JPH11261167A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置

Info

Publication number
JPH11261167A
JPH11261167A JP7329798A JP7329798A JPH11261167A JP H11261167 A JPH11261167 A JP H11261167A JP 7329798 A JP7329798 A JP 7329798A JP 7329798 A JP7329798 A JP 7329798A JP H11261167 A JPH11261167 A JP H11261167A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
semiconductor laser
lens
profile
nfp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP7329798A
Other languages
English (en)
Inventor
Norihide Noda
憲秀 野田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP7329798A priority Critical patent/JPH11261167A/ja
Publication of JPH11261167A publication Critical patent/JPH11261167A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 NFPを改善して光強度プロファイルをフラ
ット化する。 【解決手段】 レーザチップ11からのレーザビームを
コリメートレンズ12、シリンドリカルレンズアレイ1
3および集光レンズ14を経て集光面15に導くように
し、シリンドリカルレンズアレイ13から集光面15ま
での等価的な距離をシリンドリカルレンズアレイ13の
各レンズの焦点距離の2倍以上とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、たとえば固体レ
ーザ励起用の光源としてあるいはCD(コンパクトディ
スク)の初期化などに用いられるのに好適な、半導体レ
ーザ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体レーザ装置のチップは、III属元
素Al,Ga,InおよびV属元素P,As,Sbの組
み合わせからなる化合物半導体の結晶を基板の上にエキ
タピシャル成長させて活性層などを形成することによっ
て作られる。半導体レーザ装置を、固体レーザ励起用の
光源としてあるいはCDの初期化などに用いる場合、均
一加熱などの要請から、近視野像(NFP;Near
Field Pattern)が均一であることが必要
である。
【0003】ところが、半導体レーザ装置ではNFPの
均一性が悪いという問題がある。そこで、従来では、拡
散板を用いてレーザ出射光を拡散させたり、レンズアレ
イを用いその各々のレンズで広がった光を重ね合わせた
りして、光強度プロファイルの均一化を図るようにして
いる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように光を拡散させて均一化を図る場合は、光のロスが
大きく、レーザ光のパワーを低下させてしまうという問
題がある。また、レンズアレイの各々のレンズで広がっ
た光を重ね合わせる場合は、光強度が均一になるように
重ね合わせる制御が難しい。
【0005】この発明は、上記に鑑み、光のロスがなく
しかも容易に光強度プロファイルを均一化できるように
改善した、半導体レーザ装置を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明による半導体レーザ装置においては、半導
体レーザチップと、該チップからの出力レーザビームを
導く光学系と、該光学系においてレーザビームをいった
ん複数の光束に分けた上でそれらを相互に干渉させる干
渉手段とが備えられることが特徴となっている。
【0007】半導体レーザチップから出力されたレーザ
ビームを導く光学系において、そのレーザビームがいっ
たん複数の光束に分けられた上でそれらが相互に干渉す
るようにされる。そのため、光の干渉の現象を利用した
光強度の均一化が行われるようになり、光強度均一化の
ため光のロスが生じるということを避けることができ
る。また、光の干渉の現象を利用しているので、光の重
ね合わせの制御という問題も避けることができる。
【0008】レーザビームをいったん複数の光束に分け
た上でそれらを相互に干渉させる干渉手段としては、回
折格子やシリンドリカルレンズアレイやマイクロレンズ
アレイを用いることができる。これら回折格子やシリン
ドリカルレンズアレイやマイクロレンズアレイを用いた
場合、光の干渉現象に加えて回折現象が生じ、これらを
利用して光強度均一化をより良好に行うことができる。
【0009】
【発明の実施の形態】つぎに、この発明の実施の形態に
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図1におい
て、半導体レーザチップ11から出力されるレーザビー
ムがコリメートレンズ12によって平行ビームにされ、
シリンドリカルレンズアレイ13を通り、さらに集光レ
ンズ14によって収束されて焦点面15に結像するよう
にされている。なお、図では省略しているが、半導体レ
ーザチップ11は、ヒートシンクを介してペルチェ素子
等に取り付けられて放熱されるようになっており、これ
らがパッケージに収められ、そのパッケージに設けられ
た出力窓からレーザビームが出力されるようになってい
る。
【0010】レーザビームがシリンドリカルレンズアレ
イ13を通ると、図2に示すように、各々のレンズで収
束された後広がって相互に重なり合うようになる。そし
て、この重なり合う光が相互に干渉する干渉現象が生じ
るようになる。また、同時に回折現象も生じる。そのた
め、この光が重なり合うようになる位置、つまり各レン
ズの焦点距離をfとするとシリンドリカルレンズアレイ
13から距離2f以上離れた位置に集光面15があると
すると、その集光面15では、回折スポットなどが現れ
て重なる。
【0011】そこで、光強度プロファイルが曲線16で
示すようになっているレーザビームが、シリンドリカル
レンズアレイ13を通ると、集光面15では曲線17で
示すプロファイルが重なり合ったようになり、結果的に
曲線18で示すようなフラットなプロファイルが得られ
る。重なる光の数は、焦点距離fに対する集光面15の
距離で定まるため、この集光面15の距離を適宜決定す
ることによって、回折・干渉現象を起こしながら重なる
光による光強度均一化を調整することが可能となる。
【0012】なお、図2ではシリンドリカルレンズアレ
イ13と集光面15との間の集光レンズ14が省略され
ているが、これは説明の便宜であり、集光レンズ14が
挿入されていても等価的に説明できる。すなわち、集光
レンズ14が挿入された場合、集光面15への投影像
(プロファイル18)が縮小されるだけである。また、
シリンドリカルレンズアレイ13の挿入位置はコリメー
トレンズ12と集光レンズ14との間だけに限らず、集
光レンズ14と集光面15との間あるいは光路の適宜な
箇所でよいことも明らかであろう。
【0013】このようにシリンドリカルレンズアレイ1
3を用いた場合、そのレンズの並び方向つまり図1、2
では紙面の上下方向(紙面に平行な面内の方向)におい
て曲線16のように光強度プロファイルが均一でないレ
ーザビームを曲線18のようにフラットにすることがで
きるので、とくにブロードストライプレーザチップに好
適である。ブロードストライプレーザチップはストライ
プ状の発光領域の幅(ストライプ幅)を広く(50μm
〜500μm程度に)して高出力化した半導体レーザチ
ップとして知られているものである。この広いストライ
プ幅方向では、光利得による導波のみによって支配され
るモードが存在するため、横モードは多モードとなり、
光強度分布が生じ、この方向では光強度は平坦でなく図
2の曲線16のように多数の凹凸を持つ。このストライ
プ幅方向とシリンドリカルレンズアレイ13のレンズ並
び方向とを一致させることにより、光強度プロファイル
を平坦化できる。
【0014】マイクロレンズアレイはこのようなシリン
ドリカルレンズアレイを2次元的に拡張したものである
から、マイクロレンズアレイを用いれば、光強度プロフ
ァイルの1次元方向での平坦化のみでなく、光強度プロ
ファイルの2次元方向での平坦化を行うことができる。
【0015】また、このようなレンズアレイだけでな
く、回折格子などを用いることによっても、レーザビー
ムを多数の光束に分けた上で回折・干渉現象を生じさせ
ながら相互に重ね合わせて光強度の均一化を図ることも
可能である。
【0016】その他、具体的な構成などは、上の記載に
限定されることなく、種々に変更可能である。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の半導体
レーザ装置によれば、光のロスをなくしながら光強度プ
ロファイルの均一化を容易に達成できる。そのため、N
FPが悪い半導体レーザチップであってもそのNFPを
改善できるため、製造歩留まりを向上させて低価格化で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態を示す模式図。
【図2】同実施形態を説明するための原理図。
【符号の説明】
11 レーザチップ 12 コリメートレンズ 13 シリンドリカルレンズアレイ 14 集光レンズ 15 集光面

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体レーザチップと、該チップからの
    出力レーザビームを導く光学系と、該光学系においてレ
    ーザビームをいったん複数の光束に分けた上でそれらを
    相互に干渉させる干渉手段とを備えることを特徴とする
    半導体レーザ装置。
JP7329798A 1998-03-06 1998-03-06 半導体レーザ装置 Withdrawn JPH11261167A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7329798A JPH11261167A (ja) 1998-03-06 1998-03-06 半導体レーザ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7329798A JPH11261167A (ja) 1998-03-06 1998-03-06 半導体レーザ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11261167A true JPH11261167A (ja) 1999-09-24

Family

ID=13514096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7329798A Withdrawn JPH11261167A (ja) 1998-03-06 1998-03-06 半導体レーザ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11261167A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015531895A (ja) * 2012-09-24 2015-11-05 リモ パテントフェルヴァルトゥング ゲーエムベーハー ウント コー.カーゲーLIMO Patentverwaltung GmbH & Co.KG 作業面におけるレーザビームの線形強度分布を発生させるための装置
CN108701958A (zh) * 2016-02-16 2018-10-23 优志旺电机株式会社 激光片光光源装置
JP2019528579A (ja) * 2016-08-31 2019-10-10 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 調整された照明パターンを伴うレーザベース光源

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015531895A (ja) * 2012-09-24 2015-11-05 リモ パテントフェルヴァルトゥング ゲーエムベーハー ウント コー.カーゲーLIMO Patentverwaltung GmbH & Co.KG 作業面におけるレーザビームの線形強度分布を発生させるための装置
CN108701958A (zh) * 2016-02-16 2018-10-23 优志旺电机株式会社 激光片光光源装置
CN108701958B (zh) * 2016-02-16 2020-08-25 优志旺电机株式会社 激光片光光源装置
JP2019528579A (ja) * 2016-08-31 2019-10-10 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 調整された照明パターンを伴うレーザベース光源

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7277229B2 (en) Linear light beam generating optical system
US6433934B1 (en) Illumination system for use in imaging systems
JP6178991B2 (ja) 光源ユニットおよびそれを用いた光源モジュール
JP6007861B2 (ja) 光偏向器及び画像投射装置
US6853490B2 (en) Method and apparatus for illuminating a spatial light modulator with light from multiple laser diode arrays
US7260131B2 (en) Symmetrization device and laser diode system provided with the same
US7988300B2 (en) Illumination device, projection video display device, and fly-eye lens
EP3032330B1 (en) Light-source device, light-source unit, and image display device
KR20140094537A (ko) 광원 시스템 및 레이저 광원
JP2002072132A (ja) 照明装置
US4963003A (en) Laser optical system
US9285596B2 (en) Free-space combining of laser beam radiation
JP2003090959A (ja) レーザ照明光学系、該光学系を用いた露光装置、レーザ加工機、及び投射装置
CN104950438A (zh) 光照射装置与绘制装置
KR100541126B1 (ko) 레이저빔 균일 조사 광학계
JPH0876054A (ja) レーザ装置
JPH11261167A (ja) 半導体レーザ装置
JP7165267B2 (ja) 光源装置、プロジェクター及び光強度分布均一化方法
US7061517B2 (en) Exposure head
JP2843308B2 (ja) レーザー十字スリット発生装置
US20030169467A1 (en) Exposure apparatus
JP2021086862A (ja) マルチチップパッケージ、プロジェクター
JP3537423B2 (ja) レーザビーム均一照射光学系
JP3648388B2 (ja) マルチビーム走査装置およびその光源ユニット
JPH11195834A (ja) 半導体レーザ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040614

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20050401

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Effective date: 20050401

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

A521 Written amendment

Effective date: 20050404

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

A761 Written withdrawal of application

Effective date: 20051026

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761