しているので、集積回路のチップ数が増
大してしまい、コストダウンや小型軽量化が困難である
という問題点を有するばかりでなく、更にさまざまな機
能向上を消費電力を上げることなく実現しようとする
と、本来の電子装置としての機能を実現するためのアナ
ログ回路の特性劣化を招いてしまうという問題点があっ
た。
As described above, in the conventional electronic device, since the functional blocks having various functions are formed of different integrated circuits, the number of integrated circuit chips increases, which leads to cost reduction and miniaturization. Not only is it difficult to reduce the weight, but also if various functions are to be improved without increasing the power consumption, the characteristics of analog circuits for realizing the functions of the original electronic device will deteriorate. There was a problem of inviting.

【0019】なお、電池寿命を延ばすために、回路の低
消費電力化を進めても、一般的な充電式や使い捨て電池
の場合、利用し続けるうちに、いずれは寿命がきて、機
器の利用ができなくなってしまうため、肝心な場合や、
非常時に利用できなくなることも少なくなく、携帯用電
子装置においては、重大な問題点とされている。このた
め、電池寿命の更なる延長が大きな課題となっている
が、電池自体の改良だけでは限界があり、何らかの対策
が必要とされている。
Even if the power consumption of the circuit is reduced in order to extend the battery life, in the case of a general rechargeable or disposable battery, the life will eventually expire and the use of the equipment will eventually take place as the battery continues to be used. If you can't do that,
It is often unavailable in an emergency, and is a serious problem in portable electronic devices. For this reason, further extension of the battery life is a major issue, but improvement of the battery itself is limited, and some measures are required.

【0020】本発明は、上記のような従来技術の問題点
を解消し、システムに必要とされる機能を、それぞれの
特性に合わせた集積回路に統合し、併せて各集積回路に
適合した電源供給系を設けることで、システム全体の消
費電力を低減しながら、高機能化を実現すると共に、電
池の寿命延長を実現して、利用性の高い電子装置を提供
することを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned problems of the prior art, integrates the functions required for the system into integrated circuits adapted to the respective characteristics, and also provides a power supply suitable for each integrated circuit. An object of the present invention is to provide a highly usable electronic device by providing a supply system, realizing high functionality while reducing power consumption of the entire system, and extending the life of a battery.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、主として高周波回路で構成される高周波
回路ブロックと、主としてアナログ回路で構成されるア
ナログ回路ブロックと、主としてディジタル回路で構成
されるディジタル回路ブロックと、前記高周波回路ブロ
ックに適した第1の電圧を発生する第1の電圧制御手段
と、第1の前記アナログ回路ブロックに適した第2の電
圧を発生する第2の電圧制御手段と、前記ディジタル回
路ブロックに適した第3の電圧を発生する第3の電圧供
給手段と、前記高周波回路ブロックを集積化した第1の
集積回路ブロックと、前記アナログ回路ブロックを集積
化した第2の集積回路ブロックと、前記ディジタル回路
ブロックを集積回路した第3の集積回路ブロックと、を
備える第1の電子装置を提供するものである。
In order to achieve the above object, the present invention provides a high frequency circuit block mainly composed of a high frequency circuit, an analog circuit block mainly composed of an analog circuit, and a digital circuit mainly composed of a digital circuit. Digital circuit block, first voltage control means for generating a first voltage suitable for the high-frequency circuit block, and second voltage for generating a second voltage suitable for the first analog circuit block A control unit, a third voltage supply unit for generating a third voltage suitable for the digital circuit block, a first integrated circuit block in which the high-frequency circuit block is integrated, and the analog circuit block are integrated. A first integrated circuit including a second integrated circuit block and a third integrated circuit block in which the digital circuit block is integrated; It is to provide a location.

【0022】なお、本発明は以下のような態様をとるこ
とができる。
The present invention can have the following embodiments.

【0023】上記の第1の電子装置において、前記第1
の電圧制御手段と、前記第2の電圧制御手段と、前記第
3の電圧制御手段とが、第4の集積回路ブロックに集積
化される、第2の電子装置。
In the above first electronic device, the first electronic device
The second electronic device, wherein the voltage control means, the second voltage control means, and the third voltage control means are integrated in a fourth integrated circuit block.

【0024】上記の第1の電子装置において、前記第1
の電圧制御手段が、前記第1の集積回路ブロック上に集
積化され、前記第2の電圧制御手段が、前記第2の集積
回路ブロック上に集積化され、前記第3の電圧制御手段
が、前記第3の集積回路ブロック上に集積化される、第
3の電子装置。
In the above first electronic device, the first electronic device
Is integrated on the first integrated circuit block, the second voltage control unit is integrated on the second integrated circuit block, and the third voltage control unit is A third electronic device integrated on the third integrated circuit block.

【0025】上記の第1の電子装置において、前記第1
の集積回路ブロックと、前記第2の集積回路ブロック
が、同一の半導体基板上に形成される、第4の電子装
置。
In the above first electronic device, the first electronic device
The fourth electronic device, wherein the integrated circuit block and the second integrated circuit block are formed on the same semiconductor substrate.

【0026】上記第4の電子装置において、前記半導体
基板上に、前記第1の電圧制御手段の機能と前記第2の
電圧制御手段の機能を統合した電圧制御ブロックが搭載
される、第5の電子装置。
In the fourth electronic device, a voltage control block integrating the function of the first voltage control means and the function of the second voltage control means is mounted on the semiconductor substrate. Electronic devices.

【0027】上記第1の電子装置において、前記第2の
集積回路ブロックと、前記第3の集積回路ブロックが、
同一の半導体基板上に形成される、第6の電子装置。
In the first electronic device, the second integrated circuit block and the third integrated circuit block may include:
A sixth electronic device formed over the same semiconductor substrate.

【0028】上記第6の電子装置において、前記半導体
基板上に、前記第2の電圧制御手段の機能と前記第3の
電圧制御手段の機能を統合した電圧制御ブロックが搭載
される、第7の電子装置。
In the sixth electronic device, a voltage control block integrating the function of the second voltage control means and the function of the third voltage control means is mounted on the semiconductor substrate. Electronic devices.

【0029】上記第1の電子装置において、前記第1の
集積回路ブロックと、前記第2の集積回路ブロックと、
前記第3の集積回路ブロックが、同一の半導体基板上に
形成される、第8の電子装置。
In the first electronic device, the first integrated circuit block, the second integrated circuit block,
An eighth electronic device, wherein the third integrated circuit block is formed on the same semiconductor substrate.

【0030】上記第8の電子装置において、前記半導体
基板上に、前記第1の電圧制御手段の機能と、前記第2
の電圧制御手段の機能と、前記第3の電圧制御手段の機
能を、統合した電圧制御ブロックが搭載される、第9の
電子装置。
In the eighth electronic device, the function of the first voltage control means and the second voltage control means may be provided on the semiconductor substrate.
A ninth electronic device, comprising a voltage control block that integrates the functions of the voltage control means and the function of the third voltage control means.

【0031】上記第1の電子装置において、前記第1の
集積回路が、ガリウム砒素集積回路である、第10の電
子装置。
[0031] In the first electronic device, a tenth electronic device, wherein the first integrated circuit is a gallium arsenide integrated circuit.

【0032】上記第1の電子装置において、前記第1の
集積回路が、バイポーラトランジスタおよびMOSトラ
ンジスタで構成される、BiCMOS集積回路である、
第11の電子装置。
[0032] In the first electronic device, the first integrated circuit is a BiCMOS integrated circuit including a bipolar transistor and a MOS transistor.
Eleventh electronic device.

【0033】上記第11の電子装置において、前記第1
の集積回路が、絶縁膜上のシリコン層に形成された、バ
イポーラトランジスタおよびMOSトランジスタで構成
される、SOI型BiCMOS集積回路である、第12
の電子装置。
In the eleventh electronic device, the first electronic device
Is an SOI type BiCMOS integrated circuit formed of a bipolar transistor and a MOS transistor formed in a silicon layer on an insulating film.
Electronic devices.

【0034】上記第1の電子装置において、前記第1の
集積回路が、MOSトランジスタで構成される、CMO
S集積回路である、第13の電子装置。
In the first electronic device, the first integrated circuit may include a MOS transistor.
A thirteenth electronic device, wherein the electronic device is an S integrated circuit.

【0035】上記第13の電子装置において、前記第1
の集積回路が、絶縁膜上のシリコン層に形成されたMO
Sトランジスタで構成される、SOI型CMOS集積回
路である、第14の電子装置。
In the thirteenth electronic device, the first electronic device
Of the MO formed on the silicon layer on the insulating film
A fourteenth electronic device, which is an SOI type CMOS integrated circuit including S transistors.

【0036】上記第1の電子装置において、前記第2の
集積回路が、絶縁膜上のシリコン層に形成された、バイ
ポーラトランジスタおよびMOSトランジスタで構成さ
れる、SOI型BiCMOS集積回路である、第15の
電子装置。
In the first electronic device, the second integrated circuit is an SOI BiCMOS integrated circuit formed of a bipolar transistor and a MOS transistor formed on a silicon layer on an insulating film. Electronic devices.

【0037】上記第1の電子装置において、前記第3の
集積回路が、CMOSトランジスタで構成される、CM
OS集積回路である、第16の電子装置。
In the above first electronic device, the third integrated circuit may be a CMOS transistor.
A sixteenth electronic device, which is an OS integrated circuit.

【0038】上記第16の電子装置において、前記第3
の集積回路が、絶縁膜上のシリコン層に形成されたCM
OSトランジスタで構成される、SOI型CMOS集積
回路である、第17の電子装置。
In the sixteenth electronic device, the third electronic device
CM formed in a silicon layer on an insulating film
A seventeenth electronic device, which is an SOI CMOS integrated circuit including an OS transistor.

【0039】上記第4の電子装置において、前記第1の
集積回路ブロックと前記第2の集積回路ブロックが、絶
縁膜上のシリコン層に形成されたバイポーラトランジス
タおよびMOSトランジスタで構成された、SOI型B
iCMOS集積回路基板上に集積される、第18の電子
装置。
In the above-mentioned fourth electronic device, the first integrated circuit block and the second integrated circuit block are composed of a bipolar transistor and a MOS transistor formed in a silicon layer on an insulating film. B
An eighteenth electronic device integrated on an iCMOS integrated circuit substrate.

【0040】上記第6の電子装置において、前記第2の
集積回路ブロックと前記第3の集積回路ブロックが、絶
縁膜上のシリコン層に形成されたバイポーラトランジス
タとMOSトランジスタで構成される、SOI型BiC
MOS集積回路である、第19の電子装置。
In the sixth electronic device, the second integrated circuit block and the third integrated circuit block are constituted by a bipolar transistor and a MOS transistor formed in a silicon layer on an insulating film. BiC
A nineteenth electronic device, which is a MOS integrated circuit.

【0041】上記第8の電子装置において、前記第1の
集積回路ブロックと、前記第2の集積回路ブロックと、
前記第3の集積回路ブロックが、絶縁膜上のシリコン層
に形成されたバイポーラトランジスタとMOSトランジ
スタで構成される、SOI型BiCMOS集積回路であ
る、第20の電子装置。
In the above-mentioned eighth electronic device, the first integrated circuit block, the second integrated circuit block,
The twentieth electronic device, wherein the third integrated circuit block is an SOI-type BiCMOS integrated circuit including a bipolar transistor and a MOS transistor formed in a silicon layer on an insulating film.

【0042】上記第10の電子装置において、前記第1
の電圧制御手段と、前記第2の電圧制御手段と、前記第
3の電圧制御手段とに、電源を供給する電池系を備え
る、第21の電子装置。
In the tenth electronic device, the first electronic device
21. An electronic device according to claim 21, further comprising a battery system for supplying power to said voltage control means, said second voltage control means, and said third voltage control means.

【0043】上記第21の電子装置において、前記電池
系が、少なくとも太陽電池により電力供給を行うように
した、第22の電子装置。
A twenty-second electronic device according to the twenty-first electronic device, wherein the battery system supplies power at least by a solar cell.

【0044】上記第22の電子装置において、前記電池
系が、前記太陽電池からの電力を蓄える蓄電手段を備え
る、第23の電子装置。
A twenty-third electronic device according to the twenty-second electronic device, wherein the battery system includes power storage means for storing power from the solar cell.

【0045】上記第22の電子装置において、前記電池
系が、微弱電力を前記太陽電池から供給し、主電力を主
電池から供給するようにした、第24の電子装置。
A twenty-fourth electronic device according to the twenty-second electronic device, wherein the battery system supplies weak power from the solar cell and supplies main power from the main battery.

【0046】上記第22の電子装置において、前記電池
系が、微弱電力を前記太陽電池および前記蓄電手段から
供給し、主電力を主電池から供給するようにした、第2
5の電子装置。
In the above-mentioned twenty-second electronic device, the battery system supplies weak power from the solar battery and the power storage means, and supplies main power from the main battery.
Electronic device of 5.

【0047】上記第21の電子装置において、前記電池
系が、少なくとも物理的な発電手段により電力供給を行
うようにした、第26の電子装置。
A twenty-sixth electronic device according to the twenty-first electronic device, wherein the battery system supplies power at least by physical power generation means.

【0048】上記第26の電子装置において、前記電池
系が、前記発電手段からの電力を蓄える蓄電手段を備え
る、第27の電子装置。
The twenty-sixth electronic device according to the twenty-sixth electronic device, wherein the battery system includes power storage means for storing power from the power generation means.

【0049】上記第21の電子装置において、前記電池
系が、少なくとも空間の電波を電力に変換する電力確保
システムにより電力供給を行うようにした、第28の電
子装置。
A twenty-eighth electronic device according to the twenty-first electronic device, wherein the battery system supplies power using a power securing system that converts at least radio waves in space into electric power.

【0050】上記第28の電子装置において、前記電池
系が、前記電力確保システムからの電力を蓄える蓄電手
段を備える、第29の電子装置。
A twenty-eighth electronic device according to the twenty-eighth electronic device, wherein the battery system includes power storage means for storing power from the power securing system.

【0051】上記第28の電子装置において、前記電池
系が、微弱電力を前記電力確保システムから供給し、主
電力を主電池から供給するようにした、第30の電子装
置。上記第29の電子装置において、前記電池系が、微
弱電力を前記電力確保システムおよび前記蓄電手段から
供給し、主電力を主電池から供給するようにした、第3
1の電子装置。
A thirty-second electronic device according to the twenty-eighth electronic device, wherein the battery system supplies weak power from the power securing system and supplies main power from the main battery. In the twenty-ninth electronic device, the battery system supplies weak power from the power securing system and the power storage unit, and supplies main power from a main battery.
Electronic device of 1.

【0052】上記第21の電子装置において、前記第1
の電圧制御手段と、前記第2の電圧制御手段と、前記第
3の電圧制御手段が、それぞれに、前記電池系からの電
力を直接に、それぞれ第1の集積回路ブロック、第2の
集積回路ブロック、第3の集積回路ブロックに供給する
直結手段と、前記電池系からの電力を昇圧して、それぞ
れ第1の集積回路ブロック、第2の集積回路ブロック、
第3の集積回路ブロックに供給する昇圧手段と、前記電
池系からの電力を降圧して、それぞれ第1の集積回路ブ
ロック、第2の集積回路ブロック、第3の集積回路ブロ
ックに供給する降圧手段と、前記直結手段、前記昇圧手
段、前記降圧手段を切り替えるスイッチ手段と、を備え
る第32の電子装置。
In the twenty-first electronic device, the first electronic device
Voltage control means, the second voltage control means, and the third voltage control means, respectively, directly receive power from the battery system, respectively, in a first integrated circuit block and a second integrated circuit. Block, a direct connection means for supplying to the third integrated circuit block, and boosting the electric power from the battery system, respectively, the first integrated circuit block, the second integrated circuit block,
Step-up means for supplying to the third integrated circuit block, and step-down means for reducing the power from the battery system and supplying them to the first, second and third integrated circuit blocks, respectively. A thirty-second electronic device comprising: a switch unit that switches between the direct connection unit, the step-up unit, and the step-down unit.

【0053】上記第21の電子装置において、前記第1
の電圧制御手段と、前記第2の電圧制御手段と、前記第
3の電圧制御手段が、前記電池系からの電力を直接、第
1の集積回路ブロック、第2の集積回路ブロック、第3
の集積回路ブロックのいずれかに供給する直結手段と、
前記電池系からの電力を昇圧して第1の集積回路ブロッ
ク、第2の集積回路ブロック、第3の集積回路ブロック
のいずれかに供給する昇圧手段と、前記電池系からの電
力を降圧して第1の集積回路ブロック、第2の集積回路
ブロック、第3の集積回路ブロックのいずれかに供給す
る降圧手段を、スイッチ手段を通じて共用して用いるよ
うにした、第33の電子装置。
In the twenty-first electronic device, the first electronic device
The voltage control means, the second voltage control means, and the third voltage control means directly supply power from the battery system to the first integrated circuit block, the second integrated circuit block, and the third integrated circuit block.
Direct connection means for supplying to any of the integrated circuit blocks of
Boosting means for boosting the power from the battery system and supplying it to one of a first integrated circuit block, a second integrated circuit block, and a third integrated circuit block; A thirty-third electronic device, wherein step-down means for supplying to any one of the first integrated circuit block, the second integrated circuit block, and the third integrated circuit block is commonly used through a switch means.

【0054】[0054]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施形を説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0055】なお、実施形1から実施形5は、もっぱら
回路ブロックの分割構成および集積回路化のプロセスを
工夫することにより、低消費電力化と、高機能化を併せ
て実現するための構成を示すものであり、実施形6から
実施形9は、もっぱら電源システムを工夫することによ
り、低消費電力化を実現するための構成を示すものであ
る。
The first to fifth embodiments have a configuration for realizing both low power consumption and high functionality by devising a circuit block division configuration and an integrated circuit process. Embodiments 6 to 9 show configurations for realizing low power consumption by devising a power supply system exclusively.

【0056】実施形1.図1は、本発明の実施形1の電
子装置のブロック図である。図において示すように、シ
ステムは、送受信切替スイッチ10、電力増幅器11を
構成する送受信回路2、低雑音増幅器12、受信ミキサ
13、送信ミキサ14、電圧制御発信器16、周波数シ
ンセサイザ15を構成するRF信号処理回路3、電圧変
換回路231、232、233を構成する電圧制御回路
5、復調器17、変調器18、音声信号処理回路19、
制御用CPU21、メモリ22、画像信号処理回路20
を構成するベースバンド信号処理回路4の、4つの大き
なブロックで構成される。そして、ベースバンド信号処
理回路4の音声信号処理回路19には、スピーカ7とマ
イクロフォン9が接続され、電圧制御回路5には電池6
が接続され、送受信回路2にはアンテナ1が接続され
る。なお、ベースバンド信号処理回路4に設けられてい
る画像信号処理回路20は、システムの高機能化のため
に設けられたものであり、画像入出力装置8が接続され
る。
Embodiment 1 FIG. 1 is a block diagram of an electronic device according to a first embodiment of the present invention. As shown in the figure, the system includes a transmission / reception changeover switch 10, a transmission / reception circuit 2 constituting a power amplifier 11, a low noise amplifier 12, a reception mixer 13, a transmission mixer 14, a voltage controlled oscillator 16, and an RF constituting a frequency synthesizer 15. The signal processing circuit 3, the voltage control circuit 5 constituting the voltage conversion circuits 231, 232, and 233, the demodulator 17, the modulator 18, the audio signal processing circuit 19,
Control CPU 21, memory 22, image signal processing circuit 20
Is composed of four large blocks of the baseband signal processing circuit 4. The speaker 7 and the microphone 9 are connected to the audio signal processing circuit 19 of the baseband signal processing circuit 4, and the battery 6 is connected to the voltage control circuit 5.
Are connected, and the antenna 1 is connected to the transmission / reception circuit 2. The image signal processing circuit 20 provided in the baseband signal processing circuit 4 is provided for enhancing the function of the system, and is connected to the image input / output device 8.

【0057】以上述べたような構成において、次にその
動作を説明する。スピーカ7とマイクロフォン9を通じ
ての基本的な通話機能については、図15に示した従来
例とまったく同様であり、送受信回路2、RF信号処理
回路3、ベースバンド信号処理回路4の中の各機能ブロ
ックを通じて、音声の送受信が行われる。
Next, the operation of the above configuration will be described. The basic call function through the speaker 7 and the microphone 9 is exactly the same as the conventional example shown in FIG. 15, and each functional block in the transmission / reception circuit 2, the RF signal processing circuit 3, and the baseband signal processing circuit 4 , The transmission and reception of voice is performed.

【0058】一方、この電子装置に設けられた画像入出
力装置8は、音声通信機能以外のさまざまな機能、例え
ば、インターネットへの接続機能、ファクシミリ通信機
能、電子メール通信機能、静止画像処理機能、動画像処
理機能、音声認識機能を実現するための、ユーザインタ
ーフェースを構成しており、制御用CPU21に接続さ
れる画像信号処理回路20と共に、上述したさまざまな
機能を実現する。
On the other hand, the image input / output device 8 provided in this electronic device has various functions other than the voice communication function, for example, a connection function to the Internet, a facsimile communication function, an e-mail communication function, a still image processing function, It constitutes a user interface for realizing the moving image processing function and the voice recognition function, and realizes the various functions described above together with the image signal processing circuit 20 connected to the control CPU 21.

【0059】つまり、ベースバンド信号処理回路4は、
1チップのCMOSで構成され、音声通信を行うための
基本機能を実現するために復調器17、変調器18、音
声信号処理回路19に加えて、制御用CPU21とメモ
リ22を搭載しているが、本実施形では、更に画像信号
処理回路20を付加して、外部の画像入出力装置8と共
に、さまざまな高機能を実現できるようにしている。
That is, the baseband signal processing circuit 4
It is composed of a one-chip CMOS, and includes a control CPU 21 and a memory 22 in addition to a demodulator 17, a modulator 18, and an audio signal processing circuit 19 in order to realize basic functions for performing audio communication. In the present embodiment, an image signal processing circuit 20 is further added to realize various advanced functions together with the external image input / output device 8.

【0060】また、アンテナ1に接続される送受信切替
スイッチ10や、高周波電力回路である電力増幅器11
は、1チップのガリウム砒素集積回路である送受信回路
2に集積化されている。
A transmission / reception switch 10 connected to the antenna 1 and a power amplifier 11 as a high-frequency power circuit
Are integrated in a transmission / reception circuit 2 which is a one-chip gallium arsenide integrated circuit.

【0061】また、高周波アナログ信号を扱う低雑音増
幅器12、受信ミキサ13、送信ミキサ14、電圧制御
発信器16、周波数シンセサイザ15は、1チップのS
OI型のBiCMOS集積回路であるRF信号処理回路
3に集積化されている。
The low-noise amplifier 12, the reception mixer 13, the transmission mixer 14, the voltage-controlled oscillator 16, and the frequency synthesizer 15 for handling high-frequency analog signals are composed of one chip S
It is integrated in an RF signal processing circuit 3 which is an OI type BiCMOS integrated circuit.

【0062】なお、電圧制御回路5は、制御用CPU2
1により制御される機能素子であり、電圧変換回路23
1から送受信回路2に、電圧変換回路232からRF信
号処理回路3に、電圧変換回路233からベースバンド
信号処理回路4へと、それぞれ異なる電圧の電力を供給
している。このため、電圧制御回路5は、電池6からの
電圧を、電圧変換回路231、232、233で、それ
ぞれ必要な電圧に変換するために、1チップのCMOS
集積回路上にこれらの回路を構成している。
The voltage control circuit 5 is connected to the control CPU 2
1 is a functional element controlled by the voltage conversion circuit 23
1 supplies power of a different voltage from the voltage conversion circuit 232 to the RF signal processing circuit 3, and from the voltage conversion circuit 233 to the baseband signal processing circuit 4. For this reason, the voltage control circuit 5 converts the voltage from the battery 6 into necessary voltages by the voltage conversion circuits 231, 232, and 233, respectively.
These circuits are configured on an integrated circuit.

【0063】続いて、RF信号処理回路3として、SO
I型BiCMOSを用いる理由について以下に説明す
る。
Subsequently, as the RF signal processing circuit 3, the SO
The reason for using the I-type BiCMOS will be described below.

【0064】RF信号処理回路3は、主に、900MH
zから5GHz程度の高周波アナログ信号を処理してい
る。
The RF signal processing circuit 3 mainly operates at 900 MHz
It processes high-frequency analog signals from z to about 5 GHz.

【0065】特に、低雑音増幅器12は、高周波のアナ
ログ信号の信号増幅を行うために、実際に扱う周波数の
10倍程度の最大発振周波数を持つ素子を必要とする。
In particular, the low-noise amplifier 12 needs an element having a maximum oscillation frequency of about 10 times the actually handled frequency in order to amplify a high-frequency analog signal.

【0066】また、周波数シンセサイザ15は、扱う周
波数を、なるべく小さな電流で分周できる分周回路が必
要である。更に、例えば、分周回路から発生するノイズ
が基板を伝わって低雑音増幅器12に影響しないことが
必要である。
Further, the frequency synthesizer 15 needs a frequency dividing circuit capable of dividing the frequency to be handled with a current as small as possible. Further, for example, it is necessary that noise generated from the frequency dividing circuit does not affect the low-noise amplifier 12 through the substrate.

【0067】図2は、バルクMOS素子、SOI型MO
S素子、バルクバイポーラ素子、SOI型バイポーラ素
子の最大発振周波数のバイアス電流依存性を示す特性図
である。
FIG. 2 shows a bulk MOS device, an SOI type MO.
FIG. 5 is a characteristic diagram showing the bias current dependence of the maximum oscillation frequency of the S element, bulk bipolar element, and SOI bipolar element.

【0068】この特性図上で、バルクMOS素子と、S
OI型MOS素子の、それぞれの最大発振周波数を比較
すると、両者の間には、特に差は見られない。これは、
SOI型MOS素子と、バルクMOS素子の違いが、ド
レイン接合容量だけであることに起因する。つまり、S
OI型MOS素子のドレイン接合容量は、バルクMOS
素子のドレイン容量に比較して、5分の1から10分の
1と、非常に小さいが、最大発振周波数は、入力側、出
力側に、それぞれインダクタンスと容量からなる整合回
路を付加して評価するため、ドレイン接合容量の違い
は、最大発振周波数に影響しない。
On this characteristic diagram, the bulk MOS element and the S
When the respective maximum oscillation frequencies of the OI type MOS device are compared, there is no particular difference between the two. this is,
The difference between the SOI MOS device and the bulk MOS device is due to only the drain junction capacitance. That is, S
The drain junction capacitance of the OI type MOS device is a bulk MOS
It is extremely small, one fifth to one tenth, compared to the drain capacitance of the element, but the maximum oscillation frequency is evaluated by adding a matching circuit consisting of an inductance and a capacitance to each of the input and output sides. Therefore, the difference in the drain junction capacitance does not affect the maximum oscillation frequency.

【0069】これに対して、SOI型バイポーラ素子の
場合、バルクバイポーラ素子に比較して、ベース/コレ
クタ間容量が低減するため、最大発振周波数が高くな
る。
On the other hand, in the case of the SOI type bipolar element, the maximum oscillation frequency is increased because the capacitance between the base and the collector is reduced as compared with the bulk bipolar element.

【0070】また、MOS素子は、バイポーラ素子に比
較して、同じ最大発振周波数を得るための電流値が大き
い。
The MOS element has a larger current value for obtaining the same maximum oscillation frequency than the bipolar element.

【0071】すなわち、図2の特性図は、バイポーラ素
子の方が、MOS素子に比較して、より小さな消費電力
で高周波の増幅ができることを示している。
That is, the characteristic diagram of FIG. 2 shows that the bipolar element can amplify a high frequency with lower power consumption than the MOS element.

【0072】図3は、バルクMOS素子、SOI型MO
S素子、バルクバイポーラ素子、SOI型バイポーラ素
子で構成された分周器の、最大動作周波数と消費電力の
関係を示す特性図である。
FIG. 3 shows a bulk MOS device, SOI type MO.
FIG. 4 is a characteristic diagram illustrating a relationship between a maximum operating frequency and power consumption of a frequency divider including an S element, a bulk bipolar element, and an SOI bipolar element.

【0073】図3において、バルクMOS素子とSOI
型MOS素子を比較すると、同じ消費電力では、SOI
型MOS素子の方が、最大動作周波数が高い。これは、
分周器の場合、ドレイン接合容量が性能に大きな影響を
及ぼすことを示している。その結果、SOI型MOS素
子は、ある消費電力域では、バルクバイポーラ素子以上
の性能を実現することができる。また、SOI型バイポ
ーラ素子の場合、バルクバイポーラ素子と比較して、コ
レクタ/基板間の容量が減少するため、最大動作周波数
が高くなる。
In FIG. 3, a bulk MOS device and an SOI
Comparing the type MOS devices, at the same power consumption, SOI
The maximum operating frequency is higher in the type MOS device. this is,
In the case of the frequency divider, it shows that the drain junction capacitance has a great effect on the performance. As a result, the SOI-type MOS device can achieve higher performance than a bulk bipolar device in a certain power consumption range. Further, in the case of the SOI type bipolar element, the capacitance between the collector and the substrate is reduced as compared with the bulk bipolar element, so that the maximum operating frequency is increased.

【0074】今、ここで最大動作周波数として2GHz
を仮定すると、バルクバイポーラ素子の消費電力に対す
る違いは、バルクMOS素子の場合で1.8倍、SOI
型MOS素子の場合で0.8倍、SOI型バイポーラ素
子の場合で0.6倍である。すなわち、SOI型MOS
素子、SOI型バイポーラ素子を用いることで、分周器
の消費電力を大幅に低減することができることが判る。
Now, the maximum operating frequency is 2 GHz.
Is assumed, the difference in power consumption of the bulk bipolar device is 1.8 times that of the bulk MOS device,
0.8 times in the case of the MOS type device and 0.6 times in the case of the SOI type bipolar device. That is, SOI type MOS
It is understood that the power consumption of the frequency divider can be significantly reduced by using the element and the SOI bipolar element.

【0075】図4は、バルク基板と、SOI基板の干渉
ノイズを比較した特性図である。これは、相互に400
ミクロンm程度離れた2つの拡散層において、片方の拡
散層にRF信号を入力し、これが基板を介して、もうひ
とつの拡散層に出力される信号電力を測定して得られた
結果である。図からも明らかなように、SOI基板の方
が、バルク基板に較べて、出力電力が小さく、基板を介
して伝わる干渉ノイズが少ないことを示している。つま
り、SOI基板を用いることで、干渉ノイズを低減する
ことができる。
FIG. 4 is a characteristic diagram comparing interference noise between a bulk substrate and an SOI substrate. This is 400
An RF signal is input to one of the two diffusion layers separated by about micron m, and this is the result obtained by measuring the signal power output to the other diffusion layer via the substrate. As is clear from the figure, the SOI substrate has smaller output power and less interference noise transmitted through the substrate than the bulk substrate. That is, interference noise can be reduced by using the SOI substrate.

【0076】つまり、SOI基板上に、MOS素子と、
バイポーラ素子を集積化することにより、消費電力が少
なく、干渉ノイズの少ない、高性能なRF信号処理回路
3を実現することができる。
That is, a MOS element and an SOI substrate
By integrating the bipolar element, it is possible to realize a high-performance RF signal processing circuit 3 with low power consumption and little interference noise.

【0077】続いて、図1に示した、送受信回路2、R
F信号処理回路3、ベースバンド信号処理回路4、電圧
制御回路5のそれぞれの集積回路の電源電圧について説
明する。
Subsequently, the transmission / reception circuit 2, R shown in FIG.
The power supply voltage of each integrated circuit of the F signal processing circuit 3, the baseband signal processing circuit 4, and the voltage control circuit 5 will be described.

【0078】それぞれの集積回路は、それぞれのプロセ
スや要求性能の違いにより、異なる電源電圧を必要とす
る。例えば、送受信回路2には2ボルト、RF信号処理
回路3には1.5ボルト、ベースバンド信号処理回路4
には0.5ボルト、電圧制御回路5には3ボルトとな
る。
Each integrated circuit requires a different power supply voltage depending on the process and the required performance. For example, the transmitting and receiving circuit 2 has 2 volts, the RF signal processing circuit 3 has 1.5 volts, and the baseband signal processing circuit 4
Is 0.5 volts, and the voltage control circuit 5 is 3 volts.

【0079】今、ここで電池6として、リチウムイオン
電池を想定すると、その起電力は3ボルトである。この
電圧3ボルトは、電圧制御回路5を構成する3つの電圧
変換回路231、232、233によって、それぞれ2
ボルト、1.5ボルト、0.5ボルトの電圧に降下変換
し、それぞれ対応する回路ブロックに供給される。この
ように、電圧制御回路5によって、送受信回路2、RF
信号処理回路3、ベースバンド信号処理回路4が最も低
消費電力で、最大の性能を発揮できるような電圧を発生
し、供給することにより、アナログ性能を犠牲にするこ
となく、システム全体の消費電力を低減することが可能
となる。
Now, assuming that the battery 6 is a lithium ion battery, its electromotive force is 3 volts. The voltage of 3 volts is converted into 2 by the three voltage conversion circuits 231, 232, and 233 constituting the voltage control circuit 5, respectively.
The voltage is converted into a voltage of volts, 1.5 volts, and 0.5 volts, and supplied to the corresponding circuit blocks. As described above, the transmission / reception circuit 2 and the RF
The signal processing circuit 3 and the baseband signal processing circuit 4 generate and supply a voltage that can exhibit the maximum performance with the lowest power consumption, so that the power consumption of the entire system can be achieved without sacrificing the analog performance. Can be reduced.

【0080】なお、電池6としては、リチウムイオン電
池に限らず、アルカリ乾電池でも、ニッケル水素電池で
も、太陽電池でも、必要な電力を賄える電池であれば、
どのような形式の電池でも適用可能であることはもちろ
んである。
The battery 6 is not limited to a lithium-ion battery, but may be an alkaline dry battery, a nickel-metal hydride battery, or a solar battery as long as it can supply necessary power.
Of course, any type of battery is applicable.

【0081】ちなみに、アルカリ乾電池の場合の起電力
は、1.5ボルトであるので、この場合、RF信号処理
回路3に電池から電圧を直接供給し、送受信回路2には
電圧制御回路5の電圧変換回路231で昇圧変換した2
ボルトを供給し、ベースバンド信号処理回路4には、電
圧制御回路5の電圧変換回路233で降下変換した0.
5ボルトを供給すればよい。もちろん、電圧制御回路5
の電圧変換回路232で、1.5ボルトを、1.5ボル
トに整圧して、RF信号処理回路3に供給するようにし
てもよい。
Incidentally, the electromotive force in the case of an alkaline dry battery is 1.5 volts. In this case, the voltage is directly supplied from the battery to the RF signal processing circuit 3 and the voltage of the voltage control circuit 5 is transmitted to the transmitting / receiving circuit 2. 2 that has been boosted by the conversion circuit 231
The volts are supplied to the baseband signal processing circuit 4 by the voltage conversion circuit 233 of the voltage control circuit 5.
What is necessary is just to supply 5 volts. Of course, the voltage control circuit 5
The voltage conversion circuit 232 may regulate the voltage from 1.5 volts to 1.5 volts and supply the regulated voltage to the RF signal processing circuit 3.

【0082】一方、ニッケル水素電池の場合、その起電
力は1.2ボルトであるので、電圧制御回路5の、電圧
変換回路231、232、233で、それぞれ2ボル
ト、1.5ボルト、0.5ボルトに昇圧または降圧変換
して、それぞれ対応する回路に供給することになる。
On the other hand, in the case of a nickel-metal hydride battery, the electromotive force is 1.2 volts, so that the voltage conversion circuits 231, 232, and 233 of the voltage control circuit 5 respectively output 2 volts, 1.5 volts, and 0.5 volts. It is stepped up or down converted to 5 volts and supplied to the corresponding circuits.

【0083】更に、太陽電池の場合、その起電力は、
0.5ボルトである。この場合、この電圧を、ベースバ
ンド信号処理回路4に直接供給し、送受信回路2には、
電圧制御回路5の電圧変換回路231で昇圧変換した2
ボルトを供給し、RF信号処理回路3には、電圧制御回
路5の電圧変換回路232で昇圧変換した1.5ボルト
を供給するようにすればよい。もちろん、電圧制御回路
5の電圧変換回路233で、0.5ボルトを、0.5ボ
ルトに整圧して、ベースバンド信号処理回路4に供給す
るようにしてもよい。
In the case of a solar cell, the electromotive force is
0.5 volts. In this case, this voltage is directly supplied to the baseband signal processing circuit 4 and the transmitting / receiving circuit 2
The voltage conversion circuit 231 of the voltage control circuit 5 performs step-up conversion 2
Volts may be supplied to the RF signal processing circuit 3 so as to supply 1.5 volts boosted by the voltage conversion circuit 232 of the voltage control circuit 5. Of course, the voltage conversion circuit 233 of the voltage control circuit 5 may regulate the voltage from 0.5 volt to 0.5 volt and supply the regulated voltage to the baseband signal processing circuit 4.

【0084】なお、上記各集積回路ブロックの電源電圧
として、本実施形以外の組み合わせての電圧を供給する
ような場合でも、本発明は有効である。例えば、送受信
回路2、RF信号処理回路3の電圧が2.5ボルト、ベ
ースバンド信号処理回路4の電圧が1.5ボルトであっ
ても、またその他のさまざまな組み合わせであってもそ
れぞれの集積回路ブロックの性能を引き出し、なおかつ
全体の消費電力低減という観点に立った電圧設定であれ
ばよい。
The present invention is effective even when a voltage other than the present embodiment is supplied as a power supply voltage for each of the integrated circuit blocks. For example, even if the voltage of the transmission / reception circuit 2 and the RF signal processing circuit 3 is 2.5 volts, the voltage of the baseband signal processing circuit 4 is 1.5 volts, or any other various combinations, Any voltage setting may be used as long as the performance of the circuit block is brought out and the overall power consumption is reduced.

【0085】実施形2.図5は、本発明の実施形2の電
子装置の回路ブロック図である。本実施形の、実施形1
と異なる点は、各集積回路ブロックに、それぞれ適合す
る電圧を発生していた電圧制御回路5を用いる代わり
に、各送受信回路2、RF信号処理回路3、ベースバン
ド信号処理回路4の内部に、電池6の電圧から、それぞ
れの回路ブロックに必要な電圧に変換するための電圧変
換回路231、232、233を内蔵させたことであ
る。なお、この場合、電圧変換回路231、232、2
33を組み込むために、送受信回路2は、CMOS素子
またはBiCMOS素子で構成し、ベースバンド信号処
理回路4はCMOS素子で構成するのが望ましい。
Embodiment 2 FIG. 5 is a circuit block diagram of an electronic device according to Embodiment 2 of the present invention. Embodiment 1 of this embodiment
The difference is that, instead of using the voltage control circuit 5 that has generated a suitable voltage for each integrated circuit block, the inside of each transmitting / receiving circuit 2, the RF signal processing circuit 3, and the baseband signal processing circuit 4, That is, voltage conversion circuits 231, 232, and 233 for converting the voltage of the battery 6 into voltages necessary for the respective circuit blocks are incorporated. In this case, the voltage conversion circuits 231, 232, 2
In order to incorporate 33, it is desirable that the transmission / reception circuit 2 is constituted by a CMOS element or a BiCMOS element, and the baseband signal processing circuit 4 is constituted by a CMOS element.

【0086】本実施形のような構成とすることにより、
基本回路ブロックは、送受信回路2、RF信号処理回路
3、ベースバンド信号処理回路4となり、少なくとも3
つの集積回路チップで全体を構成できるので、より低コ
ストで、小型の電子装置を実現することができる。
With the configuration as in the present embodiment,
The basic circuit block includes a transmission / reception circuit 2, an RF signal processing circuit 3, and a baseband signal processing circuit 4, and at least 3
Since the whole can be constituted by one integrated circuit chip, a small-sized electronic device can be realized at lower cost.

【0087】実施形3.図6は、本発明の実施形3の電
子装置の回路ブロック図である。本実施形の、実施形2
と異なる点は、送受信回路2とRF信号処理回路3を、
高周波アナログ信号処理回路24に統合化して、集積回
路1チップ構成としたことである。なお、内部には、電
池6からの電圧を、高周波アナログ信号処理回路24に
適した電圧に変換する電圧変換回路234が組み込まれ
る。なお、この場合、従来のRF信号処理回路3に送受
信回路2を取り込む形となるため、送受信切替スイッチ
10、送信ミキサ14はSOI型CMOS素子またはS
OI型BiCMOS素子で構成するのが望ましい。な
お、ベースバンド信号処理回路4の構成は、実施形2の
場合と同様である。
Embodiment 3 FIG. 6 is a circuit block diagram of an electronic device according to Embodiment 3 of the present invention. Embodiment 2 of this embodiment
The difference is that the transmitting / receiving circuit 2 and the RF signal processing circuit 3
That is, the high-frequency analog signal processing circuit 24 is integrated into a single-chip integrated circuit. Note that a voltage conversion circuit 234 that converts the voltage from the battery 6 into a voltage suitable for the high-frequency analog signal processing circuit 24 is incorporated therein. In this case, since the transmission / reception circuit 2 is incorporated in the conventional RF signal processing circuit 3, the transmission / reception changeover switch 10 and the transmission mixer 14 are formed by SOI CMOS elements or S
It is desirable to configure with an OI type BiCMOS element. The configuration of the baseband signal processing circuit 4 is the same as that of the second embodiment.

【0088】本実施形のような構成とすることにより、
基本回路ブロックは、高周波アナログ信号処理回路24
とベースバンド信号処理回路4となり、少なくとも2つ
の集積回路チップで全体を構成できるので、より低コス
トで、小型の電子装置を実現することができる。
With the configuration as in the present embodiment,
The basic circuit block includes a high-frequency analog signal processing circuit 24.
And the baseband signal processing circuit 4, which can be composed entirely of at least two integrated circuit chips. Therefore, a smaller-sized electronic device can be realized at lower cost.

【0089】実施形4.図7は、本発明の実施形4の電
子装置の回路ブロック図である。本実施形の、実施形2
と異なる点は、RF信号処理回路3とベースバンド信号
処理回路4を、RF/ベースバンド信号処理回路25に
統合化して、集積回路1チップ構成としたことである。
なお、内部には、電池6からの電圧を、RF/ベースバ
ンド信号処理回路25に適した電圧に変換する電圧変換
回路235が組み込まれる。なお、この場合、従来のR
F信号処理回路3にベースバンド信号処理回路4を取り
込む形となるため、復調器17、変調器18、音声信号
処理回路19、画像信号処理回路20、制御用CPU2
1、メモリ22は、SOI型CMOS素子で構成するの
が望ましい。なお、送受信回路2の構成は、実施形2の
場合と同様である。
Embodiment 4 FIG. 7 is a circuit block diagram of an electronic device according to Embodiment 4 of the present invention. Embodiment 2 of this embodiment
The difference is that the RF signal processing circuit 3 and the baseband signal processing circuit 4 are integrated into the RF / baseband signal processing circuit 25 to form a one-chip integrated circuit.
Note that a voltage conversion circuit 235 that converts the voltage from the battery 6 into a voltage suitable for the RF / baseband signal processing circuit 25 is incorporated therein. In this case, the conventional R
Since the baseband signal processing circuit 4 is taken into the F signal processing circuit 3, the demodulator 17, the modulator 18, the audio signal processing circuit 19, the image signal processing circuit 20, the control CPU 2
1. It is desirable that the memory 22 be composed of an SOI type CMOS device. The configuration of the transmission / reception circuit 2 is the same as that of the second embodiment.

【0090】本実施形のような構成とすることにより、
基本回路ブロックは、送受信回路2とRF/ベースバン
ド信号処理回路25となり、少なくとも2つの集積回路
チップで全体を構成できるので、より低コストで、小型
の電子装置を実現することができる。
With the configuration as in this embodiment,
The basic circuit block includes the transmission / reception circuit 2 and the RF / baseband signal processing circuit 25, and can be composed entirely of at least two integrated circuit chips. Therefore, a smaller-sized electronic device can be realized at lower cost.

【0091】実施形5.図8は、本発明の実施形5の電
子装置の回路ブロック図である。本実施形の、実施形2
と異なる点は、送受信回路2、RF信号処理回路3およ
びベースバンド信号処理回路4の全てを、信号処理回路
26に統合化して、集積回路1チップ構成としたことで
ある。なお、内部には、電池6からの電圧を、この信号
処理回路26に適した電圧に変換する電圧変換回路23
6が組み込まれる。なお、この場合、従来のRF信号処
理回路3に、送受信回路2とベースバンド信号処理回路
4を取り込む形となるため、送受信切替スイッチ10、
送信ミキサ14、復調器17、変調器18、音声信号処
理回路19、画像信号処理回路20、制御用CPU2
1、メモリ22は、SOI型BiCMOS素子で構成す
るのが望ましい。
Embodiment 5 FIG. 8 is a circuit block diagram of an electronic device according to Embodiment 5 of the present invention. Embodiment 2 of this embodiment
The difference is that all of the transmitting / receiving circuit 2, the RF signal processing circuit 3, and the baseband signal processing circuit 4 are integrated into the signal processing circuit 26 to form a one-chip integrated circuit. The voltage conversion circuit 23 converts the voltage from the battery 6 into a voltage suitable for the signal processing circuit 26.
6 is incorporated. In this case, since the transmission / reception circuit 2 and the baseband signal processing circuit 4 are incorporated into the conventional RF signal processing circuit 3, the transmission / reception changeover switch 10,
Transmission mixer 14, demodulator 17, modulator 18, audio signal processing circuit 19, image signal processing circuit 20, control CPU 2
1. It is desirable that the memory 22 be composed of SOI type BiCMOS elements.

【0092】本実施形のような構成とすることにより、
基本回路ブロックは、信号処理回路26のひとつだけと
なり、少なくとも1つの集積回路チップで全体を構成で
きるので、より低コストで、小型の電子装置を実現する
ことができる。
With the configuration as in the present embodiment,
Since the basic circuit block is only one of the signal processing circuits 26 and can be entirely composed of at least one integrated circuit chip, a smaller-sized electronic device can be realized at lower cost.

【0093】以上、述べたように、実施形1から実施形
5によれば、主として高周波回路で構成される送受信回
路2、主としてアナログ回路で構成されるRF信号処理
回路3、主としてディジタル回路で構成されるベースバ
ンド信号処理回路4を、それぞれ最適なプロセスで集積
回路化し、それぞれに必要とされる電源電圧を個別に供
給することにより、それぞれの回路ブロックの性能向
上、機能向上、低消費電力化を同時に実現し、コンパク
トで、コストが安く、電池寿命の長い電子装置を実現す
ることができる。
As described above, according to the first to fifth embodiments, the transmitting / receiving circuit 2 mainly composed of a high-frequency circuit, the RF signal processing circuit 3 mainly composed of an analog circuit, and the digital circuit mainly The baseband signal processing circuits 4 to be integrated are integrated by an optimal process, and the required power supply voltage is individually supplied to improve the performance, function, and power consumption of each circuit block. At the same time, a compact, low-cost electronic device with a long battery life can be realized.

【0094】実施形6.図9は、本発明の実施形6の電
子装置の回路ブロック図である。本実施形の基本的な構
成は、実施形1と同様であるが、異なるところは、電池
6の代わりに、太陽電池を適用した電源システムを搭載
したことである。
Embodiment 6 FIG. 9 is a circuit block diagram of an electronic device according to Embodiment 6 of the present invention. The basic configuration of this embodiment is the same as that of the first embodiment, except that a power supply system using a solar cell is mounted instead of the battery 6.

【0095】さて、図において示すように、アンテナ
1、送受信回路2、RF信号処理回路3、ベースバンド
信号処理回路4、電圧制御回路5、スピーカ7、画像入
出力装置8、マイクロフォン9の、電子装置を構成する
基本部分は、通信機器システム本体27に収納される。
一方、この通信機器システム本体27は、保護用の通信
機器用ケース28に収納される。
As shown in the figure, the antenna 1, transmission / reception circuit 2, RF signal processing circuit 3, baseband signal processing circuit 4, voltage control circuit 5, speaker 7, image input / output device 8, and microphone 9 The basic parts constituting the device are housed in the communication device system main body 27.
On the other hand, the communication device system main body 27 is housed in a protective communication device case 28.

【0096】通信機器用ケース28の外面には、外光か
ら起電力を得る太陽電池29が貼りつけられている。ま
た、通信機器用ケース28の内部には、蓄電池30も備
えられている。さて、太陽電池29で発生した電力は、
切替スイッチ31から、電源ジャック32を介して、電
圧制御回路5に供給される。一方、蓄電池30からの電
力は、切替スイッチ33から、電源ジャック32を介し
て、電圧制御回路5に供給される。切替スイッチ31、
33は、通信機器システム本体27側に設けられた切替
スイッチ制御回路34により、制御端子58を介して制
御される。
A solar cell 29 for obtaining an electromotive force from external light is attached to the outer surface of the communication device case 28. A storage battery 30 is also provided inside the communication device case 28. By the way, the electric power generated by the solar cell 29 is
The voltage is supplied from the changeover switch 31 to the voltage control circuit 5 via the power jack 32. On the other hand, electric power from the storage battery 30 is supplied from the changeover switch 33 to the voltage control circuit 5 via the power jack 32. Changeover switch 31,
33 is controlled via a control terminal 58 by a changeover switch control circuit 34 provided on the communication device system main body 27 side.

【0097】以上述べたような構成において、次にその
動作を説明する。
Next, the operation of the above configuration will be described.

【0098】本実施形の電子装置は、電力システムとし
て、太陽電池29と蓄電池30を併用している。
The electronic device of this embodiment uses a solar cell 29 and a storage battery 30 together as a power system.

【0099】太陽電池29は、その有効面積を極力大き
くするために、通信機器用ケース28の外面に貼りつけ
られる。一般的な簡易型携帯電話の場合、数100cm
2程度の面積が実現可能である。
The solar cell 29 is attached to the outer surface of the communication device case 28 in order to maximize the effective area. In the case of a general simplified mobile phone, several hundred cm
An area of about 2 is feasible.

【0100】ちなみに、蛍光灯下での太陽電池29の発
電能力は、約20μW/cm2程度なので、通信機器用
ケース28の外面の太陽電池29の面積を200cm2
とすると、4mW(=20μW/cm2×200cm2
程度の発電が可能となる。これに対して、一般的な簡易
型携帯電話の待ち受け時の消費電力は、数mW程度なの
で、待機時は、蛍光灯下なら、太陽電池29だけで電子
装置の駆動が可能である。
Incidentally, since the power generation capacity of the solar cell 29 under a fluorescent lamp is about 20 μW / cm 2 , the area of the solar cell 29 on the outer surface of the communication device case 28 is 200 cm 2.
Then, 4 mW (= 20 μW / cm 2 × 200 cm 2 )
It is possible to generate electricity to a degree. On the other hand, the power consumption during standby of a general simplified type mobile phone is about several mW, so that the electronic device can be driven only by the solar cell 29 under a fluorescent lamp during standby.

【0101】一方、通話などの動作時には、消費電力
は、数100mWとなるが、これだけの電力を太陽電池
29だけでまかなうのは困難である。したがって、この
場合には、蓄電池30から電力供給を行う。
On the other hand, during operation such as a telephone call, the power consumption is several hundred mW, but it is difficult to supply such power by the solar cell 29 alone. Therefore, in this case, power is supplied from the storage battery 30.

【0102】なお、蓄電池30への充電であるが、太陽
電池29からの電力を供給するのが望ましい。太陽電池
29は、さまざまな環境下に置かれるが、昼間、外に出
た場合など、太陽光などにより、1〜10mW/cm2
程度の電力発生も可能である。例えば、曇の日に1時間
室外に出たとすると、その時に得られる電力は、200
mW(=1mW/cm2×200cm2×1時間)となる
ので、機器の消費電力にもよるが、30分から40分連
続使用するのに必要な電力を蓄電池30に蓄えることが
できる。
It is to be noted that, although the storage battery 30 is charged, it is desirable to supply power from the solar cell 29. The solar cell 29 is placed under various environments, but it is 1 to 10 mW / cm 2 due to sunlight or the like in the daytime or when going out.
Some power generation is also possible. For example, if the person leaves the room for one hour on a cloudy day, the power obtained at that time is 200
Since the power is mW (= 1 mW / cm 2 × 200 cm 2 × 1 hour), the power required for continuous use for 30 to 40 minutes can be stored in the storage battery 30 depending on the power consumption of the device.

【0103】なお、太陽電池29と蓄電池30の利用モ
ードを考えると、待機時などは、もっぱら太陽電池29
からの電力で電子装置を駆動し、通話などの動作時に
は、もっぱら蓄電池30からの電力で電子装置を駆動
し、外光が十分な場合は、太陽電池29からの電力を蓄
電池30に充電するといういくつかの利用形態が考えら
れるが、これらの制御は、通信機器システム本体27に
組み込まれている切替スイッチ制御回路34により、切
替スイッチ31、33を切り替えることにより行われ
る。
Considering the usage mode of the solar battery 29 and the storage battery 30, when the standby mode is used, the solar battery 29
The electronic device is driven by the power from the battery, and during operation such as a telephone call, the electronic device is driven solely by the power from the storage battery 30, and when the external light is sufficient, the power from the solar battery 29 is charged to the storage battery 30. Although some usage forms are considered, these controls are performed by switching the changeover switches 31 and 33 by the changeover switch control circuit 34 incorporated in the communication device system main body 27.

【0104】なお、電子装置の動作モードに応じて、太
陽電池29と蓄電池30を切り替えて用いる代わりに、
通常は、もっぱら蓄電池30からの電力により電子装置
を駆動し、太陽電池29は、もっぱら蓄電池30に対す
る充電用に用いるようにしてもよい。この場合、切替ス
イッチ31、33は不要となり、これを制御するための
切替スイッチ制御回路34も不要となる。
Note that, instead of using the solar cell 29 and the storage battery 30 in accordance with the operation mode of the electronic device,
Normally, the electronic device may be driven solely by the power from the storage battery 30, and the solar cell 29 may be used exclusively for charging the storage battery 30. In this case, the changeover switches 31 and 33 become unnecessary, and the changeover switch control circuit 34 for controlling the changeover becomes unnecessary.

【0105】また、非常に晴れている場合や、一日のう
ちの限られた時間しか機器を利用しない場合は、蓄電池
30は不要となり、太陽電池29からのみの電力で電子
装置を駆動するようにすることもできる。この場合は、
蓄電池30、切替スイッチ31、33、切替スイッチ制
御回路34は不要となり、装置構成を大幅に簡略化でき
る。
When the device is very sunny or when the device is used only for a limited time during the day, the storage battery 30 is not required, and the electronic device is driven only by the power from the solar battery 29. You can also in this case,
The storage battery 30, the changeover switches 31 and 33, and the changeover switch control circuit 34 are not required, and the device configuration can be greatly simplified.

【0106】なお蓄電池30の起電力は、0.5ボルト
であるので、電源ジャック32から電圧制御回路5に供
給される電力は、電圧変換回路231で例えば2ボルト
に昇圧されて送受信回路2に供給され、電圧変換回路2
32で例えば1.5ボルトに昇圧されてRF信号処理回
路3に供給される。一方、太陽電池29で発生した、
0.5ボルトの電圧が、ベースバンド信号処理回路4で
必要とされる電圧そのものであれば、電圧制御回路5か
ら、そのまま変換せずに、ベースバンド信号処理回路4
に供給するようにすればよく、それ以外の電圧が必要で
あれば、電圧変換回路233で、必要電圧に変換して出
力すればよい。
Since the electromotive force of the storage battery 30 is 0.5 volts, the power supplied from the power jack 32 to the voltage control circuit 5 is boosted to, for example, 2 volts by the voltage conversion circuit 231 and transmitted to the transmission / reception circuit 2. Supplied and voltage conversion circuit 2
At 32, the voltage is increased to, for example, 1.5 volts and supplied to the RF signal processing circuit 3. On the other hand, generated by the solar cell 29,
If the voltage of 0.5 volt is the voltage itself required by the baseband signal processing circuit 4, the voltage control circuit 5 does not convert the voltage as it is, and the baseband signal processing circuit 4
If a voltage other than that is required, the voltage may be converted to a required voltage by the voltage conversion circuit 233 and output.

【0107】また、太陽電池29からの出力電力は、外
光の影響を受けて、非常に不安定であるので、たとえ待
機中であっても、太陽電池29の起電力が十分でない場
合は、切替スイッチ制御回路34により切替スイッチ3
1、33を制御して、蓄電池30からの電力を電圧制御
回路5に供給するように制御する。
The output power from the solar cell 29 is very unstable due to the influence of external light. Therefore, even if the apparatus is in a standby state, if the electromotive force of the solar cell 29 is not sufficient, Changeover switch 3 by changeover switch control circuit 34
1 and 33 so as to supply the electric power from the storage battery 30 to the voltage control circuit 5.

【0108】また、太陽電池29を複数段直列接続する
ことにより、0.5ボルト以上の電圧を発生させること
も可能であるので、電子装置で必要とされる電圧、ない
しは電圧制御回路5の能力などに応じて、太陽電池29
や蓄電池30の発生電圧は、自由に設定可能である。
A voltage of 0.5 volt or more can be generated by connecting a plurality of solar cells 29 in series, so that the voltage required by the electronic device or the capability of the voltage control circuit 5 can be obtained. According to the solar cell 29
And the voltage generated by the storage battery 30 can be freely set.

【0109】実施形7.図10は、本発明の実施形7の
電子装置の回路ブロック図である。本実施形の基本的な
構成は、実施形6と同様であるが、異なる点は、蓄電池
30の代わりに、アルカリ乾電池35を用いたことであ
る。このような基本構成を実現するために、通信機器用
ケース28には、太陽電池29のみが装備され、その他
のアルカリ乾電池35、切替スイッチ31、33は、通
信機器システム本体27内部に収納される。そして、太
陽電池29からの電力は、電池ジャック36を通じて、
通信機器システム本体27側に供給されることになる。
Embodiment 7 FIG. 10 is a circuit block diagram of an electronic device according to Embodiment 7 of the present invention. The basic configuration of this embodiment is the same as that of the sixth embodiment, except that an alkaline dry battery 35 is used instead of the storage battery 30. In order to realize such a basic configuration, only the solar battery 29 is provided in the communication device case 28, and the other alkaline dry batteries 35 and the changeover switches 31 and 33 are housed inside the communication device system main body 27. . Then, the electric power from the solar cell 29 is passed through the battery jack 36.
This is supplied to the communication device system main body 27 side.

【0110】本実施形の構成によれば、太陽電池29の
発生電力をアルカリ乾電池35に充電できないが、待機
時の電力をもっぱら太陽電池29でまかなうようにし、
動作時のみ、アルカリ乾電池35を利用するようにする
ことで、アルカリ乾電池35の寿命を大幅に延ばすこと
ができる。
According to the configuration of the present embodiment, the power generated by the solar cell 29 cannot be charged to the alkaline dry battery 35, but the power during standby is supplied solely by the solar cell 29.
By using the alkaline dry battery 35 only during the operation, the life of the alkaline dry battery 35 can be greatly extended.

【0111】なお、この場合、太陽電池29からの電圧
が0.5ボルトであり、アルカリ乾電池35からの電圧
が1.5ボルトであるので、待機時と、動作時で電圧制
御回路5に供給される電圧が異なることになる。このた
め、電圧制御回路5および電圧変換回路231、23
2、233には、入力電圧の切替機能が付加されてお
り、入力電圧が切り替わっても、出力側には、所望の電
圧出力が得られるように制御される。
In this case, since the voltage from the solar cell 29 is 0.5 volts and the voltage from the alkaline dry cell 35 is 1.5 volts, the voltage is supplied to the voltage control circuit 5 during standby and during operation. Will be different. Therefore, the voltage control circuit 5 and the voltage conversion circuits 231 and 23
2, 233 is provided with an input voltage switching function. Even if the input voltage is switched, the output side is controlled so that a desired voltage output is obtained.

【0112】なお、太陽電池29を複数段直列接続する
ことにより、0.5ボルト以上の電圧を発生させること
も可能であるので、この電圧を、アルカリ乾電池35か
らの供給電圧に合わせるようにしてもよい。
It is also possible to generate a voltage of 0.5 volt or more by connecting a plurality of solar cells 29 in series, so that this voltage is adjusted to the supply voltage from the alkaline dry cell 35. Is also good.

【0113】なお、アルカリ乾電池35の代わりに、ニ
ッケル水素電池を用いるようにしてもよい。この場合、
発生電圧は1.2ボルトとなる。
Note that a nickel-metal hydride battery may be used instead of the alkaline dry battery 35. in this case,
The generated voltage is 1.2 volts.

【0114】また、太陽電池29からの出力電力は、外
光の影響を受けて、非常に不安定であるので、たとえ待
機中であっても、太陽電池29の起電力が十分でない場
合は、切替スイッチ制御回路34により切替スイッチ3
1、33を制御して、アルカリ乾電池35からの電力を
電圧制御回路5に供給するように制御する。
The output power from the solar cell 29 is extremely unstable due to the influence of external light. Changeover switch 3 by changeover switch control circuit 34
1 and 33 are controlled so that the electric power from the alkaline dry battery 35 is supplied to the voltage control circuit 5.

【0115】実施形8.図11は、本発明の実施形8の
電子装置の回路ブロック図である。本実施形の基本的な
構成は、実施形6と同様であるが、異なるところは、太
陽電池29の代わりに、自家発電システム37を組み込
んだことである。この基本構成を実現するために、腕や
足などの携帯機器を利用する人の最も動きの多い部分に
取りつけられる電源ユニット38に、この自家発電シス
テム37と、蓄電池30および、切替スイッチ31、3
3を内蔵させ、電源ジャック32から通信機器システム
本体27内の電圧制御回路5に電源を供給するような構
成となっている。
Embodiment 8 FIG. 11 is a circuit block diagram of an electronic device according to Embodiment 8 of the present invention. The basic configuration of this embodiment is the same as that of the sixth embodiment, except that a private power generation system 37 is incorporated in place of the solar cell 29. In order to realize this basic configuration, a self-power generation system 37, a storage battery 30, and changeover switches 31, 3,
3 is built in, and power is supplied from the power jack 32 to the voltage control circuit 5 in the communication device system main body 27.

【0116】さて、以上述べたような構成において、次
にその動作を説明する。
The operation of the above configuration will now be described.

【0117】本実施形の電子装置は、電力システムとし
て、自家発電システム37と蓄電池30を併用してい
る。
The electronic device of this embodiment uses both the private power generation system 37 and the storage battery 30 as a power system.

【0118】自家発電システム37は、時計などですで
に利用されている発電システムであり、腕などの動きを
物理的に検出して発電機を回し、電力を発生する装置で
ある。時計などの場合、腕の一振りだけで、1μWの電
力を、1か月間持続して供給できるだけの発電量が得ら
れることが知られている。つまり、1日に、2分程度動
作させるだけで、電子装置の待機時に必要な平均数mW
の電力を得ることができることになる。
The in-house power generation system 37 is a power generation system already used in watches and the like, and is a device that physically detects movement of an arm or the like and turns a generator to generate electric power. In the case of a clock or the like, it is known that a power generation amount capable of continuously supplying 1 μW of power for one month can be obtained only by swinging an arm. That is, the average number of mW required when the electronic device is on standby only by operating the device for about two minutes a day.
Power can be obtained.

【0119】この場合は、具体的には、約3.6mWの
発電量となるので、1日に20分程度動作させれば、つ
まり20分程度の間、腕を動かしたり、歩いたりして自
家発電システム37が動作するようにすれば、平均して
36mWの電力を得ることができることになる。
In this case, specifically, the power generation amount is about 3.6 mW. Therefore, if the operation is performed for about 20 minutes a day, that is, the arm is moved or walked for about 20 minutes. If the private power generation system 37 is operated, an average power of 36 mW can be obtained.

【0120】したがって、一般的な簡易型携帯電話の待
ち受け時の消費電力が、数mW程度であることに鑑みれ
ば、待機時は、自家発電システム37だけで電子装置の
駆動が可能である。
[0120] Therefore, in consideration of the fact that the power consumption of a general portable telephone in standby mode is about several mW, the electronic device can be driven only by the private power generation system 37 in standby mode.

【0121】一方、通話などの動作時には、消費電力
は、数100mWとなるが、これだけの電力を自家発電
システム37だけでまかなうのは困難である。したがっ
て、この場合には、蓄電池30から電力供給を行う。
On the other hand, during operation such as a telephone call, the power consumption is several hundred mW, but it is difficult to supply such power by the private power generation system 37 alone. Therefore, in this case, power is supplied from the storage battery 30.

【0122】なお、蓄電池30への充電であるが、自家
発電システム37からの電力を供給するのが望ましい。
自家発電システム37の発電量は、携帯する人の動きに
より、さまざまに変化するが、一般的なビジネスシーン
を考えると、5、000歩から10、000歩程度の動
きと考えられ、時間に換算すると、自家発電システム3
7は1時間から2時間の間、動作することとなる。この
場合に得られる発電量は、約100mWから約200m
Wとなるので、1日当たりの動作時間が1時間程度であ
れば、待機時も含めて、これだけで電力の供給は事足り
ることになり、蓄電池30を別途充電する必要はなくな
る。
It is to be noted that, although the storage battery 30 is charged, it is desirable to supply power from the private power generation system 37.
The amount of power generated by the private power generation system 37 varies depending on the movement of the person carrying it. However, considering the general business scene, it is considered that the movement is from 5,000 steps to about 10,000 steps. Then, the private power generation system 3
7 will operate for one to two hours. The amount of power generated in this case is about 100 mW to about 200 m
If the operation time per day is about one hour, power supply is sufficient by itself, including standby time, and the storage battery 30 does not need to be separately charged.

【0123】実施形9.図12は、本発明の実施形9の
電子装置の回路ブロック図である。本実施形の基本的な
構成は、実施形6と同様であるが、異なるところは、太
陽電池29の代わりに、近傍の通信機器システムから発
信される無駄な電波を受信して、これを電力に変換する
電力確保システム39を設けたことである。この基本構
成を実現するために、通信機器システム本体27を収容
する通信機器用ケース28外面に複数本を網目状に配列
した図示しないアンテナを配置し、これを電力確保シス
テム39に接続する。一方、電力確保システム39で発
生した電力を蓄積しておく蓄電池30と、電子装置使用
時に必要な電力を供給するための電池6とを併設し、電
力確保システム39、蓄電池30、電池6からの電力を
それぞれ選択的に通信機器システム本体27に供給する
ために、通信機器システム本体27に設けた切替スイッ
チ制御回路34から、制御端子58を介して切替制御さ
れる切替スイッチ31、33、40が配置される。そし
て、通信機器システム本体27に必要とされる電力量に
応じて、切替スイッチ31、33、40を制御して、電
力確保システム39、蓄電池30、電池6を選択し、電
源ジャック32から通信機器システム本体27内の電圧
制御回路5に電源を供給するような構成となっている。
Embodiment 9 FIG. 12 is a circuit block diagram of an electronic device according to Embodiment 9 of the present invention. The basic configuration of the present embodiment is the same as that of the sixth embodiment, except that instead of the solar cell 29, a useless radio wave transmitted from a nearby communication device system is received, and the received radio wave is transmitted to a power source. That is, a power securing system 39 for converting the power into the power is provided. In order to realize this basic configuration, an antenna (not shown) in which a plurality of antennas are arranged in a mesh pattern is arranged on the outer surface of the communication device case 28 that houses the communication device system main body 27, and this is connected to the power securing system 39. On the other hand, a storage battery 30 for storing power generated by the power securing system 39 and a battery 6 for supplying necessary power when the electronic device is used are provided side by side, and the power securing system 39, the storage battery 30, and the battery 6 In order to selectively supply power to the communication equipment system main body 27, the changeover switches 31, 33, and 40, which are controlled to be switched through the control terminal 58, from the changeover switch control circuit 34 provided in the communication equipment system main body 27. Be placed. Then, the changeover switches 31, 33, and 40 are controlled in accordance with the amount of power required for the communication device system main body 27 to select the power securing system 39, the storage battery 30, and the battery 6, and the communication device is connected to the power jack 32. The configuration is such that power is supplied to the voltage control circuit 5 in the system main body 27.

【0124】さて、以上述べたような構成において、次
にその動作を説明する。
The operation of the above-described configuration will now be described.

【0125】本実施形の電子装置は、電力システムとし
て、電力確保システム39、蓄電池30、電池6を併用
している。
The electronic device of this embodiment uses a power securing system 39, a storage battery 30, and a battery 6 together as a power system.

【0126】電力確保システム39は、空間にあふれて
いる無駄な電波を利用するものであるが、一般にこの電
波は、アンテナ一本当たり、平均数μW程度あるので、
100本程度のアンテナを、通信機器用ケース28の外
面に網目状に配置することにより、数mWの電力を取り
出すことができる。したがって、この電力を切替スイッ
チ31から電源ジャック32を通じて通信機器システム
本体27の電圧制御回路5に供給することにより、通信
機器システム本体27の待機時の電力は十分にまかなう
ことができる。なお、電波の強い場所で余剰電力が発生
した場合は、これを蓄電池30に蓄積しておき、電話の
弱い場所で、十分な電力が得られない場合は、切替スイ
ッチ33を制御して、蓄電池30から通信機器システム
本体27に電力を供給するようにする。
The power securing system 39 uses wasteful radio waves overflowing in space. Generally, since this radio wave has an average of about several μW per antenna,
By arranging about 100 antennas in a mesh pattern on the outer surface of the communication device case 28, it is possible to extract several mW of power. Accordingly, by supplying this power from the changeover switch 31 to the voltage control circuit 5 of the communication device system main body 27 through the power jack 32, the power of the communication device system main body 27 during standby can be sufficiently provided. If surplus power is generated in a place where radio waves are strong, the surplus power is stored in the storage battery 30. If sufficient power is not obtained in a place where the telephone is weak, the switch 33 is controlled to control the storage battery. 30 supplies power to the communication equipment system main body 27.

【0127】一方、通信機器システム本体27を待機状
態から使用状態にする場合は、切替スイッチ40を制御
して、電池6から通信機器システム本体27に電力を供
給するようにする。なお、蓄電池30に十分な容量があ
れば、電池6の代わりに、まず蓄電池30から通信機器
システム本体27に対して動作時の電力33を供給し、
蓄電池30の残容量がなくなった場合に、電力供給を電
池6に切り替えるようにしてもよい。
On the other hand, when the communication equipment system main body 27 is changed from the standby state to the use state, the switch 40 is controlled to supply power from the battery 6 to the communication equipment system main body 27. If the storage battery 30 has a sufficient capacity, instead of the battery 6, the storage battery 30 first supplies the power 33 during operation to the communication device system main body 27,
When the remaining capacity of the storage battery 30 is exhausted, the power supply may be switched to the battery 6.

【0128】なお、電池6としては、アルカリ乾電池や
ニッケル水素電池を用いることになるが、この場合、出
力電圧がそれぞれ1.5ボルトないしは1.2ボルトで
あり、必ずしも、これらの電圧が、電力確保システム3
9や蓄電池30の出力電圧と一致するとは限らない。こ
のため、電圧制御回路5の電圧変換回路231、23
2、233内部に、図示しない電圧切替機能ないしは汎
電圧対応機能を持たせてある。
As the battery 6, an alkaline dry battery or a nickel-metal hydride battery is used. In this case, the output voltage is 1.5 volts or 1.2 volts, and these voltages are necessarily Security system 3
9 and the output voltage of the storage battery 30 do not always match. Therefore, the voltage conversion circuits 231 and 23 of the voltage control circuit 5
2, 2 and 233 are provided with a voltage switching function (not shown) or a general voltage compatible function.

【0129】以上のように本実施形の電子装置は、空間
にあふれている電波を電力源として用いるように構成し
たので、電子装置の待機時の電力消費の少ない状態での
電力消費を抑制でき、電子機器の使用時間を大幅に延長
することができる。
As described above, the electronic device of the present embodiment is configured to use radio waves overflowing in space as a power source, so that it is possible to suppress power consumption when the electronic device is in a state of low power consumption during standby. In addition, the use time of the electronic device can be greatly extended.

【0130】以上、実施形6、7、8、9では、さまざ
まな電力システムを、通信機器システム本体27のさま
ざまな動作状態、つまり必要電力の状態に応じて、切り
替えて利用するように構成したので、電池の寿命を大幅
に延長でき、携帯用電子装置、例えば簡易型形態電話な
どの利用可能時間を大幅に拡大することができる。
As described above, in the sixth, seventh, eighth, and ninth embodiments, various power systems are configured to be switched and used in accordance with various operation states of the communication device system main body 27, that is, required power states. Therefore, the life of the battery can be greatly extended, and the usable time of a portable electronic device, for example, a simplified type telephone can be greatly extended.

【0131】ちなみに、上記実施形6、7、8、9の電
力システムは、それぞれ単独で適用するだけでなく、組
み合わせて適用することにより、それぞれの弱点を補い
合う形で、より効果的なサブ電力システムを構成するこ
とができる。
By the way, the power systems of the sixth, seventh, eighth, and ninth embodiments are not only applied independently, but are also applied in combination, thereby compensating for the weak points of each, thereby providing a more effective sub power. The system can be configured.

【0132】さて、図13は、上記の各実施例で例示し
た電圧制御回路5の構成の一例を示すブロック図であ
る。
FIG. 13 is a block diagram showing an example of the configuration of the voltage control circuit 5 exemplified in each of the above embodiments.

【0133】図において示すように、電圧変換回路23
1は、電池系からの電圧を、例えば2ボルト系、一例と
して挙げれば、図1の送受信回路2に供給する機能を有
し、電圧変換回路232は、電池系からの電圧を、例え
ば1.5ボルト系、一例として挙げれば、図1のRF信
号処理回路3に供給する機能を有し、電圧変換回路23
3は、電池系からの電圧を、例えば0.5ボルト系、一
例として挙げれば、図1のベースバンド信号処理回路4
に供給する機能を有する。
As shown in FIG.
1 has a function of supplying a voltage from a battery system to, for example, a 2-volt system, for example, to the transmission / reception circuit 2 in FIG. 1. The voltage conversion circuit 232 supplies a voltage from the battery system to, for example, 1. A 5 volt system, for example, has a function of supplying the RF signal processing circuit 3 of FIG.
Reference numeral 3 denotes a voltage from a battery system, for example, a 0.5 volt system, for example, the baseband signal processing circuit 4 in FIG.
It has the function of supplying to

【0134】上記の機能を実現するために、電圧変換回
路231は、電池系の電力を直接出力させるためのスイ
ッチ48と、電池系の電力を昇圧回路41を介して出力
させるためのスイッチ47と、電池系の電力を降圧回路
44を介して出力させるためのスイッチ49を備えてお
り、電池系の出力電圧が、2ボルト系に必要な2ボルト
と一致している場合は、スイッチ48をオンして、電池
系の電圧を直接、系に送出し、電池系の出力電圧が、2
ボルトより低い場合は、スイッチ47をオンして、電池
系の電圧を、昇圧回路41で2ボルトに昇圧した上で、
系に送出し、電池系の出力電圧が、2ボルトより高い場
合は、スイッチ49をオンして、電池系の電圧を、降圧
回路44で2ボルトに降圧して、系に送出する。
In order to realize the above functions, the voltage conversion circuit 231 includes a switch 48 for directly outputting battery system power and a switch 47 for outputting battery system power via the booster circuit 41. And a switch 49 for outputting the power of the battery system through the step-down circuit 44. When the output voltage of the battery system matches the 2 volts required for the 2 volt system, the switch 48 is turned on. Then, the voltage of the battery system is directly sent to the system, and the output voltage of the battery system becomes 2
If the voltage is lower than volt, the switch 47 is turned on to boost the voltage of the battery system to 2 volts by the booster circuit 41,
When the output voltage of the battery system is higher than 2 volts, the switch 49 is turned on, the voltage of the battery system is reduced to 2 volts by the step-down circuit 44, and is sent out to the system.

【0135】一方、電圧変換回路232は、電池系の電
力を直接出力させるためのスイッチ51と、電池系の電
力を昇圧回路42を介して出力させるためのスイッチ5
0と、電池系の電力を降圧回路44を介して出力させる
ためのスイッチ52を備えており、電池系の出力電圧
が、1.5ボルト系に必要な1.5ボルトと一致してい
る場合は、スイッチ51をオンして、電池系の電圧を直
接、系に送出し、電池系の出力電圧が、1.5ボルトよ
り低い場合は、スイッチ50をオンして、電池系の電圧
を、昇圧回路42で1.5ボルトに昇圧した上で、系に
送出し、電池系の出力電圧が、1.5ボルトより高い場
合は、スイッチ52をオンして、電池系の電圧を、降圧
回路45で1.5ボルトに降圧して、系に送出する。
On the other hand, the voltage conversion circuit 232 includes a switch 51 for directly outputting battery power and a switch 5 for outputting battery power via the booster circuit 42.
0, and a switch 52 for outputting battery system power through the step-down circuit 44. When the battery system output voltage matches the 1.5 volt required for the 1.5 volt system Turns on the switch 51 and sends the voltage of the battery system directly to the system. If the output voltage of the battery system is lower than 1.5 volts, the switch 50 is turned on to reduce the voltage of the battery system. After the voltage is increased to 1.5 volts by the booster circuit 42 and sent out to the system, if the output voltage of the battery system is higher than 1.5 volts, the switch 52 is turned on to reduce the voltage of the battery system to the step-down circuit. At 45, drop to 1.5 volts and deliver to system.

【0136】一方、電圧変換回路233は、電池系の電
力を直接出力させるためのスイッチ54と、電池系の電
力を昇圧回路43を介して出力させるためのスイッチ5
3と、電池系の電力を降圧回路46を介して出力させる
ためのスイッチ55を備えており、電池系の出力電圧
が、0.5ボルト系に必要な0.5ボルトと一致してい
る場合は、スイッチ54をオンして、電池系の電圧を直
接、系に送出し、電池系の出力電圧が、0.5ボルトよ
り低い場合は、スイッチ53をオンして、電池系の電圧
を、昇圧回路43で0.5ボルトに昇圧した上で、系に
送出し、電池系の出力電圧が、0.5ボルトより高い場
合は、スイッチ55をオンして、電池系の電圧を、降圧
回路46で0.5ボルトに降圧して、系に送出する。
On the other hand, the voltage conversion circuit 233 includes a switch 54 for directly outputting the battery system power and a switch 5 for outputting the battery system power via the booster circuit 43.
3 and a switch 55 for outputting battery system power via the step-down circuit 46, and when the battery system output voltage matches the 0.5 volt required for the 0.5 volt system. Turns on the switch 54 to directly send the voltage of the battery system to the system, and when the output voltage of the battery system is lower than 0.5 volts, turns on the switch 53 to reduce the voltage of the battery system. After the voltage is boosted to 0.5 volt by the booster circuit 43 and sent out to the system, if the output voltage of the battery system is higher than 0.5 volt, the switch 55 is turned on to reduce the voltage of the battery system to the step-down circuit. At 46, the pressure is reduced to 0.5 volt and sent to the system.

【0137】以上述べたように、電圧制御回路5を構成
することにより、電力系にさまざまな形式の、異なる出
力電圧の電池システムが適用された場合でも、電子装置
を構成する各機能ブロックに対して、それぞれが必要と
する電圧の電力を供給することができる。
As described above, by configuring the voltage control circuit 5, even when various types of battery systems of different output voltages are applied to the power system, the voltage control circuit 5 can be applied to each functional block constituting the electronic device. Thus, it is possible to supply electric power of a voltage required for each.

【0138】また、図14は、上記の各実施例で例示し
た電圧制御回路5の構成の他の例を示すブロック図であ
る。
FIG. 14 is a block diagram showing another example of the configuration of the voltage control circuit 5 exemplified in each of the above embodiments.

【0139】図13の例では、電圧変換回路231、2
32、233ごとに昇圧回路41、42、43および降
圧回路44、45、46を設ける構成を例示したが、本
構成例では、1個の2出力の昇圧回路58と、1個の2
出力の降圧回路59と、1個の直結線60を配置し、電
池系からの電力をクロスバスイッチ56を介して、昇圧
回路58、降圧回路59、直結線60に導き、これを再
びクロスバスイッチ57で、それぞれの系に振り分けて
出力するように構成している。ちなみに、昇圧回路58
は、1.5ボルト、2ボルトの2出力を有し、降圧回路
59は、0.5ボルトと、1.5ボルトの2出力を有す
るものとする。
In the example of FIG. 13, the voltage conversion circuits 231 and 2
Although the configuration in which the booster circuits 41, 42, 43 and the step-down circuits 44, 45, 46 are provided for each of the 32, 233 has been illustrated, in this configuration example, one two-output booster circuit 58 and one 2
An output step-down circuit 59 and one direct connection line 60 are arranged, and electric power from the battery system is led to a booster circuit 58, a step-down circuit 59, and a direct connection line 60 via a crossbar switch 56, and this is again passed to a crossbar switch 57. Thus, the system is configured to be output to each system. By the way, the booster circuit 58
Has two outputs of 1.5 volts and two volts, and the step-down circuit 59 has two outputs of 0.5 volts and 1.5 volts.

【0140】以上述べたような構成において、電圧制御
回路5が、電池系からの電圧を、例えば2ボルト系、一
例として挙げれば、図1の送受信回路2、および1.5
ボルト系、一例として挙げれば、図1のRF信号処理回
路3、さらに0.5ボルト系、一例として挙げれば、図
1のベースバンド信号処理回路4に供給する機能を有す
る場合を例にとって、その動作を説明する。
In the configuration described above, the voltage control circuit 5 adjusts the voltage from the battery system to, for example, a 2-volt system, for example, the transmission / reception circuit 2 of FIG.
For example, a case in which a function of supplying a volt system to the RF signal processing circuit 3 in FIG. 1 as an example, and a 0.5 volt system as an example to the baseband signal processing circuit 4 in FIG. The operation will be described.

【0141】今、電池系からの供給電力の電圧が、0.
5ボルトの場合、クロスバスイッチ56は、電池系から
の電力を、直結線60と、昇圧回路58に接続し、クロ
スバスイッチ57は、直結線60を0.5ボルト系に接
続し、昇圧回路58の2ボルト出力を、2ボルト系に接
続し、昇圧回路58の1.5ボルト出力を、1.5ボル
ト系に接続する。その結果、電子装置を構成する、各機
能ブロックに必要な電圧の電力を供給することが可能で
ある。
Now, the voltage of the electric power supplied from the battery system is 0.
In the case of 5 volts, the crossbar switch 56 connects the electric power from the battery system to the direct connection line 60 and the booster circuit 58, and the crossbar switch 57 connects the direct connection line 60 to the 0.5 volt system and the booster circuit 58 Is connected to the 2 volt system, and the 1.5 volt output of the booster circuit 58 is connected to the 1.5 volt system. As a result, it is possible to supply power of a necessary voltage to each functional block constituting the electronic device.

【0142】一方、電池系からの供給電力の電圧が、
1.5ボルトの場合、クロスバスイッチ56は、電池系
からの電力を、直結線60と、昇圧回路58、降圧回路
59に接続し、クロスバスイッチ57は、直結線60を
1.5ボルト系に接続し、昇圧回路58の2ボルト出力
を、2ボルト系に接続し、降圧回路59の0.5ボルト
出力を、0.5ボルト系に接続する。その結果、電子装
置を構成する、各機能ブロックに必要な電圧の電力を供
給することが可能である。
On the other hand, the voltage of the power supplied from the battery system is
In the case of 1.5 volts, the crossbar switch 56 connects the power from the battery system to the direct connection line 60, the booster circuit 58, and the step-down circuit 59, and the crossbar switch 57 converts the direct connection line 60 to a 1.5 volt system. The 2 volt output of the booster circuit 58 is connected to the 2 volt system, and the 0.5 volt output of the step-down circuit 59 is connected to the 0.5 volt system. As a result, it is possible to supply power of a necessary voltage to each functional block constituting the electronic device.

【0143】一方、電池系からの供給電力の電圧が、2
ボルトの場合、クロスバスイッチ56は、電池系からの
電力を、直結線60と、降圧回路59に接続し、クロス
バスイッチ57は、直結線60を2ボルト系に接続し、
降圧回路59の1.5ボルト出力を、1.5ボルト系に
接続し、降圧回路59の0.5ボルト出力を、0.5ボ
ルト系に接続する。その結果、電子装置を構成する、各
機能ブロックに必要な電圧の電力を供給することが可能
である。
On the other hand, when the voltage of the power supplied from the battery system is 2
In the case of volts, the crossbar switch 56 connects the power from the battery system to the direct connection line 60 and the step-down circuit 59, and the crossbar switch 57 connects the direct connection line 60 to the 2-volt system.
The 1.5 volt output of the step-down circuit 59 is connected to a 1.5 volt system, and the 0.5 volt output of the step-down circuit 59 is connected to a 0.5 volt system. As a result, it is possible to supply power of a necessary voltage to each functional block constituting the electronic device.

【0144】なお、図14の構成は、昇圧回路58およ
び降圧回路59の、それぞれの出力電圧および、電池系
の電圧によっては、利用が限定されるが、図13の構成
に比較して、回路構成を大幅に簡略化でき、集積回路化
した場合のパターン面積の低減に効果的である。
The use of the configuration of FIG. 14 is limited depending on the respective output voltages of the booster circuit 58 and the step-down circuit 59 and the voltage of the battery system. However, as compared with the configuration of FIG. The configuration can be greatly simplified, which is effective in reducing the pattern area when integrated.

【0145】なお、昇圧回路58、降圧回路59の出力
を3出力、例えばそれぞれ0.5ボルト、1.5ボル
ト、2ボルト出力とすることにより、回路構成は複雑に
なるものの、電子装置に必要な電圧系が、0.5ボル
ト、1.5ボルト、2ボルトの3系統である限り、電池
電圧のバリエーションへの適合性が高まる。
The output of the step-up circuit 58 and the step-down circuit 59 is set to three outputs, for example, 0.5 volt, 1.5 volt and 2 volt, respectively. As long as the appropriate voltage system is the three systems of 0.5 volt, 1.5 volt, and 2 volt, the adaptability to the variation of the battery voltage is enhanced.

【0146】なお、昇圧回路58、降圧回路59の出力
を可変出力、例えば0.5ボルト、1.5ボルト、2ボ
ルト出力が選択することができるようにすることによ
り、電池電圧のバリエーションへの適合性には制限が伴
うとしても、電子装置が必要とする電圧に柔軟に対応す
ることが可能である。
The output of the step-up circuit 58 and the step-down circuit 59 can be selected from variable outputs, for example, 0.5 volts, 1.5 volts, and 2 volts. Even if compatibility is limited, it is possible to flexibly respond to the voltage required by the electronic device.

【0147】なお、電圧制御回路5の構成については、
図13、14に示した例の他にも、さまざまな回路構成
が適用可能なものであるが、電池系からの電圧に対し
て、これを昇圧または降圧して、電子装置のそれぞれの
機能ブロックが必要とする電圧を供給可能なものであれ
ば、どのような構成でも適用可能であることは言うまで
もない。
Incidentally, the configuration of the voltage control circuit 5 is as follows.
Various circuit configurations other than the examples shown in FIGS. 13 and 14 can be applied. The voltage from the battery system is stepped up or down to obtain the respective functional blocks of the electronic device. It goes without saying that any configuration can be applied as long as the required voltage can be supplied.

【0148】本発明は、簡易型携帯電話だけではなく、
さまざまな方式の携帯電話やその他送受信装置、ページ
ャなどの受信装置にも適用できることは言うまでもな
い。
The present invention is not limited to a simple portable telephone,
It goes without saying that the present invention can be applied to various types of mobile phones, other transmitting / receiving devices, and receiving devices such as pagers.

【0149】[0149]

【発明の効果】以上述べたように、本発明の電子装置
は、必要な機能ブロックを、電力消費低減と機能、性能
向上の観点から、それぞれの回路に適したプロセスで、
集積回路化することにより、チップ数の低減、コスト低
減に加えて、電力消費低減を実現しており、装置の小型
化、アナログ回路、高周波回路の性能向上、ディジタル
回路の高機能化、コスト低減を同時に実現しながら、電
力消費を低減して、電池駆動される携帯機器い適したシ
ステムを構成でき、更に電力システムに、太陽電池、物
理的な発電機を備えた自家発電システム、空中の電波か
ら電力を発生する電力確保システムなどを、サブシステ
ムとして加えることにより、電池寿命を大幅に延長でき
るという効果がある。
As described above, in the electronic device of the present invention, the necessary functional blocks are processed in a process suitable for each circuit from the viewpoint of reducing power consumption and improving functions and performance.
Integrating circuits has reduced power consumption in addition to reducing the number of chips and cost, as well as reducing the size of devices, improving the performance of analog and high-frequency circuits, and increasing the functionality and cost of digital circuits. While simultaneously reducing power consumption and configuring a system suitable for battery-powered portable devices. In addition, the power system includes a solar cell, a private power generation system equipped with a physical generator, and airborne radio waves. By adding a power securing system or the like that generates power from a sub-system as a subsystem, there is an effect that the battery life can be greatly extended.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の、実施形1の電子装置の回路ブロック
図である。
FIG. 1 is a circuit block diagram of an electronic device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】各種の半導体素子の、最大発振周波数のバイア
ス電流依存性を示す特性図である。
FIG. 2 is a characteristic diagram showing the bias current dependence of the maximum oscillation frequency of various semiconductor elements.

【図3】各種の半導体素子で構成された分周器の、最大
動作周波数と、消費電力の関係を示す特性図である。
FIG. 3 is a characteristic diagram showing a relationship between a maximum operating frequency and power consumption of a frequency divider composed of various semiconductor elements.

【図4】バルク基板と、SOI基板の、夫々の干渉ノイ
ズを比較した特性図である。
FIG. 4 is a characteristic diagram comparing interference noise between a bulk substrate and an SOI substrate.

【図5】本発明の、実施形2の電子装置の回路ブロック
図である。
FIG. 5 is a circuit block diagram of an electronic device according to a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の、実施形3の電子装置の回路ブロック
図である。
FIG. 6 is a circuit block diagram of an electronic device according to a third embodiment of the present invention.

【図7】本発明の、実施形4の電子装置の回路ブロック
図である。
FIG. 7 is a circuit block diagram of an electronic device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図8】本発明の、実施形5の電子装置の回路ブロック
図である。
FIG. 8 is a circuit block diagram of an electronic device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図9】本発明の、実施形6の電子装置の回路ブロック
図である。
FIG. 9 is a circuit block diagram of an electronic device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図10】本発明の、実施形7の電子装置の回路ブロッ
ク図である。
FIG. 10 is a circuit block diagram of an electronic device according to a seventh embodiment of the present invention.

【図11】本発明の、実施形8の電子装置の回路ブロッ
ク図である。
FIG. 11 is a circuit block diagram of an electronic device according to an eighth embodiment of the present invention.

【図12】本発明の、実施形9の電子装置の回路ブロッ
ク図である。
FIG. 12 is a circuit block diagram of an electronic device according to a ninth embodiment of the present invention.

【図13】電圧制御回路5の構成の一例を示す回路ブロ
ック図である。
FIG. 13 is a circuit block diagram illustrating an example of a configuration of a voltage control circuit 5.

【図14】電圧制御回路5の構成の他の例を示す回路ブ
ロック図である。
FIG. 14 is a circuit block diagram showing another example of the configuration of the voltage control circuit 5.

【図15】従来の電子装置の回路ブロック図である。FIG. 15 is a circuit block diagram of a conventional electronic device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 アンテナ 2 送受信回路 3 RF信号処理回路 4 ベースバンド信号処理回路 5 電圧制御回路 6 電池 7 スピーカ 8 画像入出力装置 9 マイクロフォン 10 送受信切替スイッチ 11 電力増幅器 12 低雑音増幅器 13 受信ミキサ 14 送信ミキサ 15 周波数シンセサイザ 16 電圧制御発信器 17 復調器 18 変調器 19 音声信号処理回路 20 画像信号処理回路 21 制御用CPU 22 メモリ 231,232,233,234,235,236 電
圧変換回路 24 高周波アナログ信号処理回路 25 RF/ベースバンド信号処理回路 26 信号処理回路 27 通信機器システム本体 28 通信機器用ケース 29 太陽電池 30 蓄電池 31,33,40 切替スイッチ 32 電源ジャック 34 切替スイッチ制御回路 35 アルカリ乾電池 36 電池ジャック 37 自家発電システム 38 電源ユニット 39 電力確保システム 41,42,43,58 昇圧回路 44,45,46,59 降圧回路 47,48,49,50,51,52,53,54,5
5 スイッチ 56,57 クロスバスイッチ 58 制御端子
REFERENCE SIGNS LIST 1 antenna 2 transmission / reception circuit 3 RF signal processing circuit 4 baseband signal processing circuit 5 voltage control circuit 6 battery 7 speaker 8 image input / output device 9 microphone 10 transmission / reception switch 11 power amplifier 12 low noise amplifier 13 reception mixer 14 transmission mixer 15 frequency Synthesizer 16 Voltage control transmitter 17 Demodulator 18 Modulator 19 Audio signal processing circuit 20 Image signal processing circuit 21 Control CPU 22 Memory 231, 232, 233, 234, 235, 236 Voltage conversion circuit 24 High frequency analog signal processing circuit 25 RF / Baseband signal processing circuit 26 Signal processing circuit 27 Communication equipment system main body 28 Communication equipment case 29 Solar battery 30 Storage battery 31, 33, 40 Changeover switch 32 Power jack 34 Changeover switch control circuit 35 Alkaline dry power Pond 36 Battery jack 37 Private power generation system 38 Power supply unit 39 Power securing system 41, 42, 43, 58 Boosting circuit 44, 45, 46, 59 Step-down circuit 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 5
5 Switch 56, 57 Crossbar switch 58 Control terminal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井 納 和 美 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 株式会 社東芝研究開発センター内 (72)発明者 勝 又 康 弘 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 株式会 社東芝研究開発センター内 (72)発明者 渡 辺 重 佳 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 株式会 社東芝研究開発センター内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Kazumi Ino 1 Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside Toshiba R & D Center (72) Inventor Yasuhiro Katsumata Yukihiro, Kawasaki-shi, Kanagawa Komukai Toshiba 1 Inside Toshiba R & D Center (72) Inventor Shigeyoshi Watanabe 1 Komukai Toshiba 1 In Kochi Mukai, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Toshiba R & D Center

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】主として高周波回路で構成される高周波回
路ブロックと、 主としてアナログ回路で構成されるアナログ回路ブロッ
クと、 主としてディジタル回路で構成されるディジタル回路ブ
ロックと、 前記高周波回路ブロックに適した第1の電圧を発生する
第1の電圧制御手段と、 第1の前記アナログ回路ブロックに適した第2の電圧を
発生する第2の電圧制御手段と、 前記ディジタル回路ブロックに適した第3の電圧を発生
する第3の電圧供給手段と、 前記高周波回路ブロックを集積化した第1の集積回路ブ
ロックと、 前記アナログ回路ブロックを集積化した第2の集積回路
ブロックと、 前記ディジタル回路ブロックを集積回路した第3の集積
回路ブロックと、を備えることを特徴とする電子装置。
A high-frequency circuit block mainly composed of a high-frequency circuit; an analog circuit block mainly composed of an analog circuit; a digital circuit block mainly composed of a digital circuit; A first voltage control means for generating a first voltage, a second voltage control means for generating a second voltage suitable for the first analog circuit block, and a third voltage suitable for the digital circuit block. A third voltage supply unit that generates, a first integrated circuit block in which the high-frequency circuit block is integrated, a second integrated circuit block in which the analog circuit block is integrated, and an integrated circuit of the digital circuit block And a third integrated circuit block.
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