JPH11266145A - Tuner circuit - Google Patents

Tuner circuit

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Publication number
JPH11266145A
JPH11266145A JP6840298A JP6840298A JPH11266145A JP H11266145 A JPH11266145 A JP H11266145A JP 6840298 A JP6840298 A JP 6840298A JP 6840298 A JP6840298 A JP 6840298A JP H11266145 A JPH11266145 A JP H11266145A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency
capacitive element
selected channel
tuning
tuner circuit
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP6840298A
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Japanese (ja)
Inventor
Masaaki Ishikawa
雅章 石川
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Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Publication of JPH11266145A publication Critical patent/JPH11266145A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a tuner circuit which suppresses the differences in power gain by the frequency of a selected channel and is able to obtain optimal power gain for each band. SOLUTION: This tuner circuit includes variable capacity parts 20 and 21, which change in the capacity in response to a frequency of a selected channel. The variable capacity part 20 includes plural capacitors C4 and C13 and a switch D9. The variable capacity part 21 includes plural capacitors C5 and C15 and a switch D10. The switches 9 and 10 enter conductive state by receiving a bias voltage BH for a high band. Thus, when a channel of high frequency is selected, the condenser C13 is connected to the condenser C4 in parallel, and the condenser 15 is connected to the condenser C5 in parallel.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波の信号を受
信するチューナ回路に関し、特に選択したチャネルの周
波数に応じて電力利得を調整することができるチューナ
回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a tuner circuit for receiving a high-frequency signal, and more particularly to a tuner circuit capable of adjusting a power gain according to a frequency of a selected channel.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のチューナ回路900.1について
図6を用いて説明する。
2. Description of the Related Art A conventional tuner circuit 900.1 will be described with reference to FIG.

【0003】図6は、従来のチューナ回路900.1の
要部の構成を示す図である。図6を参照して、従来のチ
ューナ回路900.1は、入力フィルタ2、入力同調回
路3、高周波増幅回路5、段間同調回路6ならびに結合
部4および7を含む。チューナ回路900.1は、アン
テナ1で受信した高周波の信号(VHF)のうち、希望
するチャネルの信号を選択する。なお、選択された信号
は、図示しないミキサを介して中間周波数に変換され
る。
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a main part of a conventional tuner circuit 900.1. Referring to FIG. 6, a conventional tuner circuit 900.1 includes an input filter 2, an input tuning circuit 3, a high-frequency amplifier circuit 5, an interstage tuning circuit 6, and coupling sections 4 and 7. The tuner circuit 900.1 selects a signal of a desired channel from high-frequency signals (VHF) received by the antenna 1. The selected signal is converted to an intermediate frequency via a mixer (not shown).

【0004】入力フィルタ2は、高域通過フィルタで構
成される。入力フィルタ2は、アンテナ1で受信した信
号の妨害波や雑音成分を除去する。
[0004] The input filter 2 is composed of a high-pass filter. The input filter 2 removes interference waves and noise components of the signal received by the antenna 1.

【0005】入力同調回路3は、帯域通過フィルタで構
成される。入力同調回路3は、ハイバンド用のバイアス
電圧BHおよび同調電圧VTに応答して、入力フィルタ
2から出力される信号のうち選択したチャネルの信号
を、選択したチャネルの周波数に同調させる。
[0005] The input tuning circuit 3 comprises a band-pass filter. The input tuning circuit 3 tunes the signal of the selected channel among the signals output from the input filter 2 to the frequency of the selected channel in response to the high-band bias voltage BH and the tuning voltage VT.

【0006】高周波増幅回路5は、入力同調回路3から
出力される信号を、図示しないAGC回路(自動利得制
御回路)から出力されるAGC電圧VAGCに応答し
て、増幅して出力する。
The high-frequency amplifier circuit 5 amplifies and outputs a signal output from the input tuning circuit 3 in response to an AGC voltage VAGC output from an AGC circuit (automatic gain control circuit) not shown.

【0007】結合部4は、コンデンサC4を含む。コン
デンサC4は、入力同調回路3と高周波増幅回路5とを
結合する。
[0007] The coupling section 4 includes a capacitor C4. The capacitor C4 couples the input tuning circuit 3 and the high frequency amplifier circuit 5.

【0008】段間同調回路6は、同調電圧VT、および
ハイバンド用のバイアス電圧BHまたはロウバンド用の
バイアス電圧BLに応答して、高周波増幅回路5から出
力される信号をさらに選択したチャネルの周波数に同調
させる。
The inter-stage tuning circuit 6 responds to the tuning voltage VT and the high-band bias voltage BH or the low-band bias voltage BL to further select the signal output from the high-frequency amplifier circuit 5 at the frequency of the selected channel. Synchronize with.

【0009】段間同調回路6から出力される信号は、図
示しないミキサを介して中間周波数の信号に変換され
る。
The signal output from the inter-stage tuning circuit 6 is converted to an intermediate frequency signal via a mixer (not shown).

【0010】結合部7は、コンデンサC5を含む。コン
デンサC5は、段間同調回路6と図示しないミキサとを
結合する。
The coupling section 7 includes a capacitor C5. Capacitor C5 couples interstage tuning circuit 6 and a mixer (not shown).

【0011】さらに、従来のチューナ回路の構成の他の
一例(以下、チューナ回路900.2と称す)につい
て、図7を用いて説明する。図7は、従来のチューナ回
路900.2の構成を示す図である。
Another example of the configuration of a conventional tuner circuit (hereinafter referred to as a tuner circuit 900.2) will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a conventional tuner circuit 900.2.

【0012】図7に示す従来のチューナ回路900.2
の結合部4は、図6に示すコンデンサC4に代わって、
ダイオードD4、コンデンサC10および抵抗R3を含
む。また、図7に示す従来のチューナ回路900.2の
結合部7は、図6に示すコンデンサC5に代わって、ダ
イオードD5、コンデンサC11および抵抗R9を含
む。
The conventional tuner circuit 900.2 shown in FIG.
Is replaced with a capacitor C4 shown in FIG.
Includes diode D4, capacitor C10 and resistor R3. The coupling unit 7 of the conventional tuner circuit 900.2 shown in FIG. 7 includes a diode D5, a capacitor C11, and a resistor R9 instead of the capacitor C5 shown in FIG.

【0013】具体的には、図7に示す結合部4では、ダ
イオードD4およびコンデンサC10が入力同調回路3
と高周波増幅回路5との間に直列に接続される。図7に
示す結合部7では、ダイオードD5およびコンデンサC
11が段間同調回路6と図示しないミキサとの間に直列
に接続される。
More specifically, in the coupling section 4 shown in FIG. 7, the diode D4 and the capacitor C10 are connected to the input tuning circuit 3
And the high-frequency amplifier circuit 5 are connected in series. In the coupling section 7 shown in FIG. 7, the diode D5 and the capacitor C
11 is connected in series between the interstage tuning circuit 6 and a mixer (not shown).

【0014】ダイオードD4およびD5は、可変容量ダ
イオードであり、容量性素子として機能する。コンデン
サC10およびC11は、交流成分をカットするための
コンデンサである。
The diodes D4 and D5 are variable capacitance diodes and function as capacitive elements. Capacitors C10 and C11 are capacitors for cutting an AC component.

【0015】図7に示す結合部4はさらに、抵抗R3を
含む。図7に示す結合部7はさらに、抵抗R9を含む。
抵抗R3は、一方の端子がダイオードD4とコンデンサ
C10との接続ノードに接続され、他方の端子が接地電
位と接続される。抵抗R9は、一方の端子がダイオード
D5とコンデンサC11との接続ノードに接続され、他
方の端子が接地電位に接続される。抵抗R3およびR9
は、それぞれ放電抵抗である。
The coupling section 4 shown in FIG. 7 further includes a resistor R3. The coupling section 7 shown in FIG. 7 further includes a resistor R9.
The resistor R3 has one terminal connected to a connection node between the diode D4 and the capacitor C10, and the other terminal connected to a ground potential. The resistor R9 has one terminal connected to a connection node between the diode D5 and the capacitor C11, and the other terminal connected to a ground potential. Resistors R3 and R9
Are discharge resistances, respectively.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のチュ
ーナ回路900.1および900.2は、上述のように
構成されていたため、ハイバンドの信号を選択した場合
とロウバンドの信号を選択した場合とでは、互いの周波
数の差やそれぞれに対する内部回路のQ値(共振の度合
い)の違いにより、電力利得が大きく異なっていた。そ
して、この電力利得の差は、テレビセットの実装画面上
での評価に大きく影響するという問題があった。
Since the conventional tuner circuits 900.1 and 900.2 are constructed as described above, there are cases where a high band signal is selected and a case where a low band signal is selected. In this case, the power gain was greatly different due to the difference between the frequencies and the Q value (degree of resonance) of the internal circuit for each. Then, there is a problem that the difference in power gain greatly affects the evaluation on the mounting screen of the television set.

【0017】それゆえ、本発明は、上記に示した問題点
を解決するためになされたものであり、その目的は、シ
ステムの複雑化を伴うことなく、選択するチャネルの周
波数による電力利得の差を抑えることができるチューナ
回路を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a power gain difference depending on the frequency of a selected channel without complicating the system. It is to provide a tuner circuit capable of suppressing the noise.

【0018】また、本発明の他の目的は、選択した周波
数バンド毎に最大の電力利得を得ることができるチュー
ナ回路を提供することである。
It is another object of the present invention to provide a tuner circuit capable of obtaining a maximum power gain for each selected frequency band.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】請求項1に係るチューナ
回路は、受信した高周波の信号のうち、選択したチャネ
ルの信号を中間周波数に変換するチューナ回路であっ
て、受信した信号のうち前記選択したチャネルの信号
を、選択したチャネルの周波数に同調させる同調手段
と、同調手段の出力を増幅する増幅手段と、同調手段と
増幅手段との間に設けられ、選択したチャネルの周波数
に応答して容量が可変する可変容量手段とを備える。
A tuner circuit according to a first aspect of the present invention is a tuner circuit for converting a signal of a selected channel among received high-frequency signals into an intermediate frequency, and wherein the tuner circuit selects the selected signal among received signals. Tuning means for tuning the signal of the selected channel to the frequency of the selected channel, amplifying means for amplifying the output of the tuning means, provided between the tuning means and the amplifying means, in response to the frequency of the selected channel. Variable capacity means for changing the capacity.

【0020】したがって、選択したチャネルの周波数に
応じて、同調手段と増幅手段との間の結合容量を変化さ
せることができる。これにより、選択するチャネルの周
波数による電力利得の差を抑えることが可能となる。
Therefore, the coupling capacitance between the tuning means and the amplifying means can be changed according to the frequency of the selected channel. This makes it possible to suppress the difference in power gain depending on the frequency of the selected channel.

【0021】請求項2に係るチューナ回路は、請求項1
に係るチューナ回路であって、可変可変容量手段は、同
調手段と増幅手段との間に設けられる複数の容量性素子
と、選択したチャネルの周波数に応答して、複数の容量
性素子のそれぞれの接続関係を変化させる制御手段とを
含む。
A tuner circuit according to a second aspect is a tuner circuit according to the first aspect.
In the tuner circuit according to the variable variable capacitance means, a plurality of capacitive elements provided between the tuning means and the amplification means, in response to the frequency of the selected channel, each of the plurality of capacitive elements Control means for changing the connection relationship.

【0022】したがって、選択したチャネルの周波数に
応じて、同調手段と増幅手段との間における複数の容量
性素子の結合関係を変化させることができる。これによ
り、同調手段と増幅手段との間における容量を効果的に
変化させることができる。
Therefore, the coupling relationship between the plurality of capacitive elements between the tuning means and the amplifying means can be changed according to the frequency of the selected channel. Thereby, the capacitance between the tuning means and the amplifying means can be effectively changed.

【0023】請求項3に係るチューナ回路は、請求項2
に係るチューナ回路であって、複数の容量性素子は、同
調手段と前記増幅手段との間に接続される第1の容量性
素子と、第2の容量性素子とを含み、制御手段は、選択
したチャネルの周波数に応答して、第2の容量性素子を
前記第1の容量性素子に接続/非接続状態にするスイッ
チ手段を含み、スイッチ手段は、選択したチャネルの周
波数が第1のレベルより高い場合には、第2の容量性素
子を第1の容量性素子に並列に接続させ、選択したチャ
ネルの周波数が第1のレベルより低い場合には、第2の
容量性素子を第1の容量性素子と非接続状態にする。
A tuner circuit according to a third aspect is a tuner circuit according to the second aspect.
Wherein the plurality of capacitive elements include a first capacitive element connected between a tuning unit and the amplifying unit, and a second capacitive element, and the control unit includes: In response to the frequency of the selected channel, a switch means for connecting / disconnecting the second capacitive element to / from the first capacitive element, wherein the switch means adjusts the frequency of the selected channel to the first capacitive element. If the frequency is higher than the level, the second capacitive element is connected in parallel with the first capacitive element. If the frequency of the selected channel is lower than the first level, the second capacitive element is connected to the second capacitive element. Disconnect with one capacitive element.

【0024】したがって、選択したチャネルの周波数が
高い場合には、同調手段と増幅手段との間に並列に容量
性素子を接続することができる。これにより、選択した
チャネルの周波数が高い場合、高い電力利得を得ること
が可能となる。
Therefore, when the frequency of the selected channel is high, a capacitive element can be connected in parallel between the tuning means and the amplifying means. Thereby, when the frequency of the selected channel is high, a high power gain can be obtained.

【0025】請求項4に係るチューナ回路は、受信した
高周波の信号のうち、選択したチャネルの信号を中間周
波数に変換するチューナ回路であって、受信した信号の
うち前記選択したチャネルの信号を、選択したチャネル
の周波数に同調させる同調手段と、同調手段の出力を増
幅する増幅手段と、増幅手段の出力を中間周波数に変換
する変換手段と、増幅手段と変換手段との間に設けら
れ、選択したチャネルの周波数に応答して容量が可変す
る可変容量手段とを備える。
A tuner circuit according to a fourth aspect of the present invention is a tuner circuit for converting a signal of a selected channel among received high-frequency signals to an intermediate frequency, wherein the tuner circuit converts the signal of the selected channel among the received signals to Tuning means for tuning to the frequency of the selected channel; amplifying means for amplifying the output of the tuning means; converting means for converting the output of the amplifying means to an intermediate frequency; and selecting means provided between the amplifying means and the converting means. Variable capacitance means whose capacitance varies in response to the frequency of the selected channel.

【0026】したがって、選択したチャネルの周波数に
応じて、増幅手段と変換手段との間の結合容量を変化さ
せることができる。これにより、選択するチャンネルの
周波数による電力利得の差を抑えることが可能となる。
Therefore, the coupling capacitance between the amplifying means and the converting means can be changed according to the frequency of the selected channel. This makes it possible to suppress a difference in power gain depending on the frequency of the selected channel.

【0027】請求項5に係るチューナ回路は、請求項4
に係るチューナ回路であって、可変可変容量手段は、増
幅手段と変換手段との間に設けられる複数の容量性素子
と、選択したチャネルの周波数に応答して、複数の容量
性素子のそれぞれの接続関係を変化させる制御手段とを
含む。
The tuner circuit according to claim 5 is a tuner circuit according to claim 4.
In the tuner circuit according to the variable variable capacitance means, a plurality of capacitive elements provided between the amplification means and the conversion means, in response to the frequency of the selected channel, each of the plurality of capacitive elements Control means for changing the connection relationship.

【0028】したがって、選択したチャネルの周波数に
応じて、増幅手段と変換手段との間における複数の容量
性素子の結合関係を変化させることができる。これによ
り、増幅手段と変換手段との間における容量を効果的に
変化させることができる。
Therefore, the coupling relationship of the plurality of capacitive elements between the amplifying means and the converting means can be changed according to the frequency of the selected channel. Thus, the capacitance between the amplifying unit and the converting unit can be effectively changed.

【0029】請求項6に係るチューナ回路は、請求項5
に係るチューナ回路であって、複数の容量性素子は、増
幅手段と変換手段との間に接続される第1の容量性素子
と、第2の容量性素子とを含み、制御手段は、選択した
チャネルの周波数に応答して、第2の容量性素子を前記
第1の容量性素子に接続/非接続状態にするスイッチ手
段を含み、スイッチ手段は、選択したチャネルの周波数
が第1のレベルより高い場合には、第2の容量性素子を
第1の容量性素子に並列に接続させ、選択したチャネル
の周波数が第1のレベルより低い場合には、第2の容量
性素子を第1の容量性素子と非接続状態にする。
A tuner circuit according to claim 6 is a tuner circuit according to claim 5.
Wherein the plurality of capacitive elements include a first capacitive element connected between the amplifying means and the converting means, and a second capacitive element; Switch means for connecting / disconnecting the second capacitive element to / from the first capacitive element in response to the frequency of the selected channel, wherein the switch means adjusts the frequency of the selected channel to the first level. If higher, the second capacitive element is connected in parallel with the first capacitive element, and if the frequency of the selected channel is lower than the first level, the second capacitive element is connected to the first capacitive element. In a non-connected state with the capacitive element.

【0030】したがって、選択したチャネルの周波数が
高い場合には、増幅手段と変換手段との間に並列に容量
性素子を接続することができる。これにより、選択した
チャネルの周波数が高い場合、高い電力利得を得ること
が可能となる。
Therefore, when the frequency of the selected channel is high, a capacitive element can be connected in parallel between the amplifying means and the converting means. Thereby, when the frequency of the selected channel is high, a high power gain can be obtained.

【0031】請求項7に係るチューナ回路は、受信した
高周波の信号のうち、選択したチャネルの信号を中間周
波数に変換するチューナ回路であって、受信した信号の
うち選択したチャネルの信号を、選択したチャネルの周
波数に同調させる同調手段と、同調手段の出力を増幅す
る増幅手段と、同調手段と増幅手段との間に設けられ、
選択したチャネルの周波数に応答して容量が可変する第
1の可変容量手段と、増幅手段の出力を中間周波数に変
換する変換手段と、増幅手段と変換手段との間に設けら
れ、選択したチャネルの周波数に応答して容量が可変す
る第2の可変容量手段とを備える。
A tuner circuit according to claim 7 is a tuner circuit for converting a signal of a selected channel among received high-frequency signals into an intermediate frequency, and selecting a signal of a selected channel among received signals. Tuning means for tuning to the frequency of the adjusted channel, amplification means for amplifying the output of the tuning means, provided between the tuning means and the amplification means,
A first variable capacitance means for varying the capacity in response to the frequency of the selected channel; a conversion means for converting the output of the amplification means to an intermediate frequency; and a switching means provided between the amplification means and the conversion means. And a second variable capacitance means whose capacitance varies in response to the frequency of

【0032】したがって、選択したチャネルの周波数に
応じて、同調手段と増幅手段との間、および増幅手段と
変換手段との間のそれぞれの結合容量を変化させること
ができる。これにより、選択するチャネルの周波数によ
る電力利得の差を抑えることが可能となる。
Therefore, the respective coupling capacitances between the tuning means and the amplifying means and between the amplifying means and the converting means can be changed according to the frequency of the selected channel. This makes it possible to suppress the difference in power gain depending on the frequency of the selected channel.

【0033】請求項8に係るチューナ回路は、請求項7
に係るチューナ回路であって、第1の可変容量手段は、
同調手段と増幅手段との間に設けられる第1の複数の容
量性素子と、選択したチャネルの周波数に応答して、第
1の複数の容量性素子のそれぞれの接続関係を変化させ
る第1の制御手段とを含み、第2の可変容量手段は、増
幅手段と変換手段との間に設けられる第2の複数の容量
性素子と、選択したチャネルの周波数に応答して、第2
の複数の容量性素子のそれぞれの接続関係を変化させる
第2の制御手段とを含む。
The tuner circuit according to claim 8 is the tuner circuit according to claim 7.
Wherein the first variable capacitance means comprises:
A first plurality of capacitive elements provided between the tuning unit and the amplifying unit, and a first plurality of capacitive elements that change a connection relationship of the first plurality of capacitive elements in response to a frequency of the selected channel. Control means, wherein the second variable capacitance means includes a second plurality of capacitive elements provided between the amplification means and the conversion means, and a second variable capacitance means responsive to a frequency of the selected channel.
And a second control means for changing a connection relation of each of the plurality of capacitive elements.

【0034】したがって、選択したチャネルの周波数に
応じて、複数の容量性素子の結合関係を変化させること
ができる。これにより、同調手段と増幅手段との間、お
よび増幅手段と変換手段との間におけるそれぞれの容量
を効果的に変化させることができる。
Therefore, the coupling relationship between a plurality of capacitive elements can be changed according to the frequency of the selected channel. Thereby, the respective capacitances between the tuning means and the amplification means and between the amplification means and the conversion means can be effectively changed.

【0035】請求項9に係るチューナ回路は、請求項8
に係るチューナ回路であって、第1の複数の容量性素子
は、同調手段と増幅手段との間に接続される第1の容量
性素子と、第2の容量性素子とを含み、第1の制御手段
は、選択したチャネルの周波数に応答して、第2の容量
性素子を第1の容量性素子に接続/非接続状態にする第
1のスイッチ手段を含み、第2の複数の容量性素子は、
増幅手段と変換手段との間に接続される第3の容量性素
子と、第4の容量性素子とを含み、第2の制御手段は、
選択したチャネルの周波数に応答して、第4の容量性素
子を第3の容量性素子に接続/非接続状態にする第2の
スイッチ手段を含み、第1のスイッチ手段は、選択した
チャネルの周波数が第1のレベルより高い場合には、第
2の容量性素子を前記第1の容量性素子に並列に接続さ
せ、選択したチャネルの周波数が第1のレベルより低い
場合には、第2の容量性素子を前記第1の容量性素子と
非接続状態にし、第2のスイッチ手段は、選択したチャ
ネルの周波数が第2のレベルより高い場合には、第4の
容量性素子を第3の容量性素子に並列に接続させ、選択
したチャネルの周波数が第2のレベルより低い場合に
は、第4の容量性素子を前記第3の容量性素子と非接続
状態にする。
The tuner circuit according to claim 9 is the tuner circuit according to claim 8
Wherein the first plurality of capacitive elements includes a first capacitive element connected between the tuning means and the amplifying means, and a second capacitive element; Control means includes first switch means for connecting / disconnecting the second capacitive element to / from the first capacitive element in response to the frequency of the selected channel, and comprising the second plurality of capacitors. The sex element is
A third capacitive element connected between the amplifying means and the converting means, and a fourth capacitive element, wherein the second control means
A second switch for connecting / disconnecting the fourth capacitive element to / from the third capacitive element in response to a frequency of the selected channel; If the frequency is higher than the first level, the second capacitive element is connected in parallel with the first capacitive element, and if the frequency of the selected channel is lower than the first level, the second capacitive element is connected. The second switch means disconnects the fourth capacitive element from the third capacitive element when the frequency of the selected channel is higher than the second level. When the frequency of the selected channel is lower than the second level, the fourth capacitive element is disconnected from the third capacitive element.

【0036】したがって、選択したチャネルの周波数が
高い場合には、同調手段と増幅手段との間、および増幅
手段と変換手段との間にそれぞれ並列に容量性素子を接
続することができる。これにより、選択したチャネルの
周波数が高い場合、高い電力利得を得ることが可能とな
る。
Therefore, when the frequency of the selected channel is high, capacitive elements can be connected in parallel between the tuning means and the amplifying means and between the amplifying means and the converting means. Thereby, when the frequency of the selected channel is high, a high power gain can be obtained.

【0037】[0037]

【発明の実施の形態】[実施の形態1]本発明の実施の
形態1のチューナ回路は、選択するチャネルの周波数に
よらず、各バンド間の電力利得の差を抑え、さらにそれ
ぞれにおいて最大の電力利得を得ることを可能とするも
のである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [First Embodiment] A tuner circuit according to a first embodiment of the present invention suppresses a power gain difference between bands irrespective of a frequency of a channel to be selected, and furthermore, has a maximum gain in each band. It is possible to obtain a power gain.

【0038】本発明の実施の形態1のチューナ回路の全
体構成について、図1を用いて簡単に説明する。
The overall configuration of the tuner circuit according to the first embodiment of the present invention will be briefly described with reference to FIG.

【0039】図1は、本発明の実施の形態1におけるチ
ューナ回路100の構成の一例を示す概略ブロック図で
ある。図1に示すチューナ回路100は、入力フィルタ
12、入力同調回路13、高周波増幅回路15、段間同
調回路16ならびに可変容量部20および21を含む。
FIG. 1 is a schematic block diagram showing an example of the configuration of tuner circuit 100 according to the first embodiment of the present invention. The tuner circuit 100 shown in FIG. 1 includes an input filter 12, an input tuning circuit 13, a high-frequency amplifier circuit 15, an inter-stage tuning circuit 16, and variable capacitance units 20 and 21.

【0040】本発明の実施の形態1における可変容量部
20および21は、希望するチャネルの周波数に応じ
て、容量の大きさを変化させる。これにより、ハイバン
ドまたはロウバンドのそれぞれに応じて、チューナ回路
100の電力利得が調整される。
The variable capacitors 20 and 21 according to the first embodiment of the present invention change the size of the capacitors according to the desired channel frequency. Thereby, the power gain of tuner circuit 100 is adjusted according to each of the high band and the low band.

【0041】図1に示すチューナ回路100の要部の具
体的構成について、図2を用いて説明する。図2は、図
1に示すチューナ回路100の要部の具体的構成の一例
を示す回路図である。
A specific configuration of a main part of the tuner circuit 100 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a specific configuration of a main part of the tuner circuit 100 shown in FIG.

【0042】入力フィルタ12は、高域通過フィルタで
構成される。入力フィルタ12は、アンテナ1で受信し
た信号の妨害波や雑音成分を除去する。
The input filter 12 is composed of a high-pass filter. The input filter 12 removes an interference wave and a noise component of the signal received by the antenna 1.

【0043】入力同調回路13の構成について説明す
る。入力同調回路13は、抵抗R1およびR2、コイル
L1およびL6、コンデンサC1、C16およびC1
7、ならびにダイオードD1およびD6を含む。入力同
調回路13は、ノードN0で入力フィルタ12と接続さ
れ、ノードN1で後述する可変容量部20と接続され
る。
The configuration of the input tuning circuit 13 will be described. The input tuning circuit 13 includes resistors R1 and R2, coils L1 and L6, capacitors C1, C16, and C1.
7 and diodes D1 and D6. The input tuning circuit 13 is connected to the input filter 12 at a node N0 and to a variable capacitance unit 20 described later at a node N1.

【0044】コンデンサC1の一方の端子は、ノードN
0と接続される。ノードN0と接地電位との間に、コイ
ルL1、コイルL6およびコンデンサC17が直列に接
続される。コイルL1とコイルL6との接続ノードN4
と接地電位との間に、ダイオードD6およびコンデンサ
C16が直列接続される。ダイオードD6とコンデンサ
C16との接続ノードは、ハイバンド用のバイアス電圧
BHを受ける。ノードN4と接地電位との間に、抵抗R
2が接続される。
One terminal of the capacitor C1 is connected to the node N
Connected to 0. Coil L1, coil L6 and capacitor C17 are connected in series between node N0 and the ground potential. Connection node N4 between coil L1 and coil L6
And a ground potential, a diode D6 and a capacitor C16 are connected in series. A connection node between the diode D6 and the capacitor C16 receives the high-band bias voltage BH. A resistor R is connected between the node N4 and the ground potential.
2 are connected.

【0045】コンデンサC1の他方の端子は、ノードN
1と接続される。ノードN1と接地電位との間に、ダイ
オードD1が接続される。ノードN1は、抵抗R1を介
して同調電圧VTを受ける。
The other terminal of the capacitor C1 is connected to the node N
1 is connected. Diode D1 is connected between node N1 and the ground potential. Node N1 receives tuning voltage VT via resistor R1.

【0046】コイルL1、コンデンサC1およびダイオ
ードD1は、ハイバンド用の入力同調回路を構成する。
コイルL1およびL6、コンデンサC1ならびにダイオ
ードD1は、ロウバンド用の入力同調回路を構成する。
The coil L1, the capacitor C1, and the diode D1 constitute a high-band input tuning circuit.
The coils L1 and L6, the capacitor C1, and the diode D1 form a low-band input tuning circuit.

【0047】ダイオードD1は、可変容量ダイオードで
あり、同調電圧VTに応じて容量を変化させる。抵抗R
1は、同調電圧VT用のバイアス抵抗である。抵抗R2
は、ハイバンド用のスイッチングバイアス抵抗である。
また、コンデンサC16およびC17は、接地コンデン
サである。
The diode D1 is a variable capacitance diode, and changes the capacitance according to the tuning voltage VT. Resistance R
1 is a bias resistor for the tuning voltage VT. Resistance R2
Is a high-band switching bias resistor.
The capacitors C16 and C17 are ground capacitors.

【0048】入力同調回路13の動作について説明す
る。ダイオードD6は、ハイバンドのチャネルとロウバ
ンドのチャネルとの切換(共振周波数の変更)を行なう
ためのスイッチである。
The operation of the input tuning circuit 13 will be described. The diode D6 is a switch for switching between the high band channel and the low band channel (changing the resonance frequency).

【0049】ハイバンド用のバイアス電圧BHとロウバ
ンド用のバイアス電圧BLとは、互いに相補的な関係に
ある。具体的には、ハイバンドの信号が選択された場
合、ハイバンド用のバイアス電圧BHがHレベルにな
り、ロウバンド用のバイアス電圧BLがLレベルにな
る。また、ロウバンドの信号が選択された場合、ハイバ
ンド用のバイアス電圧BHがLレベルになり、ロウバン
ド用のバイアス電圧BLがHレベルになる。
The high-band bias voltage BH and the low-band bias voltage BL are complementary to each other. Specifically, when a high-band signal is selected, the high-band bias voltage BH goes high and the low-band bias voltage BL goes low. When a low-band signal is selected, the high-band bias voltage BH goes low and the low-band bias voltage BL goes high.

【0050】ハイバンド用のバイアス電圧BHが印加さ
れた場合(ハイバンドの選択)、ダイオードD6が導通
状態となる。したがって、入力フィルタ12を通過した
信号は、コイルL1、コンデンサC1およびダイオード
D1で共振する。
When the high-band bias voltage BH is applied (high-band selection), the diode D6 is turned on. Therefore, the signal passing through the input filter 12 resonates in the coil L1, the capacitor C1, and the diode D1.

【0051】一方、ロウバンド用のバイアス電圧BLが
印加された場合(ロウバンドの選択)、ダイオードD6
は非導通状態にある。したがって、入力フィルタ12を
通過した信号は、コイルL1およびL6、コンデンサC
1およびD1で共振する。
On the other hand, when the low-band bias voltage BL is applied (low-band selection), the diode D6
Is in a non-conductive state. Therefore, the signal that has passed through the input filter 12 includes the coils L1 and L6 and the capacitor C
Resonate at 1 and D1.

【0052】高周波増幅回路15の構成について説明す
る。高周波増幅回路15は、電界効果トランジスタQ
1、抵抗R4およびR5、ならびにコンデンサC9含
む。トランジスタQ1は、デュアルゲートMOSFET
である。抵抗R4は、AGC用のバイアス抵抗であり、
抵抗R5は、FET寄生発振防止用の抵抗である。ま
た、コンデンサC9は、接地コンデンサである。
The configuration of the high-frequency amplifier circuit 15 will be described. The high frequency amplifier circuit 15 includes a field effect transistor Q
1, including resistors R4 and R5 and a capacitor C9. Transistor Q1 is a dual gate MOSFET
It is. The resistor R4 is a bias resistor for AGC,
The resistor R5 is a resistor for preventing parasitic oscillation of the FET. The capacitor C9 is a ground capacitor.

【0053】トランジスタQ1の第1のゲート電極は、
後述する可変容量部20の出力ノードと接続される。ま
た、第2のゲート電極は、抵抗R4を介して、図示しな
いAGC回路からAGC電圧VAGCを受ける。第2の
ゲート電極と接地電位との間には、コンデンサC9が接
続される。トランジスタQ1のソースは接地電位と接続
され、ドレインは抵抗R5の一方の端子と接続される。
The first gate electrode of the transistor Q1 is
It is connected to an output node of the variable capacitance unit 20 described later. The second gate electrode receives an AGC voltage VAGC from an AGC circuit (not shown) via a resistor R4. A capacitor C9 is connected between the second gate electrode and the ground potential. The source of transistor Q1 is connected to the ground potential, and the drain is connected to one terminal of resistor R5.

【0054】高周波増幅回路15は、入力同調回路13
から出力される信号を、AGC電圧VAGCに応答し
て、増幅して出力する。
The high-frequency amplifier circuit 15 includes the input tuning circuit 13
Is amplified and output in response to the AGC voltage VAGC.

【0055】段間同調回路16の構成について説明す
る。段間同調回路16は、コイルL2、L3、L7、L
8およびL9、コンデンサC2、C3、C7、C8およ
びC19、ならびにダイオードD2、D3、D7および
D8を含む。段間同調回路16は、ノードN2で高周波
増幅回路15(抵抗R5の他方の端子)と接続され、ノ
ードN3で後述する可変容量部21と接続される。
The configuration of the interstage tuning circuit 16 will be described. The interstage tuning circuit 16 includes coils L2, L3, L7, L
8 and L9, capacitors C2, C3, C7, C8 and C19, and diodes D2, D3, D7 and D8. The interstage tuning circuit 16 is connected at a node N2 to the high-frequency amplifier circuit 15 (the other terminal of the resistor R5), and is connected at a node N3 to a variable capacitance section 21 described later.

【0056】ノードN2と接地電位との間に、コンデン
サC2およびダイオードD2が直列に接続される。コン
デンサC2とダイオードD2との接続ノードは、抵抗R
6を介して同調電圧VTを受ける。さらにノードN2に
は、コイルL2およびL7が直列に接続される。コイル
L2とL7との接続ノードに、ダイオードD7およびコ
ンデンサC7が直列に接続される。ダイオードD7とコ
ンデンサC7との接続ノードは、ハイバンド用のバイア
ス電圧BHを受ける。コンデンサC7の他方の端子は、
接地電位と接続される。
A capacitor C2 and a diode D2 are connected in series between the node N2 and the ground potential. The connection node between the capacitor C2 and the diode D2 is a resistor R
6 receives the tuning voltage VT. Furthermore, coils L2 and L7 are connected in series to node N2. A diode D7 and a capacitor C7 are connected in series to a connection node between the coils L2 and L7. A connection node between the diode D7 and the capacitor C7 receives a high-band bias voltage BH. The other terminal of the capacitor C7 is
Connected to ground potential.

【0057】ノードN3と接地電位との間に、ダイオー
ドD3が接続される。ノードN3は、抵抗R7を介して
同調電圧VTを受ける。さらにノードN3には、コイル
L3、コンデンサC3およびコイルL8が直列に接続さ
れる。コンデンサC3とコイルL8との接続ノードに、
ダイオードD8およびコンデンサC8が直列に接続され
る。ダイオードD8とコンデンサC8との接続ノード
は、ハイバンド用のバイアス電圧BHを受ける。コンデ
ンサC8の他方の端子は、接地電位と接続される。
A diode D3 is connected between the node N3 and the ground potential. Node N3 receives tuning voltage VT via resistor R7. Further, a coil L3, a capacitor C3, and a coil L8 are connected in series to the node N3. At the connection node between the capacitor C3 and the coil L8,
Diode D8 and capacitor C8 are connected in series. A connection node between the diode D8 and the capacitor C8 receives the high-band bias voltage BH. The other terminal of capacitor C8 is connected to the ground potential.

【0058】コイルL7およびL8のそれぞれの一方の
端子と接地電位との間に、コイルL9およびコンデンサ
C18が直列に接続される。コイルL9とコンデンサC
18との接続ノードは、ロウバンド用のバイアス電圧B
Lを受ける。
A coil L9 and a capacitor C18 are connected in series between one terminal of each of the coils L7 and L8 and the ground potential. Coil L9 and capacitor C
18 is connected to a low-band bias voltage B
Receive L.

【0059】コイルL2、コンデンサC2およびダイオ
ードD2は、ハイバンド用の段間1次同調回路を構成す
る。コイルL2およびL7、コンデンサC2およびダイ
オードD2は、ロウバンド用の段間1次同調回路を構成
する。
The coil L2, the capacitor C2 and the diode D2 constitute a high-band primary interstage tuning circuit. The coils L2 and L7, the capacitor C2, and the diode D2 form a low-band interstage primary tuning circuit.

【0060】さらに、コイルL3、コンデンサC3およ
びダイオードD3は、ハイバンド用の段間2次同調回路
を構成する。また、コイルL3およびL8、コンデンサ
C3およびダイオードD3は、ロウバンド用の段間2次
同調回路を構成する。
Further, the coil L3, the capacitor C3, and the diode D3 form a high-band interstage secondary tuning circuit. The coils L3 and L8, the capacitor C3, and the diode D3 form a low-band interstage secondary tuning circuit.

【0061】コンデンサC19は、段間1次同調回路と
段間2次同調回路とを結合するための結合コンデンサで
あって、一方の端子はノードN2と接続され、他方の端
子はノードN3と接続される。
Capacitor C19 is a coupling capacitor for coupling the interstage primary tuning circuit and the interstage secondary tuning circuit. One terminal is connected to node N2, and the other terminal is connected to node N3. Is done.

【0062】なお、ダイオードD2およびD3は、可変
容量ダイオードであり、同調電圧VTに応じて容量を変
化させる。抵抗R6およびR7は、同調電圧VT用のバ
イアス抵抗である。また、コンデンサC7、C8および
C18は、接地コンデンサである。
The diodes D2 and D3 are variable capacitance diodes, and change the capacitance according to the tuning voltage VT. The resistors R6 and R7 are bias resistors for the tuning voltage VT. The capacitors C7, C8 and C18 are ground capacitors.

【0063】段間同調回路16の動作について説明す
る。ダイオードD7およびD8は、ハイバンドのチャネ
ルとロウバンドのチャネルとの切換(共振周波数の変
更)を行なうためのスイッチである。ダイオードD7お
よびD8は、ハイバンド用のバイアス電圧BHが印加さ
れると導通状態となる。
The operation of the inter-stage tuning circuit 16 will be described. Diodes D7 and D8 are switches for switching between a high-band channel and a low-band channel (changing the resonance frequency). The diodes D7 and D8 are turned on when the high-band bias voltage BH is applied.

【0064】ハイバンド用のバイアス電圧BHが印加さ
れた場合(ハイバンドの選択)は、ダイオードD7およ
びD8が導通状態になる。したがって、トランジスタQ
1を通過した信号は、ハイバンド用の段間1次同調回路
(コイルL2、コンデンサC2およびダイオードD2)
において共振し、さらに、段間2次同調回路(コイルL
3、コンデンサC3およびダイオードD3)において共
振する。
When the high-band bias voltage BH is applied (high-band selection), the diodes D7 and D8 are turned on. Therefore, transistor Q
1 passes through a high-band interstage primary tuning circuit (coil L2, capacitor C2 and diode D2)
, And furthermore, a secondary tuning circuit (coil L
3. Resonate at the capacitor C3 and the diode D3).

【0065】ロウバンド用のバイアス電圧BLが印加さ
れた場合(ロウバンドの選択)は、ダイオードD7およ
びD8は非導通状態にある。したがって、トランジスタ
Q1を通過した信号は、ロウバンド用の段間1次同調回
路(コイルL2、L7およびL9、コンデンサC2およ
びダイオードD2)において共振し、さらに、段間2次
同調回路(コイルL3、L8およびL9、コンデンサC
3およびダイオードD3)において共振する。
When low-band bias voltage BL is applied (low-band selection), diodes D7 and D8 are off. Therefore, the signal passing through the transistor Q1 resonates in the low-band interstage primary tuning circuit (coils L2, L7 and L9, capacitor C2 and diode D2), and further interstage secondary tuning circuits (coils L3 and L8). And L9, capacitor C
3 and the diode D3).

【0066】次に、図1〜図2に示す本発明の実施の形
態1における可変容量部20および21の具体的構成の
一例について、図3を用いて説明する。
Next, an example of a specific configuration of the variable capacitance units 20 and 21 according to the first embodiment of the present invention shown in FIGS. 1 and 2 will be described with reference to FIG.

【0067】図3は、図1〜図2に示す可変容量部20
および21の具体的構成の一例を示す回路図である。
FIG. 3 shows the variable capacitance section 20 shown in FIGS.
And FIG. 21 is a circuit diagram showing an example of a specific configuration of FIG.

【0068】図3に示す可変容量部20について説明す
る。可変容量部20は、コンデンサC4、C12および
C13、抵抗R10およびR11、ならびにダイオード
D9を含む。
The variable capacitance section 20 shown in FIG. 3 will be described. The variable capacitance section 20 includes capacitors C4, C12 and C13, resistors R10 and R11, and a diode D9.

【0069】コンデンサC4の一方の端子は、ノードN
1と接続され、他方の端子は、トランジスタQ1の第1
のゲート電極と接続される。ノードN1と接地電位との
間には、コンデンサC12および抵抗R10が直列に接
続される。ダイオードD9の一方の端子は、コンデンサ
C12と抵抗R10との接続ノードに接続され、他方の
端子は、コンデンサC13の一方の端子と接続される。
コンデンサC13の他方の端子は、トランジスタQ1の
第1のゲート電極と接続される。ダイオードD9とコン
デンサC13との接続ノードは、抵抗R11を介してハ
イバンド用のバイアス電圧BHを受ける。
One terminal of the capacitor C4 is connected to the node N
1 and the other terminal is connected to the first terminal of the transistor Q1.
Is connected to the gate electrode. A capacitor C12 and a resistor R10 are connected in series between the node N1 and the ground potential. One terminal of diode D9 is connected to a connection node between capacitor C12 and resistor R10, and the other terminal is connected to one terminal of capacitor C13.
The other terminal of capacitor C13 is connected to the first gate electrode of transistor Q1. A connection node between the diode D9 and the capacitor C13 receives the high-band bias voltage BH via the resistor R11.

【0070】ダイオードD9は、スイッチとして機能す
る。コンデンサC12は、交流成分をカットするための
コンデンサであり、抵抗R10およびR11は、ハイバ
ンド用のスイッチングバイアス抵抗である。
The diode D9 functions as a switch. The capacitor C12 is a capacitor for cutting an AC component, and the resistors R10 and R11 are switching bias resistors for a high band.

【0071】図3に示す可変容量部21について説明す
る。可変容量部21は、コンデンサC5、C14および
C15、抵抗R12およびR13、ならびにダイオード
D10を含む。
The variable capacitance section 21 shown in FIG. 3 will be described. Variable capacitance section 21 includes capacitors C5, C14 and C15, resistors R12 and R13, and diode D10.

【0072】コンデンサC5の一方の端子は、ノードN
3と接続され、他方の端子は、図示しないミキサと接続
される。ノードN3と接地電位との間には、コンデンサ
C14および抵抗R12が直列に接続される。ダイオー
ドD10の一方の端子は、コンデンサC14と抵抗R1
2との接続ノードに接続され、他方の端子は、コンデン
サC15の一方の端子と接続される。コンデンサC15
の他方の端子は、図示しないミキサと接続される。ダイ
オードD10とコンデンサC15との接続ノードは、抵
抗R13を介してハイバンド用のバイアス電圧BHを受
ける。
One terminal of the capacitor C5 is connected to the node N
3 and the other terminal is connected to a mixer (not shown). A capacitor C14 and a resistor R12 are connected in series between the node N3 and the ground potential. One terminal of the diode D10 is connected to the capacitor C14 and the resistor R1.
2 and the other terminal is connected to one terminal of the capacitor C15. Capacitor C15
Is connected to a mixer (not shown). The connection node between the diode D10 and the capacitor C15 receives the high-band bias voltage BH via the resistor R13.

【0073】ダイオードD10は、スイッチとして機能
する。コンデンサC14は、交流成分をカットするため
のコンデンサであり、抵抗R12およびR13は、ハイ
バンド用のスイッチングバイアス抵抗である。
The diode D10 functions as a switch. The capacitor C14 is a capacitor for cutting an AC component, and the resistors R12 and R13 are switching bias resistors for a high band.

【0074】図3に示す可変容量部20および21の動
作について説明する。ロウバンド用のバイアス電圧BL
が印加された場合(ロウバンドを選択)、ダイオードD
9およびD10は、ともに非導通状態である。したがっ
て、従来のチューナ回路900.1と同様に、コンデン
サC4およびC5が、結合コンデンサとして機能する。
The operation of the variable capacitance units 20 and 21 shown in FIG. 3 will be described. Bias voltage BL for low band
Is applied (low band is selected), the diode D
9 and D10 are both non-conductive. Therefore, similarly to the conventional tuner circuit 900.1, the capacitors C4 and C5 function as coupling capacitors.

【0075】一方、ハイバンド用のバイアス電圧BHが
印加された場合(ハイバンドを選択)、ダイオードD9
が導通状態になる。したがって、入力同調回路13と高
周波同調回路15との間に、コンデンサC4とC13と
が並列に接続される状態となり、この間の容量がロウバ
ンド選択時に比べて大きくなる。また、ダイオードD1
0が導通状態になる。したがって、段間同調回路16と
図示しないミキサとの間に、コンデンサC5とC15と
が並列に接続される状態になり、この間の容量がロウバ
ンド選択時に比べて大きくなる。このため、Q値が高く
なり、従来のチューナ回路900.1におけるハイバン
ド選択時に比べて、電力利得が上がる。
On the other hand, when the high-band bias voltage BH is applied (high-band is selected), the diode D9
Becomes conductive. Therefore, the capacitors C4 and C13 are connected in parallel between the input tuning circuit 13 and the high-frequency tuning circuit 15, and the capacitance therebetween is larger than when the low band is selected. Also, the diode D1
0 becomes conductive. Therefore, the capacitors C5 and C15 are connected in parallel between the inter-stage tuning circuit 16 and the mixer (not shown), and the capacitance therebetween becomes larger than when the low band is selected. For this reason, the Q value increases, and the power gain increases compared to when the high band is selected in the conventional tuner circuit 900.1.

【0076】図1〜図2に示す本発明の実施の形態1に
おける可変容量部20および21の他の具体的構成の一
例について図4を用いて説明する。図4は、図1〜図2
に示す可変容量部20および21の具体的構成の他の一
例を示す回路図である。
Another specific configuration example of variable capacitance sections 20 and 21 in the first embodiment of the present invention shown in FIGS. 1 and 2 will be described with reference to FIG. FIG. 4 shows FIGS.
21 is a circuit diagram showing another example of a specific configuration of the variable capacitance units 20 and 21 shown in FIG.

【0077】図4に示す可変容量部20について説明す
る。可変容量部20は、コンデンサコンデンサC10、
C12およびC13、抵抗R3、R10およびR11、
ならびにダイオードD4およびD9を含む。
The variable capacitance section 20 shown in FIG. 4 will be described. The variable capacitance section 20 includes a capacitor C10,
C12 and C13, resistors R3, R10 and R11,
And diodes D4 and D9.

【0078】ノードN1とトランジスタQ1の第1のゲ
ート電極との間に、ダイオードD4およびコンデンサC
10が直列に接続される。ノードN1と接地電位との間
には、コンデンサC12および抵抗R10が直列に接続
される。ダイオードD9の一方の端子は、コンデンサC
12と抵抗R10との接続ノードに接続され、他方の端
子は、コンデンサC13の一方の端子と接続される。コ
ンデンサC13の他方の端子は、ダイオードD4とコン
デンサC10との接続ノードに接続される。ダイオード
D9とコンデンサC13との接続ノードは、抵抗R11
を介してハイバンド用のバイアス電圧BHを受ける。抵
抗R3は、一方の端子がダイオードD4とコンデンサC
10との接続ノードと接続され、他方の端子が接地電位
と接続される。
A diode D4 and a capacitor C are connected between the node N1 and the first gate electrode of the transistor Q1.
10 are connected in series. A capacitor C12 and a resistor R10 are connected in series between the node N1 and the ground potential. One terminal of the diode D9 is a capacitor C
12 is connected to a connection node between the resistor R10 and the other terminal, and the other terminal is connected to one terminal of the capacitor C13. The other terminal of capacitor C13 is connected to a connection node between diode D4 and capacitor C10. A connection node between the diode D9 and the capacitor C13 is connected to a resistor R11.
Receives the high-band bias voltage BH via the. The resistor R3 has one terminal connected to the diode D4 and the capacitor C.
10, and the other terminal is connected to the ground potential.

【0079】上述したように、ダイオードD4は、可変
容量ダイオードであり、容量性素子として機能する。ま
た、ダイオードD9は、スイッチとして機能する。
As described above, the diode D4 is a variable capacitance diode and functions as a capacitive element. The diode D9 functions as a switch.

【0080】図4に示す可変容量部21について説明す
る。可変容量部21は、コンデンサC11、C14およ
びC15、抵抗R9、R12およびR13、ならびにダ
イオードD5およびD10を含む。
The variable capacitance section 21 shown in FIG. 4 will be described. Variable capacitance section 21 includes capacitors C11, C14 and C15, resistors R9, R12 and R13, and diodes D5 and D10.

【0081】ノードN3と図示しないミキサとの間に、
ダイオードD5およびコンデンサC11が直列に接続さ
れる。ノードN3と接地電位との間には、コンデンサC
14および抵抗R12が直列に接続される。ダイオード
D10の一方の端子は、コンデンサC14と抵抗R12
との接続ノードに接続され、他方の端子は、コンデンサ
C15の一方の端子と接続される。コンデンサC15の
他方の端子は、ダイオードD5とコンデンサC11との
接続ノードに接続される。ダイオードD10とコンデン
サC15との接続ノードは、抵抗R13を介してハイバ
ンド用のバイアス電圧BHを受ける。抵抗R9は、一方
の端子がダイオードD5とコンデンサC11との接続ノ
ードと接続され、他方の端子が接地電位と接続される。
Between the node N3 and a mixer (not shown)
Diode D5 and capacitor C11 are connected in series. A capacitor C is connected between the node N3 and the ground potential.
14 and the resistor R12 are connected in series. One terminal of the diode D10 is connected to a capacitor C14 and a resistor R12.
And the other terminal is connected to one terminal of the capacitor C15. The other terminal of the capacitor C15 is connected to a connection node between the diode D5 and the capacitor C11. The connection node between the diode D10 and the capacitor C15 receives the high-band bias voltage BH via the resistor R13. The resistor R9 has one terminal connected to a connection node between the diode D5 and the capacitor C11, and the other terminal connected to a ground potential.

【0082】上述したように、ダイオードD5は、可変
容量ダイオードであり、容量性素子として機能する。ま
た、ダイオードD10は、スイッチとして機能する。
As described above, the diode D5 is a variable capacitance diode and functions as a capacitive element. The diode D10 functions as a switch.

【0083】図4に示す可変容量部20および21の動
作について説明する。ロウバンド用のバイアス電圧BL
が印加された場合(ロウバンドを選択)、ダイオードD
9およびD10は、ともに非導通状態である。したがっ
て、従来のチューナ回路900.2と同様に、ダイオー
ドD4およびD5が、結合コンデンサとして機能する。
The operation of variable capacitance units 20 and 21 shown in FIG. 4 will be described. Bias voltage BL for low band
Is applied (low band is selected), the diode D
9 and D10 are both non-conductive. Therefore, similarly to the conventional tuner circuit 900.2, the diodes D4 and D5 function as a coupling capacitor.

【0084】一方、ハイバンド用のバイアス電圧BHが
印加された場合(ハイバンドを選択)、ダイオードD9
が導通状態になる。したがって、入力同調回路13と高
周波同調回路15との間に、ダイオードD4とコンデン
サC13とが並列に接続される状態となり、この間の容
量がロウバンド選択時に比べて大きくなる。また、ダイ
オードD10が導通状態になる。したがって、段間同調
回路16と図示しないミキサとの間に、ダイオードD5
とコンデンサC15とが並列に接続される状態になり、
この間の容量がロウバンド選択時に比べて大きくなる。
このため、Q値が高くなり、従来のチューナ回路90
0.2におけるハイバンド選択時に比べて、電力利得が
上がる。
On the other hand, when the high-band bias voltage BH is applied (high-band is selected), the diode D9
Becomes conductive. Therefore, the diode D4 and the capacitor C13 are connected in parallel between the input tuning circuit 13 and the high-frequency tuning circuit 15, and the capacitance therebetween becomes larger than when the low band is selected. Further, the diode D10 becomes conductive. Therefore, the diode D5 is connected between the inter-stage tuning circuit 16 and a mixer (not shown).
And the capacitor C15 are connected in parallel,
The capacity during this time is larger than when the low band is selected.
For this reason, the Q value increases, and the conventional tuner circuit 90
The power gain is higher than when the high band is selected in 0.2.

【0085】なお、図2に示す段間同調回路16に代わ
って、図5に示す段間同調回路16を用いてもよい。図
5は、図1に示す段間同調回路16の具体的構成の他の
一例を示す図である。
The inter-stage tuning circuit 16 shown in FIG. 5 may be used instead of the inter-stage tuning circuit 16 shown in FIG. FIG. 5 is a diagram showing another example of a specific configuration of the interstage tuning circuit 16 shown in FIG.

【0086】図5に示す段間同調回路16は、抵抗R1
4およびR15をさらに含む。抵抗R14は、コイルL
7とL9との間に接続される。抵抗R15は、コイルL
8とL9との間に接続される。抵抗R14およびR1
は、ダンピング抵抗であり、ロウバンド選択時におい
て、電力利得を下げる役割を果たす。図2または図3に
示す可変容量部20および21とともに、これを用いる
ことによっても、電力利得の差を抑えることが可能とな
る。
The inter-stage tuning circuit 16 shown in FIG.
4 and R15. The resistor R14 is a coil L
7 and L9. The resistor R15 is a coil L
8 and L9. Resistors R14 and R1
Is a damping resistor, which plays a role in lowering the power gain when the low band is selected. By using this together with the variable capacitance units 20 and 21 shown in FIG. 2 or FIG. 3, it is possible to suppress the difference in power gain.

【0087】以上のように、本発明の実施の形態1にお
けるチューナ回路100は、選択するチャネルの周波数
によらず、電力利得の差を抑えることが可能となる。さ
らに、各回路間の結合容量を可変とすることにより、各
バンド毎における最大の電力利得を得ることができる。
As described above, tuner circuit 100 according to Embodiment 1 of the present invention can suppress the difference in power gain regardless of the frequency of the selected channel. Furthermore, by making the coupling capacitance between the circuits variable, it is possible to obtain the maximum power gain for each band.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態1におけるチューナ回路1
00の構成の一例を示す概略ブロック図である。
FIG. 1 is a tuner circuit 1 according to a first embodiment of the present invention.
It is a schematic block diagram which shows an example of a structure of 00.

【図2】図1に示すチューナ回路100の要部の具体的
構成の一例を示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a specific configuration of a main part of the tuner circuit 100 shown in FIG.

【図3】図1〜図2に示す可変容量部20および21の
具体的構成の一例を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a specific configuration of variable capacitance units 20 and 21 shown in FIGS.

【図4】図1〜図2に示す可変容量部20および21の
具体的構成の他の一例を示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing another example of a specific configuration of the variable capacitance units 20 and 21 shown in FIGS. 1 and 2;

【図5】図1に示す段間同調回路16の具体的構成の他
の一例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing another example of a specific configuration of the interstage tuning circuit 16 shown in FIG. 1;

【図6】従来のチューナ回路900.1の要部の構成を
示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a main part of a conventional tuner circuit 900.1.

【図7】従来のチューナ回路900.2の要部の構成を
示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a main part of a conventional tuner circuit 900.2.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 アンテナ 12 入力フィルタ 13 入力同調回路 15 高周波増幅器 16 段間同調回路 20、21 可変容量部 L1〜L9 コイル C1〜C18 コンデンサ D1〜D10 ダイオード R1〜R15 抵抗 Q1 電界効果トランジスタ 100 チューナ回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Antenna 12 Input filter 13 Input tuning circuit 15 High frequency amplifier 16 Interstage tuning circuit 20, 21 Variable capacitance part L1 to L9 Coil C1 to C18 Capacitor D1 to D10 Diode R1 to R15 Resistance Q1 Field effect transistor 100 Tuner circuit

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 受信した高周波の信号のうち、選択した
チャネルの信号を中間周波数に変換するチューナ回路で
あって、 前記受信した信号のうち前記選択したチャネルの信号
を、前記選択したチャネルの周波数に同調させる同調手
段と、 前記同調手段の出力を増幅する増幅手段と、 前記同調手段と前記増幅手段との間に設けられ、前記選
択したチャネルの周波数に応答して容量が可変する可変
容量手段とを備える、チューナ回路。
1. A tuner circuit for converting a signal of a selected channel among received high-frequency signals to an intermediate frequency, wherein the tuner circuit converts the signal of the selected channel among the received signals to a frequency of the selected channel. A tuning means for tuning the output of the tuning means; a variable capacitance means provided between the tuning means and the amplification means, wherein a capacity varies in response to a frequency of the selected channel. A tuner circuit comprising:
【請求項2】 前記可変容量手段は、 前記同調手段と前記増幅手段との間に設けられる複数の
容量性素子と、 前記選択したチャネルの周波数に応答して、前記複数の
容量性素子のそれぞれの接続関係を変化させる制御手段
とを含む、請求項1記載のチューナ回路。
2. The variable capacitance means includes: a plurality of capacitive elements provided between the tuning means and the amplifying means; and each of the plurality of capacitive elements in response to a frequency of the selected channel. 2. The tuner circuit according to claim 1, further comprising control means for changing a connection relationship of the tuner.
【請求項3】 前記複数の容量性素子は、 前記同調手段と前記増幅手段との間に接続される第1の
容量性素子と、 第2の容量性素子とを含み、 前記制御手段は、 前記選択したチャネルの周波数に応答して、前記第2の
容量性素子を前記第1の容量性素子に接続/非接続状態
にするスイッチ手段を含み、 前記スイッチ手段は、 前記選択したチャネルの周波数が第1のレベルより高い
場合には、前記第2の容量性素子を前記第1の容量性素
子に並列に接続させ、前記選択したチャネルの周波数が
前記第1のレベルより低い場合には、前記第2の容量性
素子を前記第1の容量性素子と非接続状態にする、請求
項2記載のチューナ回路。
3. The plurality of capacitive elements include: a first capacitive element connected between the tuning means and the amplifying means; and a second capacitive element, wherein the control means comprises: Switching means for connecting / disconnecting the second capacitive element to / from the first capacitive element in response to a frequency of the selected channel, wherein the switching means comprises: Is higher than the first level, the second capacitive element is connected in parallel with the first capacitive element, and when the frequency of the selected channel is lower than the first level, 3. The tuner circuit according to claim 2, wherein the second capacitive element is disconnected from the first capacitive element.
【請求項4】 受信した高周波の信号のうち、選択した
チャネルの信号を中間周波数に変換するチューナ回路で
あって、 前記受信した信号のうち前記選択したチャネルの信号
を、前記選択したチャネルの周波数に同調させる同調手
段と、 前記同調手段の出力を増幅する増幅手段と、 前記増幅手段の出力を前記中間周波数に変換する変換手
段と、 前記増幅手段と前記変換手段との間に設けられ、前記選
択したチャネルの周波数に応答して容量が可変する可変
容量手段とを備える、チューナ回路。
4. A tuner circuit for converting a signal of a selected channel among received high-frequency signals to an intermediate frequency, wherein the tuner circuit converts the signal of the selected channel among the received signals to a frequency of the selected channel. Tuning means for tuning to; amplifying means for amplifying an output of the tuning means; a converting means for converting an output of the amplifying means to the intermediate frequency; provided between the amplifying means and the converting means, A variable capacitance means for varying a capacitance in response to a frequency of a selected channel.
【請求項5】 前記可変容量手段は、 前記増幅手段と前記変換手段との間に設けられる複数の
容量性素子と、 前記選択したチャネルの周波数に応答して、前記複数の
容量性素子のそれぞれの接続関係を変化させる制御手段
とを含む、請求項4記載のチューナ回路。
5. The variable capacitance means includes: a plurality of capacitive elements provided between the amplifying means and the conversion means; and a plurality of capacitive elements in response to a frequency of the selected channel. 5. The tuner circuit according to claim 4, further comprising control means for changing a connection relationship of the tuner.
【請求項6】 前記複数の容量性素子は、 前記増幅手段と前記変換手段との間に接続される第1の
容量性素子と、 第2の容量性素子とを含み、 前記制御手段は、 前記選択したチャネルの周波数に応答して、前記第2の
容量性素子を前記第1の容量性素子に接続/非接続状態
にするスイッチ手段を含み、 前記スイッチ手段は、 前記選択したチャネルの周波数が第1のレベルより高い
場合には、前記第2の容量性素子を前記第1の容量性素
子に並列に接続させ、前記選択したチャネルの周波数が
前記第1のレベルより低い場合には、前記第2の容量性
素子を前記第1の容量性素子と非接続状態にする、請求
項5記載のチューナ回路。
6. The plurality of capacitive elements include a first capacitive element connected between the amplifying unit and the converting unit, and a second capacitive element, and the control unit includes: Switching means for connecting / disconnecting the second capacitive element to / from the first capacitive element in response to a frequency of the selected channel, wherein the switching means comprises: Is higher than the first level, the second capacitive element is connected in parallel with the first capacitive element, and when the frequency of the selected channel is lower than the first level, The tuner circuit according to claim 5, wherein said second capacitive element is disconnected from said first capacitive element.
【請求項7】 受信した高周波の信号のうち、選択した
チャネルの信号を中間周波数に変換するチューナ回路で
あって、 前記受信した信号のうち前記選択したチャネルの信号
を、前記選択したチャネルの周波数に同調させる同調手
段と、 前記同調手段の出力を増幅する増幅手段と、 前記同調手段と前記増幅手段との間に設けられ、前記選
択したチャネルの周波数に応答して容量が可変する第1
の可変容量手段と、 前記増幅手段の出力を前記中間周波数に変換する変換手
段と、 前記増幅手段と前記変換手段との間に設けられ、前記選
択したチャネルの周波数に応答して容量が可変する第2
の可変容量手段とを備える、チューナ回路。
7. A tuner circuit for converting a signal of a selected channel among received high-frequency signals into an intermediate frequency, wherein the tuner circuit converts the signal of the selected channel among the received signals to a frequency of the selected channel. Tuning means for tuning the output of the tuning means; amplifying means for amplifying the output of the tuning means; a first means provided between the tuning means and the amplifying means, and having a variable capacity in response to the frequency of the selected channel.
A variable capacity means, a conversion means for converting an output of the amplification means to the intermediate frequency, and a variable capacity means provided between the amplification means and the conversion means, wherein a capacity is changed in response to a frequency of the selected channel. Second
And a variable capacitance means.
【請求項8】 前記第1の可変容量手段は、 前記同調手段と前記増幅手段との間に設けられる第1の
複数の容量性素子と、 前記選択したチャネルの周波数に応答して、前記第1の
複数の容量性素子のそれぞれの接続関係を変化させる第
1の制御手段とを含み、 前記第2の可変容量手段は、 前記増幅手段と前記変換手段との間に設けられる第2の
複数の容量性素子と、 前記選択したチャネルの周波数に応答して、前記第2の
複数の容量性素子のそれぞれの接続関係を変化させる第
2の制御手段とを含む、請求項7記載のチューナ回路。
8. The first variable capacitance means comprises: a first plurality of capacitive elements provided between the tuning means and the amplification means; and the first variable capacitance means, in response to a frequency of the selected channel. A first control unit for changing a connection relationship of each of the plurality of capacitive elements, wherein the second variable capacitance unit includes a second plurality provided between the amplification unit and the conversion unit. 9. The tuner circuit according to claim 7, further comprising: a capacitive element, and a second control unit configured to change a connection relation of each of the second plurality of capacitive elements in response to a frequency of the selected channel. .
【請求項9】 前記第1の複数の容量性素子は、 前記同調手段と前記増幅手段との間に接続される第1の
容量性素子と、 第2の容量性素子とを含み、 前記第1の制御手段は、 前記選択したチャネルの周波数に応答して、前記第2の
容量性素子を前記第1の容量性素子に接続/非接続状態
にする第1のスイッチ手段を含み、 前記第2の複数の容量性素子は、 前記増幅手段と前記変換手段との間に接続される第3の
容量性素子と、 第4の容量性素子とを含み、 前記第2の制御手段は、 前記選択したチャネルの周波数に応答して、前記第4の
容量性素子を前記第3の容量性素子に接続/非接続状態
にする第2のスイッチ手段を含み、 前記第1のスイッチ手段は、 前記選択したチャネルの周波数が第1のレベルより高い
場合には、前記第2の容量性素子を前記第1の容量性素
子に並列に接続させ、前記選択したチャネルの周波数が
前記第1のレベルより低い場合には、前記第2の容量性
素子を前記第1の容量性素子と非接続状態にし、 前記第2のスイッチ手段は、 前記選択したチャネルの周波数が第2のレベルより高い
場合には、前記第4の容量性素子を前記第3の容量性素
子に並列に接続させ、前記選択したチャネルの周波数が
前記第2のレベルより低い場合には、前記第4の容量性
素子を前記第3の容量性素子と非接続状態にする、請求
項8記載のチューナ回路。
9. The first plurality of capacitive elements includes: a first capacitive element connected between the tuning means and the amplifying means; and a second capacitive element, The first control means includes first switch means for connecting / disconnecting the second capacitive element to / from the first capacitive element in response to a frequency of the selected channel, The second plurality of capacitive elements includes a third capacitive element connected between the amplifying unit and the converting unit, and a fourth capacitive element, and the second control unit includes: A second switch for connecting / disconnecting the fourth capacitive element to / from the third capacitive element in response to a frequency of the selected channel, wherein the first switch comprises: If the frequency of the selected channel is higher than the first level, the second content A capacitive element connected in parallel with the first capacitive element, and when the frequency of the selected channel is lower than the first level, the second capacitive element is connected to the first capacitive element. When the frequency of the selected channel is higher than a second level, the second switch means connects the fourth capacitive element in parallel with the third capacitive element when the frequency of the selected channel is higher than a second level. 9. The tuner circuit according to claim 8, wherein when the frequency of the selected channel is lower than the second level, the fourth capacitive element is disconnected from the third capacitive element.
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