JPH1124284A - Liquid treating device - Google Patents

Liquid treating device

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JPH1124284A
JPH1124284A JP19513897A JP19513897A JPH1124284A JP H1124284 A JPH1124284 A JP H1124284A JP 19513897 A JP19513897 A JP 19513897A JP 19513897 A JP19513897 A JP 19513897A JP H1124284 A JPH1124284 A JP H1124284A
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JP
Japan
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developer
wafer
developing
developing solution
supply nozzle
Prior art date
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Application number
JP19513897A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Takekuma
貴志 竹熊
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Priority to US09/109,104 priority patent/US6284043B1/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To quickly supply a large amt. of a treating liquid without adding high injection pressure of the treating liquid to a substrate by using a hollow casing at least a part of which consists of a porous film as a treating liquid supply part. SOLUTION: The easing 41 of a developer supply nozzle 38 is communicated with a developer supply tube 39. Therefore, a developer from a developer supply device is supplied to a hollow part of the casing 41 through the developer supply tube 39. When a wafer is mounted on a spin chuck, the developer supply nozzle 38 is moved to the specified position above the wafer. When the wafer is rotated at least a half round while the developer is supplied from the casing 41, the developer is applied on the wafer. Since the lower face of the casing 41 of the developer supply nozzle 38 consists of a porous film, the developer is injected through lots of developer injection ports. Therefore, the injection pressure of the developer can be decreased, and as a result, generation of microbubbles can be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は,基板に対して液を
供給して所定の処理を行う液処理装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a liquid processing apparatus for performing a predetermined process by supplying a liquid to a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より,半導体デバイスの製造におい
ては,半導体ウェハ(以下,「ウェハ」と称する。)な
どの表面にレジストパターンを形成させるためのフォト
リソグラフィ工程が行われている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in the manufacture of semiconductor devices, a photolithography process for forming a resist pattern on a surface of a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a "wafer") or the like has been performed.

【0003】このフォトリソグラフィ工程における現像
処理工程では,従来から現像処理装置が使用されてい
る。この現像処理装置は,ウェハを回転させるためのス
ピンチャックと現像液供給ノズルなどの処理液供給部を
有しており,スピンチャックによってウェハを回転させ
ながら,現像液供給ノズルから現像液を供給して液処理
を行うように構成されている。
[0005] In the development processing step in the photolithography step, a development processing apparatus is conventionally used. This developing apparatus has a processing liquid supply unit such as a spin chuck for rotating the wafer and a developing liquid supply nozzle, and supplies the developing liquid from the developing liquid supply nozzle while rotating the wafer by the spin chuck. Liquid processing.

【0004】前記現像液供給ノズルは,硬質合成樹脂よ
り形成された略棒状の形状を有し,その下面には,多数
の現像液吐出口が一列に穿設されている。これら現像液
吐出口は,ウェハの直径に相当する長さにわたって設け
られている。そしてウェハに対して現像処理する場合に
は,ウェハを少なくとも半周させて,現像液をウェハ上
に均一に盛りあげるようにして塗布し,次いで,スピン
チャックの回転を止めウェハをしばらく静止させる。そ
の後再び,ウェハを回転させて現像液を振り切った後,
たとえば純水などの洗浄液を供給してウェハを洗浄する
ようにしている。このような現像処理工程において,ウ
ェハの現像を均一に処理するためには,現像液の素早い
塗布が必要である。そのため一列に穿設された現像液吐
出口を有する従来の現像液供給ノズルを用いた液処理装
置においては,現像液吐出圧を高くしている。
[0004] The developer supply nozzle has a substantially rod-like shape formed of a hard synthetic resin, and a plurality of developer outlets are formed in a row on a lower surface thereof. These developer discharge ports are provided over a length corresponding to the diameter of the wafer. When the wafer is subjected to the developing process, the developing solution is applied at least half way around the wafer so that the developer is evenly applied on the wafer, and then the rotation of the spin chuck is stopped and the wafer is allowed to stand still for a while. After that, the wafer is again rotated to shake off the developer,
For example, a cleaning liquid such as pure water is supplied to clean the wafer. In such a development processing step, rapid application of a developing solution is required in order to uniformly develop the wafer. Therefore, in a liquid processing apparatus using a conventional developer supply nozzle having a developer discharge port formed in a line, the developer discharge pressure is increased.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら,現像液
吐出圧が高いと,周囲の空気を巻き込んでしまい,微少
な気泡(以下,「マイクロバブル」と称する。)が,供
給する現像液中に発生する。このようなマイクロバブル
が現像液中に存在したまま,ウェハに現像液が塗布され
ると,その部分は所定の現像処理が施されなくなる。ま
た,現像液吐出圧が高いとレジストパターンに与える衝
撃が大きくなり,レジストパターンが削られるおそれが
ある。
However, when the developing solution discharge pressure is high, the surrounding air is entrained, and fine bubbles (hereinafter referred to as "micro bubbles") are generated in the developing solution to be supplied. I do. When the developing solution is applied to the wafer while such microbubbles are present in the developing solution, the portion is not subjected to a predetermined developing process. Also, if the developing solution discharge pressure is high, the impact given to the resist pattern increases, and the resist pattern may be scraped.

【0006】上述の問題点を改善するためには,ノズル
に多数の吐出口を形成し,その分,現像液吐出圧を下げ
ればよいが,かかる条件を充足する現像処理装置の製作
は容易ではない。
In order to solve the above-mentioned problems, it is necessary to form a large number of discharge ports in the nozzle and lower the discharge pressure of the developer by that amount. However, it is not easy to manufacture a developing apparatus satisfying such conditions. Absent.

【0007】本発明は,かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり,ウェハなどの基板に対して高い処理液吐出
圧を与えなくとも素早く多量の処理液を供給し,マイク
ロバブルの発生や衝撃を緩和することが可能な新しい液
処理装置を提供し,前記問題点の解決を図ることを目的
としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and provides a large amount of processing liquid quickly without applying a high processing liquid discharge pressure to a substrate such as a wafer, thereby generating microbubbles or impact. It is an object of the present invention to provide a new liquid processing apparatus capable of alleviating the problem and to solve the above problems.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は,基板
の上方から処理液を当該基板に吐出させる処理液供給部
を備えた装置において,前記処理液供給部は,少なくと
も一部が多孔膜で形成された中空の筒体であることを特
徴としている。かかる構成によれば,たとえば現像液供
給ノズルなどの処理液供給部の製作が容易であり,多孔
膜による多数の孔の存在により,多量の処理液をウェハ
などの基板に供給することができる。したがって,マイ
クロバブルの発生を抑えることができる。そして衝撃を
緩和して,たとえばレジストパターンの削れを防止する
ことができる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an apparatus having a processing liquid supply unit for discharging a processing liquid from above a substrate to the substrate, wherein the processing liquid supply unit is at least partially porous. It is characterized by being a hollow cylindrical body formed of a film. According to such a configuration, for example, it is easy to manufacture a processing liquid supply unit such as a developer supply nozzle, and a large amount of processing liquid can be supplied to a substrate such as a wafer due to the presence of a large number of holes formed by a porous film. Therefore, generation of microbubbles can be suppressed. Then, the shock can be alleviated to prevent, for example, the removal of the resist pattern.

【0009】請求項2の発明は,請求項1に記載の液処
理装置において,処理液の温度を調整するための温度調
整用流体が流通する流路が,前記処理液供給部の筒体内
に設けられたことを特徴としている。かかる構成によれ
ば,たとえば現像液供給ノズルなどの処理液供給部の構
造が簡単であると共に,吐出直前の処理液を所望の温度
でウェハなどの基板に対して供給することが容易にな
る。
According to a second aspect of the present invention, in the liquid processing apparatus according to the first aspect, a flow path through which a temperature adjusting fluid for adjusting the temperature of the processing liquid flows is provided in the cylinder of the processing liquid supply unit. It is characterized by being provided. According to such a configuration, for example, the structure of the processing liquid supply unit such as the developing liquid supply nozzle is simple, and the processing liquid immediately before discharge is easily supplied to the substrate such as a wafer at a desired temperature.

【0010】請求項3の発明は,請求項1または2に記
載の液処理装置において,処理液中の気体分子を除去す
る脱気機構が,前記処理液供給部の筒体内に設けられた
ことを特徴としている。かかる構成によれば,吐出する
処理液を直前で脱気することができる。
According to a third aspect of the present invention, in the liquid processing apparatus according to the first or second aspect, a degassing mechanism for removing gas molecules in the processing liquid is provided in a cylinder of the processing liquid supply unit. It is characterized by. According to such a configuration, the discharged processing liquid can be degassed immediately before.

【0011】請求項4の発明は,請求項1,2または3
に記載の液処理装置において,筒体の上面は,フレーム
に支持されていることを特徴としている。かかる構成に
よれば,処理液供給部は請求項1〜3の作用効果を具有
しつつ,処理液供給部自体を素早く動かすことが可能と
なり,またその構造も強固になる。
The invention of claim 4 is the invention of claim 1, 2, or 3.
Wherein the upper surface of the cylindrical body is supported by a frame. According to this configuration, the processing liquid supply unit has the functions and effects of the first to third aspects, and can quickly move the processing liquid supply unit itself, and its structure is also strong.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下,図面を参照しながら,本発
明の好ましい実施の形態について説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0013】図1は,本実施の形態にかかる液処理装置
としての現像処理装置を有するレジスト処理装置1の全
体図を示している。このレジスト処理装置1の一端に
は,カセットステーション2が配置されている。そし
て,このカセットステーション2には,ウェハWを収容
するカセット3が載置自在である。カセットステーショ
ン2上のカセット3正面側には,ウェハWの搬送および
位置決めを行うためのメイン搬送アーム4と,メイン搬
送アーム4へとウェハWを搬送する搬送機構5とが備え
られている。そして,ウェハWに対して所定の処理を施
す各種の処理装置が,メイン搬送アーム4の搬送路6を
挟んだ両側に配置されている。
FIG. 1 is an overall view of a resist processing apparatus 1 having a developing processing apparatus as a liquid processing apparatus according to the present embodiment. At one end of the resist processing apparatus 1, a cassette station 2 is arranged. A cassette 3 for accommodating the wafer W can be placed on the cassette station 2. On the front side of the cassette 3 on the cassette station 2, a main transfer arm 4 for transferring and positioning the wafer W and a transfer mechanism 5 for transferring the wafer W to the main transfer arm 4 are provided. Various processing apparatuses for performing predetermined processing on the wafer W are arranged on both sides of the transfer path 6 of the main transfer arm 4.

【0014】すなわち,カセット3から取り出されたウ
ェハWを洗浄するためのブラシスクラバ7,ウェハWに
対して高圧ジェット洗浄するための水洗洗浄装置8,ウ
ェハWの表面を疎水化処理するアドヒージョン装置9,
ウェハWを所定温度に冷却する冷却処理装置10,回転
するウェハWの表面にレジスト膜を塗布するレジスト塗
布装置11,11,レジスト塗布後のウェハWを加熱し
たり,露光後のウェハWを加熱する加熱処理装置12,
さらに,本実施の形態にかかる現像処理装置13,13
が配置されている。
That is, a brush scrubber 7 for cleaning the wafer W taken out of the cassette 3, a water washing device 8 for high pressure jet cleaning of the wafer W, and an adhesion device 9 for making the surface of the wafer W hydrophobic. ,
A cooling processing device 10 for cooling the wafer W to a predetermined temperature, resist coating devices 11 and 11 for coating a resist film on the surface of the rotating wafer W, heating the wafer W after resist application, and heating the exposed wafer W Heat treatment device 12,
Further, the developing devices 13 and 13 according to the present embodiment
Is arranged.

【0015】図2は,この現像処理装置13の断面を示
しており,図3は同じく平面から見た様子を示してい
る。この現像処理装置13の中心部には,駆動モータ2
0が設けられている。そしてこの駆動モータ20により
回転が可能で,かつ上下動可能に構成されたスピンチャ
ック21が,駆動モータ20の上部に設けられている。
このスピンチャック21の回転スピードは自在に変えら
れ,また,スピンチャック21の上面には,ウェハWが
水平に吸着保持される。
FIG. 2 shows a cross section of the developing device 13, and FIG. 3 shows the same when viewed from above. A drive motor 2 is provided at the center of the developing device 13.
0 is provided. A spin chuck 21 rotatable by the drive motor 20 and capable of moving up and down is provided above the drive motor 20.
The rotation speed of the spin chuck 21 can be freely changed, and the wafer W is horizontally held on the upper surface of the spin chuck 21 by suction.

【0016】スピンチャック21の周囲には,当該スピ
ンチャック21を囲うようにして,現像液や洗浄液の飛
散を防止するための樹脂または金属からなる環状のカッ
プ22が,スピンチャック21の外側に設けられてい
る。このカップ22は,上部へ行くほど狭くなるように
内側に傾斜が設けられている。カップ22の開口部23
の直径は,水平にしたウェハWを,そのままカップ22
内に下降させても収納できる程度の大きさに設定されて
いる。
Around the spin chuck 21, an annular cup 22 made of resin or metal is provided outside the spin chuck 21 so as to surround the spin chuck 21 so as to prevent scattering of a developing solution or a cleaning solution. Have been. The cup 22 is provided with a slope on the inside so as to become narrower toward the upper part. Opening 23 of cup 22
The diameter of the wafer W is set as follows.
It is set to a size that can be stored even if it is lowered inside.

【0017】カップ22の底面24には,若干の傾斜が
設けられており,この底面24の最下部には,排液配管
25が接続されている。そして,スピンチャック21を
挟んだ排液配管25の反対側には,カップ22内の雰囲
気を排気するために設けられた排気配管26が接続され
ている。カップ22の底面24には,ウェハWよりも小
さい直径の環状壁27が立設されている。この環状壁2
7の上端には,スピンチャック21に吸着保持されたウ
ェハWの裏面に近接する整流板28が配設されている。
この整流板28の周辺部は,外側に向かって下方に傾斜
するように構成されている。また,ウェハWの裏面側に
おけるスピンチャック21の外側には,ウェハWの裏面
を洗浄するための洗浄水噴射ノズル29,29が設けら
れている。これらの洗浄水噴射ノズル29は,洗浄水供
給管30,30を介して洗浄水源31に接続されてい
る。この洗浄水源31と,駆動モータ20,および後述
する洗浄液供給装置35と現像液供給装置40は,それ
ぞれ制御部32により制御されている。
The bottom surface 24 of the cup 22 is provided with a slight inclination, and a drainage pipe 25 is connected to the bottom of the bottom surface 24. An exhaust pipe 26 provided to exhaust the atmosphere in the cup 22 is connected to the opposite side of the drain pipe 25 across the spin chuck 21. An annular wall 27 having a diameter smaller than that of the wafer W is provided on the bottom surface 24 of the cup 22. This annular wall 2
At the upper end of 7, a rectifying plate 28 which is close to the back surface of the wafer W sucked and held by the spin chuck 21 is provided.
The periphery of the current plate 28 is configured to be inclined downward toward the outside. Further, cleaning water jet nozzles 29 for cleaning the back surface of the wafer W are provided outside the spin chuck 21 on the back surface side of the wafer W. These cleaning water injection nozzles 29 are connected to a cleaning water source 31 via cleaning water supply pipes 30, 30. The control unit 32 controls the cleaning water source 31, the drive motor 20, and a cleaning liquid supply device 35 and a developer supply device 40, which will be described later.

【0018】一方,カップ22の上部側方には,洗浄液
供給ノズル33が配置されており,洗浄液供給管34を
介して洗浄液供給装置35に接続されている。
On the other hand, a cleaning liquid supply nozzle 33 is disposed on the upper side of the cup 22 and is connected to a cleaning liquid supply device 35 via a cleaning liquid supply pipe 34.

【0019】この洗浄液供給ノズル33は,図3に示す
ように現像処理装置13内に設けられた搬送レール36
上の把持アーム37により把持自在であり,把持アーム
37に把持された洗浄液供給ノズル33は,図3中の往
復矢印で示す方向に往復移動することができる。
As shown in FIG. 3, the cleaning liquid supply nozzle 33 is provided with a transport rail 36 provided in the developing device 13.
The cleaning liquid supply nozzle 33 gripped by the upper gripping arm 37 can be reciprocated in the direction shown by the reciprocating arrow in FIG.

【0020】さらに,図2,図3に示すように,スピン
チャック21を挟んで,洗浄液供給ノズル33の反対側
には,現像液供給ノズル38が設けられており,現像液
供給管39,39を介して現像液供給装置40に接続さ
れている。また,現像液供給ノズル38も,前出の把持
アーム37によって把持される。したがって,洗浄液供
給ノズル33と同様に,現像液供給ノズル38もウェハ
Wに対して,図3の矢印に示す方向に往復移動すること
ができる。
Further, as shown in FIGS. 2 and 3, a developer supply nozzle 38 is provided on the opposite side of the cleaning liquid supply nozzle 33 with the spin chuck 21 interposed therebetween, and developer supply pipes 39 and 39 are provided. Is connected to the developing solution supply device 40 via the. The developer supply nozzle 38 is also gripped by the gripping arm 37 described above. Accordingly, similarly to the cleaning liquid supply nozzle 33, the developer supply nozzle 38 can also reciprocate with respect to the wafer W in the direction indicated by the arrow in FIG.

【0021】次に,図4,図5を参照しながら,現像液
供給ノズル38をより詳細に説明する。図4に示すよう
に,現像液供給ノズル38は,フレーム部40と中空の
筒体部41とから構成されている。この筒体部41の下
面は多孔膜で形成されており,現像液をウェハWに吐出
させるための多数の現像液吐出口41aが形成されてい
る。
Next, the developer supply nozzle 38 will be described in more detail with reference to FIGS. As shown in FIG. 4, the developer supply nozzle 38 includes a frame part 40 and a hollow cylindrical part 41. The lower surface of the cylindrical body 41 is formed of a porous film, and has a large number of developing solution discharge ports 41a for discharging the developing solution onto the wafer W.

【0022】また,図5は現像液供給ノズル38の断面
を示しており,現像液供給ノズル38の筒体部41に
は,現像液供給管39が連通している。かかる構成によ
り,現像液供給装置40からの現像液は,現像液供給管
39,39を介して,筒体部41の中空部に供給され
る。また,筒体部41内には,温調配管43が配置され
ており,この温調配管43内を循環する温度調整用流
体,たとえば所定の温度に設定された水が流通し循環す
ることによって,現像液を所望の温度に調整することが
できる。
FIG. 5 shows a cross section of the developing solution supply nozzle 38, and a developing solution supply pipe 39 communicates with the cylindrical portion 41 of the developing solution supply nozzle 38. With this configuration, the developing solution from the developing solution supply device 40 is supplied to the hollow portion of the cylindrical body 41 via the developing solution supply pipes 39, 39. A temperature control pipe 43 is disposed in the cylindrical body 41, and a temperature control fluid circulating in the temperature control pipe 43, for example, water set to a predetermined temperature flows and circulates. The developer can be adjusted to a desired temperature.

【0023】本実施の形態にかかる現像処理装置13
は,以上のように形成されている。次に,その作用,効
果について説明する。まずウェハWがスピンチャック2
1上に載置されると,現像液供給ノズル38がウェハW
上方の所定の位置にまで移動する。そして,筒体部41
から現像液を供給しつつ,図6に示すように,ウェハW
を少なくとも半回転させると,ウェハW上に現像液が塗
布される。
The developing device 13 according to the present embodiment
Is formed as described above. Next, the operation and effect will be described. First, the wafer W is placed in the spin chuck 2
1, the developer supply nozzle 38 is connected to the wafer W
Move to the upper predetermined position. And the cylindrical body 41
While supplying the developing solution from the wafer W, as shown in FIG.
Is rotated at least half a turn, the developer is applied onto the wafer W.

【0024】この時,現像液供給ノズル38の筒体部4
1の下面は,多孔膜により形成されているので,図7に
示したように,現像液は多数の現像液吐出口41aから
ウェハWに吐出される。したがって従来より,多量の現
像液を供給することができるので,従来よりも現像液吐
出圧を低く抑えることができる。その結果,周囲の空気
の巻き込みを抑えることができ,マイクロバブルの発生
を防止することができる。しかも,現像液吐出圧が低い
ために,ウェハW上のレジストパターンに与える衝撃を
緩和することができ,該レジストパターンの削れを防止
することができる。
At this time, the cylindrical portion 4 of the developer supply nozzle 38
Since the lower surface of 1 is formed of a porous film, the developing solution is discharged onto the wafer W from a number of developing solution discharge ports 41a as shown in FIG. Therefore, a larger amount of developing solution can be supplied than before, so that the developing solution discharge pressure can be kept lower than before. As a result, entrainment of the surrounding air can be suppressed, and generation of microbubbles can be prevented. In addition, since the developing solution discharge pressure is low, the impact on the resist pattern on the wafer W can be reduced, and the resist pattern can be prevented from being scraped.

【0025】さらに,筒体部41の下面は多孔膜によっ
て形成されているため,そのように多数の現像液吐出口
41aを持った現像液供給ノズル38の製作は容易であ
る。しかも,筒体部41内には温調配管43が設けられ
ているため,吐出直前の現像液の温度を制御することが
できる。
Further, since the lower surface of the cylindrical portion 41 is formed of a porous film, it is easy to manufacture the developing solution supply nozzle 38 having such a large number of developing solution discharge ports 41a. In addition, since the temperature control pipe 43 is provided in the cylindrical portion 41, the temperature of the developer immediately before the discharge can be controlled.

【0026】また,この現像液をウェハWに供給する筒
体部41は,フレーム部40に支持されているため,現
像液供給ノズル38は,把持アーム37の素早い動作に
追従が可能になると共に,構造が強固になる。したがっ
て,より効率のよい現像処理を行うことができる。
Since the cylindrical portion 41 for supplying the developing solution to the wafer W is supported by the frame portion 40, the developing solution supply nozzle 38 can follow the quick operation of the gripping arm 37 and , Strengthen the structure. Therefore, more efficient development processing can be performed.

【0027】以上,本発明の実施の形態について例をあ
げて説明したが,本発明はこの例に限定されるものでは
なく,種々の態様を採りうるものである。すなわち,上
述の実施の形態では,筒体部41に温調配管43を設け
た場合について説明したが,筒体部41内に,後述の脱
気機構としての脱気モジュール50を設けてもよい。こ
の脱気モジュール50を備えた現像処理装置55につい
て,以下に説明する。なお,以下の説明において,これ
までの説明と略同一の機能及び構成を有する構成要素に
ついては,同一符号を付することにより,重複説明を省
略する。
Although the embodiments of the present invention have been described above by way of examples, the present invention is not limited to these examples, but can take various forms. That is, in the above-described embodiment, the case where the temperature control pipe 43 is provided in the cylindrical portion 41 has been described. However, in the cylindrical portion 41, a deaeration module 50 as a deaeration mechanism described later may be provided. . The developing device 55 provided with the deaeration module 50 will be described below. In the following description, components having substantially the same functions and configurations as those described above will be denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

【0028】図8,9に示すように,この脱気モジュー
ル50は,接続管51を介して,現像処理装置55外部
にある真空引き機構(図示せず)に接続されている。こ
の脱気モジュール50は,気体分子だけを通過させて液
体分子の侵入を阻止する材質から形成されている。この
脱気モジュール50によれば,上記真空引き機構を作動
させることにより,筒体部41内に存在する気体分子を
現像液の吐出直前で除去することができる。したがっ
て,現像液吐出口41aから吐出される現像液中には気
泡が存在せず,前述の現像液吐出圧の低下と相まって,
現像むらのない均一な現像処理をウェハWに対して施す
ことができる。
As shown in FIGS. 8 and 9, the degassing module 50 is connected via a connection pipe 51 to a vacuuming mechanism (not shown) provided outside the developing device 55. The degassing module 50 is made of a material that allows only gas molecules to pass therethrough and prevents liquid molecules from entering. According to the degassing module 50, by operating the vacuuming mechanism, gas molecules existing in the cylindrical body portion 41 can be removed immediately before the discharge of the developer. Therefore, no bubbles are present in the developer discharged from the developer discharge port 41a, and in combination with the above-described decrease in the developer discharge pressure,
A uniform development process without development unevenness can be performed on the wafer W.

【0029】以上の実施の形態においては,基板がウェ
ハWであったが,本発明はLCD基板であっても適用す
ることができる。また上記実施の形態においては,処理
液供給部が現像液を供給する現像液供給ノズル38とし
て具体化されていたが,もちろん各種処理液を供給する
処理液供給部についても適用することができる。そし
て,その他複数の処理液供給部,たとえば四本の現像液
供給部を備えた現像処理装置57としても構成すること
ができる。
In the above embodiment, the substrate is the wafer W, but the present invention can be applied to an LCD substrate. Further, in the above-described embodiment, the processing liquid supply unit is embodied as the developer supply nozzle 38 for supplying the developing liquid. However, it is needless to say that the processing liquid supply unit for supplying various processing liquids can be applied. Further, the developing apparatus 57 may be configured to include a plurality of other processing liquid supply units, for example, four developing liquid supply units.

【0030】図10は,このような四本の現像液供給ノ
ズル38を備えた他の実施の形態にかかる現像処理装置
57を平面から見た様子を表している。この現像処理装
置57内には,ウェハWを挟んで現像処理装置57の長
手方向に,搬送レール36,36を対向して備えてい
る。搬送レール36,36上には,現像液供給ノズル3
8を吊下して支持する吊り下げフレーム60が搬送レー
ル36,36上をスライド自在な構成となっている。
FIG. 10 shows a plan view of a developing apparatus 57 according to another embodiment having such four developing solution supply nozzles 38. In the developing device 57, transport rails 36 are provided opposite to each other in the longitudinal direction of the developing device 57 with the wafer W interposed therebetween. On the transport rails 36, 36, the developer supply nozzle 3 is provided.
A suspension frame 60 for suspending and supporting the slide rails 8 is configured to be slidable on the transport rails 36, 36.

【0031】したがって,適宜の駆動機構(図示せず)
によって,吊り下げフレーム60が移動することで当該
吊り下げフレーム60に支持された現像液供給ノズル3
8も,現像処理装置57内を同図中の往復矢印で示す方
向に自在に移動し,四本の現像液供給ノズル38がウェ
ハW上を走査可能となる。したがって,この走査時に現
像液をウェハW全面に対して供給することが可能であ
る。
Therefore, an appropriate drive mechanism (not shown)
As a result, the suspension frame 60 moves, so that the developer supply nozzle 3 supported by the suspension frame 60 is moved.
8 also freely moves in the direction shown by the reciprocating arrow in the drawing in the developing device 57, and the four developer supply nozzles 38 can scan the wafer W. Therefore, the developer can be supplied to the entire surface of the wafer W during this scanning.

【0032】また,現像処理装置57における一側に
は,四本の現像液供給ノズル38を並列状態で収納でき
る収納容器62が設けられている。この収納容器62内
は,現像液供給ノズル38の筒体部41の現像液吐出口
41aの乾燥を防止するために,現像液の溶剤による雰
囲気で常に満たされている。
On one side of the developing device 57, a storage container 62 capable of storing four developer supply nozzles 38 in parallel is provided. The inside of the storage container 62 is always filled with an atmosphere of a solvent of the developing solution in order to prevent the developing solution discharge port 41 a of the cylindrical portion 41 of the developing solution supply nozzle 38 from drying.

【0033】この現像処理装置57は以上のように構成
されている。この現像処理装置57によれば,現像液供
給ノズル38が吊り下げフレーム60を介してウェハW
上方へ移動し,現像液供給ノズル38が互いに間隔を広
く取ってウェハW上方を走査しながら,筒体部41下面
の現像液吐出口から現像液をウェハWに供給することが
できる。これにより,ウェハWを回転させることなく現
像液をウェハW上に塗布することができる。
The developing device 57 is constructed as described above. According to the developing device 57, the developer supply nozzle 38 is connected to the wafer W through the suspension frame 60.
While moving upward, the developer supply nozzles 38 can supply the developer to the wafer W from the developer discharge port on the lower surface of the cylindrical body portion 41 while scanning the upper side of the wafer W with a large interval therebetween. Thus, the developer can be applied onto the wafer W without rotating the wafer W.

【0034】そして,このように四本の現像液供給ノズ
ル38が互いに間隔を広げながらウェハWに現像液を塗
布するため,ウェハWに対して現像液の素早い供給が可
能となる。なお,ウェハWに対して所定の現像液の供給
が終了した後,各現像液供給ノズル38は,吊り下げフ
レーム60を介して収納容器62へと並列に収納され
る。この際,四本の現像液供給ノズル38は,図11に
示したように,互いに間隔を狭めて収納容器62内に収
納することができる。したがって,四本の現像液供給ノ
ズル38があるにもかかわらず,収納のための場所をと
らずに収納することができる。
Since the four developing solution supply nozzles 38 apply the developing solution to the wafer W while widening the interval therebetween, the developing solution can be quickly supplied to the wafer W. After the supply of the predetermined developing solution to the wafer W is completed, each of the developing solution supply nozzles 38 is stored in the storage container 62 in parallel via the hanging frame 60. At this time, as shown in FIG. 11, the four developer supply nozzles 38 can be accommodated in the accommodating container 62 with a narrow interval therebetween. Therefore, despite the presence of the four developer supply nozzles 38, the developer can be stored without taking up space for storage.

【0035】[0035]

【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば,処理液
供給部の製作が容易になると共に,多数の孔の存在によ
り,現像液吐出圧を従来より低く設定しても,多量の処
理液を供給することができる。したがって,処理液吐出
圧を低く設定してマイクロバブルの発生を防止すること
ができると共に,従来よりも基板に対する衝撃を緩和す
ることができる。請求項2に記載の発明によれば,温度
調整用流体が流通する流路が,簡単な構造で処理液供給
部の筒体内に設けることができ,処理液の吐出直前に,
所望の温度に調整された処理液をウェハに供給すること
ができる。請求項3に記載の発明によれば,処理液供給
部の筒体内に設けられた脱気機構により,吐出直前の処
理液に存在する気体分子を脱気して除去することができ
る。したがって,歩留まりの向上を図ることができる。
請求項4に記載の発明によれば,処理液供給部の上面が
フレームにより支持されているため,たとえば把持アー
ムで処理液供給部を把持して移動する場合など当該把持
アームの素早い動作にも処理液供給部が追従可能とな
り,その構造も強固なものとなる。
According to the first aspect of the present invention, it is easy to manufacture the processing liquid supply section, and because of the presence of a large number of holes, even if the discharge pressure of the developing liquid is set lower than in the past, a large amount of the processing liquid can be produced. A processing liquid can be supplied. Therefore, the generation of microbubbles can be prevented by setting the discharge pressure of the processing liquid low, and the impact on the substrate can be reduced as compared with the related art. According to the second aspect of the present invention, the flow path through which the temperature adjusting fluid flows can be provided in the cylinder of the processing liquid supply unit with a simple structure.
The processing liquid adjusted to a desired temperature can be supplied to the wafer. According to the third aspect of the present invention, the gas molecules present in the processing liquid immediately before discharge can be degassed and removed by the degassing mechanism provided in the cylinder of the processing liquid supply unit. Therefore, the yield can be improved.
According to the fourth aspect of the present invention, since the upper surface of the processing liquid supply section is supported by the frame, it is possible to quickly move the gripping arm, for example, when gripping and moving the processing liquid supply section with the gripping arm. The processing liquid supply unit can follow, and the structure is also strong.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施の形態にかかる現像処理装置を有するレジ
スト処理装置の外観を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of a resist processing apparatus having a developing processing apparatus according to an embodiment.

【図2】実施の形態にかかる現像処理装置の断面図であ
る。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the developing device according to the embodiment;

【図3】図2の現像処理装置を平面から見た説明図であ
る。
FIG. 3 is an explanatory diagram of the developing apparatus of FIG. 2 as viewed from above.

【図4】図2の現像処理装置における現像液供給ノズル
を下側から見た斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view of a developer supply nozzle in the developing apparatus of FIG. 2 as viewed from below.

【図5】図4の現像液供給ノズルの断面図である。FIG. 5 is a sectional view of the developer supply nozzle of FIG.

【図6】図4の現像液供給ノズルにより,ウェハに現像
液を塗布する様子を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory view showing a state in which a developing solution is applied to a wafer by the developing solution supply nozzle of FIG. 4;

【図7】図4の現像液供給ノズルから現像液が吐出され
る状態を示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing a state in which a developing solution is discharged from a developing solution supply nozzle in FIG. 4;

【図8】他の実施の形態にかかる現像処理装置における
現像液供給ノズルの断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view of a developer supply nozzle in a developing apparatus according to another embodiment.

【図9】図8の現像液供給ノズルを有する現像処理装置
を平面から見た説明図である。
FIG. 9 is a plan view of a developing apparatus having the developing solution supply nozzle of FIG. 8;

【図10】他の実施の形態にかかる現像処理装置によっ
て現像液を塗布する様子を平面から見た説明図である。
FIG. 10 is a plan view illustrating a state in which a developing solution is applied by a developing apparatus according to another embodiment.

【図11】図11の現像処理装置における現像液供給ノ
ズルが収納された様子を示す説明図である。
11 is an explanatory diagram showing a state in which a developer supply nozzle is accommodated in the development processing apparatus of FIG. 11;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レジスト処理装置 13 現像処理装置 22 カップ 38 現像液供給ノズル 39 現像液供給管 40 フレーム部 41 筒体部 43 温調配管 W ウェハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Resist processing apparatus 13 Developing apparatus 22 Cup 38 Developing solution supply nozzle 39 Developing solution supply pipe 40 Frame part 41 Cylindrical part 43 Temperature control piping W Wafer

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の上方から処理液を当該基板に吐出
させる処理液供給部を備えた装置において,前記処理液
供給部は,少なくとも一部が多孔膜で形成された中空の
筒体であることを特徴とする,液処理装置。
1. An apparatus provided with a processing liquid supply unit for discharging a processing liquid from above a substrate to the substrate, wherein the processing liquid supply unit is a hollow cylinder at least partially formed of a porous film. A liquid processing apparatus characterized by the above-mentioned.
【請求項2】 処理液の温度を調整するための温度調整
用流体が流通する流路が,筒体内に設けられたことを特
徴とする,請求項1に記載の液処理装置。
2. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein a flow path through which a temperature adjusting fluid for adjusting the temperature of the processing liquid flows is provided in the cylinder.
【請求項3】 処理液中の気体分子を除去する脱気機構
が,筒体内に設けられたことを特徴とする,請求項1又
は2に記載の液処理装置。
3. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein a degassing mechanism for removing gas molecules in the processing liquid is provided in the cylinder.
【請求項4】 筒体の上面は,フレームに支持されてい
ることを特徴とする,請求項1,2又は3に記載の液処
理装置。
4. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the upper surface of the cylindrical body is supported by a frame.
JP19513897A 1997-07-03 1997-07-03 Liquid treating device Pending JPH1124284A (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19513897A JPH1124284A (en) 1997-07-03 1997-07-03 Liquid treating device
SG1998001531A SG71809A1 (en) 1997-07-03 1998-06-26 Solution treatment apparatus
TW087110402A TW396382B (en) 1997-07-03 1998-06-26 Solution treatment apparatus
US09/109,104 US6284043B1 (en) 1997-07-03 1998-07-02 Solution treatment apparatus
KR1019980026778A KR100559642B1 (en) 1997-07-03 1998-07-03 Liquid treatment device
US09/908,889 US6527861B2 (en) 1997-07-03 2001-07-20 Developing apparatus with a porous film nozzle

Applications Claiming Priority (1)

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JP (1) JPH1124284A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000228349A (en) * 1999-02-08 2000-08-15 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment apparatus

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