JPH11260955A - Multi-layer circuit board - Google Patents

Multi-layer circuit board

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Publication number
JPH11260955A
JPH11260955A JP10059150A JP5915098A JPH11260955A JP H11260955 A JPH11260955 A JP H11260955A JP 10059150 A JP10059150 A JP 10059150A JP 5915098 A JP5915098 A JP 5915098A JP H11260955 A JPH11260955 A JP H11260955A
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JP
Japan
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wiring
lands
land
core substrate
circuit board
Prior art date
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Pending
Application number
JP10059150A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Michio Horiuchi
道夫 堀内
Yukiharu Takeuchi
之治 竹内
Tomoaki Takubo
知章 田窪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Shinko Electric Industries Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP10059150A priority Critical patent/JPH11260955A/en
Publication of JPH11260955A publication Critical patent/JPH11260955A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain the highly reliable product, by decreasing the number of wiring layers constituting a multi-layer circuit board and increasing the manufacturing yield rate. SOLUTION: A via connecting land, which has the interval larger than the interval of vias 16 provided at a core substrate 10 at wiring layers 12a and 12b formed on one surface of the core substrate 10 and is selected at the arrangement, where the maximum number of the land can be selected, and the drawing land, to which a wiring is connected, other than these via-connecting lands, are selected. For the land located at the outer surface of the region where the above described lands are arranged, the wirings are withdrawn from both the drawing land and the via connecting land at the same time. For the drawing lands which are aligned in the inside of the above described region, at least one wiring is aligned between the neighboring lands, and the lands which are arranged at the diagonal-line position in the above described region and the vicinity hereof are withdrawn preferentially. Thus, the wirings are withdrawn from all the drawing lands and electrically connected to the vias 16 penetrating the core substrate 10. For the via-connecting lands, where the wirings are not withdrawn at the wiring layers 12a and 12b formed on one surface, the lands are electrically connected to the vias 16 penetrating the core substrate 10.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は接続電極を格子状に
平面配列した半導体チップあるいは外部接続端子を格子
状に平面配列した半導体装置等の電子部品を搭載する多
層回路基板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-layer circuit board on which electronic components such as a semiconductor chip having connection electrodes arranged in a plane in a grid or a semiconductor device having external connection terminals arranged in a plane in a lattice are mounted.

【0002】[0002]

【従来の技術】図6はフリップチップ接続により半導体
チップ4を回路基板5に搭載した半導体装置の構成を示
す。この半導体装置では半導体チップ4の電極形成面に
設けられた接続電極6を回路基板5上に設けたランド8
に接合し、各々のランド8から配線7を引き出してい
る。半導体チップ4の搭載領域から外側に引き出された
配線7は半導体装置を実装するためのはんだボールある
いはリードピン等の外部接続端子に電気的に接続され
る。
2. Description of the Related Art FIG. 6 shows a configuration of a semiconductor device in which a semiconductor chip 4 is mounted on a circuit board 5 by flip-chip connection. In this semiconductor device, a connection electrode 6 provided on an electrode forming surface of a semiconductor chip 4 is provided with a land 8 provided on a circuit board 5.
And the wiring 7 is drawn out from each land 8. The wiring 7 drawn out from the mounting area of the semiconductor chip 4 is electrically connected to an external connection terminal such as a solder ball or a lead pin for mounting the semiconductor device.

【0003】ところで、半導体チップあるいは半導体装
置等の電子部品では、高集積、高密度化に対応して、半
導体チップの電極形成面あるいは半導体装置の実装面の
全体に格子状に接続電極あるいははんだボール等の外部
接続端子を配列した製品が製造されるようになってき
た。このような製品では単一層のみですべての接続電極
あるいは外部接続端子から配線を引き出すことができな
くなるから、配線層を多層化し、配線が干渉しないよう
に各配線層での配線パターンを決めるようにしている。
In the case of electronic components such as semiconductor chips and semiconductor devices, connection electrodes or solder balls are formed in a grid pattern on the entire surface of the semiconductor chip on which the electrodes are formed or on the mounting surface of the semiconductor device in order to cope with high integration and high density. And the like, in which external connection terminals are arranged. In such products, wiring cannot be drawn out from all connection electrodes or external connection terminals with only a single layer.Therefore, wiring layers should be multi-layered, and wiring patterns in each wiring layer should be determined so that wiring does not interfere. ing.

【0004】このように配線層を多層化する場合は、配
線層を支持するコア基板を使用し、コア基板上に所定の
配線パターンを設けた配線層を形成する方法が一般的で
ある。図7にコア基板10上に配線層12a、12bを
設けた半導体装置の構成を示す。コア基板10の両面に
設けた配線層12a、12bのうち、半導体チップ4を
搭載した一方の面に設けた配線層12aは半導体チップ
の接続電極6と電気的に接続する配線7を引き出した層
であり、コア基板10の他方の面に設けた配線層12b
はコア基板10の一方の面に設けた配線層12aと同じ
層数に積層して形成し半導体装置が反らないようにした
ものである。
[0004] When the wiring layers are multi-layered as described above, it is general to use a core substrate that supports the wiring layers and form a wiring layer provided with a predetermined wiring pattern on the core substrate. FIG. 7 shows a configuration of a semiconductor device in which wiring layers 12 a and 12 b are provided on a core substrate 10. Of the wiring layers 12a and 12b provided on both surfaces of the core substrate 10, the wiring layer 12a provided on one surface on which the semiconductor chip 4 is mounted is a layer from which the wiring 7 electrically connected to the connection electrode 6 of the semiconductor chip is drawn. And a wiring layer 12b provided on the other surface of the core substrate 10.
Are formed by laminating the same number of layers as the wiring layers 12a provided on one surface of the core substrate 10 so that the semiconductor device does not warp.

【0005】半導体チップ4の接続電極6とコア基板1
0の他方の面に設ける外部接続端子14とはコア基板1
0を貫通して設けたビア16を介して電気的に導通され
る。ビア16はコア基板10の貫通穴を加工して形成す
る関係上、ある程度以上の間隔をあけて配置する必要が
あり、また外部接続端子14も一定の間隔をおいて配置
する必要がある。前記配線7はこのようなビア16ある
いは外部接続端子14の配置を考慮してパターンが形成
されるものである。製品によってはコア基板10の他方
の面に設ける配線層12bに、外部接続端子14とビア
16とを電気的に接続する導体部の他に共通に使用する
接地層を設けるといったことがある。
The connection electrodes 6 of the semiconductor chip 4 and the core substrate 1
The external connection terminals 14 provided on the other surface of the core substrate 1
0 is electrically conducted through a via 16 provided through the hole. Since the vias 16 are formed by processing the through holes of the core substrate 10, the vias 16 need to be arranged at a certain interval or more, and the external connection terminals 14 also need to be arranged at a constant interval. The wiring 7 has a pattern formed in consideration of the arrangement of the vias 16 or the external connection terminals 14. Depending on the product, a common ground layer may be provided on the wiring layer 12b provided on the other surface of the core substrate 10 in addition to a conductor portion for electrically connecting the external connection terminal 14 and the via 16.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】図7に示すように、電
極形成面に格子状配列で多数個の接続電極を配列した半
導体チップを搭載する回路基板は必然的に配線層を多層
化する必要があり、それとともに製造上の技術的困難さ
が増大する。半導体チップの接続電極と電気的に接続し
て多層で配線を形成する方法としては、ビルドアップ法
等があるがこれらの多層形成の製造プロセスにはきわめ
て高精度が要求され、多層回路基板を量産するプロセス
では製造歩留り、信頼性を向上させる点で問題があっ
た。
As shown in FIG. 7, a circuit board on which a semiconductor chip having a large number of connection electrodes arranged in a grid pattern on an electrode formation surface necessarily requires a multi-layered wiring layer. And the technical difficulties in manufacturing increase accordingly. As a method of electrically connecting to the connection electrodes of the semiconductor chip to form wiring in multiple layers, there is a build-up method and the like, but the manufacturing process of these multilayer formation requires extremely high precision, and mass production of multilayer circuit boards is performed. However, such a process has a problem in improving the manufacturing yield and reliability.

【0007】とくに、配線層を6〜10層といったよう
に多層に積層して形成する場合は、そのうちの1つの層
に不良があっても製品全体が不良になることから、製造
工程における技術的困難さがきわめて増大する。したが
って、このような多層回路基板の製造では配線層の数を
減少させることが製造歩留りを向上させ、信頼性の高い
製品として提供する上できわめて有効になる。また、半
導体装置の反り等を防止するため、コア基板10の両面
に同数ずつ配線層を設けるから、一方の面で配線層の数
が増えると半導体装置全体として配線層の数が必然的に
増大してしまうという問題もある。本発明はこのような
多層回路基板の製造における問題点を解消し、製造歩留
りを向上させ、信頼性の高い製品として提供することを
可能にする多層回路基板を提案する。
[0007] In particular, when the wiring layers are formed by laminating multiple layers such as six to ten layers, even if one of the layers is defective, the entire product is defective. The difficulty is greatly increased. Therefore, in the production of such a multilayer circuit board, reducing the number of wiring layers is extremely effective in improving the production yield and providing a highly reliable product. Further, since the same number of wiring layers are provided on both surfaces of the core substrate 10 in order to prevent warpage of the semiconductor device, if the number of wiring layers increases on one surface, the number of wiring layers in the semiconductor device as a whole inevitably increases. There is also the problem of doing it. The present invention proposes a multilayer circuit board which solves such problems in the production of a multilayer circuit board, improves the production yield, and can be provided as a highly reliable product.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、コア基板の電子
部品を搭載する一方の面に、格子状配列で多数個の接続
電極が配列された前記電子部品の前記接続電極と同一の
配置で形成され、ビアを介して層間で電気的に接続され
たランドと、一端が前記ランドに接続され他端が前記ラ
ンドが配列された領域内から外側に引き出されて形成さ
れた配線とを有する複数の配線層が積層され、前記コア
基板の他方の面に、前記コア基板を貫通して設けられた
ビアを介して前記一方の面の配線層に形成された配線と
コア基板の実装面に装着される外部接続端子とを電気的
に接続する配線が設けられた配線層が、前記一方の面に
形成された配線層と同数積層して形成された多層回路基
板において、前記一方の面に形成される配線層で、前記
コア基板に設けるビア間隔以上の間隔を有しかつ最も多
くのランドが選択できる配置で選択したビア接続用のラ
ンドと、これらのビア接続用のランド以外の、配線が接
続される引き出し用のランドとを選択し、前記ランドが
配列される領域で外周に位置するランドについては前記
引き出し用のランドと前記ビア接続用のランドからとも
に配線を引き出すとともに、前記領域の内側に配列され
る前記引き出し用のランドについては、隣接するランド
間に少なくとも1本の配線を通して前記領域の対角線位
置およびその近傍に配置されるランドを優先して引き出
すことにより、すべての前記引き出し用のランドから配
線を引き出して前記コア基板を貫通するビアと電気的に
接続し、前記一方の面に形成される配線層で前記配線が
引き出されていないビア接続用のランドについては、前
記コア基板を貫通するビアと電気的に接続することを特
徴とする。また、前記ビア接続用のランドが、格子状に
配列されたランドの配列から一つおきに選択したスタッ
ガー配列に配置されていることを特徴とする。
The present invention has the following arrangement to achieve the above object. That is, on one surface of the core substrate on which the electronic components are mounted, a plurality of connection electrodes are arranged in a grid pattern in the same arrangement as the connection electrodes of the electronic component. A plurality of wiring layers each having a land that is electrically connected to each other, and a wiring formed by connecting one end to the land and drawing the other end to the outside from an area in which the land is arranged, and On the other surface, the wiring formed on the wiring layer on the one surface and the external connection terminal mounted on the mounting surface of the core substrate are electrically connected via a via provided through the core substrate. In the multilayer circuit board formed by laminating the same number of wiring layers as the wiring layers formed on the one surface, the wiring layers provided with the wirings to be connected are formed on the core substrate by the wiring layers formed on the one surface. Is there an interval longer than the via interval to be provided? A land for via connection selected in an arrangement in which the most lands can be selected, and a land for drawing, to which wiring is connected, other than the land for via connection, are selected. With respect to the lands located on the outer periphery, wiring is drawn out from both the lands for drawing and the lands for via connection, and at least one drawing land arranged between the adjacent lands is arranged inside the region. By drawing out the lands arranged in the diagonal position of the region and its vicinity through the wiring with priority, the wiring is drawn out from all the lands for drawing out and electrically connected to the via penetrating the core substrate, The land for via connection from which the wiring is not drawn out in the wiring layer formed on the one surface is the core base. And wherein the connecting vias electrically penetrating the. Also, the lands for via connection are arranged in a staggered arrangement selected from every other arrangement of lands arranged in a lattice.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る多層回路基板
の実施形態について、添付図面とともに詳細に説明す
る。図1は多層回路基板の一実施形態の概略構成を示
す。本実施形態の半導体装置は図7に示す半導体装置と
同様にコア基板10の両面に複数層で積層した配線層1
2a、12bを設け、コア基板10を貫通してビア16
を設け、フリップチップ接続によって半導体チップ4の
接続電極6と外部接続端子14とを電気的に接続したも
のである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the multilayer circuit board according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of an embodiment of a multilayer circuit board. The semiconductor device according to the present embodiment has a wiring layer 1 formed by laminating a plurality of layers on both surfaces of a core substrate 10 similarly to the semiconductor device shown in FIG.
2a and 12b are provided, and the via 16
And the connection electrodes 6 of the semiconductor chip 4 and the external connection terminals 14 are electrically connected by flip-chip connection.

【0010】従来例と同様に半導体装置の反り防止のた
め、コア基板10の一方の面に形成する配線層12aと
他方の面に形成する配線層12bの層数は同じになって
いる。半導体チップ4を搭載する側の配線層12aに
は、一端が半導体チップ4の接続電極6に接続され他端
が接続電極6が配列された領域から外側に引き出された
配線7が形成されている。本実施形態の半導体装置と図
7に示す従来の半導体装置の構成上の相違点は、コア基
板10の一方の面に引き出し用の配線7を設けると同時
に、コア基板10の他方の面にも外部接続端子14と電
気的に接続する配線を設けたことにあり、いわばコア基
板10の両面で配線を分担することによって半導体装置
を構成する全体の配線層の数を減少させることにある。
As in the conventional example, in order to prevent the semiconductor device from warping, the number of wiring layers 12a formed on one surface of the core substrate 10 and the number of wiring layers 12b formed on the other surface are the same. On the wiring layer 12a on the side on which the semiconductor chip 4 is mounted, a wiring 7 is formed, one end of which is connected to the connection electrode 6 of the semiconductor chip 4 and the other end of which is drawn out from a region where the connection electrode 6 is arranged. . The difference between the configuration of the semiconductor device of the present embodiment and the conventional semiconductor device shown in FIG. 7 is that the lead-out wiring 7 is provided on one surface of the core substrate 10 and the other surface of the core substrate 10 is provided at the same time. The provision of the wiring electrically connected to the external connection terminal 14 is to reduce the total number of wiring layers constituting the semiconductor device by sharing the wiring on both sides of the core substrate 10.

【0011】本発明は、このようにコア基板10の両面
で配線を分担して配線層12a、12bの層数をできる
だけ少なくするための配線7の配置に係るものである。
以下では、まず、コア基板10の一方の面の配線層12
aでの配線7について説明する。
The present invention relates to the arrangement of the wiring 7 for sharing the wiring on both sides of the core substrate 10 and minimizing the number of wiring layers 12a and 12b as described above.
Hereinafter, first, the wiring layer 12 on one surface of the core substrate 10 will be described.
The wiring 7 at a will be described.

【0012】図2〜5は30×30の格子状にランドが
配列された領域内から配線7を引き出す配置例を示す。
ランドは、ランド径130μm、ランドピッチ350μ
mで配列され、配線7は配線幅70μm、配線間間隔7
0μmの配線規則にしたがって引き出したものである。
図2は半導体チップ4を接合する第1層の配線層でのラ
ンドと配線7の引き出し、図3〜5は第2〜4層に設け
るランドと配線7の引き出し方法を示す。なお、図では
30×30の格子状に配列されているランド領域を十字
に4分割した一つを示し、他の領域を省略している。図
示した以外の他の領域のランドと配線7の配置は図示し
た配置と対称配置となる。
FIGS. 2 to 5 show an arrangement example in which the wiring 7 is drawn out from the area where the lands are arranged in a 30 × 30 lattice.
The land has a land diameter of 130 μm and a land pitch of 350 μm
m, the wiring 7 has a wiring width of 70 μm,
It is drawn out according to the wiring rule of 0 μm.
FIG. 2 shows a method of drawing out lands and wirings 7 in a first wiring layer for bonding the semiconductor chip 4, and FIGS. 3 to 5 show methods of drawing out lands and wirings 7 provided in the second to fourth layers. In the drawing, one of the land areas arranged in a 30 × 30 grid is divided into four crosses, and the other areas are omitted. The layout of the lands and the wirings 7 in other regions than the illustrated one is symmetrical to the illustrated one.

【0013】図2に示す第1層の配線層では半導体チッ
プ4のすべての接続電極6とランドが接続されるから、
各ランドは接続電極6と一対一に対応し、ランドの数お
よびランド配置間隔は接続電極6の数および配置間隔と
合致している。各配線層に設けられるランドはその上層
のランドと同一の間隔で配置されており、隣接層間では
ビアを介して電気的に導通される。ただし、当該層で配
線7が引き出されたランドは、引き出し端側でコア基板
10に設けたビア16と電気的に接続され、次層では当
該ランドと対応するランドを形成する必要がない。図2
〜5に示すように、第1層から第4層に進むにしたがっ
て、各層でのランドの数が減っていくのは、引き出し済
みのランドについては次層でランドを形成しないためで
ある。
In the first wiring layer shown in FIG. 2, all the connection electrodes 6 of the semiconductor chip 4 and the lands are connected.
Each land has one-to-one correspondence with the connection electrode 6, and the number of lands and the land arrangement interval match the number and arrangement interval of the connection electrodes 6. The lands provided in each wiring layer are arranged at the same interval as the lands in the upper layer, and are electrically connected between adjacent layers via vias. However, the land from which the wiring 7 is drawn out in the layer is electrically connected to the via 16 provided in the core substrate 10 on the drawing end side, and it is not necessary to form a land corresponding to the land in the next layer. FIG.
As shown in FIGS. 5 to 5, the reason why the number of lands in each layer decreases from the first layer to the fourth layer is that the lands that have been drawn out do not form lands in the next layer.

【0014】本実施形態の多層回路基板は半導体チップ
4を搭載した平面領域内においてもコア基板10に設け
たビア16とランドとを電気的に接続するようにするか
ら、一方の配線層12aでの配線7を考える際には、ま
ずこれらの半導体チップ4を搭載した平面領域内に配置
されるビア16と電気的に接続させるビア接続用のラン
ドを選択し、これらのビア接続用のランド16の配置に
基づいて配線7の引き出し方法を決めるようにする。ビ
ア接続用のランド16以外のランドは、配線7を接続す
る引き出し用のランドとなる。
In the multilayer circuit board of this embodiment, the vias 16 provided on the core substrate 10 and the lands are electrically connected even in the plane area where the semiconductor chip 4 is mounted. When considering the wiring 7, first, a land for via connection to be electrically connected to the via 16 arranged in the plane area on which the semiconductor chip 4 is mounted is selected, and the land 16 for via connection is selected. The method of drawing out the wiring 7 is determined on the basis of the arrangement. The lands other than the via connection lands 16 are lead-out lands for connecting the wiring 7.

【0015】コア基板10には通常樹脂基板が使用され
るが、樹脂基板にビア16を形成する際にはドリルで孔
あけ加工をしたりするから、ビア16の設置間隔として
は最低でも400〜500μm程度確保する必要があ
る。本実施形態でのランドピッチは350μmであるか
ら、格子状に配列されたランドのうち、半導体チップ4
を搭載する領域内でビア16に接続するランドを選択す
る場合は、少なくとも400μm程度の間隔を確保でき
るように選択する必要がある。
A resin substrate is usually used for the core substrate 10. However, when forming the vias 16 in the resin substrate, a hole is formed by drilling. It is necessary to secure about 500 μm. Since the land pitch in this embodiment is 350 μm, of the lands arranged in a lattice,
When selecting a land to be connected to the via 16 in the region where the is mounted, it is necessary to select at least an interval of about 400 μm.

【0016】図2で示す第1層の配線層で、黒丸で示し
たランド20はランドを配列した領域内でビア16に接
続するビア接続用のランドとして選んだものであり、白
丸で示したランド22は配線7を引き出す引き出し用の
ランドとして選択したものである。実施形態のランドピ
ッチは350μmであるから、格子状に配列されたラン
ドを一つおきに選択することによって、ビア16を形成
するに十分な設置間隔を確保することができる。実施形
態のビア接続用のランドは格子状配列からランドを一つ
おきに選択したスタッガー配置にしたものである。
In the first wiring layer shown in FIG. 2, a land 20 indicated by a black circle is selected as a land for via connection to be connected to the via 16 in a region where the lands are arranged, and is indicated by a white circle. The land 22 is selected as a land for drawing out the wiring 7. Since the land pitch of the embodiment is 350 μm, by selecting every other land arranged in a lattice, it is possible to secure a sufficient installation interval for forming the via 16. The via connection lands of the embodiment are staggered with every other land selected from a grid-like arrangement.

【0017】各配線層で配線7を引き出す際にはこれら
のビア接続用のランド20を除いた引き出し用のランド
22から配線7を効率的に引き出すようにすればよい。
図2は第1層での配線7の引き出し例であるが、配線7
を引き出す場合には、図のように、ビア接続用のランド
20として選択したものであってもランド配置領域の外
周に配置されているビア接続用のランド20aについて
はビア接続用とせず、配線7を引き出すランドとして配
線7を配置するようにする。これは、配線7を引き出す
際に、ビア接続用のランド20が外周列に残っている
と、内側の引き出し用のランド22から配線7を引き出
す妨げとなり、全体としては効率的な配線7の引き出し
ができなくなるからである。
When the wiring 7 is drawn out from each wiring layer, the wiring 7 may be efficiently drawn out from the lead-out lands 22 excluding the via connection lands 20.
FIG. 2 shows an example of drawing out the wiring 7 in the first layer.
As shown in the drawing, even if the land 20 is selected as the land 20 for via connection, the land 20a for via connection arranged on the outer periphery of the land arrangement area is not used for via connection. The wiring 7 is arranged as a land from which the wiring 7 is drawn. This means that if the lands 20 for via connection remain in the outer peripheral row when the wiring 7 is pulled out, it hinders the drawing of the wiring 7 from the inner drawing land 22, and as a whole, the wiring 7 is efficiently drawn. Is no longer possible.

【0018】また、配線7は隣接するランド間に通すこ
とによって内側の引き出し用のランド22からも引き出
すことができるが、内側の引き出し用のランド22から
配線7を引き出す際には、半導体チップ4の対角線の近
傍に配列されている引き出し用のランド22bから優先
的に配線7を引き出すようにする。内側の引き出し用の
ランド22から配線7を引き出す際に、対角線位置にあ
るランド22bとその近傍のランド22bから優先的に
配線7を引き出す理由は、外周側から順に配線7を引き
出す従来の引き出し方法では対角線方向の中心側にラン
ドが多く残ることから、ランドが残りやすい対角線近傍
のランドからの引き出しを優先させることで全体として
の配線の引き出し効率を上げられるようにするためであ
る。
The wiring 7 can be drawn out from the inner lead-out land 22 by passing it between adjacent lands. However, when the wiring 7 is drawn out from the inner lead-out land 22, the semiconductor chip 4 The wiring 7 is preferentially extracted from the extraction lands 22b arranged in the vicinity of the diagonal line. When pulling out the wiring 7 from the inner drawing land 22, the wiring 7 is drawn out preferentially from the land 22 b at the diagonal position and the land 22 b near the diagonal line because of the conventional drawing method of drawing out the wiring 7 sequentially from the outer peripheral side. In this case, since many lands remain on the center side in the diagonal direction, priority is given to extraction from lands near the diagonal where lands tend to remain, so that the overall wiring extraction efficiency can be increased.

【0019】図3に示す第2層での配線7の引き出し方
法も上述した方法にならうものである。すなわち、第1
層で引き出されたランドを除いて残っている引き出し用
のランド22のうち、外周側に配置されている引き出し
用のランド22については配線7を引き出すとともに、
ビア接続用のランド20のうち最外周に位置するビア接
続用のランド20aについても配線7を引き出すように
する。内側の引き出し用のランド22については、対角
線近傍部分を優先的に引き出しする。
The method of drawing out the wiring 7 in the second layer shown in FIG. 3 is similar to the method described above. That is, the first
Of the lead-out lands 22 remaining except for the land pulled out by the layer, the lead-out lands 22 arranged on the outer peripheral side lead out the wiring 7 and
The wiring 7 is also drawn out of the via connection land 20a located at the outermost periphery of the via connection land 20. As for the inner drawing land 22, a portion near the diagonal is drawn out preferentially.

【0020】図4に示す第3層での配線7の引き出し方
法も同様で、最外周にある引き出し用のランド22とビ
ア接続用のランド20から配線7を引き出すとともに、
内側の引き出し用のランド22については対角線近傍に
あるランドから優先的に引き出している。このように配
線7を配置することにより、中心部側にはビア接続用の
ランド20が多く残るようになっていく。
The method of drawing out the wiring 7 in the third layer shown in FIG. 4 is the same, and the wiring 7 is drawn out from the drawing land 22 and the via connection land 20 on the outermost periphery.
The inside drawing land 22 is drawn out preferentially from the land near the diagonal line. By arranging the wirings 7 in this manner, many lands 20 for via connection remain at the center.

【0021】図5は第4層での配線7の配置を示す。第
4層では配線7を引き出す引き出し用のランド22の残
りは僅かであり、これらの引き出し用のランド22のす
べてから配線7が引き出されている。なお、第4層でも
最外周にあるビア接続用のランド20については配線7
を引き出している。こうして、本実施形態の多層回路基
板でコア基板10の一方の面に設ける配線層12aにつ
いては、図2〜5に示す配線パターンにより4層構成に
よって配線7の引き出しが完了している。
FIG. 5 shows an arrangement of the wiring 7 in the fourth layer. In the fourth layer, the remaining lands 22 for drawing out the wiring 7 are slight, and the wiring 7 is drawn out from all of the lands 22 for drawing. In the fourth layer, the via connection lands 20 on the outermost periphery are connected to the wiring 7.
Is pulled out. Thus, with respect to the wiring layer 12a provided on one surface of the core substrate 10 in the multilayer circuit board of the present embodiment, the wiring 7 has been completely drawn out in a four-layer configuration with the wiring patterns shown in FIGS.

【0022】図5に示す第4層に形成されているランド
のうち、配線7が接続されていないランドはビア接続用
のランド20であり、これらのランド20については、
コア基板10に設けられているビア16と電気的に接続
され、コア基板10の他方の面に設けられる配線層12
bのランドおよび配線と電気的に接続される。コア基板
10の他方の面に設ける配線層12bについての配線
は、第4層で残っているランド20からのみ配線7を引
き出して外部接続端子14と電気的に接続するようにす
ればよく、これらのランド20はビア16と同間隔に配
置されていて隣接するランド20間の間隔は配線7を引
き出すのに十分な間隔があるから、配線層12bでの配
線の引き出しは容易である。
Of the lands formed on the fourth layer shown in FIG. 5, the lands to which the wiring 7 is not connected are lands 20 for via connection.
The wiring layer 12 electrically connected to the via 16 provided on the core substrate 10 and provided on the other surface of the core substrate 10
It is electrically connected to the land and wiring of b. The wiring for the wiring layer 12b provided on the other surface of the core substrate 10 may be obtained by extracting the wiring 7 only from the land 20 remaining in the fourth layer and electrically connecting to the external connection terminal 14. The lands 20 are arranged at the same interval as the vias 16 and the interval between the adjacent lands 20 is sufficient to extract the wiring 7, so that the wiring can be easily extracted from the wiring layer 12 b.

【0023】なお、本実施形態の場合も、コア基板10
の他方の面に設ける配線層12bについては配線が複雑
になることはないから、外部接続端子14と接続するた
めの引き出し用の配線の他に、共通に利用する接地層や
電源層をつくり込むことは可能である。
In this embodiment, the core substrate 10
The wiring does not become complicated for the wiring layer 12b provided on the other surface of the semiconductor device, so that a ground layer and a power supply layer commonly used are formed in addition to the lead-out wiring for connecting to the external connection terminal 14. It is possible.

【0024】コア基板10の他方の面に設ける配線層1
2bは、コア基板10の一方の面に設ける配線層12a
と同じ層数とする。本実施形態では一方の面の配線層1
2aが4層構成であるから他方の面の配線層12bも4
層構成とする。これによって、コア基板10の両面での
層数を考慮すれば、本実施形態の半導体装置は4+2+
4の10層構成によって完成することになる。本実施形
態での30×30の格子状のランド配列で従来の配線方
法による場合は、コア基板の片面で7層の配線層が必要
であり、したがって従来方法では7+2+7の16層構
成が必要であることと比較して、本実施形態の方法によ
れば全体の層数を大きく減少させることが可能となる。
Wiring layer 1 provided on the other surface of core substrate 10
2b is a wiring layer 12a provided on one surface of the core substrate 10.
And the same number of layers. In the present embodiment, the wiring layer 1 on one surface
Since 2a has a four-layer structure, the wiring layer 12b on the other surface also has four layers.
It has a layer structure. Thus, considering the number of layers on both sides of the core substrate 10, the semiconductor device of the present embodiment is 4 + 2 +
It will be completed with a four-layer structure of four. In the case of the conventional wiring method with a 30 × 30 grid land arrangement in the present embodiment, seven wiring layers are required on one side of the core substrate. Therefore, the conventional method requires a 16 layer configuration of 7 + 2 + 7. In comparison with the method, according to the method of the present embodiment, it is possible to greatly reduce the total number of layers.

【0025】前述したように、ビルドアップ法等で配線
層を多層に形成することは技術的に相当の困難を伴うも
のであるから、上述したように、コア基板10の両面に
設ける配線層12a、12bで配線を各々展開する構成
とすることによって、配線層12a、12bの総数を減
らすことは、製品の不良発生を抑え、信頼性の高い半導
体装置を得る上できわめて有効である。上記実施形態で
は30×30のランド配列の場合を例に説明したが、本
発明の考え方はランド径、ランドピッチ、配線幅、配線
間隔等が異なる種々のパターンのランド配列について適
用可能である。また、上記実施形態では隣接するランド
間に1本の配線を通す例であるが、隣接するランド間に
2本以上の配線を通すことができるような場合にも同様
に適用することが可能である。
As described above, forming wiring layers in multiple layers by a build-up method or the like involves considerable technical difficulties. Therefore, as described above, the wiring layers 12a provided on both surfaces of the core substrate 10 are provided. , 12b, respectively, to reduce the total number of wiring layers 12a, 12b is extremely effective in suppressing the occurrence of product defects and obtaining a highly reliable semiconductor device. In the above embodiment, a case of a 30 × 30 land arrangement has been described as an example. However, the concept of the present invention is applicable to land arrangements of various patterns having different land diameters, land pitches, wiring widths, wiring intervals, and the like. Although the above embodiment is an example in which one wiring is passed between adjacent lands, the present invention can be similarly applied to a case where two or more wirings can be passed between adjacent lands. is there.

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明に係る多層回路基板は、上述した
ように、ビア接続用のランドと引き出し用のランドとを
選択し、配線を効率的に引き出すことによって、コア基
板の両面に複数の配線層を積層して成る多層回路基板の
配線層の数を減少させることができ、これによって多層
回路基板の不良発生を抑えて製造歩留りを向上させるこ
とができるとともに、製造コストを抑え、かつ信頼性の
高い製品として提供可能とする等の著効を奏する。
According to the multilayer circuit board of the present invention, as described above, a land for via connection and a land for extraction are selected, and a plurality of wirings are efficiently extracted, thereby forming a plurality of wirings on both surfaces of the core substrate. It is possible to reduce the number of wiring layers of the multilayer circuit board formed by laminating the wiring layers, thereby suppressing the occurrence of defects in the multilayer circuit board and improving the manufacturing yield, and reducing the manufacturing cost and reducing the reliability. It has a remarkable effect, such as being able to be provided as a highly productive product.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る多層回路基板の断面構成を示す説
明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a cross-sectional configuration of a multilayer circuit board according to the present invention.

【図2】実施形態の多層回路基板で第1層での配線を示
す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing wiring on a first layer in the multilayer circuit board of the embodiment.

【図3】実施形態の多層回路基板で第2層での配線を示
す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing wiring in a second layer in the multilayer circuit board of the embodiment.

【図4】実施形態の多層回路基板で第3層での配線を示
す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing wiring in a third layer in the multilayer circuit board of the embodiment.

【図5】実施形態の多層回路基板で第4層での配線を示
す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing wiring in a fourth layer in the multilayer circuit board of the embodiment.

【図6】フリップチップ接続により半導体チップを搭載
する方法を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory view showing a method of mounting a semiconductor chip by flip chip connection.

【図7】コア基板を有する多層回路基板の従来の構成を
示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing a conventional configuration of a multilayer circuit board having a core board.

【図8】従来の配線の引き出し方法を示す説明図であ
る。
FIG. 8 is an explanatory diagram showing a conventional wiring drawing method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

4 半導体チップ 5 回路基板 6 接続電極 7 配線 8 ランド 10 コア基板 12a、12b 配線層 14 外部接続端子 16 ビア 20、20a ビア接続用のランド 22、22a、22b 引き出し用のランド Reference Signs List 4 semiconductor chip 5 circuit board 6 connection electrode 7 wiring 8 land 10 core substrate 12a, 12b wiring layer 14 external connection terminal 16 via 20, 20a land for via connection 22, 22a, 22b land for drawing out

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田窪 知章 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Tomoaki Takubo 33, Shinisogo-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 コア基板の電子部品を搭載する一方の面
に、格子状配列で多数個の接続電極が配列された前記電
子部品の前記接続電極と同一の配置で形成され、ビアを
介して層間で電気的に接続されたランドと、一端が前記
ランドに接続され他端が前記ランドが配列された領域内
から外側に引き出されて形成された配線とを有する複数
の配線層が積層され、 前記コア基板の他方の面に、前記コア基板を貫通して設
けられたビアを介して前記一方の面の配線層に形成され
た配線とコア基板の実装面に装着される外部接続端子と
を電気的に接続する配線が設けられた配線層が、前記一
方の面に形成された配線層と同数積層して形成された多
層回路基板において、 前記一方の面に形成される配線層で、前記コア基板に設
けるビア間隔以上の間隔を有しかつ最も多くのランドが
選択できる配置で選択したビア接続用のランドと、これ
らのビア接続用のランド以外の、配線が接続される引き
出し用のランドとを選択し、 前記ランドが配列される領域で外周に位置するランドに
ついては前記引き出し用のランドと前記ビア接続用のラ
ンドからともに配線を引き出すとともに、前記領域の内
側に配列される前記引き出し用のランドについては、隣
接するランド間に少なくとも1本の配線を通して前記領
域の対角線位置およびその近傍に配置されるランドを優
先して引き出すことにより、すべての前記引き出し用の
ランドから配線を引き出して前記コア基板を貫通するビ
アと電気的に接続し、 前記一方の面に形成される配線層で前記配線が引き出さ
れていないビア接続用のランドについては、前記コア基
板を貫通するビアと電気的に接続することを特徴とする
多層回路基板。
An electronic component having a plurality of connection electrodes arranged in a lattice pattern on one surface of a core substrate on which electronic components are mounted, the same arrangement as the connection electrodes of the electronic component, and via a via. A plurality of wiring layers having a land electrically connected between the layers and a wiring formed by being pulled out from the region where one end is connected to the land and the other end is arranged outside the land are stacked, On the other surface of the core substrate, a wiring formed on the wiring layer on the one surface and an external connection terminal mounted on a mounting surface of the core substrate through a via provided through the core substrate. In a multilayer circuit board formed by laminating the same number of wiring layers as the wiring layers formed on the one surface, the wiring layers provided with the wires to be electrically connected are formed on the one surface, There is an interval longer than the via interval provided on the core substrate. And a land for via connection selected in an arrangement in which the largest number of lands can be selected, and a lead-out land other than these via connection lands to which wiring is connected, and an area where the lands are arranged With respect to the lands located on the outer periphery, wires are drawn out from the lead-out lands and the via connection lands together, and the lead-out lands arranged inside the region have at least one land between adjacent lands. By preferentially pulling out the diagonal position of the region and lands arranged in the vicinity thereof through the book wiring, wiring is drawn out from all the drawing lands and electrically connected to vias penetrating the core substrate. The via connection lands from which the wiring is not drawn out in the wiring layer formed on the one surface are the same as those described above. A multilayer circuit board electrically connected to vias penetrating through the board.
【請求項2】 前記ビア接続用のランドが、格子状に配
列されたランドの配列から一つおきに選択したスタッガ
ー配列に配置されていることを特徴とする請求項1記載
の多層回路基板。
2. The multilayer circuit board according to claim 1, wherein the lands for via connection are arranged in a staggered arrangement selected from every other arrangement of lands arranged in a lattice.
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