JPH11251386A - 異物検出のための載物台位置制御装置及びその載物台位置制御方法 - Google Patents
異物検出のための載物台位置制御装置及びその載物台位置制御方法Info
- Publication number
- JPH11251386A JPH11251386A JP10049675A JP4967598A JPH11251386A JP H11251386 A JPH11251386 A JP H11251386A JP 10049675 A JP10049675 A JP 10049675A JP 4967598 A JP4967598 A JP 4967598A JP H11251386 A JPH11251386 A JP H11251386A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- image
- residual light
- detecting
- measured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 位置あわせの自動化が速やかにできる異物検
出のための載物台位置制御装置及びその載物台位置制御
方法を提供する。 【解決手段】 拡大光学系（顕微鏡）３と、拡大光学系
（顕微鏡）３の暗視野像又は明視野像又は偏光像を撮影
するＣＣＤカメラ４と、被測定対象物（半導体基板）２
を搭載するＸ，Ｙ方向およびθ（回転）を機械的に移動
する載物台１と、被測定対象物（半導体基板）２のパタ
ーンと同一で異物ののっていない基準パターンを、ＣＣ
Ｄカメラ４で撮影して基準画像として格納するメモリを
有する画像処理系５と、基準画像と被測定対象画像の差
（ズレ）による残差光量の検出器（残差光量積分回路）
６と、その光量が最小になるように載物台１のＸ，Ｙ方
向およびθ（回転）を制御する載物台制御系７とを備え
ている。
出のための載物台位置制御装置及びその載物台位置制御
方法を提供する。 【解決手段】 拡大光学系（顕微鏡）３と、拡大光学系
（顕微鏡）３の暗視野像又は明視野像又は偏光像を撮影
するＣＣＤカメラ４と、被測定対象物（半導体基板）２
を搭載するＸ，Ｙ方向およびθ（回転）を機械的に移動
する載物台１と、被測定対象物（半導体基板）２のパタ
ーンと同一で異物ののっていない基準パターンを、ＣＣ
Ｄカメラ４で撮影して基準画像として格納するメモリを
有する画像処理系５と、基準画像と被測定対象画像の差
（ズレ）による残差光量の検出器（残差光量積分回路）
６と、その光量が最小になるように載物台１のＸ，Ｙ方
向およびθ（回転）を制御する載物台制御系７とを備え
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、異物検出のための
載物台位置制御装置及びその載物台位置制御方法に関す
る。
載物台位置制御装置及びその載物台位置制御方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、半導体基
板上に微小異物が付着しているとその後の工程において
不具合を生じ、ひいては半導体製造上の歩留りが低下す
る。パターンを形成する以前の半導体基板上に微小異物
が付着した場合の検出は比較的容易で、レーザ光を半導
体基板上の異物に照射し、異物からの散乱光を検出する
方式の装置などが実用化されている。しかし、工程がす
すみ、パターンを形成した半導体基板上に直径０．３μ
ｍ以下の微小異物が付着した場合の検出は容易ではな
い。
板上に微小異物が付着しているとその後の工程において
不具合を生じ、ひいては半導体製造上の歩留りが低下す
る。パターンを形成する以前の半導体基板上に微小異物
が付着した場合の検出は比較的容易で、レーザ光を半導
体基板上の異物に照射し、異物からの散乱光を検出する
方式の装置などが実用化されている。しかし、工程がす
すみ、パターンを形成した半導体基板上に直径０．３μ
ｍ以下の微小異物が付着した場合の検出は容易ではな
い。
【０００３】パターンを形成した半導体基板上の微小異
物を検出する方式として、異物ののっていない基準パタ
ーン画像を基準画像とし、異物ののっている被測定対象
パターン画像を被測定対象画像として、両者を一致（パ
ターンマッチング）させた上でその差をとり、微小異物
からの散乱光を浮きたたせ検出する方式（差分画像処理
方式）がある。
物を検出する方式として、異物ののっていない基準パタ
ーン画像を基準画像とし、異物ののっている被測定対象
パターン画像を被測定対象画像として、両者を一致（パ
ターンマッチング）させた上でその差をとり、微小異物
からの散乱光を浮きたたせ検出する方式（差分画像処理
方式）がある。
【０００４】一般には、顕微鏡の暗視野像をＣＣＤカメ
ラで撮影して異物ののっていない基準パターン画像を基
準画像としてメモリに格納しておき、それと同一のパタ
ーンをもつ被測定画像もメモリに格納し、メモリ空間で
演算により位置合わせを行い、画像パターンマッチング
を行う。
ラで撮影して異物ののっていない基準パターン画像を基
準画像としてメモリに格納しておき、それと同一のパタ
ーンをもつ被測定画像もメモリに格納し、メモリ空間で
演算により位置合わせを行い、画像パターンマッチング
を行う。
【０００５】また、顕微鏡の暗視野像をＣＣＤカメラで
撮影して異物ののっていない基準パターン画像を基準画
像としてメモリに格納しておき、それと同一のパターン
をもつ被測定画像を観察しながら載物台Ｘ，Ｙ方向およ
びθ（回転）を移動して画像パターンマッチングを行
う。
撮影して異物ののっていない基準パターン画像を基準画
像としてメモリに格納しておき、それと同一のパターン
をもつ被測定画像を観察しながら載物台Ｘ，Ｙ方向およ
びθ（回転）を移動して画像パターンマッチングを行
う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来の技術には
以下の問題点がある。
以下の問題点がある。
【０００７】もし、両画像にマッチングのズレがある
と、ズレたところから残差光がもれ、その光量が微小異
物からの散乱光より強いと微小異物の検出が不能になる
ので、両画像は厳密に一致させなければならない。ま
た、半導体製造プロセスにおいては速やかな検査が必要
なので、迅速な位置あわせが必要である。
と、ズレたところから残差光がもれ、その光量が微小異
物からの散乱光より強いと微小異物の検出が不能になる
ので、両画像は厳密に一致させなければならない。ま
た、半導体製造プロセスにおいては速やかな検査が必要
なので、迅速な位置あわせが必要である。
【０００８】上述の従来の技術の問題点に鑑み、本発明
の目的は、位置あわせの自動化が速やかにできる異物検
出のための載物台位置制御装置及びその載物台位置制御
方法を提供することにある。
の目的は、位置あわせの自動化が速やかにできる異物検
出のための載物台位置制御装置及びその載物台位置制御
方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の異物検出のため
の載物台位置制御装置は、拡大光学系と、拡大光学系の
像を撮影するＣＣＤカメラと、被測定対象物を搭載する
Ｘ，Ｙ方向およびθ（回転）を機械的に移動する載物台
と、被測定対象物のパターンと同一で異物ののっていな
い基準パターンを、ＣＣＤカメラで撮影して基準画像と
して格納するメモリを有する画像処理系と、基準画像と
被測定対象物の画像との差による残差光量の検出器と、
残差光量が最小になるように載物台のＸ，Ｙ方向および
θ（回転）を制御する載物台制御系とを備えている。
の載物台位置制御装置は、拡大光学系と、拡大光学系の
像を撮影するＣＣＤカメラと、被測定対象物を搭載する
Ｘ，Ｙ方向およびθ（回転）を機械的に移動する載物台
と、被測定対象物のパターンと同一で異物ののっていな
い基準パターンを、ＣＣＤカメラで撮影して基準画像と
して格納するメモリを有する画像処理系と、基準画像と
被測定対象物の画像との差による残差光量の検出器と、
残差光量が最小になるように載物台のＸ，Ｙ方向および
θ（回転）を制御する載物台制御系とを備えている。
【００１０】また、拡大光学系の像は明視野像であり、
載物台制御系は、順次漸近法により残差光量が最小にな
るように載物台のＸ，Ｙ方向およびθ（回転）を制御し
てもよい。
載物台制御系は、順次漸近法により残差光量が最小にな
るように載物台のＸ，Ｙ方向およびθ（回転）を制御し
てもよい。
【００１１】また、拡大光学系の像は明視野像であり、
記載物台制御系は、ランダム漸近法により残差光量が最
小になるように載物台のＸ，Ｙ方向およびθ（回転）を
制御してもよい。
記載物台制御系は、ランダム漸近法により残差光量が最
小になるように載物台のＸ，Ｙ方向およびθ（回転）を
制御してもよい。
【００１２】また、拡大光学系の像は暗視野像であり、
載物台制御系は、順次漸近法により残差光量が最小にな
るように載物台のＸ，Ｙ方向およびθ（回転）を制御し
てもよい。
載物台制御系は、順次漸近法により残差光量が最小にな
るように載物台のＸ，Ｙ方向およびθ（回転）を制御し
てもよい。
【００１３】また、拡大光学系の像は暗視野像であり、
載物台制御系は、ランダム漸近法により残差光量が最小
になるように載物台のＸ，Ｙ方向およびθ（回転）を制
御してもよい。
載物台制御系は、ランダム漸近法により残差光量が最小
になるように載物台のＸ，Ｙ方向およびθ（回転）を制
御してもよい。
【００１４】また、拡大光学系の像は偏光像であり、載
物台制御系は、順次漸近法により残差光量が最小になる
ように載物台のＸ，Ｙ方向およびθ（回転）を制御して
もよい。
物台制御系は、順次漸近法により残差光量が最小になる
ように載物台のＸ，Ｙ方向およびθ（回転）を制御して
もよい。
【００１５】また、拡大光学系の像は偏光像であり、載
物台制御系は、ランダム漸近法により残差光量が最小に
なるように載物台のＸ，Ｙ方向およびθ（回転）を制御
してもよい。
物台制御系は、ランダム漸近法により残差光量が最小に
なるように載物台のＸ，Ｙ方向およびθ（回転）を制御
してもよい。
【００１６】本発明の異物検出のための載物台位置制御
装置の載物台位置制御方法は、上述の異物検出のための
載物台位置制御装置の載物台位置制御方法であって、基
準画像と被測定対象物の画像を一致させるために、被測
定対象物を搭載した載物台のＸ，Ｙ方向およびθ（回
転）の各パラメータを移動した時に、両画像からの残差
光量を積分検出し、各パラメータにつき残差光量を最小
とする位置を検出し、すべてのパラメータを同時に移動
した時に、残差光量が最小となったところを両画像が一
致したとみなす。
装置の載物台位置制御方法は、上述の異物検出のための
載物台位置制御装置の載物台位置制御方法であって、基
準画像と被測定対象物の画像を一致させるために、被測
定対象物を搭載した載物台のＸ，Ｙ方向およびθ（回
転）の各パラメータを移動した時に、両画像からの残差
光量を積分検出し、各パラメータにつき残差光量を最小
とする位置を検出し、すべてのパラメータを同時に移動
した時に、残差光量が最小となったところを両画像が一
致したとみなす。
【００１７】また、基準画像と被測定対象物の画像を一
致させるために、被測定対象物を搭載した載物台のＸ，
Ｙ方向およびθ（回転）の各パラメータを移動した時
に、両画像からの残差光量を積分検出し、各パラメータ
につき残差光量を最小とする位置を検出し、順次漸近法
により、すべてのパラメータを同時に移動した時に、残
差光量が最小となったところを両画像が一致したとみな
してもよい。
致させるために、被測定対象物を搭載した載物台のＸ，
Ｙ方向およびθ（回転）の各パラメータを移動した時
に、両画像からの残差光量を積分検出し、各パラメータ
につき残差光量を最小とする位置を検出し、順次漸近法
により、すべてのパラメータを同時に移動した時に、残
差光量が最小となったところを両画像が一致したとみな
してもよい。
【００１８】また、基準画像と被測定対象物の画像を一
致させるために、被測定対象物を搭載した載物台のＸ，
Ｙ方向およびθ（回転）の各パラメータを移動した時
に、両画像からの残差光量を積分検出し、各パラメータ
につき残差光量を最小とする位置を検出し、ランダム漸
近法により、すべてのパラメータを同時に移動した時
に、残差光量が最小となったところを両画像が一致した
とみなしてもよい。
致させるために、被測定対象物を搭載した載物台のＸ，
Ｙ方向およびθ（回転）の各パラメータを移動した時
に、両画像からの残差光量を積分検出し、各パラメータ
につき残差光量を最小とする位置を検出し、ランダム漸
近法により、すべてのパラメータを同時に移動した時
に、残差光量が最小となったところを両画像が一致した
とみなしてもよい。
【００１９】従って、差分画像処理により異物検出する
場合に、基準パターンと被測定パターンを合致させる手
順において、いちいち画像を観察しながらパターンあわ
せを行わなくても、残差光量というパラメータに集約し
て載物台制御系にリアルタイムで帰還することにより、
位置あわせの自動化が速やかにできる。
場合に、基準パターンと被測定パターンを合致させる手
順において、いちいち画像を観察しながらパターンあわ
せを行わなくても、残差光量というパラメータに集約し
て載物台制御系にリアルタイムで帰還することにより、
位置あわせの自動化が速やかにできる。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図１
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００２１】本発明の異物検出のための載物台位置制御
装置の実施の形態は、拡大光学系（顕微鏡）３と、拡大
光学系（顕微鏡）３の暗視野像又は明視野像又は偏光像
を撮影するＣＣＤカメラ４と、被測定対象物（半導体基
板）２を搭載するＸ，Ｙ方向およびθ（回転）を機械的
に移動する載物台１と、被測定対象物（半導体基板）２
のパターンと同一で異物ののっていない基準パターン
を、ＣＣＤカメラ４で撮影して基準画像として格納する
メモリを有する画像処理系５と、基準画像と被測定対象
画像の差（ズレ）による残差光量の検出器（残差光量積
分回路）６と、その光量が最小になるように載物台１の
Ｘ，Ｙ方向およびθ（回転）を制御する載物台制御系７
とを備えている。
装置の実施の形態は、拡大光学系（顕微鏡）３と、拡大
光学系（顕微鏡）３の暗視野像又は明視野像又は偏光像
を撮影するＣＣＤカメラ４と、被測定対象物（半導体基
板）２を搭載するＸ，Ｙ方向およびθ（回転）を機械的
に移動する載物台１と、被測定対象物（半導体基板）２
のパターンと同一で異物ののっていない基準パターン
を、ＣＣＤカメラ４で撮影して基準画像として格納する
メモリを有する画像処理系５と、基準画像と被測定対象
画像の差（ズレ）による残差光量の検出器（残差光量積
分回路）６と、その光量が最小になるように載物台１の
Ｘ，Ｙ方向およびθ（回転）を制御する載物台制御系７
とを備えている。
【００２２】最初、載物台１の上に半導体基板２上にあ
り被測定対象半導体パターンと同一で異物ののっていな
いパターンを配置し、拡大光学系３を介して得たＣＣＤ
カメラ４の像を基準画像として画像処理系５のメモリに
格納しておく。
り被測定対象半導体パターンと同一で異物ののっていな
いパターンを配置し、拡大光学系３を介して得たＣＣＤ
カメラ４の像を基準画像として画像処理系５のメモリに
格納しておく。
【００２３】次に、半導体基板２上にある被測定対象パ
ターンを上記と同一の拡大光学系３および同一の条件で
撮影し、被測定半導体基板を搭載した載物台１のＸ，Ｙ
方向およびθ（回転）を機械的に移動し両者を合致さ
せ、画像処理系５で差し引き画像（差分画像）を得る。
画像処理系５のメモリに格納された基準画像があたかも
被測定対象と同一のパターンをもった空間フィルタのよ
うに作用するので、Ｘ，Ｙ方向およびθ（回転）の一致
度がわるければ差し引きされた画像は明るい部分が残
り、一致度がよければ画面は暗くなる。このような両者
の差（ズレ）を画像の差としてではなく、Ｘ，Ｙ方向お
よびθ（回転）ごとの残差光量の差として残差光量積分
回路６により電気量に変換して検出し、その量が最小に
なるように載物台１のＸ，Ｙ方向およびθ（回転）パラ
メータに帰還して高速でパターンマッチングする。
ターンを上記と同一の拡大光学系３および同一の条件で
撮影し、被測定半導体基板を搭載した載物台１のＸ，Ｙ
方向およびθ（回転）を機械的に移動し両者を合致さ
せ、画像処理系５で差し引き画像（差分画像）を得る。
画像処理系５のメモリに格納された基準画像があたかも
被測定対象と同一のパターンをもった空間フィルタのよ
うに作用するので、Ｘ，Ｙ方向およびθ（回転）の一致
度がわるければ差し引きされた画像は明るい部分が残
り、一致度がよければ画面は暗くなる。このような両者
の差（ズレ）を画像の差としてではなく、Ｘ，Ｙ方向お
よびθ（回転）ごとの残差光量の差として残差光量積分
回路６により電気量に変換して検出し、その量が最小に
なるように載物台１のＸ，Ｙ方向およびθ（回転）パラ
メータに帰還して高速でパターンマッチングする。
【００２４】図２、図３に示すように、Ｘ，Ｙ方向およ
びθ（回転）それぞれのパラメータにつき機械的に移動
して、残差光量が最小になったところが全体として最良
のパターンマッチングと判断する。その方法は残差光量
が小さくなるように移動の往復幅を順次小さくする方法
（図２、順次漸近法）でもよいし、乱数によりランダム
に移動させ光量が最小になるところで停止させる方法
（図３、ランダム漸近法）でもよい。
びθ（回転）それぞれのパラメータにつき機械的に移動
して、残差光量が最小になったところが全体として最良
のパターンマッチングと判断する。その方法は残差光量
が小さくなるように移動の往復幅を順次小さくする方法
（図２、順次漸近法）でもよいし、乱数によりランダム
に移動させ光量が最小になるところで停止させる方法
（図３、ランダム漸近法）でもよい。
【００２５】図４は半導体基板のメタル配線まで進んだ
被測定対象パターンのＣＣＤカメラ像である。図５は、
異物ののっていない像を基準画像としてメモリに格納し
ておき、被測定半導体基板を載物台のＸ，Ｙ方向および
θ（回転）を機械的に移動し両者を合致させ、差分画像
を得たときに、ほぼ一致してはいるが、完全には一致し
ていない時の差分画像を示している。
被測定対象パターンのＣＣＤカメラ像である。図５は、
異物ののっていない像を基準画像としてメモリに格納し
ておき、被測定半導体基板を載物台のＸ，Ｙ方向および
θ（回転）を機械的に移動し両者を合致させ、差分画像
を得たときに、ほぼ一致してはいるが、完全には一致し
ていない時の差分画像を示している。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、差分画像
処理により異物検出する場合に、基準パターンと被測定
パターンを合致させる手順において、いちいち画像を観
察しながらパターンあわせを行わなくても、残差光量と
いうパラメータに集約して載物台制御系にリアルタイム
で帰還することにより、位置あわせの自動化が速やかに
できるという効果がある。
処理により異物検出する場合に、基準パターンと被測定
パターンを合致させる手順において、いちいち画像を観
察しながらパターンあわせを行わなくても、残差光量と
いうパラメータに集約して載物台制御系にリアルタイム
で帰還することにより、位置あわせの自動化が速やかに
できるという効果がある。
【図１】本発明の異物検出のための載物台位置制御装置
の実施の形態を示す図である。
の実施の形態を示す図である。
【図２】順次漸近法を示す図である。
【図３】ランダム漸近法を示す図である。
【図４】半導体基板のメタル配線まで進んだ被測定対象
パターンのＣＣＤカメラ像を示す図である。
パターンのＣＣＤカメラ像を示す図である。
【図５】異物ののっていない像を基準画像としてメモリ
に格納しておき、被測定半導体基板を載物台のＸ，Ｙ方
向およびθ（回転）を機械的に移動し両者を合致させ、
差分画像を得たときに、ほぼ一致してはいるが、完全に
は一致していない時の差分画像を示す図である。
に格納しておき、被測定半導体基板を載物台のＸ，Ｙ方
向およびθ（回転）を機械的に移動し両者を合致させ、
差分画像を得たときに、ほぼ一致してはいるが、完全に
は一致していない時の差分画像を示す図である。
１ Ｘ，Ｙ方向およびθ（回転）制御可能な載物台 ２ 被測定対象物（半導体基板など） ３ 拡大光学系（顕微鏡） ４ ＣＣＤカメラ ５ 画像処理系 ６ 残差光量の検出器（残差光量積分回路） ７ Ｘ，Ｙ方向およびθ（回転）の載物台制御系
Claims (14)
- 【請求項１】 拡大光学系と、 該拡大光学系の像を撮影するＣＣＤカメラと、 被測定対象物を搭載するＸ，Ｙ方向およびθ（回転）を
機械的に移動する載物台と、 前記被測定対象物のパターンと同一で異物ののっていな
い基準パターンを、ＣＣＤカメラで撮影して基準画像と
して格納するメモリを有する画像処理系と、 前記基準画像と前記被測定対象物の画像との差による残
差光量の検出器と、 該残差光量が最小になるように前記載物台のＸ，Ｙ方向
およびθ（回転）を制御する載物台制御系とを備えた異
物検出のための載物台位置制御装置。 - 【請求項２】 前記拡大光学系の像は明視野像であり、 前記載物台制御系は、順次漸近法により残差光量が最小
になるように前記載物台のＸ，Ｙ方向およびθ（回転）
を制御する請求項１に記載の異物検出のための載物台位
置制御装置。 - 【請求項３】 前記拡大光学系の像は明視野像であり、 前記載物台制御系は、ランダム漸近法により残差光量が
最小になるように前記載物台のＸ，Ｙ方向およびθ（回
転）を制御する請求項１に記載の異物検出のための載物
台位置制御装置。 - 【請求項４】 前記拡大光学系の像は暗視野像であり、 前記載物台制御系は、順次漸近法により残差光量が最小
になるように前記載物台のＸ，Ｙ方向およびθ（回転）
を制御する請求項１に記載の異物検出のための載物台位
置制御装置。 - 【請求項５】 前記拡大光学系の像は暗視野像であり、 前記載物台制御系は、ランダム漸近法により残差光量が
最小になるように前記載物台のＸ，Ｙ方向およびθ（回
転）を制御する請求項１に記載の異物検出のための載物
台位置制御装置。 - 【請求項６】 前記拡大光学系の像は偏光像であり、 前記載物台制御系は、順次漸近法により残差光量が最小
になるように前記載物台のＸ，Ｙ方向およびθ（回転）
を制御する請求項１に記載の異物検出のための載物台位
置制御装置。 - 【請求項７】 前記拡大光学系の像は偏光像であり、 前記載物台制御系は、ランダム漸近法により残差光量が
最小になるように前記載物台のＸ，Ｙ方向およびθ（回
転）を制御する請求項１に記載の異物検出のための載物
台位置制御装置。 - 【請求項８】 請求項１に記載の異物検出のための載物
台位置制御装置の載物台位置制御方法であって、 前記基準画像と前記被測定対象物の画像を一致させるた
めに、前記被測定対象物を搭載した前記載物台のＸ，Ｙ
方向およびθ（回転）の各パラメータを移動した時に、
前記両画像からの残差光量を積分検出し、 前記各パラメータにつき前記残差光量を最小とする位置
を検出し、 すべての前記パラメータを同時に移動した時に、前記残
差光量が最小となったところを前記両画像が一致したと
みなす異物検出のための載物台位置制御装置の載物台位
置制御方法。 - 【請求項９】 請求項２に記載の異物検出のための載物
台位置制御装置の載物台位置制御方法であって、 前記基準画像と前記被測定対象物の画像を一致させるた
めに、前記被測定対象物を搭載した前記載物台のＸ，Ｙ
方向およびθ（回転）の各パラメータを移動した時に、
前記両画像からの残差光量を積分検出し、 前記各パラメータにつき前記残差光量を最小とする位置
を検出し、 順次漸近法により、すべての前記パラメータを同時に移
動した時に、前記残差光量が最小となったところを前記
両画像が一致したとみなす異物検出のための載物台位置
制御装置の載物台位置制御方法。 - 【請求項１０】 請求項３に記載の異物検出のための載
物台位置制御装置の載物台位置制御方法であって、 前記基準画像と前記被測定対象物の画像を一致させるた
めに、前記被測定対象物を搭載した前記載物台のＸ，Ｙ
方向およびθ（回転）の各パラメータを移動した時に、
前記両画像からの残差光量を積分検出し、 前記各パラメータにつき前記残差光量を最小とする位置
を検出し、 ランダム漸近法により、すべての前記パラメータを同時
に移動した時に、前記残差光量が最小となったところを
前記両画像が一致したとみなす異物検出のための載物台
位置制御装置の載物台位置制御方法。 - 【請求項１１】 請求項４に記載の異物検出のための載
物台位置制御装置の載物台位置制御方法であって、 前記基準画像と前記被測定対象物の画像を一致させるた
めに、前記被測定対象物を搭載した前記載物台のＸ，Ｙ
方向およびθ（回転）の各パラメータを移動した時に、
前記両画像からの残差光量を積分検出し、 前記各パラメータにつき前記残差光量を最小とする位置
を検出し、 順次漸近法により、すべての前記パラメータを同時に移
動した時に、前記残差光量が最小となったところを前記
両画像が一致したとみなす異物検出のための載物台位置
制御装置の載物台位置制御方法。 - 【請求項１２】 請求項５に記載の異物検出のための載
物台位置制御装置の載物台位置制御方法であって、 前記基準画像と前記被測定対象物の画像を一致させるた
めに、前記被測定対象物を搭載した前記載物台のＸ，Ｙ
方向およびθ（回転）の各パラメータを移動した時に、
前記両画像からの残差光量を積分検出し、 前記各パラメータにつき前記残差光量を最小とする位置
を検出し、 ランダム漸近法により、すべての前記パラメータを同時
に移動した時に、前記残差光量が最小となったところを
前記両画像が一致したとみなす異物検出のための載物台
位置制御装置の載物台位置制御方法。 - 【請求項１３】 請求項６に記載の異物検出のための載
物台位置制御装置の載物台位置制御方法であって、 前記基準画像と前記被測定対象物の画像を一致させるた
めに、前記被測定対象物を搭載した前記載物台のＸ，Ｙ
方向およびθ（回転）の各パラメータを移動した時に、
前記両画像からの残差光量を積分検出し、 前記各パラメータにつき前記残差光量を最小とする位置
を検出し、 順次漸近法により、すべての前記パラメータを同時に移
動した時に、前記残差光量が最小となったところを前記
両画像が一致したとみなす異物検出のための載物台位置
制御装置の載物台位置制御方法。 - 【請求項１４】 請求項７に記載の異物検出のための載
物台位置制御装置の載物台位置制御方法であって、 前記基準画像と前記被測定対象物の画像を一致させるた
めに、前記被測定対象物を搭載した前記載物台のＸ，Ｙ
方向およびθ（回転）の各パラメータを移動した時に、
前記両画像からの残差光量を積分検出し、 前記各パラメータにつき前記残差光量を最小とする位置
を検出し、 ランダム漸近法により、すべての前記パラメータを同時
に移動した時に、前記残差光量が最小となったところを
前記両画像が一致したとみなす異物検出のための載物台
位置制御装置の載物台位置制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10049675A JPH11251386A (ja) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | 異物検出のための載物台位置制御装置及びその載物台位置制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10049675A JPH11251386A (ja) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | 異物検出のための載物台位置制御装置及びその載物台位置制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251386A true JPH11251386A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12837760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10049675A Withdrawn JPH11251386A (ja) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | 異物検出のための載物台位置制御装置及びその載物台位置制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11251386A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6829047B2 (en) | 2001-04-13 | 2004-12-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Defect detection system |
-
1998
- 1998-03-02 JP JP10049675A patent/JPH11251386A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6829047B2 (en) | 2001-04-13 | 2004-12-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Defect detection system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4468696B2 (ja) | 半導体ウエハ検査装置 | |
| CN111554591B (zh) | 半导体芯片处理装置 | |
| KR20010101550A (ko) | 결함검사데이터처리시스템 | |
| JP2004153264A (ja) | 基板検査装置 | |
| CN111553897B (zh) | 晶圆缺陷检测设备 | |
| JP2007256272A (ja) | 表面検査装置 | |
| KR101602580B1 (ko) | 웨이퍼 검사 방법 | |
| JP2008096314A (ja) | マクロ検査装置 | |
| CN111916366A (zh) | 晶圆检测设备 | |
| KR20220044741A (ko) | 웨이퍼 외관 검사 장치 및 방법 | |
| JP2000283929A (ja) | 配線パターン検査方法及びその装置 | |
| JP2003294419A (ja) | 微小寸法測定装置 | |
| JP2004179581A (ja) | 半導体ウエハ検査装置 | |
| JP2009150718A (ja) | 検査装置および検査プログラム | |
| JPS5910231A (ja) | パタ−ン欠陥解析装置 | |
| KR100274594B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 검사장치 및 검사방법. | |
| JPH11251386A (ja) | 異物検出のための載物台位置制御装置及びその載物台位置制御方法 | |
| JP2000067243A (ja) | 自動欠陥情報収集制御方法及び自動欠陥情報収集制御プログラムを記録した記録媒体 | |
| KR100515376B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 검사장비 및 검사방법 | |
| KR102237593B1 (ko) | 글라스 표면 검사용 광학 장치 | |
| JP2009294123A (ja) | パターン識別装置、パターン識別方法及び試料検査装置 | |
| KR20080057597A (ko) | 에미션 분석 장치 및 불량 분석 방법 | |
| JP4797751B2 (ja) | ステンシルマスクの検査方法およびその装置 | |
| JP2009063365A (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
| TW201514479A (zh) | 缺陷觀察裝置及其方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |